Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Квантово-химическое моделирование строения и свойств локальных дефектов в широкозонных полупроводниках и диэлектриках

Диссертация: Квантово-химическое моделирование строения и свойств локальных дефектов в широкозонных полупроводниках и диэлектриках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Локальные дефекты в оксидах кремния и германия подробно изучаются в течение нескольких последних десятилетий в связи с их использованием в волоконной оптике. Кроме того, ультрадисперсные материалы, построенные из этих оксидов, представляют интерес в фундаментальном и прикладном плане вследствие возможных применений комбинированных систем на их основе с участием полупроводников и металлов… Читать ещё >

Квантово-химическое моделирование строения и свойств локальных дефектов в широкозонных полупроводниках и диэлектриках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ПРОБЛЕМЫ СТРОЕНИЯ И СВОЙСТВ ЛОКАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ В ОПТИЧЕСКИ АКТИВНЫХ МАТЕРИАЛАХ
    • 1. Дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
    • 2. Локальные дефекты в оксидах кремния и германия
    • 3. Комбинированные ИУ- дефекты в алмазе
    • 4. Методика расчетов
  • Глава 2. СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ЛОКАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
  • Часть 1. Аморфный селен
    • 1. Изолированные заряженные центры (УАР)
    • 2. Нейтральные дефекты
    • 3. Возможные пути трансформации ГВК
    • 4. ИК- спектры фрагментов исходной сетки и ГВК в а-Эе
    • 5. Влияние ГВК на зонную структуру ХСП
    • 6. Моделирование энергий вертикальных возбуждений на основных фрагментах ННС и гипервалептных дефектах в селене
  • >7 Гипервалентные конфигурации с незамкнутыми связями в аморфном селене
    • 8. Взаимная стабилизация ГВК
    • 9. Примеси в аморфном селене
      • 9. 1. Дефекты с участием хлора
      • 9. 2. Дефекты с участием теллура
      • 9. 3. Дефекты с участием мышьяка. 97 9.4. Примесь германия в аморфном селене
  • Часть 2. Строение и свойства дефектов в сульфиде мышьяка
    • 1. Базовые фрагменты ННС
    • 2. Заряженные и гипервалентные дефекты
    • 3. Колебательные спектры различных фрагментов ННС V-AS2S
    • 4. Влияние дефектов на зонную структуру V-AS2S
  • Глава 3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В
  • ОКСИДАХ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ
    • 1. Кислород-содержащие поверхностные дефекты в оксидах кремния и германия
      • 1. 1. Немостиковый кислород -0-А= (NBO)
      • 1. 2. Пероксидный радикал -0−0-А=
      • 1. 3. Дефекты 0=А< И 02А<
    • 2. Поверхностные дефекты с дефицитом кислорода (КДЦ)
      • 2. 1. Двукратно координированные атомы германия и кремния А<
      • 2. 2. Поверхностный Е'-центр
      • 2. 3. Комбинация поверхностного Е'-центра и кислородной вакансии
    • 3. Одинарные и двойные кислородные вакансии (OV и DOV)
      • 3. 1. Поглощение на одиночной и двойной кислородных вакансиях
      • 3. 2. Инвертированная вакансия
      • 3. 3. Люминесценция на одинарной и двойной кислородных вакансиях
    • 4. Примесь алюминия в оксиде кремния: дефект [АЮ4]
  • Глава 4. СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ С
  • УЧАСТИЕМ ВАКАНСИИ И АТОМОВ АЗОТА В АЛМАЗЕ
    • 1. Моделирование фрагментов решетки алмаза с локальными дефектами
    • 2. Возбужденные состояния дефекта с одним атомом азота
    • 3. Влияние возбуждений на геометрические параметры дефекта NV"'
    • 4. Возбужденные состояния нейтрального дефекта NV
    • 5. Дефекты с участием двух и трех атомов азота
      • 5. 1. Результаты DFT
      • 5. 2. Результаты CASPT

Локальные дефекты в диэлектриках и широкозонных полупроводниках играют важную роль в формировании их свойств. Во-первых, многие из них создают локализованные состояния в запрещенной зоне, существенно меняя характер взаимодействия данного материала с электромагнитным излучением и создавая поглощающие и люминесцентные центры. Во-вторых, ряд локальных дефектов может принимать участие в трансформации структуры материала, снижая барьеры на пути переключения связей в термически активированных процессах или участвуя в фотоструктурных превращениях. Однако далеко не всегда свойства дефектов, а в ряде случаев и их строение удается однозначно определить на основе только экспериментальных исследований. Значительную помощь в такой ситуации могут оказать прецизионные квантово-химические расчеты с использованием наиболее надежных из имеющихся подходов. В настоящее время имеется ряд проблем, для решения которых значительный вклад может внести применение квантово-химического моделирования.

Одной из таких проблем является выяснение строения и свойств локальных дефектов в ХСП (халькогенидных стеклообразных полупроводниках), наиболее типичными представителями которых являются аморфные селен, сульфид и ссленид мышьяка. Многие свойства ХСП, важные с точки зрения их прикладного использования, определяются дефектами структуры и связанными с ними состояниями в запрещенной зоне. Однако вопрос о микроскопической природе таких дефектов остается открытым.

Следует подчеркнуть, что в данной работе, как и в других работах по изучению строения неупорядоченных материалов, в качестве дефекта рассматривается лишь такое нарушение структуры ближнего порядка, которое приводит к изменению системы связей, в том числе координационных чисел (КЧ) отдельных атомов, формирующих кристаллическую решетку или непрерывную неупорядоченную сетку (ННС) твердого тела.

Локальные дефекты в оксидах кремния и германия подробно изучаются в течение нескольких последних десятилетий в связи с их использованием в волоконной оптике. Кроме того, ультрадисперсные материалы, построенные из этих оксидов, представляют интерес в фундаментальном и прикладном плане вследствие возможных применений комбинированных систем на их основе с участием полупроводников и металлов в качестве функциональных элементов в полупроводниковой технике и в оптоэлектронике. К настоящему времени накоплен подробный материал по поглощающим свойствам точечных дефектов в ЭЮг, причем существенную роль в систематизации и интерпретации экспериментальных результатов сыграли теоретические исследованиядля веСЬ данные более разрозненны. Однако люминесцентные свойства дефектов пока изучены мало не только для веСЬ, но и для 8Ю2. Это связано с тем, что в подавляющем большинстве случаев переход в возбужденное состояния приводит к значительному изменению геометрического строения и к большой величине Стоксова сдвига, что осложняет интерпретацию экспериментальных данных. Моделирование люминесценции могло бы сыграть здесь не менее существенную роль, чем в понимании поглощающих свойств дефектов. Однако для этого необходима оптимизация геометрического строения электронно-возбужденных состояний, чю лежит на пределе возможностей современных квантово-химических методов, поэтому теоретическое изучение люминесценции в данной области находится пока на начальном этапе.

Наличие дефектов в алмазоподобных материалах приводит к формированию оптически активных центров. Наиболее перспективными на сегодняшний день являются центры в алмазе с участием атомов азота и вакансии (ЫУдефекты). Такие образования стабильны до 500° К и обладают особенно сильными электронными переходами, что позволяет оптически детектировать отдельные центры. Кроме того, они обладают высокой химической стойкостью и фото-стабильностью, и сочетание этих свойств делает их перспективными источниками единичных фотонов с высоким квантовым выходом, что необходимо в таких областях, как сканирующая микроскопия высокого разрешения, квантовые компьютеры и квантовая криптография. По этим причинам они широко изучаются как экспериментально, так и теоретически, и рассматриваются как хороший пример квантовых объектов с потенциальным применением для квантовых информационных процессов. Однако электронное строение возбужденных состояний этих центров является сложным и пока однозначно не установлено.

Целью данной работы является применение квантово-химического моделирования, базирующегося на проверенных современных методах, для решения ключевых проблем в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, оксидах германия, кремния и комбинированных центров в алмазах на" основе вакансии и атомов азота с помощью.

