ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Анализ ΠΈ числСнноС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΎΠ± ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Π΅ΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ разрядС (ΠΊΠ°ΠΊ с Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ повСрхности эмиссии Π‘Π’Π§ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ) ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ классифицированы ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности эмиссии. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, внСшниС постоянныС элСктричСскиС ΠΈ> ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ поля. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, статичСскоС… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Анализ ΠΈ числСнноС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния, выносимыС Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ
  • 1. МодСли ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ исслСдования ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда
    • 1. 1. Вторичная элСктронная эмиссия ΠΈ Π΅Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅
    • 1. 2. Двусторонний ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΏΡ‹ΠΉ разряд
    • 1. 3. ΠžΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΏΡ‹ΠΉ разряд Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π΅
    • 1. 4. ΠžΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΏΡ‹ΠΉ разряд Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСском ΠΎΠΊΠ½Π΅
    • 1. 5. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… с Π½Π΅ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ…роматичСским ΠΈΠ»ΠΈ пространствСнно-Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Π‘Π’Π§ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ
    • 1. 6. ЧислСнноС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда
  • 2. Двусторонний ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ мСталличСскими повСрхностями
    • 2. 1. ΠŸΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ модСль ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅
    • 2. 2. ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ рСзонансныС ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹
      • 2. 2. 1. Условия сущСствования ΠΈ ΡƒΡΡ‚ойчивости рСзонанса
      • 2. 2. 2. ВлияниС уровня Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии Π½Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда
    • 2. 3. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½Ρ‹Π΅ рСзонансныС ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹
      • 2. 3. 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики комплСксных Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ²
      • 2. 3. 2. Π“ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹
      • 2. 3. 3. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ„Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹
      • 2. 3. 4. Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ эффСктивной Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ комплСксных ΠΌΠΎΠ΄
    • 2. 4. ЧислСнноС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Π³ΡˆΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ систСмС: Multipactor Development Simulator
    • 2. 5. ВлияниС разброса Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… скоростСй элСктронов Π½Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда
    • 2. 6. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Π½Π΅ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ…роматичСском элСктричСском ΠΏΠΎΠ»Π΅
      • 2. 6. 1. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π² ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ… налоТСния ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ элСктромагнитных Π²ΠΎΠ»Π½ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ частотами
      • 2. 6. 2. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ модуляции Π‘Π’Π§ поля
      • 2. 6. 3. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π² ΡΠ°ΠΌΠΎΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ высокочастотном ΠΏΠΎΠ»Π΅
  • 3. ΠžΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской повСрхности
    • 3. 1. ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ модСль ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅: Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ
    • 3. 2. ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅ Π² ΠΎΡ‚сутствиС Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… статичСских ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ
      • 3. 2. 1. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅ плоских Π²ΠΎΠ»Π½ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ поляризации
      • 3. 2. 2. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅ плоских Π²ΠΎΠ»Π½ ΠΊΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ поляризации

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π» описан Π² 1934 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ [1] ΠΊΠ°ΠΊ Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ числа свободных элСктронов Π²ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌ пространствС ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… радиочастотных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π’ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ синхронизм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΠ±Π»Π°ΠΊΠ° свободных элСктронов ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΡΠΌΠΈ высокочастотного элСктричСского поля. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда происходит Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… систСм. Разряд начинаСтся с Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠ³ΠΎ количСства Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов, ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, вслСдствиС дСйствия космичСских Π»ΡƒΡ‡Π΅ΠΉΠ² дальнСйшСм число элСктронов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Π‘ΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΌ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… рСзонансных условий, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… воспроизвСдСниС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² двиТСния для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ поколСния эмитированных элСктронов. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, для развития разряда энСргия ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π° элСктрона ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточна для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΡΡ‚ΠΎΠΉ повСрхности Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона. Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ для ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв опрСдСляСтся Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ этих Π΄Π²ΡƒΡ… условий (синхронизм ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠ°Ρ энСргия ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π°) — ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚вСнная Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° зависит ΠΎΡ‚ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ исслСдуСмого Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства, ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктромагнитного ноля, ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ [1] рассматривал Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ использования этого эффСкта для усилСния сигнала. Π’ 1936 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΠ½ ΡΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π» элСктронныС Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ для Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, Π½Π°Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ, использовали ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ умноТСния числа элСктронов Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ 1000-ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ усилСниС сигнала. Однако, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ практичСского примСнСния, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Ρ‹Π»ΠΈ сконструированы ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ большСй Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (иконоскопы Π—Π²ΠΎΡ€Ρ‹ΠΊΠΈΠ½Π°) [2]. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· нСсколько Π»Π΅Ρ‚ послС изобрСтСния элСктронных Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠΌ «ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€» стали ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ сам эффСкт Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ размноТСния элСктронов Π² ΡΡ…ΠΎΠΆΠΈΡ… условиях. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд рассматриваСтся Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эффСкт, приводящий ΠΊ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… систСм. Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ послСдствия ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСм, с 1940;Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ большоС число тСорСтичСских, ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ исслСдований условий возникновСния ΠΈ Ρ…арактСристик ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΏΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда (см. [2−48] ΠΈ Π΄Ρ€.)

Одним ΠΈΠ· Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… послСдствий развития элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ (ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда) являСтся Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π‘Π’Π§ устройства, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ± ΡΡ‚ΠΈ повСрхности элСктронов Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹. ВслСдствиС Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ сущСствСнноС ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² систСмы, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΏΠ»Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° стСнок, Ρ‡Ρ‚ΠΎ часто Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ устройства ΠΈΠ· ΡΡ‚роя. НагрСв стСнок Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ происходит Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ максимального Π‘Π’Π§ поля: для ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ развития Π»Π°Π²ΠΈ Π½Ρ‹ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌ числС случаСв Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ установлСниС рСзонанса ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π‘Π’Π§ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктронов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ трСбования Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ поля. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΏΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π³Π°Π·Π° Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌ пространствС Π‘Π’Π§ устройства, ΠΈ, Π² Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ, ΠΊ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ разряду [49,57—63].

