Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетика формирования наноструктур при вакуумной конденсации металлов на поверхность с развитой морфологией

Диссертация: Кинетика формирования наноструктур при вакуумной конденсации металлов на поверхность с развитой морфологией
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:-расчет режимов конденсации, необходимых для формирования нано-проволок на ступенях кристаллической подложкиисследование методом молекулярной динамики кинетики образования и ориентации кластеров металлов на поверхности кристалла, содержащей активные центры зарожденияисследование зависимости плотности островков на поверхности с открытой… Читать ещё >

Кинетика формирования наноструктур при вакуумной конденсации металлов на поверхность с развитой морфологией (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 11. КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯИ ОРИЕНТАЦИЯ
  • ТОНКИХПЛЩОК (ЛИТЕРАТУРНО
    • 1. 1. Электронно-микроскопическое исследование начальной стадии образования тонких пленок
    • 1. 2. Количественное описание кинетики.формирования. конденсата: Метод кинетических уравнений,
    • 1. 3. Кинетика роста свободных островков 14 1.3−1 Рост изолированного островка 15 1.3.2 Рост островков в ансамбле
    • 1. 4. Критическая толщина тонкой пленки
    • 1. 5. Процессы, зарождения островков на гранях ионных кристаллов
    • 1. 6. Механизм ориентированного роста и дефекты кристаллического строения
    • 1. 7. Особенности эпитаксиального роста,. ч определяемые точечными дефектами 28*

2.1 Методика расчета кинетики диффузионных процессов 33.

2.2 Результаты расчетов 37.

2.3 Вывод к главе 2 43' ГЛАВА 3 МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ.

ДИНАМИКИ ОРИЕНТАЦИИ ДИСКРЕТНЫХ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 44.

Введение

44.

3.1 Методика компьютерного эксперимента 46.

3.2 Результаты и обсуждение 49.

3.3 Выводы к главе 3 53 ГЛАВА 4 КИНЕТИКА ЗАПОЛНЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗОЙ ПОВЕРХНОСТИ.

С ОТКРЫТОЙ ПОРИСТОСТЬЮ 54.

Введение

54.

4.1 Кинетика диффузионных процессов 54.

4.2 Результаты расчетов 63.

4.3 Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными 70.

4.4 Выводы к главе 4 71 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 73 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 74 ПРИЛОЖЕНИЕ 89.

Актуальность темы

Понижение размерности может приводить к существенному изменению свойств материалов. Достаточно давно известно, что свойства малых частиц вещества в значительной степени отличаются от свойств массивного материала. С другой стороны, макроскопический объемный материал, имеющий нанокристаллическую структуру, приобретает целый ряд свойств, которые невозможно получить в материалах других (поликристаллической и даже монокристаллической) структур. Магнитные, сверхпроводящие, полупроводниковые, механические и другие свойства для материалов, находящихся в макроскопическом объеме, достигли своих максимальных значений, и очень трудно добиться улучшения каких-то характеристик за счет более совершенной технологии или изменения концентрации составляющих элементов. Дальнейший прогресс в получении материалов с новыми свойствами связан с такими изменениями в структуре, которые оказывают влияние на свойства, характерные для макроскопических объектов. В настоящее время первостепенное значение имеют фундаментальные исследования, направленные на создание принципиально новых технологических процессов и продуктов. Поэтому нанотехнология (т.е. технология объектов нанометрового масштаба) стала приоритетным направлением исследований. Возможно, нанотехнология сможет усовершенствовать некоторую часть морально устаревших и неэффективных процессов производства, но все-таки ее главное место — в новых областях, в которых традиционными методами невозможно достигнуть требуемых результатов.

Образование периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках металлов и полупроводников охватывает широкий круг явлений в физико-химии твердого тела. Актуальность исследований в данной области обусловлена необходимостью получения наноструктур с характерными размерами 1−100 нм.

Наноструктуры представляют самостоятельный фундаментальный научный интерес как объекты для изучения размерной зависимости структуры и свойств материалов. В то же время современные технологии позволяют реализовать размерный эффект свойств в конструкционных материалах субструктурного дизайна, что, в свою очередь, требует знания закономерностей формирования компактных наноструктур.

Исходя из вышеизложенного формулировали цель и ставили задачи данной работы. Работа выполнена в региональной лаборатории электронной микроскопии и электронографии ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» в, рамках ФЦП- «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 гг. (гос. контракт № 02.740.11.0126), поддержана грантом Президента РФ по поддержке ведущих научных школ № НШ-3898.2008.3 и грантом РФФИ' 08−08−214-а: «Закономерности формированияструктура и водородная проницаемость пленок Pd и сплавов на его основе».

Цель работы: выявление закономерностей кинетики образования на-нокристаллов на поверхности с развитой морфологией при вакуумной конденсации металлов. ' >;

В соответствии с целью в работе решались следующие задачи:-расчет режимов конденсации, необходимых для формирования нано-проволок на ступенях кристаллической подложкиисследование методом молекулярной динамики кинетики образования и ориентации кластеров металлов на поверхности кристалла, содержащей активные центры зарожденияисследование зависимости плотности островков на поверхности с открытой пористостью и глубины заполнения пор от параметров вакуумной конденсации и рельефа поверхности методом численного решения уравнений диффузии и кинетики зародышеобразования.

