Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин

Диссертация: Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последние годы развивается направление, основанное на создании и использовании металлических наносужений (квазиодномерные проводники) в качестве активных и пассивных элементов электроники. Свойства данного вида нанопроводников необычны и во многом уникальны. В зарубежных публикациях постоянно появляются работы, связанные с обнаружением новых свойств или созданием уникальных приборов на основе… Читать ещё >

Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Тенденции в формировании планарных квазиодномерных проводников
    • 1. 1. Типы квазиодномерных проводников
    • 1. 2. Основные методы формирования планарных структур
    • 1. 3. Развитие методов формирования одномерных проводников с использованием атомно-силового микроскопа
    • 1. 4. Локальное анодное окисление (JIAO) поверхностей
    • 1. 5. Различные макеты одномерных, структур созданных методом JIAO
      • 1. 5. 1. Гетероструктуры с квантовой ямой
      • 1. 5. 2. Одноэлектронный транзистор
      • 1. 5. 3. Устройства с квантовыми точками
      • 1. 5. 4. Структуры с туннельными барьерами на основе металлических проводников
  • Выводы по главе 1
  • Глава 2. Разработка методик формирования планарных элементов на основе квазиодномерных проводников с использованием локального анодного окисления
    • 2. 1. Влияния адсорбата воздуха на процесс окисления
      • 2. 1. 1. Разработка методики измерения толщины адсорбата воздуха на поверхностях различных объектов
      • 2. 1. 2. Влияние электростатического взаимодействия в системе кантилевер- - адсорбат воздуха — металлическая пленка на локальное окисление
      • 2. 1. 3. Локальное анодное окисление в условиях контролируемой влажности окружающей среды
    • 2. 2. Создание квазиодномерного проводника методом локального анодного окисления
      • 2. 2. 1. Окисление на примере титановых пленок в контактном режиме
      • 2. 2. 2. Окисление наносужений, инициированное током
      • 2. 2. 3. Электрические свойства сформированных наноконтактов
  • Выводы по главе 2
  • Глава 3. Создание и исследование планарных элементов наноэлектроники
    • 3. 1. Разработка методики формирования тестового кристалла
    • 3. 2. Модуляция проводимости квазиодномерного канала внешним полем на основе танталовых пленок
      • 3. 2. 1. Теоретические оценки полевого эффекта на основе танталовых пленок
      • 3. 2. 2. Особенности реализации полевого управления квазиодномерным каналом на основе танталовых пленок
      • 3. 2. 3. Изменение проводимости квазиодномерных металлических проводов поперечным электрическим полем
      • 3. 2. 4. Вольтамперные характеристики и управление проводимостью квазиодномерного провода островкового типа
    • 3. 3. Модуляция проводимости квазиодномерного проводника на основе углеродных пленок
  • Выводы по главе 3

Актуальность диссертационной работы.

Задача уменьшения линейных размеров используемых элементоводна из основных в микросистемной технике. Создание элементов устройств с характерными размерами порядка единиц и десятков нанометров требует от разработчиков применение новых материалов и технологий. Однако остается не решенными ряд технологических проблем: перегрев микросхем, увеличение вклада в временные задержки межсоединений и т. д. Дальнейшие повышение быстродействия микросхем (вплоть до терагерц) может быть связанно не только с уменьшением линейных размеров элементов, но также с использованием новых механизмов транспорта носителя заряда в структурах. Ежегодно растет число публикаций, в которых заявляется, что на смену кремневой электронике придет металлическая, полимерная или углеродная электроника. Уменьшение размеров интегральных схем приводит к увеличению скорости работы элементов электроники, уменьшению потребления энергии и себестоимости изготовления.

В настоящее время активно исследуются типы приборов на основе одномерных (квазиодномерных) проводников, обладающие очень малыми поперечными размерами структур. Нанопроводники можно различать по технологическим приемам и методам их создания, а также принципам их работы. Можно выделить четыре вида нанопроводов: металлические наносужения, нанотрубки, молекулярные провода, проволоки в гетероструктурах. Каждый из данных проводников имеет свои достоинства и недостатки.

