Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников

Диссертация: Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

И др.). Несмотря на несомненный прогресс, достигнутый в последние годы в понимании безызлучательных процессов в примесных полупроводниках (Д.И.Роббинс и П. Т. Ландсберг, 1980 — А. М. Стоунхэм, 1981 и др.), некоторые проблемы остались нерешенными, в том числе особенности безызлучательной рекомбинации на двухэлектронные примесные центры, развитие микроскопических расчетов модели Лэнга-Логана… Читать ещё >

Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. МНОГОФОНОННАЯ ОЖЕ-РЕКОМБИНАЦИЯ В ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 1. Оже-рекомбинация в примесных полупроводниках
    • 2. Многофононная Оже-рекомбинация с участием носителей, связанных на различных центрах.2*
    • 3. Лазерно-индуцированная Оже-рекомбинация в примесных полупроводниках
    • 4. Эффект встряски при Оже-рекомбинации носителей на двух-электронных примесных центрах в полупроводниках
  • ГЛАВА II. ТЕОРИЯ АКТИВАЦИОННОЙ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СЕЧЕНИЙ МНОГОФОНОННОГО БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОГО ЗАХВАТА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ДВУХЭЛЕКТ-РОННЫМИ ПРИМЕСНЫМИ ЦЕНТРАМИ
    • 1. Остаточная проводимость и эффекты оптической памяти в однородных примесных полупроводниках
    • 2. Расчет сечения безызлучательного многофононного захвата носителя тока двухэлектронным примесным центром в модели Лэнга-Логана
    • 3. Исследование выражения для сечения захвата носителя тока двухэлектронным примесным центром при низких температурах
  • ГЛАВА III. ТЕОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ПРОЦЕССОВ В БИЭЛЕКТРОННО-ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСАХ. SO
    • 1. Обратная водородоподобная серия в кристаллах В С
  • — 3 и En Pg, Концепция биэлектрона
    • 2. Энергетический спектр биэлектронно-примесных комплексов
    • 3. Оптические свойства биэлектронно-примесных комплексов
    • 4. Безызлучательные переходы в биэлектронных и биэлектрон-но-примесных системах

Актуальность темы

Исследование эффектов оптической памяти в полупроводниках и их использование в прикладной полупроводниковой электронике во многом связано с такой фундаментальной характеристикой как время жизни носителей тока. Выяснению механизмов, определяющих время жизни носителей, посвящено большое количество теоретических и экспериментальных работ, выполненных в различных научных центрах нашей страны и за рубежом • Существует хорошо разработанная модель оптической памяти на неоднородных полупроводниках и связанная с ней проблема остаточной фотопроводимости в таких системах. С другой стороны, для целей микроэлектроники особый интерес представляет оптическая память на однородных полупроводниках (очевидно, что возможности для увеличения плотности записи в однородном материале существенно выше, чем в неоднородном). После появления в 1977 г. известной работы Лэнга и Логана, обративших внимание на эффекты оптической памяти в однородных полупроводниках, возник интерес как к расчету предложенной модели, так и к объяснению в рамках этой модели многочисленных экспериментов по оптической памяти и остаточной фотопроводимости. В настоящей работе показано, что модель Лэнга-Логана может реализоваться в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников. Это обстоятельство и определяет актуальность рассмотрения безызлу-чательных процессов в двухэлектронных центрах.

Эффективными механизмами безызлучательной рекомбинации в двухэлектронных примесных центрах и комплексах являются много-фононные процессы и Оже-процессы с участием локализованных носителей (В.А.Коварский, 1974 — Э. С. Парилис, 1968 — М. К. Шейнкман,.

1976 и др.). Несмотря на несомненный прогресс, достигнутый в последние годы в понимании безызлучательных процессов в примесных полупроводниках (Д.И.Роббинс и П. Т. Ландсберг, 1980 — А. М. Стоунхэм, 1981 и др.), некоторые проблемы остались нерешенными, в том числе особенности безызлучательной рекомбинации на двухэлектронные примесные центры, развитие микроскопических расчетов модели Лэнга-Логана, вопросы многофононной Оже-реком-бинации с участием носителей, локализованных на двухэлектронных примесных центрах и комплексах, изучение влияния лазерного излучения на процессы рекомбинации в полупроводниках и т. д. Особый интерес представляет рассмотрение в полупроводниках эффектов встряски (А.М.Дыхне и Г. Л. Юдин, 1978; В. И. Матвеев и Э. С. Парилис, 1982), сопровождающих процесс излучательной Оже-рекомбинации носителей на двухэлектронных примесных центрах. Необходимость теоретического рассмотрения этих и других задач была вызвана экспериментальными исследованиями рекомбинационных и оптических свойств различных полупроводников.

