Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами

Диссертация: Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982 г.), на Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси, 1983 г.), на совместном заседании секции «Лазерные люминофоры» и Московского семинара по физике и спектроскопии лазерных кристаллов… Читать ещё >

Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Полуторный сульфид лантана t-la. S,.о
      • 1. 1. 1. Структура энергетических зон f-Ld^^
      • 1. 1. 2. Фотоэлектрические свойства кристаллов
      • 1. 1. 3. Спектрально-люминесцентные свойства fLazS3 iNd
    • 1. 2. Оксисульфид лантана Lq^O^S
      • 1. 2. 1. Спектрально-люминесцентные свойства bJ (L в LQzOzS
      • 1. 2. 2. Оксисульфиды Р.З. элементов, легированные и Тв
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ
    • 2. 1. Исследование фотопроводимости высокоомных образцов
    • 2. 2. Исследование термостимулированной проводимости
    • 2. 3. Методика исследования оптических и люминесцентных свойств кристаллов
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ J- LazS3, АКТИВИРОВАННЫХ
    • V. of И Се
      • 3. 1. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость нелегированного ff- LCLZS$
      • 3. 2. Оптическое гашение собственной фотопроводимости нелегированного f~LcikS
      • 3. 3. Излучательная рекомбинация в монокристаллах
      • 3. 4. Монокристаллы г-La z з «легированные Nd и
        • 3. 4. 1. Монокристаллы f: Md
        • 3. 4. 2. Люминесценция и фотопроводимость монокристаллов
  • Г- La*Ss 'Се
    • 3. 4. 3. Перенос энергии возбуждения от Се к AId в кристалле f- Lq^ S3 — Се: Ш
  • ВЫВОДЫ
    • ГЛАВА 1. У. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ LQzOZS, ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ИОНАМИ (М, £а, Т6)
    • 4. 1. Фотопроводимость кристаллов LOzO^S и
  • La^OzS:?u
    • 4. 2. Термостимулированная проводимость монокристаллов
  • Са&э .юз
    • 4. 3. Фотолюминесценция специально нелегированных монокристаллов La^Dz
    • 4. 4. Фотолюминесценция монокристаллов LO^D^S легированных Си и Тб
    • 4. 5. Спектрально-люминесцентные свойства Ш в оксисульфиде лантана
    • 4. 6. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость монокристаллов La^SiNd .:.1бз вывода

В последнее время все больший интерес проявляется к исследованию полупроводниковых материалов, в состав которых входит редкоземельный (Р.З.) ион, к таким например, как и LnzO^X (Здесь La — Р.З. ион, х — ион халькогена). Важная особенность этих соединений заключается в том, что Р.З. активатор входит в регулярные узлы решетки в высокой концентрации вплоть до полного замещения ее катиона. При наличии полупроводниковых свойств это открывает принципиальную возможность эффективной накачки Р.З. ионов в таких матрицах не через узкие и слабые полосы их собственного поглощения, а путем оптического возбуждения в полосе фундаментального поглощения матрицы или ударного возбуждения примесных ионов свободными носителями, ускоренными электрическим полем. Кроме того, достаточно высокая фоточувствительность сульфидов Р.З. элементов (itl^ S3) в сочетании со значительной шириной запрещенной зоны (2.0 -г 3.0 эВ) позволяет надеяться на использование этих материалов в оптоэлектронных устройствах, работающих во всем видимом диапазоне длин волн. Фоточувствительность оксисульфидов Р.З. элементов (Lfl%OzS) простираются в ультрафиолетовую область спектра (т.к. ширина запрещенной зоны 4.0 эв).

Однако вопрос о применении сульфидов и оксисульфидов Р.З. элементов в оптоэлектронике и лазерной технике сталкивается с малоизученно стью их полупроводниковых свойств. В литературе отсутствуют сведения о комплексном исследовании фотоэлектрических и люминесцентных свойств нелегированных кристаллов. При исследовании кристаллов LflxS3 и Ln^S, активированных Р.З. ионами, основное внимание уделялось спектрально-люминесцентным характеристикам активаторов в данных.матрицах. Не исследовано влияние полупроводниковой матрицы на спектрально-люминесцентные свойства активатора. Отсутствуют схемы энергетических уровней, объясняющие фотоэлектрические процессы в данных кристаллах.

Актуальность работы определяется необходимостью исследования фотоэлектрических и люминесцентных свойств новых широкозонных фоточувствительных материалов в связи с возможностью их использования в оптоэлектронике и лазерной технике.

