Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
Диссертация
В настоящее время такие слои выращиваются (см. например) при помощи установок молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и металл — органической газотранспортной эпитаксии (MOVPE). В этих установках происходит рост отдельных монокристаллических слоев, и с ангстремной точностью слой за слоем создается приборная структура. В зависимости от реальных условий в наращиваемых слоях возникают различные… Читать ещё >
Список литературы
- Нобелевская премия творцам современной электроники // Наука и жизнь. 2000. № 12.- Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 3−18.
- Леденцов Н.Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 4. С. Р. 385−410.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1972.
- Singh I., Hong S., Bhattacharya P. К. Quantum confined Stark effect of exitonic transitions in GaAs/ AlGaAs MQW structures for implementation of neutral networks: Basic device requirements//Appl. Opt. 1988. V.27. P.4554−4560.
- Chang L.L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers// Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. P.593−595.
- Bate R.T. Nanoelectronics // Nanotechnology. 1989. V. 1. P. 1−7.
- Solner T.C. L.G., Goodhue W.D., Tannenwald P.E. et al. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. P. 588−590.
- Brown E.R., Solner T.C. L.G., Parcer C.D. Oscillations up to 420 Ghz in GaAs/AlAs resonant tunneling diodes // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. P. 17 771 779.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия / Под ред. Ченга Л., Плюга Л. — Пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева. М.: Мир. 1989. 582 с.
- Noyan I.C., Cohen J.B., Residual Stress: Measurement by Diffraction and Interpretation, Springer, New York. 1987.
- Krastanov L., Stranski I.N.//Zeits. f. Krist. 1938. V.99. P. 444−450. MRS Bulletin. 1998. V. 23 (2).
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrocamical and chemical dissolution of wafers. //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1046−1048.
- Joannopoulos J.D., Mead R.D., Winn J.D. Photonic crystals. Molding of Flow of Light. Princeton Univ. Press, 1995.
- Confined Electrons and Photons. New Physics and Applications. E. Burstein, C. Weisbuch, Eds. Plenum Press, N.Y., 1995.
- Thomas F. Krauss, Richard M. De La Rue. Photonic crystals in the optical regime-past, present and future//Progress in Quantum Electronics. 1999. V.23. P. 51−96.
- Nakayama M., Kubota K., Kanata Т., Kato H., Chika S., Sano N. Different types of mesaporous structure in porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. V.24. P. 13 311 339.
- Mori N., Ando T. Electron-optical-phonon interaction in single and double het-erostructures // Phys. Rev. B. 1989. V. 40. N 9. P. 6175 -6188.
- Petroff M., Gossard A.C., Weigmann W., Savage A. Application of Ion Backscat-tering to the Analysis of Heterostructures and Interfaces // J. Cryst. Growth. 1978. V.44.P. 5−11.
- Overney G., Tomanek D., Zhong W., Sun Z., Miyazaki H., Mahantiafand S.D., Guntherodt H-J. Theory for the atomic force microscopy of layered elastic surfaces // J/Phys.: Condens. Matter. 1992. V. 4. P.4221−4232.
- Афанасьев A.M., Кон В.Г. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем // ЖЭТФ. 1978. Т. 74.С. 300−313.
- Желудева С.И., Ковальчук М. В., Новикова Н. Н., Сосфенов А. Н., Малышева Н. Е., Салащенко Н. Н., Платонов Ю. Я., Аксакхалян А. Д. Рентгеновские вол-новодные моды в слоистых структурах // Кристаллография. 1995. Т.40. № 1. С.145−158.
- Schwenke Н., Beaven Р.А., Knoth J. Application of total reflection X-ray fluorescence spectrometry in trace element and surface analysis //Fresenius J.Anal. Chem. 1999. V. 365. P. 19−27.
- Compton A.H., Allison S.K. X-ray in theory and experiment. New York: D. Van Nostrand. 1935. 740 P.
- Джеймс P. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М.: ИЛ, 1950. 572 с.
- Иверонова В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд-во Моск. ун-та, 1978. 278 с.
- Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М: Наука, 1992. 391 с.
- Laue v.M. Fridrih W., Knipping P. Interferenzerscheinungen bei Rontgenstrahlen.// Ann.Physik. 1913. V.41. P.971−988.
- Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография. Т. 1., Т. 2, М.: Наука, 1979. 384 с.
- Laue v.M. Eine quantitative Prufung der Theorie fur die Interferenzercheinungen bei Rontgenstrahlen.//Ann.Physik. 1913. У.41. P.989−999
- Bragg W.L. The diffraction of short electromagnetic waves by a crystal.// Proc. Cambridge Phil.Soc. 1913. V.17. part 1. P.43−49.
- Darwin C.G. The theoiy of X-ray reflection. Part 2.//Phil.Mag. V.1914. P.675−690.
- Ewald P.P. Zur Begrundung der Kristalloptik.I. //Ann. Physik. 1916. B.49. S. I-38.: II.// Ann.Physik.1916. B.49. S. 117−143.- 111. // Ann.Physik. 1917. B.54. S.519−597.
- Кривоглаз M.A. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1983.408 с.
- Даценко Л.И., Молодкин В. Б., Осиновский М. Е. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами, Киев.: Наук.думка. 1988. 198 с.