Для выполнения поставленных задач в рамках предложенных моделей решались уравнения диффузии (аналитически и численно), а также проводилось моделирование методом молекулярной динамики зарожденияи роста металлического кластера на анионной вакансии и на обычных узлах адсорбции.

Объекты исследования: островковые пленки Аи на ионных кристаллахпленки Pd на поверхности с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь XI8Н1 ОТ).

Научная новизна.

1. Впервые определены условия, необходимые для образования нано-проволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации металлов из пара. Рассчитано время формирования нано-проволок при разных значениях температуры подложки и скорости конденсации. Получен патент РФ на изобретение «Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера».

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩГК на ориентацию малоатомного кластера Аи в процессе его зарождения* и роста. Установлено, что ориентация! кластера, определяется геометрией потенциального рельефа, в окрестности вакансии и соотношением глубин потенциалов взаимодействия атомов конденсата с различными (металл, галоген) атомами подложки.

3- Получены данные о кинетике формирования нанокристаллической структуры на поверхности с открытой^ пористостью* (TiOa, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при вакуумной конденсации Pd.

4. Впервые рассчитана глубина пор, которые может заполнить, конденсируемый материал (Pd) при разных параметрах конденсации и разном рельефе поверхности с открытой пористостью.

Основные положениям результаты, выносимые на защиту.

1. Определены, условия формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при разных параметрах конденсации Аи (скорости конденсации и температуры подложки).

2. Методом молекулярнойдинамики показано, что анионная вакансия на поверхности кристалла NaCl оказывает ориентирующее влияние на кластер Аи.

3. На начальном этапе вакуумной конденсации Pd на поверхность с открытой пористостью (Ti02, нержавеющая сталь XI8Н1 ОТ) степень заполнения подложки зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов.

4. Глубина заполнения пор при вакуумной конденсации Pd на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) при определенных параметрах конденсации и радиусе поры может достигать 28 мкм.

Практическая значимость работы.

Предложен новый способ формирования проводящего элемента нанометрового размера. Практическим результатом изобретения является создание простой и эффективной технологии формирования твердотельных одномерных проводящих наноструктур (патент РФ № 2 401 246).

Результаты моделирования роста методом молекулярной динамики металлического кластера на ЩГК раскрывают механизм ориентирующего влияния анионных вакансий и могут быть использованы для прогноза плотности и ориентации наночастиц на-поверхности монокристаллов.

Расчет кинетики формирования нанокристаллической структуры на поверхности ТЮ2 при вакуумной конденсации Рс1 может быть использован при выборе оптимальных условий конденсации для" создания композиционных мембран, обладающих большой эффективной проницаемостью водорода.

Диффузионные уравнения и их решения могут быть использованы в учебном процессе при подготовке студентов ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», специализирующихся в области физического материаловедения, как примеры различных диффузионно-контролируемых процессов при росте нанокристаллов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на IV Международной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), VI Всероссийской школе-конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2007).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 8 научных работах,' в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, и 1 патент РФ на изобретение.

В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [132, 137−139] — расчет режимов роста нанопроволок на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации Аи- [140] - разработка нового способа получения нанопроволок- [147−149] - исследование роста островковой пленки Аи на поверхности кристалла №С1.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 172 наименований и приложения. Основная часть работы изложена на 97 страницах, содержит 34 рисунка и 4 таблицы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Рассчитаны режимы конденсации, необходимые для формирования нанопроволок на ступенях поверхности ионных кристаллов при вакуумной конденсаци Аи. Предложен новый способ формирования нанопроволоки, отличающийсяпростой и эффективной технологией формированиятвердотельных одномерных проводящих электрический ток наноструктур.

2. Методом молекулярной динамики исследовано влияние анионной вакансии ЩГК на ориентацию кластера при вакуумной конденсации золота. Кластер, растущий на анионной вакансии, имеет эпитаксиальную ориентацию при значительном превышении глубины потенциала взаимодействия золото-металл по сравнению с глубиной потенциала взаимодействия золото-галоген.

3. Установлено, что на начальных этапах вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮ2, нержавеющая сталь Х18Н10Т) степень’заполнения подложки нанокристаллами зависит от угла между нормалью к поверхности и направлением потока конденсируемых атомов. Зависимость степени заполнения подложки от скорости конденсации нелинейная, особенно на начальных этапах конденсации.

