Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование и разработка радиоактивационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне

Диссертация: Исследование и разработка радиоактивационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработаны недеструктивные методы анализа полупроводников активацией заряженными частицами. Найдено содержание серы в образцах кремния с целью определения его растворимости в интервале температур Ю00−1270°С и ряда элементов в карбиде кремния про-тонноактивационным методом. Показано, что только методом ААЗЧ можно определить полную концентрацию серы в исследованных образцах, что составило… Читать ещё >

Исследование и разработка радиоактивационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СОСТОЯНИЕ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 1. 1. Полупроводниковые материалы и методы их анализа
    • 1. 2. Ядерно-физические методы анализа элементного состава полупроводников
    • 1. 3. Состояние активационных методов анализа на заряженных частицах
  • Постановка задачи
  • 2. РАЗРАБОТКА РАДИОАКТМВАЦИОННЫХ МЕТОДИК АНАЛИЗА КРЕМНИЯ
    • 2. 1. Техника эксперимента
    • 2. 2. Микроэлементный состав кремния
    • 2. 3. Определение концентрации кислорода и углерода
    • 2. 4. Распределение элементов по глубине образцов
    • 2. 5. Распределение кислорода в кремнии
  • 3. АКТИВАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ЗАРФЖНЫМИ ЧАСТИЦА]1®- НА ЦИКЛОТРОНЕ
    • 3. 1. Активация протонами и дейтронами
    • 3. 2. Активация ионами гелия
    • 3. 3. Избирательность радиоактивационного анализа полупроводниковых материалов
    • 3. 4. Радиохимические методы анализа полупроводников с выделением
    • 3. 5. Инструментальные методы определения элементов в некоторых полупроводниках
    • 3. 6. Метрологические характеристики методик анализа

Электронные приборы, широко применяющиеся в технике, изготавливаются легированием чистых полупроводниковых материалов различными химическими элементами. В качестве основного материала при изготовлении таких приборов применяются кремний и германий. В состав полупроводников входят 776,.

Основные результаты работы были представлены на Ш-Респуб-ликанской конференции молодых физиков (Ташкент, 1976 г), 1УВсесоюзном Координационном совещании по активационному анализу (Тбилиси, 1977 г), Всесоюзном совещании «Ядерно-физические методы анализа на заряженных частицах» (Ташкент, 1978 г), Четвертой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1979 г), 1У-Всесо-юзной конференции «Методы исследования и определения газов в металлах и неорганических материалах» (Ленинград, 1979 г) и изложены в 15 научных трудах.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить благодарность руководству, партийной и профсоюзной организациям Института ядерной физики Академии наук Узбекской ССР, создавшим необходимые условия для проведения экспериментов и получения основных результатов.

Искренне признательна моим научным руководителям — доктору физико-математических наук, профессору Муминову В. А. и заведующему лабораторией активационного анализа на заряженных частицах, кандидату физико-математических наук Мухаммедову С. за непосредственное руководство, поддержку и консультации.

Я благодарна сотрудникам ФТИ АН СССР Лебедеву А. А. и Витман Р. Ф. за изготовление образцов и обсуждение результатов.

Признательна т. Султанову В., Рахманову А., Васидову А. и всем остальным сотрудникам лаборатории за эффективную помощь при проведении экспериментов.

Благодарна руководству и обслуживающему персоналу циклотрона за своевременную и квалифицированную подготовку ускорителя к экспериментам.

— 107 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

С использованием циклотрона исследованы активационные характеристики большинства полупроводниковых материалов, применяемых в изготовлении деталей приборов. Разработаны оригинальные методы определения послойного распределения элементов, примесного состава широко применяемых полупроводников. Результаты исследования показали, что радиоактивационный анализ на заряженных частицах является высокочувствительным методом при определении концентрации кислорода и углерода на уровне Ю*6 см~3 и ниже, большого числа средних элементов на уровне (20−3).I0″ 3%.

С целью выяснения уровня мешающей радиоактивности нуклидов, образующихся от основы и примесей, при определении содержания кислорода в JI рассчитаны радиоактивности нуклидов, образующихся от примесных элементов, и проведен протонно-активационный анализ исходных кристаллов. Найдено, что радиоактивности нуклидов, образующихся от примесных элементов, не превышает значения Ю" 2-Ю~5 Бк, а для Си, В?, 5L Fu составляют.

