Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
Диссертация
Интерес к исследованиям поверхности и границ раздела возник достаточно давно, а в последние годы стимулируется развитием микрои нанотехнологии, общей тенденцией к миниатюризации приборов и устройств электроники, проявляющейся в уменьшении толщины рабочих структур, синтезом сложных многослойных и наноструктурированных композиций. Очевидно, что указанная тенденция должна приводить к заметному… Читать ещё >
Список литературы
- Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М: Наука, 2006.
- Фелдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989.
- Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Под. ред. Д. Бриггса и М. П. Сиха. М.: Мир, 1987.
- Вудраф Д., Делчар Т., Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989.
- Методы анализа поверхностей. Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979.
- Карлсон Т. А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. Л. Машиностроение, 1981.
- Seah М. P., Dench W. A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surface and Interface Analysis. 1979. Vol. l.P.2−11.
- Garcia J. D., Fortner R. G., Kavanagh Т. M., Inner-Shell Vacancy Production in Ion-Atom Collisions / Rev. Mod. Phys. 1973. 45, № 2. С. 111 177.
- Л. Д. Ландау и E. M. Лившиц, Квантовая механика. M.: Наука, 1989.
- Hofman S. Quantitative depth profiling in surface analysis: A review // Surface and Interface Analysis. 1980. Vol. 2. P. 148.
- Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров, Ионно-плазменная обработка материалов, М.: Радио и связь, 1986.
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. / Под. ред., Р. Бериша, М.: Мир, 1984.
- Демин Ю. А., Демченко Е. Л.,. Ильин В. А., Лучинин В. В., Петров А. А., Феоктистов М. Ю. Аппаратура и программные средства для создания электронно-зондовых аналитических приборов // Научное приборостроение. РАН. 1999. Т.9, № 2. С. 14−20.
- Петров А. А., Писаревский М. А. Методика и аппаратно-програмные средства растровой электронной Оже-спектроскопии. ПТЖ, 2000. № 3. С. 75— 85.
- Лучинин В.В., Таиров Ю. М. Карбид кремния — материал экстремальной электроники. //Петербургский журнал электроники. 1996. Вып.З. С.53−78.
- Таиров Ю. М. Высокотемпературная электроника на основе карбида кремния. // Сб. науч. тр. Радиоэлектроника в СПбГЭТУ. 1995. Вып.1. С. 87−90.
- Алтайский Ю. М., Литвинский Ю. Н. Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники. Информационно-аналитический обзор. М.: ЦООНТИ «ЭКОС». 1984. 55с.
- Афанасьев А. В., Ильин В. А., Петров А. А. Высокотемпературные диоды Шоттки на основе SiC. // Петербургский журнал электроники. 2000. № 34. С. 12
- Сараапо М. A., Trew R. J. Silicon carbide electronic materials and devices. // MRS Bulletin. 1997. — V.22, N 3. P. 19−22.
- S. D. Peteves, P. Tambuyser, P.Helbach. Microstructure and microchemistry of the Al/SiC interface. // J. of Mat.Science. 1990. — V.25. — P.3765−3772.
- Балландович В. С., Омар О. А, Попов В. А. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на основе n-SiC и n-GaP// Изв.ЛЭТИ. 1979. 250, № 20. С.20−29.
- Веренчикова Р. Г., Санкин В. И. Поверхностно-барьерный диод Cr-SiC — фотодетектор УФ-излучения.// Письма в ЖТФ. 1988. том 14, вып.19. С. 17 421 746.
- S. Liu, К. Reinhardt, С. Severt Thermally stable ohmic contacts on n-type 6H-and 4H-SiC based on silicide and carbide // Silicon Carbide and Related Mat. Proc. Conf. Kyoto. Japan. 1995. Ser. N142. P. 589−592.
- А. В. Афанасьев, Ильин В. А., Петров А. А. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния //ЖТФ. 2001.Т. 71, вып. 5. С. 78−82.
- Патент РФ на изобретение № 2 166 221 Афанасьев А. В., Ильин В. А., Петров А. А. Высокотемпературный полупроводниковый прибор и способ его изготовления. 27 04. 2001 г
- М. G. Rastegaeva, А N. Andreev, A. A. Petrov, A. I. Yagovkina, I. Р. Nikitina. //Materials Science and Engineering В. 1997. Vol. 46. P. 254.
