Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состоянию

Диссертация: Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состоянию
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кроме того, давление может выступать в качестве термодинамического параметра, определяющего, наряду с температурой, возникновение структурных фазовых переходов, но здесь этот аспект применения высоких давлений не рассматривается. стабильных донорных дефектов, образованных примесями замещения (Si, Те, Sn), так называемых DX-центров (их присутствие, в частности, ответственно за долгоживущую… Читать ещё >

Эффекты локализации и межэлектронного взаимодействия при переходе двумерной системы к диэлектрическому состоянию (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Современное состояние исследований перехода металл-диэлектрик
    • 1. 1. Переход металл-изолятор
    • 1. 2. Переход металл-изолятор и взаимодействие
    • 1. 3. Переход металл-изолятор и размерность
    • 1. 4. Содержание настоящих исследований
  • 2. Методические особенности измерений и обработки экспериментальных данных
    • 2. 1. Камера высокого давления
    • 2. 2. Магнитотранспортные измерения
    • 2. 3. Туннельная спектроскопия
      • 2. 3. 1. Схема установки для туннельных измерений
      • 2. 3. 2. Обработка результатов измерений
  • 3. Особенности туннелирования в системе с барьером Шоттки под давлением
    • 3. 1. Влияние давления на высоту барьера Шоттки
    • 3. 2. Бистабильность туннельных характеристик вблизи 2 ГПа
  • 4. Влияние давления на свойства ДЭГ в квантовой яме GaSb/InAs/GaSb
    • 4. 1. Модель квантовой ямы GaSb/InAs/GaSb
    • 4. 2. Эксперимент
    • 4. 3. Переход металл-изолятор в GaSb/InAs/GaSb
    • 4. 4. Поверхностные состояния в GaSb/InAs/GaSb
    • 4. 5. Слабая локализация в GaSb/InAs/GaSb
  • 5. Влияние концентрации на свойства ДЭГ в кремниевых МОП-структурах
    • 5. 1. Слабая локализация в МДП n-S
    • 5. 2. Параметры носителей в МДП n-S
    • 5. 3. О спонтанной спиновой поляризации
  • 6. Влияние давления на свойства ДЭГ в Al/n-GaAs:5(Si)
    • 6. 1. Туннелирование в Al/n-GaAs:5(Si) под давлением
    • 6. 2. Переход металл-изолятор в Al/n-GaAs:J (Si)
    • 6. 3. Многочастичные особенности в туннельных спектрах

Общая характеристика работы Актуальность темы.

Полупроводниковые структуры с низкой размерностью свободного движения носителей заряда (то есть структуры в которых движение носителей заряда квантованно хотя бы в одном из пространственных направлений) интересны, как с технологической (высокоэффективные полупроводниковые лазеры) так и с фундаментальной точки зрения (проявление квантовых эффектов на макроскопическом уровне — квантовый эффект Холла). Квантовая точка — это предельный случай системы с нулевой размерностью (движения носителей квантовано во всех трех направлениях), а квантовая яма — это наиболее характерный из объектов, к которым применимо понятие системы низкой размерности (в данном случае, двумерной).

Условия для экспериментального исследования двумерных электронных систем, в настоящее время, реализуются разными путями. В одном случае объектами являются полупроводниковые системы с барьером Шотт-ки или одиночным гетеропереходом. Электроны на формируемом в области обогащенного заряда квантовом уровне обладают свойствами двумерной электронной системы (ДЭС), а их концентрацию можно изменять, варьируя потенциал затвора. В другом случае ДЭС сосредоточена в области квантовой ямы, образованной тонким слоем одного полупроводника, помещенного между двумя (относительно толстыми) слоями другого полупроводника.

Развитие технологии изготовления двумерных структур методом мо-лекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), позволило получать слоистые структуры точно заданных состава и толщины слоев вплоть до атомной, и, таким образом, изучать свойства двумерной электронной системы, локализованной в одиночной квантовой яме. Такие ямы могут быть созданы в одиночном и двойном гетеропереходах, в структурах типа металл-диэлектрик-иолупроводник или в структурах с барьером Шоттки с приповерхностным слоем дельта-легирования.

Помимо очевидной связи этого направления с вопросами технологии и применения полупроводников для построения элементной базы современной и перспективной электроники, в нем можно выделить отдельную область, представляющую интерес с фундаментальной точки зрения — взаимодействия электронов между собой и с другими квазичастицами. Межэлектронное и электрон-фононное взаимодействие оказывает значительное влияние на свойства электронной плазмы в твердых телах. Их роль становится определяющей в таких явлениях как дробный квантовый эффект Холла, вигнеровская кристаллизация, переход металл-диэлектрик, поляро-ны в полупроводниках и т. п., поэтому экспериментальное и теоретическое изучение такого рода объектов и явлений составляет фундаментальную задачу физики конденсированного состояния и отнесено к приоритетным и направлениям физических исследований.

По сравнению с трехмерными системами, в системах низкой размерности в гораздо большей степени проявляется нарушение периодичности кристаллической структуры. Легко показать, что с понижением размерности зависимость отношения потенциальной энергии кулоновского взаимодействия к кинетической от концентрации становится более резкой. Кроме того, уменьшение числа степеней свободы сказывается на ослаблении экранировки кулоновского взаимодействия свободными электронами, что еще более повышает степень неидеальности электронного газа.

В этом контексте, особый интерес представляет поведение системы при переходе от проводящего к диэлектрическому состоянию. В настоящее время принято разделять переходы металл-диэлектрик на два типа — те из них, которые являются следствием структурных фазовых переходов, приводящих к кардинальному изменению зоны проводимости, и те, которые определяются взимодействием. В последнем случае различают два альтернативных механизма — корреляцию и локализацию в электронной системе, рассматриваемые, соответственно, в рамках моделей Мотта-Хаббарда и Андерсона. В реальности оба эти механизма сосуществуют, и степень их проявления зависит от соотношения взаимодействия и беспорядка в системе. В то время как корреляционные (и обменные) эффекты зависят, главным образом, от электронной плотности, локализация определяется степенью беспорядка. Имеется также точка зрения, согласно которой1 одновременное присутствие эффектов корреляции и беспорядка приводит к появлению

A.Punnoose, A. Finkelstein, Science, Vol. 310. no. 5746, pp. 289 — 291 (2005) квантовой критической точки, разделяющей металлическую фазу, стабилизированную электронным взаимодействием, и диэлектрическую фазу, в которой беспорядок превалирует над взаимодействием, что приводит к расходимости плотности состояний при переходе металл-диэлектрик и определяет появление аномалии транспортных свойств и возрастание спиновой восприимчивости.

Таким образом, исследование электронного транспорта вблизи перехода металл-диэлектрик и его связи с параметрами двумерной системы при изменении концентрации носителей является одним из естественных этапов решения указанной выше фундаментальной задачи.

Принято считать, что понятие перехода металл-диэлектрик применимо лишь к трехмерной системе. Тем не менее, учитывая сложившуюся в литературе традицию, мы будем пользоваться этим словосочетанием и для двумерных систем, имея в виду, по крайней мере, резкое изменение как величины проводимости, так и характер ее зависимости от концентрации носителей, температуры и других параметров, характеризующих систему при конечной температуре.