I0~3-I0~5 Бк и, за исключением Сг. 2п и г с, при определении концентрации примесей кислорода или других легких элементов практически не влияют.

Исследованием примесного состава кремния протонной активацией найдено, что предел обнаружения примесных элементов Fe, Ог, V, 9а, 9-е в выбранных условиях анализа составляет (1,9−25).10″ 7% и не оказывает заметного влияния на анализ. Использованием активации исходных образцов кремния различного типа протонами, ионами Fi ж Fe найдены содержания в них кислорода и углерода I, 3-I, 5. I016 см-3 и (1,6−2,1).I017 см" 3, соответственно. В кристаллах, выращенных методом Чохральского, (2−5).I017 см-3 кислорода и (2−3).Ю17 см" 3 углерода.

Изучены концентрации, растворимость, распределение и коэффициент диффузии кислорода в образцах кремния, прошедших высокотемпературное окисление в различных режимах, соответствующих производству кремния для полупроводниковой промышленности. Изучено влияние условий термообработки на концентрацию кислорода в кремнии. Найдено, что наилучшей защитой от проникновения кислорода в кремний является пленка Л/Zj?, выращенная в парах воды. Показана целесообразность использования активационного анализа на заряженных частицах в изучении распределения кислорода в кремнии и разработана методика определения послойного его распределения. Получено, что для образцов без диффузантов зависимость) хорошо согласуется с зависшлостью) t, а в присутствии диффузантов эта зависимость носит немонотонный характер с максимумом на глубине проникновения 40−50 мкм. Коэффициент диффузии кислорода в образцах кремния без диффузантов (6,8−8,2).10″ ^ см2/с и в пределах ошибок совпадает с результатами, полученными методом ИК-поглощения, и результатами более ранних работ. А коэффициент диффузии в образцах (ВТО) кремния в присутствии диффузантов (1,2−2,6).10″ -^ см^/с измерен только методом радиоактивационного анализа в связи с тем, что большая концентрация носителей тока на поверхности образцов после диффузии В и Р приводит к сильному увеличению ИК-поглощения в широкой области спектра и на фоне этого поглощения практически невозможно измерить поглощение, вызванное присутствием кислорода в Si. Эти работы проведены совместно с ФТИ АН СССР, где были изготовлены образцы, получены результаты по ИК-поглощению и проведено обсуждение результатов. Результаты применены при выяснении условий ВТО кремния, используемых при изготовлении мощных полупроводниковых приборов и дали экономический эффект.

Изучена степень активации полупроводников под действием различных заряженных частиц с целью оценки необходимых факторов радиохимической очистки и выбора соответствующего метода при определении легких и ряда других элементов. Измерены сечения ядерных реакций и выходы радионуклидов, образующихся при облучении протонами и дейтронами. Получено, что для ядер je, НО, 1(4 п, 69 п 125 ггт id f ba % № значения сечений активации протонами и дейтронами при энергии II МэВ составляют 400−1000 мб, на 7? п /28 ггт /ЗО'Т t/Зр j U6C J ядрах J?, 1 В, 1-В, (yd % Ш, Jit сечения реакций — 100−250 мб. Из 21 функции возбуждения в интервале энергии протонов и дейтронов от порога реакции до II МэВ 15 измерены нами, а остальные уточнены.

Измерены выходы ^ -квантов 26 радионуклидов, образующихся при облучении протонами и дейтронами. Значения Yy находятся в пределах 10^-10® ^ -кв. Полученные результаты сравнивались с имеющимися в литературе и выявили удовлетворительную сходимость.

Значения сечения реакций js. выходов радионуклидов, образующихся при облучении ионами —, получены расчетным путем и составили 10−250 мб и 10^-10® Бк мкА~*ч~* соответственно при энергии F-ty =14 МэВ.