4. Рассчитана глубина заполнения поры при вакуумной конденсации Рс1 на поверхность с открытой пористостью (ТЮг, нержавеющая сталь Х18Н10Т). При определенных параметрах конденсации и радиусе поры глубина заполнения может достигать 28 мкм.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.М. Структура пленок: учеб. пособие / В. М. Иевлев. Воронеж: ВПИ, 1983.-87 с.
  2. В.М. Тонкие пленки неорганических материалов: механические свойства и структура: учеб. пособие / В. М. Иевлев. Воронеж: ИПЦ ВГУ, 2008.-496 с.
  3. Ю.Ф. Физика металлических пленок / Ю. Ф. Комник. М.: Атомиздат, 1979.-263 с.
  4. Levinstein H. The growth and structure of thin metallic films / H. Levinstein // Journal of Applied Physics. 1949. — Vol. 20. — P. 306 -315.
  5. McLauchlan T. A Continuous observations with the electron microscope on the formation of evaporated films of silver, gold and tin / T.A. McLauchlan, R.S. Sennet, G.D. Scott // Canadian Journal of Research, sec. A. 1950. — Vol. 28. -P. 530.
  6. Sennet R.S. Electron microscope studies of evaporated cadmium and zinc / R.S. Sennet, T.A. McLauchan, G.D. Scott // Canadian Journal of Physics. 1952. -Vol. 30.-P. 370. I
  7. Basset G.A. A new technique for decoration of cleavage and slip steps on ionic crystal surfaces / G.A. Basset // Philosophical. Magazine. — 1958. Vol. 3. -№ 33.-P. 1042 1045.
  8. Basset G.A. Moire patterns on electron micrographs and their application to the study of dislocations in metals / Basset G.A., Menter J.W., Pashley D.W. // Proceedings of the Royal Society. 1959. — Vol. A246. — P. 345 368.
  9. Chopra K.L. Growth of sputtered vs evaporated metal films / K.L. Chopra // Journal of Applied Physics. 1966. — Vol. 37. — P. 3405 — 3410.
  10. Pashley D.W. The nucleation, growth, structure and epitaxy of thin surface films / D.W. Pashley // Advanced Physics. 1965. — Vol. 14. — № 55. — P. 327 -416.
  11. Pashley D: W. The growth and structure of gold and silver deposits formed by evaporation inside an electron microscope / D.W. Pashley, M.J. Stow-ell, M-H- Jacobs, T. J- baw//- Philosophical. Magazine. 1964.-V. 10.-PM53-
  12. Poppa Hi Progress in the- continuous observation of thin-film nucleation and growth processes by electron microscopy / Hl Poppa // Journal of Vacuum Science and Technology. — 1965- — Volt 21 — №• V. Pf 42 — 48-
  13. Poppa: Hi Heterogeneous nucleation" of Bi and" Ag on amorphous substrates (in situ electron microscopy studies) / H. Poppa // Journal of Applied Physics. 1967. — Vol. 38. — P. 3883 3894.• t
  14. Л. С. Механизм образования- и субструктура- конденсированных пленок / Л. С. Палатник, М1Я1 Фукс, В-М- Косевич- М-: Наука- 1972! -319 с.
  15. Трусов Л. И. Островковые металлические пленки / Л. И. Трусов, В- А. Холмянский. — М-: Металлургия, 1973:. 321 с.
  16. ЖдановгГ.С. Исследование кинетики ростам^^тонких.слоев непосредственно в электронноммикроскопе / Г. С. Жданов // Изв. Акад. Наук CGGP. Сер. фйз. 1972. — Т. 26.-G. 1361.
  17. Г. С. Наблюдение процесса рекристаллизации тонких пленок золота в электронном микроскопе / Г. С. Жданов, В. Н. Верцнер // Кристаллография. 1967. — Т. 12.-С. 949−951.
  18. Adamsky R.E. Nucleation and initial growth of single-crystal films / R.F. Adamsky, R: E. be Blanc // Journal of Vacuum Science and Technology. 1965- — Vol. 2.-P. 79.
  19. Masson A- Migration of crystallites on surface and relation to epitaxy. 1. Experimental part / A. Masson// Surface Science. 1971. — Vol. 27. — № 3. — P. 463.
  20. Технология тонких пленок / Под ред. Л- Майселла, Р. Гленга. — Т. 2. М.: Советское радио- 1977. — 768 с.
  21. В.М. Рост и субструктура конденсированных пленок: учеб. пособие / В. М. Иевлев, А. В. Бугаков, В. И. Трофимов. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. — 386 с.
  22. Ю.Ф. Критическая:толщина тонких пленок висмута и олова / Ю. Ф. Комник. ФММ. — 1968. — Т. 25. — № 5. — С. 817 — 820.
  23. Комник Ю. Ф- Сверхпроводимость сетчатых пленок индия / Ю. Ф. Комник, Л. А. Яцук, В-В: Андриевский и др. // ФТТ. 1971. — Т. 13. — С. 1779.
