Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Математическое моделирование структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля для формирования ИК-фотоприемников с заданными свойствами

Диссертация: Математическое моделирование структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля для формирования ИК-фотоприемников с заданными свойствами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время для расчета и аналитического описания структур с множественными квантовыми ямами вне зависимости от технологии их выращивания используется модель ям с прямоугольными симметричными стенками. Однако, как показывают экспериментальные данные, возможно существенное отклонение формы реальных ям от эталонной прямоугольной симметричной формы. Возникновение асимметрии в резкости границ… Читать ещё >

Математическое моделирование структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля для формирования ИК-фотоприемников с заданными свойствами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • РАЗДЕЛ 1. ИК-ФОТОПРИЕМНИКИ НАКТУРАХ С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
    • 1. 1. Регистрация ИК-излучения в объемных полупроводниках
    • 1. 2. Регистрация ИК-излучения на основе фотоприемников с множественными квантовыми ямами
    • 1. 3. Основные параметры фотоприемников и сравнительный анализ различных способов регистрации ИК-излучения
    • 1. 4. Классификация ИК-фотоприемников с квантовыми ямами
    • 1. 5. Полупроводниковые гетероструктуры: классификация и основные физические особенности
    • 1. 6. Влияние способа получения сверхрешеток и гетероструктур на их физические свойства
    • 1. 7. Оптические свойства гетероструктур
    • 1. 8. Особенности проектирования структур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников и обоснование задачи исследования
  • Выводы
  • РАЗДЕЛ 2. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
    • 2. 1. Общие требования к разрабатываемой математической модели
    • 2. 2. Анализ методов расчета электронной структуры твердых тел
    • 2. 3. Обобщения метода эффективной массы на случай гетероструктур
      • 2. 3. 1. Модифицированный метод эффективной массы Кона-Латтинжера
      • 2. 3. 2. Метод эффективной массы Волкова-Тахтамирова
    • 2. 4. Кваптовомеханические правила отбора
    • 2. 5. Численное решение уравнения Шредингера в методе эффективной массы
      • 2. 5. 1. Особенности решения уравнения Шредингера для ненапряженной структуры
      • 2. 5. 2. Особенности решения уравнения Шредингера для напряженной структуры
    • 2. 6. Расчет диапазона спектральной чувствительности и коэффициента оптического поглощения
    • 2. 7. Фотоэлектрические характеристики структур с множественными квантовыми ямами
  • ВЫВОДЫ
  • РАЗДЕЛ 3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СТРУКТУР С МКЯ ДЛЯ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ И ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА, РЕАЛИЗУЮЩЕГО РАЗРАБОТАННУЮ МЕТОДИКУ
    • 3. 1. Методика проектирования структур с МКЯ для ИК-фотоприемников
      • 3. 1. 1. Определение реальной формы потенциального профиля
      • 3. 1. 2. Определение типа ИК-фотоприемника с квантовыми ямами и начальных геометрических параметров квантовой ямы
      • 3. 1. 3. Определение В АХ структуры с множественными квантовыми ямами и величины шумового тока
      • 3. 1. 4. Определение квантовой эффективности
    • 3. 2. Методика нахождения области технологического допуска
    • 3. 3. Разработка программного комплекса автоматизированного проектирования структур с множественными квантовыми ямами для ИКфотоприемников
  • Выводы
  • РАЗДЕЛ 4. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
    • 4. 1. Расчет энергетического спектра и распределения огибающей волновой функции для структуры с множественными квантовыми ямами
    • 4. 2. Определение квантовомеханических правил отбора
    • 4. 3. Расчет спектральной чувствительности
    • 4. 4. Расчет вольтамперной характеристики структуры и величины шумового тока
    • 4. 5. Расчет области технологического допуска
  • Выводы

Инфракрасная техника в последние годы стала мощным инструментом научных исследований и получила широкое распространение во многих практических приложениях. Важнейшими элементами любой оптико-электронной системы являются фотоприемники и фотоприемные устройства. Одним из наиболее перспективных методов регистрации инфракрасного излучения на сегодняшний день является ИК-детектирование на основе структур с множественными квантовыми ямами (МКЯ). Использование фотоприемников на основе структур с МКЯ позволяет создавать фотоприемные устройства с большим количеством элементов (более 106) и тепловизионпые камеры [1]. Наибольшее распространение получили структуры с МКЯ на основе соединений А3В5 [2−4].

