Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронное строение, химическая связь и некоторые физико-химические свойства кристаллов MgB4C?2

Диссертация: Электронное строение, химическая связь и некоторые физико-химические свойства кристаллов MgB4C?2
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С устройств. В отличие от своих бинарных аналогов типа, А В, монокристаллы А2В4С52 обладают анизотропией и поэтому чувствительны к поляризации излучения, что делает их пригодными для создания оптических анализаторов излучения в различных диапазонах частот. Последнее требование обеспечивается подбором материалов с заданными свойствами (сингонией, тетрагональным сжатием, шириной запрещенной зоны… Читать ещё >

Электронное строение, химическая связь и некоторые физико-химические свойства кристаллов MgB4C?2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Методы исследования
    • 1. 1. Расчеты из первых принципов
      • 1. 1. 1. Основы теории функционала плотности
      • 1. 1. 2. Приближения метода
      • 1. 1. 3. Реализация метода функционала плотности в современных программных кодах
    • 1. 2. Особенности вычисления электронной структуры с использованием кода
    • 1. 3. Вычисление фононных спектров
    • 1. 4. Метод подрешеток
      • 1. 4. 1. Разностная электронная плотность
      • 1. 4. 2. Анализ зонной структуры кристалла и его подрешеток
    • 1. 5. Методика вычисления параметров, характеризующих физико-химические свойства кристаллов

Алмазоподобные соединения семейства халькопирита с химической формулой Л2ВАС представляют практический интерес как материалы с перспективными полупроводниковыми свойствами, например, для изготовления диодов, источников света, квантовых генераторов, фотодетекторов, солнечных батарей и других оптоэлектронных приборов и.

2 с устройств. В отличие от своих бинарных аналогов типа, А В, монокристаллы А2В4С52 обладают анизотропией и поэтому чувствительны к поляризации излучения, что делает их пригодными для создания оптических анализаторов излучения в различных диапазонах частот. Последнее требование обеспечивается подбором материалов с заданными свойствами (сингонией, тетрагональным сжатием, шириной запрещенной зоны), которые во многом определяются химическим составом кристаллов и их кристаллической структурой.

Несмотря на то, что тройные соединения А2ВЛС52 в настоящее время хорошо изучены, как экспериментально, так и теоретически, среди них имеется группа практически не изученных кристаллов М&ВЛС52 (5=81, ве, 8п-С=Н Р, Аб, ЭЬ), большинство из которых (~70%) до сих пор не синтезировано, что во многом обусловлено технологическими трудностями и низкой химической устойчивостью изготавливаемых образцов [1]. Исключением является кристалл М?81Р2, синтезированный в 1968 году Трикозко и Горюновой [2], для которого были исследованы структурные, электрические и некоторые оптические свойства [3−5]. Теоретически для кристалла М^^Рг были изучены энергетическая зонная структура, плотность состояний и распределение заряда валентных электронов [6−8], колебательная структура не изучалась. Необходимость исследования восьми гипотетических соединений (]У^ОеР2, ]У^8пР2, ]У^81Аз2, ]У^ОеАБ2, М§ 8пАз2, М§ 818Ь2, М? Се8Ь2, М?, 8п8Ь2) со структурой халькопирита была впервые высказана и обоснована в 1984 году Яффе и Цангером [9], но не была реализована до сих пор. Этим отчасти обусловлен выбор объектов диссертационного исследования. Кроме того, в последнее время активизировался интерес к нитридам и, в частности, к тройным М^-содержащим кристаллам: М§ ОеК2 [10−15].

Объекты исследования. Для изучения влияния химического состава веществ на их свойства была выбрана группа из 9 тетрагональных кристаллов Мё81Р2, М§ ОеР2, М§ 8пР2, ]У^81Аб2, ]У^ОеАз2, ЗУ^пАэг, MgSiSb2, М§ Ое8Ь2, М§ 8пБЬ2 со структурой халькопирита, дополненная двумя орторомбическими нитридами MgGeN2, кристаллизующимися в структуре Р-ЫаРе02, для которых также были рассмотрены их гипотетические аналоги с решеткой халькопирита.

Целью работы является теоретическое исследование электронного строения, химической связи и прогнозирование свойств синтезированных и гипотетических кристаллов М^4С52.

Для достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Определить параметры кристаллической структуры синтезированных и гипотетических кристаллов М^84С52 с решеткой халькопирита.

2. Рассчитать из первых принципов электронное строение и химическую связь в кристаллах М^В4С52 и изучить генезис зонной структуры из подрешеточных состояний.

3. Изучить гомологические ряды кристаллов М<*?4С52 со структурой халькопирита и установить зависимости зонной структуры от химического состава.

4. Рассчитать из первых принципов электронное строение и химическую, связь в кристаллах М?811Ч2, М§ ОеЫ2 в орторомбической фазе.