Целью настоящей работы являлось комплексное исследование фотолюминесценции, оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов сульфидов и оксисульфидов редких земель, активированных трехвалентными Р.З. — ионами (N&, Се? cl, Т6) и их сопоставление с соответствующими свойствами специально нелегированных матриц для выяснения возможности увеличения эффективности возбуждения ионов NdL3 как при накачке в полосу поглощения сенсибилизирующего иона (Св), так и установления влияния полупроводниковой матрицы на спектрально-люминесцентные свойства Р.З. активатора.

Исследования проводились на кристаллах сульфида и оксисульфида лантана (^ -кубическая модификация и LolxO^.

3f которые интересны тем, что у иона отсутствуют электроны на внутренней Afоболочкев этом случае интерпретация процессов возбуждения Р.З. активаторов и их взаимодействие с матрицей не осложнены наличием внутрицентрового поглощения катиона решетки.

Кристаллы f — э <Г ~ ^ «* были синтезированы в Институте неорганической химии СО АН СССР (группа А.А.

3 ^.

Камарзина), кристаллы La^O^S t LCLxOz$:A/d, La^S >?ul.

T6* - в Гиредмете, г. Москва (группа Н.М.Пономарева).

Научная новизна.

1. Показано, что впервые обнаруженная и исследованная люминесценция нелегированного монокристалла $ - обусловлена излучательными переходами в донорно-акцепторных (Д-А) парах.

2. Доказано существование переноса энергии от квазинепрерыв-но распределенных у дна зоны проводимости ловушек к ионами Not? в f-La^^Nd1*.

3. Установлено, что в монокристаллах существует эффективный при низких температурах перенос энергии от иона.

Сел к иону tfd* .

4. Обнаружены и идентифицированы наиболее интенсивные полосы, наблюдаемые в спектре ФЛ АгсС в кристаллах %QxPiS :A/cL при стационарном возбуждении, обусловленные переходами с верхних возбужденных состояний иона МсС3 на мультиплеты основного терма.

5. На основе анализа экспериментальных результатов построены зонные модели основных электронно-дарочных переходов в кристаллах г —, г — Aaz$ 3 -Се3', mlaAS:

Практическая значимость работы заключается в получении информации о фотоэлектрических и люминесцентных свойствах нелегированных кристаллов f — JL0iSs и когОх£, а также о влиянии полупроводниковых свойств данных матриц на спектрально-люминесцентные характеристики Р.З. активаторов, необходимой при создании активных сред твердотельных лазеров и для использования материалов в оптоэлектронике. Обнаруженный эффективный перенос энергии возбуждения от иона Се3 к иону А/М3* открывает дополнительные возможности использования кристаллову — A (lxS3 'Сб2*' A/ot** в лазерной технике.

На защиту выносятся:

1. Результаты исследования фотолюминесценции (ФЛ), фотопроводимости (ФП) и термостимулированной проводимости (ТСП) кристаллов у* -, как нелегированных, так и легированных Р.З. активаторами и Св**.

2. Доказательство существования переноса энергии возбуждения от квазинепрерывного набора ловушек, расположенных у дна зоны проводимости к ионам bfcL1 в кристалле у ~ ' tfcL** и от сенсибилизирующего иона Св* к ионам кристалле гLats3 ¦¦сезк!Vd1'.

3. Результаты комплексного изучения ФП, ФЛ и ТСП нелегированных монокристаллов La^O^S, а также активированных Р.З. ионами.

С HCLK? ll T63f).

3 ^.

4. Обнаружение в монокристаллах излучательных переходов с верхних возбужденных состояний иона Ж3 наряду с переходами из метастабильного состояния на мульти.

Ь у плеты основного терма J.J. Идентификация наиболее интенсивных полос стационарной ФЛ неодима в Lot: bfd?* - установление рекомбинационного механизма переноса энергии возбуждения от матрицы к ионам f{(Lb при возбуждении в полосе фундаментального поглощения La^S .

5. Построение зонных схем основных электронно-дырочных переходов, объясняющих процессы генерации и рекомбинации носителей заряда в кристаллах f —, ^ - :Се^, IqAS >

La^S'&'TS*:

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982 г.), на Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси, 1983 г.), на совместном заседании секции «Лазерные люминофоры» и Московского семинара по физике и спектроскопии лазерных кристаллов (Москва, ИК АН СССР, 1984 г.), а также на научных семинарах лаборатории люминесценции Физического института АН СССР им. П. Н. Лебедева. По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ.

Диссертационная работа состоит из Введения, 4 глав и Заключения.

Выводы по 1У главе.

