Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe

Диссертация: Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов на всех компонентах системы подчиняются в основном классическим законам. Характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности указывает на определенный вклад биографических поверхностных состояний и, соответственно, подтверждает роль вакансионных дефектов как активных центров. Установлен параллелизм в закономерностях… Читать ещё >

Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Литературный обзор
    • 1. 1. Основные свойства 1п8Ь, 2п8е — основных представителей групп алмазоподобных полупроводников
      • 1. 1. 1. Способы получения
      • 1. 1. 2. Кристаллохимические свойства
      • 1. 1. 3. Химические свойстваЮ
      • 1. 1. 4. Характер связи
      • 1. 1. 5. Электрические свойства
      • 1. 1. 6. Магнитные свойства
      • 1. 1. 7. Оптические свойства
      • 1. 1. 8. Адсорбционные и каталитические свойства
    • 1. 2. Общая характеристика твердых растворов на основе бинарных соединений и методы их получения
    • 1. 3. Выращивание тонких пленок алмазоподобных полупроводников
    • 1. 4. Твердые растворы типа А3В5-А2В
    • 1. 5. Твердые растворы ОаАз-гпБе как представители систем А3В5-А2В
    • 1. 6. Применение алмазоподобных полупроводников и твердых растворов на их основе
  • ГЛАВА II. Экспериментальная часть
  • Вводные замечания
    • 2. 1. Исследуемые объекты и методы их получения
      • 2. 1. 1. Получение твердых растворов
      • 2. 1. 2. Получение пленок бинарных соединений 1п8Ь, ZnSe и их твердых растворов
    • 2. 2. Идентификация твердых растворов
      • 2. 2. 1. Рентгенографический анализ¦
      • 2. 2. 2. Определение ширины запрещенной зоны
      • 2. 2. 3. Определение стехиометрического состава
    • 2. 3. Адсорбция оксида углерода (II)
      • 2. 3. 1. Выбор и получение адсорбата
      • 2. 3. 2. Адсорбционные измерения
    • 2. 4. Электрофизические измерения
    • 2. 5. Исследование кислотно-основных свойств
      • 2. 5. 1. Определение рН-изосостояния
      • 2. 5. 2. Механохимические исследования
      • 2. 5. 3. Кондуктометрическое титрование
    • 2. 6. Термодесорбционные измерения
  • ГЛАВА III. Результаты и их обсуждение
    • 3. 1. Идентификация твердых растворов
      • 3. 1. 1. Рентгенографический анализ
      • 3. 1. 2. Определение ширины запрещенной зоны
      • 3. 1. 3. Определение стехиометрического состава
    • 3. 2. Адсорбционные измерения
      • 3. 2. 1. Кинетика и энергия активация адсорбции
      • 3. 2. 2. Изобары адсорбции
      • 3. 2. 3. Равновесные изотермы адсорбции. Изменение энтропии и теплота адсорбции
        • 3. 2. 4. 3. ависимость кинетических, адсорбционных, термодинамических характеристик от состава системы InSb-ZnSe
    • 3. 3. Электропроводность InSb, ZnSe и их твердых растворов
      • 3. 3. 1. Электропроводность образцов в вакууме
      • 3. 3. 2. Электропроводность образцов в атмосфере СО
    • 3. 4. Кислотно-основные свойства
      • 3. 4. 1. Водородный показатель изосостояния
      • 3. 4. 2. Механохимические исследования
      • 3. 4. 3. Кондуктометрическое титрование
    • 3. 5. Термодесорбционные исследованияЦ
  • ГЛАВА IV. Обобщение и систематизация результатову
  • Выводы

л г О Л.

Актуальность проблемы. Системы, А ВА В, представителем которой является исследуемая система 1п8Ь-7п8е, относятся к типу гетеровалентного замещения. Здесь и катионообразователи, и анионообразователи различной валентности и, соответственно, из разных групп периодической системы Д. И Менделеева. Общим для этих веществ является природа межатомных связей (тетраэдрические ковалентные связи) и, как следствие, — идентичность кристаллической структуры.

Физико-химические, электрические и, тем более, поверхностные свойства многокомпонентных гетеровалентных алмазоподобных систем практически не исследованы, но даже то, что уже известно (неупорядоченное расположение многих типов атомов в строгой алмазоподобной структуре, большие области гомогенности при сохранении ряда свойств внутри этих областей, малая теплопроводность, сильная компенсация носителей заряда, появление экстремальных эффектов на адсорбционных и электрофизических зависимостях, комбинированное действие компонентов в качестве макро и микропримесей, возможность получения при максимальной разнице в значениях ширины запрещенной зоны и прямых переходах минимальной разницы в параметрах решетки, возможность осуществления гетеропереходов и т. д.) вызывают к ним большой научный и практический интерес.