5. Вычислить колебательные спектры и фундаментальные оптические функции кристаллов М^4С52.

6. С помощью феноменологических формул вычислить параметры, характеризующие физико-химические свойства кристаллов М^4С52 с решеткой халькопирита: энергию атомизации, микротвердость, степень ионности связей М%-С и В-С, температуру плавления.

Научная новизна исследования состоит в том, что впервые изучено влияние химического состава и кристаллической структуры на электронное строение и свойства синтезированных и гипотетических кристаллов М%В*С52, установлен генезис валентных зон кристаллов из их подрешеточных состояний, предсказаны некоторые физико-химические свойства, а также их изменение в гомологических рядах.

Научные положения, выносимые на защиту:

1.Генезис зонной структуры кристаллов М%ВАС52 из их подрешеточных состояний, а также влияние взаимодействия между атомами М^, В и С на структуру валентной зоны кристалла.

2.Полученная для кристаллов М&б4С52 с решеткой халькопирита структура зон и установленные тенденции изменения электронного строения и химической связи при изменении химического состава в изокатионных и изоанионных рядах.

3.Результаты теоретического исследования кристаллов М^!^ и ]У^ОеК2 в двух структурных модификациях, характеризующие изменения электронного строения и химической связи, обусловленные изменением кристаллической структуры при неизменном химическом составе.

4.Вычисленные спектры колебательных частот в центре зоны Бриллюэна, фундаментальные оптические функции и их изменение в гомологических рядах кристаллов М^4С52.

5.Установленные тенденции изменения энергии атомизации, температуры плавления, микротвердости, степени ионности связей Ы%-С и В-С кристаллов М^4С52,. обусловленные изменением химического состава изоструктурных соединений с решеткой халькопирита.

Научная значимость работы состоит в том, что с помощью современных квантово-химических методов наряду с синтезированными изучены гипотетические кристаллы М&ВАС52, получены новые научные знания, расширяющие представление о свойствах М^- со держащих кристаллов из семейства А2В4С52, а также установлены зависимости этих свойств от химического состава и кристаллической структуры.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные теоретически из первых принципов данные об электронной структуре, химической связи и свойствах синтезированных, а особенно гипотетических кристаллов Mg?4C52, могут быть использованы специалистами при выборе материалов пригодных для создания, например, диодов, различных оптоэлектронных устройств и высокочувствительных сенсоров.

Достоверность полученных результатов обусловлена использованием апробированных и хорошо зарекомендовавших себя методов теории функционала плотности, реализованных в программном коде Quantum Espresso (PWscf), обеспечивающем высокий и контролируемый уровень точности. Полученные результаты находятся в удовлетворительном, качественном и количественном согласии с имеющимися экспериментальными и теоретическими данными.

Личный вклад автора состоит в непосредственном выполнении расчетов электронной структуры, колебательных спектров, оптических функций и физико-химических свойств объектов исследования. Идея исследования, постановка задач и полученные результаты обсуждались совместно с научным руководителем и консультантом. В работах, опубликованных с соавторами, автору принадлежат результаты, сформулированные в защищаемых положениях и выводах.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на Международной научной школе-конференции «Фундаментальное и прикладное материаловедение» (Барнаул, 2007), VII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2010), I Международной научно-практической конференции «Современная наука: теория и практика» (Ставрополь, 2010), 7-ой международной научно-практической конференции: «Качество науки — качество жизни» (Тамбов, 2011).

Публикации: по теме диссертации опубликовано 8 работ, в том числе 4 статьи в журналах из перечня ВАК.

Работа выполнялась в соответствии с планами НИР Кемеровского государственного университета по заданию федерального агентства образования № 2.9.08 «Исследование колебательного и электронного строения, фазовых переходов в рядах алмазоподобных полупроводников, термодинамически лабильных и суперионных диэлектриках, наноструктурах на их основе» (2008;2012 гг.) и при поддержке гранта «Исследование особенностей колебательного и электронного строения сложных диэлектрических и полупроводниковых кристаллов в зависимости от структуры их подрешеток» (Программа «Развитие научного потенциала высшей школы». № 2.1.1/1230, (2009;2011 гг.).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, приложений и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 157 страниц, в том числе 17 таблиц, 65 рисунков и два приложения (3 рис., 8 табл.).

Список литературы

включает 118 наименований.

4.7. Основные результаты и выводы по 4 главе.

1. Впервые для семейства кристаллов М^б4С52 из первых принципов вычислены функции комплексной диэлектрической проницаемости, коэффициенты отражения и поглощения, показатель преломления, а также параметр характеристических потерь электронов.

