Литература. 
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

• 1. LilienfildJ. Е. Пат. США№ 1 745 175/J. Е. Lilienfild, 1930.
• 2. Heil, О. Пат. Великобр. 439 457 / О. Ней, 1935.
• 3. Shockley, W. Modulation on conductance of thin films of semiconductors by surface charge / W. Shockley, J. L. Pearson // Phys. Rev. — 1948. — Vol. 74. — P. 232.
• 4. Kahnd, D. Silicon — Silicon Dioxide field induced surface devices / D. Kahnd, M. M. Atalla // IRE Solid-St. Device Res. Conf., Carnegie Inst. Of Technology. Pittsburgh, Pa. — 1960.
• 5. Kahnd, D. A historical perspective on the developmamt of MOS transistors and related devices / D. Kahnd // IEEE Trans. — 1976. Vol. ED-23. — P. 655.
• 6. Ihantola, H. K. Design theory of a surface field-effect transistors / H. K. Ihantola // Solid State Electron. — 1964. — Vol. 7. — P. 423.
• 7. Sah, С. T. Characteristics of the metal-oxode-semiconductor transistors / С. T. Sah // IEEE Trans. — 1964. — Vol. ED-11. — P. 324.
• 8. Shockley, W. An unippolar field-effect transistor / W. Shockley Proc. IRE. — 1952. — Vol. 40. — P. 1365.
• 9. Зи, С. M. Физика полупроводниковых приборов. Ки. 1 / С. М. Зи; пер. с англ. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
• 10. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов. Кп. 2 / С. М. Зи; пер. с англ. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
• 11. Brews, J. R. Generalized guide for MOSFET miniaturisation / J. R. Brews |and other] // IEEE EDL. — 1980. — Vol. EDL-1. — P.2.
• 12. Ban дер Зил, А. Шум / А. Ван дер Зил; пер. с англ. — М.: Советское Радио, 1973. — 228 с.
• 13. Gupta, М. S. Selected papers on noise in circuits and systems / M. S. Gupta// IEEE Press, 1998.
• 14. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч. 1 / Г. Я. Красников. — М.: Техносфера, 2002. — 416 с.
• 15. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч. 2 / Г. Я. Красников. — М.: Техносфера, 2004. — 536 с.
• 16. Sze, S. М. Physics of Semiconductor Devices (3-rd edition) /

S. M. Sze, K. Ng. Kwok. — Wiley-Interscience, 2007. — 815 p.

• 17. Schimtz, J. Ultra-shallow junction formation by outdiffusion from implanted oxide/J. Schimtz// IEEE IEDM 1998. — P. 1009−1012.
• 8.Tasch, A. F. Limitation of LDD types of structure in deepsubmicrometer MOS technology / A. F. Tasch [and other] // IEEE EDL. — 1990. — Vol. 11. -N₀11. — P. 517−519.
• 19. Gusev, E. P. Ultrathin high-K gate stacks for advanced CMOS devices / E. P. Gusev [and other] // IEEE IEDM. — 2001. — Session 20.
• 20. Hisamoto, D. FD/GD SOI MOSFET/ D. Hisamoto // IEEE IEDM. — 2001. — Session 20.
• 21. Matsumoto, T. 70 nm SOI-CMOS of 135 GHz f with dual
• 7 max

offsct-implattcd soursc-drain extension structure for RF/analog and logic application /Т. Matsumoto [and other] // IEEE IEDM. — 2001. — Session 10.

22. Закон Мура и процветание человечества // Услуги и цены. — 2005. — № 22(193). — С. 8−12.