Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10, 6 МКМ

Диссертация: Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10, 6 МКМ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Первая глава диссертации посвящена анализу современных представлений о природе оптического пробоя в объеме твердых прозрачных диэлектриков. Во второй главе приведена методика измерений. В третьей главе сопоставлены результаты измерений оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с величиной порогов оптического пробоя в области ГО, 6мкм. Там же приведены результаты исследования… Читать ещё >

Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10, 6 МКМ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРИРОДЕ ОПТИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ОБЪЕМЕ ТВЕРДЫХ ПРОЗРАЧНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Установка для исследования рассеяния, свечения и структуры очагов разрушения при воздействии на щелочно-галоидные кристаллы импульсов лазерного излучения -Лг=Ю, 6мкм
      • 2. 1. 1. Методика измерения рассеяния
      • 2. 1. 2. Me то дика исследования вспышек свечения
      • 2. 1. 3. Методика исследования структуры очагов разрушения
    • 2. 2. Установка для измерения коэффициентов поглощения щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм калориметрическим методом
    • 2. 3. Измерение фотолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов
    • 2. 4. Исследование состава и структуры поглощающих не-однородностей электронномикроскопическим методом
    • 2. 5. Установка для исследования триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов
    • 2. 6. Оценка концентрации и размеров поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ОПТИЧЕСКИЙ ПРОБОЙ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ИМПУЛЬСАМИ ЛА
  • ЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -А =10,6 МКМ
    • 3. 1. Сопоставление оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с порогами оптического пробоя в области Юмкм
      • 3. 1. 1. Поглощение в области 10,6мкм
      • 3. 1. 2. Фо толюминесценция
      • 3. 1. 3. Пороги пробоя и концентрация поглощающих неодно родностей
    • 3. 2. Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм
    • 3. 3. Исследование структуры очагов разрушения и кинетики свечения щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения a s=I0,6mkm
    • 3. 4. Сопоставление кинетики роста рассеяния и интенсивности свечения в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения, А =10,6мкм
    • 3. 5. Исследование скорости роста очагов микроразруше^ ний в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения, А «Ю.бмкм
  • Выводы к главе 3
  • ШВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ И СОСТАВА ПОГЛОЩАЮЩИХ НЕ0ДН
  • Р0ДН0СТЕЙ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 4. 1. Исследование структуры и состава поглощающих неоднородноетей в щелочно-галоидных кристаллах электронномикроскопическим методом
    • 4. 2. Анализ спектральных зависимостей вспышек свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения
  • A s=I0,бмкм. НО
  • Выводы к главе 4
  • ШВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРИБОЛКМИНЕСЦЕНЦИИ ЩЕЛ0ЧН0-ГАЛ0ИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 5. 1. Исследование спектра триболюминесценции
    • 5. 2. Кинетика вспышек триболюминесценции в различных областях спектра
    • 5. 3. Локализация свечения различного спектрального состава при триболюминесценции Afo Сб
  • Выводы к главе 5

В настоящее время проблеме оптического пробоя уделяется очень большое внимание. Среди объектов исследования в первую очередь представляют интерес материалы, используемые в квантовой электронике для изготовления элементов лазерных систем, поскольку обычно на практике оптической прочностью элементов ограничивается предельно достижимая мощность лазеров. Несмотря на то, что щелочно-галоидные кристаллы широко известны, как наиболее перспективные материалы для окон лазеров среднего ИК диапазона, включая и такие широко распространенные устройства, как лазеры на COg, изучение оптического пробоя в них далеко от завершения. Дело в том, что большинство работ, посвященных исследованиям в этом направлении, проводилось на единичных, специально отобранных кристаллах с целью изучения собственных механизмов разрушения, реализующихся в чистых диэлектриках при острой фокусировке лазерного излучения. Указанным '.условиям воздействия обычно соответствуют предельные для данного материала значения порогов пробоя, которые в области ГОмкм составляют 10-^-10^ Вт/см^. Проблемы, связанные-с экспериментальными и теоретическими исследованиями механизмов собственного пробоя, представляющие несомненный научный интерес, далеки, однако, от реальных потребностей прикладной оптики, которая испол-льзует серийные кристаллы промышленного изготовления, обладающие в условиях воздействия слабосфокусированных пучков лазерного излучения порогами пробоя на несколько порядков ниже предельных.

В настоящее время надежно установлено, что к снижению порога пробоя в реальных кристаллах приводит наличие неоднородностей, поглощающих лазерное излучение. В связи с этим, и механизмы пробоя в таких материалах отличаются от механизмов пробоя в чистых диэлектриках. За период многолетней деятельности по изучению оптического пробоя накопилось огромное число экспериментальных данных, подтверждающих роль поглощающих неоднородностей в процессах разрушения. В последнее время было предложено несколько теоретических моделей, объясняющих оптический пробой в объеме реального диэлектрика присутствием поглощающих частиц малого размера ~ (10″ «®-10» «» ^) см, и получены косвенные экспериментальные доказательства, не противоречащие предложенным моделям. Несмотря на это, вопрос о составе, свойствах и размерах неоднородностей, инициирующих в данных условиях воздействия лазерного излучения оптический пробой прозрачного диэлектрика, за редким исключением на сегодняшний день остается открытым. Все сказанное в полной мере относится и к щелочно-галоидным кристаллам, для которых до постановки настоящей работы не было конкретных сведений о природе неоднородностей, в связи с чем и выбор той или иной теоретической модели для описания оптического пробоя этих материалов, которые по своим свойствам отличаются от таких наиболее изученных объектов, как стекла и полимеры, не представлялся достаточно обоснованным.

