Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
Диссертация
Цель работы заключалась в комплексном исследовании состояния поверхности раздела ГП ZnTe — cdSe в зависимости от метода и условий их изготовления, а также в установлении связи между этими технологическими факторами и электрическими и фотоэлектрическими свойствами изучаемых ГП для выяснения возможности их практического использования, в частности, в качестве детекторов электронных потоков… Читать ещё >
Список литературы
- Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. — В кн.: Наука и человечество, М.: Наука, 1976, с. 276 — 289.
- Гашин П.А., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные р-п гетеропере хода pZnTe nCdSe. — Изв. АН СССР, не орган, матер., 1968, т. 4, в. 10, с. 1803.
- Arnold Н., Kaufmaim Т., Mach R. Praparation und electriaheuntersuchungen du Heteroubergangen pZnTe-nCdSe. Phys. Stat. Sol., (a) 1970, v. 1, n 1, p. K5 — KB.
- Gashin P.A., Simashkevich A.V. ZnTe CdSe Heterojuncti-ons. 1. Electrical Properties. — Phya. Stat. Sol. (a), 1973, v. 19, n 1, p. 379 386.
- Ванюков А.В., Ковалев A.H., Кондауров H.M., Супалов В, А.,
- Федотов Я.А. Люминесцентный диод на гетеропереходе pZnTe--nCdSe. ФТП, 1970, т. 4, в. 7, с. 1365 — 1366.
- Gashin Р.А., Sherban D.A., Simashkevich A.V. Radiactive recombination in ZnTe-CdSe hetегоjunctions. Journal of Luminescence, 1977, v. 15, n 1, p. 109 — 113,
- Федотов Я.А., Супалов B.A., Семенюк И. П., Ванюков А. В., Кондауров Н. М. Электролшинесценция гетеропереходов pZnTe -nCdSxSe1--x И pZnTe— nCdSe. ФТП, 1971, т.5, в.3,с.390 -395.
- Gashin Р.А., Simashkevich A.V. ZnTe-CdSe Heterojuntions. II. Protoelectric and Luminescent Properties. Phys.Stat. Sol. (a), 1973, v. 19, n 2, p. 615 — 623.
- Buch P., Fahrenbruch A.L., Bube R. Photovoltaic properties of CdSe- ZnTe heterojuntions, Journ. Appl.Phys.Letters, 1976, v. 28, N 10, p. 593 595.
- Милнз А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /Под ред. В. С. Вавилова (пер. с англ.). М.:Мир, 1975, с. 432.
- Климов Б.Н., Цукерман Н. И. Гетеропереходы в полупроводниках (учебно-методическое пособие). Саратов, изд-во Саратовского ун-та, 1976, 178 с.
- Шарма БД., Пурохит П. К. Полупроводниковые гетеропереходы (пер. с англ.). -М.: Радио, 1979, 232 с.
- Симашкевич А.В. Электрические свойства и электролюминесценция гетероструктур на основе соединений В кн.: Электролюминесцирующие пленки. Тарту, 1972, с. 195 — 256.
- Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединении- Кишинев: Штиинца, 1980, 155 с.
- Клименко А.П., Матвеева А. А., Тхорик Ю. А. Полуггроводнико-вые гетеропереходы. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев: Наукова лумка, 1972, в. 10, с.90−115.
- Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs Heterojunctions. -Sol. State. Electronics, 1962, v.5,N9−10, p. 341 351.
- Perlman S.S., Feucht D.L. p-n Heterojunctions.- Sol.State. Electronics, 1964, v. 7, n 12, p. 911 932.
- Rediker R.H., Stopek S., Ward I H.R. Interface-alloy epitaxial heterojunction. Sol. State Electronics, 1964, v. 7, N 8, p. 621 629.
- Dolega V. Theorie p-n Kontaktes Zwishen Halbleitern mit verschiedenen Kristallgittern. Z. Naturf orsch, 1963″ v. 18a, N 5, p. 653 — 666.
- Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. О влиянии состояний на границе раздела на свойства гетероперехода. ФТП, 1980, т. 14, в. 9, с. 1724 — 1727.
- Shik А. Уа., Shmartsev Yu. V. On the Theory of Non-Ideal Heterojunctions. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 64, p. 723 734.
- Шик А.Я. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах. -ФТП, 1983, т. 17, в. 7, с. 1295 1299.
- Макарова Т.Л., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. Электрические свойства неидеальных гетеропереходов n-GaP /р-Si и п-GaAs/ p-Si. ФТП, 1984, т. 18, в. 9, с. 1588 — 1592.
