Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца

Диссертация: Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

И, наконец, в-третьих, при высоких (существенно превышающих концентрации собственных структурных дефектов) концентрациях легирующей примеси или радиационных дефектов уровень Ферми в полупроводниках А4В6 оказывается стабилизированным глубоким дефектным уровнем, положение которого относительно краев разрешенных зон зависит от температуры, магнитного поля, состава сплава и давления. В этих условиях… Читать ещё >

Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В СПЛАВАХ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА
    • 1. 1. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах на основе халькогенидов свинца
    • 1. 2. Влияние облучения электронами на свойства сплавов Pb]. xSnxSe HPbi. xSnxTe
    • 1. 3. Влияние легирования примесями с переменной валентностью на свойства РЬТе и сплавов на его основе
    • 1. 4. Особенности легирующего действия галлия в РЬТе и сплавах на его основе
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ
    • 2. 1. Методика измерения гальваномагнитных и фотоэлектрических эффектов
    • 2. 2. Методика создания и измерения давления
    • 2. 3. Методика облучения быстрыми электронами
    • 2. 4. Подготовка образцов к измерениям. Параметры исследованных образцов
  • ГЛАВА III. ЗОНА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ СПЛАВАХ PbbxSnxSe (x<0.03)
    • 3. 1. Полевые зависимости коэффициента Холла в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением
    • 3. 2. Зависимости концентрации дырок от давления в окрестности перехода диэлектрик-металл
    • 3. 3. Параметры зоны радиационных дефектов
  • ГЛАВА IV. ГЛУБОКИЕ УРОВНИ ГАЛЛИЯ В СПЛАВАХ РЬ1. хОехТе<�Оа>
    • 4. 1. Гальваномагнитные эффекты при вариации положения уровня Ферми и состава сплава
    • 4. 2. Модель энергетического спектра носителей заряда
  • ГЛАВА V. ЗАДЕРЖАННАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СПЛАВАХ РЬ1хОехТе<�Оа>
    • 5. 1. Фотоэлектрические явления и кинетика фотопроводимости при инфракрасной подсветке
    • 5. 2. Пик отрицательной фотопроводимости, индуцированный стационарной инфракрасной подсветкой

Исследование энергетического спектра и микроскопической структуры точечных дефектов в кристаллических твердых телах и, в особенности, в полупроводниках является одной из важнейших задач современной физики твердого тела. Примеси и другие точечные дефекты (собственные и радиационные дефекты), в значительной степени модифицируют энергетический спектр полупроводника и позволяют эффективно управлять электрофизическими, оптическими и фотоэлектрическим свойствами исходных кристаллов [1−3]. Облучение быстрыми частицами может кроме того приводить к образованию новых типов дефектов (комплексы, кластеры) не типичных для равновесного состояния кристалла и позволяет получать материалы с новыми физическими свойствами, которых невозможно достичь другими способами [4, 5].

Изучение энергетического спектра и природы радиационных дефектов и примесей в халькогенидах свинца и сплавах на их основе имеет свои специфические особенности, важнейшими из которых являются следующие. Во-первых, эти материалы, как и все полупроводники группы А4В6, характеризуются значительными отклонениями от стехиометрического состава. Поэтому исходные нелегированные кристаллы имеют высокие концентрации собственных точечных дефектов (№=1018-И019 см" 3), которые по своей природе близки к первичным радиационным дефектам (вакансии и междоузельные атомы в подрешетках металла и халькогена). Это обстоятельство существенно затрудняет экспериментальные исследования, поскольку требует выделения вклада легирующей примеси и радиационных дефектов в исследуемые параметры полупроводника на фоне вклада собственных структурных дефектов.

Во-вторых, эти полупроводники относятся к классу узкощелевых материалов и обладают малой шириной запрещенной зоны, малыми эффективными массами носителей заряда и высокими значениями диэлектрической проницаемости. Поэтому мелкие водородоподобные уровни дефектов в этих материалах вообще не наблюдаются, а глубокие уровни радиационных дефектов и примесей, в отличие от широкозонных полупроводников, располагаются в основном на фоне разрешенных состояний и являются резонансными уровнями [6−9].

И, наконец, в-третьих, при высоких (существенно превышающих концентрации собственных структурных дефектов) концентрациях легирующей примеси или радиационных дефектов уровень Ферми в полупроводниках А4В6 оказывается стабилизированным глубоким дефектным уровнем, положение которого относительно краев разрешенных зон зависит от температуры, магнитного поля, состава сплава и давления [9−11]. В этих условиях изменение состава полупроводника или приложение внешнего давления позволяют изменять относительное расположение краев разрешенных зон и примесных или радиационных уровней, индуцируя перераспределение носителей заряда между локализованными и зонными состояниями и даже переходы металл-диэлектрик или диэлектрик-металл [9, 11].

К началу выполнения настоящей работы был накоплен обширный экспериментальный и теоретический материал по влиянию легирования примесями III группы (In, Ga, Tl,) и облучения быстрыми электронами на энергетический спектр носителей заряда и электрофизические свойства полупроводников А4В6 [9−11]. Однако, существовал и целый ряд спорных вопросов и нерешенных проблем, требующих дополнительного экспериментального изучения. Настоящая работа посвящена решению части таких проблем для двух групп сплавов на основе халькогенидов свинца — сплавов Pbj"xSnxSe (x<0.03), облученных быстрыми электронами, и сплавов Pb["xGexTe (0.04<х<0.08), легированных галлием.

Ранее было установлено, что облучение сплавов PbixSnxSe (x<0.03) быстрыми электронами приводит к возникновению в энергетическом спектре носителей заряда глубокого уровня (зоны) радиационнных дефектов, расположенного в запрещенной зоне и стабилизирующего уровень Ферми чуть выше потолка валентной зоны. Гидростатическое сжатие облученных кристаллов вызывает сближение глубокого уровня с потолком валентной зоны, перетекание электронов из валентной зоны на уровень и переход диэлектрик-металл, индуцированный давлением. Однако, надежные экспериментальные данные о структуре и основных параметрах зоны радиационных дефектов, а также механизмах проводимости в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, отсутствовали.

