Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
Диссертация
Эффективные кр-гамильтонианы гетероструктур на основе полупроводников А3В5 не могут быть описаны с помощью зонных параметров объемного материала. В частности гамильтониан зоны проводимости Г6 содержит дополнительный квадратичный по к член, характеризуемый параметром а2, имеющий релятивистскую малость. Аналогично, гамильтониан валентной зоны Г8 наряду с обычными 7 параметрами Латтинджера уь у2… Читать ещё >
Список литературы
- Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor
- Heterostructures. New York: Halstead, 1988, 250c.
- Altarelli M. Electronic structure and semiconductor-semimetaltransition in InAs-GaSb superlattices. Phys. Rev., 1983, В 28, p.842.848
- Altarelli M. Heterojunctions and Semiconductor Superlattices. -Berlin: Springer, 1986, 300 c.
- Potz W., Ferry D.K. On boundary conditions for envelope-function approaches for heterostructures. Superlatt. Microstructures, 1987, 3, p. 57−67
- Cavalcante F.S.A., Costa Filho R.N., Ribeiro Filho J., de Almeida C.A.S., Freire V.N. Form of the quantum kinetic-energy operator with spatially varying effective mass. Phys. Rev., 1997, В 55, p. 13 261 331
- Foreman B.A., Effective-mass Hamiltonian and boundary conditions for the valence bands of semiconductor microstructures. Phys. Rev., 1993, B 48, p. 4964−4952
- Hadson W.E., Harrison P., Piorek T., Stirner S. Boundary conditions on current carrying states and the implications for observation of bloch oscillations. Superlatt. Microstructures, 1994, 15, 2, p. 199 205
- Galbraith I., Duggan G. Envelop-function matching conditions for GaAs/(Al, Ga) As heterojunctions. Phys. Rev, 1988, B38, 14, p. 10 057−10 061
- Gora T., Williams F. Theory of Electronic States and Transport in
- Graded mixed Semiconductors. Phys. Rev., 1969, 177, p. 1179−1187
- Von Roos O., Mavromatis H. Position-dependent effective masses insemiconductor theory. II. Phys. Rev., 1985, B 31, 4, p. 2294−2301.
- Ben-Daniel D.J., Duke C.B. Space-charge effects on electrontunneling. Phys. Rev., 1966, B 152, p. 683−692.
- Zhu Q.-G., Kroemer H. Interface connection rules for effective-masswave functions at an abrupt heteroj unction between two differentsemiconductors. Phys. Rev., 1983, B 27, p. 3519−3527.
- T., Kuhn K.J. Band-offset ratio dependence on the effective-mass
- Hamiltonian based on modified profile of the GaAs-AlxGa.xAsquantum well. Phys. Rev., 1993, B 47,19, p. 12 760−12 802
- Von Ross O. Position-dependent effective masses in semiconductor
- Theory. Phys Rev., 1983, B 27,12, p. 7547−7551
- Morrow R.A., Browstein K.R. Model effective-mass Hamiltonians forabrupt heteroj unctions and the associated wave-function matchingconditions. Phys. Rev, 1984, B 30, p. 678−689
- Geller M.R., Kohn W. Quantum Mechanics of Electrons in Crystalswith Graded Composition. Phys. Rev. Lett., 1993, 70, p. 3103−3112.
- Караваев Г. Ф., Тиходеев Ю. С. Уравнения для огибающих в варизонной структуре. ФТП, 1991, т. 25, в. 7, с. 1237−1242
- Schulman J.N., Chang Y.C. Band mixing in semiconductors superlattices. Phys. Rev., 1985, В 31, p. 2056−2062
- Smith D.L., Mailhiot C. kp-theory of semiconductor superlattice electronic structure. I. Formal results. Phys. Rev., 1986, В 33, p. 8345−8358
- Sooryakumar R., Chemla D.S., Pinczuk A., Gossard A., Wiegmann W, Sham L.J. Valence band mixing in GaAs-(AlGa)As Herestructures. Solid State Commun., 1985, 54, p. 859−868
- Norris T.B., Vodjdani N., Vinter В., Costard E., Bockenhoff E. Resonant tunneling between heavy-hole and light-hole states in coupled quantum wells. Phys.Rev., 1991, В 43, p. 1867−1878
- Eppenga R., Schuurmans M.F.H., Colak S. New kp-theory for GaAs/Gaj.xAlxAs-type quantum wells. Phys. Rev., 1987, В 36, p. 1554−1562
- Burt M.G. The justification for applying the effective-mass approximation to microstructures. J. Phys. Condens. Matter, 1992, 4, p. 6651−6663
- Burt M.G. Direct deriviation of effective-mass equation for microstructures with atomically abrupt boundaries. Phys. Rev., 1994, В 50, 11, p. 7518−7529
- Foreman B.A. Envelope-function formalism for electrons in abrupt heterostructures with material-dependent basis functions. Phys. Rev, 1996, В 54, p. 1909−1922.