Особенно ярко интересные свойства, связанные с фактором многокомпонентное&tradeполупроводниковых систем такого типа, должны проявляться при протекании поверхностных процессов, исключительно важных для катализа, современной оптики и электроники, изучения гетероструктур и гетеропереходов;

В 60-е годы, когда в технике существенно возрос интерес к новым полупроводниковым материалам, Кировской И. А. вместе с учениками были 5 начаты исследования по созданию единого подхода к исследованию реальной л с О, А поверхности алмазоподобных полупроводников, в частности, А В, А В, управлению ее свойствами и получению материалов с заданными характеристиками. Такой подход включает комплексное изучение структуры, химического состава поверхности, изменение спектра поверхностных состояний, адсорбционно-каталитических и физических свойств. В последние годы это позволило решить ряд прикладных задач по оптимизации условий роста, обработки, хранения и стабилизации поверхности полупроводников, созданию неразрушающих методов контроля работы приборов на их основе, а также катализаторов реакций окислительно-восстановительного и кислотно-основного типа. Многие разработки защищены авторскими свидетельствами, патентами, внедрены на предприятиях радио, электронной, химической и оборонной промышленности.

В настоящее время проводятся работы по созданию теории управления поверхностью бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников (твердых растворов на основе полупроводников А3В5 и А2В6) как основы улучшения технологии известных, поиска и разработки новых эффективных материалов, улучшения и создания новых полупроводниковых приборов. Среди них, в первую очередь, — сенсоры-датчики экологического назначения на основе тонкопленочных и многокомпонентных полупроводников.

Настоящая работа является логической составляющей названных исследований. Она посвящена решению актуальной для физиков и химиков проблемы — поиску новых материалов. При определенной изученности элементарных и бинарных полупроводников такие материалы следует искать, прежде всего, среди тройных, четверных и более сложных систем. Путь этот труден, так как из-за недостатка данных здесь отсутствует какая-либо теория. Однако, возможности получения систем с неожиданными, интересными для новой техники и катализа свойствами, компенсирует подобные трудности. 6.

Выбранная в качестве объекта исследования 1п8Ь-?п8е к началу работы не была получена. Поэтому ее объемные и, тем более поверхностные свойства совершенно не изучены. Уникальные же свойства бинарных компонентов 1п8Ь, Хп$>е (прежде всего, пьезоэлектрические, оптические, электрофизические и другие) указывают на возможность получения многокомпонентных систем на их основе с неменее интересными и неожиданными (с учетом взаимного влияния компонентов) свойствами. Отсюда целесообразность получения и исследования новой системы 1п8Ь-2п8е.

Цель работы. Разработать методы получения и изучить физико-химическое состояние (структуру, химический состав, адсорбционные, электрофизические, оптические свойства) реальной поверхности компонентов полупроводниковой системы 1п8Ь-2п8еустановить механизм взаимосвязи изученных поверхностных свойств и закономерности их изменений с составом, а также возможности поиска новых материалов.

Задачи, решенные в ходе диссертационной работы:

1. Разработаны методы получения твердых растворов и пленок компонентов системы 1п8Ь-7п8е.

2. Исследованы физико-химические свойства поверхности: структурахимический состав и стехиометриякислотно-основныеадсорбционные (по отношению к оксиду углерода (II)) — электрофизическиеоптические.

3. Выявлена природа активных центров и механизм взаимодействия поверхности с СО, компонентом важнейших технологических реакций органического синтеза и газовых выбросов. 7.

4. Установлены закономерности протекания изученных адсорбционных и электронных процессов и механизм взаимосвязи их между собой и с составом.

5. Намечены подходы к прогнозированию поверхностных свойств, созданы новые материалы на основе изученной системы. 8.

Общие выводы:

1. Синтезированы твердые растворы системы 1п8Ь-2п8е различного габитуса. На основании рентгенографического, оптического и электрофизического анализов сделан вывод об образовании твердых растворов в исследуемой области концентраций. При увеличении в системе содержания компонента 2п8е плавно уменьшаются параметры решеток и межплоскостные расстояния, увеличивается ширина запрещенной зоны, уменьшается удельная электропроводность.

2. Исследованы структурный, химический и стехиометрический составы поверхности.

Порошки и пленки твердых растворов имеют преимущественно структуру сфалерита.

Химический состав исходной, экспонированной на воздухе, поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН", продуктами окисления поверхностных атомов.

Состав их поверхности после соответствующей термической и вакуумной обработки приближается к стехиометрическому.

3. Методами определения рН-изоэлектрического состояния, механохимии, кондуктометрического титрования, термодесорбции проведена оценка кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п8Ь-гп8е, экспонированной на воздухе и атмосфере СО.

Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами (с переходом в слабощелочные для 7п8е). При взаимодействии с СО концентрация кислотных центров уменьшается, поверхность становится более щелочной.

На исходной поверхности присутствуют два типа кислотных центров: льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские.

131 адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН"). После экспонирования в СО на поверхности частично сохраняются только центры Бренстеда.

4. С использованием методов пьезокварцевого взвешивания, электрофизических, термодесорбционных изучено взаимодействие оксида углерода (II) с поверхностью образцов системы InSb-Zn.Se.

Подтверждено предположение об отсутствии влияния габитуса на механизм и характер протекания поверхностных процессов.

В качестве активных центров выступают в основном координационно-ненасыщенные атомы и вакансионные дефекты, функциональные способности которых изменяются под действием координационного окружения в многокомпонентных системах типа твердые растворы.

Оксид углерода (II) взаимодействует с поверхностью бинарных и более сложных компонентов исследуемой системы по донорно-акцепторному механизму с образованием линейных карбонильных комплексов.

Основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов на всех компонентах системы подчиняются в основном классическим законам. Характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности указывает на определенный вклад биографических поверхностных состояний и, соответственно, подтверждает роль вакансионных дефектов как активных центров. Установлен параллелизм в закономерностях адсорбционных и электронных исследований, что раскрывает физическую основу тесной взаимосвязи атомно-молекулярных и электронных процессов.

5. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство и различие в их поведении. Одинаковая природа активных центров, поверхностных соединений, общие закономерности изученных процессов свидетельствуют о сходстве свойств.

На специфические свойства указывает наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав».

6. На основе анализа зависимостей кислотно-основных (рН-изоэлектрического состояния, концентрации кислотных центров), адсорбционных (величины адсорбции), электронных (ширины запрещенной зоны, поверхностной проводимости) свойств от состава подтверждены природа активных центров и механизм исследованных поверхностных процессов, а также намечены пути к созданию новых материаловадсорбентов, катализаторов, активных элементов сенсоров-датчиков газового анализа.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность моему научному руководителю д.х.н., профессору И. А. Кировской за помощь и внимание к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Я.А. Введение в химию полупроводников. — М.: Высшая школа, 1975.-320 с.
  2. H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. Из-во ЛГУ, 1963.-С. 97−141.
  3. О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп, под редакцией Б.И.Болтако, пер. с англ. М.: «Мир», 1967.- 477 с.
  4. Полупроводниковые соединения А3В5 / Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ. М.: «Металлургия», 1967. — 727 с.
  5. В.М., Чижевкая С. Н., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники. -М.: «Наука», 1967. С. 45−82.
  6. К., Ройз-Инс А. Полупроводники типа А3В5 М.: «ИЛ», 1963.-323 с.
  7. H.A. Семейство алмазоподобных полупроводников. Л.: Наука, 1970.- 44с.
  8. Д.М., Счастливый В. П. Селен и селениды. М.: Наука, 1964.- 320 с.
  9. Л.А., Райскин Э. К., Гурьев В. Г. Изменение температуры плавления сульфидов, селенидов и теллуридов цинка и кадмия // Известия АН СССР, Сер. Неорган, матер.- 1967. 3, № 2. — С.390.
  10. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. Радио., 1968. — 267 с.
  11. A.C. Сб. «Химия и физика». Л.: ЛИСИ, 1961.- С. 19.
  12. И.В. Синтез и физико-химическое исследование некоторых свойств теллуридов и селенидов цинка и кадмия: Автореферат дис. канд. хим. наук. М., 1961.- 14 с.
  13. В.А. Селениды. М., 1973. — 189 с.
  14. И.Б. Основные направления исследования полупроводниковых материалов на основе соединений типа А4В4-А2В6 // Известия АН СССР, Сер. Неорган, матер.- 1979. 15, № 7. — С. 1103−1106.
  15. Г. Химические транспортные реакции / Под ред. Н. П. Лужной, пер. с нем. М.: «Мир», 1964. — С.64.
  16. М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Из-во по черной и цветной металлургии. — 1962. — Т. 1−2. — С. 184, 1260.
  17. К.Е., Брыгалина Г. П., Эйхе С. Н. Термическое окисление арсенида галлия // Известия СО АН СССР, Сер. хим. 1967. — 5, № 12.- С. 114.
  18. С.Н. Взаимодействие кислорода с арсенидом галлия: Автореферат дис. канд. хим. наук. Новосибирск, 1971.- 23 с.
  19. С.Н., Миронов К. Е. Фазовый анализ окисленного арсенида галлия // Зав. Лаборатория. 1969. — 35, № 424.134
  20. К.Е., Бердичевский Г. П., Эйхе С. Н. Изменение микротвердости арсенида галлия после термической обработки// Известия СО АН СССР, Сер. Неорган.матер. 1971.-7 ,№ 2.- С.193−196.
  21. И.В., Новоселова A.B. О термическом разложении селенитов и селенатов цинка и кадмия // Журн. Неорган. Химии. 1959.- 4, № 9. — С.2220−2227.
  22. .А., Савицкая Т. С. // Физика тверд. Тела. 1959. — 1, № 9.- С. 1325 .
  23. Физика и химия соединений А2В6 / Под ред. С. А. Медведева, пер. с англ. М.: «Мир», 1970.- С. 233−455.
  24. Aven М., Marple D.T.F., Segall В.// J. Appl. Phys., 1961, 32, p.2261.
  25. Aven M., Segall В.//Phys. Rev., 1963, 130, p.81.
  26. Marple D.T.F. // J. Appl. Phys., 1964, 35, p. l 879.
  27. И.А., Желтоножко A.A. Магнитные и адсорбционные свойства полупроводников изоэлектрического ряда германия// Известия АН СССР, Сер. Неорган.матер.- 1971−7, № 6- С. 921.
  28. Л.Я., Пекерман Ф.М., JI.H. Петошина Ф. М. Люминофоры. -M.-JL: «Химия», 1966.- С. 65.
  29. И.А. Адсорбционные, каталитические и электрофизические свойства полупроводников со структурой цинковой обманки: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1964. -25 с.
