Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом

Диссертация: Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При описании свойств полупроводниковых структур на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики (вольт-амперную характеристику, импеданс). Такой подход в ряде случаев позволяет успешно конструировать различного типа СВЧ-устройства на полупроводниковых приборах. В то же время ясно, что с увеличением уровня воздействующей СВЧ-мощности возможно… Читать ещё >

Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на структуры с p-n-переходом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИСЛЕДОВАНИЙ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СТРУКТУРАМИ НА ОСНОВЕ Р-^-ПЕРЕХОДА
    • 1. 1. Воздействие сильного СВЧ-поля на вольт-амперные характеристики диодов на основе невырожденных/"-^-переходов
    • 1. 2. Воздействие С В Ч-из лучения на вольт-амперные характеристики диодов на основе вырожденных /-«-переходов
    • 1. 3. Влияние СВЧ-разогрева и внешних воздействий на вольт-амперные характеристики диодов на основе /"-«-переходов
  • 2. АНАЛИЗ ПРИЧИН ВОЗНИКНОВЕНИЯ УЧАСТКОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ Р-Ш-ДИОДНЫХ СТРУКТУР ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 2. 1. Теоретический анализ факторов, влияющих на вид ВАХ
  • -¿-«-диода при воздействии СВЧ-мощности
    • 2. 2. Результаты математического моделирования
  • 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ НАВЕДЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ Р-Ы-ПЕРЕХОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ
    • 3. 1. Экспериментальное исследование и теоретический расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе /"-«-переходов при подаче СВЧ-сигнала
    • 3. 2. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик
  • СВЧ-диодов на основе /"-«-переходов в сильном СВЧ-поле
    • 3. 3. Возникновение-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с /?-«-переходом под действием СВЧ-излучения
  • 4. ВЛИЯНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ВИДА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ Р-А^-СТРУКТУР В СИЛЬНОМ СВЧ-ПОЛЕ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ УМНОЖЕНИЯ ЧАСТОТЫ
    • 4. 1. Экспериментальное исследование взаимосвязи эффективности умножения частоты с изменением вида вольт-амперных характеристик диодов
    • 4. 2. Теоретический анализ влияния нелинейности вольт-амперной характеристики на эффективность умножения частоты
  • 5. ВОЗНИКНОВЕНИЕ РЕЖИМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО СВЧ-СИГНАЛА

Применение в СВЧ-диапазоне полупроводниковых элементов создает реальные условия для дальнейшего прогресса в различных областях науки и техники. Появление таких типов полупроводниковых приборов СВЧ, как лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна, туннельные диоды и диоды с ограниченным накоплением заряда, р-г-п-диоды, существенно изменило элементную базу, используемую для генерирования, модуляции и приема СВЧ сигналов. Это во многих случаях ведет к изменению коренных принципов конструирования приборов и систем сверхвысоких частот. Классические способы управления СВЧ-мощностью также претерпели значительные изменения с появлением полупроводниковых приборов.

Важным фактором, стимулирующим проведение исследований физических явлений в полупроводниках на СВЧ, является открытие новых эффектов, позволяющих разрабатывать новые полупроводниковые приборы для преобразования и управления энергией электромагнитных волн, генерации и усиления высокочастотных колебаний [1−10].

При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения, но и решать сложные задачи по нахождению распределения поля в электродинамической системе с полупроводниковыми элементами. Стараясь более строго решить электродинамическую задачу, авторы часто представляют полупроводниковые активные элементы, используя сильно упрощенные модели. Взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами с учетом сложного характера его распределения в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего.

СВЧ-сигнала к настоящему времени, попрежнему можно считать недостаточно изученным [11−20].

При описании свойств полупроводниковых структур на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики (вольт-амперную характеристику, импеданс) [21−23]. Такой подход в ряде случаев позволяет успешно конструировать различного типа СВЧ-устройства на полупроводниковых приборах. В то же время ясно, что с увеличением уровня воздействующей СВЧ-мощности возможно существенное изменение свойств полупроводниковых структур.

Описание изменения вида вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур при воздействии на них высокого уровня мощности СВЧ-сигнала и теоретический расчет возникающих при этом участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением до настоящего времени не проводились.

