Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
Диссертация
Основные результаты диссертации были представлены на конференциях: Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, 2007, 2008, 2009, 2010, 2011), Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Казань, 2008; Н. Новгород, 2010… Читать ещё >
Список литературы
- Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOx films / T. 1. okuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys. 1998. V. 83, № 4. P. 2228−2234.
- Iacona F., Franzo G., Spinella C. Correlation between luminescence and structural properties of Si nanocrystals // J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 3. P. 1295−1303.
- Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals / L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi, S. Ossicini, D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82, № 26. P. 4636−4638.
- Thermal crystallization of amorphous Si/SiC>2 superlattices / M. Zacharias, G. Biasing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, P.M. Fauchet // Appl. Phys Lett. 1999. V. 74, № 18. P.2614−2616.
- Si-rich/Si02 nanostructured multilayers by reactive magnetron sputtering / F. Gourbilleau, X. Portier, C. Ternon, P. Voivenel, R. Madelon, and R. Rizk // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78, № 20. P. 3058−3060.
- Visible photoluminescence in Si±implanted silica glass / T. Shimizu-lwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. ltoh // J. Appl. Phys. 1994. V. 75, № 12. P. 7779−7783.
- Growth of Ge, Si, and SiGe nanocrystals in SO2 matrices / J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, Y. Chen // J. Appl. Phys. 1995. V. 78, № 7. P. 4386−4389.
- Defect-ralated versus excitonic visible light emission from ion beam synthesized Si nanocrystals in Si02 / K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Almater, M.L. Brongersma, A. Polman // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69, № 14. P. 2033−2036.
- Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in SiC>2 by oxidation / M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, № 20. P. 2577−2579.
- Optical properties of silicon nanoclusters fabricated by ion implantation / T. Shimizu-lwayama, N. Kurumado, D.E. Hole, P.D. Townsend // J. Appl. Phys. 1998. V. 83, № 11. P. 6018−6022.
- Analyses of the stretched exponential photoluminescence decay from nanometer-sized silicon crystals in Si02 / J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, V. Grivickas // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № 11. P. 6128−6134.
- Optical gain in silicon nanocrystals / L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo // Nature. 2000. V. 408. P. 440−444.
- Stimulated emission in blue-emitting Si±implanted SiO? films? / K. Luterova, I. Pelant, I. Mikulskas, R. Tomasiunas, D. Muller, J.-J. Grob, J.-L. Rehspringer, B. Honerlage // J. Appl. Phys. 2002. V. 91, № 5. P. 2896−2900.
- Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79, № 9. P.1249−1251.
- Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A Si0/Si02 superlattice approach / M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Biasing // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80, № 4. P. 661−663.
- Intense visible photoluminescence in amorphous SiOx and SiOx: H films prepared by evaporation / H. Rinnert, M. Vergnat, G. Marchal, A. Burneau // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, № 24. P.3157−3159.
- Kahler U., Hofmeister H. Silicon nanocrystallites in buried SiOx layers via direct wafer bonding // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75, № 5. P.641−643.
- Структурные превращения и образование нанокристаллов кремния в пленках SiOx //
- B.Я. Братусь, В. А. Юхимчук, Л. И. Бережинский, М. Я. Валах, И. П. Ворона, И.З. Ин-дутный, Т. Т. Петренко, П. Е. Шепелявый, И. Б. Янчук // ФТП. 2001. Т. 35, вып. 7.1. C.854−860.
- Composition, structure and annealing-induced phase separation in SiOx films produced by thermal evaporation of SiO in vacuum / D. Nesheva, I. Bineva, Z. Levi, Z. Aneva, Ts. Merdzhanova, J.C. Pivin // Vacuum. 2003. V. 68. P. 1−9.
- Fang Y.C., Zhang Z.J., Lu M. Room temperature photoluminescence mechanism of SiO* film after annealing at different temperatures // J. Lum. 2007. V. 126. P. 145−148.
- Разумов В.Ф. Курс лекций по синергетике. Часть 1. Черноголовка: ИПХФ РАН, 2002. 128 с.
- Венгренович Р.Д., Гудыма Ю. В., Ярема С. В. Оствальдовское созревание наноструктур с квантовыми точками // ФТП. 2001. Т. 35, вып. 12. С. 1440−1444.
- Лифшиц И.М., Слезов В. В. О кинетике распада пересыщенных твердых растворов // ЭТФ. 1958. Т. 35, вып. 2, № 8. Р. 479−492.