  30. И.А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева. -Из-во ТГУ, 1971. Т. 204.- С. 230−235.
  31. Л.Г., Кировская И. А. Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка// Кинетика и катализ. 1964.- 5, № 3.- С. 546.
  32. Л.Г., Кировская И. А. Влияние адсорбированных газов и паров на электропроводность и работу выхода полупроводников типа цинковой обманки// Глубокий механизм каталитических реакций. -М.:"Наука", 1967.- Т.12.- С.134−143.
  33. Л.Г., Кировская И. А. Адсорбция водорода на сплаве GaAs // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева, — Изво ТГУ, 1963.- Т. 157.- С. 94.
  34. Л.Г., Кировская И. А. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках со структурой цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.-1966.- 40, № 3. С.609−613.
  35. Л.Г., Кировская И. А. Адсорбция газов селенидом цинка// Кинетика и катализ.- 1964, — 5, № 6.- С. 1049.
  36. И.А., Сазонова И. С., Майдановская Л. Г. Влияние адсорбции газов и паров на работу выхода полупроводников со структурой цинковой обманки// Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Из-во ТГУ им. В. В. Куйбышева, 1964.- С. 380.135
  37. Л.Г., Кировская И. А. Исследование связи между каталитическими и электрофизическими свойствами германия и его изоэлектронных аналогов// Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1965.- Т. 185.-С. 23.
  38. И.А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.- 1968.- 42, № 11.- С. 2911.
  39. И.А., Майдановкая Л. Г., Князев Э. И., Мурзина Г. Д. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 5.- С. 1260−1268.
  40. И.А., Майдановкая Л. Г., Князева Э. И. Адсорбция окисо углерода на арсениде галлия // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1971.- т. 204.- С. 386.
  41. Л.Г., Кировская И. А. Об адсорбционных, каталитических и электрофизических свойствах арсенида галлия// Арсенид галлия.-Из-во ТГУ, 1968.- С.401−410.
  42. И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InB5// Неорган.материалы.- 1999.- 35, № 5.- С.535−540.
  43. И.А., Лобанова Г. Л., Старовойтенко Л. М. Адсорбция паров воды на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.- 1971.- 45, № 9.- С. 2374.
  44. И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Неорган. Материалы. 1989.- 25, № 9.- С. 1472−1476.
  45. И.А., Майдановская Л. Г., Соловьева Н. В. Адсорбция паров воды на изоэлектронных аналогах германия// Журн. Физ. Химии.-1968.- 42, № 5.- С. 1196.
  46. И.А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 1, — С. 159−164.
  47. И.А., Жукова В. Д. Адсорбция смесей газов С0+02 на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 1.- С. 155.
  48. Г. Л., Кировская И. А., Майдановская Л. Г. Изменение электропроводности арсенида галлия под влиянием адсорбции смесей газов// Арсенид галлия. Из-во ТГУ, 1970.- С. 236.
  49. Г. Л., Кировская И. А., Майдановская Л. Г. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.-1971.- 45, № 8.-С. 2101.
  50. Л.Г., Кировская И. А., Балаганская В. П. Каталитическая активность полупроводников типа цинковой обманки в реакции разложения муравьиной кислоты// Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева.-Из-во ТГУ, 1965.-Т. 185.-С. 124.136
  51. И.А., Филимонова В. М. Каталитическая активность и ЭДС в гальванических элементах C/C2H2/GaAs // Арсенид галлия. Из-во ТГУ, 1970.- С.229−236.
  52. О.В., Фокина Е. А. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.-1961.-35, № 3.- С. 651.
  53. О.В., Рогинский С. З., Фокина Е. А. Катализ на полупроводниках в области собственной проводимости// Физика и физико-химия катализа.- Из-во АН СССР, I960.- Т. 10 .- С. 117 .
  54. I., Jiovanelli Т. // Ztschr.Phys.Chem., 1971,75, № 3−4, с.137−154.
  55. А.Б. Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов. М.: Наука, 1966. — 89 с.
  56. ОсначЛ.А. Автореферат канд. диссертации. Л., 1965.-18 с.
  57. H.A., Котович В. А., Франк-Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка// ДАН СССР.- 1955.-103, № 4.- С.659−662.
  58. Петров ДА.// Журн. Физ. Химии.- 1947.- 21, № 12.-е. 1449.
  59. O.J. // Ztschr. Naturf, 1955, 10а, № 6, с. 502.
  60. H.A., Федорова H.H. К вопросу об изоморфизме соединений с ковалентной связью // ДАН СССР. 1953.- 90, № 6, — С. 10 391 041.
  61. Е., Миллер Дж., Хаймз Р. // Новые полупроводниковые материалы / Под ред. А. Я. Нашельского. М.: Наука, 1964.- С. 127.
  62. Ку С. М. Синтез и некоторые свойства твердых растворов ZnSe-GaAs// Кристаллизация из газовой фазы / Под ред. H.H. Шефтеля. М.: Мир, 1965.- С. 304.