В последние годы развивается направление, основанное на создании и использовании металлических наносужений (квазиодномерные проводники) в качестве активных и пассивных элементов электроники. Свойства данного вида нанопроводников необычны и во многом уникальны. В зарубежных публикациях постоянно появляются работы, связанные с обнаружением новых свойств или созданием уникальных приборов на основе тех или иных видов металлических наносужений. В области электроники ведутся работы по созданию замещающих элементов и аналогов диодов на их основе.

За последние десять лет были развиты технологические приемы создания нанопроводов и наносужений с поперечным диаметром канала до 1 нм. Основным методом создания тонких перемычек в металлических проводах стало использование сканирующих туннельных микроскопов. При этом канал формировался вертикально между иглой микроскопа и подложкой (или другой иглой). Недостатком данного типа формирования является невоспроизводимость результатов, а также невозможность реализации третьего электрода затвора, и проблемы при интеграции в более сложные структуры. Решением проблемы стало использование кантилеверов сканирующих атомно-силовых микроскопов, позволяющих модифицировать поверхность планарных структур, в том числе и тонких пленок, на поверхности подложек.

Развитие индустриальной субмикронной технологии на основе новых материалов, станет возможным только после скрупулезной отработки методов получения структур и рабочих элементов в лабораторных условиях. Поэтому необходимость разработки надежной и воспроизводимой технологии формирования подобных элементов, всестороннего изучения параметров функционирования, а также усовершенствования методов зондовой микроскопии для исследования объектов наноэлектроники при решении более широкого круга задач определяет актуальность данной диссертационной работы.

Цель работы и задачи.

Целью диссертационной работы являлась разработка методик формирования планарных элементов наноэлектроники на основе металлических и углеродных квазиодномерных нанопроводов, исследование их электрофизических свойств и создание макетов функциональных устройств на их основе. Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

S исследовать особенности функционирования квазиодномерных нанопроводников;

S разработать метод формирования металлических и углеродных нанопроводников на основе локального анодного окисления (JIAO) в атомно-силовом микроскопе (АСМ);

S исследовать электрические свойства наносужений, созданных из различных материалов;

S разработать технологический маршрут формирования структур для исследования электрофизических свойств квазиодномерного проводника;

S исследовать проводимость и полевой эффект в структурах на основе квазиодномерных металлических проводников;

S провести анализ механизмов электропроводности в квазиодномерном канале.

Научная новизна работы.

S Доказана возможность создания квазиодномерных проводников из различных анодируемых металлических и углеродных пленок, проводимость которых управляется внешним поперечным электрическим полем при комнатных температурах.

S Найдены зависимости размеров толщины и ширины каналов, полученных JIAO в атомно-силовом микроскопе, от материала кантилеверов, относительной влажности воздуха и от силы электростатического взаимодействия в системе зонд-адсорбат-анодоокисляемый металл.

•S Предложена методика определения толщины адсорбата воздуха на поверхности различных пленок.

•S Установлены закономерности модуляции проводимости планарных структур на основе квазиодномерных проводников.

Достоверность научных положений, результатов и выводов.

Полученные экспериментальные результаты и разработанные методики подтверждаются известными теоретическими моделями и экспериментальными результатами других авторов.

Теоретическая значимость исследования состоит в выявлении закономерностей проводимости планарных структур на основе металлических квазиодномерных проводников. Основные положения и выводы, содержащиеся в диссертации, могут быть использованы при дальнейшем развитии теории электронного транспорта элементов на основе металлических проводников.

Практическая значимость исследования состоит в том, что полученные результаты могут быть применены в процессе создания новой элементной базы наноэлектроники. Кроме того, результаты исследования используются в преподавании курсов «Основы зондовой микроскопии» и «Основы зондовых нанотехнологий».