Все это определило постановку настоящей работы, целью которой явилось исследование особенностей развития оптического пробоя в объеме промышленных щелочно-галоидных кристаллов Noct, ксе, К/3/* импульсами лазерного излучения Л=10,6мкм и изучение природы и состава поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой. Эксперименты по исследованию пробоя проведены при плотности мощности лазерного излучения Cj, ~ Ю^Вт/см^, соответствующей образованию в объеме кристаллов очагов микроразрушений размерами Ю-50мкм. Диаметр эффективного пятна воздействия составлял 0,1 — 1 мм, длительность импульса генерации — 1−2мкс по основанию. Предполагалось, что полученные результаты позволят уточнить модель оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов с поглощающими неоднородностями и предложить пути повышения порогов пробоя промышленных кристаллов в области Юмкм.

В ходе проведения исследований большинство экспериментальных результатов получено впервые. Среди них можно отметить следующие:

1. Показано, что, исключая-отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов, определяемых общим содержанием примесей, не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2. Экспериментально доказало, что оптический пробой промышленных щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения. Л = 10,6мкм инициируется неоднородностями, в состав которых входят примеси, способные образовывать в этих кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области Юмкм. Определен элементный состав, размеры и концентрации таких неоднородностей.

3. Определена последовательность процессов развития оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллоы с поглощающими неоднородностями импульсами лазерного излученияЛ=10,6мкм: начальная стадия пробоя включает в себя нагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей ~Ю00С, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Показано, что характер свечения находит непротиворечивое объяснение в рамках механизма, сходного с триболюминесценцией щелочно-галоидных кристаллов.

4. Показано, что основной рост рассеяния (в Ю-Ю0раз), обусловленный возникновением в объеме кристаллов очагов микроразрушений п размерами 10−50мкм, соответствует во времени (обычно 2*10 -2'ICT^c от начала воздействия импульса, А =10,6мкм) наибольшей интенсивности вспышек свечения. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

5. Показано, что особенность возбуждения триболюминесценции при разрушении кристаллов импульсами лазерного излучения по сравнению с традиционным способом механического разрушения состоит в том, что в первом случае возбуждаются преимущественно линии примесей, образующих поглощающие неоднородности, а во втором — линии элементов, входящих в состав кристаллической решетки и атмосферы, окружающей кристалл.

Практическая ценность работы, продиктованная насущными потребностями силовой оптики, не вызывает сомнений. В ходе проведенных исследований:

1. Предложен метод определения элементного состава поглощающих неоднородностей по результатам анализа спектральных зависимостей свечения, сопровождающего оптический пробой. Метод позволяет исследовать непомредственно те неоднородности, которые определяют величину порога пробоя прозрачного диэлектрика в данных условиях воздействия лазерного излучения.

2. Предложены пути повышения порогов пробоя промышленных ще-лочно-галоидных кристаллов в области Юмкм, предполагающие снижение концентрации примесей г, о, to. V л Si (особенно JY) и принятие мер по их более равномерному распределению по объему кристалла в процессе его выращивания.

3. Предложен простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, содержащих поглощающие неоднородности, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога оптического пробоя к концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Чистые щелочно-галоидные кристаллы с малым коэффициентом объемного поглощения на А= 10,6мкм, близким к решеточному многофо-нонному поглощению, обладают высоким порогом оптического пробоя (для NaCC 9−4-I09Bt/cm2). Промышленные щелочно-галоидные кристаллы с большим количеством примесей обладают относительно низким порогом пробоя, причем его величина не обнаруживает корреляции с общей концентрацией примесей, а определяется степенью отличия распределения поглощающих примесей от однородного (поглощающие неоднородности). Поэтому, исключая отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2. В состав неоднородностей, инициирующих оптический пробой промышленных щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения Л — Ю, 6мкм входят примеси Р, S,е t V и Si (последний особенно часто), способные образовывать в щелочно-галоидных кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области Юмкм. Преимущественные размеры таких неоднородностей составляют I-Змкм, а их концентрации в большинстве случаев находятся в пределах Ю4-Ю5см~3.

3. Начальная стадия оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения у=Ю, 6мкм включает в себя.

— ГОнагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей I000C, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Характер свечения находит непротиворечивое объяснение в рамках механизма, сходного с триболюминес-ценцией щелочно-галоидных кристаллов и не соответствует представлениям о свечении, как излучении теплового источника с температурой в несколько тысяч градусов.

4. Особенность возбуждения триболюминесценции импульсами лазерного излучения при растрескивании кристаллов вблизи нагреваемых поглощающих неоднородностей состоит в том, что возбуждаются преимущественно линии элементовt входящих в состав поглощающих неоднородностей, тогда как при традиционном способе возбуждения под действием удара в основном происходит возбуждение линий элементов, образующих кристалличнскую решетку и окружающую кристалл атмосферу.