- Афанасьев A.M., Александров А. П., Имамов P.M. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.:Наука. 1989. 152 с.
- Pietsch U., Holy V., Baumbach Т. High- Resolution X-ray Scattering from Thin Films and Lateral Nanostructures, Springer- Verlag. 2004.
- Borrman G. Uber Extinktion der Rontgenstrahlen von Quarz // Physik. Z. 1941. V. 42. P. 157−162.
- Kato N., Lang A.R. A study of Pendellbsung fringes in X-ray diffraction // Acta Cryst. (1959), V.12. N 10. P. 787−794.
- Batterman B.W., Hildenbrandt G.//X-ray Pendellosung Fringes in Darwin Reflection//Acta Cryst.(1968), V. A24.N l.P. 150−157.
- Renninger M. Messungen zur Rontgenstrahl. Optik des Ideal-Kristells // Acta Crystall., 1955, v. 8, p. 597−606.
- Patel J.R., Wagner R.S., Mooss S. X-ray investigation of imperfection of silicon //Acta Metallurgika. 1962. V. 10. N. 9. P. 759−764.
- Bubakova R., Drahokoupil J., Fingerland A. Single Crystal Diffraction Patterns of Germanium. A contribution to the theory of the triple crystal diffractometers// Czech. J. Phys. 1961. B1 l.P. 199−222.
- Bubakova R., Drahokoupil J., Fingerland A. The Single Crystal Diffraction patterns of Silikon //Czech. J. Phys. 1962. B12. P. 764−775.
- Baldvin Т.О., Sherrill P.A., Young F.W. Investigation of Past Neutron Radiation Damage in Nearly Perfect Copper Crystals by X-ray Diffraction Techniques. J. Appl. Phys. 1968. V. 39. P. 1541−1550.
- Afanasev A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., Kohn V.G. X-ray Diffraction in a Perfect Crystal with Disturbed Surface Layer// Phys. Status Solidi (a). 1977. V. 42. P. 415−422.
- Bonse U., Kappler В., Schill A. Bin rontgenographisches Verfahren zur Messung der Verteilungs Kurve der Gitter Konstan-ten und Netzeb enenorient ierungen an Einkristallen//Zeit. P. Physik. 1964. V. 178. P. 221−225.
- Eisenberger P., Alexandropouls N.G., Platzman P.M. X-ray Brillion Scatter-ing//Phys. Rev. Letters. 1972. V. 28. P. 1519−1522.
- Iida A., Kohra K. Separate Measurements of Dynamical and Kinematical X-ray Diffractions from Silicon Crystals with a Triple-Crystal Diffractometer // Phys. Status Solidi (a). 1979. V. 51. P. 533−542.
- Афанасьев A.M., Ковальчук M.B., Лобанович Э. Ф., Имамов P.M., Александров П. А., Мелконян М. К. Трехкрнстальная рентгеновская днфрактометрия в исследовании тонких нарушенных слоев // Кристаллография. 1981. Т. 26. вып. I.C. 28−35.
- Завьялова А.А., Имамов P.M., Ковальчук М. В., Ковальчук Ю. В., Ломов А. А. О возможности метода ТРД в исследовании восстановления структуры нарушенных поверхностных слоев монокристаллов при лазерном отжиге// Письма в ЖТФ. 1982. Т. 6. вып. II. С. 653−657.
- Ковьев Э.К., Матвеев Ю. А., Ратников В. И., Брятов A.JI. Метод дифференциальной рентгеновской дифрактометрии//Электронная техника. Материалы. 1981. вып. 4. С. 19−24.
- Ковьев Э.К., Ратников В. В., Сорокин J1.M. Исследование дефектов распада в кристаллах германия, легированных мышьяком, методом трехкристального спектрометра// ФТТ. 1981. Т. 23, В. 6. С. 1626−1629.
- Zaumseil P., Winter U. Triple Crystal Diffractometer Investigations of Silikon Crystals with Different Collimator Analyser Arrangements //Phys. status solidi (a). 1982. V. 70. P. 497−505.
- Ломов A.A., Казимиров АЛО., Завьялова А. А. Влияние длины волны на формирование спектров в трехкристальной рентгеновской дифрактометрии почти совершенных кристаллов //Кристаллография. 1984. Т. 29. Вып. I.C. 177−178.
- Казимиров АЛО., Ковальчук М. В., Кон В. Г. Усиление псевдопика в спектрах трехристальной рентгеновской дифрактометрии за счет теплового диффузного рассеяния//Кристаллография. -1987. Т.32. в.б. с. 1360−1364.
- Zaumseil P., Winter U. Triple Crystal Diffractometer Investigation in Silikon Crystal with Laue-Case Diffractions // Phys. status solidi (a). 1982. V. 73. P. 456−466.
- Ратников B.B. Кютт P.H. Измерение углового распределения .диффузного рассеяния рентгеновских лучей на трехкристальном спектрометре в случае Лауэ-дифракции. //ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 2. С. 391−393.
- Кютт Р.Н. Идентификация поверхностных и объемных дефектов по интенсивности диффузного рассеяния//ЖТФ. 1987. Т.57.С. 178−180.
- Щеглов М.П., Кютт Р. Н., Сорокин Л. М. Измерения рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального отражения в дифференциальном режиме// ЖТФ. 1987. Т.57. С.1436−14−38.