- Дорожкин А. А., Крысов Г. А., Петров А. А, Оже-спектроскопия при ионном облучении как метод контроля поверхности твердых тел // ЖТФ. 1978. Т. 44. С. 526.
- Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н, Структура энергетических спектров при облучении твердых тел ионами средних энергий // ФТТ. 1978. Т. 20, вып. 9. С. 2867 2869.
- Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н. О роли Оже-процессов в ионно-электронной эмиссии, вызываемой легкими частицами // ФТТ. 1978. Т. 20, вып. 4, С. 1270- 1272.
- Дорожкин А. А., Петров А. А, Петров Н. Н, Ионная Оже-спектроскопия и химическая связь в соединениях// ФТТ. 1979. Т. 31 В. 3. С. 930 931.
- Петров А. А. Исследование энергетических спектров Оже-электронов при облучении твердых тел ионами средних энергий: Дис.. канд. физ. мат. наук / ЛПИ им. М. И. Калинина. JI. 1982.
- Мотт М., Месси Г. Теория атомных столкновений. М: Мир, 1976.
- Никитин Е. Е., Уманский С. Я. Неадиабатические переходы при медленных атомных столкновениях, М.: Атомиздат, 1979.
- Экштайн В. В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995.
- Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир, 1965.
- Петров А. А. Ионная Оже-спектроскопия карбида кремния // Изв. ЛЭТИ. 1992. Вып. 457. С. 22−25.
- Prewett P. D., Jefferiess D. К., J. Focused ion beam repair: staining of photomasks and reticles// Phys. D. Appl. Phys. 1980. Vol. 13. P. 1747.
- Мюллер Э. и Цонь Т. Автоионная микроскопия (принципы и применение). М.: Металлургия, 1972.
- Gomer R. Adsorption and Diffusion of Inert Gases on Tungsten // J. Chem. Phys. 1958. Vol. 29. P. 441 443.
- Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики М.: Высшая школа, 1963.
- Biersack J. P. Eckstein W. Sputtering studies with the Monte Carlo Program TRIM. SP // Appl. Phys. 1984. A 34. P. 73.
- Woods J. F. Investigation of the Photoconductive Effect in Lead Sulfide Films Using Hall and Resistivity Measurements // Phys. Rev. 1957. Vol. 106. P. 235.
- Volger J. Note on the Hall Potential Across an Inhomogeneous Conductor // Phys. Rev. 1950. Vol. 79. P. 1023.
- Devis L. and Greene R. F. Interpretation of hall effect data in PbS polycrystalline films //. Appl. Phys. Letts. 1967. Vol. 11. P. 227.
- Snowden D. P. и Portis A. M. Electrical Structure of PbS Films // Phys. Rev. 1983. Vol. 120. P. 1960.
- Petritz R. L., Lummis F. L. Surface studies on photoconductive lead sulfide films / Semiconductor Surface Physics. UPP: Philadelphia, 1957.
- Кайданов В. И., Немов С. А.,. Равич Ю. И. Самокомпенсация электрически активных примесей. // ФТП. 1994. Т. 28, вып. 3. С. 369 — 384.
- Немов С. А., Осипов П. А. Примесь Bi в PbSe // ФТП. Т. 35, вып. 6. С. 731 -777.
- Zykov V. A., Gavrikova Т. A., Nemov S. A. Characteristics of self-compensation in PbSe: CI: Se films // Semiconductors. 1996. Vol. 30. P. 4.
- Zemel J. N., Jensen J. D. Electrical and Optical Properties of Epitaxial Films of PbS, PbSe, PbTe, and SnTe // Phys. Rev. 1965. Vol. 140, № 1 A. P. A330.
- Harada R. H., Properties of PbS thin films according to the thermal annealing/ J. Chem. Phys. 1956. Vol. 24. P. 447.
- Midden H.T. Oxidization of PbS thin films // Jorn. Chem. Phys 5, 241. 1956
- Humphrey J. N. Scanlon W. W. Funneling of PbS in different gas atmospheres//Phys. Rev. 1954. Vol. 96. P. 259
- Rittner E.S. Concerning the Theoiy of Photoconductivity in Infrared-sensitive Semiconducting Films// Science. 1950. Vol. Ill P. 685.