Матрицы на квантовых ямах (QWIP-матрицы) уже сейчас составляют серьезную конкуренцию фотоприемникам, выполненным на основе теллурида кадмия-ртути (КРТ). QWIP-матрицы могут производиться с помощью стандартной технологии интегральных схем с использованием материалов А3В5. Они совместимы с кремниевыми структурами, что позволяет интегрировать детекторные чипы и считывающую электронику.

Решающим преимуществом матриц па квантовых ямах, по сравнению с теллуридом кадмия-ртути, является существенно меньшая стоимость исходного материала и более низкие затраты на их производство [5−7].

Несмотря на все перечисленные достоинства ИК-фотоприемников на основе структур с МКЯ, вопросы моделирования структур с МКЯ разработаны недостаточно полно. В отличие от микроэлектронного производства, в полной мере обеспеченного инструментальной базой проектирования, для структур с МКЯ системы моделирования, направленные на широкомасштабное инженерное использование, остаются редкими. В условиях перехода к промышленному и полупромышленному производству фотоприемников с МКЯ указанные проблемы не позволяют в полной мере использовать описанные достоинства ИК-фотоприемников на основе структур с МКЯ.

Особенно важную роль имеет моделирование структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля, к которым относится подавляющее большинство структур, выращиваемых в настоящее время.

Таким образом, актуальность диссертационной работы заключается в удовлетворении потребности производства в эффективных средствах моделирования структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля для ИК-фотоприемников с заданными свойствами.

Целью работы является разработка программного комплекса моделирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников.

Краткая формулировка общей научной проблемы, решение которой содержится в диссертации: определить геометрические параметры структуры с множественными квантовыми ямами, при которых достигаются заданные фотоэлектрические характеристики ИК-фотоприемника, построенного на этой структуре.

В настоящее время для расчета и аналитического описания структур с множественными квантовыми ямами вне зависимости от технологии их выращивания используется модель ям с прямоугольными симметричными стенками [8−10]. Однако, как показывают экспериментальные данные [11−13], возможно существенное отклонение формы реальных ям от эталонной прямоугольной симметричной формы. Возникновение асимметрии в резкости границ яма-барьер может быть связано с особенностями технологического процесса [14]. Таким образом, структуры с квантовыми ямами в общем случае некорректно считать прямоугольными и симметричными ввиду особенностей технологического процесса. Между тем, геометрическая форма квантовых ям структур с МКЯ оказывает определяющее влияние на их фотоэлектрические свойства [15]. Пренебрежение реальной формой квантовых ям может приводить к существенным неточностям и несоответствиям расчетных параметров [12]. Таким образом, наличествует потребность в доработке и уточнении существующих математических моделей структур с МКЯ.

Изготовление структур с МКЯ в настоящее время ведется методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС ГФЭ) [16, 17]. При этом при переходе к промышленному производству структур с МКЯ особое значение приобретает технология МОСГЭ, не требующая столь сложного и дорогого оборудования, как МЛЭ, обладающая высокими скоростями роста, но при этом имеющая несколько меньшие возможности контроля и управления [18]. Меньшие, по сравнению с МЛЭ, возможности контроля и управления МОСГЭ приводят к необходимости определения области, в которой технологическая ростовая погрешность в несколько атомных слоев или погрешность в процентном соотношении материалов не окажет существенного влияния на фотоэлектрические параметры структуры с МКЯ — области технологического допуска.

Важнейшими параметрами всякого фотоприемника являются его спектральная характеристика (в частности, спектральный диапазон и ширина спектральной характеристики), чувствительность и обнаружительная способность [5]. При этом чувствительность и обнаружительная способность существенно зависят от значения квантовой эффективности, которое можно сравнительно легко регулировать путем изменения коэффициента оптического поглощения, являющегося, в свою очередь, функцией геометрических параметров ямы [19]. Исходя из известных значений чувствительности и обнаружительной способности может быть составлено условие на квантовую эффективность. Таким образом, необходима методика нахождения области геометрических параметров структуры, в которой выполнено условие на квантовую эффективность при определенной спектральной чувствительности.

Таким образом, в связи с поставленной целыо в диссертации решаются следующие частные научные задачи:

— разработка математической модели структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников;

— разработка методики проектирования структур с МКЯ для ИК-фотоприемников с заданными параметрами;

— разработка программного комплекса для моделирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из четырех разделов, введения и заключения, списка используемых источников и приложения.