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ эффСкт, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡƒΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹, — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ характСристик пропускаСмого Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ΅ устройство Π‘Π’Π§ сигнала, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ уровня ΡˆΡƒΠΌΠ° [2, 50]. ОсобоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этот Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эффСкт ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ для проСктирования соврСмСнных космичСских систСм связи. Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π΅Π³ΠΎ добротности. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ систСмС, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ соСдинСниС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π‘Π’Π§ устройств, ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ качСство ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сигнала ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ мощности ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ устройствС развиваСтся элСктронная Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ свСчСниС ΠΈΠ· ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ развития ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ» остаточного Π³Π°Π·Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй ΠΏΡ€ΠΈ столкновСниях с ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ рСнтгСновскоС ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ [2,21,30,31,74,80,86].

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящсС врСмя ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда стала особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΎΠΉ исслСдований Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… Π‘Π’Π§ устройств, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, с Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ соврСмСнных космичСских систСм связи. ЕвропСйскоС космичСскоС агСнтство (European Space Agency, ESA), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ космичСских исслСдований Π€Ρ€Π°Π½Ρ†ΠΈΠΈ (Centre National d’Etudes Spatiales, CNES) рСгулярно ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ исслСдований ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик этого эффСкта, тСстированиС Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… систСм, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния для провСдСния числСнных экспСримСнтов-ΠΈ расчСтов ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² оборудования. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ESA, CNES ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ СвропСйскиС ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Thales Alenia Space, БОМ DEV Europe, Alcatel Space, Aurora Software and Testing, ЧалмСрсский унивСрситСт Π² Π“Π΅Ρ‚Π΅Π±ΠΎΡ€Π³Π΅, ШвСция (Chalmers University of Technology), унивСрситСты ВалСнсии (Universidad Politechnika de Valencia, Universidad de Valencia) ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ рСгулярных ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… совСщаний ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда MULCOPIM (The International Worksliop bn Multipactor, Corona and Passive Intermodulation) [51]. Π‘ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ стандартизации Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² исслСдования ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ЕвропСйским космичСским агСнтством Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ·Π΄Π°Π½ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ [7], ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ основныС извСстныС свойства ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… систСмах, свойства часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… аспСктов ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΈ Ρ‚рСбования, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΊ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ исслСдованиям. Π’ Π ΠΎΡΡΠΈΠΈ исслСдованиями ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ Π² Π˜Π½ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ РАН, Π˜Π½ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ РАН, ΠΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΌ ядСрном унивСрситСтС «ΠœΠ˜Π€Π˜» — Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ исслСдований ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ€ΠΎΡΡΠΈΠΉΡΠΊΠΈΡ… конфСрСнциях, посвящСнных Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ (Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, Π½Π° Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… совСщаниях Strong Microwaves in Plasmas / Strong Microwaves: Sources and Applications, ΠΈ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎ-тСхничСских конфСрСнциях «Π’акуумная Π½Π°ΡƒΠΊΠ° ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°»).

ОписаниС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ развития ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда — синхронизма ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктронов ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ — Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΡƒΠΆΠ΅ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ… [4,5,8] для систСмы самой простой Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ. Π’Π°ΠΊ называСмая ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ модСль ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда (plane-parallel model) состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π° элСктронов развиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π°Ρ… элСктронного ΠΎΠ±Π»Π°ΠΊΠ° ΠΎ Π΄Π²Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ плоскиС мСталличСскиС повСрхности. Богласно этой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, Π² ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ мСталличСскими пластинами, ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, стСнки Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния, имССтся Π‘Π’Π§ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΎ Π²ΡΠ΅ΠΌ пространствС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ пластинами ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΠΈ ΠΊ Π½ΠΈΠΌ. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Π°, Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов ΠΈ-ΠΏΠΎΠ»Π΅, создаваСмоС ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным зарядом, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΠΎΠΉ, отсчитываСмой вдоль оси, пСрпСндикулярной повСрхности пластин. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π»ΠΈΠ½Π° свободного ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π° элСктрона ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ пластинами, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ соударСниями элСктронов ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ с ΠΈΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Ρ Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ остаточного Π³Π°Π·Π°. Бчитая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС элСктроны ΡΠΌΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½ с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ скоростями, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ условиС рСзонанса, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ воспроизвСдСниС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² двиТСния для всСх ΠΏΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов. Π­ Π³ΠΎ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° элСктрона ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° эмиссии с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ повСрхности Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π° ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ составляСт Π½Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ число ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘Π’Π§ поля ΠΊ: ΠΊ = 1,3,5,7,. Π’ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ развития элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ двустороннСго (two-surface ΠΈΠ»ΠΈ two-sided). Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ рСзонансныС ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ классичСскими ΠΌΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда.