2. Изучено изменение фундаментальных оптических функций кристаллов М^4С52, обусловленное изменением их химического состава, и установлены рядовые зависимости: максимум функции характеристических потерь энергии Б смещается в область более низких значений энергии при замещении атомов в изокатионных (]У^81Р2—>М?-81Аз2—->М§ 818Ь2, м§ оер2—>м§ оеа82—"м^ве8ь2, м§ 8пр2^м§ 8паз2-^1у^8п8ь2) и изоанионных (М§ 81Р2—>1^ОеР2-н>М^8пР2, 1^81А52-^М?ОеАз2-+М^8пАз2, М?818Ь2—>М§ Ое8Ь2—>М§ 8п8Ь2) рядах.

3. Установлено, что при увеличении атомного номера замещаемого атома в изоанионных и изокатионных рядах происходит:

— уменьшение интенсивности коэффициента поглощения, а и функции' характеристических потерь энергии 8;

— смещение всех кривых оптических функций в направлении начала отсчета энергиипоявление дополнительного менее интенсивного пика на графиках функции характеристических потерь 8 для поляризации (Е|[с) в рядах М§ 81-С2 и М§ Се-С2 — слева, а в ряду М?8п-С2 — плеча у кристалла М^пАБг — справа;

— уменьшается число пиков на графиках мнимой части диэлектрической проницаемости е2, а также коэффициентов поглощения, а и отражения К.

4. Из сопоставления графиков оптических функций кристаллов М?81М2 и ]^Ое>Т2 в двух структурных модификациях следует, что различие оптических свойств обусловлено различием кристаллической структуры.

5. Анализ мнимой части диэлектрической проницаемости е2, проведенный на языке прямых межзонных переходов в точках высокой симметрии зоны Бриллюэна, показал сложность и в то же время реальную возможность интерпретации основных особенностей оптических функций тройных соединений М?54С52 со структурой халькопирита.

6. Впервые вычислены колебательные спектры кристаллов со структурой халькопирита и установлены рядовые закономерности в изменении спектра фононных частот, обусловленные изовалентным замещением атомов 81—Юе—>8п и 14—"Лб—>8Ь в катионных и анионных подрешетках.

7. Вычислены компоненты а±с и тензора высокочастотной диэлектрической проницаемости для перпендикулярного и параллельного направлений относительно главной оси кристалла с, для которых рассмотрены рядовые зависимости.

8. Анализ изокатионных и изоанионных рядов показал, что изовалентные замещения атомов в кристаллах элементами имеющими больший атомный номер приводят к смещению всего спектра в область низких частот, сокращению интервала между минимальной и максимальной частотой (от.

353 см" 1 в М?-81М2 до 233 см" 1 в М?8п8Ь2), уменьшению величины чисто анионной моды ^(Г]). При этом происходит увеличение параметров кристаллической решетки, длин связей М^-С и В-С, величин диэлектрической проницаемости ет и ослабление химической связи в исследуемых рядах.

9. Впервые вычислены температуры плавления гипотетических кристаллов М%ВаС52, наглядно характеризующие изменение физико-химических свойств исследуемых кристаллов при изменении их химического состава, значения которых убывают с увеличением атомного номера элементов, образующих кристалл.

10. В рамках диэлектрической теории вычислены параметры, характеризующие физико-химические свойства кристаллов М^64С52, которые коррелируют с изменением химической связи в изокатионных и изоанионных рядах.

Заключение

.

Основными результатами представленной диссертационной работы являются следующие:

1. Вычислены и оптимизированы параметры кристаллической структуры кристаллов М^4С52 (5=81, ве, 8п-С=]Ч, Р, Аэ, ЭЬ) с решеткой халькопирита.

2.Установлен генезис зонной структуры кристаллов из зонной структуры подрешеток, согласно которому:

— структура валентной зоны кристалла определяется расположением би р-состояний атомов С и зонной структурой подрешетки тетраэдров.

— образование химических связей в-с и М^-С приводит к уширению я-зоны подрешетки атомов С;

— ширина валентных Б-зон атомов М^ и в в кристалле уменьшается по сравнению с аналогичными-зонами в тетраэдрах м^с^ и вс л,.

3. Установлено, что тетрагональные кристаллы в основном являются прямозонными, кроме псевдопрямозонных кристаллов М§ ОеР2, MgSiAs2 и М?818Ь2. Имеют ширину запрещенной зоны порядка 1−2 эВ, которая убывает с увеличением атомного номера атомов сортов в и с.

4. Ширина запрещенной зоны орторомбических кристаллов из-за разупорядочения атомов азота в анионной подрешетке примерно вдвое больше чем у тетрагональных аналоговМ§ ОеК2 является прямозонным кристаллом (Е8= 3.01 эВ), а М^^Ыг — непрямозонным кристаллом = 4.56 эВ, ?^ = 4.32 эВ).