Легирование сплавов РЬ1хОехТе (0.04<�х<0.08) галлием вызывает появление глубокого примесного уровня (или уровней) ян-теллеровского типа, стабилизирующего уровень Ферми в запрещенной зоне сплавов. В легированных сплавах обнаружены долговременные (с характерными временами до 105 с) релаксационные процессы при низких температурах, связанные с переходами между глубокими уровнями и разрешёнными зонами при инфракрасной (ИК) подсветке, и эффект задержанной фотопроводимости при гелиевых температурах. Однако, энергетическое положение глубоких уровней (диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда при изменении состава сплава) и даже количество глубоких уровней, а также параметры, характеризующие долговременные релаксационные процессы при ИК фотовозбуждении в легированных галлием сплавах, были неизвестны.

Цель работы. Общая задача настоящей работы состояла в исследовании гальваномагнитных и фотоэлектрических явлений в сплавах на основе халькогенидов свинца с глубокими уровнями радиационных дефектов и примесей с целью построения моделей перестройки энергетического спектра носителей заряда при изменении состава сплавов и под давлением, а также определения параметров, характеризующих долговременные релаксационные процессы при ИК фотовозбуждении в легированных сплавах.

Конкретные задачи исследования включали в себя:

1. Исследование гальваномагнитных явлений в слабых и сильных магнитных полях с целью получения информации о механизмах проводимости и параметрах носителей заряда в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением в сплавах РЬ1. х8пх8е (х<0.03), облученных быстрыми электронами.

2. Построение барических зависимостей концентрации дырок в металлической фазе облученных электронами сплавов РЬ1×8пх8е (х<0.03) и определение основных параметров зоны радиационных дефектов в рамках существующей модели энергетического спектра облученных сплавов.

3. Поиск и обнаружение глубоких дефектных уровней, индуцированных примесью ва в энергетическом спектре носителей заряда сплавов РЬ1. хОехТе (0.04<�х<0.08), и построение диаграммы перестройки спектра при изменении содержания германия в сплавах.

4. Изучение кинетики фотопроводимости в сплавах РЬ1хОехТе (0.04<х<0.08), легированных галлием, определение критической температуры появления задержанной фотопроводимости, энергетического барьера в конфигурационном пространстве и характерных времен релаксации фотопроводимости при ИК фотовозбуждении легированных галлием сплавов.

Научная новизна и положения, выносимые на защиту.

В настоящей работе исследованы гальваномагнитные явления в облученных электронами сплавах РЬ1×8пх8е (х<0.03) в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, а также гальваномагнитные и фотоэлектрические явления в легированных галлием сплавах РЬ1. хОехТе (0.04<х<0.08) при вариации концентрации легирующей примеси и потока электронного облучения.

В результате проведенных исследований в работе впервые:

1. В окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, определены основные параметры носителей заряда в облучённых электронами сплавах РЬ1×8пх8е (х<0.03) и обоснована необходимость учета существования трёх механизмов проводимости: поверхностной проводимости электронного типа, зонной дырочной проводимости и дырочной проводимости по зоне радиационных дефектов Е^.

— 82. Путём сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации носителей заряда от давления в металлической фазе, индуцированной давлением, определены основные параметры зоны радиационных дефектов Е^ в сплавах РЬ1×8пх8е (х<0.03) (скорость генерации радиационных дефектов сПЧи/с1Ф и ширина зоны а).

3. Обнаружены увеличение концентрации электронов и переходы из диэлектрической в металлическую фазу в легированных галлием сплавах РЬ1. хОехТе как в результате увеличения содержания легирующей примеси, так и при электронном облучении. Предложена модель перестройки энергетического спектра носителей заряда в исследованных сплавах под действием облучения быстрыми электронами.

4. В запрещенной зоне легированных галлием сплавов РЬ1. хСехТе (0.04<�х<0.08) обнаружен глубокий дефектный уровень, положение которого относительно дна зоны проводимости зависит от состава сплава. Построена энергетическая диаграмма движения уровня относительно краёв разрешенных зон при изменении состава сплава и показано, что легирование галлием должно приводить к возникновению в энергетическом спектре сплавов РЬ1. хОехТе двух различных глубоких уровней.

5. Установлено, что в сплавах РЬ1. хвехТе кинетика релаксации фотопроводимости при низких температурах (Т<�ТС"60 К) характеризуется наличием, по крайней мере, двух механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда с существенно различающимися временами жизни. Определены основные параметры, характеризующие релаксационные процессы (времена жизни неравновесных носителей заряда Т] и т2, высота энергетического барьера разделяющего зонные и примесные состояния в конфигурационном пространстве).

6. На кривых нарастания фотопроводимости обнаружены аномальные участок задержки фотоотклика и пик отрицательной фотопроводимости при стационарной ИК подсветке сплавов РЬ1. хОехТе<�Оа> в области низких температур (Т<�ТС"60 К). Обнаруженные особенности объясняются в рамках модели, предполагающей фотоиндуцированный структурый переход по крайней мере части объёма образца из ромбоэдрической в кубическую фазу в результате фотоионизации носителей заряда с примесного уровня в зону проводимости и перестройки кристаллического окружения дефектных центров.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в том, что:

1. Полученные в настоящей работе данные о скорости генерации и параметрах глубоких уровней радиационных дефектов в сплавах Pbi. xSnxSe, Pbi. xGexTe могут быть использованы для эффективного управления параметрами этих материалов и приборных структур на их основе с помощью электронного облучения, изготовления датчиков потока и интенсивности облучения при регистрации больших интегральных потоков электронов, а также могут позволить прогнозировать пределы работоспособности приборных структур на основе халькогенидов свинца в условиях проникающей радиации и вести целенаправленный поиск путей повышения их радиационной стойкости.