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Метод локального анодного окисления может использоваться для создания квазиодномерных элементов, проводимость которых управляется внешним поперечным электрическим полем при комнатных температурах.

2. Закономерности формирования квазиодномерных проводников методом JIAO от материала кантилеверов, относительной влажности воздуха и от силы электростатического взаимодействия в системе зонд-адсорбат-анодируемый металл.

3. Закономерности модуляции проводимости квазиодномерных проводников во внешнем поперечном электрическом поле.

4. Методика определения толщины адсорбата воздуха на поверхности подложек из различных материалов.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 научных работ, из них 5 статей, в том числе в журналах:

• «Известия вузов, Электроника» — 3,.

• «Микросистемная техника» — 1,.

• «Society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE)» -1. Личный вклад автора.

В основу диссертации легли результаты исследований, выполненных автором на кафедре «Квантовой физики и наноэлектроники» и в учебно-научном центре зондовой микроскопии и нанотехнологий Московского государственного института электронной техники.

Апробация работы.

Материалы диссертации были представлены на следующих конференциях, семинарах и конкурсах работ: IV Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика «(Москва, 2002);

S X всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2003);

S VII всероссийское Совещание-семинар «Инженерно-физические проблемы новой техники» (Москва, 2003);

S International conference «Micro-and nanoelectronics». (Moscov-Zvenigorod, Russia, 2003);

•S IV Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2004);

S IX Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2004);

S XI всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2004).

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка сокращений, списка литературы.

Основные результаты выполненных исследований могут быть сформулированы следующим образом:

1. Найдены зависимости размеров толщин и ширин каналов проводимости, полученных ЛАО в атомно-силовом микроскопе, от материала кантилеверов, относительной влажности воздуха и от силы электростатического взаимодействия в системе зонд-адсорбат-металл;

2. Предложена методика определения количества адсорбата воздуха на поверхности подложек из различных материалов;

3. Разработан метод формирования квазиодномерных проводов, в том числе островкого типа;

4. Изучены электрические свойства наносужений, созданных на основе пленок из различных анодируемых материалов;

5. Установлены закономерности модуляции проводимости планарных структур на основе квазиодномерных проводниками во внешнем поперечном электрическом поле.

Таким образом, были реализованы экспериментальные образцы планарных элементов с управляемой проводимостью на основе наносужений из тантала и графита.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор выражает огромную благодарность и искреннюю признательность своему руководителю профессору В. К. Неволину за постоянное внимание и помощь на всех этапах работы. Также автор благодарит профессора А. Д. Кривоспицкового за создание тестовых кристаллов для исследований.

Автор благодарит за помощь, оказанную на основных этапах работы, к. т. н. И. И. Бобринецкого и аспиранта А. А. Строганова.

За помощь в проведении экспериментальных исследований автор благодарит С. В. Хартова и М. М. Симунина.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

АСМ — атомно-силовой микроскоп ВАХ — вольтамперная характеристика МДП — метал — диэлектрик — полупроводник СЗМ — сканирующий зондовый микроскоп СТМ — сканирующий туннельный микроскоп ССМ — сканирующий силовой микроскоп ДПН — «Dip-pen» нанолитография 2D — двумерный.