1. Обнаружены полосы ФП в нелегированном кристалле LOgfi^S в областях 270*280 нм, 290*295 нм и 380*400 нм. Первая полоса ФП обусловлена фундаментальным, остальные — примесным поглощением света.

2. Обнаружена интенсивная полоса ФЛ в области 430*460 нм в нелегированном кристалле LQ^O^. При возбуждении кристалла электронным пучком в спектре люминесценции появляется полоса с максимумом в области 380*400 нм.

3. Предложена схема энергетических уровней и электронных переходов в кристалле LQiO^^S .

4. Установлено, что легирование кристалла Ld^O^S европием приводит к возникновению двух акцепторных уровней с энергиями ионизации 0.17 и 0.31 эВ в запрещенной зоне LQzOaS .

5. Установлен рекомбинационный механизм перезарядки примесных ионов Ы и 7 Г в матрице LoxOzS .

6. Обнаружены излучательные переходы из верхних возбузвденных состояний иона МГв La AS при стационарном возбуждении светом с hy > 3.0 эВ. Проведена идентификация наиболее интенсивных полос ФЛ NcL.

7. Установлен рекомбинационный механизм возбуждения иона ш в Lqa0&S при оптической накачке в полосу фундаментального поглощения матрицы.

3 +.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании проведенной работы можно сделать следующие выводы:

1. При 80 К обнаружена интенсивная ФЛ нелегированных кристаллов ТLqs S, (Д =720*730 нм). Установлено, что эта ФЛ.

О * 3 max обусловлена излучательными переходами в Д-А парах, причем в качестве доноров выступают ловушки с квазинепрерывными распределением вблизи дна зоны проводимости.

2. Исследованы спектры возбуждения неодима в «jpLq^S3 'А/с (. Доказано существование переноса энергии от квазинепрерывного набора ловушек к ионам Nd.

3. В кристаллах If- * ^ обнаружена полоса ФЛ с максимумом в области бЮ-г-620 нм, связанная с излучательным переходом.

Sd^f иона Сеъ*.

4. В кристалле 'jfкСГ*. S3 — Св обнаружен эффективный при низких температурах перенос энергии возбуждения от иона Св к иону И3*.

5. В результате комплексного исследования ФП, ТСП, ФЛ и температурных зависимостей ФП и ФЛ предложены схемы энергетических уровней в кристаллахJfLQzSa, fLQ^^'.Ce, id^O^S и.

La^O^S :?cl ' ТВ .

6. В монокристаллах LatOtS: Nd обнаружено излучение с верхних возбужденных состояний иона при стационарном возбуждении. Сделан вывод, что эти излучательные потери энергии не являются принципиальными, поскольку интенсивность этих излучатель-ных переходов мала по сравнению с переходами ** Рэ/^ **Ij, эти полосы ФЛ неодима возбутвдаются лишь светом с энергией квантов з* больше 3.0 эВ, и, кроме того, с ростом концентрации неодима интенсивность излучения из верхних возбужденных состояний существенно падает.

7. Проведена идентификация излучательных переходов, ответственных за наиболее интенсивные полосы в спектре стационарной ФЛ.

LqAS — NcL. На основе сопоставления ФП, ТСП с температурной зависимостью ФЛ неодима в Lq^O^S 'NcL предложен рекомбина-ционный механизм переноса энергии возбуждения от матрицы к Р.З. иону.

8. Установлено, что легирование кристаллов Lq^O^ европием приводит к появлению акцепторных уровней с энергией ионизации 0.17 эВ и 0.31 эВ. На основе исследования кинетики свечения и Тв, спектров возбуждения и температурных зависимостей ФЛ предложена схема электронно-дырочных процессов перезарядки этих ионов при оптическом возбуждении в полосе фундаментального поглощения и при фотоионизации акцепторных центров.

В заключение выражаю глубокую благодарность научному руководителю, доктору физ.-мат.наук, профессору А. Н. Георгобиани за постановку задачи, постоянное внимание и помощь в работе.

Выражаю искреннюю благодарность за помощь и консультации В. И. Демину, за участие в обсуждении результатов И. М. Тигиняну, а также И. А. Щербакову, М. В. Глушкову и Ж. А. Пухлий за плодотворное сотрудничество.