  63. Кот М.В., Симашкевич A.B. Структура и электрические свойства системы ZnSe-HgSe// Труды по физике полупроводников. Из-во КГУ, Кишинев, 1962.- Т. 1.-С.110.1. О Л
  64. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям A B и их применению: Тезисы докладов.- Киев: Наукова думка, 1966.
  65. И.П., Воронцова М. Д. Эпитаксиальный рост пленок ZnTe в квазизамкнутном пространстве // Известия АН СССР, Сер.Неорган. матер. -1974.- 17, № 7.- С. 2210−2213.
  66. J. С., Smith В. А. // Proc. Phys. Soc., 1958, 72, p. 214.
  67. Кот В.М., Мшенский В. А. Структура и электрофизические свойства системы ZnSe-HgSe // Известия АН СССР, Сер. Физика.- 1964.- 28, № 6.-С.1069.
  68. Ю.В., Ормонт Б. Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава// Журн. Неорган. Химии.-I960.- 5, № 8.-С. 1796.137
  69. Ю.В., Ормонт Б. Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны фаз в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава// Журн. Неорган. Химии.- i960.- 5, № 1.-С.239.
  70. Ф., Манке П. // Труды Симпозиума по химической связи в полупроводниках.- Минск: Наука и техника, 1967.- С.
  71. Н.И., Мизецкая И. Б., Олейник Г. С. Смешанные кристаллы CdSexTei.x // АН УССР (Инфор. Листок), Ин-т полупроводников.-Киев: Наук. Думка, 1970.- № 49.
  72. H.A., Федорова H.H. О твердых растворах в системе ZnSe-GaAs// Физика твердого тела.- 1959.- 1, № 2.- С. 344−345.
  73. Войцех1вський О.В., Дроб*зяко В. П. Про тверд1 розчини в систем! InSb-HgTe// Укр. Физ. Журн.- 1967.- 12, № 3.- С. 460−461.
  74. A.B. // Известия АН СССР, Неорган, матер.- 1967.- 3, № 12.- С. 2263.
  75. A.B., ДробязкоВ.П.// УФХ.- 1968.- 13, № 4.- С. 686.
  76. A.B., Дробязко В. П., МитюревВ.К. // Материалы докладов IV научно-технической конференции ЮПИ: Тез.докл. Из-во КПИ, Кишенев, 1968.-С.139.
  77. A.B., Пащун А. Д. // Известия Высших учебных заведений, Физика.- 1971.- № 7.- С. 109.
  78. A.B. Автореферат канд. диссертации.- ГПИ, Киев.-1965.- 18с.
  79. А., Колосов Е., Оснач Л. И др. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа А3В5 и А2В6// Изв. АН СССР, сер. Физ.-1964.- 28, № 6.- С.1110−1116.
  80. .В., Горюнова H.A. // Физика твердого тела.- i960.- 2, № 2.- С. 284.
  81. A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика.- Л.: Лениград. Инж.-строит. ин-т, 1962.- С.12−14.
  82. Войцех1вский A.B. Деяю чотирикомпонентш нашвпров1дников1 фази // УФЖ.- 1964.- 9, № 7.- С.796−797.
  83. Э.Н., Шаравский П. В. Исследование свойств ограниченных твердых растворов// ДАН СССР.- 1964.- 155, № 3.- С. 542.
  84. И.И., Георгице Е. И. О растворимости антимонида алюминия в теллуриде ртути // Учен.зап.Тирасп.пед.ин-та.- 1970.- Вып.21.-4.1.- С. 3−5.
  85. A.B., Пащун А. Д., Митюрев В. К. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа А2В6 // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1970.- 6, № 2.- С. 379−380.138
  86. H.А. // Вопросы теории и исследования полупроводников и процессов в полупроводниковой металлургии.- Из-во АН СССР, 1955.- С. 1329.
  87. Ku S.M., Bodi LJ. Synthesis and some properties of ZnSe: GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968,29, № 12, p. 2077−2082
  88. W. M. Yim и др. // R.C.A. Rev., 1970, 31, № 4, p. 662.
  89. Yim M.F. Solid solutions in pseudobinary (III-V) (II-V) systems and theire optical energy gas // J. Appl. Phys., 1969, 40, № 6, p.2617−2623.
  90. В.П., Бурдиян И. И. Исследование растворимости теллурида ртути в антимониде галлия// Учен. Зап.Тирасп.пед.ин-та. -1970. -Вып.21. Ч.1.-С.31−38.
  91. В.А., Войцеховский А. В., Пащун А. Д. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1980.- 16, № 2.- С. 759−760.
  92. И.И., Королевский Б. П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та.-1966.-Вып I6.-C.127−128.
  93. И.И., Макейчик А. И. Твердые растворы в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та.-1966. -Цып.16.- С.125−126.
  94. Д.П., Бабюк П. Ф. Червенюк Г. И. Исследование твердых растворов в системе InSb-HgTe II Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1978.- 14, № 3.-С. 589−590.
  95. А.В., Дробязко В. П., Митюрев В. К., Василенко В. П. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1968.- 4, № 10.- С. 1681−1684.
  96. А.В., Панченко Л. Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnS).J! Физика твер. тела. Киев.: Киев. Пед. Инт., 1975.- С. 24−26.
  97. А.В., Панченко Л. Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP- ZnS // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1977.- 13, № 1.- С. 160−161.
  98. А.В., Стеценко Г. П. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnSe)j.x методом химических газотранспортных реакций // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела.-Киев: Киев. Пед. Ин-т., 1976.- С. 38−40