2МЭГ — двумерный электронный газ ОЭТ — одноэлектронный транзистор ЭЛ — электроннолучевая 2ДЭС — двумерная электронная система ЭЛЛ — Электронно-лучевая литография.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Faux D.A., Downes J.R., O’Reilly E.P. Analytic solutions for strain distributions in quantum-wire structures // J. Appl. Phys, 1997, Vol. 82, No. 8, p. 3754−3762.
  2. Saraydarov M., Donchev V., Germanova K. Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wires by means of longitudinal photoconductivity // Journal of Applied Physics, 2004, Vol. 95, No. 1, p. 64−68.
  3. Intenational Technology Roadmap for Semiconductors San Jose: Semiconductor Industry Association, 1998.
  4. Lee Y., Gough R.A., Leung K.N. et al. Growth of GaN layers on GaAs, Si, SiC substrates // Sci. Technol., 1998, В 16, p. 2229−2236.
  5. Park S.I., Park S. How to buy Scanning Probe Microscope // Booklet of the firm «Park Scientific Instruments», 1994, p. 45−46.
  6. Dreier M., Anselmetti D., Richmond T. Atomic force microscope // J. Appl. Phys, 1994, Vol. 76, No 9, p. 3386−3396.
  7. Eigler D.M., Schweizer E.K. Positioning single atoms with a scanning tunneling microscope // Nature, 1990, Vol. 344, p. 524−528.
  8. Crommie M.F., Lutz C.P., Eigler D.M. Confinement of electrons to quantum corrals on a metal surface // Science, 1993, Vol. 262, p. 218−223.
  9. Lyding J.W. Nanoscale Surface Forces // Proceedings of the IEEE, 1997, Vol. 85, p. 589−565.
  10. Van Loenen E.J., Dijkkamp D., Hoeven AJ. et al. Direct writing in Si with a scanning tunneling microscope // J. Appl. Phys. Lett., 1989, Vol. 55, p. 1312 -1314.
  11. Mamin H.J., Guethner P.H., Rugar D. Atomic emission from a gold scanning-tunneling-microscope tip // Phys. Rev. Lett., 1990, Vol. 65, p. 24 182 421.
  12. Hong S., Zhu J., Mirkin C.A. Multiple Ink Nanolithography: Toward a Multiple-Pen Nano-Plotter // Science, 1999, Vol. 286, p. 523−525.
  13. Dagata J. A, Schneir J., Harary H.H. et al. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air // J. Appl. Phys. Lett., 1990, Vol. 56, p. 2001−2003.
  14. L. P. Rokhinson, D. C. Tsui, L. N. Pfeiffer, K. W. West. AFM local oxidation nanopatterning of a high mobility shallow 2D hole gas // Superlattices and Microstructures, 2002, Vol. 32, p. 99−103.
  15. Bo X.Z., Rokhinson L.P., Yin H. et al. Nanopatterning of Si/SiGe electrical devices by atomic force microscopy oxidation // Applied Physics Letters, 2002, Vol. 81, p. 3263−3265.
  16. Held R., Heinzel Т., Studerus P. et al. Fabrication of a semiconductor quantum point contact by lithography with an atomic force microscope // J. Appl. Phys. Lett., 1997, Vol. 71, p. 2689−2691.
  17. Snider G.L., Tan I.-H., Hu E.L. Electron states in mesa-etched one-dimensional quantum well wires // J. Appl. Phys. Lett., 1990, Vol. 68, p. 2849- -2853.
  18. Tan I.-H., Snider G.L., Chang L.D. et al. A self-consistent solution of Schrodinger-Poisson equations using a nonuniform mesh // J. Appl. Phys. Lett., 1990, Vol. 68, p. 4071−4076.
  19. Pfeiffer L., Schubert E.F., West K.W. et al. Si dopant migration the AlGaAs/GaAs inverted interface // J. Appl. Phys. Lett., 1991, Vol. 58, p. 22 582 260.
  20. Л.Д., Лифшиц E.M. Теоретическая физика в десяти томах. Том III. Квантовая механика. Нерелятивистская теория М.: Физматгиз 1963 г. — 704 с.
  21. Heinzel Т., Salis G., Held R. et al. Shifting a quantum wire through a disordered crystal: Observation of conductance fluctuations in real space // Phys. Rev, 2000, Vol. 61, p. 13 353−13 356.