Следовательно, при облучении полупроводников заряженными частицами активируемость основы очень сильная и необходимо применение методов анализа с радиохимическим выделением аналитического радионуклида. Поэтому в работе с использованием величины выходов радионуклидов оцениваются избирательность метода и уровень помех от основы при определении С, ff, 0 и ряда других элементов. Найдено, что при определении концентрации С, tf, О в полупроводниках, содержащих /Is, Тв, Зв, 5, активацией ускоренными легкими ионами избирательность метода достигает и при этом требуется применение радиохими.

— по ческих вариантов активационного анализа с фактором химической о о очистки 10 -10. Наиболее благоприятными характеристиками обладает кремний при использовании всехипов заряженных частиц Тв, J К, Cd при использовании ионов .

Показана возможность анализа кислорода, азотами углерода, с быстрым выделением радионуклида и по реакции ТКИе^ГО по разработанной ранее схеме выделения. Определено содержание кислорода в ЕдР^, азота — в карбиде кремния и углерода — в сплаве C^Sl, что составило 3,2.1019 см3- 1,2.1018 см-3 и I. I017 см-3,соответственно.

Разработаны недеструктивные методы анализа полупроводников активацией заряженными частицами. Найдено содержание серы в образцах кремния с целью определения его растворимости в интервале температур Ю00−1270°С и ряда элементов в карбиде кремния про-тонноактивационным методом. Показано, что только методом ААЗЧ можно определить полную концентрацию серы в исследованных образцах, что составило (1−8).I0*7 см" 3 и примерно на два порядка больше значения, определенного по электрически активным центрам серы в кремнии. Активацией дейтронами (Frf =10 МэВ, Jd =0,4 мкА, toEn =20 мин) и методом НАА определено содержание марганца в эпитаксиальных слоях карбида кремния. Установлено, что эпитак-сиальные слои, выращиваемые в присутствии марганца, загрязняются им до концентрации Ю-4%.

Определены примеси в fiкарбиде кремния активацией протонами. Найдено, что содержание примесей.