- Rinnert Н., Vergnat М., Burneau A. Evidence of light-emitting amorphous silicon clusters confined in a silicon oxide matrix // J. Appl. Phys. 2001. V. 89, № 1. P. 237−243.
- Sulimov V.B., Sokolov V.O. Cluster modeling of the neutral oxygen vacancy in pure silicon dioxide //J. Non-Cryst. Sol. 1995. V. 191, № 3. P. 260−280.
- Численное моделирование собственных дефектов в SiC>2 и Si3N4 / В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, А. В. Шапошников, Ю. Н. Мороков // ФТП. 2001. Т. 35, вып. 9. С. 1041−1049.
- Лейер А.Ф., Сафронов Л. Н., Качурин Г. А. Моделирование формирования нанопреци-питатов в Si02, содержащем избыточный кремний // ФТП. 1999. Т. 33, вып. 4. С.389−394.
- Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiC>2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Аг+ / Г. А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р. А. Янков, И. Е. Тысченко, Х. Фреб, Т. Беме, К. Лео // ФТП. 1998. Т. 32, вып. 4. С. 439−444.
- Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by ТЕМ, XPS and ESR / K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 216. P. 376−381.
- Formation and evolution of luminescent Si nanoclusters produced by thermal annealing of SiO* films / F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo // J. Appl. Phys. 2004. V. 95, № 7. P. 3723−3732.
- Formation, evolution and photoluminescence properties of Si nanoclusters / S. Boninelli, F. Iacona, G. Franzo, C. Bongiorno, C. Spinella, F. Priolo // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. V. 19. P. 225 003-(l-24).
- Philipp H.R. Optical and bonding model for non-crystalline SiO* and SiOJSfy materials // J. Non-Cryst. Solids. 1972. V. 8−10. P. 627−632.
- Quantitative determination of the clustered silicon concentration in substoichiometric silicon oxide layer / C. Spinella, C. Bongiorno, G. Nicotra, E. Rimini, A. Muscara, S. Coffa // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 44 102-(l-3).
- Барановский П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1975. 704 с.
- Nesbit L.A. Annealing characteristics of Si-rich Si02 films // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46, № 1. P.38−40.
- Si rings, Si clusters, and Si nanocrystals different states of ultrathin SiOx layers / L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81, № 22. P. 4248−4251.
- Delerue C., Allan G., Lannoo M. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon // Phys. Rev. B. 1993. V. 48, № 15. P. 11 024−11 036.
- Optical properties of passivated Si nanocrystals and SiO* nanostructures / L.N. Dinh, L.L. Chase, M. Balooch, W.J. Siekhaus, F. Wooten // Phys. Rev. B. 1996. V. 54, № 7. P.5029−5037.
- Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: the role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82, № 1. P. 197−200.
- Fauchet P.M. Light emission from Si quantum dot // Materials Today. 2005. V. 8, № 1. P. 26−33.
- Role of the energy transfer in the optical properties of undoped and Er-doped interacting Si nanocrystals / F. Priolo, G. Franzo, D. Pacifici, V. Vinciguerra, F. Iacona, A. Irrera // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 264−272.
- Pavesi, L. Influence of dispersive exciton motion on the recombination dynamics in porous silicon // J. Appl. Phys. 1996. V. 80, № 1. P. 216−225.
- Передача энергии между нанокристаллами кремния / О. Б. Гусев, A.A. Прокофьев, O.A. Маслова, Е. И. Теруков, И. Н. Яссиевич // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 93, вып. 3. С. 162−165.
- Silicon Nanocrystals. Fundamentals, Synthesis and Applications / Ed. by L. Pavesi, R. Turan. Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2010. 652 pp.
- Silicon Nanocrystals: Size Matters / J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele // Advanced Materials. 2005. V. 17, № 7. P. 795−803.
- Lu Z.H., Lockwood DJ., Baribeau J.-M. Quantum confinement and light emission in SiO^Si superlattices // Nature. 1995. V. 378. P. 258−260.
- Lockwood D.J., Lu Z.H., Baribeau J.-M. Quantum Confined Luminescence in Si/Si02 Superlattices // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76, № 3. P. 539−541.
- Photoluminescence in amorphous Si/SiCb superlattices fabricated by magnetron sputtering / B.T. Sullivan, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, Z.-H. Lu // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69, № 21. P. 3149−3151.
- Ordering and self-organization in nanocrystalline silicon / G.F. Grom, D.J. Lockwood, J.P. McCaffrey, H.J. Labbe, P.M. Fauchet, В. White Jr, J. Diener, D. Kovalev, F. Koch, L. Tsybeskov // Nature (London). 2000. V. 407. P. 358−361.