  24. Appleyard E.T.S., Bristow J R. The electrical, conductivity of thin films of mercury / E.T.S. Appleyard' Bristow JR. // Proceedings of the Royal Society. — 1939. Vol. A172. — P. 530−539.
  25. Eearn A.J. Behaviour of film conductance during vacuum deposition? / AJi Learn- R-S: Spriggs //JoumaFof AppliedPhysics- 1963: — VoL 34- -P! 3012: -3021.
  26. K.K. Критическая температура сверхпроводящего neper хода.тонких пленок олова / К. К. Маньковский, B-BL Пйлипенко, 1©-|Ф. Ком-ник и др.// ЖЭТФ. 1970. — Т. 59- G. 740.
  27. Chopra K.L. Influence of deposition parameters on the coalescence stage of growth of metal films / K.L. Chopra- M.R. Randlett // Journal of Applied Physics. 1968. — Vol. 39. — P. 1874 — 1881.
  28. Campbell D.S. A study of the structure of evaporated lithium fluoride / D.S. Campbell, D.J. Stirland, H. Blackburn // Philosophical. Magazine. 1962. -Vol. 7. — № .79 — P. 1099 — 1116.
  29. Corbett J. Ml Experimbntal? investigation of the nucleation^ of silver om molybdenite / J.M. Corbett, F. W. Boswell // Journal of Applied Physics. 1969. -Vol. 40.-P. 2663−2669.
  30. Basset G.A. Electron optical studies of imperfect crystals and their surfaces / G. A Basset, J-W Menter, D: W Pashley // Discussions of the Faraday Society. -1959. -Vol. 28. -P- 7- 15:
  31. К. Новые исследования роста и структуры тонких пленок / К. Села, Ж. Ж. Трийа // В сборнике «Монокристаллические пленки». Иод ред. Пинскера. Mi: Мир, 1966. — С. 242 — 261.
  32. Г. И. Электронно-микроскопическое исследование образования* слоев сернистого свинца / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. — Т. 7: — № 1. — С. 107 — 111.
  33. F.H. Новый метод декорирования кристаллической, поверхности / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография- — 1962. — Т. 7. -№ 2. -С. 266−270-
  34. Г. И. Прямое наблюдение активных центров поверхностей полупроводниковых кристаллов / Г. И. Дистлер, С. А. Кобзарева // ФТТ. — 1965. Т. 7. — № 8. — С. 2450 — 2454.
  35. Stirland DJ. An investigation of matched cleavage faces of sodium chloride crystals / D.J. Stirland // Philosophical. Magazine. 1966. — Vol. 13, № 126. -P. 1181−1190.
  36. Stirland D J. Electron-bombardment changes in the growth and epitaxy of evaporated gold films / DJ. Stirland // Applied Physics Letters. 1966. — Vol-. 8. -P. 326−328.
  37. B.M. Центры зарождения конденсированной фазы.на ион-, ных кристаллах / BtM. Косевич, Л. С. Палатник, А. А. Сокол и др. Доклады. Акад. Наук СССР. 1968.-Т. 180. -№ 3. С. 586 — 588.
  38. Трофимов’В.И. 0 центрах зародышеобразования< золота, на кристаллах NaCl / В. И: Трофимов- В. М: Лукъянович // ФТТ. 1968. — Т.10. — № 6.- С. 1889−1891.
  39. Shvedov E.V. Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. I. Saturation Density / E.V. Shvedov, V.S. Postnikov, V.M. Ievlev // Physica. Status Solidi (a). 1977. — V. 44. — P. 423 -427.
  40. Shvedov E.V. Nucleus Saturation Density and Epitaxy in the Condensation of Metals on Alkali-Halide Crystals. IL Oriented Growth of Islands / E.V. Shvedov, V.S. Postnikov, V. M- Ievlev //. Physica. Status Solidi (a). — 1978. -V. 48.-P. 603−608.
  41. Г. И. Исследование центров окраски щелочно-галоидных кристаллов на электронно-микроскопическом* уровне / Г. И. Дистлер, В. Н. Лебедева, В. В. Москвин // Кристаллография. Т. 14. — № 4. — 1969. — С. 664 — 671.
  42. Г. И. Ранние стадии кристаллизации как метод устранения неоднородности кристаллических поверхностей / Г. И. Дистлер- G.A. Дарю-сина, Ю. М. Герасимов // Доклады АН СССР. 1964. — Т. 154. — № 6. — С. 1328 -1331.
  43. Г. И. Декорирование поверхности твердых тел / Г. И. Дистлер, В. П. Власов, Ю. М. Герасимов и др. М.: Наука, 1976. — 111 с.
  44. Г. И. Визуализация центров окраски щелочно-галоидных кристаллов / Г. И. Дистлер, В. Н. Лебедева, В. Н. Москвин // ФТТ. 1968. — Т. 10. — № И.-С. 3489−3491.
  45. Krohn М. Some problems in nucleation phenomena / M. Krohn, H. Beth-ge // Thin solid films. 1979. — Vol. 57. — № 2. — P. 227 — 230.