Считаю своим долгом выразить благодарность А. А. Камарзину, В. В. Соколову и Н. М. Пономареву за изготовление кристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.В.Голубков, Е. В. Гончарова, В. П. Дузе, Г. М. Логинов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Сб. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. — Л., Наука, 1973, 304 с.
  2. Meisel К. Kristallstrituren von Thorium ph.osph.iden, — Zeit-sehrift fur anorganishe und allgemeine Chemie, 1939, 240, p.300−312.
  3. W.H.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f-series of Elements. I. Hew Structure Types.-Acta Crystallogr., B, 1948, 1, p.265−268.
  4. Y/eH.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f series of Elements. VI. The CegS^-Ce^S^ type of StructurerActa Crystallogr., B, 1949, 2, p.57−60.
  5. К.Ф.Караваев, Н. В. Кудрявцева, В. А. Чалдышев. Структура энергетического спектра электронов в кристаллах типа Рц. ФТТ, 1962, № 4, с.3471−3481.
  6. Г. Ф.Караваев. Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах. Автореферат дисс. на соискание учен.ст.к.ф.-м.н., Томск, 1965 г.
  7. М.В.Андрияшик, В. И. Марченко. G6: Получение и исследование свойств соединений редкоземельных металлов. ОНТИ ИПМ АН УССР, Киев, 1975, с.18−25.
  8. В.И.Марченко, М. В. Андрияшик, В. А. Сердюк, А. Г. Заяц. Исследование непрямых электронных переходов в кристаллах сесквихалько-генидов лантана. Оптика и спектроскопия, 1977, т.43, вып.5, с. 915−918.
  9. А.И.Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Л., Наука, 1978, 616 с.
  10. Г. В.Лашкарьов, Ю. Б. Падерно, С. В. Радзиковская, В. П. Федорченко. Електричш властивост! SmzS3. 1965, тХ, № 5,с.520−524.
  11. Т.П.Скорняков, А. А. Гризик, Н. М. Пономарев, Т. П. Чукина. Оптические исследования некоторых сульфидов /.& и Вт в ИК области. Ж. прикладной спектроскопии, 1972, т.17, с.814−818.
  12. Ф.К.Волынец, Г. М. Дронова, Н. В. Векшина, И. А. Миронов. Стехиометрия и оптические свойства сульфидов лантана при горячем прессовании. Изв. АН СССР, серия: Неорганические материалы, 1977- т.13, № 3, стр.526−527.
  13. Г. В.Лашкарьов, Ю. Б. Падерно. Електричш властивост/ та.
  14. NdSz. УФЖ, 1965, № 5, с.566−568.
  15. Г. В.Лашкарев, В. А. Оболончик, С. В. Радзиковская, В. П. Федорченко, Т. М. Михлин. Электрические свойства сульфидов и селенидов редкоземельных элементов состава /V^Xj • ЗЩ" 1970, т. 15, с.1560−1562.
  16. В.Л.Константинов, Г. П. Скорняков, А. А. Камарзин, В. В. Соколов. Оптические свойства монокристаллов LqzS5. Изв. АН СССР, серия: Неорган. материалы, 1978, т.14, № 5, с.843−845.
  17. В.П.Жузе, А. А. Камарзин, М. Г. Карин, К. К. Сидорин, А. И. Шелых. Оптические свойства и электронная структура сесквисульфидовредкоземельных металлов в области фундаментального поглощения.-ФТТ, 1979, т.21, вып. II, с.3410−3415.
  18. В.И.Соколов, Г. П. Скорняков, А. А. Камарзин, Н. М. Пономарев. О природе края поглощения Lq^S^. АН СССР, Уральский научный центр, Сб: Оптические исследования полупроводников, 1980, с.58−59.
  19. З.Метфессель, Д. К. Маттис. Магнитные полупроводники. М., Мир, 1972, с.1−495.
  20. Л.Н.Глурджидзе, Т. Д. Кехайов, Т. Л. Шалава, З. У. Джабуа, В.В.Са-надзе. Оптические свойства тонких пленок полуторного сульфида самария при 300 К. ФТТ, 1979, т.21, вып. П, с.3496−3499.
  21. А.А.Камарзин, В. Ф. Камышлов, Э. Г. Косцов, Ю. Н. Маловицкий. Фотопроводимость сесквисульфидов редкоземельных металлов. Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1981, т.17, № 12, с.2143−2145.
  22. Л, В. Астафьева, Г. П. Скорняков, А. А. Камарзин, Ю. Н. Маловицкий. Фотопроводимость полуторного сульфида лантана. ФТТ, 1982, т.24, вып.2, с.647−649.