  99. В.М., Крестовников А. М., Нагиев В. А., Рзаев Ф. Р. Исследования фазового равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Электрон, техника. Сер. 6: Материалы.- 1972.- Вып. 4.- С. 127−129
  100. В.М., Крестовников А. М., Нагиев В. А., Рзаев Ф. Р. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1973.-9, № 11.-С. 1883−1 889 139
  101. В.М., Нагиев В. А., Глаголева H.H. Раздельная и совместная растворимость Zn, Cd, Те в InAs // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.1975.- 11, № 3.-С. 1181−1183
  102. В.М., Павлова Л. М., Грязева Н. Л. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку: Элм, 1975.- С. 368−371
  103. В.М., Павлова Л. М., Грязева Н. Л. Фазовое равновесие и характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1975.- 11, № 3.- С. 418 423.
  104. В.М., Павлова Л. М., Лебедева Л. В. Термодинамический анализ взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку: Элм., 1975.- С. 372−375.
  105. H.A., Григорьева B.C., Шаравский П. В., Оснач Л. А. Твердые растворы в системе InAs-HgTe // Физика.- Л.:Ленингр. инж.- строит, ин-т., 1962.- С. 6−10.
  106. И.А., Муликова Г. М. О получении и идентификации твердых растворов замещения на основе ZnSe и GaAs // Тр. Том. ун-та им. В. В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1973.- 240, № 8.- С. 155−166.
  107. Г. А. Исследования фазовых диаграмм состояния системы AlSb-CdTe и InAs-HgTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган, материалы.1976.- 12, № 6.- С. 1121−1122.
  108. Т.Е., Белая А. Д., Земсков B.C., Шварц H.H. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1970.- 6, № 10.- С. 1811−1815.
  109. Э.В., Вигдорович В. Н., Пелевин О. В. Фазовое равновесие в системе GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1973.-9, № 4.-С. 587−591.
  110. В.П., Угличина Г. Н., Уфимцев В. Б., Гимельфарб Ф. А. Фазовые равновесия в системе InAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1974.- 10, № 8.- С. 1414−1417.
  111. Sonomura Н., Uragaki Т., Miyauchi Т. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinary systems // Jap. J. Appl. Phys. 1973.- 12, № 7.- p. 968−973 140
  112. В.П., Червяков А. И., Лобанов A.A. Взаимодействие Zn и Se при выращивании твердых растворов (GaP)x (ZnSe)ix методом Чохральского и методом жидкостной эпитаксии // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1977.- 13, № 9.-С. 1560−1564.
  113. И.А., Муликова Г. М. Система GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1975.- 11, № 6.- С. 1131−1132.
  114. В.М., Мильвидский М. Г., Пелевин О. В. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1975.- 11, № 7.- С.1311−1312.
  115. М.И., Риган М. Ю., Ворошилов Ю. В. Система (Cd3As2)i-x-(2CdS)x//Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1974.- 10, № 11.- С. 19 421 945.
  116. В.М., Крестников А. Н., Нагиев В. А., Рзаев Ф. Р. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах // Термодинамические свойства металлических сплавов. -Баку: Элм, 1975.- С. 380−385.
  117. Г. И., Балагурова Е. А., Рязанцев A.A., Хабаров Э. Н. Твердые растворы в системе InAs-CdTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1974.- 19, № 10.-С. 1770−1773.
  118. Г. И., Балагурова Е. А., Рязанцев A.A., Хабаров Э. Н. Т-х-проекция фазовой диаграммы InAs-CdTe // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1975.- 4.2.-С.236−239.
  119. Г. И. Исследование процессов роста и физических свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs-CdTe: Автореф. Дис.. канд. физ.-мат. наук. Иркутск, 1972.- 17с.
  120. A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика. Л.: Ленингр. Инж.-строит. Ин-т, 1962.- С. 12−14.
  121. Л.И., Хабаров Э. Н., Шаравский П. В. Определение границ существования твердых растворов в системе InAs-CdTe // Физика. Л.: Ленингр. Инж.-строит. ин-т, 1964.- С. 12−15.
  122. Е.В., Коржов В. И., Морозов В. Н. и др. Получение материалов твердых растворов А2В6-А3В5, близких к собственным // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1975.- 4.2 .- С.232−236.
  123. H.A., Аверкиева Г. К., Шаравский В. П., Товпенцев Ю. К. Исследование четвертных сплавов на основе сурьмянистого индия и теллуристого кадмия // Физика и химия. Л.: Ленингр. инж, — строит, ин-т, 1961.- Юс.
  124. В.Н., Карнаухова E.H., Скоробогатова Л. А., Рязанцев А, А. Устройство для дифференциально-термического анализа и изучение системы141
  125. Sb-CdTe // Изв. АН СССР, Сиб. отделение, Сер. Хим.наук.- 1974.- Вып. 4, № 9.- С.52−56.
  126. Э.Н., Шаравский В. П. О межатомных силах связи в твердых растворах InSb-CdTe // Физика.- JL: Ленингр. Инж.-строит. ин-т, 1963.31 с.