Целью работы является получение информации о механизмах, определяющих транспортные свойства носителей в двумерной электронной системе вблизи перехода металл-диэлектрик, на основе экспериментальных исследований изменения режима проводимости при изменении концентрации двумерных носителей в квантовых ямах. К этим исследованиям мы относим магиитотранспортные измерения ДЭГ в инверсионном слое кремниевых структур металл-окисел-полупроводник, магиитотранспортные измерения ДЭГ в структурах с одиночной квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb, измерения латерального и туннельного транспорта структур Al/5(Si)-GaAs с приповерхностным слоем дельта-легирования, а также методически связанные с ними исследования влияния давления и степени объемного легирования полупроводника на туинелировапие в образцах с барьером Шоттки Me/n-GaAs.

Объекты и методы исследования.

К настоящему времени усилиями исследователей, в связи с проблемой поведения системы носителей вблизи перехода металл-диэлектрик, накоплен весьма обширный экспериментальный материал, который непрерывно пополняется. Однако, при этом существует определенная трудность при сопоставлении между собой результатов, полученных различными исследователями, из-за неизбежного разброса параметров исследуемых образцов. Кроме того, физическая интерпретация результатов иногда осложняется довольно косвенным (непрямым) характером измерений.

В представляемых исследованиях особенностей электронного транспорта вблизи перехода двумерной электронной системы в диэлектрическое состояние в качестве инструментального средства широко примененяется техника высоких давлений. Использование высокого давления позволяет варьировать параметры решетки и, тем самым, изменять энергетический спектр электронов2. В GaAs, например, давление позволяет изменять концентрацию носителей в широких пределах благодаря присутствию мета

2 Кроме того, давление может выступать в качестве термодинамического параметра, определяющего, наряду с температурой, возникновение структурных фазовых переходов, но здесь этот аспект применения высоких давлений не рассматривается. стабильных донорных дефектов, образованных примесями замещения (Si, Те, Sn), так называемых DX-центров (их присутствие, в частности, ответственно за долгоживущую фотопроводимость). При достаточно высокой изначальной степени легирования (порядка 1 • 1018сш3 в объеме) под давлением около 2 ГПа уровень DX-центров опускается ниже уровня Ферми, и часть электронов локализуется на нем, в результате чего эффективная концентрация носителей, участвующих в переносе заряда, уменьшается, что стимулирует переход в диэлектрическое состояние. Существенно, что при этом изменение концентрации электронов не требует изменения концентрации легирующих примесей и, связанного с этим, изменения условий рассеяния носителей, а постоянная решетки является единственным варьируемым параметром.

Помимо использования техники высоких давлений, в этом цикле работ получение количественной информации основывалось на проведении магнитотранспортных и туннельных измерений.

Анализ осцилляций Шубникова-де Гааза и компонент тензора маг-нитосопротивления позволил определить барическую зависимость концентрации носителей в процессе изменения режима проводимости полупроводниковых гетероструктур с одиночной квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb.

Исследование области отрицательного магнитосопротивления, обусловленного явлением слабой локализации и результаты магнитотранспортных измерений в скрещенных магнитных полях позволили определить квантово-механические параметры, такие как характерные времена релаксации, эффективную массу и g-фактор носителей в двумерной электронной системе в инверсионном слое кремниевых структур металл-окисел-полупроводник.

Анализ туннелирования через барьер Шоттки в систему с ДЭГ, сформированным в приповерхностном слое «^-легирования, позволил определить положение уровней размерного квантования. В отличие от магнитотранс-портных измерений, в которых исследуются носители только на заполненных уровнях пространственного квантования, туинелирование позволяет исследовать спектры незаполненных подзон.

В туннельных спектрах проявляются также и многочастичные эффекты. Эффекты, связанные с межэлектронным взаимодействием, определяют особенность в виде пика туннельного сопротивления, так называемую аномалию при нулевом смещении (АНС), в которой содержится информация об обменно-корреляционном потенциале на поверхности Ферми. Взаимодействие электронов и фононов тоже проявляется в виде характерных особенностей в туннельных спектрах. В частности, для туннельных контактов на основе GaAs эти особенности наблюдаются при напряжениях на переходе ~ ± 36.5mV, соответствующих энергии продольного оптического (LO) фонона в GaAs.

Использованные оригинальные методические разработки были связаны с необходимостью проведения исследований под давлением в условиях существенного увеличения измеряемого сопротивления объектов вблизи перехода в диэлектрическое состояние. В частности, при исследованиях туннельных структур на основе Me/#(Si)-GaAs требовалось измерять туннельное сопротивление порядка 1 ГОм при сопротивлении подводящего участка #-слоя в несколько сотен МОм, что исключало возможность воспользоваться модуляционной методикой измерений, а сами измерения отличались большой длительностью. Это, в свою очередь, потребовало разработки и реализации специальных алгоритмов обработки экспериментальных результатов для извлечения из них физической информации. Основные методические задачи, которые пришлось решить в ходе выполнения работы, связаны с разработкой конструкции камеры высокого давления для низкотемпературных измерений, метода туннельных измерений под давлением на постоянном токе, метода определения концентрации носителей и параметров барьера из экспериментальных данных по туннелированию в системе с барьером Шоттки и с развитием методики анализа результатов магнитотрансиортных исследований.

Научно-методическая новизна работы состоит в применении техники высоких давлений в экспериментальных исследованиях перехода металл-диэлектрик в двумерной электронной системе, а научная новизна результатов работы состоит в обнаружении новых эффектов, связанных с влиянием особенностей зонной структуры на туннельный транспорт, получении новой информации о зависимости параметров носителей от концентрации и уточнении роли механизмов, определяющих характер электронного транспорта в двумерной электронной системе вблизи перехода металл-диэлектрик.

В частности, следующие результаты, получены впервые:

1. Разработан метод измерений туннельных спектров на постоянном токе;

2. Разработан метод определения высоты барьера Шоттки и концентрации заряженных примесей непосредственно из туннельных вольтам-перных характеристик;

3. Получена барическая зависимость высоты барьера Шоттки n-GaAs (Te)/Au до 3 ГПа для случая сильного легирования полупроводника;

4. Обнаружена бистабильность (или эффекты переключения) туннельных характеристик структур на основе легированного GaAs в области давлений порядка 2.0 — 2.2 ГПа, при которых происходит сближение минимумов Г— Lи Х-долин в зоне проводимости;

5. Обнаружен переход ДЭС в структуре Al/5(Si)-GaAs в состояние диэлектрика под давлением;

6. Получена барическая зависимость положения зон размерного квантования в системе Al/5(Si)-GaAs и формы особенностей в туннельном спектре, обусловленных электрон-фононным и электрон-электронным взаимодействием, вплоть до перехода металл-диэлектрик;

7. Достигнут переход от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости и, далее, к состоянию изолятора в системе с квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb при увеличении давления;

8. Получена барическая зависимость концентраций электронов и дырок в системе с квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb под давлением до 2.5 ГПа;

9. Получена барическая зависимость подвижности носителей и характерных времен релаксации импульса и сбоя фазы в системе с квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb;