- Nanocrystalline-silicon superlattice produced by controlled recrystallization / L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72, № 1. P. 43−45.
- Er3+ photoluminescence properties of erbium-doped Si/Si02 superlattices with subnanometer thin Si layers / Y.H. Ha, S. Kim, D.W. Moon, J.-H. Jhe, J.H. Shin // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79, № 3. P. 287−289.
- Bright luminescence from erbium doped nc-Si/Si02 superlattices / M. Schmidt, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // J. Non-Cryst. Solids. 2002. V. 299−302. P. 678−682.
- The characteristic carrier-Er interaction distance in Er-doped a-Si/Si02 superlattices formed by ion sputtering / J.-H. Jhe, J.H. Shin, K.J. Kim, D.W. Moon // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82, № 25. P. 4489−4491.
- Formation and charging effect of Si nanocrystals in a-SiNx/a-Si/a-SiNc structures / M. Dai, K. Chen, X. Huang, L. Wu, L. Zhang, F. Qiao, W. Li, K. Chen // J. Appl. Phys. 2004. V. 95, № 2. P. 640−645.
- Quantum confinement and recombination dynamics in silicon nanocrystals embedded in Si/Si02 superlattices / V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella // J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 11. P. 8165−8173.
- Zacharias M., Streitenberger P. Crystallization of amorphous superlattices in the limit of ul-trathin films with oxide interfaces // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 8391−8396.
- Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 670 с.
- Stimulated emission in nanocrystalline silicon superlattices / J. Ruan, P.M. Fauchet, L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83, № 26. P. 5479−5481.
- Lu Z.H., Lockwood D.J., Baribeau J.-M. Visible light emitting Si/Si02 superlattices // SolidState Electronics. 1996. V. 40, № 1−8. P. 197−201.
- Fabrication of Nanocrystalline Silicon Superlattices by Controlled Thermal Recrystallization / L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, P.M. Fauchet, M. Zacharias, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood // Phys. Stat. Sol. (a). 1998. V. 165. P. 69−78.
- Raman scattering and photoluminescence studies on Si/SiC>2 superlattices / M. Benyoucef, M. Kuball, J.M. Sun, G.Z. Zhong, X.W. Fan // J. Appl. Phys. 2001. V. 89, № 12. P. 7903−7907.
- Kamenev B.V., Grebel H., Tsybeskov L. Laser-induced structural modifications in nanocrystalline silicon/amorphous silicon dioxide superlattices // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. № 14. P. 143 117-(l-3).
- Size-dependent electron-hole exchange interaction in Si nanocrystals / M.L. Brongersma, P.G. Kik, A. Polman, K.S. Min, H.A. Atwater // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 3. P. 351−353.
- Excitons in Si nanocrystals: Confinement and migration effects / J. Heitmann, F. Muller, L. Yi, M. Zacharias, D. Kovalev, F. Eichhorn // Phys. Rev. B. 2004. V. 69, № 19. P. 195 309-(1−7).
- Saturation and voltage quenching of porous-silicon luminescence and the importance of the Auger effect /1. Mihalcescu, J.C. Vial, A. Bsiesy, F. Muller, R. Romestain // Phys. Rev. B. 1995. V. 51, № 24. P. 17 605−17 613.
- Kamenev B.V., Nassiopoulou A.G. Self-trapped excitons in silicon nanocrystals with sizes below 1.5 nm in Si/Si02 multilayers // J. Appl. Phys. 2001. V. 90, № 11. P. 5735−5740.
- Electronic and optical properties of Si/SiO? nanostructures. II. Electron-hole recombination at the Si/Si02 quantum-well-quantum-dot transition / N. Раис, V. Calvo, J. Eymery, F. Fournel, N. Magnea // Phys. Rev. B. 2005. V. 72, № 20. P. 205 325-(l-8).
- Clear quantum-confined luminescence from crystalline silicon/SiC^ single quantum wells / E.-C. Cho, M.A. Green, J. Xia, R. Corkish, P. Reece, M. Gal // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84, № 13. P. 2286−2288.
- Si nanocrystal based memories: Effect of the nanocrystal density / T.Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talalaev, R.J. Zhang, M. Zacharias // J. Appl. Phys. 2006. V. 100, № 1. P. 14 310-(l-5).
- Phase separation of thin SiO layers in amorphous SiO/SiC^ superlattices during annealing / L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V.15. P. S2887-S2895.