- Slater J.C. Barrier Theory of the Photoconductivity of Lead Sulfide // Phys. Rev. 1956. Vol. 103. P 1631.
- Taylor W. E. Odel N. H. Fan H. Y. Grain Boundary Barriers in Germanium // Phys. Rev. 1952. Vol. 88. P. 867 972.
- Неустроев JI. H., Осипов В. В. О механизме протекания тока и фототока поликристаллах PbS //ФТП. 1984. Т 18, вып. 2. С. 359−36 244.
- Неустроев JI. Н., Осипов В. В. О фотоэлектрических свойствах мелкозернистых поликристаллических пленок сульфида свинца // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. № 8. С. 12 16.
- Неустроев Л.Н., Осипов В. В. О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS // ФТП. 1987. Т. 21, № 12. С. 2159−2152.
- Неустроев JI.H., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенидов свинца // Микроэлектроника. 1988.Т. 17, вып. 5. С: 399−416.
- Анисимова Н. П., Глобус Т. Р., Николаева Т. Г., Олеск А. О. Подвижности дырок и электронов в поликристаллических фоточувствительных слоях PbSe // ФТП. 1987. Т. 21, № 1. С. 37 41.
- Селиванов Н. М., Шнейдер В. А., Зубова Г. А. О разложении селенатов стронция, бария и свинца // Журнал неорганической химии. 1958. Т. 4, № 5, С. 1299- 1303.
- Кудрявцева Р. В., Семилетов С. А., Переведенцева Г. И. Некоторые структурные и электрические свойства пленок сернистого свинца // Кристаллография. 1967. Т. 12, № 3. С. 109 112.
- Sosnowski L.O., Starkiewicz J., Simpson О. Lead sulphide photocon-ductive cells //Nature. 1947. Vol. 159. P. 818.
- Верцнер В. H., Малахов В. П., Соловьев Н. П. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ЖФХ. 1970, № 1. С. 460 464.
- Нуриев И. Р., Салаев Э. Ю., Шарифова Ф. К. Влияние условий выращивания на структуру, морфологию и электрофизические свойства пленок PbS // Поверхность. 1987, № 2. С. 123 125.
- Петров В. И., Прохоров В. А., Юнович А. Э. // Исследование локальных неоднородностей фоточувствительности и люминесценции пленок халькогенидов свинца в растровом электронном микроскопе // ФТП. 1984.Т. 18, № 3. С. 484−488.
- Streltsov Е. A. Electrochemical deposition of PbSe films // Electrochemical Acta. 1982. Vol. 43. P. 869 873.
- V. A. Zykov, T. A. Gavrikova, S. A. Nemov. Characteristics of self-compensation in PbSe: CI: Se films // Semicondactors. 1996. Vol. 30. P. 4 7.
- Даварашвили О. И., Долгинов Л. М., Елисеев П. Г. и др. Многокомпонентные твердые растворы соединений А4 В6 // Квантовая электроника. 1977. Т. 4., № 4. С. 904 907.
- Зломанов В. П., Новоселова А. В.Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом // ДАН СССР. 1961. Т. 247, № 3. С. 607.
- Абрикосов Н. X. Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А4 Вб— М.: «Наука», 1975.
- Воронина И. П., Семилетов С. А. Получение, структура и некоторые свойства монокристальных пленок селенида свинца // ДАН СССР. 1963. Т. 152, № 6. С. 1350- 1353.
- Зарифьянц Ю. А., Попик Ю. В. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ФТП. 1966, вып. 3. С.456−458.
- Бойкин Н.Б., Кутолин С. А. Физико-химические свойства соединений А4В6, пироэлектриков и основы технологии изготовления РЖ-приемников, М.: Электроника, 1979.
- Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грина, М.: Мир, 1972.
- Алексеева Г. Т., Гуриева Е. А., Константинов П. П., Равич Ю. И. Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия // ФТП. 1957. Т.31, № 5. С. 528.
- Левченко В. И., Постнова Л. И., Дикарева В. В. Некоторые особенности адсорбции кислорода пленками сульфида свинца / ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 3. С. 57−59.