  46. Krohn M. Fundamentals and present state of surface decoration / M. Krohn // Vacuum. 1987. — Vol. 37. — № ½. — P. 67 — 74.
  47. Г. И. Исследование структуры и свойств твердых тел методами декорирования / Г. И. Дистлер // Изв. АН СССР, сер. физ. 1972. — Т. 36. — № 9.-С. 1846−1859.
  48. Robinson V.N. Nucleation kinetics of gold deposited onto UHV cleaved surfaces of NaCl and KBr / V.N. Robinson, I.L. Robins // Thin Solid Film. 1974. -V. 20.-№ l.-P. 155−175:
  49. Bethge H. Oberflachenstructuren und kristallbaufehler im electronenmik-roscopischen solidi / H. Bethge // Physica Status Solidi. — 1962. Vol. 2. — № 7. -P. 775 — 820:
  50. Т.Н. Образование зародышей в ориентированных пленках. В кн. «Монокристаллические пленки». Под ред. З. Г. Пинскера / Т. Н. Родин, Д. Уолтон. М.: Мир, 1966. — С. 44 — 57.
  51. В.П. Электрический рельеф в процессах зародышеобразова-ния и роста / В. П. Власов, Ю. М. Герасимов, Г. И. Дистлер // Кристаллография. 1970. — Т. 16. — № 2. — С. 346 — 352.
  52. Distler G.I. Crystallography-Transmission of structural information / G.I. Distler, V.G. Oboronov // Nature Physical Science. Vol. — 229. — P. 242.
  53. Distler G.I. Role of electrical relief of surfaces of crystalline substrates in nucleation and growth of thin films / G.I. Distler, V. P: Vlasov // Thin Solid Films. Vol. 3. — № 5. — 1969. — P. 333 — 339.
  54. Г. С. Метод декорирования и его применение к изучению минералов / Г. С. Грицаенко, Н. Д. Самотоин. В кн. «Методы электронной микроскопии минералов». — М.: Наука, 1969. — С. 157 — 206.
  55. Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок / Э. И. Точицкий. Минск: Наука и техника, 1976. — 311 с.
  56. В.П. Декорирование поверхности хлористого натрия и аморфных углеродных пленок / В. П. Северденко, Э. И. Точицкий, В. Е. Обухов // Вест. Акад. Наук Белорусской ССР. 1972. — № 1. — С. 30 — 34.
  57. JI.C. Ориентированная кристаллизация / JI.C. Палатник, И. И. Папиров. М.: Металлургия, 1964. — 407 с.
  58. А.А. Влияние примесей в ионных кристаллах на эпитаксию золота / А. А. Сокол, В. М. Косевич // Кристаллография. 1969. — Т. 14. — С. 527−528.
  59. В.М. Методы электронной микроскопии твердых тел: учеб. пособие / В. М. Иевлев. Воронеж: ВПИ, 1979. — 66 с.
  60. Bethge Н. Electron microscopic studies of surface structures and some relations to surface phenomena / H. Bethge // Surface science. — 1964. — № 3. — P. 33−41.
  61. B.C. Влияние гамма- и электронного облучения ЩГК-подложек на зарождение и структуру пленок вакуумной конденсации / B.C.
  62. , В.М. Иевлев, В.А. Аммер, Е. В. Шведов // В" сборнике «Ядерно-радиационная физика и технология». — Тула. — 1976. — С. 69−74.
  63. В.И. Декорирование закаленных кристаллов / В-И. Трофимов, В-Н. Черенков, В. М. Лукьянович // ФТТ. 1969. — Т. 11. — № 12. — С. 3655 — 3657.
  64. ВГ.М. Структуры, создаваемые, в кристаллах точечными дефектами / ВМ: Косевич, А. А. Сокол // ФТТ. 1969. — Т. 11. — С. 810.
  65. Кукушкин С. А-. Процессы конденсации- тонких" пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // У ФИ. 1998. — Т. 168. — № 10. — С. 1083 — 1116.
  66. Г. И. Реальное строение, активность и дальнодействие кристаллических поверхностей. В кн. «Рост кристаллов» / Г. И. Дистлер. — Т. 8. -М.: Наука, 1968. С. 108 — 123.
  67. В.М. Ориентированная- кристаллизация пленок: учеб. пособие / В. М. Иевлев, А. В. Бугаков. Воронеж: ВГТУ, 1998. — 216 с.
  68. Gottsche Н. Uber die orientierung dunner aufdumpfschichten von metallen zeit / H. Gottsche // Naturforschung. 1956. — Vol. 1 la. — P. 55 — 68.
  69. Ino S. Epitaxial growth of metals on rocksalt faces cleaved in vacuum / S. Ino, D. Watanabe, S. Ogawa // Journal of the physical society of Japan. 1964. -Vol. 19.-P. 881,-891.
  70. Henning C.A. On the growth of gold films on KCL in high vacuum / C.A. Henning // Surface Science. 1968. — Vol. 12. — № 2. — P. 308 — 316.
  71. Matthews J.W. Growth of face-centered-cubic metals on sodiumchloride substrates / J.W. Matthews. Journal of Vacuum Science and Technology. -Vol. 3. — № 3. — P. 133- 145.