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ условия развития разряда — достиТСниС достаточно высокого уровня Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии ΠΏΡ€ΠΈ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… для исслСдуСмой систСмы значСниях энСргии ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π° элСктрона ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства-— опрСдСляСтся Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ двиТСния элСктрона, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ самой повСрхности. Достаточно ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ± ΡΠΌΠΈΡΡΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… свойствах ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² стали извСстны ΡƒΠΆΠ΅ сущСствСнно ΠΏΠΎΠ·Π΄Π½Π΅Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… исслСдований. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, трудности ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ эмиссионных свойств ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ связаны с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти свойства ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ сущСствСнно ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ систСмы ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ развития ΠΌΡƒΠ»ΡŒ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° [21,27,31,88]. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ° ΠΈ Ρ…арактСристик Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π²Π½Π΅ Ρ€Π°ΠΌΠΎΠΊ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ работыосновныС Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ прСдставлСния ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии описаны Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ 1.1 ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π³Π»Π°Π²Ρ‹ настоящСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π—Π° 70 Π»Π΅Ρ‚ изучСния эффСкта ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π±Ρ‹Π»ΠΎ рассмотрСно ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ мноТСство Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ия элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… систСмах (тСорСтичСски, ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² числСнного модСлирования). Π‘Ρ‹Π»ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ спСктр Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда, вСсьма ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊ. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ повСрхности эмиссии ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ Π½Π΅ΠΉ эмитированных элСктронов [12,16,19,20,24−34,36,37,73,77,80−88], Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ рСзонансный Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ двиТСния частиц Π½Π΅ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ условиСм развития разряда [19−21].

ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° исслСдований являСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ развития ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ систСмС со ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ элСктромагнитного поля. Однако для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ риск возникновСния Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ систСмС, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ слоТныС ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ простыС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСсмотря Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚СнсивноС ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π½Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ прСдставлСния ΠΎ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡ‚Π²Π°Ρ… ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ для Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ одномСрная модСль двустороннСго разряда. Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ явлСния Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ систСм ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ, ΠΏΠΎ Ρ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ большСго числа Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… сущСствСнных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², прСдставляСтся вСсьма Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ.

Как Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΎ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ [3], Π² Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Ρ€ΠΈ основных ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… Π‘Π’Π§ систСмах. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ низкоэмиссионных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π‘Π’Π§ устройства с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ подавлСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния эмиссионных свойств повСрхности Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ самим ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ разрядом, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ условия для дальнСйшСго эффСктивного размноТСния элСктронов. Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пСрспСктивный, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ расчСтС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π‘Π’Π§ устройства, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… установлСниС синхронизма ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π‘Π’Π§ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктронов. ЦСлью Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° исслСдований, описанных Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅, являлось ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ нСблагоприятных с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния развития ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π‘Π’Π§ систСмы, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π² Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΎ этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ гСомСтричСскиС характСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π‘Π’Π§ поля, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ синхронизм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частиц ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ…арактСристики Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии.

МоТно Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° основных класса Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ разрядС, опрСдСляСмых Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ Ρ‚Ρ€Π°Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΉ эмитированных элСктронов. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ класс прСдставляСт двусторонний ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ разряд, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† Ρ‚Ρ€Π°Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ элСктрона находятся Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… повСрхностях эмиссии, ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ происходит Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠ² элСктронного ΠΎΠ±Π»Π°ΠΊΠ° ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностСй [2−5,8−10,14−23,35,71−81,103,104] ΠΈ Π΄Ρ€. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ класс Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ посвящСн исслСдованиям одностороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разрядав этом случаС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ происходит Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ СдинствСнной повСрхности эмиссии вслСдствиС ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠ² Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΠ²ΡˆΠΈΡ…ΡΡ ΠΊ Π½Π΅ΠΉ эмитированных элСктронов. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ класс Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π½Π° Π΄Π²Π° основных подкласса, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ΅ Π‘Π’Π§ элСктричСского поля. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ пСрпСндикулярно повСрхности эмиссии. Разряд, Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ Π΅Π³ΠΎ дСйствиСм, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ рСзонансный Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда. Π’ Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ разрядС ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π΅ Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π΅ΠΎΠ½ рСализуСтся, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… систСмах с ΠΌΠ΅Ρ‚алличСскими Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌΠΈ повСрхностями [16,24−29,73,82,83]. (Однако, Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ разряд Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΈ Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской повСрхности [77,80,81].) Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ подкласс Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ описываСт ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ развития элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ Π½Π°Π΄ диэлСктричСской пластиной ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Π‘Π’Π§ элСктричСского поля, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ повСрхности [12,19,20,30−34,36,37,84−88,108]. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, этот Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ диэлСктричСского ΠΎΠΊΠ½Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π‘Π’Π§ устройства. Разряд Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ся Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ рСзонанса с Π‘Π’Π§ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΎΠ± ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Π΅ΠΌ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ разрядС (ΠΊΠ°ΠΊ с Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ повСрхности эмиссии Π‘Π’Π§ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ) ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ классифицированы ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности эмиссии. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, внСшниС постоянныС элСктричСскиС ΠΈ> ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ поля. Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности, статичСскоС элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности эмиссии, само Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ развития элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской повСрхности, Ссли ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ всС большСго числа Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности диэлСктрика постСпСнно накапливаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΈΠ·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, посвящСны ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ исслСдованию ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда с Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ статичСским элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, [12,24,30,37,81]. ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ внСшнСС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ повСрхности эмиссии постоянноС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠΎΠ»Π΅, ΠΈΡΠΊΡ€ΠΈΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ‚Ρ€Π°Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡŽ эмитированных элСктронов [16,27,29,33,36,73,82]. Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ возвращСния элСктронов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ пространствСнная Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘Π’Π§ элСктричСского поля ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ ΠΏΠ° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½Π΄Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ силы, ΠΊΠ°ΠΊ это описано Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ… [20,34,88]. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ пространствСнный заряд, Π½Π°ΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ нСпосрСдствСнно Π½Π°Π΄ исслСдуСмой ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ-Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ создаСт Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ для Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… эмитированных элСктронов >[80].

