Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
Диссертация
CdHgTe — диэлектрик и до настоящего времени остается одной из существенных проблем изготовления диодов. В связи с этим, перспективным является изготовление диодов на слоях CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), так как этот метод позволяет увеличивать ширину запрещенной зоны полупроводника вблизи поверхностей увеличением содержания CdTe в пленке и, таким образом… Читать ещё >
Список литературы
- Kinch М.А., Buss D.D. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors. — Ed. By D.L. Carter, R.T.Bate, 1970.
- Wiley J.D., Dexter R.H. Helicons and nonresonant cyclotron absorption in semiconductors. Pt. II: HgixCdxTe //Phys.Rev., Semic.series.-1969.-Vol.181, No3 p.1181−1190.
- Scott M.W. Energy gap in Hgi. xCdxTe by optical absorption // J.Appl.Phys. -1969. -Vol.40, N10 -p.4077−4081.
- Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in HgixCdxTe. J.Appl.Phys 1982, Vol. 53, No. 10, p. 7099 -7101
- Hansen G.L., Schmit J.L. Calculation of intrinsic concentration in Hg!"xCdxTe. J.Appl.Phys 1983, Vol. 54, p. 1639
- Nemirovski Y., Finkman E. Intrinsic carrier concentration of Hgb xCdxTe//J.Appl.Phys.-1979.-Vol.50, N12.-p.8107−8111.
- Verie C. Sur la structure de bsndes des alliages HgTe-CdTe //Phys.Stat.Sol. -1966. -Voll7,N2. -p.889−901
- Beattie A.R. Quantum efficiency in InSb //J.PhysChem.Solids.-1962.-Vol23,N8.-p.1049−1056
- Beattie A.R., Smith G. Recombination in semiconductors by a light hole Auger transition //Phys.Stat.Sol. I067.-Voll9, N2.-p.577−586
- Petersen P.E. Auger recombination in HgixCdxTe // J.Appl.Phys. 1970.-Vol.41, N8.-p.3465−3467
- Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transitions in p-type (Hg, Cd) Te //Solid-St.Comm.-1980.-Vol.33, N6. -p.615−619
- Casselman T.N. Calculation of Auger lifetime in p-type HgixCdxTe //J.Appl.Phys. 1981, vol.52, N2, p.848−854
- Kinch M.A., Brau M.J., Simmons A. Recombination mechanisms in 8 14 -mkm HgCdTe.// J.Appl.Phys. 1973, Vol. 44, No. 4, p. 1649 -1663
- Van Roosbroeck W., Shockley W. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium //Phys.Rev. 1954. Vol94, N6. P-1558−1580
- Shockley W., Read W.T. Statistics of recombinations of holes and electrons//Phys.Rev. 1952. Vol.87, N5. P.835−842
- Kinch M.A. Electronic properties of HgCdTe //J.Vac.Sci. and Tech.-1982.-vol.21,N1 p.215−219
- R.G.Pratt, J. Hewett, P. Capper et al. Minority carrier lifetime in doped and undoped n-type CdHgTe// J.Appl.Phys.-1966. Vol.60, N7. P.2377−2385
- Lacklison D.E., Capper P. Minority carrier lifetime in doped and undoped p-type CdHgTe //Semic.Sci.Technol.-1987, vol.2,N1 .p.33−43
- Fastow R., Goren D., Nemirovslci Y. Shockly-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe //J.Appl.Phys. 1990, vol.66, N7, p.3405−3412
- Dornhaus R., Nimte G. The properties and applications of the HgixCdxTe alloy system //Berlin: Narrow-gap Semiconductors, 1986, p.119−271