2. В работе продемонстрированы возможности реализации диэлектрического состояния с низкими (близкими к собственной) концентрациями носителей заряда и определены основные параметры, характеризующие долговременные релаксации фотопроводимости, в сплавах PbixGexTe, легированных галлием. Эти результаты представляют интерес с точки зрения изготовления согласованных по параметру решетки изолирующих подложек для эпитаксиальных плёнок и приборных структур, разработки высокочувствительных фотоприемных устройств на основе легированных сплавов, а также расширения спектрального диапазона фоточувствительности приёмников ИК излучения на основе халькогенидов свинца.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, докладывались и обсуждались на II и III Международных школах-коференциях «Физические проблемы материаловедения полупроводников» (Черновцы, Украина, 1997, 1999 гг.), VIII Международной конференции «Мелкие уровни в полупроводниках» (Монпелье, Франция, 1998 г.), VIII Международной конференции «Высокие давления в физике полупроводников» (Салоники, Греция, 1998 г.), IV и V Международных конференциях «Материаловедение и свойства материалов для инфракрасной оптоэлектронники» (Киев, Украина, 1998, 2000 гг.), Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-99» (Москва, 1999 г.), VIII Международной конференции «Идентификация и визуализация дефектов в физике полупроводников» (Нарита, Япония, 1999 г.), IX Международной конференции по узкощелевым полупроводникам (Берлин, Германия, 1999 г.), IV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-99» (Новосибирск, 1999 г.), Осенней сессии американского общества материаловедов — MRS Fall Meeting (Бостон, США, 1999 г.), VI Международном совещании «Нелинейная оптика и кинетика возбуждений в полупроводниках» (Марбург, Германия, 2000 г.), IX Международной конференции «Мелкие уровни в полупроводниках» (Хиого, Япония, 2000 г.), II Международной конференции «Фундаментальные проблемы физики» (Саратов, 2000 г.).

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Первая глава содержит литературный обзор по теме исследования, вторая глава — описание экспериментальных методик, применяемых в работе, а каждая из последующих трёх глав содержит оригинальные результаты, полученные автором.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, исследовано влияние давления на электрофизические свойства облученных электронами сплавов РЬ1×8пх8е (х<0.03) пи р-типа. В рамках двухзонной модели рассчитаны полевые зависимости коэффициента Холла, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными, и определены основные параметры носителей заряда в облучённых сплавах. Показано, что в окрестности перехода диэлектрик-металл необходимо учитывать существование трёх механизмов проводимости: поверхностной проводимости электронного типа, зонной дырочной проводимости и дырочной проводимости по зоне радиационных дефектов Ец.

2. Установлено, что в облучённых электронами сплавах РЬ1. х8пх8е (х<0.03) переход диэлектрик-металл под действием давления сопровождается перетеканием электронов из валентной зоны в зону радиационных дефектов Еи и, как следствие, увеличением концентрации свободных дырок. Путём сравнения экспериментальных и теоретических барических зависимостей концентрации дырок в металлической фазе определены основные параметры зоны радиационных дефектов Е1ь скорость генерации радиационных дефектов с1Ни/<�ЗФ=(0.45±0.1) см" 1 и ширина зоны а=(15±-5) мэВ.

3. Исследовано влияние электронного облучения на электрофизические свойства сплавов п-РЬ 1×6ехТе (0.04<�х<0.08), легированных галлием. Показано, что облучение быстрыми электронами так же, как и увеличение содержания галлия в сплавах, индуцирует увеличение концентрации электронов и переход к металлическому типу проводимости и может служить эффективным, дополнительным к легированию, средством управления электрофизическими параметрами легированных сплавов. Предложена модель перестройки энергетического спектра носителей заряда в сплавах РЬ1хОехТе<�Оа> под действием облучения быстрыми электронами.

— 1104. Установлено, что легирование РЬ1хОехТе галлием приводит к формированию в запрещённой зоне сплавов глубокого примесного уровня галлия, положение которого относительно потолка валентной зоны практически не зависит от содержания германия в сплаве: Е0а — Ь~6 «45 — 2000 х мэВ. Предложена модель энергетического спектра носителей заряда, позволяющая предположить, что легирование теллурида свинца и сплавов на его основе галлием должно приводить к появлению в энергетическом спектре двух различных дефектных уровней. В теллуриде свинца это известный ранее глубокий уровень, расположенный на 70 мэВ ниже дна зоны проводимости, и резонансный уровень в зоне проводимости.

5. Показано, что в сплавах РЬ]. хОехТе<�Са> кинетика релаксации фотопроводимости при низких температурах (Т<�ТС) характеризуется наличием двух типов релаксационных процессов: быстрого с характерным временем Т]~0.1 с и медленного — х2>103 с. Для сплава РЬо.94Сгео.обТе<�Оа> по температурной зависимости времени релаксации фотопроводимости в рамках модели, предполагающей возникновение автолокализационного энергетического барьера, разделяющего примесные и зонные состояния в конфигурационном пространстве при низких температурах, оценена высота барьера W=23±2 мэВ.