Во введении раскрывается актуальность работы, формулируются цель и задачи исследования, выделяются новые научные результаты, представлена структура и краткое содержание диссертационной работы.

В первом разделе дан обзор современного состояния проблемы регистрации ИК-излучения, сформулирована общая научная задача исследования, проведен сравнительный анализ регистрации ИК-излучения в объемных полупроводниках и структурах с множественными квантовыми ямами. Проведенное сравнение различных способов регистрации ИК-излучения по параметрам фотоприемников показало, что, несмотря на то, что ИК-фотоприемники на квантовых ямах по некоторым параметрам несколько уступают ИК-фотоприемникам на объемных полупроводниках, для большинства практических применений возможности QWIP достаточны, из чего следует актуальность тематики диссертационного исследования. Проведенный в разделе 1 анализ известных расчетных формул основных параметров ИК-фотоприемников с множественными квантовыми ямами показал, что использование структур с квантовыми ямами дает возможность моделирования таких фундаментальных характеристик полупроводников, как их зонные характеристики и энергетический спектр.

Существующие модели ИК-фотоприемников с МКЯ опираются на предположение о прямоугольности и симметричности квантовых ям. Это теоретическое предположение, однако, плохо согласуется с экспериментальными данными. В частности, при сопоставлении расчетных и экспериментальных данных по ВАХ и зависимости абсолютной чувствительности от напряжения при нормальном падении света ИК-фотоприемников с МКЯ отмечается асимметричный характер экспериментальных кривых, необъяснимый с точки зрения существующих моделей. Кроме того, величина чувствительности при нормальном падении света может достигать долей А/Вт, что в рамках существующих моделей недостижимо ввиду того, что оптические переходы под действием нормально падающего света запрещены квантовомеханическими правилами отбора.

Таким образом, проведенный сравнительный анализ экспериментальных данных и расчетных данных в рамках существующих моделей позволяет сделать вывод о наличии рассогласования теоретических моделей и экспериментальных характеристик.

На основании проведенного анализа сделан вывод о существовании потребности в уточнении существующих математических моделей структур с множественными квантовыми ямами и распространении правил квантовомеханического отбора на случай непрямоугольных асимметричных ям. Предложена гипотеза о том, что указанные особенности характеристик приборов определяются непрямоугольностыо и асимметричностью квантовых ям.

Во втором разделе разрабатывается математическая модель структур с множественными квантовыми ямами. На основании проведенного анализа методов расчета электронной структуры твердых тел сделан вывод о целесообразности использования метода огибающей волновой функции в рамках подхода эффективной массы, поскольку этот метод содержит небольшое число входных параметров и обладает достаточной точностью для практических применений. Формулируется иерархия уравнений приближения эффективной массы. В рамках построенной иерархии приближений эффективной массы предложен композиционный метод расчета параметров структуры с МКЯ.

В третьем разделе разрабатываются методика проектирования структур с МКЯ для ИК-фотоприемников и методика нахождения области технологического допуска для структур с МКЯ, производится выбор среды разработки комплекса программ, предлагается архитектура разрабатываемого комплекса и дается описание его основных расчетных функций.

В четвертом разделе приведены результаты численного моделирования структур с множественными квантовыми ямами на примере структуры GaAs/AlxGai.xAs, позволяющие проверить адекватность предложенной математической модели и совпадение их с результатами натурных экспериментов.

К основным результатам диссертационной работы, выдвигаемым на защиту, относятся:

1. Уточнение математической модели структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников с учетом непрямоугольности и асимметричности потенциального профиля квантовой ямы;

2. Метод расчета правил квантовомеханического отбора, основанный на иерархии методов эффективной массы;

3. Методика проектирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников с МКЯ с заданными параметрами, учитывающая требования к характеристике спектральной чувствительности и обнаружительной способности ИК-фотоприемника и определяющая технологические параметры структуры;

4. Программный комплекс моделирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников, обеспечивающий более высокое совпадение результатов моделирования структур с МКЯ для ИК-фотоприемников с результатами экспериментальных исследований.

Результаты диссертационного исследования опубликованы в 14 печатных работах (в том числе в 2 статьях в международных журналах, 6 статьях в сборниках трудов международных конференций, 1 статьи в материалах Всероссийской конференции), используются в производственном процессе ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха и учебном процессе Ставропольского государственного университета, что подтверждается актами внедрения. Результаты диссертационной работы использованы, в том числе, в электронном учебном пособии [149].