  22. Larkin I. A, Shikin V.B. Edge of the two-dimensional electron gas in a gated heterostructure // Phys. Rev, 1995, Vol. 52, p. 5535−5538.
  23. U. F. Keyser, H. W. Schumacher, U. Zeitler, R. J. Haug. Fabrication of a single-electron transistor by current-controlled local oxidation of a two-dimensional electron system // APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, Vol. 76, p. 457−459.
  24. Snow E.S., Campbell P.M. AFM Fabrication of Sub-10-Nanometer Metal-Oxide Devices // Science, 1995, Vol. 270, p. 1639−1641.
  25. Birkelund K., Mullenborn M., Grey F. et al. Nano-Scale Patterning of Hydrogen-Passivated Silicon Surfaces Using a Scanning Near-Field Optical Microscope // Microstruct, 1996, Vol. 20, p. 555−559.
  26. Rossmanith M., Syasson K., Bockenhof E. et al. Thermionic emission across AljGai.^As single barriers under hydrostatic pressure // Phys. Rev. В. V. 44. N. 7. P. 3168−1991.
  27. Avouris Ph., Hertel Т., Martel R. Atomic force microscope tip-induced local oxidation of silicon: kinetics, mechanism, nanofabrication // Appl. Phys. Lett., 1997, Vol. 71, p. 285−287.
  28. Kouwenhoven L.P., Marcus C.M., McEuen P.L. et al. Electron transport in quantum dots // Mesoscopic Electron Transport, 1997, Vol. 345, p. 105−114.
  29. Kastner M.A. The Single-Electron Transistor // Rev. Mod. Phys., 1992, Vol. 64, p. 849−852.
  30. Van Der Wiel W.G., Franceschi S.D., Elzerman J.M. et al. Electron transport through double quantum dots // Rev. Mod. Phys., 2003, Vol. 75, p. 122.
  31. Vandersypen L.M., Hanson R., Van Beveren H.W. et al. Few-Electron Quantum Dot Circuit with Integrated Charge Read-Out // Phys. Rev., 2003, Vol. 67, p. 161−166.
  32. M.C. Rogge, C. Fuhner, U.F. Keyser, R.J. Haug. Spin blockade in capacitively coupled quantum dots // Appl. Phys. Lett., 2004, Vol. 85, p. 606 609.
  33. Molenkamp L.W., Flensberg К., Kemerink M. Scaling of the Coulomb Energy Due to Quantum Fluctuations in the Charge on a Quantum Dot // Phys. Rev. Lett., 1995, Vol. 75, p. 4282−4285.
  34. Holleitner A.W., Decker C.R., Qin H. et al. Coherent Coupling of Two Quantum Dots Embedded in an Aharonov-Bohm Interferometer // Phys. Rev. Lett., 2001, Vol. 87, p. 256 802−256 806.
  35. Fuhrer A., Luscher S., Ihn T. et al. Energy spectra in quantum rings // Phys. Rev., 2001, Vol. 63, p. 822−825.
  36. Golden J.M., Halperin B.I. Higher-order results for the relation between channel conductance the Coulomb blockade for two tunnel-coupled quantum dots // Phys. Rev., 1996, Vol. 54, p. 16 757−16 780.
  37. Irmer В., Kehrle M., Lorenz H. et al. Nanolithography by non-contact AFM-induced local oxidation: fabrication of tunnelling barriers suitable for single-electron devices // Semicond. Sci. Technol., 1998, Vol. 13, p. 79−82.
  38. A.H., Хартов C.B. Исследование адсорбата воздуха на твердотельных подложках методами атомно-силовой микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника 2004, № 4, с. 9−17.
  39. А.Н., Хартов С. В. Толщина адсорбата воздуха на поверхности подложек в условиях атмосферы // Микроэлектроника и информатика, 2004, с. 8.
  40. Trimmer W. Micromechanics and MEMS Classic and Seminal Papers.— New York: IEEE Press, 1997. p. 381.
  41. Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах. М.: Радио и связь, 1990. 416 с.
  42. Дж., Кашло Б. Оптоволоконные сенсоры: принципы и компоненты. М.: Мир, 1992 438 с.
  43. В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Техносфера, 2005. 148 с.
