Модифицирование поверхности и формирование неравновесных структур ионными и лазерными пучками
Диссертация
Долгое время исследования в области ионно-лучевого модифицирования металлических материалов ограничивались изучением особенностей структурных изменений в металлах при облучении ионами инертных газов и синтеза таких соединений как нитриды, карбиды и бориды металлов, что было обусловлено относительной простотой получения ионных пучков данных элементов. Возможности применения лазерного излучения для… Читать ещё >
Список литературы
- Пранявичус Л., Дудонис Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками/Вильнюс. «Мокслас».1980.
- Диденко А.Н., Лигачев А. Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов/ М.:Энергоатомиздат.1987.
- Рыкалин H.H., Углов A.A., Зуев Н. В. и др. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов/ Машиностроение. 1985.
- Быковский Ю.А., Неволин В. Н. Лазерная масс-спектрометрия/ М.:Энерго-атомиздат.1985.
- Быковский Ю.А., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов/М.: Энергоатомиздат. 1991. 240с.
- Альтудов Ю.К., Быковский Ю. А., Лаптев И. Д., Фоминский В. Ю. Особенности импульсного легирования твердых тел / Тез. докладов IX Всесоюзной конференции по микроэлектронике//Казань. 1980. С. 29.
- Быковский Ю.А., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю., Мамонтов А. Н. Поверхностное легирование стали Х18Н9Т танталом с помощью монохроматического излучения/ФХОМ. 1983. № 6. С.136−138.
- Bikovskii Yu.A., Nevolin V.N., Fominskii V.Yu. Application of laser ion source for implantation of solids /Ext. abstracts.: Intern, confer, on energy pulse modification of semiconductor and related materials //Dresden. 1984. P.10.10.
- Быковский Ю.А., Неволин B.H., Фоминский В. Ю. и др. О свойствах поверхностных сплавов после импульсного лазерного и ионного легирования стали/ Поверхность. 1984. № 3. С. 134−139.
- Быковский Ю.А., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. и др. Направленное изменение кинетики испарения металлов для повышения эффективности формирования неравновесных сплавов под действием монохроматического излучения/ Поверхность. 1984. № 5. С. 148−151.
- Быковский Ю.А., Мамонтов А. Н., Неволин В. Н., Петрикин Ю. В., Фоминский В. Ю. Исследование механизмов формирования поверхностных сплавов хрома с оловом под действием импульсного лазерного излучения /
- Тезисы докладов I Всесоюзного совещания по лазерной металлургии и лазерно-плазменной обработке// Москва. 1984. С. 131−132.
- Быковский Ю.А., Куликаускас B.C., Мамонтов А. Н., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Ионная имплантация хрома оловом / Тез. докладов YII Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом"// Минск. 1984. С. 114.
- Быковский Ю.А., Неволин В. Н., Куликаускас B.C., Мамонтов А. Н., Фоминский В. Ю. Исследование структурных изменений в монокристаллическом хроме при действии наносекундных импульсов лазерного излучения/Поверхность. 1985. № 1. С. 138−142.
- Бабикова Ю.Ф., Быковский Ю. А., Мамонтов А. Н., Неволин В. Н., Петрикин Ю. В., Фоминский В. Ю. Исследование структур поверхностных сплавов хрома с оловом, сформированных методами ионного и лазерного легирования/ ЖТФ. 1985. Т.55. № 2. С.431−434.
- Быковский Ю.А., Мамонтов А. Н., Фоминский В. Ю. Исследование влияния ионной бомбардировки на структуру монокристаллов хрома и молибдена/ В кн.: «Радиацион. эффекты в металлах и сплавах"//Наука. 1985. С.156−159.
- Али-Заде И.И., Биннатов К. Г., Грузин П. Л., Петрикин Ю. В., Фоминский В. Ю. Лазерная имплантация железа в медь / В книге: «Ядерно-физические методы и установки"//М.: Энергоатомиздат. 1986. С.53−58.
- Мамонтов А.Н., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю., Хабелашвили И. Д. Установка для ионной имплантации металлов с лазерным источником ионов/ Электронная техника. Сер.7ТОПО. Вып. 1(134). 1986. С.69−71.
- Быковский Ю.А., Куликаускас B.C., Маркеев A.M., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. О структурных изменениях в самоимплантированном монокристалле хрома/Поверхность. 1986. № 4. С. 129−133.
