Другие работы
Перейти от блока в N разрядов к блоку в K разрядов можно с помощью пункта головного меню Operations Array & Cluster (разделение на блоки с меньшим числом разрядов), причем число разрядов в выходном блоке указывают соответствующей константой (здесь N = 16, K = 8) или же с помощью Operations Array & Cluster (здесь произвольное число блоков последовательно соединяются в один блок большего размера…
Курсовая Считая, что воздействие — напряжение, а реакция — напряжение в режиме холостого хода (отключено) Определить: Определить все токи и напряжения в цепи, построить векторную диаграмму токов и напряжений. Получим операторную характеристику, найдя передаточную функцию цепи в операторной форме: Построим векторную диаграмму напряжений и токов в комплексной системе координат: Учитывая, что и переходя…
Курсовая До последнего времени при моделировании СВЧ транзисторных генераторов определялись лишь значения параметров электрического режима работьъ транзистора и параметров электрических цепей, при которых достигаются требуемые выходные параметры устройства. Такой режим принято называть номинальным. Однако при серийном производстве и эксплуатации номинальный режим и условия его обеспечения не всегда могут…
Диссертация Результаты диссертационной работы опубликованы в 9 статьях в реферируемых научных журналах и сборниках, и докладывались на 15 международных, национальных и всероссийских конференциях и совещаниях: международном совещании НАТО по передовым направлениям исследований в области создания лазера на кремнии (NATO Advanced Research Workshop 'Towards the first silicon laser", Тренто, Италия, 2002 г…
Диссертация Алгоритм работы устройства При снижении уровня освещенности ниже установленного значения срабатывает сумеречный переключатель и осуществляется запуск СДУ. При этом программа контроллера в главном цикле ожидает появления символа «S», после чего происходит загрузка данных. После её окончания считываются значения количества переданных символов и текущей скорости. Далее считываются первые регистры…
Дипломная Запровадження ————————————————————— ——————————- ———— 5 2 Більшість ————————————————————————————— ——— 6 2.1 Аналіз вихідних даних ————————————————————————- — 6 2.2 Розрахунок кінцевого каскаду ——————————————————————- — 6 2.2.1 Розрахунок робочої точки ————————————————————————- —- 6 2.2.2 Вибір транзистора і розрахунок еквівалентних схем заміщення—— 8 2.2.2.1 Розрахунок параметрів схеми Джиаколетто…
Реферат Использование интенсивного излучения миллиметрового диапазона длин волн привлекает все большее внимание для решения широкого круга технологических задач, например, для микроволновой высокотемпературной обработки диэлектрических и полупроводниковых материалов, выращивания алмазных пленок и дисков, создания пучков многозарядных ионов. Созданные к настоящему времени в Институте прикладной физики РАН…
Диссертация Наиболее просто организуется цифро-аналоговое преобразование в том случае, если микроконтроллер имеет встроенную функцию широтно-импульсного преобразования (например, AT90S8515 фирмы Atmel или 87С51GB фирмы Intel). Выход ШИМ управляет ключом S. В зависимости от заданной разрядности преобразования (для контроллера AT90S8515 возможны режимы 8, 9 и 10 бит) контроллер с помощью своего…
Реферат Например, прогнозируемое в уменьшение характеристических размеров МОП-структур до 30−15нм потребует уменьшения толщины подзатворного диэлектрика до 1 нм (рис. 4), при которой без принятия специальных мер туннельный ток будет сравним по величине с основным током транзистора, тогда как в качественных МОП-структурах туннельный ток не должен превышать 1% от рабочего тока. Кроме того, при такой длине…
Диссертация Размеры современных полупроводниковых приборов становятся соизмеримыми с постоянной решетки кристалла, и поэтому свойства поверхностей приобретают решающее значение. В этой связи в последние годы активно разрабатываются методы химической инженерии электронных свойств поверхностей (спектра поверхностных состояний, электрофизических параметров) для расширения возможностей использования…
Диссертация В тех случаях, когда отказы и дефекты микросхем носят случайный (статистический) характер, в задачах контроля выхода годных широко используются методы прикладной статистики. Статистические модели выхода годных ИС служат следующим основным целям: оценка уровня технологии на основе статистики по выходу годных, контролю дефектности и испытаниям ИСоценка и сравнение различных…
Диссертация В результате работы над курсовым проектом было разработано оперативное запоминающее устройство на ИС К537РУ3, с использованием микросхем серии К1533 для регистров MAR, MDR и других узлов модуля. Во время проектирования ОЗУ потребовалось нарастить число разрядов и слов. Работа над данным проектом помогла подробнее разобраться в устройстве ОЗУ, ее различных реализациях, а так же получить навыки…
Курсовая Регистр — это устройство в составе ЭВМ для приёма и запоминания одного числа, так же для выполнения определённых операций над ними. Регистр, представляет собой совокупность взаимосвязанных триггеров общей системой управления входными и выходными сигналами. Разрядность регистра определяется числом используемых в нём триггеров. По виду выполняемых операций над числами различают регистры для приёма…
Реферат Конструкция жидкостного химического полевого транзистора и электрическая схема его включения Для изготовления химических полевых транзисторов (ХПТ), также как и обычных ПТ, применяются тонкопленочные технологии. ХПТ реализуются на подложке из кремния р-типа, на которой методом диффузии сформированы две области n-типа (сток и исток). Полученная конструкция покрывается изоляционным слоем диоксида…
Реферат Для выполнения операции умножения воспользуемся регистрами R1, R2 и R3. Все действия в МК51 осуществляются через аккумулятор A, поэтому предусмотрим его обнуление в программе. Флаг переноса C будем использовать для анализа бита множителя и для передачи результата из аккумулятора, который и будет служить нам для временного хранения промежуточного результата, в регистр R2. В регистр R2 будет…
Курсовая