Основные результаты работы опубликованы в [122, 135, 136, 139−149].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе разработан программный комплекс для автоматизированного проектирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников. Разработанный комплекс основывается на уточненной математической модели структур с квантовыми ямами и использует оригинальные методики, предложенные в настоящей работе. Математическая модель структур с множественными квантовыми ямами основана на иерархии подходов приближения эффективной массы и основана на предположении о непрямоугольности и асимметричности потенциального профиля. Эти особенности модели позволяют добиться более точного совпадения с экспериментальными данными. Уточненная математическая модель позволяет провести расчет энергетического спектрараспределения волновой функции по толщине структурымежуровневого матричного элемента импульса (квантовомеханических правил отбора) — относительной интенсивности межуровневых переходовкоэффициентов квантовомеханического отражения и прохождения, а также технических характеристик ИК-фотоприемников, построенных на данной структуре. Оценка достоверности модели проводилась путем сравнения расчетных данных с результатами эксперимента для двух структур GaAs/AlxGai.xAs и InyGai. yAs/AlxGai.xAs. Дальнейшее развитие модели состоит, в основном, в учете транспортных и экситонных эффектов. Развитие программного комплекса может происходить, в основном, за счет расширения перечня поддерживаемых соединений и оптимизации расчетных методов. Разработанный программный комплекс может быть использован не только для проектирования структур для ИК-фотоприемников, но и, после небольших доработок, для проектирования структур для инфракрасных квантовых каскадных лазеров.

Наиболее существенные научные результаты, полученные лично соискателем:

1) уточнение математической модели структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников с учетом непрямоугольности и асимметричности потенциального профиля квантовой ямы;

2) метод расчета правил квантовомеханического отбора, основанный на иерархии методов эффективной массы;

3) методика проектирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников с МКЯ с заданными параметрами, учитывающая требования к характеристике спектральной чувствительности и обнаружительной способности ИК-фотоприемника и определяющая технологические параметры структуры;

4) программный комплекс моделирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников, обеспечивающий более высокое совпадение результатов моделирования структур с МКЯ для ИК-фотоприемников с результатами экспериментальных исследований.