На основе вышесказанного была сформулирована цель работыизучение влияния СВЧ-излучения на вид вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур на основе /-«-переходов с учетом детекторного эффекта, разогрева свободных носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня мощности воздействующего на них СВЧ-сигнала.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы состоит в следующем:

• впервые теоретически описан экспериментально наблюдавшийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления АГ-типа на вольт-амперных характеристиках /-/-«-диодных структур и структур на основе невырожденного /"-«-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности;

• впервые экспериментально обнаружено наведение на вольт-амперных характеристиках диодов с невырожденным ^-«-переходом-образных участков под действием СВЧ-излучения;

• впервые обнаружена взаимосвязь эффективности умножения частоты с изменением вида вольт-амперных характеристик р-и-переходов в сильном СВЧ-поле;

• впервые обнаружено возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения, при последовательном включении с туннельным диодом сопротивления, под действием внешнего СВЧ-сигнала при напряжениях питания на диоде, не достигающих пикового значения.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчета эксперименту. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением современной стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМ, успешным использованием на практике приборов, в основу работы которых положены результаты проведенных исследований.

Практическая значимость полученных результатов:

• наведение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур и структур на основе невырожденного ^-«-перехода высоким уровнем СВЧ-мощности может быть использовано при создании генераторов и усилителей с управляемым СВЧ-полем отрицательным сопротивлением;

• эффект возникновения на вольт-амперных характеристиках диодов с невырожденным />-/1-переходом участков ¿-'-типа при воздействии на них СВЧ-излучения, представляет интерес как для понимания физики взаимодействия СВЧизлучения с полупроводниковыми структурами, так и при определении условий эксплуатации полупроводниковых приборов на основе структур с /-«-переходом;

• обнаруженный эффект возникновения генерации и режима переключения в туннельном диоде при последовательном соединении сопротивления при подаче СВЧ-мощности при напряжениях питания на диоде, не достигающих пикового значения, позволяет создавать генераторы, включаемые и управляемые внешним СВЧ-сигналом.

Основные положения выносимые на защиту;

1. Учет детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной ВЧ-мощности позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках/"-/-«-диодных структур и диодных структур на основе невырожденного р-п-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

2. Дополнительный нагрев кристалла диода при воздействии на него высокого уровня СВЧ-мощности не приводит к качественному изменению вида вольт-амперной характеристики диода на основе невырожденного р-п-перехода при возникновении на ней падающего участка, а лишь вызывает его сдвиг в сторону меньших значений напряжения прямого смещения.

3. Воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры на основе невырожденных /"-«-переходов может приводить к возникновению на вольт-амперных характеристиках диодов участков отрицательного дифференциального сопротивления ¿-» -типа.

4. Эффективность умножения частоты диодов на основе невырожденных р-п-переходов зависит от вида их вольт-амперных характеристик, качественным образом изменяющихся в сильном СВЧ-поле. Уровень мощности генерируемых гармоник на выходе умножительного диода максимальна при напряжениях смещения, соответствующих экстремуму на прямой ветви вольт-амперной характеристики диода в сильном СВЧ-поле.

5. При последовательном включении с туннельным диодом сопротивления, возможно возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения под действием внешнего СВЧ-сигнала при напряжениях питания на диоде, не достигающих пикового значения.

Диссертация состоит из Введения, пяти разделов, имеющих подразделы, Заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 113 страниц машинописного текста, в том числе основной текст занимает 102 страницы включая 25 рисунков.

Список литературы

состоит из 124 наименований и изложен на 11 страницах.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Впервые предложена модель, позволяющая адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках /-/-«диодных структур и диодных структур на основе невырожденного /-«-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

2. Впервые экспериментально обнаружено, что воздействие внешнего СВЧ-сигнала на полупроводниковые структуры на основе невырожденных /-«-переходов может приводить к возникновению на вольт-амперных характеристиках диодов участков отрицательного дифференциального сопротивления З-типа.

3. Обнаружено, что эффективность умножения частоты диодов на основе невырожденных /"-«-переходов зависит от вида их вольт-амперных характеристик, качественным образом изменяющихся в сильном СВЧ-поле. Показано, что мощность генерации гармоник на выходе умножительного диода максимальна при напряжениях смещения, соответствующих появляющемуся экстремуму, на прямой ветви вольт-амперной характеристики диода в сильном СВЧ-поле.