- Али-Заде И.И., Биннатов К. Г., Грузин П. Л., Неволин В. Н., Петрикин Ю. В., Фоминский В. Ю. Мессбауэровское исследование сплавов Fe-Cu, полученных сильноточной имплантацией ионов железа/ Известия АН СССР. Сер физическая. 1986. № 12. Т.50. С.2304−2310.
- Маркеев A.M., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Наносекундное лазерное легирование металлических материалов/ ФХОМ. 1987. № 5. С. 14−23.
- Маркеев A.M., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Ионное легирование металлических материалов с использованием импульсного лазерно-плазменного источника ионов / ФХОМ. 1988. № 6. С.44−53.
- Fominskii V.Yu., Hokonov A.S., Kulikauskas V.S. et al. Ion beam assisted deposition of MoSx films./ 3-rd Int. Confer, on Energy pulse and particle beam modification of materials, GDR// Dresden. 1989 .P.7−10.
- Маркеев A.M., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Ионная и наносекундная лазерная имплантация Sn в хром / Физика металлов и металловедение. 1990. Т.69. Вып. 1. С.138−145.
- Быковский Ю.А., Маркеев A.M., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Массо-перенос и структурообразование в металлических покрытиях под облучением ионами средних энергий / Известия АН СССР. Сер. физическая. 1990. Т.54. № 7. С. 1422−1428.
- Fominskii V. Yu., Markeev A.M., Nevolin V.N. Pulsed ion beams for modification of metal surface properties / Vacuum. 1991. V.42. №½. P.73−74.
- Неволин B.H., Фоминский В. Ю., Маркеев A.M. и др. Лазерно-плазменное и ионно-стимулированное осаждение антифрикционных и износостойких покрытий / Препринт МИФИ. 1991. № 016−91. 24с.
- Неволин B.H., Фоминский В. Ю., Вьюков Л. А. и др. Ионно-стимулированное формирование функциональных слоев в тонкопленочных технологиях / Электронная промышленность. 1992. № 3. С. 16−19.
- Nevolin V.N., Fominskii V.Yu., Naumenko O.I. et al. Low temperature photon-induced chemical vapour deposition of silicon dioxide / Intern. Confer, on Advanced and Laser Technologies. Moscow. 1992 // Book of Summarries. Part 5. P.29−31.
- Неволин B.H., Фоминский В. Ю., Прокопенко В. Б. и др. Влияние режимов лазерно-плазменного осаждения на химический состав и структуру пленок MoSx / Материалы XI конференции «Взаимодействие ионов с поверхно-стью"//М. 1993. Т.2. С. 169−171.
- Неволин В.Н., Фоминский В. Ю., Прокопенко В. Б. и др. Ионно-стимулиро-ванные реакции дихалькогенидов тугоплавких металлов с железом/ Матер. XI конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью7/М. 1993. Т.З. С. 102−104.
- Fominski V.Yu., Markeev A.M., Nevolin V. N et al. Structure formation in amorphous carbon films under intermediate energy ion bombardment / Vacuum 1993. V.44. № 9. P.873−877.
- Неволин B.H., Фоминский В. Ю., Прокопенко В. Б. и др. Ионно-лучевое перемешивание атомов и формирование химических связей на границе MoSx/Fe//Поверхность. 1994. № 1. С.85−91.
- Fominski V.Yu., Markeev A.M., Nevolin V.N. et al. Pulsed laser deposition of MoSx films in a buffer gas atmosphere/ Thin Solid Films. 1994. № 248. P.240−246.
- Fominski V.Yu., Markeev A.M., Naumenko O.I., Nevolin V.N. et al. Combined photochemical processes for silicon technology: substrate cleaning, silicon dioxide deposition and annealing/ Appl. Surface Science. 1994. № 78. P.437−443.
- Неволин В.Н., Фоминский В. Ю., Вьюков Л. А. и др. Низкотемпературное фотонно-индуцированное удаление углерода с поверхности кремния / Поверхность. 1995. № 1. С.22−28.
- Фоминский В.Ю., Прокопенко В. Б., Маркеев A.M. Особенности структуро-образования и свойства тонких пленок металлов и алмазоподобного углерода при импульсном лазерном осаждении/ Конверсия. 1995. № 11. С.40−42.
- Fominski V.Yu., Naumenko O.I., Nevolin V.N. et al. Photochemical removal of organic contaminants from silicon surface at room temperature / Appl. Phys. Letters. 1996. V.59. P.2576−2578.