- Поповкин Б. А., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Изучение термодинамического разложения селената и селенита свинца // ЖНХ. 1967.Т. 5, вып. 10. С. 261−264.
- Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32, № 3. С. 465−477.
- Голубченко Н. В., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Влияние примесей на кинетику и механизм термического окисления поликристаллических слоев PbSe // Неорганические материалы. 2006. Т 42, № 9. С. 1040 1049,
- Зломанов В. П. Получение и исследование некоторых физико-химических свойств селенида свинца: Автореф. дис.. канд.^хим. наук. М. 1962. С. 10−12.
- Верцнер В. Н., Малахов В. П., Соловьев Н. П. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS // ЖФХ. 1970, № 1. С. 460 463.
- Гамарц А. Е., Мошников В. А., Чеснокова Д. Б. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях PbixCdxSe, активированных в присутствии паров йода // ФТП. 2006. Т. 40, вып. 6. С. 683 685.
- Simmons J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. P. 1793 1803.
- Simmons J.G., Potential barriers and emission-limited current flow between closely spaced parallel metal electrodes, J. Appl., Phys. 1963. Vol. 34. P. 2581 — 2590.
- Stratton R., Theory of field emission from semiconductors // Phys. Rev. 1962. Vol. 125. P. 67−82.
- Kao К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир, 1984.
- Pitelli Е. Tunnel emission into an insulation film with traps // Solid-State Electron. 1963. Vol. 6. P. 667 710.
- Извозчиков В. А. Тимофеев О. А. Фотопроводящие оксиды свинца в электронике. JL: Энергия, 1979.
- Mott N. F. On the transition to metallic conduction in semiconductors // Can. J. Phys. 1956. Vol. 34. P. 1356 1358.
- Елинсон M. И., Степанов Г. В., Перов П. И., Покалякин В. И., Основные механизмы переноса носителей заряда в пленочных системах. В сб. статей Вопросы пленочной электроники. М.: «Сов. Радио», 1966.
- Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках. Под. ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1969.
- Интегрированные сегнетоэлектрические устройства А. С. Валеев, Б. Н. Дягилев, А. А. Львович и др. // Электронная промышленность. 1994. № 6. С. 75 79.
- Paz de Araujo С. A., Taylor G. W. Integrated ferroelectrics //Ferroelectrics. 1991. Vol. 116. P. 215−228.
- Gerlach G., Suchaneck G. Properties of sputter and sol-gel deposited PZT thin films for sensor and actuator applications: preparation, stress and space charge distribution, self poling // Ferroelectrics. 1999. Vol. 230. P. 109−114.
- Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications//Ferroelectric Review. 1998. Vol. 1,№ l.P. 1−129.
- Storage and erasure of optical information in Pt-PZT-SnC>2 thin film structures / P. V. Afanasjev, V. P. Afanasjev, D. Yu. Bulat et al. // Ferroelectrics. 2005. Vol. 318. P. 35−40.
- Косцов Э.Г. Тонкопленочные пироэлектрические приемники излучения // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: Сб. статей. Вып. 10. М.: Радио и связь, 1989. С. 51 66.
- Petrovsky V. I., Sigov A. S., Vorotilov К. A. Microelectronic applications of ferroelectric films. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 59 68.
- Ferroelectric thin films in integrated microelectronic devices / J.F.Scott, C. A. Paz de Araujo, L. D. Mc. Millan, at. al. // Ferroelectrics. 1992. Vol. 133. P. 47−61.
- Wu S. Y. A new ferroelectric memory device, metall-ferroelectric-semiconductor transistor // IEEE Trans. Electron Devices. 1974. V. ED-21, № 8. P. 499−504.
- Rabson T. A., Rost T. A., He Lin. Ferroelectric gate transistors // Integrated Ferroelectrics. 1995. Vol. 6. P. 15 22.
- BaMgF4 thin film development and processing for ferroelectric FETS / S. Sinharoy, H. Buhay, M. H. Francombe et al. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 217−223.
- Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / Под. ред. В. П. Афанасьева, А. В. Козырева. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд. «Элмор», 2007.
- Сигов А.С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 10. С. 83−91.
- Scott J.F., Pouligny B. Raman spectroscopy of submicron KN03 films. II. Fatigue and space-charge effects // J. Appl. Phys. 1988. 64. P. 1547.