5. Основной рост рассеяния (в 10−100 раз), обусловленный возникновением в объеме кристаллов очагов микроразрушений размерами 10−50мкм, соответствует во времени (обычно 2•10″ ''' - 2*10″ ^ с от начала воздействия импульса Л — 10,6мкм) наибольшей интенсивности вспышек свечения и подтверждает взаимосвязанность обоих процессов. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

Первая глава диссертации посвящена анализу современных представлений о природе оптического пробоя в объеме твердых прозрачных диэлектриков. Во второй главе приведена методика измерений. В третьей главе сопоставлены результаты измерений оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с величиной порогов оптического пробоя в области ГО, 6мкм. Там же приведены результаты исследования процессов, сопровождающих оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения 10,6мкм: кинетики свечения, скорости роста размеров очагов микроразрушений и обусловленного их появлением роста рассеяния. Четвертая глава посвящена изучению природы и состава поглощающих неоднородностей, инициирующих оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов в области ГОмкм. В пятой главе приведены результаты исследований особенностей триболюми-несценции щелочно-галоидных кристаллов, возбуждаемой механическим воздействием. В приложении описан простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога оптическогопробоя и концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента.

Основные результаты, полученные в работе, и выводы кратко могут быть сформулированы следующим образом:

1. С целью поиска методов прогнозирования порогов оптического пробоя промышленных щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6 мкм с величиной порога пробоя сопоставлены оптические характеристики кристаллов, определяемые общим содержанием примесей (поглощение в области 10,6- мкм, рассеяние в области 0,63 и 10,6 мкм, фотолюминесценция в видимой области). Исследования проведены в широкой обласр л т ти значений коэффициента поглощения (10 -10)см и порогов пробоя (Ю^-Ю*®) Вт/см2″ Обнаружено, что чистые щелочно-галоидные кристаллы с малым коэффициентом объемного поглощения на Л= Ю, 6мкм, близким к решеточному многофононному поглощению, обладают высоким порогам оптического пробоя (для NqC€ 4−109 Вт/см2). Щелочно-галоидные кристаллы с большим количеством примесей обладают низким порогом пробоя, причем его величина не коррелирует с общей концентрацией примесей, а определяется степенью отличия распределения поглощающих примесей от однородного (поглощающие неоднородности). Показано, что, исключая отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2.Проверено влияние агрегатов центров окраски и коллоидов щелочного металла на изменение оптических свойств и порогов оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов. Показано, что поглощающие неоднородности, каковыми являются центры окраски и коллоиды, непричастны к процессам оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов в области использованных значений длительности импульса лазерного излучения.

3. Исследован элементный состав неоднородностей в промышленных щелочно-галоидных кристаллах и состав очагов микроразрушений, образующихся при воздействии на кристаллы импульсов лазерного излучения 10,6 мкм. Показано, что оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов инициируется неоднородностями, в состав которых входят Р, S, te, У и ^ (последний наиболее часто), способные образовывать в щелочно-галоидных кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области 10 мкм. Показано" что преимущественные размеры таких неоднородностей составляют 1−3 мкм, а их концентрации в большинстве случаев находятся в области Ю4-Ю5 см" 3.

4. Определена последовательность процессов развития оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов с поглощающими неодно-родностями: начальная стадия пробоя включает в себя нагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей ^ I000G, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Дальнейшее поглощение энергии лазерного излучения вплоть до конца импульса может сопровождаться плавлением и более интенсивным растрескиванием матрицы вблизи неоднородности.

5. Исследовано свечение, сопровождающее оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения.

Ю, 6 мкм плотностью мощности ^ 107 Вт/см^, соответствующей образованию в объеме кристаллов очагов микроразрушения размерами 10−50 мкм. Исследованы спектральные зависимости свечения в области 300−1100 нм. Анализ спектральных зависимостей показывает, что ряд максимумов в спектрах свечения может быть сопоставлен линиям излучения элементов, составляющих кристаллическую решетку (Nq % К, С£, ЬР) и элементов, образующих поглощающие неоднородности (Р, Si, $, V). На примере кремния показано, что методом анализа спектров свечения можно определять состав тех неоднородностей, которые инициируют оптический пробой прозрачного диэлектрика в условиях проводимого эксперимента. Подобие кинетики вспышек свечения в различных областях спектра (400 и ITOOhm) при их длительностях (5−15мкс), существенно превышающих длительность лазерного импульса (1−2мкс), нерегулярные изменения интенсивности на спаде вспышек свечения, низкие температуры нагрева поглощающих неоднородностей к началу вспышки и характер спектральных зависимостей находят непротиворечивое объяснение в рамках механизма свечения, сходного с триболюминесценцией щелочно-галоидных кристаллов и не соответствуют представлениям о свечении, как излучении теплового источника с температурой в несколько тысяч градусов.

6. Сопоставлена кинетика роста рассеяния, обусловленного возникновением очагов микроразрушений, и интенсивности вспышек свечения в течение времени Qr? l мин от начала воздействия импульса лазерного излучения У1 = Ю, 6мкм. Показано, что основной рост рассеяния (в IQ-ЮОраз) соответствует во времени (обычно 2"Ю~7 — 2'КГ*6 с) наибольшей интенсивности вспышек свечения и подтверждает взаимосвязанность обоих процессов. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

7. Исследована триболюминесценция щелочно-галоидных кристаллов, возбуждаемая механическим ударом. Впервые с высоким для такого рода исследований спектральным разрешением (/М=о, 7нм) зарегистрирован спектр триболюминесценции /VflC^ в области 300−600 нм. Показано, что в УФ области спектр полностью совпадает со спектрами, приводимыми в литературе и со спектром излучения разряда в азоте. Отличительной особенностью спектра является наличие в видимой области ярковыра-женных Я) -линий натрия. Полученный результат можно рассматривать в качестве экспериментального подтверждения участия в процессах возбуждения триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов элементов, входящих в состав кристаллической решетки.