- Алехин А.П., Мазуренко C.H., Маркеев A.M., Науменко О. И., Неволин В.Н.,
- Фоминский В.Ю. In situ РФЭС-диагностика фотохимической газофазной очистки поверхности кремния от естественного окисла / Поверхность. 1996. № 11. С.56−63.
- Неволин В.Н., Фоминский В. Ю., Алехин А. П. Газофазные низкотемпературные УФ-индуцированные процессы для кремниевой технологии. I. Очистка поверхности/Известия вузов. Электроника. 1998. № 5. С.69−85.
- Неволин В.Н., Фоминский В. Ю., Алехин А. П. Газофазные низкотемпературные УФ-индуцированные процессы для кремниевой технологии. П. Осаждение и отжиг тонких слоев/ Известия вузов. Электроника. 1998. № 6. С.33−42.
- Никитин М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления / М. Металлургия. 1992.
- Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Дж.М.Поута и др.- Пер. с англ. Под ред. А.А.Углова//М.: Машиностроение. 1987.
- Biersack J. P, Haggmark L.G. A Monter-Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous target/Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1980. Vol.174. P.257−263.
- Geritsen E., Keetels H.A.A., Ligthart H.J. Depth selective microstructural analysis of ion implanted metals by cross-section transmission electron microscopy and computer simulation / Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1989. Vol. B39. P.614−618.
- Павлов П.В., Семин Ю. А., Скупов В. Д., Тетельбаум Д. И. Ударно-акустические эффекты в кристаллах при ионном облучении/ ФХОМ. 1991. № 6. С.53−57.
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел/ Сб. статей. Под ред. Машковой Е.С.// М.: Мир. 1989. 349 с.
- L.E.Rehn, P.R.Okamoto Resent progress in understanding ion-beam mixing/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1989. Vol. B39. P. 104−113.
- T.D. de laRubia, R.S.Averback, R. Benedek, W.E.King. Fundamental aspects of ion beam mixing/Phys.Rev.Lett. 1987. V.59(17). P. 1930−1935.
- Johnson W.L., Cheng Y.T., van Rossum M., Nicolet M-A. When is thermody- 289 namic relevant to ion-induced atomic rearangment / Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1985. Vol. B7/8. P.657−665.
- Комаров Ф.Ф., Новиков А. П. Ионно-лучевое перемешивание при облучении металлов/ В сб. «Итоги науки и техники», серия: Пучки заряженных частиц и твердое тело//ВИНИТИ. 1993.Том.7. С.54−82.
- Kim S.-J, Nicolet М.-А., Averback R.S. Influence of thermochemical properties on ion mixing of markers in Cu and (3-Zr at 77K with Кг/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. Vol. B19. P.662−668.
- Cheng Y.-T., Auner G.W., Alkaisi M.H. et al. Thermodynamic and ballistic aspects of ion mixing/Nucl. Instr. Meth. Phys. Res.1991. Vol.65. P.509−516
- Дине Дж, Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.:ИЛ. 1960.
- Sigmund P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced elastic-collision spikes in solids/ Appl. Phys. Lett. 1974. V.25. No.3. P.169−171.
- Ibe E. Picosecond diffusion in a thermal spike during ion mixing/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1989. Vol. B39. P. 148−152.
- Chae K.U. Atomic transport in collisional atomic mixing in bilayers structures/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1994. Vol.88(4).P.387−393.
- Sood D.K., Battaglin G., Kulkarni V.N. et al. Ion beam induced demixing in the Ni-Pb system/Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. Vol. B19. P.632−637.
- Peiner E., Kopitzki K. Metastable Phases formed by ion mixing of binary metal systems with positive heats of formation/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1988. Vol. B34. P. 173−180
- Miedema A.R., de Chatel P.F., de Boer F.R. Cohesion in alloys fundamentals of semi-empirical model/Physica. 1980. Vol.lOOB. P. 1−28.
- Turns S., Azzam A., Kloska M.K. Lattice site occupation of non-soluble elements implanted in metals/Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1987. Vol. B 19/20. P. 123−131.
- Liu B.X. Further studies of ion mixing in binary metal systems/ Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 1985. Vol. B7/8. P.547−551
- Ossi P.M. Ion-beam-induced amorphization/ Mater. Science and Engeneering.1987. V.90. P.55−68.