- Kazimirov A.Yu., Kovalchuk M.V., Koto V.O. Investigation of surface-layer structure of single crystals with triple-crystal x-ray diffractometry // Acta Cryst. A. 1990. V. 46. P. 643−649.
- Боуэн Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография /Перевод с англ. И. Л. Шульпипой, Т. С. Аргуновой.- СПб.: Наука. 2002. 274 с.
- Allison S.K., Williams J.H. The Resolution Power of Calcite for X-rays and the Naturel Widths of the Molybdenum Ka Doublet// Phys. Rev., 1930, v. 35, p. 14 761 483.
- Деслатес Р.Д. Одноосный двухкристальный спектрометр//Приборы для научных исследований. 1967. Т. 38. Вып. 6. С.92−97.
- Никифоров И.Я., Мальцев Ю. Ф. Трехкристальный рентгеновский спектро-метр-дифрактометр//АМРА. 1975. Вып. 17. С. 64−71.
- Pick М.А., Bickmann К., Pofuhl Е., Woll К., Wenzl Н. A New Automatic Triple-Crystal X-ray Diffractometer for the Precision Measurement of Intensity Distribution of Bragg Diffraction and Huang Scattering // J. Appl. Cryst. 1977. V. 10. P. 450−457.
- Bartels W.J. Characterization of thin layers on perfect crystals with a multipurpose high resolution x-ray diffractometer.// J.Yac.Sci.Technol.B. 1983. V. 1. P. 338−345.
- Penning P., Polder D. Anomalous transmission of X-rays in elustically deformed crystals.//Philips Res. Rept, — 1961, — V.16.- P. 419−440.
- Battermman B.W. An effect dynamical diffraction in fluorescent x-ray scattering // Appl. Phys. Lett. 1962. V. I. P. 68−69.
- Taupin D. Theorie dynamique de la diffraction des rayons x par les cristaux defor-mes. // Bull.Soc.Franc.Mineral.Crist.-1964.- V.87. P.469−511.
- Afanas’ev A.M. Kagan Yu. The role of lattice vibration in dynamical theory of X-rav // Acta Cryst. A. 1968. V. 24. P. 163−270.
- Хейкер Д.М. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов. Д.: Машиностроение, 1973. С. 103.
- Миусков В.Ф., Миренский А. В., Шилин Ю. Н., Гасанов Н. Г. Двух-кристальйый рентгеновский топографический спектрометр ДТС-1 для исследования дефектов в кристаллах. Кристаллография, 1974, т. 19, с. 153−159.
- Ковальчук М.В., Ковьев Э. К., Козелихин Ю. М., Миренский А. В., Шилин Ю. Н. Трехкристальный рентгеновский спектрометр для исследования структурного совершенства реальных кристаллов//ПТЭ, 1976, т. I, с. 194−196.
- Головин A.JI., Дмитриев Ю. Ф., Новиков Д. В. Полуавтоматический рентгеновский спектрометр для исследования дифракции в условиях полного внешнего отражения//ПТЭ. 1985. № 1. С. 190−196.
- Соловьева В.И., Бопдарепко К. П., Быстрикова И. Н., Хейкер Д. М. Дифракто-метр для ориентировки кристаллов // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 4. С.741−744.
- Wagner Н. Rontgenstrahlung anomaler Schwachung in Falle Braggscher Reflec-tion//Z. Phys. 1956. V.146. P.127−168.
- Bonse. U. Messungen der anomalen Durchlassigkeit und der von Rontgenstrahlung an guten Einkristalle in Bragg-Fall der Interferenz. Verglich mit der dynamishen theorie der Rontgen interferenz//Z.Phys. 1961. V. 161. P. 310−329.
- Wangenfeld H. Normal and anomalous photoelectricabsorption of X-ray in crystal// Phys. Rev. 1966. V.144.P.216−224.
- Ефимов O.H., Ковьев Э. К., Интегральные характеристики аномального прохождения рентгеновских лучей//Phys. Stat. sol. 1966. V.144. Р.216−224.
- Reninger М. X-ray optic measurements of ideal crystals. II. Diffraction pattern with «pendellosung» of equal inclination // Acta Cryst. A. 1968. V.24. P.142−149.
- Ефимов O.H. Интегральные характеристики аномального прохождения рентгеновских лучей для кристаллов Ge с дислокациями// ФТТ. 1963. Т.5. С. 14 631 470.
- Кютг Р.Н., Ефимов О. Н. Температурная зависимость аномального прохождения рентгеновских лучей в кремнии // ФТТ. 1969. Т.П. С.283−289.
- Kikuta S. X-ray structure factor determination from Bragg diffraction curve width of perfect crystals //Phys. stat. sol. A. 1971. V45. P. 333−339.
- Fukuchara A., Takano J. Determination of strain distribution from X-ray Bragg reflection by silicon single crystal // Acta Cryst. 1977. V. A33. P. 137−142.
- Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. Strain profiles in ion doped silicon obtained from X-ray rocking curves // Phys. stat. sol.(a) 1980. V.60. P.381−389.
- Speriosu V.S., Glass H.L., Kobayashi T. X-ray determination of the strain and damage distribution in ion dopped layers // Appl. Phys. Lett. 1979. V.34. P.539−543.