6. В области низких температур (Т<�ТС) на кривых нарастания фотопроводимости сплавов РЬ1. хОехТе<�Оа> обнаружены участок задержки фотоотклика и пик отрицательной фотопроводимости. Для объяснения обнаруженных аномалий предложена модель, согласно которой при ИК подсветке сплавов происходит постепенное накопление искажений в ближайшем кристаллическом окружении примесных центров и переход по крайней мере части объёма образца в кубическую фазу из-за опустошения дефектных центров в результате активации электронов с примесного уровня в зону проводимости и перестройки кристаллического окружения дефектных центров.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Точечные дефекты в твердых телах. Сборник статей. //М.: Мир, 1979.
  2. М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. //М.: Мир, 1984.
  3. М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. //М.: Мир, 1985.
  4. Физические процессы в облучённых полупроводниках. Под ред. Л. С. Смирнова. //Новосибирск: Наука, 1977.
  5. B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. //М.: Наука, 1988.
  6. Дж. Теория энергетической зонной структуры. //М.: Мир, 1969.
  7. Ф., Пастори Паравичини Дж. Электронные переходы и оптические переходы в твёрдых телах. //М.: Наука, 1982.
  8. В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках AIVBVI. //УФН, 1985, т.145, в.1, с.51−86.
  9. О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. //М.: Наука, 1985.
  10. Akimov В.А., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R. and Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in PbTe and related materials. //Phys. Stat. Sol. (a), 1993, v.137, N1, p.9−55.
  11. И. Брандт Н. Б., Скипетров Е. П. Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках AIVBVI с помощью давления (обзор). //Физика низких температур, 1996, т.22, № 8, с.870−891.
  12. Н.Х., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. IM.: Наука, 1975.
  13. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe и PbS. /М.: Наука, 1968.
  14. Kawamura Н. Phase transition in IV-VI compounds. //Lect. Notes in Phys., 1980, v. l33,p.470−494.
  15. Т.Б., Заславсшй А. И. Исследование фазового превращения и структуры a-GeTe. //Кристаллография, 1967, т.12, в.1, с.37−41.
  16. А.И., Случинская И. А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTej.xSx и Pbj.xGexTe. //ФТТ, 1993, т.35, в. З, с.629−635.
  17. А.И., Абдуллин Х. А. Исследования электрических свойств Pbi.xGexTe с примесью индия в области фазового перехода. //ФТП, 1984, т. 18, в.4, с.624−627.
  18. Такаока S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn) Te alloys semiconductors. //Phys. Rev. B, 1979, v.20, N7, p.2823−2833.
  19. Т., Такаока S., Ishii K., Murase K. High-pressure investigation of ferroelectric phase transition in PbGeTe. //J. Phys. C, 1984, v.7, N12, p.2181−2192.
  20. B.B., Барышников C.B., Казаков B.B., Драбкин И. А. Зависимость температуры фазового перехода в Pb.xGexTe от давления и концентрации носителей. //Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. Л.: 1983, с.30−33.
  21. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. //J. Phys. Chem. Sol., 1972, v.33, N11, p.2053−2062.
  22. Antcliffe G.A., Rate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic-rhombohedral phase transition in Pb! xGexTe. //Solid State Commun., 1973, v. 13, N7, p. 1003−1006.
  23. Sugimoto M., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of PbbxGexTe at their structural phase transition. //J. Phys. Soc. Jap., 1981, v.50, N5, p.1555−1559.
  24. Takano S., Kumashiro Y., Tsuji K. Resistivity anomalies in PbixGexTe at low temperatures. //J. Phys. Soc. Jap., 1984, v.53, N12, p.4309−4314.
  25. Rabii S. Investigation of energy-band structures and electronic properties of PbS-113and PbSe. //Phys. Rev., 1968, v. 167, N3, p.801−808.
  26. Martinez G., Schluter M., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. I. Band structures, densities of states and effective masses. //Phys. Rev. B, 1975, v. ll, N2, p.651−659.
  27. Conklin J.B., Johnson L.E., Pratt G.W. Energy bands in PbTe. //Phys. Rev., 1965, v.137, N4A, p. 1282−1294.
  28. Rabii S. Energy-band structure and electric properties of SnTe. //Phys. Rev., 1966, v.142, N2, p.478−489.
  29. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. //Phys. Rev., 1969, v. 180, N3, p.823−826.
  30. Bauer G. Magnetooptical properties of IV-VI compounds. //Lect. Notes Phys., 1980, v.133, p.427−446.
  31. Calawa A.R., Dimmock J.O., Harman T.C., Melngailis I. Magnetic field dependence of laser emission in PbixSnxSe diodes. //Phys. Rev. Lett., 1969, v.23, N1, p.7−10.
  32. Harman T.C., Calawa A.R., Melngailis I., Dimmock J.O. Temperature and compositional dependence of laser emission in Pb! xSnxSe. //Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, N11, p.333−334.
  33. Harman T.C. Narrow-gap semiconductor lasers. //J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32 (Suppl.), p.363−382.
  34. Д.М., Засавицкий И. И., Мацонашвили Б. Н., Шотов А. П. Определение зонных параметров твёрдых раствовров Pb.xSnxSe из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. //ФТП, 1979, т. 13, в.11, с.2129−2134.