10. Определены время сбоя фазы в кремниевых МОП-структурах с высокой концентрацией носителей и концентрационная зависимость спиновой восприимчивости, эффективной массы и <7*-фактора при низкой электронной плотности.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Конструкция камеры высокого давления;

2. Безмодуляционная методика измерений туннельных спектров на постоянном токе;

3. Метод определения высоты барьера Шоттки и концентрации заряженных примесей непосредственно из туннельных вольтамперных характеристик;

4. Вывод о качественном изменении характера барической зависимости высоты барьера Шоттки n-GaAs (Te)/Au до 3GPa в случае сильного легирования;

5. Существование перехода под давлением от полуметалл и ческого к полупроводниковому режиму проводимости и, далее, к состоянию изолятора в системе с квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb;

6. Существование при высоких гидростатических давлениях перехода металл-диэлектрик в системе Al/5(Si)-GaAs;

7. Количественные данные о перенормировке спиновой восприимчивости, эффективной массы электронов в двумерном слое в Si-МДП структуре, в широком диапазоне концентраций (rs = 1.5 — 8.5), вплоть до перехода металл-диэлектрик для ряда исследованных образцов.

Научная и практическая ценность работы состоит в разработке и реализации методики туннельных измерений под давлением на постоянном токесоздании пакетов программ для определения концентрации носителей и параметров барьера из экспериментальных данных по туннелирова-нию в системе с барьером Шоттки и для расчета квантовомеханических параметров носителей из результатов магнитотранспортных измерений, а также в получении ряда новых экспериментальных результатов, касающихся режима проводимости двумерных систем носителей в квантовых ямах вблизи перехода в диэлектрическое состояние. Методические разработки, связанные с обработкой экспериментальных данных, могут широко использоваться при решении различных измерительных задач.

Личный вклад автора состоит в общей постановке вопроса о применении техники высоких давлений в экспериментальных исследованиях перехода металл-диэлектрик в двумерной электронной системе в сочетании с туннельными и магнитотранспортны-ми измерениямиразработка методики и экспериментальной установки для туннельных измерений на постоянном токе, позволяющей решить пекоторые измерительные проблемы, связанные с необходимостью проведения измерений на объектах с высоким импедансомразработке програмного обеспечения для автоматизации процесса измерений и анализа экспериментальных данныхучастии в проведении измерений и в анализе экспериментальных результатов.

Аналитическая часть в каждой из 45 опубликованных работ, как и содержательная часть во всех работах, связанных с туннельными измерениями и с исследованиями под давлением, не менее, чем на 50% выполнены непосредственно автором.

Апробация работы:

Основные результаты докладывались и обсуждались на 22 Всероссийских и международных конференциях:

VII-й Международной конференции по физике полупроводников при высоких давлениях (Швебиш Гмюнд, Германия, 1996) — 3-й Всероссийской конференции по физике полупроводников, (Москва, 1997) — 24-й Международной конференции по физике полупроводников (Иерусалим, Израиль, 1998);

VIII-й Международной конференции по физике полупроводников при высоких давлениях (Тессалоники, Греция, 1998) — Международном симпозиуме по оптике поверхности и интерфейса (SIO-99) (Сан-Максим, Франция,

1999) — 11-й Международной конференции по горячим носителям в полупроводниках HCIS-11 (Киото, Япопия-1999) — 4-й Российской конференции Полупроводники -99 (Новосибирск, 1999) — IX-й Международной конференции по физике полупроводников при высоких давлениях (Саппоро, Япония

2000) — 5-й Российской конференции Полупроводники -2001 (Нижний Новгород, 2001) — 14й Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем EP2DS-14, (Прага, 2001) — Х-й Международной конференции по физике полупроводников при высоких давлениях, (Гилфорд, Великобритания, 2002) — 11-ом Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технология «(Ст. Петербург, 2003) — 2-й Азиатской конференции по исследованиям при высоких давлениям ACHPR-2, (Нара, Япония, 2004) — 13-ом Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технология «(Ст. Петербург, 2005) — Международной объединенной конференции по развитию исследований при высоких давлениях 20th AIRAPT — 43th EHPRG, (Карлсруэ, Германия, 2005) — 16й Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем EP2DS-16, (Альбукерке, США, 2005) — 7-й Российской конференции Полупроводники-2005 (Звенигород, 2005) — 12-й Международной конференции по физике полупроводников при высоких давлениях (Барселона, Испания, 2006) — 28-й Международной конференции по физике полупроводников (ICPS-28), Вена, Австрия, 2006) — 3-й Азиатской конференции по исследованиям при высоких давлениям ACHPR-3, (Линцзян, КНР, 2006), а также неоднократно докладывались на семинарах в ИФВД РАН, ФИАН РАН, ИРЭ РАН, Курчатовском научном центре.

Выводы

1. Разработана конструкция камеры высокого гидростатического давления до 2.5 ГПа типа цилиндр-поршень для низкотемпературных исследований;

2. Разработана методика измерений на постоянном токе спектров нормального туннелирования в систему на основе Al/5(Si)-GaAs с ДЭГ вблизи перехода металл-диэлектрик под давлением при величине туннельного сопротивления порядка 1 ГОм и латерального сопротивления 5-слоя в несколько сотен МОм;

3. Разработан метод определения высоты барьера Шоттки и концентрации заряженных примесей непосредственно из туннельных вольтам-перных характеристик, основанный на самосогласованном решении уравнений Пуассона и Шредингера для туннельного контакта металл-полупроводник с учетом возможности ионизации DX-центров сильным электрическим полем барьера и влияния обменного взаимодействия электронов на форму барьера Шотткипредложенный метод определения высоты барьера модифицирован для определения барической зависимости последнего с учетом как известной зависимости ширины запрещенной зоны от давления так и участия вышележащих Land Х-долин, а также присутствия DX центров;

4. Разработана новая методика осцилляционных измерений в скрещенных магнитных полях, позволяющая определять спиновую восприимчивость электронов в 2D системе из анализа интерференционной картины осцилляций Шубникова-де Гааза в широком диапазоне концентраций;

5. Получена зависимость высоты барьера Шоттки диодов Au/n-GaAs:Te от давления до 3 ГПа при сильном легировании (Ne ~ 5—7-Ю18 cm-3). Показано, что при Р ^ 2GPa происходит значительное изменение характера барической зависимости концентрации свободных электронов и высоты барьера, причем высота барьера, в отличие от слаболегированных переходов при низких давлениях, растет не так как ширина запрещенной зоны.

6. Обнаружена специфическая бистабильность туннельных характеристик структур на основе сильно легированного GaAs при гелиевых температурах в узкой области давлений порядка 2.0 — 2.2 ГПа, при которых происходит сближение минимумов Г— Lи Х-долин в зоне проводимостиподобная нестабильность наблюдается в случае барьеров в сплавных р — п диодах и барьеров Шоттки при объемном и дельта легировании.