В связи с наблюдением обратной водородоподобной серии в спектрах поглощения некоторых кристаллов возникла необходимость теоретического исследования возможности образования нового класса двухэлектронных систем — биэлектронно-примесных комплексов, их энергетического спектра, оптических свойств и стабильности относительно различных механизмов распада.

Естественно, развитие работ в указанных областях стимулировано как необходимостью теоретического изучения новых физических явлений в полупроводниках и получения информации о рекомбинационных и оптических характеристиках таких полупроводников, так и использованием результатов для целей полупроводниковой электроники применительно к конкретным материалам с за.

— б данными физическими параметрами. Сказанное выше говорит об актуальности выбранного класса задач.

Цель работы. Теоретическая разработка многофононного механизма Оже-процессов в полупроводниках с двухэлектронными примесными центрами и комплексами, построение теории низкотемпературной активационной зависимости сечений многофононного безыз-лучательного захвата носителей тока двухэлектронными примесными центрами однородных полупроводников с остаточной проводимостью, а также теоретическое исследование оптических свойств, механизма образования и устойчивости биэлектронно-примесных комплексов в полупроводниках.

Диссертация состоит из введения, трех глав, приложений, заключения и списка литературы.

Основные результаты и выводы работы следующие:

1. Показано, что в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников возможно «внешнее» квазипересечение адиабатических потенциалов (наклоны термов разных знаков), обеспечивающие эффекты оптической памяти и долговременную релаксацию фототока в случае, когда эти явления контролируются данным типом примеси.

2. Исследован процесс многофононной Оже-рекомбинации с участием носителей, связанных на различных центрах. Показано, что в случае сильной электрон-фононной связи сечение многофонр о онной Оже-рекомбинации в 10 — 10 раз больше сечения бесфононного Оже-процесса. Предсказана активационная зависимость многофононной Оже-рекомбинации при высоких температурах. Проанализирована возможность экспериментального обнаружения многофононной Оже-рекомбинации по кривым релаксации фототока.

3. Изучено влияние сильного электромагнитного поля на процесс Оже-рекомбинации. Показано, что включение лазерного излучения может приводить к появлению лазерно-индуцированного механизма Оже-рекомбинации, поперечное сечение которого сравнимо с величиной сечения «разрешенного» Оже-процесса. В случае «разрешенных» Оже-процессов включение лазерного освещения приводит к подавлению процесса Оже-рекомбинации.

4. Рассмотрен эффект встряски при излучательной Оже-рекомбинации носителей &bdquo-на двухэлектронных примесных центрах в полупроводниках. Проанализирована возможность наблюдения этого эффекта в случаях слабой и сильной электрон-фононной связи. Показано, что учет эффекта встряски позволяет объяснить пра.

— 123 вила отбора и величину «двухэлектронной» люминесценции в кремнии.

5. С использованием техники когерентных состояний получено общее выражение для сечения захвата носителей тока двухэлектронными примесными центрами полупроводников в модели Лэнга-Логана с «внешним» квазипересечением адиабатических потенциалов, справедливое при всех температурах.

6. Построена теория и сформулирован критерий низкотемпературной активационной зависимости сечений многофононного безызлучательного захвата носителей тока двухэлектронными примесными центрами однородных примесных полупроводников с остаточной проводимостью.

7. Объяснены эксперименты по активационной зависимости долговременной релаксации фототока и эффекта оптической памяти в однородных примесных полупроводниках J^ ба., J daM-xfy и ДР".

8. На основе адиабатического приближения рассчитан энергетический спектр биэлектронно-примесного комплекса. Показано, что энергетический спектр БПК состоит из уровней обратной водородоподобной серии, к каждому из которых с низкочастотной стороны примыкает спектр водородоподобного типа.

9. Рассчитан коэффициент поглощения света биэлектроннопримесным комплексом в полупроводниках и исследована его зависимость от главного квантового числа /г обратной водородопо-добной серии. Изучены различные механизмы образования биэлек-тронно-примесного комплекса. Показано, что коэффициент поглощения света максимален при образовании БПК из двухэлектронного примесного центра и является немонотонной функцией квантового числа KL .