  35. Nimtz G., Schlicht В. Narrow-gap lead salts. //Narrow-Gap Semicomductors, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo, 1983, p. 1−117.
  36. Kohn S.E., Yu P.Y., Petroff Y., Shen Y.R., Tsang Y., Cohen M.L. Electronic band structure and optical properties of PbTe, PbSe and PbS. //Phys. Rev. B, 1973, v.8, N4, p. 1477−1488.
  37. Dimmock J.O., Melngailis I., Strauss A.J. Band structure and laser action in-114
  38. PbixSnxTe. //Phys. Rev. Lett., 1966, v.16, N26, p. l 193−1196.
  39. Butler J.F., Calawa A.R., Harman T.C. Diode lasers of PbixSnxSe and PbbxSnxTe. //Appl. Phys. Lett., 1966, v.9, N12, p.427−429.
  40. Lewis A.V., Nicholas R.J., Ramage G.S., Bauer G., Stradling R.A., Lopez-Otero A. Effective masses in n- and p-type PbixGexTe. //J. Phys. C, 1980, v. 13, N4, p.561−569.
  41. Takaoka S., Murase K. Band edge structure transformation due to the ferroelectric transition in Pbi. xGexTe alloy semiconductors. //J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1857−1864.
  42. Bangert E., Bauer G., Fantner E.J., Pascher H. Magnetooptical investigation of phase-transition-induced band-structure changes of PbixGexTe. //Phys. Rev. B, 1985, v.31, N12, p.7958−7978.
  43. Antcliffe G.A., Parker S.G., Bate R.T. CW operation and nitric oxide spectroscopy using diod laser of Pbi.xGexTe. //Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N10, p.505−507.
  44. Antcliffe G.A., Chapman R.A. Diffused junction photovoltaic infrared detectors using PbbxGexTe with 0.05x<<0.11. //Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, N10, p.576−577.
  45. Gibson A.F. The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenide and telluride. //Proc. Phys. Soc., 1952, v.65, Pt.5, N389B, p.378−388.
  46. Maitre A., Le Toullec R., Balkanski M. Fundamental absorption of PbSe. //Proc. Intern. Conf. Phys. Semicond., Warszaw, 1972, Pt.2, p.826−831.
  47. А.И., Пель Э. Г., Руднев A.B. Зависимость ширины запрещённой зоны некоторых полупроводников от давления. //ФТП, 1971, т.5, в.4, с.699−702.
  48. И.И., Мацонашвили Б. Н., Погодин В. И. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pbi.xSnxSe. //ФТП, 1974, т.8, в.4, с.732−736.
  49. Martinez G. Band crossing and laser emission in Pb!.xSnxSe alloys underhydrostatic pressure. //Physics of IV-VI Compounds and Alloys, ed. S. Rabii, 1974, p. 215−218.
  50. Dimmock J.O. K-p theory for the conduction and valence band of Pb! xSnxTe and Pbi. xSnxSe alloys. //The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. D.L.Carter and R.T.Bate, PergamonPress, N. Y., 1971, p.319−330.
  51. Tsuji K., Takano S. Quantum oscillations of velocity of sound in PbixGexTe in rombohedral phase. //J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1851−1856.
  52. Tsuji K., Kumashiro Y., Takano S. Energy surfaces and domain structure of PbbxGexTe in rhombohedral phase. //J. Phys. Soc. Jap., 1984, v.53, N4, p. 13 971 405.
  53. Martinez G. Band inversion of Pb. xSnxSe alloys under hydrostatic pressure. I. Theoretical band structure analysis. //Phys. Rev. B, 1973, v.8, N10, p.4678−4685.
  54. Н.Б., Пономарёв Я. Г., Скипетров Е. П. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах Pb!.xSnxSe. //ФТТ, 1987, т.29, в.11, с.3233−3240.
  55. Parada N.J., Pratt G.W. New model for vacancy states in PbTe. //Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, N5, p. 180−182.
  56. Parada N.J. Localized defects in PbTe. //Phys. Rev. B, 1971, v.3, N6, p.2042−2055.
  57. Pratt G.W. Vacancy and interstitial states in the lead salts. //J. Nonmetals, 1973, v. l, N2, p.103−109.
  58. Hemstreet L.A. Cluster calculations of the effects of single vacancies of the electronic properties of PbS. //Phys. Rev. B, 1975, v. l 1, N6, p.2260−2270.
  59. Hemstreet L.A. Cluster calculations of the effects of lattice vacancies in PbTe and SnTe. //Phys. Rev. B, 1975, v.12, N4, p.1212−1216.
  60. .А., Панкратов O.A. Зонная структура и энергетический спектр точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //Препринт ФИАН, 1980, № 127, № 130.
  61. .А., Панкратов О. А. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //ЖЭТФ, 1985, т.88, в. 1, с.280−292.
  62. О.А., Поваров П. П. Многоэлектронные эффекты и зарядовые состояния вакансий в полупроводниках А4В6. //ФТТ, 1988, т. ЗО, в. З, с.880−882.
  63. Pankratov О.А., Povarov P.P. Charge states of vacancies in IV-VI semiconductors. //Sol. State Commun., 1988, v.66, N8, p.847−855.
  64. Н.Б., Зломанов В. П., Ладыгин E.A., Пономарёв Я. Г., Скипетров Е. П., Шибаев П. В. Переход металл-диэлектрик под действием давления в сплаве Pb0.875Sn0.i25Se, облучённом быстрыми электронами. //ФТТ, 1987, т.29, в.1, с.246−249.
  65. Н.Б., Дубков В. П., Иванова Г. В., Ладыгин Е. А., Скипетров Е. П. Переход металл-диэлектрик, индуцированный электронным облучением, в сплаве PbixSnxSe(x=0.25). //Вестн. Моск. Ун-та. Сер. З, Физика. Астрономия, 1987, т.28, в.5, с.96−97.
  66. Н.Б., Дубков В. П., Зломанов В. П., Иванова Г. В., Ладыгин Е. А., Скипетров Е. П. Влияние электронного облучения на гальваномагнитные явления в n-PbbxSnxSe(x=0.25). //ФТП, 1987, т.21, в. 12., с.2136−2141.