- Williams G.V.M., Bittar A., Trodahl H.J. Crystallization and diffusion in progressively annealed a-Ge/SiO* superlattices // J. Appl. Phys. 1990. V. 67, № 4. P. 1874−1878.
- Persans P.D., Ruppert A., Abeles B. Crystallization kinetics of amorphous Si/SiC>2 superlattice structures // Journal of Non-Crystalline Solids. 1988. V. 102, № 1−3. P.130−135.
- The structural stability of reactively-sputtered amorphous multilayer films / I. Honma, H. Hotta, K. Kawai, H. Komiyama, K. Tanaka // J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 97−98, № 2. P. 947−950.
- Interfacially initiated crystallization in amorphous germanium films / H. Homma, I.K. Schuller, W. Sevenhans, Y. Bruynseraede // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50, № 10. P. 594−596.
- Miyazaki S., Ihara Y., Hirose M. Structural stability of amorphous semiconductor superlattices // Journal of Non-Crystalline Solids. 1987. V. 97−98, № 2. P. 887−890.
- Oki F., Ogawa Y., Fujiki Y. Effect of Deposited Metals on the Crystallization Temperature of Amorphous Germanium Film // Jpn. J. Appl. Phys. 1969. V. 8. P. 1056−1056.
- Raoux S., Jordan-Sweet J.L., Kellock A.J. Crystallization properties of ultrathin phase change films // J. Appl. Phys. 2008. V. 103, № 11. P. 114 310-(l-7).
- Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80, № 1. P. 4834−4836.
- Бурдов В.А. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера // ФТП. 2002. Т. 36, вып. 10. С. 1233−1236.
- Allan G., Delerue С., Lannoo М. Nature of Luminescent Surface States of Semiconductor Nanocrystallites // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76, № 16. P. 2961−2964.
- Nayfeh M.H., Rigakis N., Yamani Z. Photoexcitation of Si-Si surface states in nanocrystallites / M.H. Nayfeh // Phys. Rev. B. 1997. V. 56, № 4. P. 2079−2084.
- Self-trapped exciton recombination in silicon nanocrystals / A.Yu. Kobitski, K.S. Zhuravlev, H.P. Wagner, D.R.T. Zahn // Phys. Rev. B. 2001. V. 63, № 11. P. 115 423-(l-5).
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57, № 10. P. 1046−1049.
- Walters R.J., Bourianoff G.I., Atwater H.A. Field-effect electroluminescence in silicon nanocrystals // Nature Materials. 2005. V. 4, № 2. P. 143−146.
- Multilevel charge storage in silicon nanocrystal multilayers / T.Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talelaev, M. Zacharias // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87, № 20. P. 202 110-(l-3).
- Silicon quantum dot/crystalline silicon solar cells / E.-C. Cho, S. Park, X. Hao, D. Song, G. Conibeer, S.-C. Park, M.A. Green // Nanotechnology 2008. V. 19. P. 245 201-(l-5).
- Green M.A. Third generation photovoltaics. Berlin, Heidelberg: Springer, 2006. 160 pp.
- Using silicon nanostructures for the improvement of silicon solar cells' efficiency / J. De la Torre, G. Bremond, M. Lemiti, G. Guillot, P. Mur, N. Buffet // Thin Solid Films. 2006. V. 511−512. P. 163−166.
- Gelloz В., Koshida N. Nanocrystalline Si EL Devices // В кн.: Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures / Ed. by N. Koshida. Springer Science+Business Media, LLC, 2009. P. 25−70.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний / М. Д. Ефремов, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, С. А. Аржанникова, Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, А.В.
- Кретинин, В.В. Малютина-Бронская, Д.В. Марин // ФТП. 2005. Т. 39, вып. 8. С. 945−952.
- Ye Q., Tsu R., Nicollian E.H. Resonant tunneling via microcrystalline-silicon quantum confinement // Phys. Rev. B. 1991. V. 44, № 4. P. 1806−1811.
- Single-electron tunneling through Si nanocrystals dispersed in phosphosilicate glass thin films / Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto // J. Appl. Phys. 1999. V. 86, № 6. P. 3199−3203.
- Chou S.Y., Gordon A.E. Steps and spikes in current-voltage characteristics of ox-ide/microcrystallite-silicon/oxide diodes // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60, № 15. P. 1827−1829.
- Boeringer D.W., Tsu R. Avalanche amplification of multiple resonant tunneling through parallel silicon microcrystallites // Phys. Rev. B. 1995. V. 51, № 19. P. 13 337−13 343.