- Scott W., Stelzer E.L., Hager R.J. Electrical and far-infrared optical properties of p-type Hgj. xCdxTe //J.Appl.Phys. -1976. Vol.47, N4. P.1408−1414
- Nimtz G., Bauer G., Dornhaus R., Muller K. Transient carrier decay and transport properties in Hgi"xCdxTe //Phys.Rev.B, 1974. Vol 10, N8, p.3302−3310
- Chattopadhyay D., Nag В., Mobolity of electrons in HgixCdxTe //J. Appl.Phys., 1974, vol.45, N 3, p.1463−1465
- J.Dubowski, Т. Dietl, W. Szymanska, R. Galazka //J.Phys.Chem.Solids. 1981. Vol. 42 N5, p, 351−362
- Meyer J.R., Bartoli F.J., Hoffman C.A. Majority-carrier mobility in p-type HgixCdxTe //J.Vac.Sci.Technol.A., 1987, vol5, N5, p.3035−3039
- W.Zawadski, A. Mauger, S. Otmezguine, C. Verie Spin-flip electron scattering in the zero-gap semiconductor Hg0.785Cd0.2i5Te //Phys.Rev.B, 1977, vol.15, N2, p.1035−1038
- Hass K.S., Ehrenreich H., Velicky В Electronic structure of Hg).xCdxTe //Phys.Rev.B., 1983, vol.27, N2, p.1038−1100
- Ehrenreich H. Screening effects in polar semiconductors //J. Phys. Chem.Sol. 1959, vol.8, N1, p. 130−135
- C.J.Summers, B. Darling, B.J. Martin Computer modeling of carrier transport in (Cd, Hg) Te Photodiodes J.Appl.Phys., 59,7,1986, p.2459
- O.P.Agnihotri, C.A.Musca and L. Faraone Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors//Semicon.Sci.Technol 13, pp.839−845, 1998
- Marine J., Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ion-implanted Hgi"xCdxTe //Appl. Phys.Lett. 1973, vol23, N9, p.450−452
- Igras E., Piotrowski J. Investigation of ion implanted graded gap (Cd, Hg) Te photodiodes //Electr.Technol. -1977. VollO, N4. P.63−70
- Spears D.L. Planar HgCdTe quadrantal heterodyne arrays with GHz response at 10,6 mkm //infr.Phys. 1977, voll7, N1, p.5−8
- Th.Harman Controlled p-type Sb doping in LPE Grown HgixCdxTe epilayers J. Electr.Mater. v.22, N9, 1993
- G.L.Destefanis Electrical doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment //J.Crist.Growth, 86 (1988), p.700−722
- G.L.Destefanis Indium ion implantation in Hgo.78Cdo.22Te/CdTe //J.Vac.Sci.Technol. A 3(1), Jan/Feb 1985
- L.O.Bubulac, W.E.Tennant, D.S.Lo Ion implanted junction formation in HgixCdxTe J. Vac.Sci. Technol. A5,1987
- W.Li, J.D.Patterson Deep defects in narrow-gap semiconductors Physical Review B, 15 november, 1994, 14 903−14 910
- S. Murakami, T. Okamoto, K. Maruyama, H. Takigawa Iodine doping in mercury cadmium telluride (Hgi.xCdxTe) grown by direct alloy growth using metalorganic chemical vapor deposition //Appl.Phys.Lett. 63 (7), 16 August 1993
- Войцеховский А.В., Кирюшкин E.M. и др Ускоренная диффузия индия в HgixCdxTe под воздействием облучения ионами при Т=300 К//ФТП, том.22, вып.12, 1988
- Талипов Н.Х. Формирование слоев n-типа проводимости при радиационно-термических обработках кристаллов р- HgixCdxTe // Диссерт. На соиск.канд. физ-мат.наук., Новосибирск, 1994.