  44. Р.И., Симаков И. Г. Низкочастотная диэлектрическая проницаемость воды в адсорбционном слое. Материалы 2-й Байкальской школы по фундаментальной физике. Иркутск: 1999. Т.2. С. 361−365.
  45. Binggeli М., Mate С.М. Influence of water vapor on nanotribology studied by friction force microscopy // J. Vac. Sci. Technol, 1995, Vol. 13, No. 3, p. 1312−1315.
  46. Sugimura H., Uchida T. Tip-induced anodization of titanium surfaces by scanning tunneling microscopy: a humidity effect on nanolithography // Appl. Phys. Lett., 1993, Vol. 63, p. 1288−1291.
  47. Bulatov A.N., Nevolin V.K. Influence of electrostatic interaction between a conducting cantilever a metal film on the local anodic oxidation // International conference «Micro-and nanoelectronics -2003». Moscov. Russia. p.38.
  48. Bulatov A. N., Nevolin V. K. Effect of electrostatic interaction between conductive cantilever and metal film on local anododic oxidation // Proc. SPIE, 2003, Vol. 5401, p. 298−304.
  49. А.П., Бабушкина H.A., Братковский A.M. и др. Физические величины: Справочник М.- Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  50. Lemesho S., Gavrilov S., Shevyakov V. et al. Investigation of tip-induced ultrathin Ti film oxidation kinetics // Nanotechnology, 2001, p. 273−276.
  51. A.H., Неволин B.K. Анодное окисление тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе // Микросистемная техника, 2003, № 11, с.42−44.
  52. А.Н. Исследование влияния влажности воздуха на локальное анодное окисление пленок // Научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2003″, Москва, 2004, с. 9.
  53. А.Н., Неволин В. К. Влияние влажности окружающей среды на локальное анодное окисление алюминиевых пленок нитрид титановымкантилевером // Всероссийское Совещание-семинар „Инженерно-физические проблемы новой техники“, Москва, 2003, С. 59- 60.
  54. Ogatay S, Campbellz T.J. Parallel molecular dynamics simulations for the oxidation of an aluminium nanocluster // J. Phys.: Condens. Matter, Vol. 10, 1998, p. 11 449−11 458.
  55. Rotole J. A, Sherwood P.M.A. X-ray photoelectron spectroscopic studies of the oxidation of aluminium by liquid water monitored in an anaerobic cell // J Anal Chem, 2001, Vol. 369, p. 342−350
  56. Kannan T. S, Panda P. K, Jaleel V.A. Preparation of pure boehmite A1203 their mixtures by hydrothermal oxidation of aluminums metal // J. Materials Science Letters, 1997, Vol. 16, p. 830−834.
  57. Held R, Heinzel T, Studerus P. et al. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope // Physica, 1998, No 2, p. 748−752.
  58. Cooper E. B, Manalis S. R, Fang H. et al. Terabit-per-square-inch data storage with the atomic force microscope // Appl. Phys. Lett, 1999, Vol. 75, No. 22, p. 3566−3568.
  59. Shiricashi J, Matsumoto K, Miura N. et al. Single-electron transistor with Nb/Nb oxide system fabricated by atomic force microscope nano-oxidation process//J. Appl. Phys, 1997, Vol. 36, p. L1257-L1260.
  60. Abadal G, Perez-Murano F, Barniol N. et al. Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism at negative sample voltage by STM, ESTM, AFM // Appl. Phys. A, 1998, Vol. 66, No. 7, p. 791−795.
  61. Физика тонких пленок: Современное состояние исследований и технические применения. Под. Общ. Ред. Франкомба М.Х.и Гофмана Р. У. Т. 6. Пер. с англ. М.: Мир. 1973. с. 392.
  62. Schmidt Т, Martel R, Sandstrom R.L. et al. Current-induced local oxidation of metal films: Mechanismand quantum-size effects // Appl. Phys. Lett, 1998, V. 73, No. 15, p. 2173−2175.