- Cardona М., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at a Semiconductor-electrolyte interface. Phys. Rev., v. 154, N 3, 1967, p- 696 — 720.
- Dimmock J.O., Wheeler P.G. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. J. of Appl. Phys., 1961, v. 33? N 10, p. 2271 2277.
- Nahory P.E., Pan H.Y. Optical properties of Zinc Telluride. Phys. Rev., 1967, v. 156, N 3, p. 825 — 833.
- Wheeler P.G., Dimmodk J.O. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. Phys. Rev., 1962, v. 125, U 6, p. 1805 — 1815.
- Berlincourt D. et al. Electroelastic Properties of the Sulfides, Selenides and Tellurides of Zinc and Cadmium.-Phys. Rev., 1963, v. 129, N 3, p. 1009 1017.
- Canali С., Nava P., Ottaviani G. Hole and electron drift velocity in CdSe at room temperature. Sol. Stat. Comm. f 1972, v. 11, p. 105 — 107.
- Marple D-T-F- Refractive index of ZnSe, SnTe and CdTe. -J. of Appl. Phys., 1964, v. 35, N 3, p. 539 542.
- Eckelt P. Energy Band Structures of Cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe. Phys. Stat. Sol., 1967, v. 23, N1,p. 307 — 312.
- Чистяков Ю.Д., Кручеану E. К вопросу о кристаллической структуре теллурида цинка. Revue de Physique, 1961, v. 1,1. N 2, p. 211 217.
- Демиденко А.Ф., Мальцев А. К. Теплоемкость теллурида цинкав интервале 56 300 К. Энтропия и энтальпия ZnTe, Cds, CdSe, CdTQ — Изв. АН СССР, сер. Не орган, матер., 1969, т. 5, № I, с. 158 — 160.
- Физика и химия соединений А%У1. (пер. с англ.). (под ред. Медведева С.А.). -М.: Мир, 1970, с. 103 104.
- Bube R.H. Temperature Dependence of the Width of the Bond GaP in Several PhotoconductorsrPhys.Rev., 1955, v.98,p431−433.
- Абрикосов H.X. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. -М.: Наука, 1967, с. 13, 24, 25.
- Берченко Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. -М.: Воениздат, 1982, с. 36.40# Aven М. Mobility of Holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. J. Appl. Phys., 1967, v. 38, H 11, p. 4421 4430.
- Swank R.K. Surface Properties of II YI Compounds. — Phys. Rev., 1967, v. 153, U- 3.
- Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. -M.: ИЛ, 1961, с. 232.
- Aven М. and Segall В. Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. Phys. Rev., 1963, v. 130,1. Ы 1, p. 81 91.
- Suzuki H. Electron affinity of CdSe semiconductor compounds. Jap. J. Appl. Phys., 1966, v. 5, N 12, p.1253−1258.
- Бочкарева Л.В., Гашин П. А., Симашкевич А. В. Исследование механизма токопрохождения в гетеропереходах ZnTe-CdSeи ZnTe-ZnSe . В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с. 95 — 107.
- Ванюков А.В., Киреев П. С., Фигуровский Е. Н., Коровин А. П., Вишнякова 3.1. О свойствах гетеропереходов nCdSe-pZnTe .-ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1552 1554.
- Федотов Я.А., Супалов В. А., Мануйлова Т. П., Ванюков А. В., Кондауров Н.М. Краевое излучение теллурида цинка при возбуждении электролюминесценции в системе
- ФТП, 1971, т.5, в. 5, с. 852 857.
- Федотов Я.А., Супалов В. А., Мануйлова Т. П., Ванюков А. В., Кондауров Н. М. Фотоэлектрические характеристики гетеропереходов p-ZnTe n-CdSe, CdS, Cd S x Se-,^.-ФТП, 1971, т. 5, в. 8, c. 1602 1604.
- Федотов Я.А., Супалов В. А., Мануйлова Т. П., Ванюков А. В., Кондауров Н. М. Отрицательное сопротивление гетеропереходов p-ZnTe- n-CdS, p-Zn-fe-nCdS^Se^ . -ФТП, 1971, т. 5, в. 9, с. 1754 1759.
- Федотов Я.А., Конников С. Г., Супалов В. А., Кондауров Н. М., Ковалев А. Н., Ванюков А. В. Гетеропереходы теллурид цинка -халькогенид кадмия. Изв. АН СССР, сер. неорган, матер., 1975, т. II, № 12, с. 2148 — 2153.- 226
- Гашин П.А., Симашкевич А. В. Эпитаксиальный рост слоев селе-нида кадаия и их электрические свойства. В кн.: Проблемы физики соединений Вильнюс, 1972, т. Г, с. 289
- Simashkevich A.V., Tsiulyanu R.L. Liquid-phase epitaxy of CdSe, ZnTe and ZnZe layers. J. of Crystal Growth, 1976, v. 35, p. 269 — 272.