4. Показано, что при напряжениях питания на туннельном диоде, не достигающих пикового значения, воздействие внешнего СВЧ-сигнала приводит к появлению на ВАХ диода участка с отрицательным сопротивлением. Установлены диапазоны напряжений смещений на диоде и уровни мощности СВЧ-сигнала, в которых наблюдается обнаруженный эффект.

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю — профессору, доктору Дмитрию Александровичу Усанову за большую помощь, оказанную во время работы над диссертацией, полезные советы и ценные замечания, а также к.ф.-м.н., доценту Александру Владимировичу Скрипалю за постоянную помощь и поддержку в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ. Под ред. Хауэса М., Моргана Д. Пер. с англ. под ред. д-ра физ.-мат. наук Эткина B.C. // М.: Мир, 1979. 444 с.
  2. Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах / Пер. с англ. под ред. Б. Л. Гельмонта. М.: Мир, 1972. 384 с.
  3. В.И. СВЧ полупроводниковые передатчики // М.: Радио и связь, 1981. 400 с.
  4. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Уоткинса Г. Пер. с англ. под ред. Эткина B.C. // М.: Мир, 1972. 662 с.
  5. Н.С., Данюшевский Ю. З. Диодные генераторы и усилители СВЧ // М.: Радио и связь, 1986. 184 с.
  6. A.B. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах // М.: Радио и связь, 1987. 120 с.
  7. И.Н., Толстихин В. И., Еленский В. Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. № 7. С.66−89.
  8. Микроэлектронные устройства СВЧ // Г. И. Веселов, E.H. Егоров, ЮН. Алехин и др. Под ред. Г. И. Веселова. М.: Высш.шк., 1988. 280 с.
  9. И.В., Шнитников A.C., Купцов Е. И. Твердотельные СВЧ-ограничители проблемы и решения (обзор) // Изв.вуз. Радиоэлектроника. 1985. Т.28, № 10. С.34−41.
  10. Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ // М.: Радио и связь, 1981. 200.с.
  11. К. Физика полупроводников // М.: Мир, 1977. 616 с.
  12. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников // М.: Наука, 1977. 672 с.
  13. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов // М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
  14. С.Н., Пенин H.A., Скворцова Н. Е., Соколов Ю. Ф. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ-диодов // М.: Мир, 1965. 192 с.
  15. Полупроводниковые приборы СВЧ. Под ред. Бренда. Пер. с англ. // М.: Мир, 1972. 148 с.
  16. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. // М.: Мир, 1984. Кн. 1 456 с. Кн.2 — 456 с.
  17. И.В. Техника и приборы СВЧ. Т.1 // М.: Высшая школа, 1970. 439 с.
  18. О.С., Собенин Н. П. Техника СВЧ // М.: Атомиздат, 1980. 463 с.
  19. СВЧ-устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / Под ред. И. В. Мальского, Б. В. Сестрорецкого. М.: Сов. радио, 1969. 580 с.
  20. В.А. Ограничительный диод. Электроника. Энциклопедический словарь //М.: Сов. энциклопедия, 1991. С.334−335.
  21. A.A. Импеданс базы переключательного p-i-n-диода при прямом переходном процессе. 4.1. Импульс тока со ступенчатым фронтом // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып.5(329). С.8−13.
  22. A.A. Импеданс базы переключательного /-/-«-диода при прямом переходном процессе. 4.II. Импульс тока с линейным фронтом // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып. б (ЗЗО). С.3−6.
  23. H.A., Тхорик Ю.А. III Всесоюзное совещание по физическим явлениям в /-«-переходах в полупроводниках // Тезисы докладов. Тбилиси. 1966.
  24. Shockley W. Negative resistance arising from transit time in semiconducting diodes // Bell System Tech. J. 1954. Vol.33. P.799−826.
  25. M.C., Горбачев А. И. Полупроводниковые СВЧ диоды // М.: Радио и связь, 1983. 224 с.