Для ХСП такой проблемой является выяснение строения, стабильности, влияния на зонную структуру и проявлению в наблюдаемых свойствах локальных дефектов, как собственных, так и с участием примесей, в наиболее типичных их представителяхаморфном селене и сульфиде мышьяка. Для БЮг и веОз задачей моделирования является выяснение поглощающих и люминесцентных свойств наиболее распространенных локальных дефектов, а для ИУдефектов в алмазах — определение электронного строения и последовательности первых возбужденных состояний. Необходимым условием для решения поставленных задач является выбор адекватных методов моделирования электронновозбужденных состояний.

Научная новизна работы. Впервые выполнено моделирование строения, стабильности, влияния на зонную структуру, участия в трансформации структуры, проявления в ИКи РФЭспектрах локальных дефектов с повышенными координационными числами в наиболее типичных представителях ХСП — аморфном селене и сульфиде мышьяка (а-8е, у-А528з), в том числе с участием примесей. Для типичных локальных дефектов (немостиковый кислород, пероксидный мостик, силанон, диоксилиран, поверхностный Е'-центр, одинарная и двойная вакансии по кислороду) в оксидах германия и кремния с кварцеподобной структурой определены свойства полос люминесценции при поглощении фотонов в диапазоне энергий до 5 — 7 эВ. Для дефектов в алмазах на основе вакансии и атомов азота определено электронное строение первых возбужденных состояний и их расположение на энергетической шкале.

Научная и практическая значимость работы. В результате исследования разработана оптимальная стратегия моделирования возбужденных состояний локальных дефектов со сложным электронным строением, выяснена возможность существования гипревалентных дефектов в ХСП, определено их влияние на свойства ХСП и предложены способы их обнаружения. Для наиболее типичных локальных дефектов в оксидах кремния и германия установлена связь характера перехода с энергией возбуждения, величиной Стоксова сдвига и возможностью безизлучательного сброса возбуждения. Определены электронно-оптические характеристики низших возбужденных состояний локальных дефектов в алмазе на основе вакансии и атомов азота. Полученные результаты дают возможность целенаправленного подбора функциональных материалов для электронно-оптических устройств.

Автор благодарит бывших сотрудников лаборатории химии халькогенидов ИОНХ РАН д.х.н. проф. С. А. Дембовского, к.х.н. Е. А. Чечеткину, к.х.н С. А. Козюхина, сотрудника ИОФ РАН д.ф.м.н. В. Б. Сулимова за организационную поддержку работы, постоянный интерес и активное обсуждение результатов, аспирантов ИОНХ РАН O.A. Кондакову и Ф. В. Григорьева за участие в проведении расчетов и оформлении результатов, сотрудников института атомных и молекулярных исследований и центра по изучению конденсированного состояния вещества АН Тайваня (Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, and Center for Condensed Matter Science, National Taiwan University) проф. C. X Лина и проф. M. Хайяши, проф. факультета химии и биохимии университета Флориды, США (Department of Chemistry and Biochemistry, Florida International University, Miami) A.M. Мебеля за организационную поддержку, предоставление программ и компьютерных ресурсов, а также постоянный интерес к работе.

Основные результаты и выводы.

1. С помощью современных квантово-химических подходов изучено около ста локальных дефектов в ХСП, оксидах кремния, германия и в алмазе.

2. Предложен комплексный подход, повышающий достоверность результатов при моделировании сложных возбужденных состояний, базирующийся на применении на первом этапе методов функционала плотности и МК ССП, а на втором — ССЭЭ или СА8РТ2.

3. Найдено, что в халькогенидных стеклообразных полупроводниках возможно существование метастабильных дефектов с повышенными координационными числами входящих в них атомов (гипервалентных конфигураций), лежащих на энергетической шкале ниже фрагментов, соответствующих разрыву связи. Показано, что наличие ГВК может быть идентифицировано с помощью РФЭ — спектров.

4. Найдено, что формирование гипервалентных дефектов приводит к появлению локализованных состояний в запрещенной зоне и дополнительных полос в ИКи КРспектрах. Частоты дополнительных полос согласуются с положениями слабых пиков, появляющихся в спектрах ХСП при переходе от кристаллических модификаций к стеклообразным. Показано, что энергетически выгодна как агрегация отдельных ГВК, так и формирование при участии ГВК и незамкнутых связей метастабильных конфигураций с делокализованной спиновой плотностью.

5. Продемонстрировано, что входящие в ХСП примеси могут принимать участие в формировании гипервалентных дефектов, в ряде случаев повышая их относительные стабильности и снижая барьеры на пути переключения связей при трансформации непрерывной неупорядоченной сетки в ХСП.

6. Найдено, что для большинства возбужденных состояний в оксидах кремния и германия характерна значительная реорганизация геометрического строения и существенная величина Стоксова сдвига, вплоть до нескольких эВ, причем в ряде подобных случаев сброс возбуждения происходит безизлучательно. Показано, что при замене 81 — ве свойства однотипных дефектов принципиально не меняются, но энергии переходов могут смещаться на 0.3 — 1.0 эВ.

7. Найдено, что поглощение фотонов с энергиями 5 — 6 эВ дефектами 0=А< и 02А< приводит к формированию полос люминесценции в области 2.3 эВ (81) и 1.8 эВ (Се) с колебательными прогрессиями, примерно вдвое различающимися по частоте. Такие особенности наблюдаются в полосах люминесценции нано материалов с трубчатой сотоподобной структурой.

8. Показано, что для кислородных вакансий характерно наличие интенсивной полосы поглощения в УФдиапазоне (.6.8 — 7 эВ для Се02), а соответствующая полоса люминесценции находится в области 3.5 и 3.2 эВ. Для двойной вакансии энергии снижаются примерно на 1 эВ, и для оксида германия на двойной вакансии поглощение света происходит в интервале энергий 5.5 — 5.9 эВ, а люминесценция — -2.6 эВ. Полученные результаты согласуются с данными эксперимента для нанопроволок на основе субстехиометрического оксида германия.

9. Найдено, что при формировании дефектов с участием вакансии и атомов азота атомы, примыкающие к вакансии, смещаются от ее центра на ~0.1 А, а позиции атомов второго слоя вокруг вакансии меняются слабо. Взаимодействия незамкнутых связей в области дефекта оказываются существенными, что приводит к снижению мультиплетности основных состояний.

10. Найдено, что при формировании первых возбужденных состояний система жестких связей не затрагивается. Волновые функции таких состояний формируются из нескольких базовых конфигураций. Как правило, первые возбужденные состояния имеют валентный характер, но диффузные состояния близки к ним по энергии, в особенности для N3V°.

11. На основе результатов выполненного в данной работе моделирования предложены следующие схемы электронных состояний для рассмотренных систем:

NV1: 13А2(0.0), 1'E (~0.7 эВ), l’A^-l.C эВ), 13Е (-2.2 эВ), 2*Е (~2.3 эВ), l’A?, 23Е, З’Е, 3jE, 43Е, 4*Е, 53Е (~3 эВ), с наиболее вероятными переходами из 13А2 в 13Е и 53Е.

NV0: 12Е (0.0), 12А2 (-2.4 эВ), 22Е (-2.7 — 2.8 эВ), 12АЬ 32Е и т. д. (-3.2 эВ и выше).