  72. Физика тонких пленок / Под ред. В. Б. Сандомирского, А. Г. Ждана. -М.: Мир, 1970. Т. 4. — 440 с.
  73. Pashley D.W. The study of epitaxy in thin surface films / D.W. Pashley // Advanced in Physics. Vol. 5. — P. l 73 — 240.
  74. Matthews J.W. A mechanism for the formation of twins in evaporated face-centred cubic metal films I J.W. Matthews, D.L. Allinson // Philosophical Magazine. Vol. — 8. — № 92. — P. 1283 — 1303.
  75. Pashley D: W. The growth and structure of gold and silver deposits formed by evaporation inside an electron microscope / D: W. Pashley, MlJ. Stow-ell, M.H. Jacobs, T.J. Law // Philosophical magazine. 1964. — Vol. 10. — № 103. -P. 127−158.
  76. Jesser W.A. Evidence for elastic Strain* in epitaxially grown nuclei' on single-crystal substrates / W.A. Jesser, J.W. Matthews, D: Kuhlmann-Wilsdorf // Applied Physics Letters. 1961. — Vol. 9. — P. 176 — 178.
  77. Matthews J. W. Growth of face-centered'cubic metals on sodium1 chloride substrates / J.W. Matthews // Journal of Vacuum Science Technology. 1966. — Vol 3 — P. 133−145.
  78. Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме. В кн. «Физика тонких пленок». Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна / Дж. У. Метьюз. — Т. 4. — М.: Мир, 1970. С. 167−227.
  79. А. Точечные дефекты в кристаллах / А. Дамаск, Дж. Дине. — М.: Мир, 1966.-291 с.
  80. М.А. Теория упорядочивающихся сплавов / М. А. Кривоглаз, А. А. Смирнов. — М.: Физматгиз, 1958. — 388 с.
  81. Mattera A.M. Leed of the (100) face of Au, Ag and Pd / A.M. Matera, R.M. Goodman, G.A. Somorjai // Surface Science. 1967. — Vol. 7. — P. 26 — 40.
  82. Palmberg P.W. Structure of of clean Au (100) and Ag (100) Surfaces / P.W. Palmberg, T.N. Rhodin //Physical Review. Vol. 161. — № 3. — P. 586 — 588.
  83. B.JI. Дислокационное описание простейших явлений пластической деформации. В кн. Некоторые вопросы физики пластичности кристаллов. Итоги науки. Физико-математические науки / B.JI. Инденбом. — М.: Изд-во АН СССР, 1960: С. 117 — 158.
  84. П.П. Поляризованная люминесценция кубических кристаллов / П. П. Феофилов // УФН. 1956. — Т. 58. — № 1. — С. 69 — 84.
  85. Феофилов П. П, Поляризованная люминесценция F — центров в кристаллах CaF2 // Доклады АН СССР. 1953. — Т. 92. — № 3. — С. 545 — 578.
  86. П.П. Поляризованная люминесценция F-центров в кристаллах щелочно-галоидных солей // Доклады АН СССР. — 1953. — Т. 92. -№ 4.-С. 743 746.
  87. В.М. Плотность насыщения и ориентация дискретных наноструктур на поверхности ионных кристаллов / В. М. Иевлев, Е. В. Шведов, Д. В. Москалев // Физика и химия стекла. 2005. — Т. 31. — № 3. — С. 402−409.
  88. Д.Г. Компьютерное моделирование эпитаксиальной гете-роструктуры Pd/Ni/Pd (001) / Д. Г. Жиляков, A.B. Евтеев, В. М. Иевлев и др: // Тез. докл. III Международной научной конференции. Иваново. — 2004. — С. .191.
  89. A.B. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / A.B. Евтеев, В. М. Иевлев, А. Т. Косилов, A.C. и др. // ФММ. 2006. — Т.101- № 6. — С. 630−637.
  90. Евтеев А. В1 Молекулярно-динамическое моделирование ориентированного роста Ni на (001)Pd / A.B. Евтеев, В. М. Иевлев, А. Т. Косилов и др. // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та. Сер. Материаловедение. 2004. -Вып. 1.16. — С. 78−81.
  91. A.B. Ориентационная зависимость гетероэпитаксиального роста пленок Ni на Pd / A.B. Евтеев, В. М. Иевлев, А. Т. Косилов и др. // Фракталы и прикладная^ синергетика 2005: Сборник статей. М.: Интерконтакт-Наука, 2005. — С. 52−53.
  92. Gleiter H. Materials with ultrafine microstructures: retrospective and perspectives / H. Gleiter // Nanostructured Materials. 1992. — Vol. 1. — № 5. -P: 1 — 19:
  93. Siegel R.W. Nanophase materials assembled from atom’clusters / R.W. Siegel // Materials Science and Engineering. 1993. — Vol. 19. — № 1−2. — P. 3743.
  94. Siegel W. What do we really know about the atomic-scale structures of nanophase materials? / W. Siegel // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1994. Vol. 55. — № 10. — P. 1097 — 1106.