- Leibler L. Effective-mass theory for carriers in graded mixed semiconductors. Phys. Rev, 1975, В 12, 10, p. 4443−4451
- Young K. Position-Dependent effective mass for inhomogeneous semiconductors. Phys. Rev, 1989, В 39, 18, p. 13 434−13 439
- Foreman В.A. Exact effective-mass theory for heterostructures. -Phys. Rev., 1995, В 52, 16, p. 12 241−12 249
- Takhtamirov E.E., Volkov V.A. Modification of the Effective-Mass Approach for Heterostructures. Phys. Low-Dim. Struct., 1995, 10/11, p. 407−412.
- Волков В. А., Тахтамиров Э. Е. Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур. Конференции и симпозиумы, 1997.
- Takhtamirov Е.Е., Volkov V.A. Envelope-Function method for the conduction band in graded heterostructures. Semicond. Sci. Technol., 1975,12, 77, p. 75−83
- Алейнер И.Л., Ивченко E.JI. Природа анизотропного обменного расщепления в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II. Письма ЖЭТФ, 1992, том 55, вып. 11, с. 662−664
- Wannier G.H. The structure of the electronic excitation levels in insulating crystals. Phys. Rev., 1937, Vol 52, 3, p.191−197 Mott N.F. On absorption of light by crystals. — Proc. Royal Soc., 1938, Vol 167, 930, p.384−391.
- Агранович B.M., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1979, 432 с.
- Агранович В.М. Теория экситонов. М.:Наука, 1968, 213с.
- Hanamura E. J. Theory of many Wannier excitons. I. Phys.Soc.Jap., 1974, 37, p. 1545−1551
- Steyn-Ross M.L. Quantum theory of excitonic optical bistability. -Phys.Rev., 1983, A 27, p. 310−319
- Hopfield J.J. Theory of contribution of excitons to the complex dielectric constatn of crystals. Phys.Rev., 1958, 112, p. 1555−1567 Агранович B.M. Дисперсия электромагнитных волн в кристаллах. — ЖЭТФ., 1959, 37, с. 430−441
- Fishman G. Polariton effects in degenerate valence band semiconductors. Solid State Communications, 1978, vol. 27, p. 1097−1100.
- Ивченко E.A. Эффекты пространственной дисперсии в области экситонного резонанса. В кн.: Экситоны. Под ред. Э. И. Рашба, М. Д. Стерджа. М.: Наука, 1985
- Киселев В.А., Новиков Б. В., Чередниченко А. Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. -Л.: Изд. Л-го. Университета, 1987, 160 с.
- Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and experimental effects of spatial dispersion on the optical properties of crystals. Phys. Rev., 1963, 132, p. 563−571
- Evangelisti F., Fischbach J.U., Frova A. Dependence of exciton reflectance on field and other surface characteristics: the case of InP. -Phys. Rev., 1974, В 9, 4, p. 1516−1524.
- Evangelisti F., Frova A., Fischbach J.U. Electric-field induced interference effects at the ground exciton level in GaAs. Phys. Rev. Lett., 1972, 29, 15, p. 1001−1004.
- Balslev I. The excitonic surface potential in semiconductors. Phys. Stat. Sol, 1978, (b) 88, 1, p. 155−161
- Непомнящий И.М., Нишанов В.H. Энергия локализации экситонов Ваннье-Мотта на границе двух сред. ФТТ, 1984, т. 26, вып. 10, с. 3184−3187
- Глинский Г. Ф., Кравченко К. О. Оптика экситонов с резкими гетерограницами. Приближение сильно локализованной волновой функции экситона. ФТТ, 1998, Том. 40, вып. 5, стр. 872−874.
- Glinskii G.F., Kravchenko К.О. Optics of excitons in systems with abrupt heterointerface. Approximation of strongly localized exciton wave function. Abstracts of Int. Conf. «Optics of Excitons in Condensed Matter», St. Petersburg, 1997, стр. 36.
- Глинский Г. Ф. Экситоны и поляритоны в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, С.-Петербург, 1995.
- Glinskii G.F., Koinov Z.G. Polariton theory of light propagation in crystals I. Connection between the microscopic theory of exciton-phonon polaritons and Maxwell equations. Phys. Stat. Sol., 1989, (b) 155, p. 501−512,
- Koinov Z.G., Glinskii G.F. Polariton theory of light propagation in crystals II. Crystal optics approximation. Phys. Stat. Sol., 1989, (b) 155, p. 513−525
- Glinskii G.F., Kravchenko К.О. A new approach to the polariton problem in heterostructures. The correct boundary conditions and optical reflection at AlGaAs/GaAs-heterojunctions. Proceedings of