  23. И.А.Смирнов. Редкоземельные полупроводники перспективы развития и применения. — Ж. Всесоюзного химического общества им. Д. Н. Менделеева, 1981, т.26, № 6, с.2−11.
  24. Т.М. Batirov, V.M.Eridkin, A.A.Kamarzin, Ju.U.Malovitskii, K.A.Verkhovskaya. Photoconductivity and Anomalous Photovoltaic effect in Cubic Piezoelectric La2Sу Phys.Stat.Sol.(a), 1981, 65, K163−165.
  25. В.М.Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. M., Наука, 1979, с.1−264.
  26. В.И.Белиничер, Б. И. Стурман. Фотовольтаический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, 130, с.415−458.
  27. М.В.Глушков, А. А. Мамедов, ак.A.M.Прохоров, Ж. А. Пухлий, 3+
  28. И.А.Щербаков. Резонансное возбуждение МГ в монокристалле полупроводника S3. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31,вып.2, с.114−117.
  29. Н.А.Власенко, Ж. А. Пухлий. Создание инверсной населенности в твердых телах путем ударного возбуждения примеси. Письма в ЖЭТФ, 1971, 14, с.449−451.
  30. А.А.Каминский, С. Э. Саркисов, Чан Нгок, Г. А. Денисенко, А.А.Ка-марзин, В. В. Соколов, В. В. Клыпин, Ю. Н. Маловицкий. Фотолюминесценция ионов в широкозонном сульфиде L&tS3
  31. Изв.АН СССР, сер: неорг. материалы, 1980, т.16, № 8, с.1333−1345.
  32. C.J.Lenford, R.A.Sarayan, J.B.Irenholme, M.J.Weber. Measurements for Heodymium Laser Glasses. IEEE, J. Quantum Electronic* 1979, v. QE-15, p.510−523″
  33. А.А.Ка1линский. О возможности исследования штарковской структуры спектров ионов Tft3+в разупорядоченных фторидных кристаллических системах. ЖЭТФ, 1970, т.58, с.407−419.
  34. С.Л.Казанский, А. Л. Натадзе, А.И.БЬюкин, Г. И. Хилько. Люминесценция кристаллов соединений АдВу-j, активированных ионами переходных металлов. Изв. АН СССР, сер. физическая, 1973, т.37, с.670−676.
  35. Reut E.G., A.I.Ryskin, Virtual Recharge: Machanizm of Radia-tionless Transition in Scheelite and Fergusonite Type Crystals, Doped with Rare Earth Ions.-Phys.Stat.Sol.(a), 1973, v.17,p.47−57.
  36. А.А.Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, И. А. Щербаков. Деградация электронного возбуждения состоянияионов в монокристалле y-IQiS з .- Квантовая электроника, 1983, т. Ю, № 3, с.569−573.
  37. А.А.Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, И. А. Щербаков. Особенности спектрально-люминесцентных свойств ионов
  38. Nd в монокристаллах полупроводника. Квантовая электроника, 1983, т.20, № 3, с.557−561.
  39. А.А.Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, В. В. Соколов, Ю. П. Тимофеев, И. А. Щербаков. Концентрационное тушение и квантовый выход люминесценции Nd в полупроводниковых кристаллах3+т.26, вып.6, с.1664−1669.
  40. W.H.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f series of Elements. Acta Crystalogr., 1949, 2, р. бО-63.
  41. Е.В.Васильев, А. М. Ткачук, А. В. Хилько, Н. М. Пономарев. Интенсивность оптических переходов в кристалле Lct&SiNd. -Оптика и спектроскопия, 1982, т.53, с.788−791.
  42. В.В.Приходько, Н. П. Сощин. Спектры отражения и поглощения окси-сульфидов v7, La, Nd и U. Тезисы докладов на П Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Л., 1979, с. 45.
  43. R.Y.Alves, R.A.Buchanan, K.A.Wickersheim, Е.А.С.Yates. Neodi-mium Activated Lanthanum Oxysulfide: A Hew High-Gain Laser Material.- J.Appl.Phys., 1971, v.42, N8, p.3043−3048.
  44. А.А.Каминский. Лазерные кристаллы. М., «Наука», 1975, с.1--256.
  45. P.N.Yocum, R.E.Shrader. The emission efficiency of Er3+ in (La, Y)202S hosts.- J. Luminescence, 1970, N1, p.814−822.
  46. С.Х.Батыгов. Процессы окисления-восстановления в) f -облученных кристаллах Са -TR г М., Наука, 1970, с. 167−169.