Π›ΡŽΠ±Π°Ρ ΠΈΠ· ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ ослоТнСна Π΄Π°ΠΆΠ΅ нСбольшим ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ внСшнСго поля. Π•Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, прСдставляСт рСалистичный ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² систСмы ΠΊΠ°ΠΊ характСристики Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии, разброс эмитированных элСктронов ΠΏΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ скоростям, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ элСктричСского поля, создаваСмого самими элСктронами Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ слоТности ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… систСмах, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Π² Π½Π΅ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ…роматичСском ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнно-Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π‘Π’Π§ элСктричСском ΠΏΠΎΠ»Π΅. Π‘Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСдупрСТдСния ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… систСмах Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΌ совмСстном Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠΌ влиянии Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ разряда. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСмах Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ исслСдованиями Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… повСрхностСй этих систСм, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эмиссия вСсьма Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° загрязнСниям повСрхностСй. ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ опрСдСлСния характСристик Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии для ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠΈΡΠΊΠ° низкоэмиссионных ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ… [64−70] ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, большоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ исслСдованиС процСссов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΊ Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ разряду (с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ столкновСний) [49,57−63].

ЦСлью настоящСй диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся тСорСтичСскоС исслСдованиС условий возникновСния ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… свойств ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… систСмах с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ аналитичСских ΠΈ Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ диссСртации

ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π³Π»Π°Π², Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ объСм диссСртации составляСт 215 страниц, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 101 рисунок.

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

содСрТит 108 Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ описаны исслСдования условий возникновСния ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… характСристик ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π‘Π’Π§ элСктромагнитного поля. ИсслСдования ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ тСорСтичСского Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ модСлирования. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ состоят Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ:

1. Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… плоско-ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎ-Π³ΠΎ разряда Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… класса рСзонансных Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ². Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° элСктрона ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ повСрхностями эмиссии, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΡŽ-щиСся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· нСсколько ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅ΡŽΠ² элСктронов. КаТдоС ΠΈΠ· Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ€Π΅-ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Π½Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅-Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² высокочастотного поля. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅-ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой нСзависимыС рСзонансныС ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ удвоСния ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€Π΅ устойчивости ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ… рСзонансных ΠΌΠΎΠ΄. Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ условия устойчивости Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ², Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ влияния уровня Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ располоТСниС Π·ΠΎΠ½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ схСмС Π·ΠΎΠ½ двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ рСализация Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ областСй ΠΏΠ°-Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π³Π΄Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ разряда.

2. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ разброс Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов ΠΏΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ скоростям ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сущСствСнно Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹, способствуя ΠΊΠ°ΠΊ подавлСнию рСзонансных Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»011 Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΡŽ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π·ΠΎΠ½, ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ рСзонансам, Ссли коэффициСнт Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ² возникновСния ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π΅ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ Π±Π΅Π· ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° разброса Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов ΠΏΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ скоростям.

3. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌ для числСнного модСлирования двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π² ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎ-ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ систСмС Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ числа Π²ΠΎΠ»Π½ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄, частот ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°Π·, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ-модулирования сигналов. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ фазовая модуляция сигналов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ для Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ рост элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ рСалистичСских значСниях разброса Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов ΠΏΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ скоростям ΠΈ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… для ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии.

4. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΡΡ‚Π°Π΄ΠΈΠΈ насыщСния свойства ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСктродами сущСствСнным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ зависят ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… значСниях коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии разряд Π½Π° ΡΡ‚Π°Π΄ΠΈΠΈ насыщСния остаСтся двусторонним. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии сопровоТдаСтся ростом поля пространствСнного заряда ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ уровня насыщСния плотности элСктронов. ВслСдствиС воздСйствия поля пространствСнного заряда ΠΏΡ€ΠΈ достаточно высоких значСниях коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии становятся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ односторонниС рСзонансныС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹. ΠŸΡ€ΠΈ коэффициСнтС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ эмиссии, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, односторонниС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π½Π° ΡΡ‚Π°Π΄ΠΈΠΈ насыщСния. Π‘ΠΌΠ΅Π½Π° Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π° разряда сопровоТдаСтся Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… стадии насыщСния ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ плотности элСктронов ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ пСрСноса элСктронами энСргии Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹.

5. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ статистичСский ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΡŽ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стадии нСрСзонансного одностороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности диэлСктричСского ΠΎΠΊΠ½Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ разброса Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов ΠΏΠΎ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ям. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ статистичСской Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ, Π±Π°Π·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ Π½Π° Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚ностном описании распрСдСлСния элСктронов ΠΏΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ„Π°Π·Π°ΠΌ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π°, Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ позволяСт ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ нСпосрСдствСнно ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ распрСдСлСния элСктронов Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ описанию скорости роста элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹.

6. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ одностороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской повСрхности ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм частично ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ элСктромагнитной Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии постоянных элСктричСских ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ условия возникновСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏ роста элСктронной Π»Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ зависят Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ элСктричСского поля нСпосрСдствСнно Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΎΠΊΠ½Π°, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚ наличия ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ структуры поля Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ этой повСрхности. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ чисто Π±Π΅Π³ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, Ссли Π΅Π΅ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. P. T. Farnsworth. Television by electron image scanning // J. Franklin Inst.(1934), v. 218, p. 411.
  2. J.R.M. Vaughan. Multipactor // IEEE Trans. Electron Devices (1988), v. 35, n. 7, p. 1172.
  3. R.A. Kishek Y.Y. Lau, L.K. Aug, A. Valfells, R.M. Gilgenbach. Multipactor discharge on metals and dielectrics: historical review and recent theories// Phys. Plasmas (1998), v. 5, n. 5, p. 2120.
  4. E. W. B. Gill, A. von Engel. Starting potentials of high-frequency gas discharges at low pressure // Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences (1948), v. 192, p. 446.
  5. G. Francis, A. von Engel. The growth of the high-frequency electrodeless discharge // Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences (1953), v. 246, p. 143.
  6. J. R. M. Vaughan. A new formula for secondary emission yield // IEEE Trans. Electron Devices (1989), v. 36, n. 9, p. 1963.
  7. Space engineering. Multipaction design and test // European Cooperation for Space Standardization, ESA-ESTEC, ECSS-E-20−01A, 5 May (2003).
  8. W. Henneburg, R. Orthuber, E. Steudel // Z. Tech. Phys. Leipzig (1936), v. 17, p. 115.
  9. V.P. Gopinath, J.P. Verboncoeur, C.K. Birdsall. Multipactor electron discharge physics using an improved secondary emission model // Phys. Plasmas (1998), v. 5, n. 5, p. 1535.
  10. J. Sombrin // CNES Report No. 83/DRT/TIT/HY/119/T (1983).
  11. A. L. Gilardini. Multipacting discharges: constant-k theory and simulation results // J. Appl. Phys. (1995), v. 78, p. 783.
  12. R.A. Kishek, Y.Y. Lau. Multipactor discharge on a dielectric // Phys. Rev. Lett. (1998), v. 80, p. 193.
  13. A. Valfells, J. P. Verboncoeur, and Y. Y. Lau. Space-charge effects on multipactor on a dielectric // IEEE Trans. Plasma Sci. (2000) v. 28, p. 529.
  14. A. J. Hatch and H. B. Williams. The secondary electron resonance mechanism of low pressure high frequency gas breakdown //J. Appl. Phys. (1954) v. 25, p. 417.
  15. A. J. Hatch and H. B. Williams. Multipacting modes of high-frequency gaseous breakdown // Phys. Rev. (1958) v. 112, n. 3, p. 681.
  16. S. Riyopoulos, D. Chernin, and D. Dialetis. Effect of random secondary delay times and emission velocities in electron nmltipactors // IEEE Trans. Electron Devices (1997) v. 44, p. 489.
  17. Π‘.А. Π—Π°Π³Π΅Ρ€, Π’. Π“. Вишин. РСзонансный высокочастотный разряд ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π΅Π³ΠΎ подавлСния // Π–Π’Π€ (1964) Ρ‚. 34, № 2, стр. 297.
  18. Π”.А. Π“Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π², Π’. А. Бтанский, Π‘. Π’. Π₯рисанфов. ИсслСдованиС рСзонансного разряда Π² ΡΠ°Π½Ρ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½ // Π–Π’Π€ (1968) Ρ‚. 38, № 10, стр. 1655.
  19. Π“. Π‘. Π›ΡƒΠΊΡŒΡΠ½Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². Π Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ, ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ„Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎ-эмиссионный Π‘Π’Π§ разряд Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности Ρ‚Π΅Π»Π° // Π–Π’Π€ (1974) Ρ‚. 44, Π²Ρ‹ΠΏ. 9, стр. 1922.
  20. I. A. Kossyi, G. S. Lukyancliikov, V. E. Semenov, E. I. Rakova, D. Anderson, M. Lisak, J. Puech. Polyphase (non-resonant) multipactor in rectangular waveguides //J. Phys. D: Appl. Phys. (2008) v. 41, p. 65 203.
  21. R. A. Kishek, Y. Y. Lau, and D. Cliernin. Steady state multipactor and dependence on material properties // Phys. Plasmas (1997) v. 4, p. 863.
  22. S. Riyopoulos. Multipactor saturation due to space-charge-induced debunchiug // Phys. Plasmas (1997) v. 4, p. 1448.
  23. E.F. Vance. One-sided multipactor discharge modes //J. Appl. Phys. (1963) v. 34, n. 11, p. 3237.
  24. V. Semenov, V. Nechaev, E. Rakova, N. Zharova, D. Anderson, M. Lisak, J. Puech. Multiphase regimes of single-surface multipactor // Phys. Plasmas (2005) v. 12, p. 73 508.