- Baldvin Т.О., Sherrill P.A., Young F.W. Investigation of Past Neutron Radiation Damage in Nearly Perfect Copper Crystals by X-ray Diffraction Techniques. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, P. 1541−1550.
- Larson C, Schmatz W. Huang Diffuse Scattering from Dislocation Loops and Co-bal Precipitates in Copper. Phys. Rev. B, 1974, v. 10, N 6, p. 2307−2314.
- Erhart R., Trinkaus H., Larson B.C. Diffuse scattering from dislocation loops // Phys.Rev. B. 1982. V.25. P. 634−646.
- Charniy L.A., Scherbachev K.D., Bublik V.T. Microdefect Density Determination by X-ray Huang Scattering Normalised over Thermal Diffuse Scattering // Phys. Stat. sol. (a). 1991. V. 128. N. 2. P. 303−310.
- Charniy L.A., Morozov V.M., Scherbachev K.D., Bublik V.T., Stepantsova I.V. X-ray diffuse scattering identification of matrix As -rich microdefects in GaAs // J. Cryst. Growth. 1992. V.118.P. 163−172.
- Бублик B.T., Щербачев К. Д. Микродефекты в нелегированных монокристаллах GaAs, выращенных из расплавов с разным отклонением от стехиометрии // Кристаллография .1994. Т. 39. № 6. С. 1105−1111.
- Бушуев В.А. Влияние многократного диффузного рассеяния на Лауэ-дифракцю рентгеновских лучей в кристаллах с хаотически распределенными микродефектами // Кристаллография. 1994. Т. 39. N6. С.983−990.
- Кютт Р. Н. Рентгеновская дифрактометрия реальной структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев на основе двумерного анализа интенсивности. Диссертация на соискание ученой степени д.ф.-м.н. Ленинград. 1995.
- Dederichs P, H. The Theory of Diffuse X-ray Scattering and its Application to the Study of Point Defects and their Clusters. J. Phys. P. Metal Phys., 1973, v. 3, p.471−496.
- Huang K. X-ray reflections from dilute solid solution // Proc.Roy.Soc. 1947. V. 190. N2. P. 102−117.
- Lomov A.A., Zaumseil P., Winter U. Characterization of Process-Induced Defects in Silikon with Triple-Crystal Diffractometry // Acta Cryst. 1985. A 41. P. 223 227.
- Ломов A.A., В.А.Бушуев Р. М. Имамов К. Бокки П.Францози Асимптотическое диффузное рассеяние рентгеновских лучей в монокристаллах GaAs, легированных кремнием //Кристаллография. 1999. Т.44,.4 С.674−684.
- Кютт Р.Н., Ратников В. В. Наблюдение динамических эффектов в диффузном рассеянии при Лауэ-дифракдии рентгеновских лучей// Металлофизика. 1985. Т. 7. №. 1.С. 36−41.
- Кютт Р.Н., Ситникова А. А., Сорокин Л. М. Диффузное рассеяние от стержне-образных дефектов в кристаллах кремния с кислородом // ФТТ. 1985. Т.27. С. 673−674
- Voloshin А. Е., Lomov A.A., Nishigana Т., Ge P., Нио С. The perfection of space-grown GaSb studied by X-ray topography and high-resolution diffractometry. // J. of Crystal Growth. 2002. T. 236. P. 502−510.
- Кютт P.H. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристаллах с дислокациями // ФТТ. 1988. Т.ЗЗ.С. 827−830.
- Воронков С.Н., Максимов С. К., Чуховский Ф. Н. Исследование упругонапря-женного состояния монокристаллических пластин по данным рентгеновской дифракции методом наклона// ФТТ. 1984. Т.26. В.7. С.2019−2024.
- Nesterets Ya.I., Punegov V.I. The statistical kinematical theoty of X-ray diffraction as applied to reciprocal-space mapping // Acta Cryst. A. 2000. V.56. P. 540−548.
- Olechnovich N.M., Olechnovich A. I Dynamic effects of diffuse x-ray scattering near Bragg reflection//Phys. stat. sol. (a). 1981. V. 64. P.427−433.
- Zaumseil P., Winter U. Detection of surface imperfections at polished silicon wafers by TCD measurements // Phys. stat. sol (a). 1983. V.77. P. K139−142.
- Wang V.S., Matyi R.I. Triple crystal X-ray diffraction analisis of chemical-mechanical polished gallium arsenide // J. Appl. Phys. 1992. V.72. P.5158−5164.
- Александров П.А., Завьялова A.A., Ломов A.A. Наблюдение искажений поверхности методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии // Кристаллография. 1984. Т. 29. Вып. 4. С. 652−656.
- Александров П.А., Афанасьев A.M., Мелконян М. К. Теория рассеяния рентгеновских лучей кристаллами с дефектами поверхности // Кристаллография. 1981. Т. 26. Вып. 6. С. I275-I28I.
- Cohen B.G. X-ray measurement of elastic strain and lattice constant of diffused silicon // Sol. State Electr. 1967. V. 10. P.33−37.
- Burgeat J., Taupin D. Application de la theorie dinamique de la diffraction X a l’etude de la diffusion du bore et du phosphore dans cristaux de silicon // Acta Crystall. 1968. V.24.P. 99−102.