10. Рассчитано время жизни tr биэлектронно-примесного ковдплекса по отношению к радиационное спонтанному распаду и показано, что ^ 10″ «® с. Исследованы фононные механизмы распада свободного биэлектрона. Показано, что распад свободного биэлектрона с участием фононов происходит со скоростью порядка Ю10 с» 1, превосходящей скорость радиационного спонтайного распада. Рассмотрены процессы многофононного безызлучательного распада биэлектронно-примесного комплекса и показано, что биэлектронно-примесный комплекс стабилен относительно многофононного распада.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.А. Многоквантовые переходы. — Кишинев, Штиинца, 1974, 228 с.
  2. Henry С.И., Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAS and GaP. Phys.Rev., 1977, 15 B, N2, p.989−1016.
  3. Mott N.F. Recombination: a survey. Solid-St.Electronics, 1978, 21, N11/12, p. I275-I280.
  4. Toyzawa Y. Multiphonon recombination processes. Solid-St. Electronics, 1978, 21, ЫЦ/12, p. I3I3-I3I8.
  5. Stoneham A.M. Non-radiative transitions in semiconductors. -Rep.Pr ogr.Phys., 1981, ?4, N12, p. I25I-I294.
  6. Bonch-Bruevich V.L., Landsberg E.G. Recombination mechanisms. -Phys.Stat.Sol., 1968, 29, N1, p.9−13.
  7. Э.С. Эффект Оже. Ташкент, Фан, 1968, 210 с.
  8. Landsberg Р.Т. Non-radiative transitions in semiconductors.-Phys.Stat.Sol., 1970, ?1, N2, p.457−489.
  9. Landsberg P.Т., Robbins D.J. The first 70 semiconductors Auger processes. Solid-St.Electronics, 1978, 21, N11/12, p. 1289−1294.
  10. Beattie A.R., Landsberg P.T. Auger effect in semiconductors.-Proc.Roy.Soc., 1958, A249, N1256, p.16−29.
  11. Beattie A.R., Landsberg P.T. One-dimensional overlap function and their application to Auger recombination in semiconduc -tors. Proc.Roy.Soc., I960, A258, N1295, p.486−495.
  12. Antonchik E., Landsberg P.T. Overlap integrals for bloch electrons. Proc.Phys.Soc., 1963, 82, N527, p.337−342.
  13. Takeshima M. Auger recombination in InAs, GaSb, InP and GaAs.
  14. J.Appl.Phys., 1972, 42, N10, p.4II4−4II9.
  15. Sugimura A. Band-to band Auger effect in GaSb and InAs lasers. J.Appl.Phys., 1980, 51, N8, p.4405−4420.
  16. Lochmann W. Phonon-assisted Auger recombination in semiconductors. Phys.Stat.Sol.(a), 1977, 40, HI, p.285−292.
  17. Lochmann W. Scattering mechanisms in phonon-assisted Auger recombination. Phys.Stat.Sol.(a), 1977, 42, HI, p. I8I-I85.
  18. Haug A. Auger recombination in direct semiconductors: band-structure effects. J.Phys.С: Solid St.Phys., 1983, 16, N21, p.4159−4172.
  19. .JI. Трехзонная модель Кейна и Оже-рекомбинация . ЖЭТШ, 1978, 75, в.2(8), с.536−544.
  20. .Л. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках. ФТП, 1980, 14, в.10, с.1913−1917.
  21. Dutta U.K., Nelson R.J. The case for Auger recombination in In j^Ga^-ASyP jy. J • Appl. Phys., 1982, ?2, N1, p.74−92.
  22. Bess L. Possible mechanism for radiationless recombination in semiconductors. Phys.Rev., 1957, 105″ N5, p. I469-I475.
  23. Bess L. Radiationless recombination in phosphors. Phys. Rev., 1958, m, N1, p.129−132.
  24. Nagae M. On the recombination process by Auger effect «-Progr. Theor.Phys., 1958, 19, N3, p.339−340.
  25. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю. В. К теории ударной рекомбинации в полупроводниках. ФТТ, I960, 2, в. З, с.465−473.
  26. Landsberg Р.Т., Rhys-Roberts С., Lai P. Auger recombination and impact ionization involving traps in semiconductors.-Proc.Phys.Soc., 1964, 84″542, p.915−931.
  27. Cohen M.E., Landsberg P.T. Effect of Compensation on breakdown fields in homogeneous semiconductors. Phys.Rev., 1967, 151, p.683−689.
  28. В.Д., Гринберг А. А. Сечение Оже-перехода электрона с возбужденного кулоновского уровня глубокого примесного центра в его основное состояние. ФТП, 1978, 12, в. З, с. 595−597.