- Nicollian E.H., Tsu R. Electrical properties of a silicon quantum dot diode // J. Appl. Phys. 1993. V. 74, № 6. P. 4020−4025.
- Abeles В., Tiedje N. Amorphous Semiconductor Superlattice // Phys. Rev. B. 1983. V. 51, № 21. P. 2003−2006.
- Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations // J. Appl. Phys. 2001. V. 89, № 10. P. 5243−5275.
- Wallace R.M., Wilk G.D. Identifying the most promising high-k gate dielectrics // Semiconductor International. 2001. P. 227−236.
- De Blauwe J. Nanocrystal Nonvolatile Memory Devices // IEEE Transactions on Nano-technology. 2002. V. 1, № 1. P. 72−77.
- Muralidhar R., Sadd М.А., White Jr. B.E. Silicon Nanocrystal Nonvolatile Memories // В кн.: Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures / Ed. by N. Koshida. Springer Science+Business Media, LLC, 2009. P. 223−249.
- Quantum confinement energy in nanocrystalline silicon dots from high-frequency conductance measurements / S. Huang, S. Banerjee, R.T. Tung, S. Oda // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, № 11. P. 7261−7265.
- Modeling of a EEPROM device based on silicon quantum dots embedded in high-k dielectrics / V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko, Yu.N. Novikov, J.H. Lee, J.-W. Lee, C.W. Kim, H. Wong// Microelectronic Engineering. 2005. V.81. P. 530−534.
- Recent advances in nanoparticle memories / D. Tsoukalas, P. Dimitrakis, S. Kolliopoulou, P. Normand // Materials Science and Engineering B. 2005. V. 124−125. P. 93−101.
- Robertson J. Band offsets of high dielectric constant gate oxides on silicon // J. Non-Cryst. Solids. 2002. V. 303. P. 94−100.
- Defects in High-k Gate Dielectric Stacks / ed. by E. Gusev. New-York: Springer, 2006. 492 pp.
- High-resolution depth profiling in ultrathin A1203 films on Si / E.P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I.J.R. Baumvol, C. Krug, and M.A. Gribelyuk // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 2. P. 176−178.
- Device and reliability of high-k AI2O3 gate dielectric with good mobility and low Dlt / A. Chin, C.C. Liao, C.H. Liu, W.J. Chen, C. Tsai // Tech. Dig. VLSI Symp. 1999. P. 135−136.
- Characteristics of AI2O3 gate dielectric prepared by atomic layer deposition for giga scale CMOS DRAM devices / D.-G. Park, H.-I. Cho, C. Lim, I.-S. Yeo, J.-S. Roh, C.-T. Kim, J.-M. Hwang // Tech. Dig. VLSI Symp. 2000. P. 46−47.
- Shappir J., Anis A., Pinsky I. Investigation of MOS capacitors with thin Zr02 layers and various gate materials for advanced DRAM applications // IEEE Trans. Electron Devices. 1986. V. 33, № 4. P. 442−449.
- Copel M., Gribelyuk M., Gusev E. Structure and stability of ultrathin zirconium oxide layers on Si (001) // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 4. P. 436−438.
- MOSCAP and MOSFET characteristics using Zr02 gate dielectric deposited directly on Si / W.-J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, T. Ngai, S. Banerjee, J.C. Lee // Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1999. P. 145−148.
- Performance of MOSFETs with ultra thin Zr02 and Zr silicate gate dielectrics / W.-J. Qi, R. Nieh, B.H. Lee, K. Onishi, L. Kang, Y. Jeon, J.C. Lee, V. Kaushik. B.-Y. Nguyen, L. Prabhu, K. Eisenbeiser, J. Finder // Tech. Dig. VLSI Symp. 2000. P. 40−41.
- MOS characteristics of ultra thin rapid thermal CVD Zr02 and Zr silicate gate dielectrics / C.H. Lee, H.F. Luan, W.P. Bai, S.J. Lee, T.S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, D.L. Kwong // Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2000. P. 27−30.
- Electrical properties of Zr02 gate dielectric on SiGe / T. Ngai, W.J. Qi, R. Sharma, J. Fretwell, X. Chen, J.C. Lee, S. Banerjee // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 4. P. 502−504.
- Variation in the fixed charge density of Si0x/Zr02 gate dielectric stacks during postdeposition oxidation / M. Houssa, V.V. Afanas’ev, A. Stesmans, M.M. Heyns // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77, № 12. P. 1885−1887.