N2V°: 1lA! (0.0), l’Bi (-2.6 эВ), 2'А, (-3.3 эВ). N3V°: 12А, (0.0), 12Е (-3 эВ), 22А, (-3 эВ).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски. // М, «Мир». 1982. 419 с.
  2. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. // М., «Мир», 1986, 558 с.
  3. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. Цэндина К. Д. // СПб, Наука. 1996. 486 с.
  4. Anderson P.V. Model for the Electronic Structure of Amorphous Semiconductors. // Phys. Rev. Lett. 1975. V. 34. P. 953−955.
  5. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-Alternation Model for Localized Gap States in Lone-Pair Semiconductors. // Phys. Rev. Lett., 1976. V. 37. P. 1504−1507.
  6. Н.Ф., Дэвис Э. А. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т.2. // М., «Мир», 1981, 662 с.
  7. Н. А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15. С. 369−374.
  8. Н. А. Квазимолекулярные дефекты и их связь с вязкостью полупроводниковых халькогенидных расплавов. // Физика и техника полупроводников. 1982. Т. 16. С. 344−347.
  9. Tanaka К. The charged defect exists? // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2001. V. 3, P. 189−198.
  10. Ю.Г., Ткаченко Ю. В. Температурные изменения ближнего порядка расплавленных халькогенидов. I. Сера. // Журнал физической химии. 1975. Т.49. С.301−306.
  11. Ю.Г. Температурные изменения ближнего порядка расплавленных халькогенидов. II. Селен. // Журнал физической химии. 1975. Т.49. С.307−309.
  12. Kolobov A.V., Oyanagi H., Tanaka K., Tanaka Ke. Structural study of amorphous selenium by in situ EXAFS: Observation of photoinduced bond alternation. //Phys. Rev. B. 1997. V.55. P. 726−734.
  13. C.A., Чечеткина E.A. Стеклообразование. // M., «Наука», 1990, 278 с.
  14. Dembovsky S.A., Chechetkina E.A. Resonance phenomena and defects in amprphous selenium. //Philosophical Magazine B, 1986, Vol.53, No.5, 367 381.
  15. Dembovsky S.A., Chechetkina E. A. Glassy state clarified trough chemical bonds and their defects. // J. Non-Cryst. Solids, 1986. V. 85, № 3, P. 346−357.
  16. Dembovsky S.A., Chechetkina E. A. Glassy materials clarified through the eyes of hypervalent bonding configurations. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2001. V. 3, P. 3−18.
  17. Keneman S.A. Hologram Storage in Arsenic Trisulfide Thin Films. // Appl. Phys. Letters. 1971. V. 19. P. 205−208.
  18. Berkes J.S., Ing S.W., Hillegas W.J. Photodecomposition of Amorphous As2Se3 and As2S3. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 4908−4917.
  19. Tanaka K. Reversible photoinduced change in intermolecular distance in amorphous As2S3 network. // Appl. Phys. Letters. 1975. V. 26. P. 243−246.
  20. Pfeifer G. Identification of IRO structures in photodarkening: A high pressure study of As2S3.// J. Non-Cryst. Solids. 1989. V. 114. P. 130−132.
  21. Kolobov A.V., Kondo M., Oyanagi H., Matsuda A., Tanaka K. Negative correlation energy and valence alternation in amorphous selenium: An in situ «optically induced ESR study. // Phys. Rev. B. 1998. V.58. P. 12 004−12 007.
  22. Kolobov A. V., Tanaka K. Nanoscale mechanism of photo-induced metasyability and reversible photodarkening in chalcogenide vitreous semiconductors. // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 8. С. 899−903.
  23. Mytilineou E., Kolobov A. Short-, Medium- and Long-Range-Order Structural Transformation in Amrphous Semiconductors. //In: «Photo-Induced Metastability in Amoiphous Semiconductors», A.V.Kolobov editor, 2003, P. 45−57.
  24. Tanaka K. Sub-Gap Photo-Induced Phenomena in Chalcogenide Glasses. //In: «Photo-Induced Metastability in Amorphous Semiconductors», A.V.Kolobov editor, 2003, P. 69−90.
  25. Vanderbilt D., Joannopoulous J.D. Theory of defect states in glassy selenium. // Phys.Rev.B. 1980. V. 22. № 6. P. 2927 2939.
  26. Vanderbilt D., Joannopoulous J.D. Total energies in Se. 111. Defects in the glass. //Phys.Rev.B. 1983. V. 27. № 10. P. 6311 6321.
  27. Hohl D., Jones R.O. First-principles molecular-dynamics simulation of liquid and amorphous selenium. // Phys. Rev. B. 1991. V.43. № 5. P. 3856 -3870.
  28. Billes F., Mitsa F., Fejes I., Mateleshko N., Fejsa I. Calculation of the vibrational spectra of arsenic sulfide clusters. // J.Mol.Struct. 1999. V. 513. P.109−115.
  29. Abdullaev G.B., Mekhtieva S.I., Abdinov D.Sh., Aliev G.M. Effect of Oxygen on Some Electrical Properties of Selenium. // Phys. Status Solidi. 1965. V.ll.P. 891−898.
  30. Twaddell V.A., Lacourse W.C., Mackenzie J.D. Impurity effects on the structure and electrical properties of non-crystalline selenium. // J. Non-Cryst. Solids. 1972. V.8−10. P. 831−836.
  31. Assuncao M.C. Effect of halogen impurities on transport properties of selenium glasses. //J. Non-Cryst. Solids. 1991. V. 136. P. 81−90.
  32. Hamada S., YoshidaN., Shirai T. On the Viscosity of Liquid Selenium // Bull. Chem. Soc. Japan. 1969. V.42. P. 1025−1029.
  33. Tashiaki Oshaka. Infrared spectra of glassy Se containing small amounts of S, Te, As, or Ge. // J. Non-Cryst. Solids. 1975. V. 17. P. 121−128.
  34. S.A., Chechetkina E.A., Ilizarov L.M., Kharkovsky A.Yu. // In: «Amorphous Semi conductors-84». 1984. Gabrovo, Bulgaria. V.2. P.39.
  35. Yao M., Hosokawa S., Endo H. The effect of charged additives on the conductivity and the thermopower in liquid selenium. // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V.59−60.P. 1083.-1086
  36. E.A. Влияние примесей на вязкое течение в стеклообразующих жидкостях.//Материаловедение. 1999. № 6. С.6−14.
  37. Е.А., Dembovsky S.A., Kupriyanova Т.А. // Extremal behavior of impurities in glassy selenium. Proc. 13th Symp. Non-Oxide Glasses, Pardubice, 2002. Part I. P. 119−122.
  38. Assuncao M.C. Infrared spectra of doped selenium glasses. //Infrared Physics. 1991. V. 31, P. 587−594.
  39. Gelmont B.L., Kolomiets B.T., Tsendin K.D. Impurity Conduction of Chalcogenide Vitreous Semiconductors. //Phys. Status Solidi A, 1985. V. 91, P. 319−322.
  40. Takasald Y., Mauryama E., Uda Т., Hirai Т. Molecular doping in amorphous selenium. //J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 59&60, P. 949−952.
  41. Abkowitz M., Jansen F. Chemical modification of the electrical behavior of a-Se and its alloys-xerographic studies. //J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 59&60. P. 953−956.
  42. Feltz A., Aust H., Blayer A. Glass formation and properties of chalcogenide systems XXVI: Permittivity and the structure of glasses As^Sei-j and GexSe, t. //J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 55. P. 179−190.
  43. Sreeram A.N., Swiler D.R., Varshneya A.K. Gibbs-DiMarzio equation to describe the glass transition temperature trends in multicomponent chalcogenide glasses. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. V. 127. P. 287−297.
  44. Sreeram A.N., Varshneya A.K., Swiler D.R. Molar volume and elastic properties of multicomponent chalcogenide glasses. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. V. 128. P. 294−309.
  45. Senapati U., Varshneya A.K. Viscosity of chalcogenide glass-forming liquids: an anomaly in the 'strong' and 'fragile' classification. // J. Non-Cryts. Solids. 1996. V. 197. P. 210−218.
  46. Wang Y., Nakamura M., Matsuda O., Murase K. Rigidity percolation and structure of Ge-Se system. // Phys. B. 1999. V. 263. P. 313−316.