- Nanoscale imaging of domain dynamics and retention in ferroelectric thin films / A. Gruverman, H. Tokumoto, A. S. Prakash et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. 71. P. 3492.
- Direct observation of region by region suppression of the switchable polarization (fatigue) in Pb (Zr, Ti)03 thin film capacitors with Pt electrodes / E. L. Colla, S. Hong, D. V. Taylor et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. 72. P. 2763.
- Quantitative measurement of space-charge effects in lead zirconate-titanate memories / J. F. Scott, C. A. Araujo, В. M. Melnick et al. // J. Appl. Phys. 1991. 70. P. 382.
- Mills G., Gordon M. S., Metiu H. Oxygen adsorption on Au clusters and a rough Au (lll) surface: The role of surface flatness, electron confinement, excess electrons, and band gap // J. Chem. Phys. 2003. 118. P. 4198.
- Brennan C. Model of ferroelectric fatigue due to defect domain interactions // Ferroelectrics. 1993. Vol. 150. P. 199.
- Arlt G., Neumann H. Internal bias in ferroelectric ceramics: Origin and time dependence//Ferroelectrics. 1988. 87. P. 109.
- Vacancy ordering in reduced barium titanate / D. I. Woodward, I. M. Reaney, G. Y. Yang et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. 84. P. 4650.
- Polarization fatigue in ferroelectric films: Basic experimental findings, phenomenological scenarios, and microscopic features / A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla et al. // J. Appl. Phys. 2001. 90. P. 1387.
- Dawber M., Rabe К. M., Scott J. F. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Cond. Mat. 2005. Vol. 1. P. 1−47.
- Watanabe Н., Minara Т., Paz de Araujo С. A. Device effects of various Zr/Ti ratios of PZT thin films prepared by sol-gel method // Integrated Ferroelectrics. 1992. Vol. l.P. 293 -304.
- Glinchuk M. D., Morosovska A. N. Ferroelectric thin film self-polarization indused by mismatch effect // Ferroelectrics. 2005. Vol. 317. P. 125 133.
- Electrical characteristics of 25 nm Pb (Zr, Ti)03 thin films grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition / С. H. Lin, P. A. Friddle, X. Lu et al. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88, № 4. P. 2157−2159.
- Asymmetrical leakage currents as a possible origin of the polarization offsets observed in compositionally graded ferroelectric films / R. Bouregba, G. Poullain, B. Vilquin, G. Le Rhun // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. P. 5583−5591.
- Structural, ferroelectric and optical properties of PZT thin films / S. K. Pandeya, A. R. Jamesa, R. Ramana et al. // Physica B. 2005. Vol. 369. P. 135−142.
- Characteristics of Pt/SrTi03/Pb (Zro, 52, Tio, 48)03/SrTi03/Si ferroelectric gate oxide structure / D. S. Shin, S. T. Park, H. S. Choi et al. // Thin solid films. 1999. Vol. 354. P. 251−255.
- Sputter-deposition of lll.-axis oriented rhombohedral PZT films and their dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties / M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. Vol. 26. P. 550−553.
- Ferroelectric film self-polarization / E. Sviridov, I. Sem, V. Alyoshin et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1995. Vol. 361. P. 141−146.
- Stresses in Pt/Pb (Zr, Ti)03/Pt thin-film stacks for integrated ferroelectric capacitors / G. Spierings, G. J. Dormans, W. G. Moors et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P .926−933.
- Self-polarization effect in Pb (Zr, Ti)03 thin films / A. L. Kholkin, K. G. Brooks, D. V. Taylor et al. // Integrated Ferroelectrics. 1998. Vol. 22. P. 525−533.
- Self-polarization in PZT films / K. W. Kwok, B. Wang, H. L. W. Chan et al. //Ferroelectrics. 2002. Vol. 271. P. 69−74.
- Jimenez R., Alemany C., Mendiola J. Top electrode induced self-polarization in CSD processed SBT thin films. // Ferroelectrics. 2002. Vol .268. P. 131 136.
- Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / В. П. Афанасьев, И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. С. 739−744.
- Hiboux S., Muralt P. Origin of voltage offset and built-in polarization in in-situ sputter deposited PZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 2001. Vol. 36. P. 83 -92.