  26. Л.С. О системе параметров переключательных/-/-«-диодов. В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение». Под ред. Я. А. Федотова. // М.: Сов. радио. 1969. Т.21. С. 171−182,.
  27. Г. Б., Орлов О. С. Р-/-«-диоды в широкополосных устройствах СВЧ // М.: Советское радио, 1970. 200 с.
  28. Л.И. К теории переходных процессов в полупроводниковых р-п-т ир-п-п+ -структурах // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов. 1968. № 1. С.3−17.
  29. Л.И., Селшцев Г. В. О характере инерционности диодов с р-п-переходом при малых скоростях утечки неосновных носителей тока через невыпрямляющий контакт // Радиотехника и электроника. 1964. Т.9, № 6. С. 1092−1096.
  30. Л.И. К вопросу об индуктивном характере сопротивления диодов с р-«-переходом в пропускном направлении при больших плотностях тока // Радиотехника и электроника. 1960. Т.5, № 6. С.1002−1005.
  31. З.С., Тхорик Ю. А. Переходные процессы накопления и рассасывания неравновесных носителей в полупроводниковых диодах. Часть II // УФЖ. 1964. Т.9, № 8. С.851−864.
  32. Бейда, Шпенке. Процессы обратного восстановления в мощных кремниевых вентилях // ТИИЭР. 1967. Т.55, № 8. С.98−122.
  33. Ю.Ф. Частотные свойства электронно-дырочных переходов // Радиотехника и электроника. 1963. Т.8, № 4. С.659−668.
  34. Д.А., Котов Я. П., Маматкулов P.M. Об импедансе р+ -п-п + -структур при высоких уровнях инжекции//Изв.АН УзССр. Сер. физ.-мат. 1970. № 3. С.91−99.
  35. И.В., Шнитников A.C. Характеристическая частота полупроводниковой диодной структуры // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 6. С.750−758.
  36. H.A., Тхорик Ю. А. О полном сопротивлении p-i-n-диода при высоких уровнях инжекции//ФТП. 1967. Т. 1, № 4. С.535−541.
  37. В.Г., Красовский С В., Усанов Д. А. Спектральный состав выходного сигнала СВЧ ограничителей мощности на /?-/-«-диодах // Электроная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.8. С.7−9.
  38. И.В., Шнитников A.C., Прохоров P.A., Скоробогатов Д. В. Новые структурные схемы твердотельных ограничителей мощности // Радиоэлектроника. Изв. вузов. 1991. Т.34, № 10. С.9−17.
  39. Н.И., Шнитников A.C. Численное моделирование ограничительного СВЧ диода// Радиоэлектроника. Изв. вузов. 1986. Т.29, № 10. С.84−86.
  40. И.В., Шнитников А.С Новый ограничительный СВЧ диод // Радиоэлектроника. Изв. вузов. 1993. Т.36, № 10. С.3−16.
  41. Г. Б., Николаев Ю. И., Орлов О. С. К вопросу о взаимодействии плоскосного полупроводникового диода с электромагнитным СВЧ полем // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиоизмерительная техника. 1971. Вып.З. С.3−12.
  42. Г. Б., Либерман Л. С., Шпирт В. А. О некоторых эффектах, возникающих в р ±п-п+ (р + -р-п +) структурах под действием СВЧ поля // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1972. № 2. С.68−72.
  43. Г. Б. Теоретическое и экспериментальное исследование нестационарных процессов в полупроводниковых переключательных структурах и некоторых регулирующих устройствах диапазона СВЧ // Дис. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук., Саратов. 1972.
  44. C.B., Родина Л. П., Усанов Д. А. Явление удвоения периода в квазиактивном ограничителе на /?-/-я-диодах // Изв.вуз. Радиоэлектроника. 1993. Т.36, № 2. С.77−80.
  45. C.B., Усанов Д. А. Скачкообразное изменение характеристик СВЧ-ограничителей на p-i-n-диодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 12(384). С.7−9.
  46. В.Г., Красовский C.B., Усанов Д. А. Модуляция выходного сигнала в СВЧ-ограничителях мощности на p-i-n-диодах // Электроная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.4(398). С.38−39.
  47. H.H., Дмитриев В. М., Бобрышев В. Д. Индуцированная СВЧ-полем генерация низкочастотных электромагнитных колебаний полупроводниковыми диодами // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, № 8. С. 1702−1704.