- Alonso J.A., Lopez J.M. Glass forming ability in binary alloys produced by ion mixing and laser quenching /Mater. Letters. 1986. Vol.4. No.5−7. P.316−319.
- Liu B.X., Ma E., Li J. et al. Different behaviors of amorphization induced by ion mixing/Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. Vol. B 19/20 .P682−690.
- Павлов П.В., Тетельбаум Д. И., Павлов А. В. и др. Структурные превращения при бомбардировке Fе/ Докл. АН СССР. 1974. Т.217. № 2. С.330−332
- Johnson Е., Johansen A., Sarbolt-Kristensen L. et al. Mossbauer and ТЕМ study of martensitic transformation in ion implanted 17/7 stainless steel/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. Vol. B 19/20. P. 171−176.
- Sugden S., Sofield C.J., Murrell M.P. Mev ion enhanced adhesion in the gold on tantalum system/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1989. Vol. B44. P. 137−140.
- Stelmack L.A., Thurman C.T., Thompson G.R. Review of ion-assisted deposition/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1989. V. B37/38. P.787−793.
- Rossnagel S.M., Cuomo J.J. Film modification by low energy ion bombardment during deposition/ Thin Solid Films. 1989. Vol.171. P. 143−156.
- Hentzell H.T.G., Harper J.M.E., Cuomo J.J. Synthesis of compound thin films by dual ion beam deposition/ J. Appl. Phys. 1985. Vol.58. P.556−563.
- Parmigiani F., Kay E., Huang T.C. et al. Optical and electrical properties of thin silver films grown under ion bombardment/ Phys.Rev.B. 1986. Vol.33 .P.879−888.
- Hirsh E.H., Varga I.K. Thin film annealing by ion bombardment/ Thin Solid Films. 1980. Vol.69. P.99−105.
- Brighton D.R., Hubler G.K. Binary collision cascade prediction of critical arrival ratio in the production of thin films with reduced intrinsic stresses/ Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1987. Vol. B28. P.527−533.
- Wolf G.K. Modification of chemical surface properties by ion beam assisted deposition/Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1990. Vol. B46. P.369−378.
- Liu B.X., Zhou X., Li H.-D. Thermodynamics and growth kinetical consideration of metal-nitride formation by nitrogen implantation/ Phys. Stat. Sol. (a). 1989. Vol.113. P. 11−22.
- Арутюнян Р.В., Баранов В. Ю., Большов Л. А. и др. Легирование поверхности твердых тел из плазмы лазерного пробоя в жидкости/ Поверхность. 1984. № 4. С.149−151.
- Анисимов С.И., Имас Я. А., Романов Г. С., Ходыко Ю. В. Действие излучения большой мощности на металлы./М.Наука. 1970. 272 с.
- Jain А.К., Kulkarni V.N., Nambiar К.В. et al. Pulsed laser treatment of lead films on aluminum/Radiation Effects. 1982. Vol.63. P.175−181.
- Draper C.W., Meyer L.S., Buene L. et al. Laser surface alloying gold films on nickel/ Application of Surface Science. 1981. Vol.7. P.276−280.
- Draper C.W., Braeder F.J. A., Jacobson D.C. et al. Studies of laser-alloyed Zr-containing surface layers/ in: Laser and el.-beam interaction with solids // North-Holland. 1982. P.419−422.
- Wang Z.L., Westendorp J.F.M., Saris F. W. Laser and ion-beam mixing of Cu-Au-Cu and Cu-W-Cu thin films/ Nucl. Instr. Meth. 1983. Vol.209/210 .P. 115−124.
- Sood D.K. Metastable surface alloys produced by ion implantation, laser and electron beam treatment/Radiation Effects. 1982. Vol.63. P. 141−167.
- Brouder F.J.A., Vandenberg J.M., Draper C.W. Microstructures of Cu-Zr phases formed by laser surface treatment/ Thin Solid Films. 1984. Vol. 111. P.43−51.
- Самохин А.А., Успенский А. Б. Испарение вещества под действием лазерного излучения/ ФХОМ. 1981. № 3. С.3−11.
- Анисимов С.И., Гальбурт В. А., Иванов М. Ф. и др. К теории взаимодействия лазерного излучения с металлами/ЖТФ. 1979. Т.49. .№ 3. С.512−518.