- Симашкевич A’iB., ЦиулянуР.Л., БочкаревВ.В. Жидкостная эпитаксия селенида кадмия и цинка и теллурида цинка. В кн.: Физические процессы в полупроводниках. Кишинев: Шти-инца, 1977, с. 106 — 113.
- Соболевская Р.Л., СтауджВ.Р. Гетеропереходы pZnTe nCdSe полученные из расплавов солей. — В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях, Кишинев: Штиинца, 1974, с. 17 -23.
- Шемякова Т.Д. Тонкопленочный гетеропереход CdSe- ZnTe .В кн.: Теоретические и экспериментальные исследования сложных п/п-вых соединений. Кишинев: Штиинца, 1978, с. 136−144.
- Цуркан А.Е., Шемякова Т. Д. Переключающаяся фоточувствительная ячейка на основе теллурида цинка. В сб.: Полупроводниковые материалы, Кишинев: Штиинца, 1976, с. 93 — 97.
- Радауцан С.И., Цуркан А. Е., Шемякова Т. Д. Морфология поверхности слоев соединений выращенных из газовой фазы в замкнутая объеме. В сб.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1977, с. 176 — 183.
- Сенокосов Э.А., Усатый А. Н. Моно1фисталлические пленочные гетеропереходы ZnTe CdSe. — ФТП, 1978, т.12,в.5,с.973−977.
- СпивакГ.В., СапаринГ.В., Быков М. В., Седов Н. Н., Комоло-ва Л. Ф. Об определении глубины залегания р-п-перехода с- 227 помощью растрового электронного микроскопа. ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1559 — 1563.
- Gale R.W., Glew R. Y/., Bryant P.J. The electron-voltaic effect in CdS-C^S het его junctions. Sol. St. Electron., 1975, v. 18, N 10, p. 839 — 844.
- Гашин П.А., Симашкевич А. В. Структура и электрические свойства гетеропереходов pZnTe- nCdS& В кн.: Труды по физике полупроводников, Кишинев, изд-во КГУ, 1969, в.2,с. 120−124.
- Гашин П.А., Симашкевич А. В. Фотоэлектрические свойства ГП pZnTe nCdSe. — В кн.: Труды по физике полупроводников. Кишинев: изд-во КГУ, 1969, в. 2, с. 125 — 128.
- Tarricons L., Gombia Е. Measurement of minority carrier diffusion length in heterijunction solar cells. Solar Energy Materials, 1979, v. 2, И, p. 45 — 52.
- Stokes E.D., Chu T.L. Diffusion lengths in solar cells from chart-circuit current measurement. Appl. Phys. Letters, 1977, v. 30, N 8, p. 425 — 426.
- Pay Э.И., Сасов А. Ю., СпивакГ.В. Определение локальных характеристик р-п перехода методом наведенного потенциала в стробоскопическом режиме. Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т. 144, № 10, с. 2138 — 2144.
- Панова В.Г., ФедорусГ.А., ФурсенкоВ.Д. Усиление электронного тока при облучении кристаллов и пленок быстрыми электронами. В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова-думка, 1971, в. 6, с. 76 — 80.
- Палатник Л.С., Папиров И. М. Ориентированная кристаллизация. -М.: Металлургия, 1964, 408 с.
- Кручеану Е. Рентгенографическое исследование плоскости расслоения монокристаллов pZnTe. Revue de Physique, 1961, v. 6, N 2, p. 207 — 209.
- Goldfinger P., Jeunehomme M. Mass spectrometric and Knud-sen-cell vaporisation studies of II YI compounds. -Trans. Faraday Soc., 1963″ v. 59, N 12, p. 2851 — 2868.
- Пашинкин А.С., Саламатин Б. А. К вопросу о диссоциации халькогенидов подгрупп цинка в газовой фазе. Изв. АН СССР, неорг. матери., 1969, т. 5, № 2, с. 256 — 259.
- Боев Э.И., Бендерский Л. А., Минаева И. В., Бунин A.M. Термическая диссоциация халькогенидов подгруппы цинка П. Термическая диссоциация сульфида и селенида кадмия. Ж.физ. хим., 1X9, 43, с. 2234 — 2237.- 229
- Дэшман С. Научные основы вакуумной техники /Под ред. Б.П.Беринга/. М.: М, 1950.
- Пленочная микроэлектроника /Под ред. Л.Холлэнда. М.: Мир, 1968, 366 с.