UY и го в карбиде кремния составляет (2−5).I017 см-3, содержание 1. I0*7 см-3 а содержание F& наибольшее — 4. I0*3 см-3.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.Н. Чистота вещества. М. :Атомиздат, 1975,223 с.
  2. Н.П. Развитие в СССР металлургии редких металлов и полупроводниковых материалов. М.: 1967. 136 с.
  3. Технология полупроводниковых материалов / Пер. с анг. Инглицина М.Н./ М.: Оборонгиз, 1961. 314с.
  4. Э.П. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. М. 1977. 194 с.
  5. Я.М. Современное состояние анализа селена и теллура. В кн.: Методы определения и анализа редких элементов. М.: Изд. АН СССР, 1961, с.580−627.
  6. В.А. Современное состояние аналитической химии германия. В кн.: Методы определения и анализа редких элементов. М.: Изд. АН СССР, 1961, с.400−462.
  7. М.М., Янковская Т. А., Холявко Е. П., Ходжамбердыева А., Азовцева Л. Н. Нейтронно-активационные методы исследования микропримесного состава полупроводникового германия. Заводская лаборатория, 1983, т.49, Л 2, с.62−64.
  8. P.P., Оганезов К. А., Чихладзе В.Я.Использование полого катода для определения кислорода в кремнии методом изотопического уравновешивания. -В кн.:Методы определения и исследования состояния газов в металлах.М.:Наука, 1968, с.83−87.
  9. В.И., Ким А.Г. Методы концентрирования веществ в аналитической химии. М.: Наука, 1965. 200 с.
  10. Ю.Бабикова Ю. Ф., Гусаков А. А., С. С. Казаков, В. М. Минаев. Современное состояние и перспективы развития активационной авторадиографии. В кн. Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент: Фан, 1980, с.47−60.
  11. П.Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М.: Наука, 1979, 416 с.
  12. И.П. Анализ полупроводниковых материалов. М., Наука, 1968, 264 с.
  13. И.П., Яковлев Ю. В. Ядерно-физические методы анализа. Атомная энергия, 1969, т.26, с.127−132.
  14. И.П., Яковлев Ю. В. Ядерно-физические методы анализа. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атом-издат, 1971, с.5−14.
  15. Н.Н., Яковлев Ю. В. Активационное определение примесей в граммовых навесках арсенида галлия. В кн.: Ядернофизические методы анализа вещества. М.: Атомиздат I97I.C.29−35.
  16. Я., Чех Ш., Элек А. и др. Применение активационного анализа для определения примесей в материалах для полупроводниковой техники. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М., Атомиздат 1971, с.46−51.
  17. В.Р., Родин И. Н. и др. Нейтронно-активационный анализ полупроводниковых материалов. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.90−93.
  18. М.М., Янковская Т. А., Холявко Е.П.Доджамбердыева АА Нейтронно-активационные методы исследования примесного состава особо чистого германия.-Докл.АН УзССР, 1976,1!з II, с.24−26.
  19. Jaskolka I.N., Rowinska L., Wilis L. Application of neutron activation analysis for the determination of implantation profiles of phosphorus in semiconductor grade silicon.-J.Radio-anal.Chem .1977,v.38,N1,p.29−35.
  20. Niese S.I. Neutron activation analysis of semiconductor silicon. -J .Radioanal.Chem., 1977, v.38,N2,p.37−41.
  21. Verheijke M.L., Verplanee J.C.Overall instrumental thermal neutron activation analysis of high purity materials.-J.Radioanal .Chem.v.15,N2,p.509−515.
  22. Opdebleck Т. Activation analysis basis for chemical similarity and classification.-J.Radioanal.Chem., 1977, v 37, no 1, p. 213−221.
  23. Аббосов 0., Кедири С., Старчик JI.П. Гамма и нейтронно-акти-вационный анализ с применением лишенного ускорителя электронов на 4,2 МэВ. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.244−247.
  24. .С. Исследование карбида кремния, легированного различными примесями, методами нейтронно-активационного анализа. Автореф.диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.мат.наук. Ташкент, 1982, 22 с.
  25. Luts G.J. Calculation of sensitivities in photon activationanalysis.-Anal.Chem., 1969, v.41, N3, p. 424−427.
  26. Ю.В. Основные проблемы анализа веществ высокой чистоты. Заводская лаборатория, 1962, т.28, № 6, с.643−644.
  27. М.А., Коварский В. Я., Орлов А. Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом. -Заводская лаборатория, 1984, т.5, № I, с.24−32.