  47. Guin J.-P., Rouxel T., Keryvin V., Sangleboeuf J.-C., Serre I., Lucas J. Indentation creep of Ge-Se chalcogenide glasses below Tg: elastic recovery and non-Newtonian flow. // J. Non-Cryst. Solids. 2002. V. 298. P. 260−269.
  48. Guin J.-P., Rouxel T., Sangleboeuf J.-C., Melscoet I., Lucas J. Hardness, Toughness, and Scratchability of Germanium-Selenium Chalcogenide Glasses // J. Amer. Ceram. Soc. 2002. V. 85. P. 1545−1552.
  49. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids I: Short-range order in chalcogenide alloys. // J. Non-Cryst. Solids. 1979. V. 34. P. 153−181.
  50. Thorpe M.F. Continuous deformations in random networks, // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 57. P. 355−370.
  51. Phillips J.C., Thorpe M.F. Constraint theory, vector percolation and glass formation. // Solid State Comm. 1985. V. 53. P. 699−702.
  52. Tronc P., Bensoussan M., Brenac A., Sebenne C. Optical-Absorption Edge and Raman Scattering in GeTSeir Glasses. // Phys. Rev. B. 1973. V. 8. P. 5947−5956.
  53. Nemanich R.J., Solin S.A., Lucovsky J. First evidence for vibrational excitations of large atomic clusters in amorphous semiconductors. // Solid State Comm. 1977. V. 21. P. 273−276.
  54. Ball G.J., Chamberlain J.M. Infrared structural studies of Ge^Sej-y glasses. // J. Non-Cryst. Solids. 1978. V. 29. P. 239−248.
  55. Kawamura H., Matsumura M. Raman scattering and bond structure in chalcogenide glasses (Se—Ge system). // Solid State Comm. 1979. V. 32. P. 83−84.
  56. Boolchand P., Feng X., Bresser W.J. Rigidity transitions in binary Ge-Se glasses and the intermediate phase. // J. Non-Cryst. Solids. 2001. V. 293. P. 348−356.
  57. Taniguchi M., Kouchi T., Hosokawa S., Nakatake M., Namatame H., Murase K. Photoemission and inverse-photoemission studies of glassy GexSe, x. // J. Elec. Spectr. Relat. Phenom. 1996. V. 78. P. 507−510.
  58. Ramesh Rao N., Krishna P. S.R., Basu S., Dasannacharya B.A., Sangunni K.S., Gopal E.S.R. Structural correlations in Ge^Se^ glasses a neutron diffraction study. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 240. P. 221−231.
  59. O’Brien M. C. M. The Structure of the Colour Centres in Smoky Quartz. //Proc. Roy. Soc. London, Ser. A. 1955. V. 231. P. 404−414.
  60. Weeks R.A. Paramagnetic Resonance of Lattice Defects in Irradiated Quartz. // J. Appl. Phys. 1956. V. 27. № 11. P. 1376−1381.
  61. Cohen A.J., Smith H.L. Ultraviolet and infrared absorption of fused Germania. //J. Phys. Chem. Solids. 1958. V. 7. P. 301−306.
  62. Nelson C.M., Weeks R.A. Trapped Electrons in Irradiated Quartz and Silica: I, Optical Absorption. // J. Am. Ceram. Soc. 1960. V. 43. № 8. P. 396 399.
  63. Mackey H., Jr. EPR Study of Impurity-Related Color Centers in
  64. Germanium-Doped Quartz. //J. Chem. Phys. 1963. V. 39. P. 74−83.— —
  65. Skuja L., Hirano M., Hosono H. Oxygen-Related Intrinsic Defects in Glassy Si02: Interstitial Ozone Molecules. //Phys. Rev. Letters, 2000, V.84, № 2, P. 302−305.
  66. Friebele E. J., Griscom D. L., Stapelbroec M., Weeks R. A., Fundamental Defect Centers in Glass: The Peroxy Radical in Irradiated, High-Purity, Fused Silica. //Phys. Rev.Lett. 1979. V. 42. P. 1346−1349.
  67. Skuja L. N., Streletsky A. N., Pakovich A.B., A new intrinsic defect in amorphous Si02: Twofold coordinated silicon. //Solid State Commun. 1984. V. 50. P. 1069−1072.
  68. Skuja L. Isoelectronic series of twofold coordinated Si, Ge, and Sn atoms in glassy Si02: a luminescence study// J. Non-Cryst. Solids. 1992. V.149. № 1−2. P.77−95.
  69. Skuja L. Direct singlet-to-triplet optical absorption and luminescence excitation band of the twofold-coordinated silicon center in oxygen-deficient glassy Si02. //J.Non-Cryst. Solids. 1994. V.167. № 3. P.229−23S.
  70. Griskom D.L. Defect structure of glasses: Some outstanding questions in regard to’vitreous silica. //J.Non-Cryst.Solids. 1985. V. 73, P. 51−77.
  71. Imai H., Arai K., Imagawa H., Hosono PI., Abe Y. Two types of oxygen-deficient centers in synthetic silica glass. //Phys. Rev. B. 1988. V. 38. P. 12 772−12 775.
  72. A.A., Радциг B.A. Силановые группы >Si=0 на поверхности механически активированного диоксида кремния. //Кинетика и катализ. 1988. Т. 29. С. 638−641.
  73. А.А., Радциг В. А. Спектры оптического поглощения парамагнитных дефектов в стеклообразном Si02. //Физика и химия стекла. 1988. Т. 14. С. 501−507.
  74. В.А., Сенченя И. Н., Бобышев А. А., Казанский В. В. Силадиоксирановые группировки на поверхности Si02. Сопоставление результатов теоретического и экспериментального исследования. // Кинетика и катализ. 1989. Т. 31. С. 1334−1342.
  75. В.А. О механизме образования группировок (=Si-0-)2SiH2 /при гидрировании сислиленовых центров, стабилизированных на поверхности кремнезема. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 2. С. 310 316.
  76. Т. Е., Saifi М. A., Friebele Е. J., Griscom D. L., Osterberg U. Correlation of defect centers with second-harmonic generation in Ge-doped and Ge-P-doped silica-core single-mode libers. // Opt.Letters. 1989. V. 14. P. 1023−1025.
  77. D. L., Davey S. Т., Kashyap R., Armitage J. R., Ansile B. J., Direct observation of UV induced bleaching of 240 nm absorption band in photosensitive germanosilicate glass fibres. //Electron. Lett. 1992. V. 28. P. 369−371.
  78. Atkins R. M., Mizrahi V., Observations of changes in UV absorption bands of singlemode germanosilicate core optical fibres on writing and thermally erasing refractive index gratings. //Electron. Lett. 1992. V. 28. P. 1743−1744.
  79. Mizrahi V, Atkins R. M., Constant fluorescence during phase grating formation and defect band bleaching in optical fibres under 5.1 eV laser exposure. //Electron. Lett. 1992, V. 28. P. 2210−2211.
  80. Hosono H., Mizuguchi M., Kawazoe H., Nishii J., Correlation between Ge E' Centers and Optical Absorption Bands in Si02: Ge02 Glasses. //Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. L234-L236.
  81. Lieber С. M., One-dimensional nanostructures: Chemistry, physics & applications. //Solid State Commun. 1998. V. 107. P. 607−616.
  82. Hu J., Odom T. W., Lieber C.M., Chemistry and Physics in One Dimension: Synthesis and Properties ofNanowires and Nanotubes. //Acc. Chem. Res. 1999. V. 32. P. 435−445.
  83. Hosono H., Abe Y., Kinser D. L., Weeks R. A., Muta K., Kawazoe H., Nature and origin of the 5-eV band in SiC>2:Ge02 glasses. //Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 11 445−11 451.
  84. Hosono H., Abe Y., Imagawa H., Imai H., Arai K., Experimental evidence for the Si-Si bond model of the 7.6-eV band in Si02 glass. //Phys. Rev. B. 1991. V. 44. P. 12 043−12 045.
  85. Nishii J., Fukumi K., Yamanaka H., Kawamura K., Hosono H., Kawazoe H., Photochemical reactions in Ge02-Si02 glasses induced by ultraviolet irradiation: Comparison between Pig lamp and excimer laser. //Phys.Rew. B. 1995. V. 52. P. 1661−1665.
  86. Qui J., Wada N., Ogura F., Kojima K., Hirao K., Structural relaxation and long-lasting phosphorescence in sol-gel-derived Ge02 glass after ultraviolet light irradiation. //Phys. Condens. Matter. 2002. V. 14. P. 2561−2565.
  87. Trukhin A., Poumellec B., Photosensitivity of silica glass with germanium studied by photoinduced of thermally stimulated luminescence with vacuum ultraviolet radiation. //J.Non-Cryst.Solids. 2003. V. 324. P. 21−28.