Практическая ценность работы определяется возможностью использования результатов работы при проектировании структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников, а также возможностью использования отдельных разработанных моделей и методик при разработке и исследовании широкого круга задач по проектированию и расчету структур с множественными квантовыми ямами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. П., Филачев А. М. Фотоприемники и фотоприемные модули нового поколения // Прикладная физика. — 2001. -№ 6.-С. 20−38.
  2. Shakuda Y. et al.// Ibid. 1990. — Vol. 29, No. 4. C. 552—555.
  3. TidrowM. Z. et al.//SPIE. 1997. -Vol. 3061.- C. 772—780.-
  4. Bois Ph. et al.// Ibid. 1999. — C. 765—771.
  5. Э., Винтер Б. Оптоэлектроника. М.: Техносфера, 2004. -С. 113
  6. О.Н. Прикладная электроника. Руководство. М.: Техносфера, 2004. С. 256.
  7. А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии. // Нано- и микросистемная техника. 2005. — № 3. — С. 13−18.
  8. Davies, J.H., The Physics of Low-Dimensional Semiconductors: An Introduction. 1998. Cambridge: Cambridge University Press. -C. 438
  9. Manasreh, M.O., Semiconductor Quantum Wells and Supperlattices for Long-Wavelength Infrared Detectors. Boston: Artech House. 1993. -P. 263.
  10. Физика низкоразмерных систем. / Под ред. А. Я. Шика. СПб.: Наука, 2001.-С. 85.
  11. A., Fraenkel A., Finkman Е., Bahir G., Livescu G., Asom M. Т. // Semicond. Sci. Technol., 1993. № 8. — С. 412.
  12. В. Б., Аветисян Г. X., Василевская Л. М. Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения. // Прикладная физика. 2003. — № 4. — С. 65−68.
  13. Levine В. F.// J. Appl. Phys. 1993 Vol. 74, No 8. — С. 1−76.
  14. D. G., Holonyak N. // Ibid. 1988. — Vol. 64, No. 12. — C. 93 113.
  15. Hagston W. E., Stirner Т., Rasul F.// J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89,1. No. 2.-С. 1087−1100
  16. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. — 574 с.
  17. И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. М.: МИФИ, 2002. — 376 с.
  18. И. Д. и др. // Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. 1999.-№ 3.- С. 8−11.
  19. Gunapala S. D., S. V. Bandara Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Focal Plane Arrays // Semiconductorsand Semimetals series, Vol. 62.1999.
  20. Streetman, B.G., Solid State Electronics Devices. 4th ed. Prentice Hall Series in Solid State Physical Electronics, ed. J.N. Holonyak. 1995, Englewood Cliffs: Prentice Hall. — P. 462.
  21. W.D.Lawson, S. Nielson, E.H.Patley, A.S.Joung, J. Phys. Chem. Solids. 1959. — Vol. 9, No. 3. — C. 325.
  22. А.Д., Гаврищак И. В. // ФТТ. 1960 — № 2, С. 1134
  23. JT.A., Стафеев В. И. Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te // в сб. Физика соединений AHB1V, М.: Наука, 1986. С. 56.
  24. Tribolet, P., et al., Progress in HgCdTe homojunction infrared detectors. Journal ofCrystal Growth, 1998. Vol. 184−185. — C. 1262−1271.
  25. В.Г. Инфракрасные матрицы на основе фотодиодов Hg|.xCdTe и фотоприемников с квантовыми ямами // Оптический журнал.2000. том 67. — № 1. — С. 5−18.
  26. Esaki, L., and Sakaki, Н. IBM Tech. Disc. Bull, 1977. Vol.20. — C.2456.
  27. Coon, D. D., and Karunasiri, R. P. G. // Appl. Phys. Lett. 1999. -Vol.45.-C. 649.
  28. Levine, B. F., Cho, A. Y., Walker, J., Malik, R. J., Kleinman, D. A., and Sivco, D. L. // Appl. Phys. Lett. Vol. 52 -C. 1481 — 1988.
  29. Hasnain, G., Levine, B. F., Sivco, D. L., and Cho, A. Y. // Appl. Phys.1.tt. 1990. — Vol. 56. — P. 770.
  30. Jelen, C., Slivken, S., David, Т., Razeghi, M., and Brown, G. // IEEE J. Quantum Elec. 1998. — No. 34. — С. 1124.
  31. Jelen, C., Slivken, S., David, Т., Brown, G., and Razeghi, M. // SPIE. 1998.-No. 3287, P. 96.
  32. Hoff, J., Kim, S., Erdtmann, M., Williams, R., Piotrowski, J., Bigan, E., and Razeghi, M. // Appl. Phys. Lett. 1995. — No. 67. — C. 22.