  28. С.Н., Зюбко В. А. и др. Автоматизированная установка для анализа газов на быстрых нейтронах. В кн.: Активадион-ный анализ. Ташкент, ФАН, 1971, с.323−329.
  29. В.Т. Оценка точности и чувствительности активационного анализа. М.: Атомиздат, 1976, 192 с.
  30. И.М. Современное состояние активационных методов определения газовых смесей в металлах и полупроводниковых материалах. В кн.: Методы определения и исследования состояния газов в металлах. М.: Наука, 1968, с.134−141.
  31. Р.А. Активационный анализ. М.: Атомиздат, 1974, 281 с.
  32. В.А., Мухаммедов С. Ядерно-физические методы анализа газов в конденсированных средах.Ташкент, ФАН, 1977,206с.
  33. Krasnov N.N., Dmitriev P.P., Dmitrieva Z.P., et al.Proc.of conf. the uses of cyclotrons in Chemistry, Metallurgy and Biology, London, 1970, p.341−345.
  34. Newman R.C., Willis I.B.Vibrational absorption of carbon in silicon.-J.Phys.Chem.Solids, 1965, v.26,N2,p.373−379.
  35. В.P. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969, 334 с.
  36. Р.Ф., Лебедев А. А. Определение коэффициентов диффузии примесей по оптическому поглощению. Физика и техника полупроводников. 1978, т.12, с.2069−2071.
  37. Endo Y., Yutsuriugi Y., Akiyama N. and Nozaki Т. IR-absorpti-on spectrometry for the carbon in silicon as the combination with charged particle activation analysis.-Anal.Chem. 1972, v.44,p.2258−2264.
  38. Poline IJ.T., Tanaka S., Amono Н. et al. Euclear reactions of 69 n Г/Гja and ItGL With 13−56 MeV protons.-Uucl.Phys. 1963, v.43, 113, p. 500−522.
  39. Ilatowitz J.B. and Wolke R.L.Isomeric Gross Sections and Yield Ratios of (d, P) Reactions below 15 MeV.Phys.Rev., 1967, v.155,N4,p.1352−1361.
  40. E.A., Юпочарев А. П., Ракивненко Ю. Н., Романии И.A. Функции возбуждения {Р, П) и (Р реакции на изотопах кадмия. Изв. АН СССР, 1975, т.39, № I, с.24−30.
  41. Otozai K., Kuse S., Okamura H. et al. Excitation functions for deiteron-induced reactions.-Nucl.Phys., A,1968,v.107,N 2, p.427−435.
  42. Debuyst R. and Vander Striht A. Excitation functions and80n SO/ЯПyield ratios for the isomeric pair и*-, Uc formed in (d, 2*li)у (ol, P/t J an? 2ft) reactions on selenium.-J.Inorg.lmcl.Chem., 1968, v.30,H3,p.691−698.
  43. Paul P. Goetzee and Max Peisach. Activation Gross Sections for Deuteron-Inauced Reactions on some elements of the First Transition Series up to 5,5 MeV.-Radiochim.acta, 1972, v17,H1, p.1−6.eR
  44. П.П., Панарин М. В., Дмитриева З. П. Выходы D7, в ядерных реакциях с г, к- и .- Атомная энергия, 1982, т.52, в.1, с. 72.
  45. Bowen L.H. and Ivvine J. Y/.Uuclear Excitation Functions^and1. Thick-Target Yields
  46. T, Жгг, % (d, T) and Phys.Rev.1962,v.127,N5,p.1698−1704.
  47. .С., Саидбеков Д. Т., Юлдашев Т. Ф. Растворимость Мп* SiC. Изв. АН УзССР сер. физ.-мат.наук, 1977, .ь 4, с. 78−79.
  48. Г. Н., Демидов A.M., Котельников Г. А. и др. Определение содержания кислорода в германии и кремнии при активации ионами гелия-3. В кн.: Методы определения и исследования состояния газов в металлах. М.: Наука, 1968, с. 102−108.
  49. Г. Н., Демидов А. Н., Борисов Г. И. и др. Определение содержания кислорода и углерода в некоторых чистых материалах активацией ионами Нв . В кн.: Активационный анализ. Ташкент: ФАН, 1971, с.210−214.
  50. Aleksandrova G.I., Shmanenkova G.I., Shulepnikov M.U. et.al. Analyse de metaux rares et de materiaux semiconductors a’l aide de 1'activation aux nelions-3 et aux neutrons thermi-ques, -J.Radioanal.Chem.1974,v.19,N1,65−75.
  51. Н.М., Кудинов Б.С. Определение углерода, азота и кислорода в редких металлах и полупроводниковых материалах
  52. J -активационным методом с чувствительностью %.- В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.222−231.
  53. Н.Н. Физические основы активационного анализа на заряженных частицах. Атомная энергия, 1969, т.26, вып. З, с.284−285.
  54. Н.Н., Дмитриев П. П., Константинов Н. О. Сравнение способов определения примесей углерода и кислорода методом активационного анализа на различных заряженных частицах.
  55. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.173−180.