  25. V.Semenov, V. Nechaev, E.Rakova. Multipactor discharge on metals and dielectrics. State of the art. // Proceedings of the 6th International Workshop «Strong Microwaves in Plasmas», Ed. A.G. Litvak, Nizhny Novgorod, Russia (2006) v. 2, p. 635.
  26. Π”.А. Π“Π°Π½Ρ‹Ρ‡Π΅Π², Π’. А. Π€ΠΈΠ»Π°Ρ‚ΠΎΠ², Π‘. А. Π€Ρ€ΠΈΠ΄Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ². Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ исслСдованиС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎ-элСктронного рСзонансного разряда Π² ΡΠΊΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… полях // Π Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° (1972) Ρ‚. 17, № 8, стр. 1639.
  27. М.А. Π“ΠΎΡ€ΡˆΠΊΠΎΠ²Π°, Π’. Π•. НСчаСв. НасыщСниС одностороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Ρ‚ормозящСм элСктростатичСском ΠΏΠΎΠ»Π΅ // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π’Π£Π—ΠΎΠ². Π Π°Π΄ΠΈΠΎΡ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° (1999) Ρ‚. 42, № 11, стр. 1097.
  28. Π›.Π“. Вляхман, М. А. Π“ΠΎΡ€ΡˆΠΊΠΎΠ²Π°, Π’. Π•. НСчаСв. НасыщСниС одностороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² ΡΠΊΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… полях // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π’Π£Π—ΠΎΠ². Π Π°Π΄ΠΈΠΎΡ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° (2000), Ρ‚. 43, № 11, стр. 1004.
  29. A. Neuber, D. Hemmert, Н. Krompholz, L. Hatfield, M. Kristiansen. Initiation of high power microwave dielectric interface breakdown //J. Appl. Phys. (1999) v. 86, p. 1724.
  30. A. Neuber, J. Dickens, D. Hemmert, H. Krompholz, L. L. Hatfield, M. Kristiansen. Window breakdown caused by high-power microwaves // IEEE Trans. Plasma Sci. (1998) v. 26, p. 296.
  31. R. Π’. Anderson, W. D. Getty, M. L. Brake, Y. Y. Lau, R. M. Gilgenbach, A. Valfells. Multipactor experiment on a dielectric surface // Rev. Sci. Instrum. (2001) v. 72, p. 3095.
  32. A. Valfells, L. K. Ang, Y. Y. Lau, R. M. Gilgenbacli. Effects of an external magnetic field, and of oblique radio-frequency electric fields on multipactor discharge on a dielectric // Phys. Plasmas (2000) v. 7, 11. 2, p. 750.
  33. M.A. Π›ΠΎΠ±Π°Π΅Π², О. А. Иванов, Π’. А. ИсаСв, A.Jl. Π’ΠΈΡ…Π°Ρ€Π΅Π². ИсслСдованиС влияния нСоднородности Π‘Π’Π§ поля Π½Π° ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ΅ //Письма Π² Π–Π’Π€ (2009) Ρ‚. 35, Π²Ρ‹ΠΏ. 23, стр. 9.
  34. Н.К. Π’Π΄ΠΎΠ²ΠΈΡ‡Π΅Π²Π°, А. Π“. Π‘Π°Π·ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠ², Π’. Π•. Π‘Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ². БтатистичСская тСория двустороннСго ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π’Π£Π—ΠΎΠ². Π Π°Π΄ΠΈΠΎΡ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°. 2004. Ρ‚. 47. стр. 650.
  35. Н. К. Π’Π΄ΠΎΠ²ΠΈΡ‡Π΅Π²Π°, А. Π“. Π‘Π°Π·ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠ², Π’. А. Π‘Π°Π·ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠ². ВлияниС внСшнСго ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля Π½Π° ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ возникновСния ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности диэлСктрика // Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ Π²ΡƒΠ·ΠΎΠ². Π Π°Π΄ΠΈΠΎΡ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° (2007), Ρ‚. 50, N2 2, стр. 118.
  36. L. К. Ang, Y. Y. Lau, R. A. Kishek, R. M. Gilgenbach. Power deposited on a dielectric by multipactor // IEEE Trans. Plasma Sci. (1998) v. 26, p. 290.
  37. V.G. Andreev, D.G. Zaidin. Method of suppressing a multipactor discharge // Instrum. Exp. Tech. (1971) v. 14, p. 845.
  38. V. Semenov, A. Kryazhev, D. Anderson, M. Lisak. Multipactor suppression in amplitude modulated radio frequency fields // Phys. Plasmas (2001) v. 8, p. 5034.
  39. A.J. Marrison, R. May, J.D. Sanders, A.D. Dyne, A.D. Rawlins, J. Petit. A study of multipaction in multicarrier rf components // AEA Technology for ESTEC, AEA Ref. No. AEA/TYKB/31 761 /01/RP/05, Culham, UK (1997). Issue 1.
  40. R. L. Geng, H. S. Padamsee. Exploring Multipacting Characteristics Of A Rectangular Waveguide // Proceedings of the 1999 Particle Accelerator Conference, New York (IEEE, Piscataway) (1999), p. 429.
  41. R. L. Geng, H. S. Padamsee, V. Shemelin. Multipacting in a rectangular waveguide // Proceedings of the 2001 Particle Accelerator Conference, Chicago (IEEE, Piscataway) (2001), p. 1228.
  42. V. E. Semenov, E. I. Rakova, D. Anderson, M. Lisak, J. Puecli. Multipactor in rectangular waveguides // Phys. Plasmas (2007), v. 14, p. 33 501.
  43. E. Chojnacki. Simulations of a multipactor-inhibited waveguide geometry // Phys. Rev. ST Accel. Beams (2000) v. 3, p. 32 001.
  44. R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak, V. E. Semenov, J. Puech. Multipactor in a coaxial transmission line. I. Analytical study // Phys. Plasmas (2007) v. 14, p. 33 508.