Обнаружено, что трещины, образующиеся вблизи поверхности и в объеме разрушаемого механическим ударом NqC? имеют различные спектры свечения. Показано, что первые обеспечивают основной вклад в УФ область спектра триболюминесценции, обусловленную полосами, а вторые являются основным источником излучения в видимой области на линиях натрия.

8. Исследованы особенности возбуждения триболюминесценции импульсами лазерного излучения при растрескивании кристаллов вблизи нагреваемых поглощающих неоднородностей и при традиционном способе возбуждения под действием удара. Путем сопоставления спектров свечения показано, что в первом случае возбуждаются преимущественно линии элементов, входящих в состав поглощающих неоднородностей, а во втором — в основном происходит возбуждение линий элементов, образующих кристаллическую решетку и окружающую кристалл атмосферу.

9. Предложен и опробован простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, содержащих поглощающие неоднородности, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога пробоя и концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента. Предложенный метод позволяет в несколько раз сократить затраты времени и материала на производство измерений по сравнению с обычно используемым для этой цели статистическим мето.

3 — i дом. Метод применим при условии f0 У С, где Ро — радиус эффективного пятна воздействия, а С — концентрация поглощающих неоднородностей. х х х.

В заключение автор выражает благодарность своему научному руководителю В. Н. Смирнову за помощь, которую он оказывал при выполнении настоящей работы. Автор благодарен также А.м.Бонч-Бруевичу, Я.А.Ок-сману, М. Н. Либенсону и В. Л. Комолову за постоянное внимание и интерес к работе.