- Glinchuk M. D., Morosovska A. N. Ferroelectric thin film self-polarization indused by mismatch effect // Ferroelectrics. 2005. Vol. 317. P. 125−133.
- Polla D. L. Microelectromechanical systems based ferroelectric thin films // Microelectronic Engineering. 1995. Vol. 29. P. 51 58.
- Whatmore R. W. Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology // Ferroelectrics. 1999. Vol. 225. P. 179 192.
- Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир. 1974.
- Xu Yu. Ferroelectric materials and their applications. Amsterdam-London
- New York-Tokyo: N. Holland, 1991.
- Electrodes for ferroelectric thin films / H. N. Al-Shareef, K. D. Gifford, S. H. Rou et al. // Integrated Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 321−332.
- Афанасьев В. П., Пронин И. П., Соснин А. В. Сегнетоэлектрические пленки для многослойных структур на диэлектрических подложках. // Препринт Международного центра «Институт прикладной оптики» НАН Украины. Киев, 1996. С. 54.
- Формирование и исследование свойств пленок цирконата титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В. П. Афанасьев, Е. Ю. Каптелов, Г. П. Крамар и др. // ФТТ. 1994. Т. 36, вып. 6. С. 1657−1665.
- Афанасьев П. В., Коровкина Н. М. Технология формирования платиновых электродов для субмикронных конденсаторных структур с сегнетоэлектрическими пленками ЦТС // Вакуумная техника и технология, 2006. Т. 16, вып.З. С. 215−219.
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990.
- Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в тонкопленочных структурах электроники // ПТЖ. 2006. Вып. 4. С 49−78.
- Pratton М. Introduction to surface physics. Oxford: Clarendon Press, 1994.
- Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications // Ferroelectric Review. 1998. Vol. 1, № 1. P. 1 129.
- Shottky barrier effects in the electronic conduction of sol-gel derived lead zirconate titanate thin film capasitors / Y. S. Yang, S. J. Lee, S. H. Kim et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 5005−5011.
- Tybell Т., Ahn С. H., Triscone J. M. Ferroelectricity in thin perovskite films // Appl. Phys. Letters. 1999. Vol. 75, № 6. P. 9.
- Trap Charge Density at Interfaces of MOCVD Pt (Ir)/PZT/Ir (Ti/SiC>2/Si) Structure / L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets et al. // Proc. of MRS2005 Fall Meeting, V. 902E. P. 10−27.
- Thickness dependence of structural and electrical properties in epitacxial lead zirconate titanate films / V. Nagarjan, I. G. Jenkins, S. P. Alpay et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86, № 1. P. 595−602.
- Depletion layer thickness and Schottky type carrier injection at the interface between Pt electrodes and (Ba, Sr) Ti03 thin films / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S. Kanget al. // Appl. Phys. Letters. 1999. Vol. 85, № 1. P. 287−295.
- Берман Л. С., Титков И. Е. Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник // ФТП. 2004. Т. 38, вып. 6. С. 710−715.
- S.P. Alpay, I.B. Misirlioglu, A. Sharma, Z.-G. Ban. Structural characteristics of ferroelectric phase transformations in single-domain epitaxial films. // Applied Physics Letters. 2004. V. 95, № 12. P. 8118 8123p.
- Self-polarized PZT thin films: deposition, characterization and application / G. Suchaneck, T. Sandner, A. Deineka et al. // Ferroelectrics. 2004. Vol. 289. P. 309−316.
- Discharging current-voltage characteristics of ferroelectric thin films / S. H. Paek, J. Won, K. S. Lee et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. P. 5757.
- Афанасьев В.П., Мосина Г. Н., Петров A.A., Пронин И. П., Сорокин JI.M., Тараканов Е. А. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца. // Письма в ЖТФ, 2001, т.27, № 11, с.56−63.
- Ferroelectricity in thin perovskite films / M. Alguero, M. L. Calzada, L. Pardo et al. // J. Eur. Ceram. Soc. 1999. Vol. 19. P. 1481.
- Thick-film printing of PZT onto silicon / S. U. Chung, J. W. Kim, G. H. Kim et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. P. 4386.