  127. Э.Н., Шаравский В. П. Определение границы растворимости CdTe в InSb // Изв. Вузов, Сер. Физика.- 1963.- № 6.- С.62−63.
  128. А.А., Карнаухова Е. Н., Кузьмина Г. А. Фазовые диаграммы и растворимость компонентов в системах А3В5 CdTe // Журн. Неорган. Химия.- 1980.- 25, № 3.- С. 802−805.
  129. И.А. Некоторые особенности адсорбционных и каталитических процессов на твердых растворах алмазоподобных полупроводников // Журн. Физ. Химии.- 1978.- LII, № 9.- С. 2266−2269.
  130. А.И., Зелева Г. М., Кировская И. А. Получение и исследование кристаллов твердых растворов системы ZnSe GaAs // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1978.- 14, № 6.- С. 1020−1022.
  131. И.А. Каталитические свойства твердых растворов алмазоподобных полупроводников // Химическая кинетика и катализ.- М., 1979.- С.195−197.
  132. А.В., Кировская И. А., Сараев В. В. Исследование кислотно-основных свойств поверхности твердых растворов система ZnSe GaAs методом ЭПР // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1984.- Отд. оттиск, № 1.- С. 162−164.
  133. А.В., Ветров В. П., Кировская И. А. Исследование кислотно-основных свойств поверхности полупроводников изоэлектронного ряда германия // Материалы региональной научно-практической конференции.- Томск, Томск. Ун-т, 1977.- 77 с.
  134. Л.Д., Дубровин И. В., Комащенко В. Н. и др. Физико-химические исследования поликристаллических пленок твердых растворов ZnxCd|.xSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1990.- 26, № 6.- С. 1177−1180.
  135. Кот М.В., Тырзиу В. Г. О методике получения тонких слоев переменного состава полупроводников типа А2В6 А2В6 // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы, — Кишинев, 1970.- С. 28−30.
  136. Seki H., Koukitu A. Solid composition of alloy semiconductors grown by MOVPE, МВБ, VPE and ALE // J. Cryst. Growth.- 1989.- V. 98, N 1−2.- p. 118 126.
  137. Herman I.P. Laser assisted deposition of thin films from gas-phase and surface — adsorbed molecules // Chem. Rev.- 1989.- V. 89, N 6.- p. 1323−1357.
  138. В.И., Дрозд B.E., Алесковский В. Б. Механизм химической сборки селенида кадмия на поверхности твердых тел // Журн. Физич. Химии.- 1991.- 65, № 2.- С. 501−503.142
  139. Samarth N., Luo H., Furdyna J.K. at al. Molecular beam epitaxy of cubic ZnxCdi. xSe and CdxMni. xSe and related superlattices // Surface Sei.- 1990, — V. 228, N1−3.-p. 226−229.
  140. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6.-Л.: ЛГУ, 1978.-310 с.
  141. Paparoditis С. Evaporation of Compound // Laboratoire de Magnetisme et de Physique du Solide C.N.R.S., Bellevue (Seine-et-Oise), France.- I960.- 36, p.326−336.
  142. Электролюминесцентный полупроводниковый прибор с халькогенидным слоем и слоем полупроводниковых твердых растворов. Патент 5 324 963 США, Kamata Atsushi, K.K. Toshiba // Журн.Электроника.-1996.- IB 120П.
  143. O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис. канд. хим.наук. Омск, 1998.170 с.
  144. И.А., Старцева O.A. Полупроводниковый анализатор: Патент № 5652 от 16.12.97. Б.И.1997, № 12.
  145. Е.М. Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe CdSe: Дис. канд. хим.наук. — Омск, 1999.- 152 с.
  146. И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск, Иркут. Ун-т, 1995.-304 с.
  147. С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1970.- С. 279, 466.
  148. H. // Zs Naturforsch, 1953, 8a, 248 p.
  149. О., Weiss H. // Zs Naturforsch, 1954, 9a, 527 p.
  150. R. //Journ.Phys.Chem. Solids, 1959, 8, 507 p.
  151. И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск. ун-т, 1984.- 113 с.
  152. Д.М., Зевин Л. С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Гос.физ.-мат.лит-ры, 1963.- 380 с.
  153. С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос.физ.-мат.лит-ры, 1961.- 863 с.
  154. С.С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронооптический анализ. М.: Металлургия, 1970.- 107 с.
  155. Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов // Каталитические реакции в жидкой среде.- Алма-ата, АН КазССР, 1963.- С. 212−217.143
  156. И.А. Кинетика химических реакций. Омск, 1994.- С. 7678. '
  157. А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. М.: Химия, 1967.- 192 с.
  158. К. ИК спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений.- М: Мир, 1991. -411с.
  159. Кировская И А., Зелева Г. М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников // Журн. Физич.Химии.- 1978.- 57, № 7.-С. 1744−1747.
  160. A.B. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников: Дис.канд.хим.наук. -Омск, 1981.- 126 с.
  161. .Е. Спектроскопические методы в неорганической химии.-М: Химия, 1973.- 185 с.