ЗАКЖИЕНИЕ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chiao R.Y., TowneS С. H. f Stoichef-f Д A StimuBated fbnctCown scattering and coherent generation of- intense hypersonic waves, Phys. /?ei/. i964t Vfl, NZi, p. 592−595'.
  2. П.И., Кисенко Е. К., Лукошюс И. П., Малдутис Э. К. Исследование влияния ВРМБ на объемное разрушение оптических стекол. Квантовая электроника, 1978, т.5, $ 9, с.2032−2034.
  3. Ф.В., Прохоров A.M. Роль многофотонных процессов в установлении предельной мощности квантовых генераторов. ЖЭТФ, 1965, т.46, М, с. 1084−1086.
  4. B.C., Клышко Д. Н., Ленин А. Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера. Письма в ЖЭТФ, 1966, т. З, ЩО, с.385−389.
  5. Т.П., Свириденков Э.А.Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновых ОКГ. Письма в ЖЭТФ, 1966, т. З, № 10, с. 394−396.
  6. Г. М., Михайлова Т. Н., Пашков В. А., Соловьева Н. М. 0 механизмах разрушения рубина и лейкосапфира мощным лазерным излучением. ЖЭТФ, 1967, т.53, № 6, с.1849−1857.1. «Келдыш Л. В. Ионизация в поле сильной световой волны. -ЖЭТФ, т.47, т, с. 1945^1957.
  7. С.А., Зверев F.M., Наумов B.C., Пашков В. А. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием излучения лазера с синхронизацией мод. ЖЭТФ, 1972, т.62, Щ, с.294−299.
  8. Л.А., Лохов Ю. Н., Фивейский Ю. Д. К теории разрушения прозрачных диэлектриков гигантским импульсом QKT. ФХОМ, 1969, № 4, с.3−9.
  9. Л.А., Лохов Ю. Н., Фивейский Ю. Д. Разрушение оптически прозрачных диэлектриков сфокусированным излучением ОКГ. ФХОМ, 1970, № 4, с.142−144.
  10. В.Г., Уляков П. И. Термоупругое разрушение прозрачных сред излучением оптических квантовых генераторов. ИФЖ, 1968, т.15, гёб, с. 1093−10 99.
  11. В.Г., Уляков П. И. Термоупругие напряжения в пластине с произвольным по времени цилиндрическим источником. ФХОМ, 1973, № 1, с.27−31.
  12. Бонч-Бруевич A.M., Имас Я. А., Комолов B.C., Салядинов B.C., Смирнов В. Н. Характер поглощения и разогрева оптического стекла при воздействии квазинепрерывного импульса излучения неодимового ОКГ.- ЖТФ, 1975, т.45, № 5, C. III7-II2I.
  13. Н.Е., Корниенко Л. С., Радченко В. В., Федоров Г. М., Чо-порняк Д.Б. Воздействие лазерного излучения миллисекундной длительности на радиационное окрашенное стекло К-8. Квантовая электроника, 1976, т. З, №, с.1570−1576.
  14. Г. М., Левчук Е. А., Малдутис Э. К. Разрушение кристаллов КДР, АДР и Liпод действием интенсивного лазерного излучения. ЖЭТФ, 1969, т.57, № 3, с.730−735.
  15. А.А., Макшанцев Б. И., Мульченко Б. Ф., Пилипецкий Н. Ф. Зависимость порога разрушения органического стекла от длительности воздействия ОКГ и размеров облучаемой зоны. ЖЭТФ, 1976, т.70,1, с.132−140.
  16. И.В., Бонч-Бруевич A.M., Имас Я. А., Комолов В. Л. Вероятность оптического пробоя поверхности стекла. ЖТФ, т.45,1. Щ, с.1264−1267.
  17. С.И., Комолов В. Л. Оптический пробой компенсированных полупроводников. ФГТ, 1974, т. 16, J?2, с.575−776.
  18. Н.В., Лихачев В. А., Степанов М. И., Шестопалов Л. М. Исследование механизма оптического разрушения монокристаллов фтористого лития. ЗТТ, 1967, т.9, № 3, с.778−783.
  19. B.C., Снопко В. Н. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием излучения С02 лазера. ФГТ, 1977, т.19, ЖЕ, с.293−296.
  20. Zl.Apostoe Zfr Hi hoi бе icu I. N. f A/istor L.C.f Teo-donescu V.S. Electron microscopy study of thz damages f produced in /TCP By tea C0Z €cisen irr о of Lotions. — Roum. PhyS. f 197lt Y22f AfQtp. 211 212.
  21. М.Б., Новиков Н. П., Перминов В.П.г Ямпольский П. А., Некоторые вопросы начального этапа развития лазерного разрушения в полиметилметакрилате. Квантовая электроника, IS76, т. З, ЩО, с. 227 9−2281.
  22. Fradin ?>. U/.y Явоетвепдеп Ж bete tier У. P. dependence of Cqser- induced GreaKdown fieZd strength on pu€ie durationАррв. Phys. L
  23. Н.Н., Новиков Н. П., Юдин Ю. И. Специфика развития разрушений в прозрачных полимерах при воздействии мощного светового излучения. Механика полимеров, 1967, № 6, с.1035−1042.
  24. И.Л., Мулъченко Б. Ф., Пилипецкий Н. Ф., Супонин В. И. Поглощение света и развитие лазерной трещины. Механика полимеров, ЮТ, № 3, с.409−412.
  25. С.С. Термическое разложение органических полимеров. М., Мир, 1967, -328с.
  26. Hopper A.W.j tihemon ® /Чес-hQnism of- спсвг/sion damage in €ctsen gtass. X Appe. PAvs., 1970, Vbi, NiO, p. b023 — 4037.
  27. B.H., Смирнов Вл. H. Анализ характера напряженного состояния прозрачного диэлектрика, обусловленного нагревом поглощающих включений импульсами лазерного излучения. ЖТФ, 1978, т.48, № 4, с.860−863.
  28. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением. ЖЭТФ, 1972, т.63, № 3, с.1030−1035.
  29. С.И., Макшанцев Б. И. Роль поглощающих неоднородностей в оптическом пробое прозрачных сред. ФГТ, 1973, т.15, № 4, с. 1090−1095.
  30. П.С., Макшанцев Б. И. О распространении волны поглощения ОКГ в твердом прозрачном диэлектрике. -ЖЭТФ, 1974, т.66, № 5, с.1734−1739.
  31. .И., Кондратенко П. С., Гандельман Г. М. Роль поглощающих неоднородностей в развитии лавинной ионизации. ФГТ, 1974, т.16, Ж, с.173−178.