- Технология тонких пленок (Справочник) /Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга (пер. с англ.). -М.: Сов. радио, 1977, т. I, 662 с.
- Калинкин И.П., Алесковская В. Б., Симашкевич А. Б. Эпитакси-альные пленки соединений Л., изд-во ЛГУ, 1978, ЗПс.
- Муравьева К.К. Относительное пересыщение при вакуумной сублимации. Изв.вуз., Физика, 1978, 7, с. 58 — 65.
- Юнге Г., Гюнтер К. Процессы сорбции и конденсации при наличии многокомпонентной смеси паров. В кн.: Сорбционные процессы в вакууме /Под ред.К. Н. Мызникова (пер. с англ.).-М.: Атомиздат, 1966, с. 125 — 134.
- Харш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов/Под ред. Л. М. Утевского (пер. с англ.). -М.: Мир, 1968, 574 с.
- Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электр он ограммы и их интерпретация /Под ред. Л. Г. Орлова (пер. с англ.). М.: Мир, 1971, 256 с.
- ПикусГЛ., ТальноваГ.Н. Особенности испарения монокристаллов сульфида кадмия в вакууме. ФТТ, 1970, т. 12, № 5, с. 1354 — 1362.
- ПикусГЛ., Тетеря В. П., ТальноваГ.Н., Тычина С. В. Кинети- 230 ка испарения CdSe и Cds в вакууме и ее связь с электронными процессами в кристалле. В кн.: Проблемы физики соединении. Вильнюс, изд-во Вильнюсского ун-та, 1972, т. I, с. 260 — 265.
- Пикус Г. Я., Тетеря В. П. Влияние освещения на кинетику термического разложения и составов кристаллов Cds в вакууме. ФТТ, 1973, т. 15, № 7, с. 2098 — 2103.
- Somorjai G.A., Jepsen D.W. evaporation Mechanism of CdS Single Cristals. I. Sureface Concentration and Temperature Dependence of the Evaporation Rate. J. Chen.Phys., 1964, v. 41, N 5, p. 1389 — 1393.
- Ванюков А.В., Андреев B.M., Мензелинцев Б. И. Изучение скорости испарения сульфида кадмия с помощью термомикроскопа-г В кн.: Халькогениды цинка, кадмия и ртути /Под ред. А. В. Ванюкова, Т. В. Инденбаума. М.: Металлургия, 1973, в. 73, с. 68 71.
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов /Под ред.О.М.Пол-торака. -М.: Мир, 1969, 654 с.
- Устюгов Г. П., Вигдорович Е. П. Термическая устойчивость се-леноводорода и теллуроводорода. Изв. АН СССР, неорган, матер., 1969, т. 5, № I, с. 163 — 165.
- Конников С.Г., Сидоров А. Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и цриборов. М.: Энергия, 1978, 136 с.
- Седов Н.Н., СпивакГ.В., Иванов Р. Д. Электронно-оптическое излучение р-п перехода у германия и кремния. Изв. АН СССР, сер.физич., 1962, т. 26, № II, с. 1332 — 1338.
- СпивакГ.В., СапаринГ.В., Переверзев Н. А. Распределение потенциала в р-п переходе, получаемое при помощи растровойэлектронной оптики. Изв. АН СССР, сер. физич., 1962, т. 26, с. 1339 — 1342.
- Иевлев В.М., Трусов Л. И. Рост пленок: Учебное пособие. -Воронеж: ВШ, 1982, 98 с.
- СпивакГ.В., Дубинина Е. М., ДюковВ.Т., Лукьянов А. Е., Седов Н. М., Петров В. И., Павлеченко О. П., СапаринГ.В., Невзоров А. Н. Стробоскопическая электронная микроскопия.-Изв. АН СССР, сер.физич., 1968, т.32,№ 7, с. 1098 III0,
- Дищлан С.А., Куприянова Т. А., Кулаева Т. В. Проникновение электронов в объект и распределение рентгеновского излучения при электронно-зондовом возбуждении. Йзв. АН СССР, Физика. 1968, т. 32, № 7, с. II3I — 1133.
- Алферов М.И., Андреев В. М., Корольков В. И., Стремин В.И.
- Исследование высоковольтных р-п переходов в GaAs и
- Ai Ga As методом регистрации тока, индуцированного эле-х 1-хктронным зондом. ФТП, 1970, т. 4, в. 7, с. I3II — 1315.
- Селезнева М.А., Филиппов С. С. Решение стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зондо-вого метода исследования полупроводников.-М.- 1975. 51с. /Препринт ИПМ АН СССР: № 38/.