  29. Robbins D.J., Landsberg P.T. Impact ionization and Auger recombination involving traps in semiconductors. J.Phys.С s Solid St.Phys., 1980, ?3, N12, p.2425−2439.
  30. Robbins D.J. Auger recombination at the В centre in gallium arsenide.-J.Phys.С:Solid St.Phys., 1980, 1Д, N36, LI073-LI078
  31. Landsberg P.Т., Adams M.J. Radiative and Auger processes in semiconductors. J.Lumin., 1973″ 2> N1, p.3−34.
  32. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М., Наука, 1974, 752 с.
  33. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors.-Sol.St.Comm., 1965, N9, p.299−302.
  34. B.H., Ясеиевич И. Н. Сечение рекомбинации электрона на положительно заряженном центре в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1976, 71, в.2, с.657−664.
  35. М.К. Про новий можливий механ1зм рекмб1нац11 в на-п1впров1дниках. УФЖ, 1962, 7, в. II, с.1364−1365.
  36. М.К. О возможном механизме рекомбинации на многозарядных центрах в полупроводниках. ФТТ, 1963, 5, № 10, с.2780−2785.
  37. М.К. О возможности Оже-рекомбинации на многозарядных центрах в йе и Si . ФТТ, 1965, 7, № 1, с.28−32.
  38. Е.И., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Оже-рекомбинацияс участием носителей, связанных на различных центрах. ФТТ, 1965, 7, № 6, с.1790−1794.
  39. Е.Й., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Оже-механизм электронной эмиссии из полупроводников и диэлектриков.-Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, 30, № 12, с.1901−1905.
  40. Sinha К.P., Di Domenico M.Jr. Effect of plasma screening and Auger recombination on the luminescent efficiency in GaP. -Phys.Rev.B, 1970, I, N6, p.2623−2631.
  41. Jones G., Beattie A.R. An electron collision process involving a two-level centre in semiconductors. Phys.Stat.Sol. (a), 1971″ 4, N1, p.193−203.
  42. Neumark G.P. Auger theory at defects application to states with two bound particle in GaP. — Phys.Rev.B, 1973, 2″ N8, p.3802−3810.
  43. Jaros M. A case for large Auger recombination cross section associated with deep centers in semiconductors. Solid-St. Comm., 1978, 2?, N12, p. I07I-I074.
  44. Riddoch P.A., Jaros Ы. Auger recombination cross section assosiated with deep traps in semiconductors. J.Phys. C: Solid St.Phys., 1980, Ц, N33, p.6I8I-6I88.
  45. Jaros M., Riddoch P.A., Lu Da Lian. Auger lifetimes for ex-citons bound to deep impurities in semiconductors. J.Phys. С: Solid St.Phys., 1983, 16, N21, L733-L739.
  46. Е.И., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Безызлучательная Оже-рекомбинация электронов на донорно-акцепторных парах. -ФТП, 1974, 8, в. З, с.509−513.
  47. Dishman J.M. Radiative and nonradiative recombination at neutral oxygen in p-type GaP. Phys.Rev., 1971, М» K8″ p.2588−2598.
  48. A.M. Теория дефектов в твердых телах.Т.I. М., Мир, 1978, 571 с.
  49. М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках AjjByj. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, 37, № 2, с.400−404.
  50. Т.А., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Безызлучательная Оже-рекомбинация электронов на трех центрах. УФЖ, 1979, 24, № 6, с.809−815.
  51. Rebsch J.-Т. A combination of Auger and many-phonon processes in nonradiative recombination. Solid-St.Comm., 1979, 21, N5, p.377−381.
  52. А.Б. Качественные методы в квантовой теории. М., Наука, 1975, 336 с.
  53. A.M., Юдин Г. Л. Вынужденные эффекты при"встряске"эле-ктрона во внешнем электромагнитном поле. УФН, 1977, 121, в.1, с.157−168.
  54. A.M., Юдин Г. Л. «Встряхивание» квантовой системы и характер стимулированных им переходов. УФН, 1978, 125, в. З, с.377−407.
  55. В.И., Парилис Э. С. Встряска при электронных переходах в атомах. УФН, 1982, 138, в.4, с.573−602.