- Trap-assisted tunneling in high permittivity gate dielectric stacks / M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanas’ev, A. Stesmans, S. Haukka, M.M. Heyns // J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 12. P. 8615−8620.
- High permittivity thin film nanolaminates / H. Zhang, R. Solanki, B. Roberds, G. Bai, I. Banerjee // J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 4. P. 1921−1923.
- Казанцева И.А. Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Н. Новгород, 2002. 213 с.
- Особенности электропереноса в многослойных наноструктурах a-Si/ZrOx / И.А. Чуч-май, А. Ф. Хохлов, А. И. Машин, A.B. Ершов // Изв. Вузов. Электроника. 1999. № 5. С. 15−20.
- Оптическое поглощение многослойных наноструктур a-Si/ZrOx / A.B. Ершов, И. А. Чучмай, А. Ф. Хохлов, А. И. Машин // Изв. Вузов. Электроника. 2000. № 1. С. 107−109.
- Chuchmai I.A., Khokhlov A.F., Ershov A.V. Structural measurements of amorphous silicon multilayers by the atomic force microscopy // Phys. Low-Dim. 2001. V. ¾. P. 47−52.
- Precision Ion Polishing System: User’s Guide. Gatan Inc., 1998. 118 pp.
- Gwyddion Free SPM (AFM, SNOM/NSOM, STM, MFM, .) data analysis software: сайт. URL: http://gwyddion.net/ (дата обращения: 10.09.2011).
- Ziegler J.F. The Stopping and Range of Ions in Matter. Режим доступа: http://www.srim.org, свободный. — Загл. с экрана.
- Мотг Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2-х т. М.: Мир, 1982. 663 с.
- Forster Т. Versuche zum zwischenmolekularen. Ubergang von elektronen anregungsenergie // Zeitschrift fur Elektrochemie. 1949. V. 53. P.93−100.
- Dexter D.L. A theory of sensitized luminescence in solids // J. Chem. Phys. 1952. V. 21, № 5. P. 836−850.
- Lannoo M., Delerue C., Allan G. Theory of radiative and nonradiative transitions for semiconductor nanocrystals // J. Lu’min. 1996. V. 70. P. 170−184.
- Delerue С., Lannoo M. Nanostructures Theory and Modelling. Berlin: Springer-Verlag, 2004. 304 c.
- Hybertsen M.S. Absortion and emission of light in nanoscale silicon structure // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. P. 1514−1517.
- Delerue C., Allan G., Lannoo M. Electron-phonon coupling and optical transitions for indirect-gap semiconductor nanocrystals // Phys Rev B. 2001. V. 64. P. 193 402-(l-4).
- Single-particle states in spherical Si/Si02 quantum dots / A.S. Moskalenko, J. Berakdar, A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. P. 85 427-(l-9).
- Silicon Nanocrystals: Fundamental Theory and Implications for Stimulated Emission / V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, A. Meldrum // Adv. Opt. Tech. 2008. V. 2008. P. 279 502 (32 pp).
- Balberg I., Savir E., Jedrzejewski J. The mutual exclusion of luminescence and transport in nanocrystalline silicon networks // J. Non-Cryst. Solids. 2004. V. 338−340. P. 102−105.
- Kagan C.R., Murray C.B., Bawendi M.G. Electronic Energy Transfer in CdSe Quantum Dot Solids // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76, № 9. P. 1517−1520.
- Spectrally Resolved Dynamics of Energy Transfer in Quantum-Dot Assemblies: Towards Engineered Energy Flows in Artificial Materials / S.A. Crooker, J.A. Hollingsworth, S. Tretiak, V.I. Klimov // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 89, № 18. P. 186 802-(l-4).
- Allan G., Delerue C. Energy transfer between semiconductor nanocrystals: Validity of Forster’s theory // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. P. 195 311-(1−8).
- Dexter D.L. Theory of sensitized luminescence of solids // J. Chem. Phys. 1952. V. 21, P. 836−850.
- Belyakov V.A., Burdov V.A. Radiative Recombinantion and Migration Effects in Ensembles of Si Nanocrystals: Towards Controllable Nonradiative Energy Transfer // J. Comput. Theor. Nanoscience. 2011. V. 8, № 3. P. 365−374.
- Roman Н.Е., Pavesi L. Monte Carlo simulations of the recombination dynamics in porous silicon //J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V. 8. P. 5161−5187.
- Zacharias M., Dlmova-Malinovska D., Stutzmann M. Properties of hydrogenated amorphous silicon suboxide alloys with visible room-temperature photoluminescence // Phil, Mag. B. 1996. V. 73, № 5. P. 799−816.