- Holy V., Kubena J. X-ray Rocking Curves on Inhomogeneous Layers on Single Silicon Crystal. Diffusion Layers // Czech. J. Phys. 1979. V. B29. P. 1161−1172.
- Кютт P.H. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристаллах кремния, легированных бором // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1. С. 839−841.
- Кон В.Г., Прилепский М. В., Суходрева Н. М. Простой метод определения структуры нарушенного поверхностного слоя монокристаллов из рентгенодифракционных данных // Поверхность. 1984. Т. II. С. 122−128.
- Holy V., Kubena J. X-ray Rocking Curves on Inhomogeneous Surface Layers on Single Crystal. Implanted Layers // Czech. J. Phys. 1982. B. 32. P. 750−760.
- Лидер B.B., Чуховский Ф. Н., Хапачев Ю. П., Барышев М. Н. Рентгенодифрак-тометрические исследования нарушенных приповерхностных слоев на основе постоянного градиента деформации // ФТТ. 1987. Т.31. № 4. С. 74−81.
- Бушуев В.А., Петраков А. П. Исследования влияния лазерного отжига па структуру приповерхностных слоев ионно-имплаптировапного кремния методом рентгеновской дифрактометрии // ФТТ. 1993. Т.35. N2. С.355−364.
- Macneal В.Е., Speriosu V.S. Modeling Strain distribution in ion-implanted magnetic bubble materials//J. Appl. Phys. 1981. V.52. P. 3935−3940.
- Fabri R., Servidori M., Zani A., Parallel stress and perpendicular strain distributions in (001) silicon amorphized by ion implantation // J. Appl. Phys. 1989. V.66. P. 4715−4718.
- Ishida K. Matsui J., Kamejima Т., Sakuma L. X-ray study of AlxGa!.xAs epitaxial layers // Phys. slat. sol. (a). 1975. V.31. P. 255−262.
- Estop E., Izrael A., Sauvage M. Double-crystal spectrometers measurements of lattice parameters and x-ray topography on heterojunctions GaAs-AlxGa!xAs // Acta Cryst. A. 1076. V. 32. P. 627−630.
- Bartels W.I., Nijman W. X-ray double-crystal diffractometry of Ga) xAl4As epitaxial layers //J.Cryst.Growth, 1978. V. 44. P. 518−525.
- Hornstra L, Bartels W.I. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds // J. Cryst. Growth. 1978. V. 44. N 5. P. 513−517.
- Tashima M.M., Cook L.M., Stillman G.E. The application of x-ray diffraction measurements in the growth of LPE InGaAsP/InP. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 54. N l.P. 132−137.
- Halliwell M.A.G., Lyons M.H., Hill M.J. The interpretation of X-ray rocking curves from III-V semiconductor device structure // J. Cryst. Growth 1984 V. 68.P. 523−531.
- Bassignana I.C., Tan C.C. Determination of epitaxic-layer composition and thickness by double-crystal x-ray diffraction //J. Appl. Cryst. 1989. V. 22. N. 3. P. 269 276.
- Auvay P., Baudet M., Regreny A. X-ray diffraction effects in Ga and A1 arsenide structures MBE-grown on slightly misoriented GaAs (001) substrates //J. Cryst. Growth. 1989. V. 95. P. 288−291.
- Macrander A.T., Lan S., Strege K., Chu S.N.G. Nondestructive measurement of layer thicknesses in double heterostructures by x-ray diffraction // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 1985−1986.
- Wang X.Y., Zheng H., Miao Z.L., WangJ., Zhang Z.S., Jin Y.S. X-ray double-crystal diffraction studies of GalnAsP/InP heterostructures //J. Vac. Sei. Technol. B. 1988. V. 6. N1. P. 34−36.
- Baribeau J.-M., Keehang S., Munro K. X-ray diffraction of strain relaxation in Si-SilxGeK heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N4. P. 323−325.
- Qadri S.B., Jonker B.T., Prinz G.A., Krebs J.J. Double-crystal x-ray topography and rocking curve studies of epitaxially grown ZnSe // J. Vac. Sei. Technol. A. 1988. V. 6. N3. P. 1526−1530.
- Halliwell M.A.G. X-ray measurements of lattice mistmatch in heteroepitaxial layers// Inst. Phys. Conf. 1981. Ser. 60. P. 271−272.
- Komiya S., Nakajlma К., Umebu L, Akita К. Dependence of rocking curve for thin Ini.xGaxAsi.yPy layer on thickness in asymmetric Bragg case. //Jap. J. Appl. Phys. 1982. V.21.,№ 9.P. 1313−1314.
- Komiya S., Yamazak S., Kishi Y., Umebu I., Kotanl I. Generation mechanism of misfit dislocations in Ini.xGaxAsi.yPy/ DH structure grown by LPE // J. Cryst. Growth. 1983. V.61. P. 362−368.
- Bensoussan S., Malgrange C., Sauvage-Simkin M. X-ray diffraction evidence for transient composition effects in MOVPE multilayer growth for Gai. xAlxAs structure //J. Appl.Cryst. 1987. V. 20. N3. P. 230−234.
- Арсентьев И.Н., Берге H.A., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкораеходщегося пучка рентгеновских лучей ФТП. 1980. Т. 14. № 1. С. 96−100.
- Sperlosu V.S., Nicolet М.А., Tandon J.L., Veh V.C.M. Interfacial strain in AlxGa! xAs layers on GaAs //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. N 4. P. 1377−1379.