  56. Э.П. Кинетические эффекты в электрон-фононных системах в поле лазерного излучения. Кишинев, Штиинца, 1976, 171 с.
  57. С.И. Исследования по электронной теории кристаллов. -М., ГИТТЛ, 1951, 256 с.
  58. И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М., Наука, 1971, 1108 с.
  59. К.Д. Примеси в германии, кремнии и арсениде галлия.-В сб.:"Полупроводниковая техника и микроэлектроника", Киев, Наукова думка, 1971, вып.5, с.100−108.- т
  60. Дж., Сударшан Э. Основы оптики. М., Мир, 1970, 380 с.
  61. Pappalardo R., Dietz R.E. Absorption spectra of transition ions in СdS.-Phys.Rev., 1961, 122, N4, p. II88-I203.
  62. Э.М., Фистуль В. И. Примеси переходных метал -лов в полупроводниках. М., Металлургия, 1983, 192 с.
  63. Ю.Е. Современные методы теории многофононных процессов. УФН, 1963, 50, в.4, с.553−595.
  64. Glodeany A. Helium-like impurities in semiconductors.-Phys. Stat.Sol., 1967, 19, N1, K43-K46.64″ Lampert M.A. Mobile and immobile effective-mass-particle complexes in nonmetallic solids. Phys.Rev.Lett., 1958, I, N12, p.450−453.
  65. Dean P.J., Haynes J.R., Flood W.P. New radiative recombination processes involving neutral donors and acceptors in silicon and germanium. Phys.Rev., 161, N3, p.711−729.
  66. Г., Солпитер Э. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами. М., ГИФМ, I960, 564 с.
  67. Nelson R.J. Long-time photoconductivity effect in n-type GaAlAs. Appl.Phys.Lett., 1977, 21″5, p.351−353.
  68. Henning I.D., Thomas H. Electron trap behaviour in Te-doped GaAs0 6P0>4. Solid-St.Electronics, 1982, 2?, N4, p.325−333.
  69. O.A., Бочкарев В. В., Коварский В. А. Эффект замедления темпа рекомбинации фотовозбужденных носителей тока с ростом интенсивности предшествовашего освещения. Письма в ЖГФ, 1979, 5, в.17, с.1063−1066.
  70. А.Я., Голубев Л. В., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. Релаксация проводимости в антимониде галлия -типа, легированного серой. ФТП, 1970, 4, № 12, с.2347−2352.
  71. Вул Б.М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Раги-мова Т. Ш. Особенности явлений переноса в PbQ Y8Sn0 22Те с большим содержанием индия. Письма в ЖЭТФ, 1979, 29, в.1, с.21−25.
  72. .А., Брандт Н. Б., Богословский С. А., Рябова Л. И., Чудинов С. М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах РЪТ Sn Те (In). Письма в ЖЭТФ, 1979, 29, в Л, с .11−14
  73. B.C., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Рагимова Т. Ш. Шотов А.П. Эффект Холла и фотопроводимость в PbT Sn Те с индием. Письма в ЖЭТФ, 1980, 32, в.1, с.22−26.
  74. Вул Б.М., Воронова И. Д., Гришечкина А. И., Рагимова Т. Ш. Накопление и время релаксации электронов при фотоэффекте в Pb0f78Sn0j22Te. Письма в ЖЭТФ, 1981, 33, в.6, с.346−350.
  75. С.Н., Черник И. А. Долговременная релаксация электрической проводимости в теллуриде свинца с примесью индия. -ФТП, 1980, 14, в.6, с.1232−1235.
  76. Х.А., Лебедев А. И. Спектры и кинетика примесной фотопроводимости легированных индием твердых растворов ib^Ge^Te. Письма в ЖЭТФ, 1984, 39, в.6, с.272−274.
  77. Lang D.V., Logan R.A. Large-lattice-relaxation model for persistent photoconductivity in compound semiconductors.-Phys. Rev.Lett., 1977, 29, N10, p.635−639.
  78. Ю.М., Кикоин К. А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений Pbi-xSnxTe с пРимесью 1п • ~ Письма в ЖЭТФ, 1980, 31, в.6, с.367−371.
  79. Э.И. Сосуществование свободных и автолокализованных экситонов в кристаллах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, 40,9, с.1793−1799.
  80. .А., Осипов В. В., Панкратов О. А. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 1980, 14, в.7, с. 1387 -1389.
  81. .А., Панкратов О. А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А4Вб. Докл. АН СССР, 1980, 255, № 1, с.93−97.