- Rogalski A., Piotrowski J. Progr. Quant. Electron., v. 12 (2−3), 87−289,(1988)
- Briggs R., Shanley J Hg diffused HgixCdxTe photodiodes for LWIR detect applications //Int. El. Dev.Meet. Washington, N.Y., 1984. P.393−396
- Н.Х.Талипов, В. П. Попов, И. Г. Ремесник, З. А. Налькина Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов р- CdHgTe (х=0,2) ФТП, 2261,310 (1992)
- Fiorito G., Gasperrini G., Svelto F. Properties of Hg implanted Hgi xCdxTe infrared detectors //J.Appl.Phys. 1978. Vol.17,N1, p.105−110
- Fiorito G., Gasparrini G., Svelto Advance in Hg implanted HgbxCdxTe photovoltaic detectors //Infr.Phys. 1975, vol.15, N4 p.287−293
- Chih-Tang Sah, Robert N. Noyce, William Shockley Proceedings of the IRE, 1228−1243 (September 1957)
- W.W.Anderson Tunnel contribution to HgixCdxTe and PbixSnxTe p-n junction diode characteristics // Infrared Physics v.20, 353−361 (1980)
- W.W. Anderson Trap-assisted tunneling in CdHgTe Appl.Phys.Lett. 41(11), 1080−1082 (1982)
- Jacob Y. Wong Effect of trap tunneling on the performance of long-Wavelength Hgi. xCdxTe photodetectors 11 IEEE Transitions on Electron Devices, vol. ed-27, (1), 48−57, (1980)
- T. Ipposhi, K. Takita, K. Murakami and K. Masuda Hg content and thermal stability of the anodic sulfide films on HgixCdxTe investigated by 30−40MeV 05+ ion backscattering //J.Appl.Phys, 63 (1), January 1988
- C.R. Helms Properties of HgixCdxTe native oxide interface //J.Vac.Sci.Technol.A (2), Mar/Apr. 1990
- S.M. Zse Physics of Semiconductor Devices John Wiley & Sons, New York, 1981
- E.H.Nicollian, J.R.Brews MOS Physics and Technology John Wiley & Sons, 1982
- B.H.Овсюк Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда Новосибирск, 1984
- Y.Nemirovski J. Vac Sci. Technol А8 1185, 1990
- Beck J.D., Kinch M.A., Esposito E.J., Chapman R.A. MIS physics of native oxide- Hgi. xCdxTe interface J.Vac.Sci.Technol, 21(1), 1982
- J.A. Wilson, V.A.Cotton Electrical properties of the Si02: HgCdTe interface J. Vac.Sci.Techn A3(l), 1985
- H. Huang, F. Tong, D. Tang Experimental evidance for the transition of different indirect tunneling processes in p-HgCdTe Appl.Phys.Lett., V.72, N 11, p.1377−1379, 1998
- Vishnu Gopal Variable-area diode data analysis of surface and bulk effects in HgCdTe photodetector arrays // Semic, Sci, Technol. N9, p.2267−2271, 1994
- R.K. Bhan, S.K.Koul, V. Dhan, S. Gupta Tunnel contribution in CdHgTe Semicond.Sci.Techn., N11, p.1901, 1996
- O.P. Agnihorti, C.A.Musca and L. Faraone Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors Semicon.Sci.Technol 13, p.839−845, 1998
- V.Dhar, R.K.Bhan, R. Ashokan and V. Kumar Quasi-2D analysis of the effect of passivant on the performance of long-wavelength infrared HgCdTe photodiodes //Semicon.Sci.Technol., 11 (1996) 1302−1309
- R.E.DeWames, G.M.Williams, J.G.Pasko and H.B.Vanderwyck Current generation mechanisms in small band gap HgCdTe p-n junctions fabricated by ion implantation //J.Crys.Growth., 86 (1988), 849−858
- R.K. Bhan, S.K.Koul, V. Dhar and Sudha Gupta Identification of trap-assisted tunneling in a constant-current mode in HgCdTe photodiodes // Semic.Sci.Technol., 11, 1996, 1901−1905
- H.Heukenkamp and Hoerstel Trap Tunneling on HgCdTe n±p Junctioms Fabricated by Ion Implantation //Phys.Stat.Sol. (a) 120,485 (1990)