  32. Н.Е., Радченко В. В., Федоров Г. М., Чопорняк Д. Б. Оптический разряд в стекле. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, ЖГЗ, с.775−778.
  33. Н.В., Каск Н. Е., Радченко В. В., Федоров Г. М., Федорович О. В., Чопорняк Д. Б. Наблюдение волны поглощения в прозрачных диэлектриках. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 21, с.1296−1300.
  34. М.И., Гросберг А. Ю. О нагреве лазерным излучением прозрачной среды со случайными поглощающими неоднородностя-ми» -ЖЭТФ, 1975, т.68, № 3, c. IQ60-I065.
  35. М.И. Об оптическом пробое прозрачных сред со случайными неоднородностями. Квантовая электроника, 1976, т. З, Ш, с.2374−2383.
  36. М.И. О статистических характеристиках процесса нагрева лазерным излучением прозрачной среды со случайными поглощающими включениями. ЖЭТФ, 1977, т.72, Щ, с.326−328.
  37. М.Н. Плазменно-химическая модель оптического про--боя прозрачных диэлектриков. Письма в ЖГФ, т. З, № 10, с.446−450.
  38. Н. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения. Квантовая электроника, 1974, т.1, М, с.786−805.
  39. Н.В., Кузьмин Г. П., Прохоров A.M. Тепловая самофокусировка и пробой в кристаллах NaCe, квг к м под действием излучения С02 лазера. Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, W, с.363--366.
  40. AS, YQ^6ono/itch Е. OpticaC die€ectric strength of otfioZL- /?a?ide crysto6s, obtained
  41. GneaKdown. -Appt Phvs. Aett 1971, V19t л/Н,
  42. Fradin Ъ. VJ. t YoZZonoi/Ctch ?.t fiqss M. Confer motionof on electron avaBctnche cousinq Cq sen -inc/исес/ 6и€кdamage at lt06 /itт.- Appe.Opt.t i97b, t//Z, N4, p.7oo- 709.
  43. FradCn. 206 zii.
  44. FradCn
  45. G-LueCano С. ЯЧ АвСеп frraunstein M., Wang V.1.ser induced damage in optica в matenictts. A/fbS Spec. Pu? e. f p.6G-7f.
  46. И.В., Домань A.A., Имас Я. А. Оптический пробой стекол при острой фокусировке лазерного излучения. Письма в ЖТФ, 197? т.4, М4, с.861−864.
  47. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов. ЖЭТФ, 1277, т.72, № 3, c. II7I-II8I.
  48. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров A.M., Сидорин А. В. Влияние УФ подсветки на пробой щелоч-но-галоидных кристаллов излучением С02 лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, ЖГ, с.155−156.
  49. А.С., Маненков А. А., Прохо.ров A.M. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, Ш, с.483−486- ЖЭТФ, 1976, т.70, № 2, с.728−737.
  50. GiuCiano C.A.f Магвunpen УYaniyA. Enhancement of see/-- fotusinp tAres/jo€d in sap/fire with teeipticaC? earn s. Appe. P/>vs. kett. t 197^ VZY Л/Х, p. — € 1.
  51. G-itteri 1 Lachamter tL. Rheau€t F. Fnrtin R./ /fiynamccs of- C02 atmospheric pressure Casen u/t U transverse puBse excitation. — Cam. * Phys., 1971, v3Ot Ы20) p. Z5~ZZ -ZS2Z.
  52. И.В., Имас Я. А., Комолов В. Л. Оптическая прочность слабопоглощающих материалов. ЛДНТП, серия — Прогрессивные методы обработки конструкционных материалов. -Л- 1974.
  53. В.Г., Валов П. М., Рывкин Б. С., Ярошецкий И. Д. Фотоприемники на основе увлечения светом носителей тока в полупроводниках. ФШ, 1973, т.7, М2, с.2316−2325.
  54. Физический энциклопедический словарь, 1983, М., «Советская энциклопедия», -555с.
  55. HordK/Ск A. Measurement technique s for srna€€
  56. Sorption coefficient s recent adt/anse s. App-C. Opt. 19 771 /16, Л/11, p. 2*17- 28ЪЪ.66. tfass M. ftavt’sso/7 y.W.t fiosenstoCK Н.ГЬ., fbotiz
  57. Ki У. Measurement of t/eny aisonpt Con соefficients 6У Ccts. tr catonimetry. Appt- °pt.f197S I/1Ь, А/Г, p. 112.9 1130.67. /Oass M. /domett H. LOZZP -cnduceof Ыатау*ppota it €i ty at 1 об ptm and о 69 purr?. AppC. Opt. f
  58. И.В., Бонч-Бруевич A.M., Зинченко В. И., Имас Я. А., Комолов В. Л. Влияние на развитие оптического пробоя прозрачных диэлектриков распределения поглощающих неоднородностей в пределах облучаемого пятна. ЖТФ, 1973, ЖГ2, с.2625−2629.
  59. А.В., Кормер С. Б., Павлов Д. В., Фунтиков А. И. Статистический закономерности поверхностного разрушения стекла поддействием широких пучков лазерного излучения. Квантовая электроника, 1977, т.4, № 2, с.328−334.
  60. В .П., Смирнов В. Н. Оценка концентрации поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя в объеме прозрачного диэлектрика. ЖТФ, 1983, т.53, № 3, с.534−537.
  61. Н.В., Сисакян Е. В. Оптические материалы для СО^ лазеров. Известия АН СССР, серия физическая, 1980-, т.44, J&3, с.1631−1638.
  62. В.В., Бонч-Бруевич A.M., Свечников М. Б. Корреляция лучевой прочности и концентрация микронеоднородностей диэлектрических покрытий. ЖТФ, т.48, Ш, с.2566−2569.
  63. Р.К., Захаров С. И., Дмитриева И. А., Гандельман Г. М. Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы. -Квантовая электроника, 1978, т&bdquo-5, Щ, с.1279−1290.
  64. Я.А. Оптический пробой прозрачных диэлектриков. Препринт ЩЗ, Академия Наук БССР, Институт тепло- и массообмена, Минск, 1982.
  65. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C., Хаимов-Маль-ков В.Я. Нелинейное рассеяние света на малых неоднородностях в кристаллах корунда. ЖЭТФ, 1970, т.59, ЖЮ, с. 1083−1090.