- Tsu D.V., Lucovsky G., Davidson B.N. Effects of the nearest neighbors and the alloy matrix on SiH stretching vibrations in the amorphous SiOr: H (0 < r < 2) alloy system // Phys. Rev. B. 1989. V. 40, № 3. P. 1795−1805.
- Infrared studies of transition layers at Si02 /Si interface / H. Ono, T. Ikarashi, K. Ando, T. Kitano // J. Appl. Phys. 1998. V. 84, № 11. P. 6064−6069.
- Lange P. Evidence for disorder-induced vibrational mode coupling in thin amorphous Si02 film // J. Appl. Phys. 1989. V. 66, № 1. P. 201−204.
- Formation of silicon nanocrystals in sapphire by ion implantation and the origin of visible photoluminescence / S. Yerci, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan // J. Appl. Phys. 2006. V. 100, № 7. P. 74 301-(l-5).
- Tsu R., Shen H. Dutta M. Correlation of Raman and photoluminescence spectra of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60, № 1. P. 112−114.
- Charge transport in ultrathin silicon rich oxide/SiC>2 multilayers under solar light illumination and in dark conditions / R.A. Puglisi, C. Vecchio, S. Lombardo, S. Lorenti, M.C. Camalleri // J. Appl. Phys. 2010. V. 108, № 2. P. 23 701-(l-7).
- Миркин JI.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Физматлит, 1961. 717 с.
- О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiC>2, имплантированных ионами Si / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, В. А. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, М,-О. Ruault // ФТП. 2002. Т. 36, вып. 6. С. 685−689.
- Photoluminescence and free-electron absorption in heavily phosphorus-doped Si nanocrystals / A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch // Phys. Rev. B. 2000. V. 62, № 19. p. 12 625−12 627.
- Влияние ионной имплантации P+, B+ и N+ на люминесцентные свойства системы SiC>2:nc-Si / Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, В. А. Бурдов, С. А. Трушин, А. Н. Михайлов, Д. М. Гапонова, С. В. Морозов, А. И. Ковалев // ФТТ. 2004. Т. 46, вып. 1. С. 21−25.
- Cho В.-О., Lao S.X., and Chang J.P. Origin and effect of impurity incorporation in plasma-enhanced Zr02 deposition // J. Appl. Phys. 2003. V. 93, № 11. P. 9345−9352.
- Zhao X., Vanderbilt D. Phonons and lattice dielectric properties of zirconia // Phys. Rev. B. 2002. V. 65, № 7. P. 75 105-(1−10).
- Long lasting phosphorescent properties of Ti doped Zr02 / Y. Cong, B. Li, B. Lei, W. Li // J. Luminescence. 2007. V. 126. P. 822−826.
- Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ. / Под ред. X. Фрицше. М.: Мир, 1991.544 с.
- Interface instabilities and electronic properties of Zr02 on silicon (100) / C.C. Fulton, Т.Е. Cook, G. Lucovsky, R.J. Nemanich // J. Appl. Phys. 2004. V. 96, № 5. P. 2665−2673.
- High temperature stability in lanthanum and zirconia-based gate dielectrics / J.-P. Maria, D. Wicaksana, A.I. Kingon, B. Busch, H. Schulte, E. Garfunkel, T. Gustafsson // J. Appl. Phys. 2001. V. 90, № 7. P. 3476−3482.
- Bi, L. Nanocrystal and interface defects related photoluminescence in silicon-rich AI2O3 films / L. Bi, J.Y. Feng // J. Lumin. 2006. — Vol.121. — P.95−101.
- Белов А.И. Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации: Дис. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01. Н. Новгород, 2011. 146 с.
- Cheylan S., Elliman R.G. Effect of hydrogen on the photoluminescence of Si nanocrystals embedded in a Si02 matrix // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78, № 9. P. 1225−1227.
- Cheylan S., Elliman R.G. Effect of particle size on the photoluminescence from hydrogen passivated Si nanocrystals in Si02 // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78, № 13. P. 1912−1914.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. 1. Структура, приготовление и приборы: Пер. с англ. / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир, 1987. 368 с.
- Stesmans A. Interaction of Рь defects at the (111) Si/Si02 interface with molecular hydrogen: Simultaneous action of passivation and dissociation // J. Appl. Phys. 2000. V. 88, № 1. p. 489197.
- Brower K.L. Kinetics of H2 passivation of Рь centers at the (111) Si-SiCb interface // Phys. Rev. B. 1988. V. 38, № 14. P. 9657−9666.