  88. Hosono H., Mizuguchi M., Kawazoe H., Nishii J. Correlation between Ge E Centers and Optical Absorption Bands in Si02: Ge02 Glasses. //Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Part 2. N 2B. P. L234-L236.
  89. Maeda Y., Visible photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy Si02 matrix: Evidence in support of the quantum-confinement mechanism. //Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 1658−1670.
  90. Zacharias M., Fauchet P.M., Light emission from Ge and Ge02 nanocrystals. //J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227. P. 1058−1062.
  91. Wolkin M.V., Jorne J., Fauchet P.M. Electronic States and Luminescence in Porous Silicon Quantum Dots: The Role of Oxygen. // Phys. Rev. Letters. 1999. V. 82. P. 197−200.
  92. Skuja, L. The origin of the intrinsic 1.9 eV luminescence band in glassy Si02. //J Non-Cryst Solids. 1994. V. 179. P. 51−69.
  93. Defects in Si02 and Related Dielectrics: Science and Technology, NATO ASI Series II, edited by G. Pacchioni, L. Skuja, D. Griscom (Kluwer, Dordrecht, 2000), Vol. 2.
  94. Glinka Yu. D., Lin S. H., Chen Y.-T., The photoluminescence from hydrogen-related species in composites of Si02 nanoparticles. //Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 778−780.
  95. Glinka Yu. D., Lin S. IT., Chen Y.-T., Two-photon-excited luminescence and defect formation in Si02 nanoparticles induced by 6.4-eV ArF laser light. //Phys. Rew. B. 2000. V. 62. P. 4733−4743.
  96. Glinka Yu. D., Lin S. H., Hwang L.-P., Chen Y.-T., Photoluminescence
  97. Spectroscopy of Silica-Based Mesoporous Materials. //J. Phys. Chem. B. t2000. V. 104. P. 8652−8663.
  98. Glinka Yu. D., Lin S. H., Hwang L.-P., Chen Y.-T., Photoluminescence from mesoporous silica: Similarity of properties to porous silicon. //Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 3968−3970.
  99. Skuja L., Hosono H., Mizugichi M., Guttler D., Silin A., Site-srlrctive study of the 1.8 eV luminescence band in glassy Ge02. //J. Luminescence, 2000, V. 87−89. P. 699−701.
  100. Snyder K.C., Fowler W.B. Oxygen vacancy in a-quartz: a possible bi-and metastable defect // Phys.Rev. B. 1993. V. 48. № 18. P.13 238−13 243.
  101. Negishi Y., Nagao S., Nakamura Y., Nakajiama A., Kamei S., Kaya K., Visible photoluminescence of the deposited germanium-oxide prepared from clusters in the gas phase. //J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 6037−6043.
  102. Ikushima A.J., Fujiwara T., Saito k., Silica glass: A material for photonics. //Applied Phys. Letters, 2000, V. 88, № 3, P. 1201 1212.
  103. Sulimov V.B., Sokolov V.O., Dianov E.M., Poumellec B. Photoinduced structural transformation in silica glass: the role of oxygen vacancies in the mechanism for UV-written refractive index gratings // Phys. Status Solidi (a). 1996. V. 158. P. 155−160.
  104. Dianov E. M., Sokolov V. O., Sulimov V. B. Semiempirical calculations of point defects in silica. Oxygen vacancy and twofold coordinated silicon atom. // J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 149. P. 5−18.
  105. V. B., | Sokolov V. O. Cluster modeling of the neutral oxygen vacancy in pure silicon dioxide. // J. Non-Cryst. Solids. 1995. V. 191. P. 260−280.
  106. Sulimov V. B., Sokolov V. O., Poumellec B. Cluster modelling of the oxygen vacancy in the Si02-Ge02 system. // Phys. Status Solidi B. 1996. V. 196. P. 175−192.
  107. Kresge C.T., Leonowicz M.E., Roth W.J., Vartuli J.C., Beck J.S., Ordered mesoporous molecular sieves synthesized by a liquid-crystal template mechanism. //Nature. 1992. V. 359. P. 710−712.
  108. Wu X.C., Song W.H., Zhao B., Sun Y.P., Do J.J., Preparation and photoluminescence properties of crystalline Ge02 nanowires. //Chem.Phys.Letters. 2001. V. 349. P. 210−213.
  109. Huang M.H., Wu Y., Feick H., Truan N., Weber E., Yang P., Catalytic Growth of Zinc Oxide Nanowires by Vapor Transport. //Adv. Mater. 2001. V. 13.P. 113−116.
  110. Wu X. C., Song W. IT., Wang K. Y., Hu T., Zhao B., Sun Y.P., Du J. J., Preparation and photoluminescence properties of amorphous silica nanowires, Chem. Phys. Lett. 2001. V. 336. P. 53−56.
  111. Pan Z.W., Dai Z.R., Wang Z.L., Nanobelts of Semiconducting Oxides. //Science. 2001. V. 291. P. 1947−1949.
  112. Morrow B. A., McFarlan A. J., Surface vibrational modes of silanol groups on silica. //J. Phys. Chem. 1992. V. 96. P. 1395−1399.
  113. Pacchioni G., Vitiello M. EPR and IR spectral properties of hydrogen-associated bulk and surface defects in Si02: Ab initio calculations, //Phys.Rev. B. 1998. V. 58. № 12. P. 7745−7752.
  114. Maeda, Y. Visible photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy Si02 matrix: Evidence in support of the quantum-confinement mechanism. //Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 1658−1670.
  115. Zacharias, M.- Fauchet, P.M. Light emission from Ge and Ge02 nanocrystals. //J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227. P. 1058−1062.
  116. Pacchioni G., Ierano G. Ab initio theory of optical transitions of point* defects in Si02. // Phys.Rev. B. 1998. V. 57. P. 818−832.
  117. Pacchioni G., Ierano G. On the origin of the 5.0 and 7.6 eV absorption bands in oxygen deficient a-quartz and amorphous silica. A first principles quantum-chemical study. // J. Non-Crystalline Solids. 1997. V. 216. P. 1−9.
  118. Stefanov B. B., Raghavachari K. Photoabsorption of the neutral oxygen vacancy in silicate and germanosilicate glasses: First-principle calculations. // Phys. Rew. B. 1997. V. 56. P. 5035−5038.
  119. Pacchioni G., Ierano G., Computed Optical Absorption and Photoluminescence Spectra of Neutral Oxygen Vacancies in a-Quartz. // Phys.Rev.Letters. 1997. V. 79. P. 753−756.
  120. Pacchioni G., Ierano G., Marquez M., Optical Absorption and Nonradiative Decay Mechanism of E' Center in Silica. // Phys.Rev.Letters. 1998. V. 81. P. 377−380.
  121. Nuttall R. H. D., Weil J. A., The magnetic properties of the oxygen-hole aluminum centers in crystalline Si02.1. A104.°. //Can. J. Phys. 1981. V. 59. P. 1696−1708.
  122. Halliburton E., Koumvakalis N., Markes M. E., Martin J. J., Radiation effects in crystalline Si02: The role of aluminum. //J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 3565−3574.
  123. Martini M., Paleari A., Spinolo G., Vedda A., Role of A104.° centers in the 380-nm thermoluminescence of quartz. //Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 138−142.
  124. Continenza A., Di Pomponio A., All-electron study of the electronic properties of quartz with A1 substitutional impurity. //Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 13 687−13 693.
  125. Magagnini M., Giannozzi P., Dal Corso A., Microscopic structure of the substitutional A1 defect in a-quartz. //Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 26 212 625.
  126. Laegsgaard J., Stokbro K., Local chemistry of A1 and P impurities in silica. //Phys. Rev. B/ 2000. V. 61. P. 12 590−12 593.
  127. Sim F., Catlow C. R. A., Dupuis M., Watts J. D., Ab initio self-consistent-field molecular orbit calculations on defects associated with radiation damage in alpha-quartz. //J. Chem. Phys. 1991. V. 95. P. 4215−4224.