- Судьенков Ю.В., Филипов Н. М., Воробьев Б. Ф., Недбай А. И. Исследование механизмов взаимодействия наносекундного лазерного излучения с металлами/Писма в ЖТФ. 1983. Т.9. .№ 7. С.395−399.
- Батанов В.А., Бункин Ф. В., Прохоров A.M., Федоров В. Б. Испарение металлических мишеней мощным оптическим излучением /ЖЭТФ. 1972. Т.63. Вып.2(8).С.586−608.
- Kambli U., Allmen М., Saunders N. et al. A comparison of glass forming ability in Ag-Si and Au-Si alloys/ Appl.Phys.A. 1985. No.36. P.189−192.
- Affolter K., Allmen M. Glass-forming ability in laser quenched transitional metal alloyes/Appl.Phys.A. 1984. No.33. P.93−96.
- Зенкевич A.B., Неволин B.H., .Хабелашвили И. Д. Физические особенности импульсного лазерного осаждения металлов/ Известия вузов. Электроника. 1997. № 2. С.3−24.
- Voevodin А.А., Laube S.J.P., Walks S.D. et al. Pulsed laser deposition of diamond-like amorphous carbon films from graphite and polycarbonate targets/ J.Appl.Phys. 1995. Vol.78(6). P.4123−4130.
- Horwitz J.S., Grabowski K.S., Chrisey D.B., Leuchtner R.E. In situ deposition of epitaxial PbZrxTi (i.X)03 thin films by pulsed laser deposition/ Appl. Phys. Lett. 1991. Vol.59(13). P.1565−1567.
- Itina Т.Е., Marine W., Autric M. Monte Carlo simulation of pulsed laser ablation from two-component target into diluted ambient gas/ J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82(7). P.3536−3542.
- Lichtenwalner D.J., Auciello O., Dat R., Kingon A.I. Investigation of ablated flux characteristics during pulsed laser ablation deposition of multicomponent oxides/ J.Appl.Phys. 1993. Vol.74(12). P.7497−7505.
- Scheibe H.-J., Gorbunov A.A., Baranova G.K. et al. Thin film deposition by eximer laser evaporation/ Thin Solid Films. 1990. Vol.189. P.283−291.
- Anan in O.B., Bykovskii Yu.A., Eremin Yu.V. et al. Interaction of one and two lobes of laser-produced plasma with rarefied gas/ Laser Physics. 1992. Vol.2. No.5. P.711−721.
- Kools J.C.S., Brongersma S.H., van de Riet E., Dieleman J. Concentration and velocity distribution of positive ions in laser ablation of copper/ Appl.Phys. 1991. Vol. B53. P.125−130.
- Rajiv K. Singh, Narayan J. Pulsed-laser evaporation technique for deposition of thin films: Physical and theoretical model/ Physical Review B. 1990. Vol.41. № 13. P.8843−8847.
- Watanabe Y., Seo Y., Tanamura M. et al. Compositional distribution of laser-deposited films and rapid sequential pulsed laser deposition/ J.Appl.Phys. 1995. Vol.78(8). P.5126−5135.
- Румак H.B., Хатько B.B. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике/ Минск. Наука и техника. 1990. 191с.
- Inoue К., Nakatani Y., Okuyama М., Hamakawa Y. Growth of Si02 thin film by double-excitation photoinduced CVD incorporated with microwave excitation of oxigen/J. Appl. Phys. 1988. Vol.64(ll). P.6496−6501.
- Licoppe C., Debauche C. Surface-sensitive multiple internal reflection spectroscopy as a tool to study surface mechanisms in CVD/ Appl. Surf. Sci. 1993.Vol.63.P. 115−118.
- Vig J.R. UV/ozone cleaning of surfaces/ J. Vac. Sci. Technol. 1985. Vol. A3(3). P. 1027−1034.
- Валиев K.A., Беликов JI.B., Душенков С. Д., Иванова М. И. Удаление тонких слоев органических веществ с поверхности неорганической подложки коротковолновым УФ-излучением/Поверхность. 1989. № 4. С. 114−119.
- Debauche С., Licoppe С., Meriadec С. et al. UV annealing of low temperature photodeposited Si02 films with a new powerful lamp source/ Appl. Surf. Sci. 1992. Vol.54. P.435−439.
- Parada E.G., Gonzalez P., Serra J. et al. Improvement of Si02 film properties by ultraviolet eximer lamp annealing/Appl. Surf. Sci. 1995. Vol.86. P.294−298.