5. Карты распределения заряда валентных электронов кристаллов М§ 81Ы2 и М^Ое^ в двух структурных модификациях качественно подобны, что обусловлено одинаковым химическим составом и тетраэдрической координацией атомов.

6. Вычислены колебательные спектры и фундаментальные оптические функции, а также на основе прямых межзонных переходов из валентной зоны в зону проводимости интерпретированы основные особенности на графиках мнимой части диэлектрической проницаемости е2 кристаллов М^4С52.

7. Вычислены некоторые физико-химические свойства для кристаллов М.%В*С, такие как, значения энергии атомизации, микротвердости, температуры плавления, степени ионности связей (М^-С, В-С).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Полупроводники A2B4ci / Под ред. Н. А. Горюновой, Ю. А. Валова. — М.: Сов. Радио, 1974.-376 с.
  2. , Р. Получение и некоторые свойства нового тройного полупроводникового соединения типа A2BACl MgSiP2 / Р. Трикозко, Н. А. Горюнова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968. — Т.4, № 12. -С.2101−2105.
  3. , А. А. Специфические дефекты структуры соединений А2В4С59 / А. А. Вайполин // ФТТ. 1973. — Т.15, № 5. — С.1430−1435.
  4. Ambrazevicius, G. The fundamental absorption edge of MgSiP2 / G. V
  5. Ambrazevicius, G. Babonas, Yu.V. Rud, A. Sileika // Phys. Stat. Solidi. (b) -1981. V.106. -P.85−89.
  6. Martins, J.L. Structural and chemical changes in binary versus ternary tetrahedral semiconductors / J.L. Martins, A. Zunger // Phys. Rev. B. 1985. -V.32, N.4. — P.2689−2692.
  7. , A.C. Об энергетической зонной структуре «псевдопрямозонных» кристаллов CdSiP2 и MgSiP2 / A.C. Поплавной, Ю. И. Полыгалов, A.M. Ратнер // Физика и техника полупроводников. 1982. — Т. 16, № 4. — С.702−704.
  8. , Ю.М. Электронная структура тройных фосфидов MgSiP2, ZnSiP2, CdSiP2 / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, А. С. Поплавной // Изв. вузов. Физика. 2005. — № 1. — С.68−72.
  9. Jaffe, J.E. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors / J.E. Jaffe, A. Zunger // Phys. Rev. B. 1984. — V.29, N4. -P.1882−1906.
  10. Petukhov, A.G. Electronic structure of wide-band-gap ternary pnictides with the chaicopyrite structure / A.G. Petukhov, W.R.L. Lambrecht, B. Segall // Phys. Rev. B. 1994. — V.49, N 7. — P. 4549−4558.
  11. Hintzen, H.T. Hot-pressing of MgSiN2 ceramics / H.T. Hintzen, P. Swaanen, R. Metselaar // J. Mat. Science Letters. 1994. -V.13, N 18. -P.1314−1316.
  12. , Г. А. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно-поляризованного излучения / Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров Ташкент: Фан. — 1992. — 296 с.
  13. Fang, С.М. Ab initio band structure calculations of Mg3N2 and MgSiN2 / C.M. Fang, R.A. de Groot, R.J. Bruls, H.T. Hintzen, G. de With // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. -V. 11, N.25. — pp.4833−4842.
  14. Bruls, RJ. Anisotropic termal expansion of MgSiN2 / R.J. Bruls, H.T. Hintzen, R. Metselaar, C.K. Loong // J. Phys. Chem. Solids. 2000. — V.61, N.8. -P.1285−1293.
  15. Huang, J. Y. Ab initio study of the structural and optical properties of orthorhombic ternary nitride crystals / J. Y. Huang, L.C. Tang, M. H. Lee // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. — V. 13, N.46. — pp. 10 417−10 431.
  16. , Ю.М. Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений: Автореф. дисс. докт. физ.-мат. наук. / Ю. М. Басалаев. Кемерово, 2009. — 44 с.
  17. Wentzcovitch, R. Invariant molecular-dynamics approach to structural phase transitions / R. Wentzcovitch, // Phys. Rev. B. 1991. — V. 44, N5. — pp.23 582 361.
  18. Monkhorst, H.J. Special points for Brillouin-zone integrations / H.J. Monkhorst, J.D. Pack // Phys. Rev. B. 1976. — V. 13, N 12. — P.5188−5192.
  19. , Ф.Ф. Строение и химическая связь в тройных нитридах типа A2B4N2 / Ф. Ф. Греков, Г. П. Дубровский, A.M. Зыков // Неорганические материалы. 1979.-T.15,N 11.- 1965−1969 с.