  33. Hoff, J., Jelen, C., Slivken, S., Bigan, E., Brown, G., and Razeghi, M. // SPIE. 1995. — No. 2397. — C. 445.
  34. Levine, B. F. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Intersubband Transitions in Quantum Wells / edited by E. Rosencher, B. Vinter, and B. F. Levine. Cargese, France, 1991
  35. Shepherd, F. D. In Infrared Detector and Arrays. // SPIE. -1988. -Vol. 930 (SPIE Orlando, FL). C.2.
  36. Sarusi, G., Gunapala, S. D., Park, J. S., and Levine, B. F. // J. Appl. Phys. 1994. — No. 76. — C. 6001.
  37. Gunapala, S. D., Park, J. S., Sarusi, G., Lin, T. L., Liu, J. K., Maker, P. D., Muller, R. E., Shott, C. A., Hoelter, Т., and Levine B. F. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44, C. 45.
  38. Levine, B. F., Bethea, C. G., Hasnain, G., Shen, V. O., Pelve, E., Abbott, R. R., and Hsieh, S. Hi. Appl. Phys. Lett. 1990. — No. 56. -C. 851.
  39. Hasnain, G., Levine, B. F., Gunapala, S., and Chand, N. // Appl. Phys. Lett. 1990. -Vol. 57. — C. 608.
  40. , W. A. // Appl. Phys. Lett. 1993. — No. 63. — C. 3589.
  41. Levine, B. F., Zussman, A., Gunapala, S. D., Asom, M. Т., Kuo, J. M., and Hobson, W.S. // J. Appl. Phys. 1992.- No. 72. — C. 4429.
  42. , К. K. // J. Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 80. — C. 1257.
  43. Zussman, A., Levine, B. F., Kuo, J. M., and de Jong, J. // J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 70. — C. 5101.
  44. Realmuto, V. J., Sutton, A. J., and Elias, T. J. Geo. // Phys. Rev.1997.-No. 102.-С. 150−157.
  45. Gunapala, S. D., Bandara, S. V., Liu, J. K., Hong, W., Sundaram, M., Maker, P. D. Muller, R. E., Shott, C. A., and Carralejo R. // IEEE Trans. Electron Devices. -1998.- Vol. 45. -C. 1890.
  46. Bandara S.V., Gunapala S.D., Lie J.K., Hong W., Park J.S. Two dimensional periodic grating light coupling in quantum well infrared photodetectors // Proc. SPIE. 1997. — Vol. 3061. — P.758−763.
  47. B.F. Levine, S.D. Gunapala, J.M. Kuo, S.S. Pei, S. Hui. // Appl. Phys. Lett. 1991. — No. 59. — С. 1864.
  48. S.D. Gunapala, B.F. Levin, D. Ritter, R. Hamm, M.B. Panish. // J. Appl. Phys. -1992. Vol. 71. — C. 2458.
  49. H. Xie, J. Katz, W.I. Wang. // Appl. Phys. Lett. 1991. — No. 59. — C.3601.
  50. H. Xie, J. Katz, W.I. Wang, Y.C. Chang. // J. Appl. Phys. 1992. -Vol. 71.-C. 2844.
  51. J. Katz, Y. Zhang. W.L. Wang. // Electron. Lett. 1992. — 28, 932 (1992).
  52. Y.H. Wang, Sheng S. Li., J. Chu, Pin Ho. // Appl. Phys. Lett. 1994/ -No. 64.-C. 727.
  53. Choi, К. K., Levine, B. F., Jarosik, N., Walker, J., and Malik, R. // J. Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 50. — C. 1814.
  54. Gunapala S. D., Jin S. Park, Gabby Sarusi, and John K. Liu. Bound-to-Quasi-Bound Quantum-Well Infrared Photodetectors. / NASA’s Jet Propulsion Laboratory, Pasadena, California, 1998
  55. Бонч-Бруевич B.JI. Калашников С. Г. Физика полупроводников. M.: Наука, 1990.-685 с.
  56. Frensley W. R., Einspruch N. G. Heterostructures and Quantum Devices. A volume of VLSI Electronics: Microstructure Science. Academic Press, 1994.-C. 385−418.
  57. Физика квантовых низкоразмерных структур. / Демиховский В .Я., Вугальтер Г. А. М.: Логос, 2000. — 248 с.
  58. Л.В. // ФТТ. 1962. — т. 4. — С. 2265.
  59. Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. and Develop. 1970. — Vol. 14. — C.61.
  60. Esaki L. In Proc. of Intern. Conference on Physics of heterojunctions. -Budapest, 1971.-Vol. l.-C. 383
  61. .И., Жиляев Ю. В., Шмарцев Ю. В. // ФТП. 1971. — т. 5.-С. 196.
  62. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. 1998. — т. 32. — № 1. — с. 3−18.
  63. В.Н.Леденцов В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Коньев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг. // ФТП. 1998. — Vol. 32. — С. 385.
  64. С. Weisbuch, B.Vinter. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and applications. Academic Press, 1991. 252 c.