- Хапачев IO. П. Чуховский Ф. Н. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей на кристалле с переходным слоем // ФТТ. 1984. Т. 26. N5. С. 1319−1325.
- Cembali F., Servidori М. Stress distribution and lattice curvature determinations in multilayer structures by simulation of x-ray rocking curves //J. Appl. Cryst. 1989. V. 22. N4. P. 345−351.
- Хапачев Ю.П., Чуховский Ф. Н. Определение пластической деформации в гетероструктурах по данным рентгеновской дифрактометрии // ФТТ. 1989. Т. 31. № 9. С. 76−80.
- Хапачев Ю.П., Чуховский Ф. Н. Деформации и напряжения в многослойных эпи-таксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракционные методы их определения (обзор) // Кристаллография. 1989. Т. 34. N3. С. 776−800.
- Chukhovskii F.N., KhapachevYu. P. Exact solution of the Takagi-Taupin equation for dynamical x-ray Bragg diffraction by a crystal with a transition layer // Phys. Stat. Sol (a). 1985. V. 88. N1. P.69−76.
- Wie C.R. Relaxation and rocking-curve broadening of strained (Ga, In) As single layer on (OOl)GaAs //J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N6. P. 2267−2271.
- Wie C.R. Rocking curve peak shift in thin semiconductor layers // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N2. P. 985−988.
- Fewster P.F. Multicrystal x-ray diffraction of heteroepitaxial structures // Appl. Surfaces Sci. 1991. V. 50. P. 9−18.
- Кютт P.H., Аргунова T.C. 11 Влияние дислокаций несоответствия на брэггов-скую дифракцию рентгеновских лучей от гетероструктур// ФТТ. 1989. Т.31. Вып.1. С. 40−45.
- Кютт Р.Н., Сорокин JT.M., Аргунова Т. С., Рувимов С. С. Рентгенодифракци-онные исследования дислокационной структуры в МЛЭ системах с высоким уровнем несоответствия параметров решеток // ФТТ. 1994. Т.36. С. 2700−2714.
- Holloway H. X-ray interferometry and its application to determination of layer thickness and strain in quantum-well structures //J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 10. P.6229−6236.
- Ефимов O.H., Щемелев B.H., Круглов M.B. Исследование монокристаллов с помощью внешнего фотоэффекта в условиях брэгговской дифракции // Уч. записки Ленинградского ун-та. 1974. № 370. С. 83−90.
- Marra W.C., Eisenberger P., Cho A.Y. X-ray total-external reflection Bragg diffraction: A structural study of the GaAs-Al interface. // J.Appl.Phys. 1979. V.50. P.6927−6933.
- Афанасьев A.M., Захаров Б. Г., Имамов P.M., Ковальчук M.B., Лобанович Э. Ф. Исследование тонких кристаллических слоев полупроводниковых материалов.// Электронная промышленность. 1980. В. 11 (95). С. 47−55.
- Golovin A.L., Imamov Pi.M., Kondrashkiria E.A. Potentialities of new x-ray diffraction methods in structural studies of ion-implanted silicon layers.// Phys.Stat.Sol.(a).1985. V.88. N.2. P.505−514.
- Ковальчук M.B., Кон В.Г. Рентгеновские стоячие волны новый метод исследования структуры кристаллов. УФН. 1986. Т. 149. В.1. С. 69−103.
- Batterman B.W. Detection of foreign atom sites by their x-ray fluorescence scattering // Pnys. Rev. Lett. 1969. V. 22. P.703−705.
- Cowan P.L., Golovchcnko J.A., Robbins M.F. X-ray standing waves at crystal surfaces // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. N. 25. P. 1680−1683.
- Kon V.G., KovalchuK M.V. On the theory of external photoeffeet accompanying X-ray diffraction in an ideal crystal with disturbed surface layer // Phys. stat. sol (a). 1981. V. 64. N. 2. P. 359−366.
- Kohn V.G., Kovalchuk M.V. Iniamov R.M., Zakharov B.G. and Lobanovich E, F The investigation of disturbed surface layer by external photoeffeet under x-ray diffraction conditions // Phys. stat. sol. (a). 1982. V. 71. K. 2. P. 603−610.
- Kortright J.B., Fischer-Colbrie A. Standing wave enhanced scattering in multilayer structures // J. Appl. Phys, 1987. V. 61. N 3. P. 1130−1133.
- Matsushita Т., Iida A., Ishikawa Т., Nakagiri Т., Sakai K. X-ray standing waves excited in muitilayered structures // Nuclear Instr. Meth. Phys. Res. A. 1986. V.246.P.751−754.
- Iida A., Matsushita Т., Ishikawa T. Observation of X-ray standing wave field during Bragg reflection in multilayer of lead stearete // Jap. J. Appl. Pnys. 1986. V. 24. N 9. P. L675-L678.
- Akimoto A., Ishikawa Т., Takahashi Т., Kikuta S. Structural analysis of the NiSi2/011)Si interface by the X-ray standing wave method // Jap.J.Appl.Phys. 1985. V. 24. N 11. P. 1425−1431.
- Щеглов M. П., Андреева M.A., Кюгг P.H. Влияние поверхностных нарушений на кривые дифракции в скользящей геометрии // ЖТФ. 1989. Т. 59. N9. С.134−139.