7. Наблюдался переход под давлением в системе с квантовой ямой GaSb/InAs/GaSb от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости и, далее, к состоянию изолятора, сопровождавшийся появлением области отрицательного магнитосопротивления, которая интерпретируется в рамках представлений о слабой локализациииз анализа осцилляций Шубникова-де Гааза и зависимости компонент тензора магнетосопротивления в рамках классической модели с двумя типами носителей определена барическая зависимость концентраций электронов и дырок, подвижности носителей и характерные времена релаксации импульса и сбоя фазы в системе с квантовыми ямами GaSb/InAs/GaSb различной ширины и с разным типом интерфейса под давлением до 2,5 ГПаПолучена оценка зависимости уровней энергии и концетрации поверхностных состояний для этой системы от типа интерфейса.

8. Проанализированы данные по слабой локализации в кремниевых МОП-структурах с высокой концентрацией носителей в т.н. режиме металлической проводимости с кондактансом между 35 и 120 e2/h в широком интервале температур и обнаружено возрастание времени фазовой когерентности с 2 до 100 ps при понижении температуры от 10 до 0.29К;

9. Из анализа результатов измерений осцилляций Шубникова — де Гааза в широком дипазоне концентраций п = (1 — 50) • 10пст~2, найдено, что спиновая восприимчивость, эффективная масса и эффективный g-фактор возрастают с понижением электронной плотности, но спонтанная спиновая поляризация в осцилляционных эффектах в Si-МДП структурах при п > пс не наблюдается вплоть до минимальной изученной плотности п = 0.76×10й.

10. Исследован туннельный и латеральный транспорт в системе Me/J (Si)-GaAs при высоких гидростатических давлениях, и обнаружен обратимый переход ДЭГ в дельта-слое в состояние диэлектрика, получена барическая зависимость положения зон размерного квантования и формы особенностей в туннельном спектре, обусловленных электрон-фононным и электрон-электронным взаимодействием вплоть до перехода металл-диэлектрик;

11. Показано, что переход к диэлектрическому режиму проводимости сопровождается изменением формы туннельной аномалии при нулевом смещении, связанной с появлением кулоновской щели в спектре двумерных носителей в J-слое.

В целом, перечисленные результаты дают основанную на экспериментальных исследованиях информацию о характере электронной проводимости двумерной электронной системы, сформированной в широком классе объектов, при переходе к диэлектрическому режиму, связанном с уменьшением концентрации носителей.

Благодарности

Я считаю своим приятным долгом выразить благодарность за плодотворное сотрудничество А. Н. Вороповскому, вместе с которым проведены все экспериментальные исследования под давлениемА.Я. Шульману, вместе с которым разработан метод количественного анализа результатов туннельных измерений под давлениемВ.М. Пудалову, который привлек меня к магнитотранспортным исследованиям двумерной электронной системыИ.Н. Котелышкову, предоставившему образцы для туннельных иследова-ний, а также С. Е. Дижуру за помощь в оформлении диссертационной работы.

Почти на всем протяжении исследований, в обсуждении их направления и полученных результатов принимал активное участие Е. С. Ицкевич.

Существенную роль сыграла поддержка со стороны дирекции Института физики высоких давлений и Российского фонда фундаментальных исследований, обеспечившая построение соответствующей экспериментальной базы.

Я также благодарен С. М Стишову, В. В. Бражкину и В. Н. Рыжову за замечания, высказанные при подготовке рукописи.

Заключение

Особенностью представляемого цикла работ является применение для решения поставленных задач высоких давлений, как инструмента исследований, что обусловлавливает высокую степень новизны и нетрадиционность предлагаемого подхода. Переход от проводящего к диэлектрическому состоянию представляет особый интерес в качестве объекта исследований при высоком давлении, которое позволяет сделать постоянную решетки единственным варьируемым параметром.

В ходе исследований разработаны методики проведения туннельных и магнитотранспортных измерений под гидростатическим давлением до 3 ГПа и обработки полученных экспериментальных данных, использованные для изучения поведения энергетического спектра, транспортных свойств и взаимодействия в системе двумерных электронов в условиях перехода в диэлектрическое состояние и в режиме слабой локализации. Обнаружен ряд новых экспериментальных фактов и впервые получены некоторые количественные данные для квантовомеханических параметров, описывающих поведение носителей.

Полученные результаты соответствуют мировому уровню исследований в этой области физики конденсированного состояния, а по исследованному диапазону давлений определяют последний. В части, допускающей сопоставление результатов настоящего цикла работ с аналогичными или близкими по постановке задачи исследованиями других авторов, можно констатировать как согласие, так и расхождение полученных результатов, причем, в последнем случае, это указывает на наличие физических проблем принципиального характера и актуальность дальнейших исследований, в том числе, с целью уточнения существующих концепций. Намечены некоторые пути дальнейшего развития этого направления.