  48. Н.И., Мурзин А. Г. Исследование параметров низкочастотных генераторов на СВЧ полупроводниковых диодах // Радиотехника и электроника. 1982. Т.27, № 5. С. 1050−1051.
  49. И.Н., Петрович В. В., Ткачев В. А. Нелинейные искажения в p-i-n-диоде и связанные с ними ограничения на амплитуду и частоту протекающегочерез диод переменного тока // Радиотехника и электроника. 1987. Т.32, № 12. С.2618−2622.
  50. А.А., Горбатый И. Н., Кошоридзе С. И., Ткачев В. А. // Радиотехника и электроника. 1989. Т.34, № 1. С. 147−154.
  51. А.С., Филатов Н. И. Поведение ограничительного СВЧ-диода в рабочем диапазоне частот и за его пределами // Изв. вуз. Радиоэлектроника. Т.30, № 10. С.88−90.
  52. И.В. Нелинейные свойства и характеристики СВЧ/-/-«-диодов. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1992. Т.35, № 10. С. 17−26.
  53. И.В., Дроздовский Н. В. Бистабильность и электронный гистерезис амплитудных характеристик /-/-«-диодных структур // Радиотехника и электроника. 1993. Т.38, № 9. С.1696−1704.
  54. И.Н. Амплитудные и ограничительные характеристики сверхвысокочастотного /-/-«-диода // Радиотехника и электроника. 1997. Т.42, № 1. С. 120−124.
  55. А.В. Гистерезисные явления в /-/-«-диоде // Радиотехника и электроника. 1976. Т.21, № 8. С1795−1796.
  56. В.А. О модуляции базы /"-«-перехода под действием синусоидального тока СВЧ // Радиотехника и электроника. 1968. № 9. С. 1647−1653.
  57. Ecaki L. New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions // phys. Rev. 1958. Vol. 109, № 2. P.603−604.
  58. Туннельные диоды. Сборник статей под ред. канд. техн. наук В. И. Фистуля. // М.: Изд. ин. лит., 1961. 204 с.
  59. Капе Е.О. Theory of Tunneling // Journ. Appl. Phys. 1961. Vol.32, № 1. P.83−91.
  60. Шур M. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Пер. с англ. М.: Мир, 1992.
  61. А.А., Крюков А. Р., Тагер А. С. Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов // ФТП. 1992. Т.26, вып.5 С. 896−899.
  62. Д.А., Скрипаль A.B. Физика полупроводников. Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями. Саратов: Изд. Сарат. ун-та, 1996. 236 с.
  63. Е.И., Пашковский А. Б., Тагер A.C. Прохождение электронов через потенциальные барьеры в высокочастотных полях // ФТП. 1994. Т.28, вып.5. С.740−751.
  64. Д.А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е., Скрипаль A.B. Снятие вырождения в р-и n-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16, вып.8. С. 50−51.
  65. Д.А., Орлов В. Е., Коротин Б. Н., Скрипаль A.B. Влияние внешнего СВЧ-сигнала на работу СВЧ-генератора на туннельном диоде // Изв. вуз. Радиофизика. 1991. Т.34, № 1. С. 98−99.
  66. Д.А., Скрипаль A.B., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Влияние греющего СВЧ-поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода // Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С. 81−85.
  67. Physics of Quantum Electron Devices / Ed. By F. Capasso. Berlin: Springer, 1990.
  68. Д.А., Скрипаль A.B., Орлов В. Е., Коротин Б. Н. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ-полем // Изв. вуз. Электроника. 1996. № 1−2. С. 129−133.
  69. .Н. Взаимодействие горячих носителей заряда с коротковолновым СВЧ-излучением // Изд. СГУ, 1976. 224 с.
  70. В.А., Климов Б.Н.: Науменко Г. Ю. Горячие носители заряда в постоянных и СВЧ полях //Изд.СГУ, 1988. 132 с.
  71. A.C., Филатов Н. И. Поведение ограничительного СВЧ диода в рабочем диапазоне частот и за его пределами // Радиоэлектроника. 1987. Т.30, № 10.С.88−90.
  72. А.И., Акопян Э. А. Кинетика термоэдс горячих носителей тока на р-п-переходе // ФТП. 1975. Т.9, вып.2. С.356−359.