  67. Brandt N.B., Dubkov V.P., Skipetrov Е.Р., Ladigin E.A. Resonant defect states in Pbi"xSnxSe (x=0.125), irradiated with electrons. //Sol. State Commun., 1988, v.65, N12, p.1489−1493.
  68. Е.П., Дубков В. П., Мусалитин A.M., Подсекалов И. Н. Проводимость по локальной зоне в сплавах PbixSnxSe, облучённых электронами. //ФТП, 1988, т.22, в.10, с.1785−1791.
  69. Н.Б., Доропей В. Н., Дубков В. П., Скипетров Е. П. Зона локальных состояний в сплаве Pbi.xSnxSe (x=0.125), облучённом электронами. //ФТП, 1988, т.22, в.8, с. 1462−1473.
  70. Brandt N.B., Skipetrov Е.Р. High-pressure spectroscopy of electron irradiated semiconductors. //Semicond. Sci. Technol., 1989, v.4, N4, p.260−262.
  71. Я.Г., Скипетров Е. П. Закон дисперсии носителей заряда в сплавах PbixSnxSe. //Структура и свойства соединений AIVBVI (под ред. А.Н. Ковалёва), М.: Металлургия, 1990, с.81−93.
  72. В.П., Скипетров Е. П. Влияние давления на электрофизические свойства PbixSnxSe(x:rr0.25), облучённого электронами, в диэлектрической фазе. //ФТП, 1990, т.24, в.1, с.104−108.
  73. .Б., Скипетров Е. П. Резонансная зона в сплаве Pb1.xSnxSe (x=0.07), облучённом электронами. //ФТП, 1990, т.24, в.8, с.1379−1383.
  74. Н.Б., Ковалёв Б. Б., Скипетров Е. П. Зона радиационных дефектов в сплаве Pbi.xSnxSe (x=0.34). //Физ. и техн. высоких давлений, 1992, в. 12, с.5−9.
  75. Е.П., Ковалёв Б. Б. Зона радиационных дефектов в сплавах PbixSnxSe с инверсным спектром. //Неорг. Матер., 1992, т.28, № 12, с.2322−2326.
  76. Brandt N.B., Kovalev В.В., Skipetrov E.P. Pressure studies of the energy spectrum of irradiation-induced defects in Pb|xSnxSe. //Proc. IV Int. Conf. «High Pressure in Semiconductor Physics». Thessaloniki, Greece, 1990, p. 170−173.
  77. .Б., Скипетров Е. П. Глубокий локальный уровень в сплавах PbixSnxSe(x<0.03), облучённых электронами. //Материалы VIII Всесоюзного сипозиума по полупроводникам с узкой запрещённой зоной и полуметаллам. Львов, 1991, ч. П, с.181−183.
  78. Brandt N.B., Kovalev В.В., Skipetrov E.P. Pressure studies of the energy spectrum of irradiation-induced defects in PbixSnxSe. //Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, N6, p.487−490.
  79. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Kovalev B.B., Mousalitin A.M., Skipetrova L.A. Mechanism of defect formation process in electron-irradiated PbixSnxSe alloys with inverse band structure. //Phys. Stat. Sol. (b), 1998, v.210, N2, p.797−800.
  80. Е.П., Ковалев Б. Б., Скипетрова JI.А., Зверева E.A. Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов PbixSnxSe. //ФТП, 1998, т. 32, в.12, с.1409−1413.
  81. Н.Б., Скипетров Е. П., Ковалев Б. Б., Скипетрова Л. А. Энергетический спектр радиационных дефектов в сплавах Pbi.xSnxSe (х<0.06), облученных электронами. //Вестн. Моск. Ун-та. Сер. З, Физика. Астрономия, 1999, т.40, в.2, с.42−45.
  82. Н.Б., Скипетров Е. П., Слынько Е. И., Хорош А. Г., Штанов В. И. Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-PbixSnxTe(x=0.2), облученном электронами. //ФТП, 1990, т.24, в.1, с.51−58.
  83. Н.Б., Скипетров Е. П., Хорош А. Г. Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pbi.xSnxTe (x=0.2), облученном электронами. //ФТП, 1992, т.26, в.5, с.888−895.
  84. Е.П., Некрасова А. Н., Пелехов Д.В, Сидоров В. И. Электрофизические свойства p-Pb i .^пДе^О .2) при глубоком облучении электронами. //Неорг. Матер., 1992, т.28, № 12, с.2372−2376.
  85. Tao T.F., Wang C.C., Sunier J.W. Effect of proton bombardment on Pbo.76Sno.24Se. //Appl. Phys. Lett., 1972, v.20, N7, p.235−237.
  86. Wang C.C., Tao T.F., Sunier J.W. Proton bombardment and isochronal annealing of p-type Pbo.76Sno.24Se. //J. Appl. Phys., 1974, v.45, N9, p.3981−3987.
  87. Н.Б., Гаськов A.M., Ладыгин E.A., Скипетров Е. П., Хорош А. Г. О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb.xSnxTe, облученных протонами. //ФТП, 1989, т.23, в.11, с.2034−2038.
  88. В.И., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. //ФТП, 1973, т.8, в.4, с.759−762.
  89. В.Г., Гречко Н. И., Лыков С. Н., Сабо Н. П., Черник И. А. Электрические свойства твердых растворов Pbi.xInxTe при температурах жидкого гелия. //ФТП, 1977, т.11, в.9, с.1704−1708.
  90. Н.А., Ефимова Б. А., Захарюгина Г. Ф., Кайданов В. И. Примесные состояния In в некоторых твёрдых растворах на основе PbTe. //Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 1978, т. 14, в.5, с.870−874.
  91. И.А., Квантов М. А., Компаниец В. В. Магнитная восприимчивость PbTe с примесью In. //ФТП, 1979, т.13, в. Ю, с.2064−2066.
  92. .А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. //Докт. дисс., М.: МГУ, 1985.
  93. Feit Z., Eger D., Zemel A. Quasilocal impurity states in Pb! xSnxTe and PbSe0.08Te0.92 liquid-phase epitaxial layers doped with group-Ill elements. //Phys. Rev. B, 1985, v.31, N6, p.3903−3909.
  94. Ф.Ф., Пляцко C.B., Лакеенков B.M. Глубокие уровни в PbTe. //ФТП, 1985, т.19., в.4, с.592−596.
  95. А.Н., Немов С. А. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в РЬТе<1п>. //ФТП, 1980, т.14, в.1, с.1130−1133.