  95. И.Д. Ультрадисперсные металлические среды / И.Д. Мо-рохов, Л. И. Трусов, С. П. Чижик. -М: Атомиздат, 1977. -264 с.
  96. И.Д. Структура и свойства малых металлических частиц / И. Д. Морохов, В. И. Петинов, Л. И. Трусов и др. // УФН. 1981. — № 133. — С. 653 — 692.
  97. И.Д. Физические явления в ультрадисперсных средах / И. Д. Морохов, Л. И. Трусов, В. Н. Лаповок. М.: Энергоатомиздат, 1984. -482 с.
  98. Ю.И. Физика малых частиц / Ю. И. Петров. М.: Наука, 1982.-358 с.
  99. Ю.И. Кластеры и малые частицы / Ю. И. Петров. М.: Наука, 1986.-368 с.
  100. Л.Н. Нанокристаллические соединения материалов / Л. Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. 1994. — Т. 17. — № 9. -С. 56−68.
  101. Л.Н. Диффузионные процессы в нанокристаллических материалах / Л. Н. Лариков // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. -Т. 17. — № 1. — С. 3 -29.
  102. Р.А. Получение и свойства нанокристаллических тугоплавких соединений / Р. А. Андриевский // Успехи химии. 1994. — Т. 63. -№ 5.-С. 431−448.
  103. А.Н. Квазиодномерный транспорт в проводящих полимерных нанопроводах / А. Н. Алешин // ФТТ. 2007. — Т. 49. — № 11. — С. 1921 -1940.
  104. В.П. Формирование упорядоченных композиционных структур типа «нанопроволока металла/неорганическая соль» / В. П. Новиков,
  105. А.Н. Стецик, С. Р. Недень // Письма в ЖТФ. 2006. — Т. 33. — № 10. — С. 64 -69.
  106. В.И. Проблемы и перспективы развития химии в наноре-акторах полимерных матриц / В. И. Колодов, Н. В. Хохряков, А. П. Кузнецов и др. // Химическая физика и мезоскопия. 2001. — Т. 3. — № 2. — С. 161−162.
  107. Жачук Р: А. Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si (557) / P.A. Жачук, С. А. Тийс, Б. З. Олыпанецкий // Письма в ЖТФ. 2004. — Т. 79. — № 8. — С. 467 -469:
  108. С.А. Формирование наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111) до образования смачивающего слоя / С. А. Тийс, А. Б. Талочкин, К. Н. Романюк и др. // ФТТ. 2004. -Т. 46. — № 1. — С. 83−87.
  109. A.B. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов / A.B. Зотов, A.A. Саранин // Российские нанотехнологии. 2007. — Т. 2, № 3. — С. 28−43.
  110. ВТ. Низкоразмерные структуры металлов на поверхности кремния / В. Г. Котляр, A.A. Саранин, A.B. Зотов и др. // Вестник ДВО РАН. -2005. -№ 1.-С. 103−115.
  111. Е.И. Кристаллические вискеры и наноострия / Е.И. Ги-варгизов // Природа. 2003. — № 11 — С. 20−25.
  112. Ren Z.F. Growth of a single freestandin multiwall carbon nanotube on each nanonickel dot / Z.F. Ren, Z. P: Huang, D.Z. Wang en al. // Applied Physics Letters. 1999. -V. 75. — № 8. — P. 1086 — 1088.
  113. Мир материалов и технологий. Наноструктурные материалы / Под ред. Н. И. Бауровой: М.: Техносфера. — 2009. — 487 с.
  114. Г. И. Реальная структура, реакционная способность и дальнодействие кристаллических поверхностей / Г. И. Дистлер // Изв. Акад. Наук СССР. 1968. — Т. 32. — № 6. — С. 1044 — 1055.
  115. Дж. П. Теория образования зародышей при осаждении на подложках В кн. «Монокристаллические пленки». Под ред. З. Г. Пинскера / Дж.П. Хирс, С.Дж. Хруска, Г. М. Паунд. М.: Мир, 1966. — С.15 — 43.
  116. Stowell M.J. Captur numbers in thin film nucleation theories / M J. Stowell // Philosophical. Magazine. 1972. — V. 26. — P.349−360.
  117. Г. С. Зоны захвата адатомов в тонких пленках меди на углероде / Г. С. Жданов // ФТТ. 1973. — Т. 15. — С. 3692 — 3695.
  118. Gert Ehrlich. Atomic events at lattice steps and* clusters: a direct view of crystal growth processes / Ehrlich Gert // Surface Science: 1995. — V. 331— 333.-Pp. 865−877.
  119. П.Г. Электронные процессы в островковых металлических пленках / П. Г. Борзяк, Ю. А. Кулюпин. Киев: Наукова Думка, 1980. — 239 с.
  120. Н.С. Уравнения в частных производных математической физики / Н. С. Кошляков, Э. Б. Глинер, М. М. Смирнов. М.: Высшая* школа, 1970.-712 с.