Результаты, полученные в представляемом цикле работ, опубликованы в 27 научных статьях и доложены на 22 научных конференциях.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т., Фаулер А., и Стерн Ф., Электронные свойства двумерных систем. -М.: Мир, 1985
  2. Е. Abrahams, S. V. Kravchenko, and М. P. Sarachik,// Rev. Mod. Phys. 73, 251 (2001).
  3. В. Ф. Электроны в неупорядоченных средах. М.: ФИЗ-МАТЛИТ, 2003
  4. V.M.Pudalov, M. Gershenson, and H. Kojima, //Chapter 19 in: «Fundamental Problems of Mesoscopic Physics. Interaction and Decoherence», Eds. I.V.Lerner, B.L.Altshuler, and Y. Gefen, Nato sci. series (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 2004), p.309.
  5. Wilson A. H. ,//Proc. Royal Soc., A133, 458 (1933)
  6. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Noncrystalline Materials, Oxford University Press, Oxford, 1979
  7. Дж., Модели беспорядка-М.: Мир, 1982
  8. A. F. Ioffe and A. R. Regel,// Prog. Semicond. 4, 237 (I960).)
  9. P. W. Anderson,// Phys. Rev. 109, 1498 (1958).
  10. P. W. Anderson,// Comments on Sol. State Phys., 2, 193 (1970)
  11. А. Г. Забродский и К. H. Зиновьева,// ЖЭТФ 86, 727 (1984)).
  12. F. Wegner,// Z. Phys. В 25, 327 (1976) —
  13. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciordello, and Т. V. Ramakrishnan,// Phys. Rev. Lett. 42 (1979) 673
  14. W. L. McMillan,// Phys. Rev. B24, 2739 (1981)
  15. А. И. Ларкин и Д. E. Хмельницкий,// ЖЭТФ 56, 647 (1982)
  16. Е. Abrahams and G. Kotliar,// Science 274(5294), c. 1853 (2003)
  17. M. P. Sarachik, The Metal to Non-Metal Transition Revisited, P. P. Edwards and C. N. R. Rao, Eds. (Taylor and Francis, London, 1996), p. 79.
  18. D. Belitz and T. Kirkpatrick,// Rev. Mod. Phys. 66, 261 (1994).
  19. T. Rosenbaum et al. ,// Phys. Rev. В 27, 7509 (1983) — H. Stupp et al., Phys. Rev. Lett. 71, 2634 (1993)-T. Rosenbaum et al. ,// ibid. 72, 2121 (1994) — H. Stupp et al., ibid., p. 2122
  20. R. 0. Jones, O. Gunnarsson, Rev. Mod. Phys. 61, 689 (1989)
  21. A. A. Abrikosov, Fundamentals of the Theory of Metals, North-Holland, Amsterdam (1988).
  22. A. Isihara, Electron Liquids, Springer-Verlag, Berlin (1997) — N. Iwamoto, Phys. Rev. В 43, 2174 (1991)
  23. Y. Kwon, D. M. Ceperley, and R. M. Martin,// Phys. Rev. В 50, 1684 (1994).
  24. G. -H. Chen and M. E. Raikh,// Phys. Rev. В 60, 4826 (1999)
  25. F. F. Fang, P. J. Stiles,// Phys. Rev. В 174, 823 (1968)
  26. J. L. Smith, P. J. Stiles,// Phys. Rev. Lett. 29, 102 (1972)
  27. T. Okamoto, K. Hosoya, S. Kawaji, and A. Yagi,// Phys. Rev. Lett. 82, 3875 (1999)
  28. W. Pan, D. C. Tsui, and B. L. Draper,// Phys. Rev. В 59, 10 208 (1999)).
  29. A. M. Finkelstein,// Sov. Sci. Rev. A 14, 3 (1990)!
  30. Gabriel Kotliar and Dieter Vollhardt, //Physics Today, March 2004, c. 53
  31. A. Georges, G. Kotliar, W. Krauth, M. Ro/enberg, //Rev. Mod. Phys.68, 13 (1996)
  32. Limelette, P., Georges, A., J. erome, D., Wzietek, P., Metcalf, P., and Honig, J. M., //Science, 302, 89−92 (2003)
  33. Kagawa, F., Itou, T., Miyagawa, K., and Kanoda, K. //Phys. Rev. В69, 64 511 (2004).
  34. S. Carter et al. ,// Phys. Rev. Lett. 67, 3440 (1991)
  35. N. F. Mott, Metal-Insulator Transition, Taylor and Francis, London, 1990
  36. Imada, M., Fujimori, A., and Tokura, Y., //Rev. Mod. Phys., 70, 1039 (1998)
  37. D. J. Bishop, E. G. Spencer, R. C. Dynes,// Solid State Electron. 28, 73 (1985)
  38. S. Katsumoto et al. ,// J. Phys. Soc. Jpn. 56, 2259 (1987)
  39. A. Hebard and M. Palaanen,// Phys. Rev. Lett. 52, 2057 (1984)
  40. A. Husmann et al. ,// Science 274, 1874 (1996), c. 1874
  41. M. C. Maliepard et al. ,// Phys. Rev. Lett. 61, 369 (1988)
  42. М. А., Rosenbaum Т. F., Thomas G. А., Bhatt R. N. // Phys. Rev. Lett., 48, 1284 (1982)
  43. R. A. Stradling,// Brazilian J. of Physics, 26(l), p7(1996)
  44. С. Castellani, С. diCastro and P. A. Lee,// cond-mat/9 801 006 (1998)
  45. S. V. Kravchenko, G. V. Kravchenko, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov, and M. D’lorio,// Phys. Rev. В 50, 8039 (1994).
  46. H. С. ,// Вестник МГУ, № 3, с. 30−37 (1967)
  47. Stern F. ,// Phys. Rev. Lett., 18, 546−548 (1967)
  48. P. A. Lee and Т. V. Ramakrishnan,// Rev. of Modern Phys., 57(2), p287(1985)
  49. E. Abrahams, S. V. Kravchenko, and M. P. Sarachik,// Rev. Mod. Phys. 73, 251 (2001).
  50. B. L. Altshuler, D. L. Maslov, and V. M. Pudalov,// Physica E, 9, 209 (2001).
  51. B. L. Altshuler, G. W. Martin, D. L. Maslov, V. M. Pudalov, A. Prinz, G. Brunthaler, and G. Bauer,// cond-mat/8 005.
  52. G. Brunthaler, A. Prinz, E. M. Dizhur, G. Bauer, and V. M. Pudalov, Abstracts of the 24th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, August 2−7, 1998, Ierusalem, Israel, Vol. 1, Mol-C4-
  53. G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, V. M. Pudalov, E. M. Dizhur, J. Jaroszynski, P. Glod, T. Dietl,// Ann. Phys., 8, 579−584 (1999)
  54. G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, V. M. Pudalov, E. M. Dizhur, J. Jaroszynski, P. Glod, T. Dietl,// cond-mat/9 911 011
  55. V. M. Pudalov, M. Gershenson, H. Kojima, G. Bauer, G. Brunthaler, A. Prinz, E. Dizhur, APS March meeting (2001),// Bulletin APS 46(1), 991 (2001)
  56. V. M. Pudalov, M. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E. M. Dizhur, G. Bauer, G. Brunthaler, A. Prinz, EP2DS-14, Прага, 2001-
  57. М. Е. Gershenson, V. М. Pudalov, Н. Kojima, N. Butch, Е. М. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz and G. Bauer,// Physica E, 12(1−4), 585−590 (2002)
  58. V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E. M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer,// Phys. Rev. Lett. 88(19), 19 6404(4) (2002)
  59. V. M. Pudalov, M. Gershenson, H. Kojima, N. Busch, E. M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer,// Ph. Rev. Lett., 89(21), p. 19 702 (2002)