  96. Akimov B.A., Brandt N.B., Ryabova L.I., Sokovishin V.V., Chudinov S.M. Band edge motion in quantizing magnetic field and nonequlibrium states in Pb. xSnxTe alloys doped with In. //J. Low Temp. Phys., 1983, v.51, N½, p.9−32.
  97. .А., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Чудинов С. М., Яценко О. Б. Переходы полупроводник-металл-полупроводник в сплавах PbixSnxTe(In) под действием давления. //ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1293−1301.
  98. .А., Вадхва Р. С., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Чудинов С. М. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве Pbi.xSnxTe с примесью In. //ФТП, 1977, т.11, в.6, с.1077−1083.
  99. .Я., Драбкин И. А., Диссоциация нейтральных состояний гетеровалентной примеси (In, Ga, Т1) в РЬТе. //Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980, с.128−145.
  100. И.А., Мойжес Б. Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примеси на положительно и отрицательно заряженные состояния. //ФТП, 1981, т. 15, в.4, с.625−648.
  101. Grodzicka Е., Dobrowolski W., Kossut J., Story Т., Witkowska В. Peculiarities of transport properties in semiconductors with resonant impurities: HgSe: Fe versus PbTe: Cr. //J. Cryst. Growth, 1994, v.138, N1−4, p.1034−1039.
  102. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story Т., Wilamowski Z., Witkowska B. A study of the resonant Cr donor in IV-VI lead compounds. //Cryst. Res. Technol., 1996, v.31 S, p.651−654.
  103. Akimov B.A., Lvova N.A., Ryabova L.I. Quantum oscillatory properties of the semimagnetic semiconductor PbTe (Cr). //Phys. Rev. B, 1998, v.58, N16, p. 10 430−10 434.
  104. Story Т., Gorska M., Lusakowski A., Arciszewska M., Dobrowolski W., Grodzicka E., Golacki Z., Galazka R.R. New mechanism of f-f exchange interactions controlled by Fermi level position. //Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, N16, p.3447−3450.
  105. Story Т. IV-VI semimagnetic semiconductors with rare earth ions. //Acta Phys.- 121
  106. Polonica A, 1997, v.92, N4, p.663−672.
  107. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story T. Resonant state of 4f14/13 Yb ion in Pbi.xGexTe. //Acta Phys. Polonica A, 1996, v.90, N4, p.801−804.
  108. Ю.К., Слынько Е. И. Фотоэлектрические свойства твёрдых растворов PbixGexTe. //ФТП, 1996, т. ЗО, в. 10, с. 1876−1878.
  109. Skipetrov Е.Р., Chernova N.A., Slyn’ko E.I., Vygranenko Yu.K. Energy spectrum and parameters of deep impurity level in Pbi. xGexTe alloys doped with Yb. //Phys. Rev. B, 1999, v.59, N20, p.12 928−12 934.
  110. Skipetrov E.P., Chernova N.A., Slyn’ko E.I. Ytterbium-induced Jahn-Teller states in PbixGexTe alloys. //J. Cryst. Growth, 2000, v.210, N1−3, p.288−291.
  111. Л.И., Кайданов В. И., Макеенко В. П., Мельник Р. Б., Немов С. А. Самокомпенсация донорного действия висмута в телуриде свинца. //ФТП, 1984, т.18, в.13, с.489−492.
  112. С.Н., Черник И. А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Гааза в теллуриде свинца с примесью индия. //ФТП, 1980, т.14, в.1, с.47−54.
  113. Х.А., Лебедев А. И. Спектры и кинетика примесной фотопрововодимости легированных индием твёрдых растворов Pbi.xGexTe. //Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.6, с.272−274.
  114. .Б., Брандт Н. Б., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Фотопроводимость сплавов PbixSnxTe, легированных Al, Ga, In, Cd. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.6,в.20, с. 1269−1273.
  115. .Б., Албул А. В., Рябова Л. И. Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т.29, в. 12, с.2158−2168.
  116. Akimov В.А., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil’kov V.N., Zimin S.P. Photoconductivity kinetics in high resistivity n-PbTe (Ga) epitaxial films. //Semicond. Sci. Technol., 1999, v. 14, N8, p.679−684.
  117. .А., Панкратов O.A. Ян-Теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //ДАН СССР, 1980, т.255, в.1, с.93−97.
  118. .А., Осипов В. В., Панкратов O.A. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. //ФТП, 1980, т. 14, в.7, с.1387−1389.
  119. Ю., Кикоин К. А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений PbixSnxTe с примесью индия. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.6, с.367−371.
  120. А.Н., Волков Б. А., Волошок Т. Н., Кувшинников C.B. Природа и зарядовые состояния примеси Ga в РЬТе. //Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, в.9, с.768−773.
  121. А.Н., Волков Б. А., Волошок Т. Н., Кувшинников C.B. Неравновесная парамагнитная восприимчивость примесных центров галлия в теллуриде свинца. //ЖЭТФ, 1998, т.114, в.5(11), с.1859−1867.
  122. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (обзор). //ФТП, 1976, т. 10, в.2, с.209−233.
  123. Ю.В., Гейман К. И., Драбкин И. А., Матвеенко A.B., Можаев Е. А., Мойжес Б. Я. Электрические свойства Pb! xSnxTe с примесью индия. //ФТП, 1975, т.9, в. Ю, с.1873−1878.
  124. Anderson P.W. Model of the electronic structure of amorphous semiconductors. //Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, N15, p.953−955.
  125. Romcevic N., Romcevic M., Khokhlov D.R., Ivanchik I.I. Optical properties of gallium-doped PbTe. //High-temperature semiconductor and novel inorganic materials, ed. G. van Tendeloo et al, 1999, Kluwer Academic Publ., p.297−302.