  65. E.B. Микроструктуры интегральной электроники. M.: Радио и связь, 1990 — 304 с.
  66. М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1 989 240 с.
  67. В.П. И.Г. Неизвестный, В. А. Гридчин Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. Новосибирск: Издательство НГТУ, 2000 -С. 51
  68. Dohler G.H. Optical gain in GaAs doping super-lattices // Adv. Phys. 1983.-Vol. 32.-C. 258.
  69. K. // Springer Ser. Sol. State Sci. 1984. — Vol.53. — C. 220
  70. G.H. // Phus. Scripta. 1981. — Vol. 24. — C. 230
  71. R. // Springer Ser. Sol. State Sci. 1984. — Vol. 53. — C. 192.
  72. M.D., Brown J.M., Holonyak N. Jr., Nixon M.A., Kalinsky R.W., Ludowise M.J., Dietze W. Т., Lewis C.R. // J. Appl. Phys. 1983. — Vol.54. -C. 6183
  73. K., Dohler G.H. // Adv. Phys. 1983. — Vol. 32. — C. 285
  74. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989 — 584 с.
  75. W. Е., Stirner Т., Rasul F. // J. Appl. Phys. 2001. — Vol. 89. -No. 2.-C. 1087—1100,
  76. Шик А. Я. IIФТП. 1986. — T. 20. — № 9. — С. 1598−1603
  77. Haal G.G.//Phil. Mag. 1952.-No. 43.-C.338.
  78. W.A. // Phys. Rev. 1973. — Vol. B8. — C. 4487
  79. W.A., Ciraci S. // Phys. Rev. 1974. — Vol. В10. — P. 1516
  80. Mott N.F., Jones H., Theory of the Properties of Metals and Alloys. Clarendon Press, Oxford, 1936
  81. Phillips J.S. Bonds and bands in Semiconductors. Academic Press, New York, 1973.
  82. W.A. // Phys. Rev. 1976. — Vol. В14. — С. 702
  83. С. // Phys. Rev. 1940. — Vol. 57. — С. 1169
  84. F. // Phys. Rev. 1954. — Vol.93. -P. 1214)
  85. J.R., Cohen M.L. // Phys. Rev. 1976. — Vol. В14. -С.556.с.
  86. Ч. Квантовая теория твердого тела. М.: Мир, 1972. — 491
  87. У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. — 616 с.
  88. M.J. // Phys. Chem. Solids. 1963. — Vol. 24. — C. 1543.
  89. P. // Phys. Rev. 1971. — Vol. B4. — C. 3460
  90. У. Электронная структура и свойства твердых тел. — т. 1.-М.: Мир, 1982.-381 с.
  91. Luttinger J М, Kohn W. // Phys. Rev. 1955. — No. 97. — C. 869
  92. E. E., Volkov V. A. // Semicond. Sci. Technol. 1997.1. Vol. 12.-С. 77.
  93. L. // Phys. Rev. 1975. — Vol. В12. — С. 4443
  94. G. Bastard, J.A. Brum, R. Ferreira Electronic states in semiconductor i heterostructures. // Solid State Physics. 1991. — Vol. 44. — C. 279.
  95. В. A., Э. E. Тахтамиров. // УФН. 1997. — № 167. — С. ф 1123.
  96. Э. Е., Волков В. А. // ЖЭТФ. 1999. — т. 116. — № 5. -С. 1843.
  97. Э. Е., Волков В. А. // ЖЭТФ. 2000. — т. 117. -№ 3. -f С. 1221
  98. Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields // Phys. Rev. 1955. — Vol. 97. — No. 4. -C. 869−883.
  99. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в Щ полупроводниках. М.: Мир, 1972. 584 с.
  100. Gomez-Alcala R., Fraile-Pelaez F. J., Espineira A., Pineiro X. ^ Effective-mass approaches for one-dimensional quantum well structures.
  101. Comparison with exact results. Superlattices and Microstructures. 1996. — Vol. 20.-No. l.-C. 35−44
  102. А. Ф. Овсюк B.H. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Новосибирск: Издательство Новосибирского университета, 2000. 448 с. ф 103. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики: Учебное пособие.
  103. Спб.: Издательство «Лань», 2004. С. 162
  104. Li Herbert Е. Material parameters of InGaAsP and InAlGaAs systems for use in quantum well structures at low and room temperatures // Physica E. -2000.-No. 5.-C.215−273
  105. Varshni Y.P.// Physica. 1967. -No. 34.-C. 149.
  106. H.Y. Fan. // Phys. Rev. 1951. — Vol. 82. — No. 6. -C. 900.
  107. A. Radkowsky. // Phys. Rev. 1948. — No. 73. — C. 749. ф 108. Вайпштейн И. А., Зацепин А. Ф. Кортов B.C. О применимостиэмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны // ФТТ. 1999. — т. 41. — вып. 6. — с. 994−998
  108. F.S. Turco, М.С. Tamargo, D.M. Hwang, R.E. Nahory, J. Werner, К. Kash // Appl. Phys. Lett. 1990. — No. 56. — C. 72.