  60. V. M. Pudalov, M. Gershenson, H. Kojima, N. Busch, E. M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer,// cond-mat/206 278-
  61. E.M. Дижур, Кандидатская диссертация, 1991
  62. E.M. Дижур, A.B. Федоров, ПТЭ, № 4, 2005, с. 38−42, cond-mat/408 206
  63. Е. М. Dizhur, Е. S. Itskevich, L. М. Kashirskaya, A. N. Voronovsky, Т. Malik, R. A. Stradling, W. Т. Yuen, The Conf. on High Pressure Semiconductor Physics, (Schwaebish Gmuend, Germany, 1996) —
  64. A. H. Вороновский, E. M. Дижур, E. С. Ицкевич, Jl. M. Каширская, Р. А. Стредлинг,// ФТТ, 39(4), 1997, с. 723−726-
  65. А. Н. Вороновский, Е. М, Дижур, Е. С. Ицкевич, Л. М. Каширская. Тезисы докладов на 3-Всероссийской конференции по физике полупроводников, Москва, 1−5 дек. 1997, с. 250-
  66. Е. М Dizhur, Abstracts of VIII International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, 9−13 Aug 1998, Thessaloniki, Greece, pi 17-
  67. E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky,// Physica Status Solidi, (b) 211,449(1999) —
  68. A. Ya. Shul’man, S. D. Ganichev, E. M. Dizhur, I. N. Kotel’nikov, E. Zepezauer, and W. Prettl,// Physica В 272, 442 (1999) —
  69. Ya. Shul’man, S. D. Ganichev, I. N. Kotel’nikov, E. M. Dizhur, W. Prettl, A. B. Ormont, Yu. V. Fedorov, E. Zepezauer,// Physica Status Solidi (a), 175, 289(1999) —
  70. Ya. Shul’man, S. D. Ganichev, I. N. Kotel’nikov, E. M. Dizhur, W. Prettl, A. B. Ormont, Yu. V. Fedorov, E. Zepezauer, Surface and Interface Optics (SIO-99), Sent-Maxime (France)-,
  71. A. Ya. Shul’man, S. D. Ganichev, E. M. Dizhur, I. N. Kotel’nikov, E. Zepezauer, and W. Prettl, Hot Carrier in Semiconductors-11 (HCIS-11), Kioto (Japan-1999)]
  72. А. Я. Шульман, И. H. Котельников, Е. М. Дижур, С. Д. Ганичев, W. Prettl, 4~я Российская конференция Полупроводники -99 (Новосибирск, октябрь)
  73. Е. М. Dizhur, A. Ya. Shul’man, I. N. Kotel’nikov, A. N. Voronovsky, IX International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, (Sapporo, Japan, Sept., 2000) —
  74. E. M. Dizhur, A. Ya. Shul’man, I. N. Kotel’nikov, A. N. Voronovsky,// cond-mat/10 200-
  75. E. M. Dizhur, A. Ya. Shul’man, I. N. Kotel’nikov, A. N. Voronovsky,// Physica Stat. Solidi, (b), 223, 129−137(2001) —
  76. E. M. Дижур, А. Я. Шульман, И. H. Котельников, А. Н. Воронов-ский, С. Е. Дижур, 5-я Российская конференция Полупроводники -2001 (Нижний Новгород, сентябрь), с. 170-
  77. Е. Dizhur, X International Conference on High Pressure Semiconductor Physics, (Guildford, UK, 5−8 Aug. 2002), WP15-
  78. E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky, I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, M. N. Feiginov,// cond-mat/209 407-
  79. I. N. Kotel’nikov, E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky, S. E. Dizhur, V. A. Kokin and M. N. Feiginov, Proc. of 11th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology St Petersburg, Russia, June 23−28, 2003, pi 17 118, с 2003 Ioffe Institute-
  80. E. M. Дижур, A. H. Вороновский, А. В. Федоров, И. H. Котельников, С. Е. Дижур,// Письма в ЖЭТФ, 80(6), 489−492 (2004)
  81. Е. М. Dizhur, А. N. Voronovsky, А. V. Fedorov, I. N. Kotel’nikov, S. Е. Dizhur, Proc. of 2nd Asian Conference on High Pressure Research (ACHPR-2), Nov. 1−5, 2004, Nara, Japan, p. 2
  82. C.E. Дижур, И. Н. Котельников, E.M. Дижур, Радиотехника и Электроника, Т.51, No5 (2006) с. 625−632
  83. S. Е. Dizhur, I. N. Kotel’nikov, and Е. М. Dizhur, J. of Comm. Tech. and Electronics, 51 5, pp. 588−595 (2006)
  84. А.Н.Вороновский, Е. М. Дижур, Е. С. Ицкевич, В. А. Сухопаров, Автономная камера высокого давления, Авт. свид. 92 9933(1980)
  85. А. Н. Вороновский, Е. М. Дижур, Е. С. Ицкевич,// ЖЭТФ 77, 1119 (1979)
  86. L. D. Jennings, С. A. Swenson,// Phys. Rev. 112, 31 (1958)
  87. Itskevich E. S., Voronovsky A. N., Dizhur E. M.,// High Pressure Science and Technology, v. 1, 573−576 (1993) —
  88. E. M. Dizhur, A. N. Voronovskii, E. S. Itskevich,// High Pressure Research, vl2(4−6)&vl3(l-3), pp275−278,(1994) —
  89. E. S. Itskevich, A. N. Voronovsky, E. M. Dizhur. // Bull. Amer. Phys. Soc. 38, N 6 (1993), p. 1577-
  90. S. Kawaji and Y. Kawaguchi,// J. Phys. Soc. Japan, 53(9), p2868(1984)
  91. G. M. Minkov, О. E. Rut, A. V. Germanenko, A. A. Sherstobitov, B. N. Zvonkov, E. A Uskova, and A. A. Birukov,// Phys. Rev. B65 (2002) 235 322.
  92. H. Fukuyama,// J. Phys. Soc. Jpn. 50 (1981) 3562
  93. A. Isihara, L. Smrcka,// J. Phys. C: Solid State Phys. 19, 6777 (1986)
  94. V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E. M. Dizhur, A. Prinz, G. Brunthaler, and G. Bauer,// cond-mat/105 081.
  95. M. E. Gershenson, V. M. Pudalov, H. Kojima, N. Butch, E. M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz and G. Bauer, Physica E, 12(1−4), 585−590 (2002)
  96. E. M. Lifshitz and L. P. Pit. aevskii, Statistical Physics, part II, Pergamon Press, 1980.
  97. Ю. А. Бычков и Л. П. Горьков,// ЖЭТФ 14, 1132 (1962)
  98. S. Engelsberg and G. Simpson,// Phys. Rev. В 2, 1657 (1970)
  99. К. Miyake and С. M. Varma,// Solid State Commun. 85, 335 (1993)
  100. R. C. Jaklevic and J. Lambe,// Phys. Rev. Lett. 17, 1139 (1966)
  101. M. P., Barton G. W. // Rev. Sci. Instr. 1963 34, P. 754
  102. И. H. Котельников, В. А. Кокин, Ю. В. Федоров, А. V. Hook, и Д. Т. Талбаев,// Письма в ЖЭТФ, 71, 564 (2000) .
  103. W. Moench, Semiconductor Surfaces and Interfaces, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1995), цитируется по G. Cankaya, N. Ucar, E. Ayyildiz et al. ,// Phys. Rev. B60, 15 944 (1999)
  104. R. T. Tung, //J. Vac. Sci. Technol. B, 11(4), c. 1546−1552 (1993)
  105. C. J. Sprindt, M. Yamada, P. L. Meisner et al. ,// Phys. Rev. B45, 11 108 (1992)
  106. И. Н. Котельников, Е. Г. Чиркова, Д. К. Чепиков, и А. Я. Шульман,// ФТП 21, 1854 (1987)