  66. Н.Ф., Макшанцев Б. И., Ковалев А. А., Агранат М. Б., Голубцов А. А., Саванин С. Ю., Стоник О. Г. Предпробойные оптическиеявления в твердых прозрачных диэлектриках при воздействии когерентного излучения. ЖЭТФ" IS79, т.76, 1ё6, с.2026−2038.
  67. А.А., Макшанцев Б. И., Дилипецкий Н. Ф., Саванин С. Ю., Стоник О. Г. Нелинейное рассеяние лазерного излучения на поглощающих микронеоднородностях в стекле ВК-8. Квантовая электроника, 1981, т.8, № 2, с.427−430.
  68. А.И. Спектрометр для исследования рассеяния Мандель-штамма-Бриллюэна с использованием техники счета фотонов и многократного цифрового накопления. Оптика и спектроскопия, 1975, т.39, № 2, с.373−376.
  69. Т.И., Ковалев Б. И., Лисицкий И. С., Миронов B.C., Файзуллов Ф. С. Исследование стойкости кристаллов КРС-6 и КРС-5 к воздействию излучения импульсного COg лазера. Квантовая электроника, 1978, т.5, с. 1043−1047.
  70. П.Н. Разработка технологических процессов выращивания кристаллов хлористого натрия с малым коэффициентом светорассеяния. Тезисы докладов на Vf Международной конференции по росту кристаллов, М., 1980, т. З, с.20*8−209.
  71. А.П., Глебов Л. Б., Докучаев В. Г., Ефимов О. М., Попова Л. Б., Толстой М. Н. Влияние поглощающих примесей на оптический пробой прозрачных диэлектриков. ЖТФ, 1982, т.52, № 1, с.101−104.
  72. В.П., Смирнов В. Н. Спектры свечения в объеме ще-лочно-галоидных кристаллов, содержащих поглощающкз неоднородности, под действием импульсов излучения С02 лазера. 1ПС, 1980, т.32, т, с. 1002−1008.
  73. M.Feannery M. t Sports М. EztrLnsL с adsorption in infrared €aser window /rjate/*co€ s /V/3S
  74. Spec. Риве., 1977, vfog, р.5~2Ъ.
  75. Л.А. Люминесценция примесной молекулы ОJ в щелочно-галоидных кристаллах. Труды ИФА All ЭССР, 1968, в. З, с. 14−15.
  76. Н.В., Крутякова В. П., Смирнов В. Н., Цирульник П. Н. Исследование порогов оптического пробоя под действием импульсов COg лазера в щелочно-галоидных кристаллах с различными оптическими свойствами. Оптико-механич. промышленность, 1983, F7, с .1013.
  77. В.П., Смирнов В. Н. Влияние центров окраски на опVтические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов СО 2 лазера. Оптико-механич. промышленность, 1984, № 2, с.23−26.
  78. SchvCman 7. H. t Compton к/.Ю. CoBor centers on So € с els * Pencjamon Press t N. Y. t 1963
  79. Ан.В., Трибельский М. И. Роль коллоидных частиц в оптическом пробое щелочно-галоидных кристаллов. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, МО, с.595−598.
  80. Kuzmany RLiter С.У. Interaction op hiyh power puBy-Baser Btqht puВses with metaB Co-B-Boids in transparent cpyctaBs.- J.AppB.phys. 1970, V4/, A///, p. 1G3Z 1C88.
  81. В.Е., Тшценко Н. А., Шаскольская М. П. О взаимодействии импульса ИК излучения с центрами окраски в NaCB . ЖТФ, 1980, т.50, № 5, с, 1077−1079.
  82. Yasojima Yt Inuishi Y. fffects о/ F-centers on Caser induced €rea/cdown in /СС&euro- single tnystats,-Phys. Aettt/ i97ft V34AI A/Z, р. К9−1ЪО.
  83. Окитига. N. f Haruhisa F. f /Cat sum L Znuiihi Y. Ff-fects of У-pQy irradiat ion on optica в 'Srea/rdou/n of КСв single c, pysta6s.- Уар. У AppZ. Physv i976,1.15, A/11, p. Z259−22 € 0.
  84. Upson H. G-.f U (/on P., Martin 7. у pffect of io/?i-tinq radiation on the io, 6fum a 6 sorption of, А С 6and NaCe. Phys. Stat. So-e. (a.) f V 37, t/Z, p. 5h7- 551.
  85. В.П., Смирнов В.Н. Исследование природы свечения щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с
  86. А Ю, 6мкм. — Письма в ЖТФ, IS76, т.2, № 24, C. IIII-III4.
  87. Harper W. ka%er- induceo/ damage in pfyss-es.-bnit. У Appe. Phys., 19&5. V161 N5-, p.75−1-75Z.
  88. Л.М., Головистиков А. Н., Набатов В. Б. Разрушение ряда щелочно-галоидных кристаллов излучением ОКГ и оценка их оптической прочности. ФГТ, 1968, т.10, № 12, с.3783−3735.
  89. Л.М., Головистиков А. Н., Набатов В. В., Писаревс-кий Ю.В. Свечение кристаллов kiP под действием излучения ОКГ. -ЖПС, 1968, т.8, Ш, с.750−752.
  90. ЮЗ. Лихачев В. М., Салманов В. М., Ярошецкий И. Д. Тепловое излучение прозрачных диэлектриков при разрушении их светом лазера. -ФГТ, 1968, т.10, с.290−292.
  91. Л.М., Набатов В.В, Писаревский Ю. В., Шалдин Ю. В. Триболюминесценция в кристаллах LiP при разрушении их лазерным лучом. Кристаллография, 1965, т. 10, № 5, с.767−768.
  92. OCnezs Ф. baser induced -GreaKdown in transparent c/ivteetnicz. У. App€. P/)V$.t 196et V 39, Ni, p. 6 — 2.
  93. Н.П., Портнягин А. И. Допороговое свечение в поли-метилметакрилате (оргстекле). — ЖТФ, 1979, т.49, МО, с.2219−2223.
  94. Spar/rs № ftuUeer С. X ffaony of in+naneotoB^onpi ion and materia € i-aiture cn cflystQC^containing one fusions. У. App€. P/?ys.t Y973 i! i/t/f N7- p. 30Ъ8 — 3045-.
  95. Ю9. Cottreee a'.H. FAe Mechanicae Properties Mattzn. Wieteyt A/en, yor/rt 196 110. ftupont H. t $>опъе&euro- A. t Ernest У. On €aser-indue ed 6reQKdovun and fracture in glasses. — App€.
  96. P/JVS. Aett., 19 € 7t V11, N9, p.%71-Z7Z.