  128. Pacchioni G., Frigoli F., Ricci D., Weil J. A., Theoretical description of hole localization in a-quartz A1 center: The importance of exact electron exchange. //Phys. Rev. B. 2000. V. 63. P. 54 102−1 54 102−8.
  129. Zhang B. L., Raghavachari K. Photoabsorption and pthotoluminescence of divalent defects in silicate and germanosilicate glasses: First-principle calculations. //Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. R15993-R15996.
  130. Raghavachari К., Pacchioni G. Photoabsorption of dioxasylirane and silanone groups at the surface of silica. // J. Chem. Phys. 2001. V. 114. P. 4657−4662.
  131. Sousa C., De Graaf C., Pacchioni G. Optical properties of peroxy radicals in silica: Multiconfigurational perturbation theory calculations. // J. Chem. Phys. 2001. V. 114. P. 6259−6264.
  132. Raghavachari K., Ricci D., Pacchioni G. Optical properties of point defects in Si02 from time-dependent density functional theory. // J. Chem. Phys. 2002. V. 116. P. 825−831.
  133. Pacchioni G., Vitiello M., EPR and IR spectral properties of hydrogen-associated bulk and surface defects in Si02: Ab initio calculations. //Phys. Rev. B. 1998. V. 58. № 12. P. 7745−7752.
  134. Sokolov V.O., Sulimov Y.B. Theory of Twofold Coordinated Silicon and Germanium Atoms in Solid Silicon Dioxide, // Phys. Status Solidi (b). 1994. V. 186. P. 185−198.
  135. A.C., Сулимов|в.Б. Неэмпирический расчет оптических характеристик двухкоординированных атомов кремния и германия в легированном кварцевом стекле. // Физика и химия стекла. 1999. Т. 25. С. 144−154.
  136. Walker J. Optical absorption and luminescence in diamond. //Rep. Prog. Phys. 1979. Vol. 42. P. 1605−1659.
  137. Rand S. C., DeShazer L. G. Visible color-center laser in diamond. //Optics Letters. 1985. V. 10. P. 481−483.
  138. Jelezlco F., Tietz C., Gruber A., Popa I., Nizovtsev A., Kilin S., Wrachtrup J., Spectroscopy of Single N-V Centres in Diamond. // Single Mol. 2001. V. 2. P. 255−260.
  139. Koizumi, S., Watanabi, K., Hasegawa, M., and Kanda, H. Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction. //Science. 2001. V. 292. P. 18 991 901.
  140. Mainwood A. Point defects in natural and synthetic diamond: What they can tell us about CVD diamond. //Phys. Stat. Sol. (A) 1999. V. 172 P. 25−35.
  141. Clark C. D., Collins A. T., and Woods G. S., in: The Properties of Natural and Synthetic Diamond, //Ed. J. E. Field, Academic Press, London 1992 (p. 35).
  142. Sauer R. Luminescence from optical defects and impurities in CVD diamond. //Semiconductors and Semimetals, 2003, V. 76, P. 379−452.
  143. Davies G., Lawson S. C., Collins A. T., Mainwood A., and Sharp S. J., Vacancy-related centers in diamond. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 1 315 713 161.
  144. Farrer R. G., On the substitutional nitrogen donor in diamond. //Solid State Commun. 1969. V. 7. P. 685−688.
  145. Smith W. V., Sorokin P. P., Gelles I. L., and Lasher G. J., Electron-Spin Resonance of Nitrogen Donors in Diamond. //Phys. Rev. 1959. V. 115. P. 1546−1552.
  146. Kurtsiefer, C., Mayer, S., Zarda, P., and Weinfurter, P. Stable Solid-State Source of Single Photons. //Physical Review Letters. 2000. V. 85. P. 290−293.
  147. Wu E., Jacques V., Treussart F., Zeng H., Grangier P., Roch J.-F. Singlephoton emission in the near infrared from diamond color centre. // J. Luminescence, 2006, V. 119−120, P. 19−23.
  148. Brouri, R, Beveratos, A., Poizat, J.-P., and Grangier, P. Single-photon generation by pulsed excitation of a single dipole. //Phys. Rev. A. 2000. V. 62 P. 683 171−683 177.
  149. Huan-Cheng Chang, Kowa Chen and Sun Kwok, Nanodiamond as a possible earner of extended red emission. // Astrophysical Journal, 2006, V.639, L63-L66.
  150. Yu, S. J.- Kang, M. W.- Chang, H. C.- Chen, K. M.- Yu, Y. C.- Bright Fluorescent Nanodiamonds: No Photobleaching and Low Cytotoxicity. //J. Am. Chem. Soc. 2005. V. 127. P. 17 604−17 605.
  151. Treussart F., Jacques V., Wu E., Gacoin T., Grangier P., Roch J.-F. Photoluminescence of single color defccts in 50 nm diamond nanocrystals. // Physica B, 2006, V. 376−377, P. 926−929.
  152. Martin, J., Wannemacher, R., Teichert, J., Bischoff, L., and Kohler, B. Generation and detection of fluorescent color centers in diamond with submicron resolution. //Applied Physics Letters. 1999. V. 75. P. 3096−3098.
  153. GisinN., Ribordy G., Tittel W., Zbinden H., Quantum cryptography. //Rev.Mod.Phys. 2002. V. 74. P. 145−195.
  154. Gruber A., Drabensted A., Tietz C., Fleury L., Wrachtrup J., von Borczyskowski C., Scanning Confocal Optical Microscopy and Magnetic Resonance on Single Defect Centers. //Science. 1997. V. 276. P. 2012−2014.
  155. Wrachtrup J., Kilin S.Ya., Nizovtsev A.P., Quantum Computation Using the l3C Nuclear Spins Near the Single NV Defect Center in Diamond. //Opt. Spectrosc. 2001. V. 91. P.429−460.
  156. Jelezko F., Popa I., Gruber A., Tietz C., Wrachtrup J., Niezovtsev A., Kilin S., Single spin states in a defect center resolved by optical spectroscopy. //Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 2160−2162.
  157. Davies G., Hamer M.F., Optical studies of the 1.945 eV vibronic band in diamond. //Proc.Roy.Soc.Lond. A. 1976. V. 348, P. 285−298.
  158. Mita Y., Change of absorption spectra in Lype-I6 diamond with heavy neutron irradiation. //Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 11 360−11 364.
  159. Martin J.P.D., Fine structure of excited 3E state in nitrogen-vacancy centre of diamond. //J. Lumin. 1999. V. 81. P. 237−242.
  160. Dumeige Y., Treussart f., Alleaume R., Gacoin T., Roch J.-F., Grangier P., Photo-induced creation of nitrogen-related color centers in diamond nanocrystals under femtosecond illumination. //J. Lumin. 2004. V. 109. P. 6167.
  161. Iakoubovskii K., Adriaenssens G.J. Optical characterization of natural Argyle diamonds. //Diamond and Related Materials. 2002. V. 11. P. 125−131.
  162. Iakoubovskii K., Adriaenssens G.J., Nesladek M., Stals, L. M. Photoluminescence excitation and quenching spectra in CVD diamond films. // Diamond and Related Materials. 1999. V. 8. P. 717−721.
  163. Iakoubovskii K., Adriaenssens G.J., Nesladek M., Photochromism of vacancy-related centres in diamond. //J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. P. 189−199.
  164. Iakoubovskii K., Adriaenssens G.J., Dogadkin N.N., Shiryaev A. A., Optical characterization of some irradiation-induced centers in diamond. // Diamond and Related Materials. 2001. V. 10. P. 18−26.
  165. Iakoubovskii K., Adriaenssens G. J., Luminescence excitation spectra in diamond. //Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 10 174−10 178.
  166. Martin J.P.D., MansonN.B., Doetschman D.C., Sellars, M. J.- Neuhaus, R.- Wilson, E. Spectral hole burning and Raman heterodyne signals associated with an avoided crossing in the NV centre in diamond. //J. Lumin. 2000. V. 86. P. 355−361.
  167. Harrison J., Sellars M.J., Manson N.B., Optical spin polarisation of the N-V centre in diamond. //J. Lumin. 2004. V. 107. P. 245−249.
  168. Lenef A., Brown S. W., Redman D. A., and Rand S. C., Electronic structure of the N-V center in diamond: Experiments. //Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 13 427−13 440.
  169. Lenef A, Rand S.C., Electronic structure of the N-V center in diamond: Theory. //Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 13 441−13 445.