- Stesmans A. Influence of interface relaxation on passivation kinetics in H2 of coordination Pь defects at the (lll)Si/Si02 interface revealed by electron spin resonance // J. Appl. Phys. 2002. V. 92, N 3. P. 1317−1329.
- Хитрова В.И., Клечковская В. В. Электронографическое исследование фазообразова-ния и кристаллической структуры кубического окисла циркония в тонких слоях // Кристаллография. 1985. Т. 30, вып. 1. С. 126−130.
- Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристал-лов Si / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, В. А. Володин, Д. М. Марин, Д. И. Тетельбаум, Н. Becker // ФТП. 2006. Т. 40, вып. 1. С. 75−81.
- Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys. 2000. V. 87, № 8. P. 3829−3837.
- Phosphorus-doped Si nanocrystallites embedded in Si02 films / T. Makimura, Y. Yamamo-to, S. Mitani, T. Mizuta, C.Q. Li, D. Takeuchi, K. Murakami // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 197−198. P. 670−673.
- Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n-and p-type impurities / M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase, K. Ninomiya, S. Hayashi // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85, № 7. P. 1158−1160.
- Photoluminescence from impurity codoped and compensated Si nanocrystals / M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase, K. Ninomiya, S. Hayashi // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87, № 21. P. 211 919-(l-3).
- Photoluminescence and electroluminescence of size-controlled silicon nanocrystallites embedded in Si02 thin films / O. Jambois, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat // J. Appl. Phys. 2005. V. 98, № 4. P. 46 105-(l-3).
- Si nanocrystal synthesis in HfCVSiO/HfCh multilayer structures / M. Perego, G. Seguini, C. Wiemer, M. Fanciulli, P.-E. Coulon, C. Bonafos // Nanotechnology. 2010. V. 21. P. 55 606-(1−7).
- Thompson S.E., Parthasarathy S. Moore’s law: the future of Si microelectronics // Materials Today. 2006. V. 9. № 6. P. 20−25.
- Lockwood D.J., Tsybeskov L. Optical properties of silicon nanocrystal superlattices // J. Nanophotonics. 2008. V. 2. P. 22 501-(l-33).
- Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Демидов Е.С., Карзанов В. В., Шенгуров В. Г. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67, №. 10. С. 794−797.
- Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулиро-ванного пористого кремния и подобных гетерофазных систем / Е. С. Демидов, Н. Е. Демидова, В. В. Карзанов, К. А. Марков, В. В. Сдобняков // ФТТ. 2009. Т. 51, вып. 10. С. 1894−1899.
- Кулик И.О., Шехтер Р. И. // ЖЭТФ. 1975. Т. 68. С. 623−640- Kulik I.O., Shekhter R.I. Kinetic phenomena and charge discreteness effects in granulated media // Sov. Phys.-JETP. 1975. V. 41, № 2 P. 308−316.
- Демидов Е.С. Аттосекундная высокотемпературная субнаноразмерная одноэлектро-ника на атомах переходных металлов // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71, № 9. С. 513−518.
- Статьи в журналах, включенных в перечень ВАК
- А5. Дискретное туннелирование в многослойных нанопериодических структурах пс-Si/Al203 / И. А. Чугров, Е. С. Демидов, A.B. Ершов // Вестник ННГУ. Сер. ФТТ. 2011. № 3. С. 44−49.
- Статьи в сборниках трудов конференций
- Тезисы докладов конференций
- А24. Влияние отжига и гидрогенизации на оптические свойства многослойных наноструктур a-Si/Zr02 и <3-Si0x/Zr02 / И. А. Чугров, A.A. Ершов // Тезисы 14-ой Нижегородской сессии молодых ученых, Н. Новгород, 19−24 апр., 2009. С. 51.
- А25. Фотолюминесценция многослойных наноструктур Si/Zr02 и Si0/Zr02, ионно-легированных бором и фосфором / A.A. Ершов, И. А. Чугров // Тезисы 14-ой Нижегородской сессии молодых ученых, Н. Новгород, 19−24 апреля, 2009. С. 37.
- АЗО. Оптические и электрические свойства упорядоченной системы ««c-Si/оксид с высокой диэлектрической проницаемостью» / И. А. Чугров, A.A. Ершов, A.B. Ершов // Тезисы 15-ой Нижегородской сессии молодых ученых, Н. Новгород, 19−23 апр., 2010. С. 95.
- Учебно-методические пособия