  109. R.G. Waters, R.J. Dalby, J.A. Baumann, J.L. De Sanctis, A.H. Ф Shepard//IEEE Photon. Technol. Lett. 1991.-No. 3.-C. 409.
  110. D. Ahn, S.C. Choi // J. Appl. Phys. 1994. — No. 75. -C. 7648.
  111. M.H. Moloney, J. Hegarty // Appl. Phys. Lett. 1994. — No. 64. -C.997.f 113. M.H. Moloney, J. Hegarty // Appl. Phys. Lett. 1993. — No. 62. -C.3327.
  112. K. Fujiwara, K. Kawashima, K. Kobayashi // Appl. Phys.Lett. -1990. -No.57.-C. 2234.
  113. Ш 115. L. Buydens, P. Demeester, Z. Yu, P.V. Daele // J. Appl. Phys. 1992.1. No.71.-C.3249.
  114. M. Kunzer, G. Hendofer, U. Kaufmann, K. Kohler // Phys.Rev.1992. Vol. B45. — No. 11.-C. 151.
  115. Levine B.F. et al. Bound-to-extended state absorption GaAs-superlattice transport infrared photodetectors // J. Appl. Phys. 1988. — Vol.64, No. 5.-C. 1591−1597.
  116. Levine B.F. et al. GaAs/AlGaAs quantum well long wavelength ф infrared detector with detectibility comparable to CdHgTe // Electron. Lett. 1988.-Vol.24, No. 4.-C. 747−750
  117. Levine B.F. et al. Quantum Well avalanche multiplication initiated by 10 mkm intersubband absorption and photoexcited tunneling // Appl. Phys. Lett. -1987. Vol. 51, No.2. — C. 934−936.
  118. В.И., Мусихин С. Ф. Варизонные полупроводники и ф- гетероструктуры. СПб.: Наука, 2000 100 с.
  119. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the ф model-solid theory. // Phys. Rev. B. 1989. — Vol. 39, No. 3. -C. 1871−1881.
  120. Г. В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных InGaAs/(Al)GaAs квантовых ямах. // Науч. труд, междунар. конф. «Актуальные проблемы современной науки». Самара: Изд-во СамГТУ, 2004 С. 5−9
  121. М.В., Крестников И. Л., Иванов С. В., Леденцов Н. Н. Сорокин С.В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах. // ФТП. 1997. — т. 31. — № 8. — С. 939−943.
  122. Krijn М.Р.С.М. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys. // Semicond. Sci. Technol. 1991. — No. 6. -C. 27−31.
  123. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989 — 768 с.
  124. О.Л., Пихтин А. Н. Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле // ФТП. 1998. — т.32. — № 9.-С. 1108−1113.
  125. В. Б. Будкин И.В. Фотоэлектрические характеристики структур с непрямоугольными квантовыми ямами // Прикладная физика. -2003.-№ 5.-С. 79−83
  126. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 4.1. — М.: Мир, 1984.-С. 270.
  127. Е., Beltram F., Bethea С. G., Levine В. F., Shen V. О., Hsieh S. J., Abbot R. R.// J. Appl. Phys. 1989. — No. 66. — C. 5656.
  128. Chui H.C., et al. Intersubband transitions in high indium content InGaAs/AlGaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett. 1993. — No. 63(3) — C. 364 366.
  129. Chui H.C., et al. Short wavelength intersubband transitions in InGaAs/AlGaAs quantum wells grown on GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1994. — No. 64(6)-C. 736−738.
  130. Liu H. C.//Appl. Phys. Lett. 1992. -Vol. 60.- C. 1507.
  131. Levine B.F., Zussman A., Kuo J.M., Jong J. // J. Appl. Phys. 1992-Vol. 71.-C. 5130.
  132. Liu H. С. // Appl. Phys. Lett. 1992. — No. 61. — C. 2703.
  133. С.В. Компьютерное моделирование физических процессов с использованием пакета Mathcad. М.: Горячая линия Телеком, 2002.-252 с.
  134. В.П. Энциклопедия Mathcad 2001 i и Mathcad И. М.: Солоее, 2004
  135. АкиЕЕШина Г. В. Об использовании пакета MathCAD для построения модуля автоматизации проектироваЕшя структур с МКЯ -«ЕстествеЕЕЕЕые и тех1Еические науки». № 5 (19).- 2005. — С. 133−134
  136. Г. В. Разработка методики проектирования структур с множественными квантовыми ямами для ИК-фотоприемников // Вестник
  137. СГУ. Вып. 43. Ставрополь: изд-во СГУ, 2005. — С. 105−113.
  138. В.А., Акиншина Г. В., Сластенова И. В., Авдеева К. О. Свидетельство об отраслевой регистрации разработки № 5711. Зарегистрировано в отраслевом фонде алгоритмов и программ 15 февраля 2006 г.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!