- Authier A., Gronkowski J., Malgrange С. Standing waves from a single het-erostructure on GaAs- a computer experiment // Acta Cryst. A. 1989.- V. 45. P. 432−441.
- Zaumseil P. On the increased sensitivity of x-ray rocking curve measurements by triple-crystal diffractometry // Phys. Stat. Sol.(a) 1985. V. 91. P. КЗ 1-K33.
- Казимиров А.Ю., Ковальчук M.B., Чуховский Ф. Н. Высокоразрешающая трехкристальная дифрактометрия // Кристаллография. 1987. Т. 32. Вып. 3. С. 776−778.
- Aleksandrov P.A., Afanas’ev A.M., Melkonyan М.К. Stepanov S.A. X-ray diffraction under specular reflection conditions on crystals with an amorphous film // Phys. slat. sol.(a). 1984. V.81.N.1. P.47−53.
- Александров П.А., Степанов С. А. Дифракция рентгеновских лучей в условиях полного внешнего отражения па бикристалле и определение параметрарассогласования решеток // Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1986. N6. С. 117 120.
- Афанасьев A.M., Имамов P.M., Маслов А. В., Пашаев Э. М. Исследование верхних слоев сверхрешеток методом стоячих рентгеновских волн // Кристаллография .1993. Т. 38. С. 58−62.
- Fewster P.F. X-ray diffraction from low-dimensional structures// Semicond. Sci.Tectinol. B. 1993. V. 8. P. 1915−1934.
- Schuster M., Lessmann A., Munkholm A. High-resolution x-ray diffraction and X-ray standing wave analysis of (AlAs)m (GaAs)n short-period super lattices// J.Phys.: Appl. Phys. 1995. V. 28. N 4A. P. A206-A211.
- Петрашень П.В. О возможности определения деформаций топкого легированного слоя дифракционнши методами // ФТТ. 1975. Т. 17. № 9. С. 28 142 816.
- Дарбинян СП., Петрашень П. В., Чуховский Ф. Н. Решение обратной задачи рентгеновской дифракции в слоистых структурах в динамическом случае// Кристаллография. 1992. Т.37. N4. С.854−862.
- Петрашень П.В., Чуховский Ф. Н. Восстановление фазы рентгеновской волны, дифрагированной на слоистой монокристаллической структуре //Докл. АН СССР. 1989. Т. 309. N. 1. С. 105−109.
- Хапачев Ю.П., Кузнецов Г. Ф. Динамическая дифракция рентгеновского излучения в гармонической сверхрешстке // Кристаллография. 1983. Т. 28. N1. С.27−31.
- Хапачев Ю. П. Луховский Ф.Н. Динамическая дафракция рентгеновских лучей в кристаллических сверхрешетках (обзор) // Металлофизика. 1991. Т. 13. N. 7.С. 65−85.
- Fewster P.F. The simulation and interpretation of diffraction profiles from partially relaxed layer structures //J. Appl. Cryst. 1992. V. 25. P. 714−723.
- Головин A.Jl., Меликяп О. Г. Восстановление профиля структурных нарушений сверхтопкого приповерхностного слоя кристалла из данных дифракции рентгеновских лучей в условиях скользящего падения.// ЖГФ. 1990. T.60.N11.С. 116−123.
- Пунегов В. И. Статистическая динамическая теория дифракции рентгеновских лучей на кристаллах с непрерывно изменяющимся по толщине параметром решетки // Кристаллография. 1990. Т. 35. В. 3. С. 576−583.
- Пунегов В.И. Кинематическая теория дифракции на дефектной эпитаксиаль-ной пленке с постоянным градиентом деформации // Журнал технической физики. 1991. Т. 61. N 12. С.71−81.
- Punegov V.I., VishnjaKOV Yu.V. Dynamical theory of X-ray diffraction from damaged epitaxial layers with constant strain gradient.// J. Phys. D: Appl.Phys. 1995. V.28.N4A.P. A184-A188.
- Пунегов В. И. Динамическая теория дифракции рентгеновских лучей па непрерывно деформированных по толщине приповерхностных слоях монокристаллов с учетом статистики микродефектов //Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1991. N3. С. 45−49.
- Bartels W.J., Hornstra J., Lobeek D.J.W. X-ray diffraction of multilayers and su-perlatties // Acta Cryst. A. 1986. V. 42. P. 539−545.
- Faleev N.N., Flaks L.I., Konnikov S.G. Double crystal x-ray diffraction characterization of multilayer heteroepitaxial structures with submiron layers //Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. l 13, P.431−437.
- Faleev N.N., Flaks L.I., Konnikov S.G., Solomin I.K., Batashova S.V. The influence of the directed displacement of atomic planes on the x-ray diffraction rocking curves //Phys. Stat. Sol.(a). 1990. V.120, H2. P.327−337.
- Wie C.R., Chen J.C., Kim H.M., Liu P.L., Choi Y.-W., Hwang D.H. X-ray interference measurement of ultrathing semiconductor layers //Appl. Phys. Lett. 1989. V.55.N17. P. 1774−1776.