  107. Н. Fritzsche, J. J. Tiemann. // Phys. Rev. 130, 617 (1963)
  108. P. Guetin and G. Schreder,// Phys. Rev. B5, 3979 (1972)
  109. И. H. Котельников, И. Jl. Бейнихес, А. Я. Шульман,// ФТТ 27, 401 (1985)
  110. D. К. Maude, J. С. Portal, R. Murray et al. in: Physics of DX centers in GaAs alloys, Ed. by J. C. Bourgoin, Diffusion and Defect Data, Sci-Tech Publ. 1990, vol. 10, p. 121.
  111. P. M. Mooney,// J. Appl. Phys. 67, R1 (1990)
  112. J. M. Sallese, D. Lavielle, J. Singleton et al. ,// Phys. Stat. Sol. (a), 119, K41 (1990)
  113. J. M. Sallese, E. Ranz, M. Leroux et al. ,// Semicond. Sci. Technol. 6, 522 (1991)
  114. M Leroux, J M Sallese, J Leymarie et al. ,// Semicond. Sci. Technol. 6, 514 (1991).
  115. A. Ya. Shul’man, I. N. Kotel’nikov, A. N. Voronovsky et al., Proc. of 20th Int. Conf Phys. Semicond., Thessaloniki, Greece, 1990, Ed. by E. M. Anastassakis and J. D. Joannopoulos, World Scientific, Singapore, vol. 2, p. 1242
  116. E. M. Dizhur, A. N. Voronovskii, E. S. Itskevich et al. ,// ЖЭТФ 102, 1553 (1992)
  117. Арсенид галлия: Изготовление, свойства и применение. Под ред. Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследова, «Наука», М. -1973, р. 56
  118. Physics of DX centers in GaAs alloys, Ed. by J. C. Bourgoin, Diffusion and Defect Data, Sci-Tech Publ. 1990, vol. 10, p. 233
  119. D. J. Chadi, //Phys. Rev. B46(ll), 6777−6780 (1992)
  120. С. Д. Ганичев, W. Prettl, И. H. Яссиевич,// ФТТ 39 1905 (1997)
  121. А. Я. Шульман, И. H. Котельников, Н. А. Варванин и др. ,// Письма в ЖЭТФ, 73(10), 643 (2001)
  122. A. Ya. Shul’man and V. V. Zaitsev,// Solid State Commun. 18, 1623 (1976)
  123. J. Leymarie, M. Leroux, and G. Neu,// Phys. Rev. В 42, 1482 (1990)
  124. A. R. Goni, K. Syassen, and M. Cardona, // Phys. Rev. B, 41, 10 104 (1990)
  125. A. H. Вороновский, E. M. Дижур, E. С. Ицкевич,// ЖЭТФ 86, 381 (1984)
  126. В.И. Кадушкин,//"ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ1^ 4, 2003
  127. А. И., Волков Б. А., Иванчик И. И., Хохлов Д. Р.// Письма в ЖЭТФ 72 178 (2000)
  128. М. W. Wang, D. A. Collins and Т. С. McGill,// J. Vac. Sci. Technol., Bll (4), 1418 (1993)
  129. R. L. Anderson, //Solid-State Electron. 5, 341 (1962)131. //Heterostructures and Quantum Devices in VLSI Electronics: Microstructure Science, ed. by W. R. Frensley and N. G. Einspruch, Academic Press, San Diego-1994
  130. H. Munekata, E.E. Mendez, Y. Iye, and L. Esaki,// Surf. Sci., 174, 449 (1986)
  131. J. Beerens, G. Gre. goris, J. C. Portal, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, //Phys. Rev. В 36, 4742 (1987)
  132. F.F. Fang and W.E. Howard, //Phys. Rev. Lett., 16, 797 (1966)
  133. R.A. Stradling and R.A. Wood,//J. Phys. С 1, 1711 (1968)
  134. H. Kroemer, // Physica E 20 196 203 (2004)
  135. J. R. Waterman, В. V. Shanabrook, R. J. Wagner, M. J. Yang, J. L. Davis and J. P. Omaggio,// Sernicond. Sci. Technol. 8, S106 (1993)
  136. J. Bccrcns, G. Gregoris, J. C. Portal, E. E. Mcndcz, L. L. Chang, L. Esaki,// Phys. Rev., B35(6), p3039 (1987)
  137. L. M. Claessen, J. С. Maan, M. Altarelli, P. Wyder, L. L. Chang, and L. Esaki, // Phys. Rev. Lett. 57, 2556 (1986)
  138. D. M. Symons, M. Lakrimi, R. J. Warburton, R. J. Nicholas, N. J. Mason, P. J. Walker, M. I. Eremets, and G. Hill, //Phys. Rev. В 49, 16 614 (1994)
  139. S. Holmes, W. T. Yuen, T. Malik, S. J. Chung, A. G. Norman, R. A. Stradling, J. J. Harris, D. K. Maude, and J. C. Portal, //J. Phys. Chem. Solids 56, 445 (1995)
  140. M. S. Daly, W. Lubczynski, R. J. Warburton, D. M. Symons, M. Lakrimi, K. S. H. Dalton, M. v. d. Burgt, R. J. Nicholas, N. J. Mason, and P. J. Walker, //J. Phys. Chem. Solids 56, 453 (1995)
  141. U. M. Khan-Cheema, N. J. Mason, P. J. Walker, P. C. Klipstein, and G. Hill, //J. Phys. Chem. Solids 56, 463 (1995)
  142. G. Martinez, // /em in Optical Properties of Solids, edited by M. Balkanski (North-Holland, Amsterdam, 1980), pp. 181−222.
  143. H. M. Cheong, W. Paul, M. l E. Flatte, R.H. Miles, //Phys. Rev. В 55(7), 4477 (1997)
  144. Образцы для исследований были предоставлены проф. Р. А. Стре-длингом, Blackett Laboratory, Imperial College, London SW7 2BZ, UK
  145. S. Holmes, W. T. Yuen, T. Malik, S. J. Chang, A. G. Norman, R. A. Stradling, J. J. Harris, D. K. Maude and J. C. Portal,// J. Phys. Chem. Solids, 56, 445 (1995)
  146. N S Averkiev, L E Golub, S A Tarasenko and M Willander,// J. Phys. 13, (2001) 2517−2530
  147. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, J.H. English, // Appl. Phys. Lett. 60, 1854 (1992).
  148. I. V. Tokatly, A. G. Tsibizov, and A. A. Gorbatsevich, //cond-mat/1 110 505
  149. G.Tuttle, H. Kromer and J.H. English,//J. Appl. Phys. 65, 5239 (1989)
  150. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer and J. H. English,// App. Phys. Lett., 60, 1854 (1992)
  151. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer and J. H. English,// J. Vac. Sci. Techn. BIO 898 (1992)
  152. J. Beerens, G. Gregoris, J. C. Portal, E. E. Mendez, L. L. Chang, L. Esaki,// Phys. Rev., B36(9), p4745 (1987)
  153. M. E. Raikh,// Sol. State. Comm., 75(11), 935 (1990)
  154. M. E. Raikh and L. I. Glazman,// Phys. Rev. Lett., 75(1), 128 (1995)
  155. E. M. Dizhur, E. S. Itskevich, L. M. Kashirskaya, A. N. Voronovsky, T. A. Malik, R. A. Stradling, W. T. Yuen,// Physica Status Solidi, 198(1), p. 289,(1996)
  156. Данные любезно предоставил G. Brunthaler, Johannes Kepler University in Linz, published in G. Brunthaler et al,// Solid State Commun. 106 157−161 (1998) — cond-mat/9 712 205
  157. K. Shizuya, cond-mat/9 607 148 (1996)
  158. А. А. Шашкин, // УФН 175, 139 (2005).
  159. S. V. Kravchenko, W. Е. Mason, G. Е. Bowker, J. Е. Furneaux, V. М. Pudalov, and М. D’lorio,// Phys. Rev. В 51 (1995) 7038