- Fabrication and Electrical Characterization of Pt/(Ba, Sr) Ti03/Pt Capacitors for Ultralarge-Scale Integrated Dynamic Random Access Memory Applications / S. O. Park, C. S. Hwang, H. J. Cho et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. P. 1548. ,
- Dependence of electrical properties on film thickness in Pb (ZrxTi ~х)Оз thin films produced by metalorganic chemical vapor deposition / Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, M. Okada // Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 7857.
- Thickness and erbium doping effects on the electrical properties of lead zirconate titanate thin films / M. Es-Souni, N. Zhang, S. Iakovlev, C.-H. Solterbeck // Thin Solid Films. 2003. Vol. 440. P. 26−34.
- A comparative study on the electrical conduction mechanisms of Ba035Sr ()35.TiO3 thin films on Pt and 1Ю2 electrodes / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S.
- Kang et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 3702−3713.
- Thickness Dependence of the Electrical Properties for PZT Films / S. H. Lee, H. J. Joo, J. P. Kim et al. // Journal of the Korean Physical Society. 1999. Vol. 35. P. SI 172—SI 175.
- J.F. Scott, Ferroelectric Memories, Springer, Berlin, 2000, p.79 94.
- Stolichnov I., Tagantsev A. Space-charge influenced-injection model for conduction in Pb (ZrTi)03 thin films // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 3216.
- Effect of interfaces on the properties of polycrystalline thin-film PZT ferroelectric capacitors / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // Abstracts of MRS2006 Fall Meeting, Nov. 27 Dec. 1, 2006. Boston, MA. P. 607.
- Ageing of Thin-Film Capacitor Structures Based on PZT / L. A. Delimova, I. V. Grekhov, D. V. Mashovets et al. // The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-8). Tsukuba, 15−19 may 2006. P. 35.
- Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии М: Техносфера, 2004.
- Nagarajan V., Jenkins I. G., Alpay S. P. Thickness dependence of structural and electrical properties in epitaxial lead zirconate titanate films // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86, № 1. P. 595 603.
- Constant-current study of dielectric breakdown of Pb (Zr, Ti)03 ferroelectric film capacitors / I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter et al. // Integrated Ferroelectrics. 2001. Vol. 32. P. 45−54.
- Rodriguez Contreras, J., H. Kohlstedt, U. Poppe Resistive switching in metal-ferroelectric-metal junctions // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 4595.
- J. F. Scott. Dielectric breakdown in high-e films for ulsi DRAMs: III. Leakage current precursors and electrodes // Integr. Ferroelectr. 1995. Vol. 9. P. 1.
- Zheng L., Lin С., Ma T.-P. Current — voltage characteristic of asymmetric ferroelectric capacitors // J. Phys. D. 1996. Vol. 29. P. 457.
- Fabrication and Electrical Characterization of Pt/(Ba, Sr) Ti03/Pt Capacitors for Ultralarge-Scale Integrated Dynamic Random Access Memory Applications / S. O. Park, C. S. Hwang, H.-J. Cho et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Part 1. Vol. 35. P. 1548.
- Interface potential barrier height and leakage current behavior of Pt/(Ba, Sr) Ti03/Pt capacitors fabricated by sputtering process / C. S. Hwang, В. T. Lee, S. O. Park et al. // Integr. Ferroelectr. 1996. Vol. 13. P. 157.
- Dey S., Lee J.-J., Alluri P. Electrical Properties of Paraelectric (РЬо, 72^ао, 28) Т10з Thin Films with High Linear Dielectric Permittivity: Schottky and Ohmic Contacts // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. Part 1. Vol. 34. P. 3142.
- Dietz G. W., Waser R. Charge Injection into SrTi03 thin films // Thin Solid Films. 1997. Vol. 53. P. 299.
- Scott J. F. Electrode-dielectric interface in thin-film DRAMs for ULSI // Integr. Ferroelectr. 1994. Vol. 5. P. 103.
- Waser R. M. Dielectric analysis of intergrated ceramic thin film capacitors // Integr. Ferroelectr// 1997. Vol. 15. P. 39.
- Фоменко B.C., Подчерняева И.А, Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат, 1975.
- Metallization induced band bending of SrTi03(100) and BaojSro^TiC^ / M. Copel, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 3227.