  20. , Г. А. Эффекты поляризационной фоточувствительности в тройных полупроводниках П-1У-У2 / Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М.А.
  21. Таиров // Препринт ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР № 1185. Л. — 1987. -с.65.
  22. , Т.К. Диодные структуры на кристаллах / Г. К. Аверкиева, А. Мамедов, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. -1978. Т. 12, N9. — С.1732−1737.
  23. Ambrazevicius, G. The fundamental absorption edge of MgSiP2 / G. Ambrazevicius, G. Babonas, Yu.V. Rud, Sileika A. // Phys. Stat. Sol. (b) 1981. -V.106. -P.85−89.13 6
  24. Bodnar, I.V. Microhardness of the, А В С 2 ternary semiconductors and their solid solutions / I.V. Bodnar, B.V. Korzun, A.P. Chernyakova // Phys. Stat. Sol. (a). 1987. — V. 101. — pp.409−419.
  25. Verma, A.S. Electronic and optical properties of zinc blende and complex crystal structured solids / A.S. Verma, S.R. Bhardwaj // Phys. Stat. Sol. (b). -2006. V.243, N15. — pp.4025−4034.
  26. , B.B. Энергоплотность как критерий оценки свойств минеральных и других кристаллических веществ / В. В. Зуев, Г. А. Денисов, Н. А. Мочалов и др. М.: Полимедиа, 2000. 352 с.
  27. ABINIT. Режим доступа: http://www.abinit.org, свободный
  28. CRYSTAL. Режим доступа: http://www.crvstal.unito.it, свободный
  29. PWscf. Режим доступа: http://www.pwscf.org, свободный
  30. WIEN2k. Режим доступа: http://www.wien21c.at, свободный
  31. Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn II Phys. Rev. B. Solid State. 1964. — V.136. -N 3. -P.864−871.
  32. Kohn, W. Self-consistent equation including exchange and correlation effects / W. Kohn, L.J. Sham // Phys. Rev. A. Gen Phya. — 1965. — V.140, N 4. — P.1133−1137.
  33. , Г. В. Статистическая модель вещества / Г. В. Шматаковская, Д. А. Киржниц, Ю. Е. Лозовик // Успехи физических наук. -1975. -Т.117. -№ 9.
  34. Кон, В. Электронная структура вещества волновые функции и функционалы плотности / В. Кон // Успехи физических наук. — 2002. — Т. 172. -№ 3. — с.336−349.
  35. , С.Ю. Расчеты динамики решетки кристаллов из первых принципов / С. Ю. Саврасов, Е. Г. Максимова // Успехи физических наук. -1995. Т.165, N7. — с.773−797.
  36. , Е.Г. Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов / Е. Г. Максимова, В. И. Зиненко, Н. Г. Замкова II Успехи физических наук. 2004. — Т.174, № 11. — с. 1145−1170.
  37. Perdew, J.P. In Density Functional: Theory and Applications / J.P. Perdew, J.P. Perdew, S. Kurth // Lecture Notes in Physics. Berlin: Springer, 1998. -V.500. -p.8.
  38. , Ю.М. Моделирование электронных состояний в кристаллах: учеб. пособие / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной Кемерово. — 2001. — 164 с.
  39. Giannozzi, P. Ab initio calculation of phonon dispersions in semiconductors / P. Giannozzi, S. de Gironcoli, P. Pavone, S. Baroni // Phys. Rev. B. 1991. — V. 43, № 9.-P. 7231−7242.
  40. Baroni, S. Phonons and related crystal properties from density-functional perturbation theory / S. Baroni, S. de Gironcoli, A. Dal Corso, P. Giannozzi // Rev. Mod. Phys. 2001. — V. 73, № 2. — P. 515−562.
  41. , Ю.Н. Исследование электронной структуры и химической связи рядов преимущественно ионных и ионно-молекулярных кристаллов по методу подрешеток: Дисс. докт. физ.-мат. наук. / Ю. Н. Журавлев. -Кемерово, 2003. 357 с.
  42. , Ю.М. Электронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений: Дисс. докт. физ.-мат. наук. / Ю. М. Басалаев. Кемерово, 2009. — 378 с.
  43. , Ю.Н. Роль подрешеток в формировании химической связи преимущественно ионных кристаллов / Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Журнал структурной химии. — 2001. — Т.42, № 5. — С. 860−866.
  44. , Ю.Н. Роль подрешеток в формировании химической связи ионно-молекулярных кристаллов / Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Журнал структурной химии. 2001. — Т.42, № 6. — С. 1056−1063.