  63. Future trends in microelectronics. Edited by Luryi S., Xu J., Zaslavsky A. 1999. John Wiley & Sons, Inc. 435 p.
  64. H.B. Формирование и электрофизические свойства двухэлектродных планарных элементов наноэлектроники. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. 2001. 107 с.
  65. И.С., Мейлихова Е. З. Физические величины. Справочник. Москва, Энергоатомиздат, 1991. с. 1232.
  66. Remmel Т., Ramprasad R., Walls J. Leakage behavior reliability assessment of tantalum oxide dielectric MIM capacitors // International Reliability Physics Symposium, Dallas, 2003, p. 277−282.
  67. Avouris Ph., Hertel Т., Martel R. Atomic force microscope tip-induced local oxidation of silicon: kinetics, mechanism nanofabrication // IBM Research Division, New York, 1997, p. 285−287.
  68. В.К. Двухэлектродные элементы наноэлектроники на основе квантовых проводов // Микроэлектроника, 1999, № 4, с. 293−300.
  69. Schmidt Т., Martel R., Sandstrom R.L. et al. Current-induced local oxidation of metal films: Mechanismand quantum-size effects // Appl. Phys. Lett., 1998, Vol. 73, No. 15, p. 2173−2175.
  70. A.H., Неволин B.K. Полевой эффект в квазиодномерном канале на танталовых пленок // Известия высших учебных заведений. Электроника 2005, № 2, с. 37−42.
  71. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Том 3. Квантовая механика. Москва. Физмат ГИЗ. 1963. с. 704.
  72. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. Том 1. Издательство „Мир“. 1974. с. 341.
  73. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. Издательство „Химия“. 1978. с. 432.
  74. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. Издательство „Наука“. 1966. с. 564.
  75. А.Н., Неволин В. К. Локальное анодное окисление пленок углерода // Международная научно-техническая конференция „Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники“, Таганрог, 2004, Часть 1, с. 13−14.
  76. Axenov A.I., Bobrinetskii I.I., Bulatov A.N. et al. Fabrication of carbon nanotube-based devices for different applications in electronics // Biennial International Workshop „Fullerenes and atomic clusters“, 2005, p. 190.
  77. Председатель Оргкомитета проф. Ю.А.Чаплыгин
  78. УТВЕРЖДАЮ» / Проректор МИЭТf ¦. пб научной работе-В.А. Бархоткин а> 2005 г. 1. АКТоб использовании результатов кандидатской диссертационной работы Булатова Андрея Николаевича
  79. Использование указанных результатов позволяет дополнить лабораторный практикум по курсу «Основы зондовой микроскопии».
  80. Результаты диссертационной работы полностью нашли применение при выполнении НИР в УНЦ «ЗМиТ»: «Дип-МИЭТ», «Нанотрубка», «Димег», «Диплом», гранта для аспирантов и студентов «Развитие потенциала высшей школы».
  81. Председатель комиссии, зав. каф. квантовой физики и А. А. Горбацевичнаноэлектроники, д.ф.-м.н., профессор1. Члены комиссии: д.ф.-м.н., профессор ——<—"-О В.К. Неволин-hк.ф.-м.н., доцент. I и В.И. Корнеев1. ТВЕРЖДАЮ"5*<<�НТ-МДТ"1. А. Быков2005 г. 1. АКТ
  82. В производственном процессе ЗАО «НТ-МДТ», при сертификации СЗМ линии «СОЛВЕР», используются следующие результаты диссертационной работы Булатова А. Н.:
  83. Методика оценки сил электростатического взаимодействия в системе проводящий зонд адсорбат — проводящая подложка-
  84. Разработанная методика определения количества адсорбата воздуха на поверхности подложек из различных материалов расширяет номенклатуру СЗМ методик по исследованию нанообъектов.1. Начальник отдела• «'/регламента ЗАО «НТ-МДТ», к.т.н.1. В.В. Лосев
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!