  82. А.А., Кайданов В. И., Мельник Р. Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП, 1971, 5, № 1, с.91−95.
  83. Л.Е., Фойгель М. Г. О температурном гашении люминесценции в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТП, 1979, 13, в. II, с.2246−2248.
  84. И.И., Матвеенко А. В., Мацонашвили Б. Н., Трофимов В. Т. Отрицательная фотопроводимость в РЪТ SnTe:ln. Письма в ЖЭТФ, 1983, 37, в.10, с.456−459.
  85. .А., Брандт Н. Б., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Фотопроводимость сплавов Pbj sn^Te, легированных Ai, Ga, in, cd.-Письма в ЖЭТФ, 1980, 6, в.20, с.1269−1273.
  86. К.К. О критерии возникновения люминесценции. Труды Института физики и астрономии (г.Тарту), 1958, № 7, с.62−84.
  87. Englman R. Non-radiative decay of ions and molecules in solids. Amsterdam, New-York, North-Holland Publishing Company, 1979, 336 p.
  88. У. Излучение и шумы в квантовой электронике. М., Наука, 1972, 400с.
  89. Дж., Сударшан Э. Основы квантовой оптики. М., Мир, 1970, 428 с.
  90. Yuen H.P. Two-photon coherent states of the radiation field. Phys.Rev.A, 1976, N6, p.2226−2243.
  91. И.А., Манько В. И. Динамические симметрии и когерентные состояния квантовых систем. М., Наука, 1979, 320 с.
  92. С.И., Уманский Н. М., Вахрах В. Л., Степухович А. Д. Влияние формы возбужденного электронного состояния на распределение интенсивностей обертонов в спектре резонансного комбинационного рассеяния. Опт. и спектр., 1980, 48, в.1, с.49−57.
  93. Г., Корн Т. Справочник по математике. М., Наука, 1968, 720 с.
  94. В.А. Тепловые переходы электронов под действием акустических колебаний кристаллической решетки. Уч. зап. Кишиневского Госуниверситета, 1955, т.17,Сфиз-мат.), с.185−195.
  95. В.А. Многофононный захват в полупроводниках. Ми-нисечения захвата носителей тока и эффекты оптической памяти. В кн.: Девятое Совещание по теории полупроводников (г.Тбилиси, 24−28 октября 1978 г.). Тезисы докладов. Тбилиси, 1978, с.218−220.
  96. Lang D.V., Logan R.A. Trapping characteristics and a donor-complex (DX) model for the persistent-photoconductivity trapping center in Te-doped A1 GaT As. Phys.Rev.B, 1979,1. Jw JL—л19, Ж2, p.1015−1030.
  97. Merz J.L., van der Ziel J.P., Logan R.A. Saturable optical absorption of the deep Te-complex in A1qGBq gAs. Phys. Rev. B, 1979, 20, N2, p.654−663.
  98. Narayanamurti V., Logan R.A., Chin M.A. Symmetry of donor-related centers responsible for persistent photoconductivityin A1 GaT As. Phys.Rev.Lett., 1979, Ц, N20, p. I536-I539.
  99. Е.Ф., Перель В. И., Шехмаметьев Р. И. Обратная водородо-подобная серия при оптическом возбуждении легких заряженных частиц в кристалле йодистого висмута (BiJ^). Письма в ЖЭТФ, 1971, 13, в. б, с.320−325.
  100. Е.Ф., Уральцев И. Н., Шехмаметьев Р. И. Магнито-оптичес-кие свойства биэлектрона в кристалле BiJ^ . Письма в ЖЭТФ, 1971, 13, в.9, с.503−506.
  101. Е.Ф., Федоров Д. Л., Шехмаметьев Р. И. Влияние одноосной деформации на спектр поглощения кристаллов йодистого висму -та. ФТТ, 1972, 14, в. II, с.3252−3255.
  102. Е.Ф., Старостин Н. В., Шехмаметьев Р. И. Излучение би -электрона и бихола в кристалле йодистого висцута. ФТТ, 1971, 13, в. II, с.3393−3397.
  103. Рашба Э.И., Эдельштейн В.М.Магнито-кулоновские уровни вблизи седлвых точек.-Письма в ЖЭТФ, 1969, 9, в.8, с.475−480.
  104. Р.И., Старостин Н. В. Излучение биэлектрона (бихола) в кристалле BiJ^ при нихких температурах. Письма в ЖЭТФ, 1972, 16, в.9, с.529−531.
  105. Е.Ф., Старостин Н. В., Шепилов М. П., Шехмаметьев Р. И. Спектроскопическое исследование уровней энергии биэлектрона или бихола в кристалле йодистого висмута. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, 37, в.4, с.885−890.