- Toyada K., Taguchi Т., Photochemical deposition of Si and SiC films using ArF eximer laser/Proceedings TENCON'87/ 1987 JEEE// 1987. Vol.3. P. 1247−1251.
- Tanaka Т., Deguchi K., Miyazaki S., Hirose M. Selective growth of polycrystalline silicone by laser -induced cryogenic CVD/ Jap. Jour, of Appl. Phys. 1988. Vol.27. P. L2149-L2151.
- Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.1961.
- Вудраф Д., Делчер Т. Современные методы исследования поверхности/ М.: Мир. 1989.
- Усманский Я.С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев JI.H. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия/М.: Металлургия. 1982.
- Бабикова Ю.Ф., Грузин П. Л., Петрикин Ю. В. Электронная ЯГР-спектроскопия/М.:МИФИ.1985. 79 с.
- Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок/ М.: Мир. 1989. 344 с.
- Lindgreen R.J.Th., Boerma D.O., De Hosson J.Th.M./ Radiation Effects. 1983. Vol.71. P.239−314.
- Pathak A.P. The effects of defects on charged particle propagation in crystalline solides/Radiation Effects. 1982. Vol.61. P. 1−46.
- Chu W.K., Mayer J.W., Nicolet M.A. Backscattering spectrometry/ N.Y.: Academic Press. 1978.
- Goranchev В., Schmidt K., Reichelt K. Compressive stress of thin cubic BN films prepared by r.f. reactive sputtering on r.f.-biased substrats / Thin Solid Films. 1987. Vol.149. P. L77-L88.
- Савицкая Б., Савицкий Дж. Мессбауэровская спектроскопия/ Сб.статей. Пер. с англ. Под ред. Гольданского В. И., Кузьмина Р.Н.// М.: Мир. 1984.
- Street R., Window В. Nuclear Zeeman effect of 119Sn dissolved in chromium/ Proc. Phys. Soc. 1966. Vol.89. P.587−594.
- Andreasen H., Dengaard S., Petersen J.W., Weyer G. Isomer shift and force constant of substitutional 119Sn impurity atoms in FCC metals/ J. Phys. F.: Metal. Phys. 1983. Vol.13. P.2077−2088.
- Hall I.W. The in situ annealing of self-ion implanted molibdenum/ Radiation Effects. 1982. Vol. 61. P.165−173.
- Dianisio P.H., Barros B.A.S., Baumval I.J.R. Metallic phases formed during tinimplantation in iron and steels/ J. Appl. Phys. 1984. Vol.55(2). P.4219−4224.
- Шулов В.А., Ягодкин Ю.Д./ Тез. докл. I Всес. конф. «Модификация свойств констр. материалов пучками заряженных частиц"// Томск: ТПИ. 1988. Часть III. С. 120−122.
- Dearnaley G. Ion implantation in metals/ Mater. Sci. Engineering. 1985. Vol.69. P.139−147.
- Салли А., Брэндз Э. Хром./М.: Металлургия. 1971. 358 с.
- Jain А.К., Kulkarni V.N., Sood D.K. Pulsed laser heating calculations incorporating vaporization/Appl. Phys. 1981. Vol.25. P. 127−133.
- Fairand B.P., Clauer A.Y. Laser generation of high-amplitude stress waves in materials/J. Appl. Phys. 1979. Vol.50(3). P. 1497−1502.
- Абдуллаев Г. Б., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах/М.: Атомиздат. 1980. 280 с.
- Таблицы физических величин/ Справочник. М.: Атомиздат. 1976.
- Reichelt К., Mair G. Reactive ion sputtering deposition of MoSxthin films/ J. Appl. Phys. 1978. Vol.49(3). P.1245−1247.
- Даниель М.И. Процессы столкновения в ионизованных газах / М.: Энергоатомиздат. 1967. 342 с.
- Buck V. Structure and properties of sputtered MoS2 films/ Thin Solid Films. 1991. Vol.198. P.157−161.
- Lince R.J., Stewart T.B., Hills M.M. et al. Chemical effects of Ne+ bombardment on the MoS2 (0001) surface studied by high resolution XPS/ Surface Science.1989. Vol.210. P.387−405.
- Mclnture N.S., Spevack P.A., Beamson G., Briggs D. Effect of Ar ion bombardment on basal plane and poly crystalline MoS2/ Surface Science Letters.1990. Vol.237. P. L390-L397.