- Depletion layer thickness and Schottky type carrier injection at the interface between Pt electrodes and (Ba, Sr) TiC>3 thin films / C. S. Hwang, В. T. Lee, C. S. Kang et al.//J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 1. p. 342.
- Electrode influence on the charge transport through SrTi03 thin films / W. Dietz, W. Antpijhler, M. Klee, R. Waser // Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 15.
- Dielectric breakdown in high-s films for ULSI DRAMs / J. E. Scott, В. M. Melnick, L. D. McMillan, C. A. Paz de Auraujo // Integr. Ferroelectrics. 1993. Vol. 3. P. 259.
- Characterization of conduction in PZT thin films produced by laser ablation deposition / X. Chen, A. I. Kingon, L. Mantese et al. // Integr. Ferroelectrics. 1993. Vol. 3.P. 355.
- Shottky barrier effects in the electronic conduction of sol-gel derived lead zirconate titanate thin film capasitors / Y. S. Yang, S. J. Lee, S. H. Kim et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 5005−5011.
- Influence of Pt heterostructure bottom electrodes on SrBi2Ta2C>9 thin film properties / S.-H. Kim, D. J. Kim, J.-P. Maria, A. I. Kingon // Appl. Phys. Letter. 2000. Vol. 76. P. 24.
- Leakage Current Properties of (Ba, Sr) Ti03 Films on Doped (Ba, Sr) Ru03 electrodes / B. S. Kim, S. H. Oh, S. Y. Son et al. // Journ. of the Korean Physical Society. 2002. Vol. 41, № 2. P. 227−231.
- Joo J. H., Seon J. M. Improvement of leakage currents of Pt/(Ba, Sr) Ti03 / Pt capacitors // Appl. Phys. Letter. 1997. Vol. 70. P. 1231.
- Suppression of leakage current in Ce-doped Вао^го^ТЮз thin films controlled by different leakage mechanisms / S. Y. Wang, С. C. Wang, S. Y. Dai et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 4116.
- Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.416 с.
- Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанин, В. В. Леманов // ФТТ. 2000. Т. 42, вып. 3. С. 511−516.
- Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. М.: Наука, 1976.
- Brody P. S., Rod В .J. Photovoltages in ferroelectric films // Integrated Ferroelectrics. 1992. V. 2. P. 235 245.
- Simmons J .G., Taylor G. W. High-field isothermal currents and thermally stimulated currents in insulators having discrete trapping levels. // Phys. Rev. 1972. B5.P. 1619- 1629.
- Delimova L. A., Grekhov I. V., Mashovets D. V., Titkov I. E., Afanasjev V. P., Afanasjev P. V., Kramar G. P., Petrov A. A. Ageing of Thin-Film Capacitor
- Structures Based on PZT // The 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-8). Abstract book. May 15−19, 2006. Tsukuba. P.35.
- Delimova L. A., Yuferev V.S., Grekhov I. V., Afanasjev P. V., Kramar G. P., Petrov A. A., Afanasjev V. P. Origin of photoresponse in heterophase ferroelectric Pt/Pb (ZrTi)03/Ir capacitors // Appl. Phys. Lett. 2007. V.91. P. 3.
- Афанасьев П. В., Петров А. А. Изотермическое затухание фототока в структурах Pt-H, TC-Pt // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008, Санкт-Петербург, с. 17.
- Афанасьев В. П., Афанасьев П .В., Петров А. А. Межзеренные границы раздела в наноструктурированных пленках цирконата-титаната свинца. Механизм старения. // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008, Санкт-Петербург, с. 22.
- Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Петров А. А. Механизм сквозной проводимости в конденсаторных структурах с гетерофазными пленками ЦТС // Тезисы XI Международной конференции по физике диэлектриков, 2008, Санкт-Петербург, с. 31.
- Патент РФ на полезную модель № 71 023 /, Афанасьев В. П., Афанасьев П. В., Грехов И. В., Делимова JI. А., Крамар Г. П., Машовец Д. В. Петров А. А. Сегнетоэлектрическое устройство с оптическим считыванием. Опубл. 20.02.2008. Бюл. 5
- Петров А. А. Гетерофазные границы раздела в поликристаллических пленках и структурах на их основе СПб: ЗАО «Инсанта» / Изд-во «Литера», 2008. 196 с.