  45. V. E. Semenov, N. Zharova, R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak. Multipactor in a coaxial transmission line. II. Particle-in-cell simulations, // Phys. Plasmas (2007) v. 14, p. 33 509.
  46. V. Semenov, E. Rakova, N. Zharova, D. Anderson, M. Lisak, J. Puech. Simulations of the multipactor effect in hollow waveguides with wedge-shaped cross section // IEEE Trans. Plasma Sci. (2008), v. 36, n. 2, p. 488.
  47. R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak, J. Puech, V. E. Semenov. Multipactor in a waveguide iris // IEEE Trans. Plasma Sci. (2007), v. 35, n. 2, p. 388.
  48. N.F. Kovalev, V.E. Nechaev, M.I. Petelin, N.I. Zaitsev. Scenario for output pulse shortening in microwave generators driven by relativistic electron beams // IEEE Trans. Plasma Sci. (1998), v. PS-36, n. 3, p. 246.
  49. R. Udiljak, D. Anderson, P. Ingvarson, U. Jordan, U. Jostell, L. Lapierre, G. Li, M. Lisak, J. Puech, J. Sombrin. New method for detection of multipaction // IEEE Trans. Plasma Sci. (2003), v. 31, n. 3, p. 396.
  50. URL: http://www.cfp.upv.es/mulcopim08/inicio/index.htinl.
  51. D. Chernin, A. Drobot, and M. Kress. A model of secondary emission for use in computer simulation of vacuum electronic devices //Technical Digest of the International Electron Deviccs Meeting (1993), p. 773.
  52. M. A. Furman, M.T. F. Pivi. Probabilistic model for the simulation of secondary-electron emission // Phys. Rev. Special Topics Accelerators and Beams (2002), v. 5, p. 124 404.
  53. C. Tienda, A.M. Perez, C. Vicente, A. Coves, G. Torregrosa, J.F. Sanchez, R. Barco, B. Gimeno, V.E. Boria. Multipactor analysis in coaxial waveguides // IEEE MELECON, Benalmadena (Malaga), Spain, May 16−19 (2006), p. 195.
  54. A. G. Sazontov, V. A. Sazontov, N. K. Vdovicheva. Multipactor breakdown prediction in a rectangular waveguide: statistical theory and simulation results// Contrib. Plasma Phys. (2008), v. 48, n. 4, p. 331.
  55. D. Vender, H. B. Smith, R. W. Boswell. Simulations of multipactor-assisted breakdown in radio frequency plasmas // J. Appl. Phys. (1996), v. 80, n. 8, p. 4292.
  56. A. L Gilardini. The radiofrequency breakdown in low pressure argon //J. Phys. D: Appl. Phys. (1999) v. 32, p. 1281.
  57. R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak, V. E. Semenov, J. Puech. Multipactor in low pressure gas // Phys. Plasmas (2003) v. 10, n. 10, p. 4105.
  58. R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak, V. E. Semenov, J. Puech. Improved model for multipactor in low pressure gas // Phys. Plasmas (2004) v. 11, n. 11, p. 5022.
  59. S. Riyopoulos. Collisional multipactor inside ambient gas // Phys. Plasmas (2004) v. 11, n. 5, p. 2036.
  60. Y. Y. Lau, J. P. Verboncoeur, H. C. Kim. Scaling laws for dielectric window breakdown in vacuum and collisional regimes // Appl. Phys. Lett. (2006) v. 89, p. 261 501.
  61. H. C. Kim, Y Chen, J. P. Verboncoeur, Y Y Lau. Modeling rf window breakdown: from vacuum multipactor to rf plasma // Proceedings of Vacuum Electronics Conference, Jointly with 2006 IEEE International Vacuum Electron Sources (2006), p. 359.206
  62. S. I. Castaneda, N. Diaz, D. Raboso, I. Montero, L. Galan and F. Rueda. Effects of air exposure on ion beam assisted TiN:0 coatings to prevent multipactor //J. Vac. Sci. Technol. A (2003) v. 21, n. 6, Nov/Dec 2003, p. 2007.
  63. R. Cimino, I. R. Collins, M. A. Furman, M. Pivi, F. Ruggiero, G. Rumolo, F. Zimmeimann. Can low-energy electrons affect high-energy physics accelerators? // Phys. Rev. Lett. (2004), v. 93, n. 1, p. 14 801.
  64. S.Michizono, Y. Saito, Suharyanto, Y. Yamano, S. Kobayashi. Secondary electron emission of sapphire and anti-multipactor coatings at high temperature // Applied Surface Science (2004) v. 235, p. 227.
  65. A. Ruiz, E. Roman, P. Lozano, M. Garcia, L. Galan, I. Montero, D.Raboso. UHV reactive evapoiation growth of titanium nitride thin films, looking for multipactor effect suppression in space applications // Vacuum (2007), v. 81, p. 1493.
  66. A. J. Hatch. Election bunching in the multipacting mechanism of high-frequency discharge // J. Appl. Phys. (1961) v. 32, p. 1086.
  67. A. Miller, Н. Π’. Williams, О. Theimer. Secondary-eleetron-emission phase-angle distributions in high-frequency multipacting discharges //J. Appl. Phys.(1963), v. 34, p. 1673.
  68. S. Ryopoulos, D. Chernin, D. Dialetis. Theory of electron multipactor in crossed fields // Phys. Plasmas (1995) v. 2, p. 3194.
  69. Π”.А. Π“Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π², Π’. А. Бтанский, Π‘. А. Π€Ρ€ΠΈΠ΄Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ². ИсслСдованиС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° возбуТдСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎ-эмиссионного рСзонансного разряда Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 2.8 Π“Ρ† // Π–Π’Π€ (1970) Ρ‚. 40, № 9, стр. 1895.