  160. D. Popovic, A. B. Fowler, and S. Washburn,// Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 1543
  161. P. T. Coleridge, R. L. Williams, Y. Feng, and P. Zawadzki,// Phys. Rev. В 56 (1997) R12764-
  162. M. D’lorio, D. Brown, H. Lafontain,// Phys. Rev. В 56 (1997) 12 741-
  163. Y. Hanein, U. Meirav, D. Shahar, С. C. Li, D. C. Tsui, and H. Shtrikman,// Phys. Rev. Lett. 80 1288 (1998)
  164. M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, M. Pepper, E. H. Linfeld, P. D. Rose, and D. A. Ritchie,// Phys. Rev. Lett. 80 1292 (1998)
  165. V. Dobrosavljevic, E. Abrahams, E. Miranda, and S. Chakravarty,// Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 455
  166. E. Abrahams,// Physica E 3 (1998) 69
  167. A. M. Finkelstein,// Z. Phys. В 56, 189 (1984) — С. Castellani et al. ,// Phys. Rev. В 30 (1984) 1596
  168. V. M. Pudalov,// JETP Lett. 66 (1997) 175
  169. S. Das Sarma and E. H. Hwang,// Phys. Rev. Lett. 83 (1999) 164
  170. B. L. Altshuler, D. E. Khmelnitskii, A. I. Larkin, and P. A. Lee,// Phys. Rev. В 22 (1980) 5142- H. Fukuyama,// Surf. Sci. 113 (1982) 489
  171. B. L. Altshuler and A. G. Aronov, in Electron-Electron Interaction in Disordered Systems, ed. by A. L. Efros and M. Pollak, North Holland, Amsterdam, 1985, p. 1
  172. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer,// JETP Lett. 68 (1998) 534
  173. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer,// Phys. Rev. B, 60 (1999) R2154
  174. M. J. Uren, R. A. Davies, M. Kaveh, and M. Pepper,// J. Phys. С 14 (1981) 57 631 771 D. J. Bishop, R. C. Dynes, and D. C. Tsui,// Phys. Rev. В 26 (1982) 773 1781 S. Kawaji,// Surf. Sci. 170 (1986) 682
  175. S. Hikami, A. I. Larkin, and Y. Nagaoka,// Prog. Theor. Phys. 63 (1980) 707
  176. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, M. E. Gershenson, and Yu. V. Sharvin,// Sov. Sci. Rev. A 9, 223 (1987)!
  177. M. Reizer and J. W. Wilkins,// Phys. Rev. В 55, R7363 (1997)
  178. В. L. Altshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitskii,// J. Phys. С 15, 7367 (1982)1831 G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, and V. M. Pudalov,// cond-mat/7 230
  179. P. M. Mensz and R. G. Wheeler,// Phys. Rev. В 35, 2844 (1987) 1851 H. Mathur and H. U. Baranger,// cond-mat/8 375 1861 V. I. Falko,// J. Phys.: Condens. Matter, 2, 3797 (1990)
  180. J. S. Meyer, A. Altland, and B. L. Altshuler, to be published !
  181. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer,// cond-mat/103 087
  182. A. Punnoose and A. M. Finkel’stein, // Phys. Rev. Lett. 88, 16 802 (2002).
  183. A. A. Abrikosov, Fundamentals of the Theory of Metals (North-Holland, Amsterdam, 1988).191 192 193 194 195 191 611 005 824 536 951 128 064
  184. A. A. Shashkin et al. ,// Phys. Rev. Lett. 87, 86 801 (2001)
  185. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, and V. T. Dolgopolov,// Phys. Rev. Lett. 89, 219 701 (2002)
  186. V. M. Pudalov et al. ,// cond-mat/201 001
  187. V A Kulbachinskii, V G Kytin, R A Lunin, A V Golikov, V G Mokerov, A S Bugaev. A P Senichkin, RTF van Schaijk, A de Visser and P M Koenraad, //cond-mat/9 907 289
  188. Schubert E F 1996 Delta-doping of semiconductors (Cambridge: Cambridge University Press)
  189. A Zrenner, F Koch, R L Williams, R A Stradling, К Ploog, and G Weimann, //Semicond. Sci. Technol. 3, 1203−1209 (1988).
  190. E.M. Dizhur, A.N. Voronovsky, I.N. Kotel’nikov, S.E. Dizhur, M. N. Feiginov,// Phys. Stat. Sol. (b), 235, No2, 531 (2003)
  191. M.N.Feiginov, Appl. Phys. Lett. 81, (2002) 930.
  192. D. J. CHADI and K. J. CHANG, Phys. Rev. В 39, 10 063 (1989).
  193. E. K. YAMAGUCHI, K. SHIRAISHI, and Т. OHTO, J. Phys. Soc. Japan 60, 3093 (1991).
  194. P. M. Koenraad, W. De Lange, A. A. P. Blom, M. R. Leys, J. A. A. J. Perenboom, J. Singleton and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol.6, B143 (1991).
  195. D. K. Maude, J. C. Portal, L. Dmowski, et al,// Solid State Phenomena., 10, 121−144 (1989)
  196. E. M. Dizhur, A. V. Fedorov, http://arxiv. org/list/cond-mat/408 206
  197. R.N. Hall, J.H. Racette, and H. Ehrenreich,//Phys. Rev.4(9), p43 (I960)
  198. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, and P. A. Lee, Phys. Rev. Lett. 44, 1288 (1980)
  199. Yoseph Imry and Zvi Ovadyahu, Phys. Rev. Lett. 49, 841 (1982)
  200. Alice E. White, R. C. Dynes, and J. P. Garno, Phys. Rev. В 31, 1174 (1985)
  201. E. Gornik, R. Lassnig, G. Strasser, H. L. Stormer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Phys. Rev. Lett. 54, 1820 (1985)
  202. J. K. Wang, J. H. Campbell, D. C. Tsui, and A. Y. Cho, Phys. Rev. В 38, 6174 (1988)
  203. J. P. Eisenstein, H. L. St. ormer, V. Narayanmurti, A. Y. Cho, A. C. Gossard, and C. W. Tu, Phys. Rev. Lett. 55, 875 (1985)
  204. R. K. Goodall, R. J. Higgins, and J. P. Harrang, Phys. Rev. В 31, 6597 (1985)
  205. Т. P. Smith, В. B. Goldberg, P. J. Stiles, and M. Heiblum, Phys. Rev. В 32, 2696 (1985)
  206. V. Mosser, D. Weiss, K. von Klitzing, K. Ploog, and G. Weimann, Solid State Comm. 58, 5 (1986)
  207. E. Bockenhoff, K. v. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. В 38, 10 120 (1988)
  208. В. R. Snell, K. S. Chan, F. W. Sheard, L. Eaves, G. A. Toombs, D. K. Maude, J. C. Portal, S. J. Bass, P. Claxton, G. Hill, and M. A. Pate, Phys. Rev. Lett. 59, 2806 (1987)
  209. В. И. Шкловский, A. Jl. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, Москва (1979)
  210. J. G. Massey and Mark Lee,// Phys. Rev. Lett., 75, 4266 (1995) — // Phys. Rev. Lett., 77, 3399 (1996)
  211. А.Н.Вороновский, E.M.Дижур, Е. С. Ицкевич, // ЖЭТФ, 77, 1120 (1979).
  212. Y. J. Wang, Y. A. Leem, B. D. McCombe et al., //Phys. Rev. В 64, 161 303® (2001).
  213. И.Н., Дижур С.E.,//ЖЭТФ, Письма., т.81(9−10), с.574−577 (2005).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!