- Свечников С.В., Александров В. Т. Некоторые фотоэлектрические свойства CdSe и CdTe монокристаллов. КТФ, 1957, т.27, в. 5, с. 918 920.
- Bube R.H., Barton Ъ. Some aspects of photoconductivity in- 232 cadmium selenide crystals. J. Chem. Phys., 1958, v. 29, p. 128 — 137.
- Смынтына Б.А. Хемосорбционно-диффузионная и окислительно-восстановительное взаимодействие тонких слоев селенида кадмия с кислородом: Автореф. дис. канд.физ.-мат.наук. -Одесса, 1977. 16 с.
- Heinz D.M., Banks P. Growth and some properties of a large single crystals of cadmium selenide. J.Chem. Phys., 1956, v. 24, N 2, p. 391 — 398.
- Hauffe K., Flint H. Uber die elektriashe plitfahigkeit von cadmium selenid. Ann. J. Phys., 1954, v. 15, N 3−4, p. 141 — 148.
- Tubuota H., Suzuki H., Hirakava K. Conductivity mechanism of CdSe. -J. Phys. Soc. Japan., 1960, v.15, p. 1701−1708.
- Bube R.H. Oxigen sorption phenomena on cadmium selenidecrystals. J.Chem. Phys., 1957, v. 27, N 2, p. 496 — 500. Ю8. АдароБИЧ Э.И., Каратеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю.
- Токи двойной инжекции в полупроводниках /Под ред. Е.И.
- Гальперина. -М.: Сов. радио, 1978. 320 с.
- Woodberry Н.Н., Hall R.B. Diffusion of the Chalcogens in the II YI Compounds. -Phys.Rev., 1967, v.157″ N 3, p. 641 — 655.
- V/ittry D.B., Kyser D.F. Measurement of diffusion lengthsin direct GaP semiconductors by electron-beam excitation* J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 375 — 382.
- Ормонт А.Б. Определение диффузионной длины неосновных носителей тока в полупроводниках с помощью электронного микрозонда. ПТЭ, 1976, № 2, с. 199 — 201.
- Goucher F.S. Measurement of Hole diffusion in n-type germanium. Phys. Rev., 1951, v. 81, N 3, p. 475.
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов Дчебное пособие для вузов специальность «Полупроводниковые приборы». М.: Высшая школа, 1975. — 206 с.
- Петрусевич В.А., Субалиев В. К., Морозов Г. П. Исследование германия фотоэлектрическими методами. ФТТ, 1961, т. 3, с. 1505 — 1514.
- Тягай В.А., Колбасов Г. Д., Лукьянчикова Н. Б. и др. Изучение фоточувствительности и шумов запорных контактов полупроводник-электролит. ФТП, 1972, т. 6, с. 248 — 253.
- Мосс Т., Баррел Т., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлект-роника /Под ред. С. А. Медведева. -М.: Мир, 1976, 431 с.
- Дидаан С.А., Селезнева М. А., Филиппов С. С. Об определении некоторых параметров полупроводниковых материалов и приборов электронно-зондовым методом. Изв. АН СССР, физич., 1977, т. 41, № 5, с. 942 950.
- Plat A., Milnes A.G., Interpretation of scanning electronmicroscope measurement of minory carrier diffusion length in semiconductors. -Int. Js Electron., 1978, v.
- Алферов ж.И., Андреев Б.M., МурыгинВ.И., СтреминВ.И., Исследование ГП и р-п переходов в системе aias GaAs с помощью электронного микроскопа-микроанализатора. -ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1470 — 14−77.
- Oakes J.J., Greenfield I.G., Partain L.D. Diffusion length determination in thin-film CuxS/CdS solar cell by scanning electron microscopy. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, N 6, p. 2548.
- Кот Б.М., Панасюк JI.M., Симашкевич А. В., Шербан Д. А. Продольные фотопроводимости и фотоэдс в кристаллах и тонких слоях некоторых соединений В кн.: Труды по физике полупроводников. Кишинев, изд-во КГУ, 1969, в.2,с.64−71.- 235
- Wittry D.B., Kyser D.P. Catodoluminescence of p-n junctions in GaAs. J. Appl. Phys., 1965, v. 36, N 4, p. 1387 1389.
- Селезнева М.А., Филиппов С. С. Формирование сигнала наведенного тока при исследовании в РЭМ материалов с высоким квантовым выходом и реабсорбции рекомбинационного излучения. -Изв. АН СССР, сер. физика, 1977, т. 41, № 5, с. 951 954.
- Holt D.B., Chase B.D. Scanning electron microscope studies of electroluminescent diodes of GaAs and GaP. Phys. St. Sol. (a), 1973, v. 20, N 1, p. 135 — 144.