  170. Goss J.P., Jones R., Briddon P.R., Oberg S., Comment on «Electronic structure of the N-V center in diamond: Theory «.//Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 16 031−16 032.
  171. Lenef A., Rand S.C., Reply to «Comment on 'Electronic structure of the N-V center in diamond: Theory'» //Phys. Rev. B. 1977. V. 56. P. 1 603 316 034.
  172. Coulson C.A., Kearsley M.J. Colour centres in irradiated diamonds. // Proc.Roy.Soc.Lond., A. 1957. V. 241.P. 433−454.
  173. Goss J. P., Jones R., and Breuer S. J., Briddon P. R., Oberg S., The Twelve-line 1.682 eV Luminescence Center in Diamond and the Vacancy-Silicon Complex. //Phys.Rev.Letters. 1996. V. 77. P. 3041−3044.
  174. Luszczeka M., Laskowskib R., Horodeckia P., The ab initio calculations of single nitrogen—vacancy defect center in diamond. //Physica B. 2004. V. 348. P. 292−296.
  175. Shim J., Lee E.K., Lee Y.J., Density-functional calculations of defect formation energies using supercell methods: Defects in diamond. //Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 35 206−35 209.
  176. Goss J.P., Briddon P.R., Papagiannidis S., Jones R., Interstitial nitrogen and its complexes in diamond. //Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 235 208 235 211.
  177. Goss J.P., Briddon P.R., Jones R., Sque S. Donor and acceptor states in diamond. //Diamond and Related Materials. 2004. V. 13. P. 684−690.
  178. Jones R., Goss J.P., Briddon P.R., Oberg S., N2 and N4 optical transitions in diamond: A breakdown of the vacancy model.//Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. R1654-R1657.
  179. Li L.H., Lowther J.E. Plane-wave pseudopotential calculations of intrinsic defects in diamond. //J.Phys.Chem.Solids. 1997. V. 58. P. 16 071 611.
  180. Breuter S.J., Briddon P.R. AB-INITIO STUDY OF SUBSTITUTIONAL BORON AND THE BORON-HYDROGEN COMPLEX IN DIAMOND. //Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 10 332−10 336.
  181. Becke A.D. Density-functional thermochemistry. III. The role of exact exchange. //J.Chem.Phys. 1993. V.98. № 4. P. 5648−5652.
  182. Lee C., Yang W., Parr R. G. Development of the Colle-Salvetti correlation-energy formula into a functional of the electron density. // Phys. Rev. B. 1998. V. 37. P. 785−789.
  183. Johnson B.J., Gill P.M.W., Pople J.A. The performance of a family of density functional methods/ // J.Chem.Phys. 1993. V.98. № 4. P. 5612−5626.
  184. Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al., GAUSSIAN 98, Revision A.7, (Gaussian, Inc., PA, 1998).
  185. Foresman J.B., Frish E. Exploring Chemistry with Electronic Structure Methods. Second Edition. //Gaussian, Inc., Pittsburg, PA, 1996. 301p.
  186. Pople J.A., Binkley J.S., Seeger R. Theoretical Models Incorporating Electron Correlation. //Int. J. Quant. Chem., 1976, Symp. № 10, p. 1−19.
  187. Hay P.J., Wadt W.R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for the transition metal atoms Sc to Hg. // J.Chem.Phys. 1985. V.82. P.270−283.
  188. Binning R.C., Curtiss L.A. Compact contracted basis sets for third-row atoms: Ga-Kr. //J.Comput.Chem. 1990. V.ll. P. 1206−1216.
  189. S. // Gaussian basis sets for molecular calculations. Elsevier, 1984.
  190. K.C. Филлипенко H. В., Бобкова В. A. // Молекулярные постоянные неорганических^ соединений. // JL, Химия, 1979 г., 448 с.
  191. Le Page Y., Cavlert L.D., Gabe E.G. Parameter variation in low-quartzbetween 94 and 298K. //J.Phys.Chem.Solids. 1980. V. 41. P. 721−725.
  192. Head-Gordon M., Maurice D., Oumi M., A perturbative correction to restricted open shell configuration interaction with single substitutions for excited states of radicals. //Chem. Phys. Letters. 1995. V. 246. P. 114−121.
  193. Bauernshmitt M., Alrichs R., Treatment of electronic excitations within the adiabatic approximationof time dependent density functional theory. //Chem.Phys.Letters. 1996. V. 256. P. 454−457.
  194. Tozer D. J., Handy N. C. Improving virtual Kohn-Sham orbitals and eigenvalues: Application to excitation energies and static polarizabilities. // J. Chem. Phys. 1998. V. 109. P. 10 180−10 189.
  195. Chu, X.- Chu, S. I. Self-interaction-free time-dependent density-functional theory for molecular processes in High-order harmonic generation of strong fields: H2 in intense laser fields. //Phys. Rev. A. 2001. V. 63. P. 23 411−23 420.
  196. Shieh J. C., Chang J. I., Wu J. C., Li R., Mebel A. M., Handy N. C., Chen Y. T. Rydberg states of propyne at 6.8−10.5 eV studied by two-photon resonant ionization spectroscopy and theoretical calculation // J. Chem. Phys. 2000. V. 112. P. 7384−7393.
  197. Stanton J.F., Bartlett R.J. The equation of motion coupled-cluster method. A systematic iorthogonal approach to molecular excitation energies, transition probabilities, and excited state properties. // J.Chem.Phys. 1993. V. 98. P. 7029−7036.
  198. Cedrebaum, L. S.- Domcke, N.- vonNiessen, W. Many-body calculation of electron affinities: C2 and a prediction for P2. //J. Phys. B. 1977. V. 10. P. 2963−2966.
  199. Von Niessen, W.- Schirmer, J.- Cederbaum, L. S. Computational methods for the one-particle green’s function. //Comput. Phys. Rep. 1984. V. l.P. 57−125.
  200. Ortiz, J. V. Electron binding energies of anionic alkali metal atoms from partial fourth order electron propagator theory calculations. //J. Chem. Phys. 1988. V. 89. P. 6348−6352.
  201. Zakrzewski, V. G., Boldyrev, A.I., The upper ionization potentials of F~, LiF~2, BeF~3, BO~2, AlO o, and NO"3 ions calculated by Green’s function method. //J. Chem. Phys. 1990. V. 93. P. 657−660.
  202. Schirmer, J., Angonoa, G. On Green’s function calculations of the static self-energy part, the ground state energy and expectation values. //J. Chem. Phys. 1989. V. 91. P. 1754−1761.
  203. Trofimov, A. B., Schirmer, J. An efficient polarization propagator approach to valence electron excitation spectra. //J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 1995. V. 28. P. 2299−2303.
  204. Holland, D. M. P., Potts, A. W., Karlsson, L., Trofimov, A. B., Schirmer, J. The influence of shape resonance phenomena on the valence shell photoionization dynamics of silicon tetrafluoride //J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 2002. V. 35. P. 1741−1745.
  205. Zyubin A.S., Mebel A.M.-Performance of time-dependent density functional and Green functions methods for calculations of excitation energies in radicals and for Rydberg electronic states. //J. Comput. Chem. 2003. V. 24. P. 692−700.
  206. Zyubin A.S., Mebel A.M. Accurate Prediction of Excitation Energies to High-Lying Rydberg Electronic States: Rydberg States of Acetylene as a Case Study. //J. Chem. Phys. 2003. V. 119. № 13. P. 6581−6597.
  207. Nakatsuji H., Cluster expansion of the wavefunction. Excited states. //Chem. Phys. Lett. 1978. V. 59. P. 362−367.
  208. Nakatsuji H., Cluster expansion of the wavefunction. Electron correlations in ground and excited states by SAC (symmetry-adapted-cluster) and SAC CI theories. //Chem. Phys. Lett. 1979. V. 67. P. 329−333.
  209. Nakatsuji H., Cluster expansion of the wavefunction. Calculation of electron correlations in ground and excited states by SAC and SAC CT theories. //Chem. Phys. Lett. 1979. V. 67. P. 334−339.