  45. , Ю.М. Электронное строение тройных алмазоподобных соединений со структурой халькопирита: монография/ Ю. М. Басалаев, А. С. Поплавной // ГОУ ВПО Кемеровский госуниверситет. Кемерово: ООО «ИНТ», 2009. — 226 с.
  46. , Ю.Н. Электронное строение оксидов и сульфидов щелочных металлов / Ю. Н. Журавлев, Ю. М. Басалаев, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. 2001. — № 4. — С. 56−60.
  47. , Ю.М. Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в оксидах и сульфидах щелочно-земельных металлов / Ю. М. Басалаев, Ю. Н. Журавлев, А. В. Кособуцкий, А. С. Поплавной // Физика твердого тела. 2004. — Т.46, №.5. — С.826−829.
  48. Asokomani, R. Electronic structure calculations and physical properties of ABX2 (A=Cu, Ag- B=Ga, In- X=S, Se, Те) / R. Asokomani, R.M. Amirthakumari, R. Rita, C. Ravi // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. — V.213, N4. — P.349−363.
  49. Phillips, J.C. Ionicity of the chemical bond in crystals // Rev. Mod. Phys. -1970. V.42, N3. — P.317−356.
  50. Phillips, J.C. Microscopic theory of covalent-ionic transition of amorphizability of nonmetallic solids / J.C. Phillips // Phys. Rev. B. 1984. -V.29, N10. — P.5683−5686.
  51. Van Vechten, J.A. Electronic structures of semiconductor alloys / J.A. Van Vechten, Т.К. Bergstresser // Phys. Rev. B. 1970. — V. l, N8. — pp.3351−3358.
  52. Van Vechten, J.A. New set of tetrahedral covalent radii / J.A. Van Vechten, J.C. Phillips // Phys. Rev. B. 1970. -V.2, N6. — pp.2160−2167.
  53. Van Vechten, J.A. Scaling theory of melting temperatures of covalent crystals / J.A. Van Vechten // Phys. Rev. Lett. 1972. — V.29, N12. — pp.769−772.
  54. Van Vechten, J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. I. Electronic dielectric constant / J.A. Van Vechten // Phys. Rev. 1969. -V.182, N3. — pp.891−905.
  55. Van Vechten, J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. II. Ionization potentials and interband transition energies / J.A. Van Vechten//Phys. Rev. 1969. — V. 187, N3. — pp. 1007−1020.
  56. Van Vechten, J.A. Quantum dielectric theory of electronegativity in covalent systems. III. Pressure-temperature phase diagrams, heats of mixing, and distribution coefficients / J.A. Van Vechten // Phys. Rev. B. 1973. — V.7, N4. -pp. 1479−1507.
  57. , B.F. ?/-electron effects on bond susceptibilities and ionicities / B.F. Levine // Phys. Rev. B. 1973. — V.7, N6. — pp.2591−2600.
  58. Levine, B.F. Bond-charge calculation of nonlinear optical susceptibilities for various crystal structures / B.F. Levine // J. Chem. Phys. 1973. — V.59, N3. -pp.1463−1486.
  59. Levine, B.F. Bond susceptibilities and ionicities in compex crystal structures / B.F. Levine // Phys. Rev. B. 1973. — V.7, N6. — pp.2600−2626.
  60. Chemla, D.S. Dielectric theory of tetrahedral solids: application to ternary compounds with calcopyrite structure / D.S. Chemla // Phys. Rev. Lett. 1971. -V.26, N23.-pp. 1441−1444.
  61. Srivastava, K.S. Low-energy Plasmon Kfl' satellite in the Kfiu x-ray emission spectra of Mn, Cr, and their compounds / K.S. Srivastava // Phys. Rev. B. 1979. -V.19, N8. — pp.4336−4339.
  62. Gupta, V.P. Electronic properties of chalcopyrites / V.P. Gupta, V.K. Srivastava, P.N.L. Gupta // J. Phys. Chem. Solids. 1981. — V.42, N.12. -pp.1079−1085.
  63. Srivastava, K.V. Homopolar and heteropolar energy gaps of an ionic system / K.V. Srivastava // Phys. Rev. B. 1984. — V.29, N12. — pp.6993−6995.
  64. Srivastava, K.V. Ionicity in A2B4C52 semiconductors / K.V. Srivastava // Phys. Rev. B. 1987−11. -Y.36, N9. -pp.5044−5046.
  65. Jayaraman, A. Effective ionic charge and bulk modulus scaling in rocksalt-structured rare-earth compounds / A. Jayaraman, B. Batlogg, R.G. Maines, H. Bach // Phys. Rev. B. 1982. — V.26, N.6. — pp. 3347
  66. Sirdeshmukh, D.B. Bulk modulus-volume relationship for some crystals with a rock salt structure / D.B. Sirdeshmukh, K.G. Subhadra // J. Appl. Phys. 1986. -V.59, N.l. -pp.276−277.1 Л /J