  106. Н.О., Шехмаметьев Р. И., Гургенбеков М. Ю. Непрямые переходы и оптический спектр кристаллов BiJ^ при низких температурах. Опт. и спектр., 1975, 38, в.5, с.947−951.
  107. В.Ф., Васильев Н. Н., Гладких В. П., Шехмаметьев Р.И.
  108. Экранирование обратной водородоподобной серии в BiJ^ придвухфотонной генерации носителей. Письма в ЖЭТФ, 1984, 39, в.6, с.252−255.
  109. Н.В., Шепилов М. П. Биэлектронное поглощение света в полупроводниках. УФЖ, 1980, 25, № 10, C. I707-I7II .
  110. М.П. Спонтанный распад биэлектрона. Опт. и спектр., 1982, 52, в.4, с.750−753.
  111. А.Г., Алексеев А. Б., Старостин Н. В., Шепилов М. П. Биэлектрон во внешнем магнитном поле. ФТП, 1981, 15, № 10, с.1903−1909.
  112. В.А., Голуб А. А. Фотоиццуцированная сверхпроводимость в кристаллах с парой зеркально-симметричных зон. -ФТТ, 1974, № 2, с.617−619.
  113. H.H., Стамов И. Г., Радауцан С. И. Тонкая структура уровней поглощения в кристаллах znP2 • Изв.АН МССР, (сер.физ-техн. и мат. наук), 1981, № 3, с.85−86.
  114. Н.Н., Стамов И. Г., Радауцан С. И. Свободные экситон-ные состояния и обратная серия линий поглощения в фосфиде цинка. Изв. АН МССР (сер.физ-техн. и мат. наук), 1982,1. I, с.27−34.
  115. Н.Н., Стамов И. Г., Радауцан С. И. Тонкая структура линий поглощения в кристаллах znP2, моноклинной моди -фикации. Докл. АН СССР, 1982, 262, № 5, с.1138−1142.
  116. А.В., Стамов И. Г., Сырбу Н. Н., Уманец А. Г. Обратная водородоподобная серия в оптических спектрах кристаллов znP2 . Письма в ЖЭТФ, 1982, 35, № 2, с.51−53.
  117. А.Г., Шепилов М. П., Старостин Н. В. К теории биэлектронно-примесных комплексов в полупроводниках. ФТТ, 1983, 25, в.5, с.1344−1347.
  118. Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. Phys.Rev., 1955, Ц, N4, p.869−883.
  119. P. Теория экситонов. М., Мир, 1966, с. 219.
  120. Elliot R.J. Intensity of optical absorption by excitons. Phys.Rev., 1957, 108″ к6″ P. I384-I389.
  121. H.H. Оптоэлектронные свойства соединений группы А^. Кишинев, Штиинца, 1983, с. 156.
  122. Леванюк, А «П., Осипов В .В. Краевая люминесценция прямо -зонных полупроводников. УФН, 1981, 133, в. З, с.427−477.
  123. В.А. К теории взаимодействия экситонов с фо -нонным полем. ЖЭТФ, 1956, 30, в.5, с.959−961.
  124. Бонч-Бруевич В.Л. О некоторых свойствах полупроводников с узкими запрещенными зонами. ФТТ, 1968, 5, в.9, с.2714−2717.
  125. Dean P.J., Henry С.Н. Electron-capture („internal“) luminescence from oxygen donor in gallium phosphide. Phys. Rev., 1968, П£» H3, p.928−937.
  126. Wilcox R.M. Exponential operators and parameter differentiation in quantum physics. J.Math.Phys., 1967, 8, N4, p.962−982.
  127. М.П., Гудыменко Л. Ф., Моцный Ф. В., Блецкан Д. И. Низкотемпературные спектры поглощения и отражения моно -кристаллов BiJ3 . ФТТ, 1974, 16, в.7, с.1965−1973.
  128. М.П., Гудыменко Л. Ф., Моцный Ф. В., Блецкан Д. И. 0 низкотемпературной фотолюминесценции BiJ^ . ФТТ, 1974, 16, вып.9, с.2400−2404.
  129. М.П., Гудыменко Л. Ф., Моцный Ф. В., и др. О низко -температурных спектрах поглощения и фотолюминесценции монокристаллов BiJ3 . ФТП, 1975, 9, вып.5, с.960−963.
  130. М.П., Моцный Ф. В. Свойства трехйодистого висмута при обычном и лазерном возбуждении (обзор). В сб.: Кван -товая электроника. Киев, Наукова думка, 1979, в.17, с.26−45.
  131. Karasawa Т., Komatsu Т., Kaifu Y. Zone-folding effects on phonons and excitons in polytypic BiJ^ single crystals. -Sol.St.Comm., 1982, 4?" N3, p.323−327.
  132. Kaifu Y., Komatsu T. Optical properties of bismuth triodi-de single crystals. II. Intrinsic absorption edge. J. Phys.Sos.Jap., 1976, ?0, N5, p. I377-I382.
  133. И.С., Луговский B.B., Тычина И. И., Федотовский А. В. Линейчатые спектры поглощения кристаллов ZnP2 . -Письма в ЖЭТФ, 1973, 17, в.4, с.193−197.