  210. Werner H.-J., Knowles P.J. A second order multiconfiguration SCF procedure with optimum convergence. // J.Chem.Phys. 1985. V. 82. P. 50 535 058.
  211. MOLPRO is a package of ab initio programs written by H.-J. Werner and P.J. Knowles with contributions from R. D. Amos, H.-J. Werner and P.J. Knowles.
  212. Werner H.-J., Knowles P.J. An efficient internally contracted multiconfiguration-reference configuration interaction method. // J.Chem.Phys. 1988. V. 89. P. 5803−5807.
  213. Andersson, K.- Malmqvist, P. A.- Roos, В. O.- Second-order perturbation theory with a complete active space self-consistent field reference function. //J Chem Phys. 1992. V. 96: P. 1218−1226.
  214. Ф.В., Дембовский C.A., Зюбин A.C. Моделирование гипервалентных конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированных структур и их свойств в a-Se и a-As2S3. //Физика и техника полупроводников, 1998. т.32. № 8ю С. 944−951.
  215. A.C., Дембовский С. А., Григорьев Ф. В., Ливинский A.B. Моделирование локализованных состояний вблизи краев валентной зоны и зоны проводимости в a-S, a-Se и AS2S3. // Матриаловедение. 1998. № 11. С. 2−8.
  216. A.C., Дембовский С. А., Григорьев Ф. В. Квантово-химическое моде-лирование пар с переменной валентностью и гипервалентных конфигураций в аморфной сере. // Материаловедение. 1999. № 4. С. 31−37.
  217. Dembovsky S.A., Zyubin A.S., Grigorjev F.V. Negative U-Centers in Glassy Semiconductors: Quantum Chemical Modeling of Amorphous Sulfur. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 1999. V. 1. № 4. P. 2131.
  218. C.A., Зюбин A.C. Дефекты типа гипервалентных конфигураций в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. // Ж. Неорг. Химии. 2001. Т.46. № 1. С. 131−142.
  219. A.C., Григорьев Ф. В., Дембовский С. А. Квантово-химическое моделирование гипервалентных дефектов в аморфном селене. //Ж. Неорг. Химии. 2001. Т.46. № 8. С. 1359−1357.
  220. A.C., Григорьев Ф.В, Дембовский С. А. Квантово-химическое моделирование влияния дефектов на ИК-спектр и электронную структуру a-Se. // Физика и Техника Полупроводников. 2003. Т.37. № 5. С. 616−621.
  221. A.C., Дембовский С. А., Мебель A.M. Электронные возбуждения гипервалентных конфигураций в аморфном селене: квантово-химическое моделирование. // Ж. Неорг. Химии. 2007. Т. 52. № 9. С. 1503−1511.
  222. A.C., Дембовский С. А. Гипервалентные конфигурации с незамкнутыми связями в аморфном селене: квантово-химическое моделирование. // Ж. Неорг. Химии. 2009. Т. 54. № 2. С.264−266.
  223. А.С., Дедюлин С. Н., Штанов В. И., Яшина JI.B. Моделирование химических сдвигов остовных электронных уровней в кристаллическом РЬТе с примесью Ge.// Ж.неорг.химии. 2007. Т. 52. С. 283−291.
  224. А.С., Дембовский С. А. Агрегация локальных гипервалентных дефектов в аморфном селене: квантово-химическое моделирование. // Ж. Неорг. Химии. 2009. Т. 54. № 3. С.449−452.
  225. Kondakova О.А., Zyubin A.S., Dembovsky S.A. Quantum chemical modeling of chlorine-doped defects in a-Se. // Physica B. 2001. V. 308−310, P.1061−1064.
  226. Kondakova O.A., Zyubin A.S., Dembovsky S.A. Quantum Chemical Modeling of Chlorine-Doped and Hypervalent Defects participation in Reconstruction of the a-Se Structure. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2001 V.3. № 4. P. 847−853.
  227. A.C., Кондакова O.A., Дембовский С. А. Квантово- • химическое моделирование примесных дефектов с участием хлора в аморфном селене. // Ж. Неорг. Химии. 2003. Т.47. № 7. С. 1156−1163.
  228. Григорьев Ф. В, Зюбин А. С., Дембовский С. А. Квантово-химическое моделирование структуры, стабильности и ИК спектров дефектов с участием атомов теллура в аморфном селене. // Ж. Неорг. Химии. 2004. Т.49. № 4. С. 631−635.
  229. А.С., Дембовский С. А. Квантово-химическое моделирование дефектов с участием мышьяка в аморфном селене. // Ж. Неорг. Химии. 2003. Т.47. № 10. с. 1676−1680.
  230. А.С., Кондакова О. А. Квантово-химическое исследование строения и свойств дефектов с участием германия в аморфном селене. // Ж. Неорг. Химии. 2003. Т.47. № 8. С. 1350−1355.
  231. А.С., Дембовский С. А. Квантово-химическое моделирование деформационных и связевых дефектов в стеклообразном AS2S3. // Ж. Неорг. Химии. 2004. Т.49. № 5. С. 804−812.
  232. Glinka Yu.D., Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.H., Hwang L.P., Chen Y.T. Photoluminescence properties of silica-based mesoporous materials similar to those of nanoscale silicon. // European Physical Journal D. 2001. V. 16. P. 279−283.
  233. Glinka Yu.D., Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.H., Hwang L.P., Chen Y.T. Photoluminescence from mesoporous silica akin to that from nanoscale silicon. // Chem. Phys. Letters. 2002. V. 358. № 3−4. P. 180−186.
  234. Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.LI., Glinka Yu.D. Photoluminescence of Silanone and Dioxasilyrane Groups in Silicon Oxides: A Theoretical Study // Journal of Chemical Physics. 2002. V.116. № 22. P. 9889−9896.
  235. Zyubin A.S., Mebel A.M. Performance of time-dependent density functional and Green functions methods for calculations of excitation energies in radicals and for Rydberg electronic states. // J. Comput. Chem. 2003. V. 24. P. 692−700.
  236. Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.H. Photoluminescence of Oxygen-Containing Surface Defects in Germanium Oxides: A Theoretical Study. // J. Chem. Phys. 2005. JV 123. № 4, P. 44 701−44 714.
  237. A.C., Мебель A.M., Лин С.Ш. Квантово-химическое моделирование оптических свойств точечных дефектов 0=Х< и ОоХ< в оксидах кремния и германия. // Ж. Неорг. Химии. 2005. Т. 50, № 12. С. 1 -10.
  238. Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.Ii. Photoluminescence of oxygen-deficient defects in germanium oxides: A quantum chemical study. // J. Chem. Phys. 2006. V. 125. № 6. P. 4701−4709.
  239. Zyubin A. S., Mebel A. M., Lin S. H. «Optical Properties of Oxygen Vacancies in Germanium Oxides: Quantum Chemical Modeling of PhotoExcitation and Photo-Luminescence». // J. Phys. Chem. A. 2007. V. 111. №. 38. P. 9479−9485.
  240. Itoh U., Toyoshima Y., Onuki H., Washida N., Ibuki T., Vacuum ultraviolet absorption cross sections of SiLL*, GeH4, Si2H6, and Si3H8. // J. Chem. Phys. 1986. V. 85. P. 4867−4869.
  241. Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.H. Quantum chemical modeling of photoabsorption and photoluminescence of the A104.° defect in bulk Si02 // J. Chem. Phys. 2003. V. 119. № 21. P. 11 408−11 414.
  242. Zyubin A.S., Mebel A.M., Chang H.C., Lin S.H. Potential energy surfaces for the lowest excited states of the nitrogen-vacancy point defects in diamonds: A quantum chemical study. // Chemical Physics Letters. 2008. V. 462. P. 251−255.
  243. Zyubin A.S., Mebel A.M., Hayashi M., Chang H.C., Lin S.H. Quantum Chemical Modeling of Photo-adsorption Properties of the Nitrogen-Vacancy Point Defect in Diamond. // J. Comput. Chem. 2009. V. 30. P. 119−131.
  244. Zyubin A.S., Mebel A.M., Hayashi M., Chang H.C., Lin S.H. Quantum chemical modeling of photo-absorption properties of the two- and three-nitrogen-vacancy point defects in diamond. //J. Phys. Chem. C. 2009. V. 113. № 24. P. 10 432−10 440.
  245. Buenker, R. J.- Peyerimhoff, S. D. Energy extrapolation in CI calculations. //Theor Chim Acta. 1975. V. 39. № 3. P. 217−228.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!