  121. Д.Б. Исследование процесса формирования нанопрово-локи и ее применение в элементной базе радиотехники / Д. Б. Омороков, Е. В. Шведов // Теория и техника радиосвязи. 2009. — № 1. — С. 96−100.
  122. Д.Б. Получение нанопроволоки и ее применение в электронике / Д. Б. Омороков, Е. В. Шведов // Сборник трудов победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов, ВГТУ. Воронеж: ВГТУ, 2009. С. 141−142.
  123. Пат. 2 401 246 Российская Федерация, МПК В82 В 3/00 (2006.01). Способ формирования проводящего элемента нанометрового размера / Д. Б. Омороков, Н. И Козленко, Е. В. Шведов. № 2 009 132 428/28- Бюл. № 28. -513 е.: ил.
  124. А.Н. Метод молекулярной динамики в статической физике / А. Н. Лагарьков, В. М. Сергеев // УФН. 1978. — Т.125. — № 3. — С. 409 448.
  125. В.А. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов / В. Ф. Ухов, М. М. Дзугутов. М.: Наука, 1981. — 323с.
  126. В. А. Моделирование аморфных металлов / В. А. Полухин, Н. А. Ватолин.'- М.: Наука, 1985. 288с.
  127. Д.К. Структура жидких и аморфных металлов / Д.К. Бе-лащенко. М.: Металлургия, 1985. — 192с.
  128. Д. Методы нелинейной оптимизации / Д. Химмельб1 лау. М.: Мир- 1975. — 432с.
  129. Е.В. 50 200 401 486 Кластер. Программа / Е. В". Шведов, Д. В. Москалев // Информационный бюл. Алгоритмь1 и программы. 2005. -N° 4. 29.29 Физика атома и молекулы.
  130. Д.Б. Определение кинетики роста и ориентации ионных кристаллов методом компьютерного моделирования / Д. Б. Омороков, Е. В. Шведов // Теория и техника радиосвязи. 2009. — № 2. — С. 91−95.
  131. В.В. Металлические диффузионные мембраны и процессы фильтрации изотопов водорода (обзор) / В. В. Латышев // Атомная энергия.- 1990. Т. 68. — № 1. — С. 38−44.
  132. В.В. Разделение изотопов водорода на металлических мембранах / В. В. Латышев, В. А. Гольцов, С. А Федоров // Атомная энергия.- 1982. Т. 53. — № 1, с. 32−35.
  133. В.А. Водород в металлах. В кн.: Вопросы атомной науки и техники, Сер. атомно-водородная энергетика и технология / В. А. Гольцов — М.: Атомиздат. 1978. — вып. 1, С. 193 — 230.
  134. В.М. Сплавы палладий рутений как мембранные катализаторы / В. М. Грязнов, А. П. Мищенко, В. П. Полякова и др.- Докл. Акад. Наук СССР. — 1973. — Т. 211. — № 3, С. 624−627.
  135. В.М. Палладий и его сплавы как мембранные катализаторы / В. М. Грязнов // Кинетика и катализ. 1982. — Т. 23. — С. 1306−13 010.
  136. В.М. Синтез и субструктура пленок упорядоченного твердого раствора палладий медь / В. М. Иевлев, Е. К. Белоногов, A.A. Максименко и др. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. — 2005. — Вып. 1.17. — С. 9−18.
  137. В.М. Иевлев Субструктура и прочность конденсированных пленок палладия / BiM. Иевлев, Е. К. Белоногов, A.A. Максименко и др. // Деформация и разрушение материалов. 2006. — Т.1. — С. 468−471.
  138. Физическая^ кинетика и> процессы переноса при фазовых превращениях / Под ред. С. И. Анисимова. Минск: Наука и техника, 1980. — 208 с.
  139. Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления / Н. С. Пискунов. -М.: Наука, 1972. С. 307.
  140. Пат. 2 270 164 Российская Федерация, МПК В82 В 3/00 (2006.01). Способ изготовления нановолокон / A.B. Принц, В. Я. Принц. -№ 2 003 129 901/28- Бюл. № 5.: ил.
  141. Пат. 2 194 334 Российская Федерация, МКИ7 Н01 L21/28. Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров / В. М. Мордвинов, С. Е. Кудрявцев, B.JI. Левин. № 2 001 106 446/28.
  142. Универсальный вакуумный пост ВН 2000. Электрон, дан. — Режим доступа: http:/www.ukrrospribor.com. (13.08.09).
  143. Аксессуары к универсальному вакуумному посту ВН 2000. Прибор травления ИЛТ-50. Электрон. дан. — Режим доступа: http:/www.ukrrospribor.com. (13.08.09).
  144. ЗАО «ТАУ» реле времени серии «РВВ». — Электрон, дан. — Режим доступа: http://www.tau-spb.ru. (13.08.09).
  145. Воронежский государственный технический университет. Электрон. дан. — Режим доступа: http://www.vorstu.ru/region/2065/. (13.08.09).
  146. РТС нагревательный элемент. Электрон, дан. — Режим доступа: http://www.scat-technology.ru (13.08.09).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!