  67. Neumann, H. Ionicity of the chemical bond in, А В С 2 semiconductors / H. Neumann // Ciyst. Res. Thechnol. 1983. — V.18, N 10. -pp.1299−1312.
  68. Verma, A.S. Correlation between ionic charge and ground-state properties in rocksalt and zinc blende structured solids / A.S. Verma, S.R. Bhardwaj // J. Phys.: Condens. Matter. -2006. V.18, N.37. -pp.8603−8612.
  69. Verma, A.S. Correlation between ionic charge and the mechanical properties of complex structured solids / A.S. Verma, S.R. Bhardwaj // J. Phys.: Condens. Matter. -2007. V. l9, N.2. -pp.2 6213(7pp).
  70. Verma, A.S. Dielectric constants of A’B3^ and A2B4C52 / A.S. Verma, D. Sharma // Phys. Scr. 2007. — V.76. — pp.22−24.
  71. , Ю.А. Расчет теплот образования полупроводников A1Imvc2Y. / Ю. А Валов. // В кн. Тройные полупроводники AUBlvc2v и y4I/fiII/c4VI. Кишинев: Штиинца. — 1972. — с.74−76.
  72. , С.С. Структурная химия. Факты и зависимости. М: Диалог-МГУ, 2000.-292 е.: ил.
  73. , Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников / Н. А. Горюнова. Л.: Изд. ЛГУ, 1963, 222 с.
  74. , Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники / Н. А. Горюнова. М.: Советское радио, 1968, 276 с.
  75. Whitney, E.D. Preparation of a new ternary lithium silicon nitride, LiSi2N3, and the high-pressure synthesis of magnesium silicon nitride, MgSiN2 / E.D. Whitney, R.F. Giese // J. Inorg. Chem. 1971. — V.10, N5. — P.1090−1092.
  76. Г. Д. Синтез и некоторые свойства MgSiN2 и MgGeP2. / Г. Д. Дубровский // Авореф.дисс. на соиск. уч. ст. к.т.н. Политехнический ин-т им. М. И. Калинина, Л., 1973.
  77. Jaffe, J.E. Electronic structure of the ternary pnictide semiconductors ZnSiP2, ZnGeP2, ZnSnP2, ZnSiAs2, and MgSiP2 / J.E. Jaffe, A. Zunger // Phys. Rev. B. -1984. V.30, N 2. — P.741−756.
  78. Spring Thorpe, A.J. MgSiP2: a new member of the II-IV-V2 semiconducting compounds / A J. Spring Thorpe, J.G. Harrison // Nature. 1969. — V.222, N5197. -P.977.
  79. , П.В. Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в кристаллах MgSiN2 и MgGeN2 / П. В. Демушин, Ю. М. Басалаев //Журнал структурной химии. 2010. — Т.51, № 6. — С.1226−1230.
  80. , Ю.М. Электронная структура гипотетических кристаллов IV-IV-IV2 с решеткой халькопирита / Ю. М. Басалаев, A.C. Поплавной // Изв. вузов. Физика, 2009, № 9, с. 93−94.
  81. Gaido, G.K. Photolumenescence MgSiN2 activated by europium / G.K. Gaido, G.P. Dubrovskii, A.M. Zykov // Izv. Akad. Nauk. SSSR. Neorg. Mater. -1974. V.10, N3. — P.564−566.
  82. , A.C. / A.C. Поплавной, A.B. Силинин // Кристаллография. 2005. 50, № 5. С. 782.
  83. , A.C. // Материаловедение. 2005. № 9. С. 2.
  84. , A.C. / A.C. Поплавной, A.B. Силинин // Известия вузов. Физика. 2006. 49, № 5. С. 21.
  85. , A.C. //Известия вузов. Физика. 2008. 51, № 7. С. 31.
  86. , O.B. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп. Справочное руководство. М. Наука, 1986.
  87. , Ю.М. Зонная структура и ее генезис из состояний подрешеток в орторомбическом MgGeN2/ Ю. М. Басалаев, П. В. Демушин, Е. В. Николаева,
  88. A.B. Силинин // Вестник МГУ. 2011. — Т.11, № 1. — С.39−43.
  89. Welker, H. Uber neue halbleitende Verbindungen / H. Welker // Zeitschrift Naturforschung. 1952. -Bd. 7a. — S.744−749- 1953. -Bd. 8a. — S.248−251.
  90. Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука. — 1982. — 391 с.
  91. Donetskich, V.l. Optical properties and energy band structure correlation of sphalerite (A3B5) and chalcopyrite (A2B4C52) crystals / V.l. Donetskich, A.S. Poplavnoi, V.V. Sobolev // Phys. Stat. Solidi (b). 1971. — V.48, N2. — P.541−546.
  92. , Ю. M. Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 в ультрафиолетовой области / Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, A.C. Поплавной // Физика и техника полупроводников. 2005. — Т.39, № 9. — С.1040−1042.
  93. , Ю.М. Электронное строение соединений MgSiX2 (Х=Р, As, Sb) Iсо структурой халькопирита / Ю. М. Басалаев, Ю. Н. Журавлев, П. В. Демушин,. A.C. Поплавной // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2007. — Т.4, № 2. — С.7−9.