- Seitzman L.E., Bolster R.N., Singer I.L. Effects of temperature and ion-to-atom ratio on the orientation of IBAD MoS2 coatings/ Thin Solid Films. 1995.Vol.260. P.143−147.
- Белый A.B. Структурные изменения в покрытиях нитрида титана, подвергнутых ионной бомбардировке/Поверхность. 1989. № 10. С. 128−133.
- Tsai Н., Body D.B. Characterization of diamondlike carbon films and their application as overcoats on thin-film media for magnetic recording/ J. Vac. Sci. Technol. 1987. Vol. A5(6). P.3287−3313.
- Davanloo F., Juengerman E.M. Jander D.R. et al. Amorphic diamond films produced by a laser plasma source/ J. Appl. Phys. 1990. Vol.67(4). P.2081−2087.
- Gavrilenko V.I., Frolov S.I. et al. Structure models of carbon films/ Thin Solid Films. 1990. Vol.190. P.255−259.
- Malshe A.P., Kaneltkav S.M., Ogaie S.B. et al. Pulsed laser deposition of diamondlike hydrogenated amorphous carbon films/ J. Appl. Phys. 1990. Vol.68. P.5648−5653.
- Beeman D., Silverman J. Linds R. et al./ Phys. Rev. 1984. Vol. B30. P.870−877.
- Вол A.E., Каган И. И. Строение и свойства двойных металлических систем/ М.Наука.1976.
- Немошкаленко В.В., Дехтяр И. Я., Нищенко М. М. и др. Образование аморфной фазы в поверхностном слое системы Fe-Та/ Металлофизика. 1984. Т.6. № 6. С.104−105.
- Sing О.Р., Gupta U.P. Electronic properties of iron chalcogenides/Phys. Stat. Sol. 1986. Vol. l35B. P.249−252.
- Joshee R., Phase D.M., Ghaisas S.V. et al. Conversion electron Mossbauer spectroscopy of ion-beam mixing at Fe-Mo interface/ J. Appl. Phys. 1986. Vol.59(2). P.388−394.
- Люпис К. Химическая термодинамика материалов: Пер. с англ. / М.: Металлургия. 1989. 503 с.
- Zabinski J.S., George Т., Tatarchuk В. Interfacial analysis of tribological system containing MoS2 and iron using XPS and CEMS/ Thin Solid Films. 1989. Vol.181. P.485−495.
- Химико-термическая обработка металлов и сплавов/ Справочник. Ред. Ляхович Л. С.// М. Металлургия. 1981.424с.
- Phase diagrams for ceramics/ Margiek Resser Editor//USA.Ohio. 1969.- 297
- Shirafuji T., Tachibane K. Photo-exited removal of native oxide on silicon wafer inNF3 gas using a VUV Xe lamp/Appl. Surf. Sci. 1994. Vol.79. P.117−121.
- Kazor A., Jeynes C., Boyd I.W. Fluorine enhanced oxidation of silicon at low temperatures/Appl. Phys. Lett. 1994. Vol.65(2). P. 1572−1574.
- Morita M., Kubo T., Hirose M. Fluorine-enhanced thermal oxidation of silicon at the presence of NF3/Appl. Phys. Lett. 1984. Vol.45(12). P.1312−1314.
- Takahagi T., Nagai I., Ishitani A. et al./ J. Appl. Phys. 1988.Vol.64(7).P.3516−3520.
- Yokazama S., Yamakage Y., Hirose M. Laser-induced photochemical etching of Si02 studied by XPS/ Appl. Phys. Lett. 1985. Vol.47.P.389−391.
- Ashokan R., Singh R., Gopal V., Anandan M. Structural characterization of photochemically grown Si02 films/J. Appl. Phys. 1993. Vol.73. P.3943−3950.
- Rieger D., Bachmann F., ArF laser induced CVD of Si02 films: a search for the best suitable precursors/Appl. Surf. Sci. 1992. Vol.54.P.99−107.
- Kinashi K., Niwano M., Miyamoto N., Honma K. UV-assisted deposition of TEOS Si02 films using the spin-coating method/ Appl. Surf. Sci. 1994. Vol.79/80. P.332−337.
- Elliq M., Fogarassy E., Fuchs C. et al. One-step growth of polycrystalline silicon films at low temperature by ArF eximer laser-induced photo-CVD/ Appl. Surf. Sci. 1992. Vol.54.P.35−40.