  162. ВА., Возмилова JI.H., Мамонтов А. П., Фомин Г. Г. Адсорбция органических растворителей на GaAs // Журн. Физич. Химии.-1971.- 45, № 4.- С. 913.
  163. Кировская И А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск, ИГУ, 1984.- 167 с.
  164. И.А., Нечаев A.C. Адсорбция окиси углерода на бромиде меди различного габитуса//Журн.Физич.Химии.- 1971.- 45, № 7.- С. 1764−1766.
  165. В.Ф. Электрические свойства тонких слоев AlSb, InSb, GaSb, полученных по методу С.А. Векишинского// Труды первой межвузовской конференции по современной технике диэлектриков. JL, 1957.-С.170−177.
  166. Г. М. Адсорбция и некоторые физические свойства системы GaAs-ZnSe: Дис. канд.хим.наук.- Томск, 1973.- С.65−68.
  167. Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: Физматгиз, 1960. — С. 187.
  168. H.A., Хабаров Э. Н. К вопросу об упорядочении компонентов в системе твердых растворов // Физика полупроводников.- 1974.-Вып.11.- С. 2240.
  169. К. Твердые кислоты и основания. М., Мир, 1973.-С.183.
  170. Ш. Майдановская Л. Г., Мурашкина B.C. Влияние примесей наизоэлектрическое состояние окиси цинка // Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева.-Из-воТГУ, 1963.-Т.157.-С. 289−293.
  171. И.А. и др. Кислотно-основные свойства поверхности алмазоподобных соединений А3В5, А2В6 и А1 В7// Деп. В ВИНИТИ, 1984. -№ 367-В84.- 9с.
  172. Okimura H., Koizumi Y., Kaida S. Electrical properties of p-type InSb thin films prepared coevaporation with excess antimony // J. Thin Solid Films.-1996.- 254, № 1−2.- c.169−174.144
  173. И.А. Полупроводниковые детекторы активных частиц в физико-химических исследованиях // Журн.Всесоюз.хим. общества им. Д. И. Менделеева.- 1975.- 20, № 1.- С.19−31.
  174. И.А., Скутин Е. Д., Штабнов В. Г. Датчик влажности газов. -Автор, свидетельство № 1 234 763, Бюл. изобретений и открытий, № 20, 1986.
  175. И.А., Скутин Е. Д., Штабнов В. Г. Датчик влажности газов. -Автор, свидетельство № 1 798 672, Бюл. изобретений и открытий, № 8, 1993.
  176. И.А., Скутин Е. Д., Штабнов В. Г. Полупроводниковый газовый датчик. Информ. листок Омский ЦНТИ, 1989, № 89−35.
  177. В.А., Ширшов Ю. М., Омельчук В. В. Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовый датчик на ее основе // Проблемы физики поверхности полупроводников / Под ред. Снитко О. В. -Киев, Наук, думка, 1981.- С. 102−126.
  178. В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания // Успехи химии.- 1993.- 62, № 3.- С.249−259.
  179. А.Г., Поликова О. Н., Шевченко В .Я., Стеблевский А. В. Электрические т фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb при 300К // Неорган. Материалы.- 1996.- 32, № 4.- С.398−404.
  180. В.А., Вялый Н. Г., Кнорозок J1.M. Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)i.x (CdTe)x // Физика и техника полупроводников.- 1998.- 32, № 3.- С.303−306.
  181. Reddy R.R., Nazeer Ahmmed Y., Rama Gopal K., Abdul Azeem P., Raguram D.V., Rao T.V.R. Optical and magnetical susceptibilities for semiconductor and alkali halides // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1999.- 192.- p.516−522.
  182. Nam S., Yu Y.M., О В., Lee K.S., Choi Y.D., Jung Y.J. Thickness dependence of double crystal rocking curves and photoluminescence in ZnS epilayers grown on GaAs (100) and GaP (100) // Applied Surface Science. 1999.-151.-p.203−212.
  183. Irvine S.J.C., Stafford A., Ahmed M.U. Substrate/layer relationships in II-Vis//J. of Crystal Growth. 1999.- 197.- p.616−625.
  184. Tutuncu H.M., Cakmak M., Srivastava G.P. Structural, electronic and vibrational properties of the InSb (110) surface // Applied Surface Science. 1998.-123/124.-p.146−150.
  185. Arai K., Zhu Z.Q., Sekiguchi Т., Yasuda Т., Lu F., Kuroda N., Segawa I Y., Yao T. Milbluminescence and cathodoluminescence studies of ZnSe quantumstructures embedded in ZnS // J. of Crystal Growth. 1998.- 184/185.- p.254−258.
  186. Goldammer К J., Chung S.J., Liu W.K., Santos M.B., Hicks J.L., Raymond S., Murphy S.Q. High-mobility electron systems in remotely-doped InSb quantum wells // J. of Crystal Growth. 1999.- 201/202.- p.753−756.145
  187. Lokhande C.D., Patil P. S., Tributsch H., Ennaoui A. ZnSe thin films by chemical bath deposition method // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998.55.- p.379−393.
  188. И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды// Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. докл.-Новосибирск, 2000.- С. кч-us.
  189. И.А., Ложникова Т. В., Азарова О. П. Новые возможности оперативной диагностики и контроля содержания оксида углерода// Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. докл.- Новосибирск, 2000.- С. 413−414.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!