  73. А.И., Парицкий А. Г., Акопян Э. А., Дадамирзаев H.A. Термоэдс горячих носителей тока на /"-«-переходе // ФТП. 1975. Т.9, вып.2. С.216−224.
  74. Ю.К., Решпас K.K. Термоэдс в полупроводниках, обусловленная горячими носителями тока // Лит. физ. сб. Т.6, № 4. С.523−537.
  75. С.П., Олекас А. П., Ширмулис Э. И. Влияние разогрева носителей заряда на вид вольтамперной характеристики /-«-перехода германия // ФТП. 1985. Т. 19, вып.5. С.807−809.
  76. А.И., Гнилов С. В., Саргсян М. П. Вольт-амперные характеристики/-«-перехода с горячими носителями заряда // ФТП. 1979. Т. 13, вып.2. С.318−321.
  77. H.A., Вейнгер А. И., Питанов B.C. Электрические свойства кремниевых /-«-переходов в сильных СВЧ-полях // ФТП. 1988. Т.22, вып. 11. С.2001−2007.
  78. Гулямов Г, Умаров К. Б. Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику /-«-перехода с горячими носителями заряда // ФТП. 1994. Т.28, вы! 1.4. ('.686−691.
  79. Г. Влияние поверхностной рекомбинации на вольт-амперную характеристику /-«-перехода в сильном СВЧ поле // ФТП. 1996. Т.30, вып.З. С.569−574.
  80. H.A., Вейнгер А. И., Питанов B.C. Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых /"-«-переходов // ФТП. 1992. Т.26, вып.6. С. 1041−1047.
  81. Г., Хамидова Б. Влияние геометрии образцов на вольт-амперную характеристику /-«-перехода в сильном СВЧ поле // ФТП. 1996. Т.30, вып.5. С.769−776.
  82. Г., Шамирзаев С. Х. Термоэдс горячих носителей тока в /-«-переходе с учетом нагрева решетки//ФТП. 1981. Т. 15, вып.9. С. 1858−1861.
  83. Г., Умаров К. Б. Коэффициент неидеальности вольт-амперной характеристики /-«-перехода при разогреве носителей заряда и фононов // ФТП. 1995. Т.29, вып. 1. С.33−37.
  84. А.И., Акопян Э. А. Отрицательное сопротивление в цепи содержащей /"-«-переход с горячими носителями тока // ФТП. 1975. Т.9, вып.6. С. 1076−1079.
  85. А.И. Р-п-переход с горячими носителями заряда как контакт с отрицательной дифференциальной емкостью // ФТП. 1978. Т. 12, вып. 10. С. 19 861 990.
  86. Г., Гулямов Г. Импеданс /"-«-перехода с горячими носителями тока // ФТП. 1981. Т. 15, вып.№ 3. С.574−576.
  87. И.Н., Гуревич Ю. Г., Тананко Д. Е. Влияние высокочастотного разогрева электронного газа на статическую вольт-амперную характеристику с отрицательной дифференциальной проводимостью // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 12. С. 1522−1525.
  88. Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках // М: Наука, 1977 368 с.
  89. Адирович Э И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. Под ред. Гальперина Е. И. Токи двойной инжекции в полупроводниках // М.: Сов. радио, 1978. 320 с.
  90. A.A., У санов Д. А. Резонансный переключатель СВЧ-диапазона на p-i-n-диоде // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. Вып.11. С.6−8.
  91. Д.А., Виненко В. Г., Горбатов С. С. К расчету характеристик волноводных управляющих устройств на p-i-n-диодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1984. Вып.4. С.60−61.
  92. Л.И., Селшцев Г. В. Влияние зависимости времени жизни неравновесных носителей от концентрации на вольт-амперную характеристикуp-i-n (p-i-n +) -диода // Радиотехника и электроника. 1971. Т. 16, № 2. С.408−410.
  93. К., Гардж Р., Чахда Р. Машинное проектирование СВЧ устройств // М.: Мир, 1987.
  94. И.В., Дроздовская Л. М., Дроздовский Н. В., Шнитников A.C. Определение активной составляющей импеданса p-i-n-диода // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 3. С.370−373.
  95. E.H., Сидоров H.B., Макиеиков П. Ф., Обичкии Ю. Г. Гибридный балансный управляемый аттенюатор на /-/-«-диодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1979. Вып.9. С.65−68.
  96. JI.C. Введение в физику варикапов // Л.: Наука, 1968. 180 с.