  94. , Ю.М. Электронное строение и физические свойства тройных алмазоподобных соединений MgBIVXY2 / Ю. М. Басалаев, П. В. Демушин,
  95. B.Ю. Рудь // Ред. журн. «Изв. вузов. Физика». Томск, 2008 — 46 с. Деп. в ВИНИТИ, 28.11.2008, № 914-В2008.
  96. Jones, R.O. The density functional formalism, its applications and prospects / R.O. Jones, O. Gunnarsson // Rev. Mod. Phys. 1989. — V. 61, N 3. — P. 689−746.
  97. Ohrendorf, F.W. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part I. Vibrational Frequencies / F.W. Ohrendorf, H. Haeuseler // Cryst. Res. Technol. -1999. V. 34, № 3. — P. 339−349.
  98. , М.Х. Химическая термодинамика. — М.: Госхимиздат. — 1953.
  99. , В.И. Основы энергетического анализа геохимических процессов. Л.: Изд-во ЛГУ, 1957. 342 с.
  100. , Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973. 655 с.
  101. , B.C. Энергетическая кристаллохимия. М.: Наука, 1975. 335 с.
  102. , Э.М. Дифференциация наиболее распространенных веществ литосферы по удельной энергии атомизации. Фрунзе: Илим, 1989. 163 с.
  103. , Э.М. Удельная энергия атомизации и физические свойства минералов и горных пород. Бишкек: Илим, 1991. 236 с.
  104. , В.В. Энергоплотность, свойства минералов и энергетическое строение Земли. СПб.: Наука, 1995. 128 с.
  105. , В.В. Возможно ли вещество тверже алмаза? / В. В. Зуев // Обогащение руд, 1997, № 1. С.30−34.
  106. , В.В. Закономерная связь физических свойств минералов и других твердых кристаллических тел с их энергией сцепления атомных остовов и связующих электронов / В. В. Зуев // Обогащение руд, 2002. № 5. С. 42−47.
  107. , В.В. Развитие геоэнергетической теории Ферсмана в рамках остовно-электронной концепции строения минералов / В. В. Зуев // Обогащение руд, 2005, № 1. С. 27−31.
  108. , В.В. Физические свойства минералов и других твердых тел как функция их энергоплотности / В. В. Зуев, H.A. Мочалов, А. И. Щербатов // Обогащение руд, 1998, № 4. С. 22−28.
  109. , В.В. Использование величин удельных энергий кристаллических решеток минералов и неорганических кристаллов для оценки их свойств /157 ^ ^
  110. В.В. Зуев, Г. Я. Аксенова, Н. А. Мочалов, В. Ф. Николайчук, А. И. Щерабатов // Обогащение руд, 1999, № 1−2. С. 48−53.
  111. В.В., Поцелуева JI.H., Гончаров Ю. Д. Кристаллоэнергетика и свойства минеральных и других веществ. Санкт-Петербург, 2006. — 139 с.
  112. , В.В. Конституция и свойства минералов. JL: Наука, 1990. 279 с.
  113. Свойства неорганических соединений. Справочник /Ефимов А.И. и др. Л.: Химия, 1983.392 с.
  114. А.Г., Булах К. Г. Физико-химические свойства минералов и компонентов гидротермальных растворов. Д.: Недра, 1978. 167 с.
  115. Zuyev, V.V. Effects of cation electronegativity differences in the enthalpies of formation of compound crystals from oxides. / V. V. Zuyev // Geochemistry International (Washington), 1987, vol. 24. P. 91−100.
  116. , В.В. Об оценке энтальпии сложных минералов с разносортными катионами и анионами / В. В. Зуев // Геохимия, 1988, № 7. С. 961−967.
  117. Chermak, J.A. Estimation of the thermodynamic properties (DGfO and DHfO) of silicate minerals at 298 К from the sum of polyhedral contributions / J.A. Chermak, J.D. Rimstidt // Amer. Mineral., 1989. V. 74, № 9/10. P. 1023−1031.
  118. Vieillard, Ph. Prediction of enthalpy of formation based on refined crystal structures of multisite compounds: Parts 1 and 2 / Ph. Vieillard // Geochim. et Cosmochim. Acta, 1994, vol. 58, № 19. P. 4049−4107.
  119. JI.А. Кристаллоэнергетика оксидов. M.: Диалог-МГУ, 1998. 146 с.
  120. В.В., Денисов Г. А., Мочалов Н. А. и др. Энергоплотность как критерий оценки свойств минеральных и других кристаллических веществ. М.: Полимедиа, 2000. 352 с.
  121. Erwin, S.C. Tailoring Ferromagnetic Chalcopyrites /S.C. Erwin, I. Zutic //Nature Mater. 2004. V. 3. P. 410−414.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!