- Placzek-Popko E., Pawlikowski J.M. Non-elastic tunneling in CdHgTe IEEE Trans. Electron. Dev.,, vol. ED-32, (4), 842−844, (1985)
- B.B. Тетеркин, С. Я. Сточанский, Ф. Ф. Сизов Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-HgixCdxTe и свойства диффузионных р±п переходов на их основе //ФТП, 1997, т.31, N3, р.350−354
- R.S.List Electrical effects of dislocations and other Cristalographic defects in Hgo.7sCdo.22Te n-on-p photodiodes Journal of Electronic Materials, v.22, N8, 1993
- J.Yoshino, J. Morimoto, Study of deep levels in mesa type HgCdTe Device Jpn.J.Appl.Phys vol.37 (1998) p.4027−4031
- Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G. et al. The growth of high-quality MCT films by MBE using in-situ ellipsometry// Cryst.Res.Technol 1994, 29, p.931
- D.G.Esaev A.I.Kozlov A.G.Klimenko A.I.Krymsky et al. Focal plane arrays based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates Proseedings SPIE, v. 3061, p.956−966, 1997
- T.Kanno, M. Saga, et al. Development of LPE grown HgCdTe vol 2020 Infrared Technology XIX, pp 49, 1993
- Arwin H., Aspnes D, Rhiger D Properties of HgCdTe and some native oxides by ellipsometry // J.Appl.Phys. 1983, 54, p.7132
- А.А.Денисов, Г. С. Дорджин и др. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней Обзоры по эл. Технике вып 8(1202), 1986
- D.Aspnes and Н. Arwin Nondestructive analysis of HgCdTe by spectroscopic ellipsometry J.Vac.Sci.Technol., A2(3), 1309 (1984)
- N. Mainzer, E. Weiss, D. Laser, M. Shaanan Effects of anodic fluoro-oxide on stability of HgCdTe J. Vac.Sci.Technol., A7(2), 460 (1989)
- Nakhmanson R.S. MIS device physics Phys. Stat. Sol. t.7, 3439 (1965)
- Васильев В.В., Дроздов В. Н., Салеева Г. Ю. Свойства слоев Si02, полученных окислением моносилана кислородом при 100С// Хим. физика, 1992, 1 1, 1683
- Аззам 3., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М: Мир, 1981
- М.С.Gold and D.A.Nelson Variable magnetic field Hall effect measurements and analyses of high purity Hg vacancy (p-type) HgCdTe J. Vac Sci. Technol. A4 (4), 1986
- А.Г.Клименко, В. Г. Войнов, А. Р. Новоселов Устройство и метод измерения пластической деформации образцов микронных размеров ПТЭ, 1996, № 4, С1
- I.Harnert and M. Schenk New defect etchents for CdTe and CdHgTe, J. Crys. Growth 101, 251−255,1990
- Михайлов H.H., Мищенко A.M, Ремесник В. Г. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHg|.xTe", Патент № 2 022 402, зарегистрирован в Государственном реестре 30.10.94
- А.В.Войцеховский и В. Н. Давыдов Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников, Радио и связь, Томск (1990) ISBN 5−256−498−083.
- П.И.Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, С. М. Комиренко Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdHgTe ФТП, т.24, № 1, 1990
- С.Г.Гасан-заде, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский Фотоэлектрические явления в n-CdHgTe при одноосной деформации ФТП, т.17, № 11,1983
- В.В.Васильев В. Г. Войнов Д.Г.Есаев И. В. Марчишин А.Г.Клименко и др. Фокальные фотоприемные матрицы на основе гетеро- эпитаксиальных слоев КРТ, выращенных методом МЛЭ на подложках из GaAs. Оптический журнал № 1, 1998 г
- D.G.Esaev, A.G.Klimenko, A.I.Krymsky, I.V.Marchishin, V.N.Ovsyuk & etc. Focal plane arrays based on HgCdTe epitaxial layers MBE-grown on GaAs substrates Proseedings SPIE v 3061, p.956−966, 1997