  56. В.А., Мухаммедов С. Состояние и перспективы развития ядерно-физических методов анализа на заряженных частицах. В кн.: Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент, ФАН, 1980, с.4−40.
  57. Н.Н., Дмитриев П. П., Дмитриева 3.П.Константинов H. Q
  58. Г. А. Выходы изотопов .. при облученииуглерода и кислорода заряженными частицами. Атомная энергия, 1969, т.27, вып.2, с.125−128.
  59. А.П., Корниенко Н. Д., Литовченко Н. Г. Определение содержания кислорода в кремнии и карбиде кремния путем активации ^ -частицами с энергией 27,2 МэВ. В кн.:Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.184−188.
  60. Schuster E., Wohleben К. The nondestructive determination of Carbon in Silisium to use reaction 'X (d, n)'SH -г .Anal. Chim., 1961, v. 24, Ю, p. 175−183.
  61. П.Н. Радиоактивационный анализ примесей в карбиде кремния. В кн.: Карбид кремния. М.: Мир, 1972, с.290−300.
  62. Tilbury S., Wall V/.IT.Activation analysis by high energy particles .-nucleonics.1965,v.29,H9,p.70−78.
  63. Nozaki T., Yatsurugi Y., Akiyama N.et.al.Behaviour of light impurity elements in the production of semiconductor silicon. -J.Radioanal.Chem. 1974, v. 19, IT 1, p.109−128.
  64. Debrun J.L., Barrandon J.N. and Behaben P. Irradiation of elements from to 42 with 10 MeV proton and application to activation analysis.-Anal.Chem.1976,v.48,N1,p.167−172.
  65. И.E., Горбунов Ю. Н., Козырь Н. Я. Микроэлектроника. М.: Высш. школа, 1977, 416 с.
  66. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. ГЛ.: Энергия, 1973, 655 с.
  67. И.П., Литвиенко А. Г., Лучаков П. Ф., Мишук С. В., Ткачев В. О комплексах кислород-дивакансия в кремнии. ФТП, 1972, т.6, в.10, с.2048−2050.
  68. Р.Ф., Лебедев А. А. Влияние кислорода на характеристики приборов с Р -It переходами. Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1978, вып.7 (102), с.4−6.
  69. В.Н. 0 влиянии кислорода на проводимость кремния. ФТТ, 1964, т.6, с.847−851.
  70. А. Исследование физических проблем применения протонного активационного анализа и разработка методов определения примесей в легких сплавах. Диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1982, с.32−38.
  71. О.Б., Лейкин Е. М., Яблонин К.И.Стабильный одноламповый интегратор для мониторов ядерных излучении. -Приборы и техника эксперимента, 1963, Ш 3, с.82−84.
  72. .В. Исследование и разработка некоторых проблеми методов активационного анализа на циклотроне. Автореф.диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1978, 16 с.
  73. О.Ф., Гофман Ю. В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова Думка, 1975, 415 с.
  74. .В., Константинов Н. О., Краснов Н. Н. Использование протонов с энергией II МэВ в активационном анализе. -Атомная энергия, 1977, т.42, вып.4, с.311−314.
  75. Schweikert Е.А. Advances in accelerator based analysis techniques .-J.Radioanal.Chem. 1981,111 -2, p. 195−212.
  76. С. Исследование протонно-активационного анализа некоторых легких и средних элементов. Диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук, Ташкент, 1973, 125 с.
  77. В.Н., Бломкин Э. П., КОпцева Ю.А. Электронная техника. Полупроводниковые приборы, 1967, вып.1, № I, с.27−30.
  78. П.М., Лазарева Г. В., Орлова Е. В. и др. Об условиях температур 600−800°С. Физика и техника полупроводников, 1978, т.12, № I, с. 121.
  79. Haas G.T. The Diffusion of oxygen in Silicon and Germanium. -J.Phys.Chem.Solids, 1960, v.15,N1,p.108−111.83. bogan R.A. and Peters A.J. Diffusion of oxygen in silicon. -J.Appl.Phys., 1959.v.30,11 11, p. 1927−1929
  80. Г. Ф. Исследование характера распределения и растворимости ряда примесей в монокристаллах карбида кремния методами нейтронно-активационного анализа. Автореферат на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1973, 15 с.
  81. Н.Б., Никитина И. П., Ситникова А. А. и др. Изучение изменения структурного совершенства безтигельного кремния в результате высокотемпературной обработки. ФТТ, 1979, — 124 -в. 21, № 5, с.1376−1380.
  82. Н.Г., Дмитриев П. П. Квантовое излучение радиоактивных нуклидов. М.: Атомиздат, 1977, 397 с.