  70. Π’.А. Бтанский, Π”. А. Π“Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π², Π‘. А. Π€Ρ€ΠΈΠ΄Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ². РасчСт эффСктивного коэффициСнта Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной эмиссии стСнок, Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π‘Π’Π§ разряд // Π–Π’Π€ (1974) Ρ‚. 43, № 12, стр. 1750.
  71. A. L. Gilardini. New breakdown modes of the multipacting discharge // J. Appl. Phys. (1992) v. 71, p. 4629.
  72. G. Torregrosa, A. Coves, C.P. Vicente, A.M. Perez, B. Girneno, V.E. Boria. Time evolution of an electron discharge in a parallel-plate dielectric-loaded waveguide // IEEE Electron Device Letters (2006) v. 27, n. 7 p. 619.
  73. R.A. Kishek, Y.Y.Lau. Interaction of multipactor discharge and rf curcuit // Phys. Rev. Lett. (1995) v. 75, p. 1218.
  74. A. Valfells, R. A. Kishek, Y. Y. Lau. Frequency response of multipactor discharge // Phys. Plasmas (1998) v. 5, p. 300.
  75. J. G. Power, W. Gai, S. H. Gold, A. K. Kinkead, R. Konecny, C. Jing, W. Liu, Z. Yusof. Observation of multipactor in an alumina-based dielectric-loaded accelerating structure // Phys. Rev. Lett. (2004) v. 92, n. 16, p. 164 801.
  76. L. Wu, L. K. Ang. Multipactor discharge in a dielectric-loaded accelerating structure // Pliys. Plasmas (2007) v. 14, p. 13 105.
  77. Π›. Π“. Π‘ляхман, Π’. E. НСчаСв. Условия возникновСния Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π‘Π’Π§ разряда Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚остатичСском ΠΏΠΎΠ»Π΅ // Π–Π’Π€ (1980) Ρ‚. 50, № 4, стр. 720.
  78. JI. Π“. Π‘ляхман, Π’. Π•. НСчаСв. ΠŸΡ€ΠΈΡΡ‚Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎ-эмиссионный Π‘Π’Π§ разряд Π² ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ магнитостатичСском ΠΏΠΎΠ»Π΅ // Π–Π’Π€ (1984) Ρ‚. 54, № 11, стр. 2163.
  79. Y. Saito, N. Matuda, S. Anami, A. Kinbara, G. Horikoshi, J. Tanaka. Breakdown of alumina rf windows // IEEE Trans. Electrical Insulation (1989) v. 24, n. 6, p. 1029.
  80. S. Yamaguchi, Y. Saito, S. Anami, S. Michizono. Trajectory simulation of multipactoring electrons in an S-band pillbox rf window // IEEE Trans. Nucl.Sci. (1992) v. 39, p. 278.
  81. Y. Saito. Surface breackdown phenomena in alumina rf windows // IEEE Trans. Dielectrics and Electrical Insulation (1995) v. 2, n. 2, p. 243.
  82. H. C. Kim, J. P. Verboncoeur. Time-dependent physics of a single-surface multipactor discharge // Phys. Plasmas (2005) v. 12, p. 123 504.
  83. R. Udiljak. Multipactor in low pressure gas and in nonuniform RF Field Structures // PhD Thesis, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden (2007).
  84. S. Anza, C. Vicente, B. Gimeno, V. E. Boria, J. Armendariz. Long-term multipactor discharge in multicarrier systems // Phys. Plasmas (2007) v. 14, p. 82 112.
  85. C. Vicente, M. Mattes, D. Wolk, B. Mottet, H. L. Hartnagel, J. R. Mosig, D. Raboso. Multipactor breakdown prediction in rectangular waveguide based components // Microwave Symposium Digest (2005), IEEE MTT-S International, p. 1055.
  86. E. Somersalo, P. Yla-Oijala, D. Procli. Analysis of multipacting in coaxial lines // Proceedings of the 1995 Particle Accelerator Conference, Dallas, Texas (IEEE Conference Proceedings, Piscataway, NJ) (1996), p. 1500.
  87. K. Sakamoto, Y. Ikeda, T. Imai. Numerical study of rf discharge caused by secondary electron emission // J. Phys. D (1989) v. 22, p. 1840.
  88. V. E. Semenov, E. Rakova, R. Udiljak, D. Anderson, M. Lisak, J. Puech. Conformal mapping analysis of multipactor breakdown in waveguide irises // Phys. Plasmas (2008) v. 15, p. 33 501.
  89. URL: http://ptsg.eecs.berkeley.edu/
  90. J.P. Verboncoeur, M.V. Alves, V. Vahedi, and C.K. Birdsall. Simultaneous potential and circuit solution for ID bounded plasma particle simulation codes // J. Π‘ΠΎΡ‚Ρ€. Physics (1993), v. 104, p. 321.
  91. A. Woode, J. Petit. Investigations into multipactor breakdown in satellite microwave payloads // ESA J. (1990) v. 14, p. 467.
  92. C. Kudsia, R. Cameron, W.-C. Tang. Innovations in microwave filters and multiplexing networks for communications satellite systems // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. (1992) v. 40, p. 1133.
  93. A. Bogdashov, G. Denisov, D. Lukovnikov, Yu. Rodin. D. Sobolev, J. L. Hirslifield. Oversized Ka-band traveling-wave window for a high-power transmission // IEEE Trans. Microwave Theory and Technique (2006), v. 54, n. 12, p. 4130.
  94. M.A. ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€. ΠžΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктрона ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π° // Π–Π­Π’Π€ (1958) Ρ‚. 35, Π²Ρ‹ΠΏ. 1(7), стр. 299.
  95. A. G. Sazontov and V. Π•. Nevchaev. Effects of rf magnetic field and wave reflection on multipactor discharge on a dielectric // Physics of Plasmas (2010), v. 17, p. 33 509.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