  134. И.С., Луговский В. В., Маковецкая А. П., Тычина И. И. 0 природе линейчатого спектра поглощения в дифосфиде цинка. ФТП, 1974, 8, в.2, с.436−438.
  135. В.В., Козлов А. И., Тычина И. И., Романик П. А., Смо-ляренко Э.М. Свободный экситон и экситонно-примесные комплексы моноклинного дифосфида цинка. Письма в ЖЭТФ, 1981, 34, в. З, с.115−118.
  136. В.Б., Вавилов B.C., Чукичев М. В. и др. Исследование спектров катодолюминесценции ZnP2 моноклинной модификации. ФТП, 1978, 12, в.4, с.673−678.
  137. Berg R.S., Yu P.Y. Exciton polaritons in monoclinic zincdiphosphide. Sol.St.Comm., 1983, 46, N2, p. I0I-I04.
  138. H.B., Улицкий Н. И., Харламов Б. М., Шехмаметьев Р. И. Линии поглощения обратной водородоподобной серии в кристалле в сильных магнитных полях. ФТТ, 1984, 26, в.5, с.1354−1357.
  139. Fomin V.M., Pokatilov Е.Р. Non-linear optical properties of the band charge carriers gas. Phys.Stat.Sol.(b), 1978, 8?, HI, p.405−415.
  140. Fomin V.M., Pokatilov E.P. Non-linear kinetics and opti -cal properties of band charge carriers. Phys.Stat.Sol. (b), 1983, 112″ N2″ P.483−492.
  141. Fomin V.M., Pokatilov E.P. Non-linear transport properties of band electrons at arbitrary electron-phonon coupling. Phys.Stat.Sol.(b), 1980, 9J, N1, p. l6l-I74.
  142. B.M., Климин C.H., Покатилов Е. П. Нелинейные оптические эффекты в полупроводниках, обусловленные когерентностью зондирующего и интенсивного электромагнитных излучений. -ФТП, 1983, 17, в.5, с.916−920.
  143. Chernysh L.V., Sheinkman М.К., Sinyavskii Е.Р., Kovarskii V.A. Auger recombination of carriers bound to different centres involving phonons. Phys.Stat.Sol.(b), 1980, 100, N1, p. kI49-kI53.
  144. Chernysh L.V., Kovarskii V.A., Sinyavskii E.P. Laser-in -duced Auger recombination in doped semiconductors. Phys. Stat.Sol.(b), 1981, I0?, N1, p. k5I-k53.
  145. В.А., Белоусов А. В., Черныш Л. В. Низкотемпера -турный аррениусовский распад возбужденных электронно -колебательных состояний. -ФТТ, 1983, 25, № 11, с.3425−3430.
  146. Kovarskii V.A., Chernysh L.V., Belousov A.7. About the low temperature dependence of activation for capture cross-sections of charge carriers in semiconductors with persistent photoconductivity.-Phys.Stat.Sol.(b}, 1984,122, N1"P•345−351.
  147. Kovarskii V.A., Sinyavskii E.P., Chernysh L.V. Optical properties of bielectron-impurity complexes. Phys.Stat.Sol. (b), 1984, 122″ N2> p.671−677.
  148. В.А., Синявский Э. П., Чеботарь B.H., Черныш Л. В. Безызлучательный распад биэлектрона и биэлектронно-при -месного комплекса в полупроводниках. ФТП, 1984, 18, № 9.
  149. Л.В. 0 «возгорании» канала Оже-рекомбинации в эле-тромагнитном поле. В кн.: Кинетика неравновесных электронных и электрон-колебательных систем". Кишинев, Штиинца, 1983, с.113−117.
  150. Л.В. Энергетический спектр биэлектронно-примесного комплекса. В кн.: Кинетические процессы в примесных по -лупроводниках во внешних полях. Кишинев, Штиинца, 1984, с.74−81.
  151. В.А., Синявский Э. П., Чеботарь В. Н., Черныш Л. В. Безызлучательный распад биэлектрона и биэлектронно-примес-ного комплекса в полупроводниках. В тезисах докладов XI-го совещания по теории полупроводников. Ужгород, 1983, с.271−272.
  152. В.А., Синявский Э. П., Сырбу Н. Н., Черныш Л. В. Оптические свойства биэлектронно-примесных комплексов. -В кн.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников (т.1). Баку, Элм, 1982, тЛ, с.191−192.
  153. Л.В. Оже-рекомбинация носителей, связанных на раз -личных центрах, с участием фононов. В кн.: Областная научно-техническая конференция молодых ученых. Сборник тезисов докладов. Винница, 1980, с. 46.
  154. В.А. Многоквантовые переходы. Кишинев, Штиинг 1974, 228 с.
  155. Иепгу С. 11., Lang IUV. Konradiative capture and recorabinat by multiphpгл.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!