  126. А.И., Иванчик И. И., Попович 3., Ромчевич H., Хохлов Д.P.
  127. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы. //ФТП, 1998, т.32, в.6, с.679−683.
  128. А.И., Слынько Е. И., Хохлов Д. Р. Аномалии спектров фотопроводимости PbTe(Ga). //Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, в.8, с.30−34.
  129. .Б., Албул А. В., Ильин В. Ю., Некрасов М. Ю., Рябова Л. И. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т.29, в.11, с.2015−2023.
  130. Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Khokholov D.R., Ponomarev S. Local lattice mode-induced far-infrared selective photoconductivity in PbTe (Ga). //Brazil. J. Phys., 1996, v.26, N1, p.308−312.
  131. Herrmann K.H., Mollmann K.-P., Wendt M. Photoeffects in strongly gallium-doped lead telluride above critical temperature. //Phys. Stat. Sol. (a), 1983, v.80, N2, p.541−546.
  132. И.И., Мацонашвили Б. Н. Панкратов O.A., Трофимов В. Т. Двухэлектронные захваты и параметры Ян-теллеровского центра в Pb, xSnxTe:In. //Письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, в.1, с.3−6.
  133. И.И., Матвеенко А. В., Мацонашвили Б. Н. Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pbi.xSnxTe (In). //ФТП, 1986, т.20, в.2, с.214−220.
  134. Х.А., Лебедев А. И. Примесная фотопрововодимость в твёрдом растворе PbixyGexSnyTe, легированном индием. //ФТП, 1985, т. 19, в. 10, с.1725−1730.
  135. Lebedev A.I., Abdullin Kh.A. Impurity photoconductivity and electrical properties of Pbi.x.yGexSnyTe doped with indium. //Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.91, N1, p.225−234.
  136. .А., Никорич A.B., Хохлов Д. Р., Чесноков С. Н. Проводимость сплавов Pb0.75Sn0.25Te (In) при комбинированном воздействии электрического и магнитного полей. //ФТП, 1989, т.23, в.4, с.668−672.
  137. Akimov В.А., Khokhlov D.R. Lead telluride-based photodetectors: a newapproach. //Semicond. Sci. Technol., 1993, v.8, N1S, p. S349-S351.
  138. .А., Ручайский O.M. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках AIVBVI. //Письма в ЖЭТФ, 1995, т.62, в. З, с.205−209.
  139. В.А. //Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. D. Khokhlov, New York: Gordon and Breach Publishers, 2000, in press.
  140. Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil’kov V.N. Observation and experimental study of negative photoconductivity in n-PbTe (Ga) epitaxial films. //Phys. Rev. B, 2000, v.61, N23, p.16 045−16 051.
  141. Preier H. Recent advances in lead-chalcogenide diode lasers. //Appl. Phys., 1979, v.20, N3, p. 189−206.
  142. Г. С., Грузинов Б. Ф., Дедегкаев T.T., Драбкин И. А., Жукова Т. Б., Лев Е.Я. Особенности легирующего действия Ga в РЬТе и твердых растворах PbTe-SnTe. //Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1980, т.16, в.12, с.2136−2140.
  143. Г. С., Грузинов Б. Ф., Драбкин И. А., Лев Е.Я., Нельсон И. В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga. //ФТП, 1977, т.11, в.10, с.1874−1881.
  144. А.Н., Кайданов В. И., Костылева Н. А., Мельник Р. Б., Уханов Ю. И. Примесные состояния галлия в теллуриде свинца. //ФТП, 1973, т.7, в. 5, с.928−930.
  145. .А., Албул А. В., Иванчик И. И., Рябова Л. И., Слынько Е.И., Хохлов
  146. Д.Р. Влияние легирования галлием на свойства твёрдых растворов
  147. Pbi"xGexTe. //ФТП, 1993, т.27, в.2, с.351−354. • • б
  148. .А., Брандт Н. Б., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р., Чудинов С.М., Яценко
  149. О.Б. Аномальное поведение примесных центров в сплавах Pb. xSnxTe (Ga) под действием давления. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.5, с.304−307.
  150. А.А., Бушмарина Г. С., Драбкин И. А., Санфиров Ю. З. Влияние гидростатического сжатия на электрические свойства PbixGexTe с-125 примесью Ga. //ФТП, 1978, т. 12, в.11, с.2219−2223.
  151. А.А., Бушмарииа Г. С., Драбкин И. А., Саифиров Ю. З. Влияние всестороннего сжатия на электрические свойства PbixSnxTe с примесью Ga. //ФТП, 1981, т. 15, в.1, с.197−199.
  152. Е.П., Некрасова А. Н., Пелехов Д.В, Рябова Л. И., Сидоров В. И. Электрические и фотоэлектрические свойства PbTe (Ga), облучённого электронами. //ФТП, 1994, т.28, в.9, с. 1626−1635.
  153. Е.П. Стабилизация донорного действия галлия в сплавах PbixSnxTe, облученных электронами. //ФТП, 1995, т.29, в.8, с.1416−1424.
  154. Н.Б., Пономарев Я. Г. Электронные переходы в сплавах висмут-олово, висмут-свинец, висмут-сурьма и висмут-сурьма-свинец под действием давления. //ЖЭТФ, 1968, т.55, в.4(10), с.1215−1237.
  155. Jennings L.D., Swenson С.A. Effects of pressure on the superconducting transition temperatures of Sn, In, Та, T1 and Hg. //Phys. Rev., 1958, v. 112, N1, p.31−43.
  156. П.С. Физика полупроводников. //M.: Высшая школа, 1975.
  157. Petritz R.L. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of semiconductor surface. //Phys. Rev., 1958, v. 110, № 6, p.1254−1262.
  158. В.И., Соловьев H.H., Омельяновский Э. М., Ивлева B.C. Влияние поверхностной проводимости на электрофизические свойства компенсированного n-InSb. //ФТП, 1978, т. 12, в. 10, с. 1904−1908.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!