  97. В.П., Смирнов В. Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СО2 лазера. ЖТФ, IS79, т.49, № 12, с.2647−2651.
  98. В.П., Смирнов В. Н. Скорость роста очагов микроразрушений в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов С02 лазера. ЖТФ, 1984, т.54, № 2, с.323−326.
  99. ИЗ. Aposto-e Apsenovocc к. С., МСЬасбегси Z. А/.,
  100. Tatu V.S.t Teodonezcu VS. OptieoB rnicnoscopv stuoly of damage s, produced in КСв €y ТЕ A- Co z Casen ennoofia-tion. Rev. Roum. P/>yS 1976, N7, p.67i-G76.
  101. U/СпкСеп S. f Sho/cey Ю.А., Cunnan Спас к propagation at sc/pensontc uetocitie$. Int. y. Fracture Mechanics., 197ot VB, NZ, p. 151- 159.
  102. .Г., Куликов В. И., Педанов В. В. О разрушении прозрачных диэлектриков мощным лазерным излучением. Квантовая электроника, 1982, т.9, Ш, с.2226−2234.
  103. Я.А., Калугина Т. И., Крутикова В. П., Смирнов В. Н. Электронномикроскопическое исследование поглощающих неоднородностей в щелочно-галоидных кристаллах. Письма в ЖТФ, 1983, т.9,1. Ш, с. 129−133.
  104. В.П., Смирнов В. Н. 0 нетепловой природе свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения COg лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, № 9, с.2017−2020.
  105. AvlSopLs V. t FanninjtonT. Internet se- cfoma^-e of- ruty and Nd- cj€oss lasers. App€. P/?vs. Aett., 196S, V? t N8, p. Z05 — 2об.
  106. B.C., Королев H.B. О включениях в неодимовых стеклах. Оптико-механич. промышленность, 1968, $ 2, с.38−41.
  107. М.Б., Красюк И. К., Новиков Н. П., Дерминов В. П., Юдин Ю. И., Ямпольский П. А. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием лазерного излучения. ЖЭТФ, 1971, т.60, № 5, с.1748−1755.
  108. М.Б., Новиков Н. П., Юдин Ю. И. Центры зарождения видимых трещин разрушения при воздействии лазерного излучения. ®-ГТ, 1970, т.12, № 3, с.924−927.
  109. А.А. Оптический пробой монокраиоталлов арсенида галлия и германия. Автореферат кандидатской диссертации, изд. ГОИ, 1982, -18с.
  110. Е.М., Данилейко Ю. К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Пискун А. Д., Хаимов-Мальков В.Я. К механизму разрушения кристаллов рубина лазерным излучением. Письма в ЖЭТФ, 1972, т.16, Щ, с.336−339.
  111. Электронномикроскопические- изображения дислокаций и дефектов упаковки. Справочное руководство под редакцией Косевича В. М. и Палатина Л. А., М&bdquo-, 1976, с.78−79.
  112. С.А., Кудрявцева Р. В., Овсецина А. Э. Скопления заряженных вакансий в монокристаллах природной каменной соли. Щ1,1870, т.12, №t с.2478−2480.
  113. , М.И. Избыточные электрические заряды в щелочно-галоидных кристаллах, Ш, 1968, т. 10, 1?8, с.2422−2420.
  114. С. Непосредственное наблюдение сеток дислокацийв монокристаллах каменной соли. сб. Проблемы современной физики. М., 1957, № 9, с.40−56.
  115. К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений., Мир, М., 1966.
  116. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. 0 механизме теплового разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей. Квантовая электроника, 1978, т.5, М, с.194−195.
  117. Молоцкий М. И, Ионно-электронный механизм механоэмиссии. -ФГТ, т.19, № 2, с.642−644.
  118. М.И., Герасимов Б. Г., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Определяющая роль вязкоупругих свойств полимеров в механике их лазерного разрушения. Квантовая электроника, 1979, т.6, № 9, с.1866−1870.
  119. Meyer К*, OiriKat Яо^ёепд М. Progress in tri€°euminescence о/ аекавс-and doped 2 in кtaQ>fiLde%:(I).-XPi*ti, ncl
  120. .В. Что такое трение, изд. АН СССР, 1952, -240с.
  121. Н.А., Караоев В. В. Исследование электронной эмиссии при раскалывании твердых тел в вакууме. ДАН СССР, 1953, т.92, № 3, с.607−610.
  122. Г. А., Еханин С. Г., Лебедева Н. И. Механизм свечения щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях. <ЕГТ, 1975, т.17, № 5, с.1495−1496.
  123. Г. А., Еханин С. Г., Лебедева Н. И., Морев С. Н., Не-смелов Н.С. Лазерный эффект в каменной соли в сверхсильном электрическом поле. Письма в ЖГФ, 1975, т.1, № 24, с.1126−1128.
  124. А.Г., Свентицкий H.G. Таблщы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов., М., Атомиздат, 1966.146. AJoCton А-У. ?ri (>o€uminescence. Adv. Phys. f 1977- /Д6, р88?-9Ь8.
  125. Horvey tumefies се г? се of adhesive tope. Science f 19Ъ9{ V#9, Л/ЯЪ/6, p. 46 0- 4G1.148. /YWy to Тшвоеитс-peseenee of sugars. X Phvs. Chemie., 1976, v go, A/3, p. 24* 9.
  126. Л.М., Набатов В. В. К нерегулярности триболюминесценции в кристаллах фтористого лития. Кристаллография, 1963, т.8, JI6, с.927−928.
  127. Ю.Н. Исследования свечения и электризации кристаллов up при их деформации. Кристаллография, 1965, т.10, № 2,с, 224−226.
  128. Fnohticfi F. f SeCfert F. TriSoCuminescence of NqCZ crysta6g at €ow temperatures. Cryst kattcce defectsf 19 741 v 2 N4, />.239-J4Z.
  129. A/icdforc. I-, SzavnoK A. Inftuenc-e. oi- F-centen
  130. Concentration on the etectni. ficotcon of the dustof КСИ monocrystaes irrac/catec/ u/ot/) fl-rays.-7. Аррв. pAys. f /96 Z, V 33, NX., p. 613 6if.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!