  97. Д.А., Скрипаль A.B., Угрюмова Н. В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в диодных структурах на основе />-«-перехода при воздействии СВЧ-излучения // ФТП. 1998. № 11. С. 1399−1402.
  98. Д.А., Скрипаль A.B., Угрюмова Н. В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в /"-/-«-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения// Изв. вуз. Электроника. 1997. № 3−4. С. 48−52.
  99. С., Canali С., Ottaviani G., Quaranta A.A. А Review of Some Charge Transport of Silicon // Solid State Electronics. 1997. Vol.20, № 2. P. 77−89.
  100. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник // Наливайко А. Б., Берлин A.C., Божков В. Г. и др. Под. ред. Наливайко А. Б. Томск: МГП «РАСКО», 1992. 223 с.
  101. Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами / Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 464 с.
  102. Yamamoto Y., Miyanaga Н. An analysis of positive and negative resistance characteristics in the high-current-density region of Schottky diodes // IEEE Trans, on Electron Devices. 1990. Vol.37, № 5. P.1364−1372.
  103. А.И. Вольт-амперные характеристики эпитаксиальных диодов Шоттки в области больших плотностей токов // Радиотехника и электроника. 1993. Т.38, вып.8. С.1510−1518.
  104. А.И. Эпитаксиальные диоды Шоттки с вольт-амперными характеристиками £-типа // Микроэлектроника. 1994. Т.23, вып.1. С.35−41.
  105. С.М. Применение диода со ступенчатым восстановлением для генерации гармоник, выпрямления и оценки времени жизни // ТИИЭР. 1962. Т.50, № 7. С. 1706−1718.
  106. Р., Бутройд А. Р. Умножители частоты на нелинейных элементах с накоплением заряда // ТИИЭР. 1968. Т.5'6, № 2. С.36−46.
  107. Л.Я., Гринберг Г. С., Хотунцев Ю. Л. Исследование на ЭВМ флуктуационных характеристик варакторных умножителей частоты с учетом рекомбинационных и гистерезисных потерь // Радиотехника. 1985. № 1. С.21−26.
  108. Шеффнер. Мощные генераторы гармоник на варакторах с накоплением заряда // Электроника. 1964. Т.37, № 20. С.3−9.
  109. Т., Миякава Т. Умножители частоты на нелинейных сопротивлениях и емкостях//ТИИЭР. 1965. Т.53, № 4. С.453−454.
  110. Грейзел. Замечания по поводу перевозбужденных удвоителей частоты на параметрических диодах с резким переходом // ТИИЭР. 1965. Т.53, № 12. С.2366−2367.
  111. Н.П., Мартыненко Е. И., Чайка В. Е. О возможности повышения предельной частоты эффекта Ганна в n-GaAs при работе в полигармоническом ОНОЗ режиме // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13, № 4. С.798−800.
  112. O.A., Трепаков В. К. Экспериментальное исследование умножителей частоты на диодах с переносом электронов // Радиотехника. 1980. Т.35, № 8. С.58−60.
  113. Кац Л.И., Сафонов A.A. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике. 4.2 // Саратов, СГУ, 1979. 134 с.
  114. В.И., Левтеров А. Н., Малышев И. В. Умножитель частоты СВЧ диапазона на объемном полупроводниковом элементе // Радиотехника. 1984. № 4. С.40−43.
  115. И.Х. Умножители и делители частоты // М.: Связь, 1976. 327 с.
  116. C.B., Любченко В. Е., Попов В. А., Царев А. Н. Исследование умножителя частоты на диоде с барьером Шоттки в коротковолновой части миллиметрового диапазона // Радиотехника и электроника. 1980. Т.25, № 9. С.2014−2015.
  117. A.A., Калинин Б. В. Анализ умножителей частоты на диодах с барьером Шоттки // Радиотехника. 1982. Т.37, № 10. С.40−43.
  118. К.С., Армстронг Д. Б., Гандерсон П. Д. Инерция носителей заряда в полупроводниках//ТИИЭР. 1964. Т.52, № 6. С.720−729.
  119. Теплые электроны // В. Денис, Ж. Канцлерис, 3. Мартунас. Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1983. 144 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!