  47. С.Х.Батыгов, Ю.К.Воронько* Б. И. Денкер, А. А. Майер, В. В. Осико, В. К. Радюхин, М. Й. Тимошечкин. Центры окраски в кристаллах1. ФТТ, 1972, № 4, с.977−980.з+
  48. E.Banks, R.W.Schwartz. Phosphorescence Mechanizm in CdF2: Eu^ J.Ghem.Phys., 1969, 51, p.1956−1959.
  49. А.М.Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М., Высшая школа, 1982, с.1−376.3+
  50. Н.Forest, А. Соссо, H.Hersh. Energy Storage in La202S: Eu6 3+with direct 4f Eu^ excitation. J. Luminescence, 1970, 1?3, p.25−36.
  51. C.W.Struck, W.H.Ponger. Dissociation of Eu^+ Charge-Transfer2+
  52. State in J202S and La202S into Eu and a Free Hole.- Phys. Rev.(B), 1971, v, 4, N1, p.22−31.-т
  53. С.W.Struck, W.H.Fonger. Role of the Charge-Transfer States in Feeding and Thermally Empting theD States of Eu^+ in Jttrium and Lanthanum Oxysulfides. J. of Luminescence, 1970, ½, p.456−469.
  54. W.H.Fonger, СЛ7.Struck. Energy Loss and Energy Storage fromthe Eu^+ Charge Transfer States in J and La Oxysulfides.
  55. J.Electrochemical Soc., 1971, v.118, N2, p.273−280.3+ 5
  56. W.H.Fonger, C.W.Struck. Eu^ D Resonance Quenching to the Charge Transfer States in JgOgS, LagOgS and LaOCl.- J.Chem., Phys., 1970, v.52, N2, p.6364−6372.
  57. W.I.Dobrov, R.A.Buchanan. Photoconductivity and Luminescence in Lanthanum Oxysulfide. Appl.Phys.Lett., 1972, N5, v.21, p.201−203.
  58. В.А.Большухин, Н. П. Сощин. Энергетическая зонная модель оксисуль-фидов Р.З., активированных ионами лантаноидов. Тезисы докладов на Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с. 84.
  59. С.М.Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
  60. L.I.Grossweiner. A Note on the Analysis of First Order Glow Curves. J. Appl.Phys., 1953, v.24, N10, p.1306−1307.
  61. P.N.Keating. Thermally Stimulated Emission and Conductivity Peaks in the Case of Temperature Dependent Trapping Cross Sections.-Proc.of Phys.Soc., 1961, v.176, pt6 (I), N505, p.1403−1415.
  62. Booth A.H. Calculation of electron trap depths from thermolu-minescence maxima.- Canad J.Chem., 1954, .32, p.214−215.
  63. Hoogenstraaten W. Electron Traps in Zinc-Sulphide Phosphores- Philips Des.Rep., 1958, p.515−693.
  64. Garlick G.P.J., Gibson A.P. The Electron-Trap Mechanism of Luminescence in Sulphide and Silicate Phosphores. Proc.Phys. Soc., 1948, 60, p.1, N337, p.574−590.
  65. A.Halperin, A.A.Braner.Evaluation of Thermal Activation Energies from Glow Curves. Phys.Rev., 1960, v.117,N2, p.408−415.
  66. Ч.Б.Лущик. К теории термического высвечивания. ДАН СССР, 1955, т.101, № 4, с.641−644.
  67. T.A.T.Cowell, J.Woods. The evaluation of thermally stimulated current curves. Brit.J.Appl.Phys., 1967, v.18, N6, p.1045--1051.
  68. Haering R.R., Adams E.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. Phys.Rev., 1960, N117, p.451−454.
  69. К.Е.Миронов, А. А. Камарзин. Халькогениды редкоземельных металлов. Сб: Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов, -Новосибирск, Наука, 1979, с.161−168.
  70. Н.В.Подберезская, Н. В. Кожельяк, В. В. Бакакин, С. В. Борисов. Уточнение кристаллические структуры f- иf- sm^s^ соотношение структуры типов и циркона- Ж.структ. химии, 1979, т.20, № 6, с.1092−1095.
  71. Л.Б.Кузьмин, В. С. Куцев, Е. М. Логинова, Н. М. Пономарев, В.И.Сол-датов. Использование гомогенных состояний для получения крупноблочных образцов о. ксисульфида лантана. Научные труды Ги-редмета, сер.: Редкие металлы и их сплавы, М., 1981, 106, с. 66- 71.
  72. А.Н.Георгобиани, А. А. Камарзин, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий. -Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах г-La. S, ФТП, 1983, т.17, вып.2, с.316−318.