  83. В.А. Исследование и разработка основных проблем и методов комплексного использования циклотрона для элементного анализа. Автореф.диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1973, 22 с.
  84. В.А., Мухаммедов С., Султанов В., Рахманов А. Определение содержания кислорода, углерода и азота по ядерным реакциям на заряженных частицах. Изотопы в СССР, 1977, № 50, с. 40−44.
  85. . Исследование и разработка методов определения содержания углерода, азота и кислорода активацией на заряженных частицах. Автореф.диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1977, 16 с.
  86. Р.А. Исследование методов определения элементов сi? от 12 до 30 и Мо на заряженных частицах. Автореф.диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1977, 17 с.
  87. С.В., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент, АН УзССР, 1962, 225 с.
  88. Krivan K., Krivan V. Thick target yields and analytical sensitivity for reactions induced v/ith 12 IvIeV protons Ti, Fe, Zh,, Ж Pd, Та and V/.-Z.Anal.Chem., 1979, v.259, 114, p. 348−355.
  89. Hershberger R.L., Flirm D.D., Gabbard F. and Jonson C.H.
  90. Systematica of pronon absorption deduced from (Py P') andп 107,109 л
  91. H, Ft) cross sections for 2j6,7 MeV pcotons on rtQ5V сand JH -Phys.Rev.C., 1980, v.21,КЗ, p.896−901.
  92. А.А., Султанов H.A., Тучкевич B.M. // -образное отрицательное сопротивление и фотопроводимость Р Si с примесью серы. ФТП, 1971, 5, с.22−38.
  93. М.С. Электрофизические свойства кремния, легированного элементами платиновой группы. Известия АН УзССР, сер. физ.-мат.наук, 1979, № 3, с.47−49.
  94. Carlson R.О., Kali R.N., Rell E.M.Sulfer in silicon.-J.Phys. Chem. Solids, 1959, v.8,N1,p.81−83.
  95. M.C., Каримов M. Растворимость серы в кремнии. Изв. АН УзССР, сер.физ.-мат.наук, 1978, № 2, с.80−82.
  96. Zatolokin B.V., Konstantinov И.О., Krasnov N.N.Thich Target1. ЪЧнг гп 5 S пfyields of it and Li produced by varionscharged particles on phosphorus, sulphur and clorine targets-Int.J.Appl.Radiat.Isotop., 1976, v.27,КЗ, p.159−161.
  97. Krasnov N.N., Konstantinov I.0., Malukhin V.V.Investigation of the depth distribution of impurities by charged-particle activation.-J.Radioanal.Chem., 1973, v.16,439−444.
  98. Г., Витман Р. Ф., Воронков В. Б., Лебедев А. А., Мухаммедов С. Влияние диффузантов на распределение кислорода в дислокационном кремнии. Физика и техника полупроводников. 1981, т.15, вып. 7, с.1436−1438.
  99. Г., Витман Р. Ф., Воронков В. Б., Лебедев А. А., Муминов В. А., Мухаммедов С. Исследование влияния условий термообработки на концентрацию кислорода в кремнии. Преобразовательная техника. 1979, вып. 9(116), с.1−3.
  100. Г., Муминов В. А., Мухаммедов С. Многоэлементный анализ полупроводникового кремния активацией на заряженных частицах. Докл. АН УзССР, 1979, № 9, с.33−34.
  101. А., Вакилова Г., Мухаммедов С. Функции возбуждения
  102. Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат. 1981, № 3, с.93−94.
  103. Г., Султанов Б. Определение содержания кислорода- В кн.: Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент: ФАН, 1980, с.74−78. 109. Вакилова Г., Витман Р. Ф., Воронков В. Б., Лебедев А. А.,
  104. В.А., Мухаммедов С., Рожков В. М. Исследование диффузии кислорода в кремнии различными методами. В кн.:Легирование полупроводников. Москва, Наука, 1982, с.114−120.ядерных реакций типа (Р, tl) на изотопахпо реакцииво фторсодержащих материалах.
  105. Г., Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Мухаммедов С. К вопросу о поведении кислорода при высокотемпературной обработке. Физика и техника полупроводников. 1982, № 12, с.2204−2207.
  106. Г., Васидов А., Мухаммедов С., Султанов Б., Рахманов А. Влияние основы при анализе полупроводниковых материалов активацией дейтронами. Тезисы Ш-Республи-канской конференции молодых физиков. Ташкент: ФАН, 1976, с. 140.
  107. Г., Муминов В. А., Мухаммедов С. Методика определения распределения кислорода в кремнии активацией заряженными частицами. Активационный анализ в науке и технике. Ташкент: ФАН, 1980, с.120−126.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!