  73. А.Н.Георгобиани, М. В. Глушков, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков. Излучательная рекомбинация в монокристаллах y-LCL^ S3. Препринт ФИАН, 1982, № 181, с Л-18.
  74. A.U.Georgobiani, M.V.Glushkov, E.S.Logozinskaya, Zh.A.Pukhlii, I.M. Tiginyanu, I.A.Shcherbakov. Radiative Recombination in-La^S^ Single Crystals.-Phys.Stat., Sol (a), 1983, v.76,p.311−317
  75. А.Н.Георгобиани, М. В. Глушков, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий, И. М. Тигиняну, И. А. Щербаков. Фотолюминесценция монокристаллов1.-. Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.25−26.
  76. А.Н.Георгобиани, Е. С. Логозинская, Ж. А. Пухлий. Исследование фотопроводимости в монокристаллах 'J" —. Тезисы док-лодов П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, Одесса, 1982, с.85−86.
  77. A.Serpi. Trap distribution, in ZnIn2S^ from photoconductivity ana lysis.-J.Phys.D:Appl.Phys., 1976, v, 9, p.1881−1822.
  78. А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. M.-JI. Изд-во АН СССР, Ленингр.отд., 1963, с. 1−250.
  79. Mott Ж. Е, Electrons in Disordered Structures. Adv.Phys., 1967, 16, p.49−144.
  80. Cutler M., Leavy Y. F", Fitzpatric R.L. Electronic Transport in Semimetallic Cerium Sulfide. Phys.Rev., 1964, 122, p.1143 -- 1152.
  81. Cutler M., Mott N.E. Observation of Anderson Localization in an Electron Gas.-Phys.Rev., 1969, v.181, N3, p.1336−1340.
  82. M.Cutler, J.F.Leavry. Electronic Transport in High-Resistivetу Сerium-Sulfide. Phys. Rev., 1964, v.133, N4A, p.1153- 1162.
  83. А.Роуз. Основы теории фотопроводимости. (ред.С.М.Рывкина).-М., Мир, 1966, с.1−192с.
  84. R.H.Buble. Photoconductivity and Crystal Imperfections in Cadmium Sulfide Crystals. Part II. Determination of Characteristic Photoconductivity Quantities. J. of Chem.Phys., 1955, v, 33, N1, P*18−25.
  85. D.G.Thomas, J#J.Hppfield, W.M.Augustyniak. Kinetics of Radiative Recombination at Randomly Distributed Donors and Acceptors. Phys.Rev., 1965, 140, 1 A202−220.
  86. F.E.Williams. Theory of the Energy Levels of Donor-Acceptor Pairs.- J.Phys.Chem.Solids, 1960, J2, 265−275.
  87. D.G.Thomas, M. Gershenzon, F.A.Trumbore. Pair Spectra and «Edge?! Emission in Gallium Phosphide. Phys.Rev., 1964, 133, A269−279.
  88. P.A.Trumbore, D.G.Thomas. Hew pair spectra in Gallium Phosphide. Phys.Rev., 1965, Jil, АЮ30−1033.
  89. P.M.Ryan, R.C.Miller. Photоluminescence and Pair Spectrum in Boron Phosphide.- Phys.Rev., 1966, jh|8, p.858−862.
  90. Michio Tajima, Masaharu Aoki. Shapes of Pair Spectra Involving the Ge-acceptor in GaP. Japanese J.Appl.Phys., 1975, 14, 11, p.1695−1703.
  91. K.Era, S. Shionoya, Y. Y/ashizawa, H.Ohmatsu. Mechanism of BroadBand Luminescences in ZnS Phosphors. II Characterestics of Pair Emission Type Luminescence. — J.Phys.Chem.Solids, 1968, 29, p.1843−1957.
  92. В.В.Осипов, М. Г. Фойгель. Теория межпримесной излучательной рекомбинации в слаболегированных полупроводниках. ФТП, 1976, 10, вып. З, с.522−531.
  93. R.E.Haltead, M. Aven, H.D.Coghill. Fluorescent Emission Spectra in II-VI Compounds.- J.Electrochem.Soc., 1965, 112, 177−181.
  94. Vasuhiko Shiraki, Toshkazu Shimada, Kiichi F.Komatsubara. Edge Emission of Ion-Implanted CdS. J.Phys.Chem.Solids, 1977, 2&t p. 937−941.
  95. З.А.Трапезников, В. В. Щаенко. Некоторые оптические свойства новых цинксульфидных фосфоров, активированных редкоземельными элементами.-ДАН СССР, 1956, 106, т.2, с.230−232.
  96. В.Е.Орановский, З. А. Трапезников. Исследование спектров электро-и фотолюминесценции фосфоров, активированных Р.З. элементами.
  97. Оптика и спектр., 1958, т.5, вып. З, с.302−306.з+100.Y.W.Anderson. Itr as a recombination centeri in ZnS. -Phys.Rev., 1964, v.136, p.556−560.
  98. Tanaka S., Kabayashi H., Sasakura H., Hamakawa Y. Evidence for2+the direct impact excitation of Mn centers in electroluminescent ZnS: Mn filus. .- J.Appl.Phys., 1976, v.47, p.5391−5393.
  99. Dexter D.L. A theory of Sensitized Luminescence in solids. -J.Chem.Phys., 1953, v.21, p.836−850.
  100. Brewer R.M., Nicol M. Energy Transfer from Ce^+ to in Pentaphosphate Crystals.- J. Luminescence, 1980, 21, p.367−372.
  101. E.G.Scharmer, M. Leiss, G.Huber. Efficient energy transfer from band excitation to in Се.- J.Phys.Ci Solid State Phys., 1982, 15, p.1071−1076.
  102. В.В.Соколов, А. А. Камарзин, К. Е. Миронов, Л. Н. Трушникова, Н. Г. Кононова, Ю. А. Стонога. Оксисульфиды редкоземельных элементов типа Lq ((?S (40. Тезисы доклада на Ш Всесоюз. конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с. 101.
  103. А.Н.Георгобиани, В. И. Демин, Е. С. Логозинская. Исследование фотолюминесценции и фотопроводимости монокристаллов f» iQt% -Св, f- LazS3 'hJd. и f- Ldi$ 3 ' Cef Nd. Препринт ФИАН, № 98, 1984, с.1−26.
  104. A.B.Голубков, Е. В. Гончарова, В. Дузе, Г. М. Логинов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Сб.: Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Л., Наука, 1973, с.1−304.
  105. Н.В.Старостин, П. Ф. Груздев, В. А. Ганин, Т. Е. Чеботарева. Расчет состояний иона Сб в кристаллах типа флюорита. Оптика и спектроскопия, 1973, т.35, вып. З, с.476−481.
  106. R.Lang. The spectrum of tribly ionized cerium. Canad J. of Research, 1935, 13A, p.1−4.
  107. R.Lang. The spectrum of trebly ionized ceriumrCanad J. of Research, 193б, 14A, p.127−130.
  108. B.Blanzat, J.P.Denis, C. Pannel, C.Barthon. Etude spectroscop ique et R.P.E. du pentaphoshate de cerium. -Materials Research Bulletin, 1977, v.12, H5, p.455−461.
  109. E.G.Scharmer, M. Leiss, G.Muber. Liminesсence and energy transfer in La2SyCe, 2fd, and L&2Sj:0e, J, of Luminescence, 1981, 24/25, p.751−754.
  110. M.Leiss. photoluminescence in semiconducting binary sesquisulphide crystals of La, Gd, J. J.Phys.C.Solid State Phys., 1980, 13, p.151−157.
  111. П4.А. М. Амирян, Л. С. Гайгерова, М. И. Гайдук, В. Ф. Золин, Н. И. Морозов, Н. П. Сощин. Термолюминесценция оксисульфида иттрия, активированного европием и другими редкими землями. Ж. прикладной спектроскопии, 1973, т.19, вып. З, с.433−436.
  112. С.Х.Еашыгов, Р. Т. Микаэлян, В. В. Осико, М. М. Фурсиков, В.Т.Удовен-чик. О влиянии примесей на оптические свойства лазерных кристаллов COIFa, Dy. — Изв. АН СССР, сер. неорганическиематериалы, 1967, 3, с.760−768.
  113. I.Y.Saunders. The relationship between thermally stimulated luminescence and thermally stimulated Conductivity. Brit. J.Appl.Phys., 1967, v. 18, p.1219−1220.
  114. А.М.Амирян, Я. М. Бабич, Т. В. Бабкина, Л. Н. Зорина, Э. Н. Муравьев, С. И. Нарышкина, Н. Л. Сощин. К сравнению спектров &UL* в оксидах и оксисульфидах редкоземельных элементов. Сб.: Спектроскопия кристаллов, Л., Наука, 1973, с.168−172.
  115. П8.А. Н. Георгобиани, В. И. Демин, Е. С. Логозинская. Фотолюминесценция и фотопроводимость монокристаллов Препринт
  116. ФИАН, № 97, М., 1984, с.1−20.
  117. Г. П.Бородуленко, М. В. Глушков, Г. А. Какабадзе, Е. С. Логозинская, Н. М. Пономарев, Ж. А. Пухлий, И. А. Щербаков. Фотолюминесцентные свойства
  118. ДS -Nd. Тезисы доклада Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.26−27.з+
  119. Y.R.Henddrson, M. Muramoto, John.В.Gruber. Spectrum of Nd^ in Lanthanide Oxide Crystals. J.Chem.Phys., 1967, v.46, П7, p.2515−2520.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!