- Halliwell M.A.G. Practical interpretation of x-ray rocking curves from semiconductor heteroepitaxial layers.// Appl. Phys.A.~1994. V.58. P.6135−140
- Segmuller A., Noyan I.E. and Speriosu V.S. X-ray diffraction studies of thin film and multilayer structures.// Prog.Cryst. Growth and Charact. 1989. V.18. P.21−66
- Baumbach G.T., Rhan H., Pietsch U. Detection of the active layer of АщВу semiconductor quantum well structures by high resolution x-ray diffratometry //Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V.109, N1. P. K7-K10.
- Attollni G., Bocchi C., Franzosi P., Korytar D. and Pelosi C. An x-ray diffraction study of the lattice strain relaxation in MOVPE GaAs/Ge heterostructures // J.Phys.D: Appl. Phys. 1995. V.28. N 4A. P. A129-A132.
- Bocchi C. and Ferrari C. A study of thin buried layers in III-V compound heterostructures by high-resolution x-ray diffraction //J.Phys.D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A164-A168.
- Van der Sluis P. Determination of strain in epitaxial semiconductor layers by high-resolution x-ray diffraction.//J.Phys.D: Appl. Phys. 1993. V.28. P. A188-A191.
- Fewster P.F. and Andrew N.L. Applications of Multiple-crystal diffrac-tometry // J.Phys.D: Appl. Phys. 1995. V.28. N 4A. P. A97-A103.
- Fewster P.F. Absolute lattice parameter measurements of epitaxial layers.//J. Appl.Cryst. 1982. V. 15. P.275−278
- Fewster P.F. X-ray diffraction from multiple quantum well structures.// Phil.J.Research.-1986. V. 41. Ш. P.268−289
- Fewster P.F. Interface roughness and period variations in MOW structures determined by x-ray diffraction.//J.Appl. Cryst. 1988. V. 21. P.524−529
- Tapfer L., Ploog K. Improved assessment of structural properties of AlxGaix As/GaAs heterostructures and superlattices by double-crystal x-ray diffraction // Phys. Rev. B. 1986. V.33. N8. P. 5565−5574.
- Macrander A.T. Precision x-ray techniques for semiconductors // Ann. Rev. Mater. Sei. 1988. V. 18. P. 283−302.
- Пунегов В.И., Фалеев H.H. Определение структурных параметров градиентного эпитаксиального слоя методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. I. Начальное приближение решения обратной задачи дифракции // ФТТ 1996 T.38.N.2
- Павлов К.М., Пунегов В. И., Фалеев Н. Н. Рентгенодифракционная диагностика лазерных структур//ЖЭТФ. 1995. Т. 107. № 6. С. 1967−1983.
- Чжан Ш. Многоволновая дифракция рентгеновских лучей в кристаллах:Пер. с англ.-М.:Мир. 1987.-234 с
- Афанасьев А.М., Чуев М. А., Имамов P.M., Пашаев Э. М., Якунин С. Н., Хорват Дж. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия в роли метода стоячих рентгеновских волн // Письма в ЖЭТФ. 2001. Т. 74. Вып. 10. С. 560−564.
- Андреева М.А., Борисова С. Ф., Степанов С. А. Исследование поверхности методом полного отражения излучения рентгеновского диапазо-на.//Поверхность.Физ. Хим. Мех. 1985. N4. С. 20 -26.
- Андреев А.В. Рентгеновская оптика поверхности // УФН. 1985. Т. 145. № 1. С.113−136.
- Алаудинов Б.М., Артюков И. А., Асадчиков В. Е., Карабеков А. Ю., Кожевников И. В. Об оптической модели поверхности в рентгеновском диапазоне // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 4. С. 605−616.
- Weber W., Lengeler B. Diffuse scattering of hard x-rays from rough surfaces // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N. 12. P.7953−7956.
- Grotehans S., Wallner G., Burkel E., Metzger H., Peisl J., Wagner H. Diffuse scattering of x-rays at grazing angles from near-surface defects in crystals // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. N 12. P. 8450−8457.
- Pietsch U., Rhan H., Golovin A.L., Dmitriev Y. Differential-mode grazing incidence diffraction from nanometer-layer heterostructures // Semicond. Sci. Techno 1. B. 1991.V.6.P. 743−747.
- Bates S., Hatton P.D., Lucas С A., Ryan T.W., Miles S.J. and Tanner B.K. Grazing incidence x-ray scattering studies of single quantum wells.// Adv. x-ray anal. 1988. V.31.P. 155−160.
- Головин A.Jl., Стосков A.A., Стукалов С. А. Питш У. Рентгеновская диагностика многослойной тонкопленочной гетероструктуры иа подложке арсенида галлия // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. N1. С. 93−97.
- Golovin A.L., Pietsch У. X-ray investigation of submicrometer layer heterostructures // Phys.Stat.sol. (a). 1986. V. 96. N. 2. P. K111-K115.
- Rhan H., Pietsch U. Investigation of nanometer layer heterostructures by x-ray gi-razing incidence diffraction // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 107. N 2. P. K93-K98.
- Rhan H., Pietsch U. Grazing incidence diffraction of x-rays in semiconductor heterostructures: application of the integral mode.// Z.Phys. В.- 1990. V.80. ЯЗ. P.347−352.
- Rhan H., Pietsch U., Rugei S., Metzger H. and Peisl J. Investigations of semiconductor superlattices by depth-sensitive x-ray methods // J.Appl.Phys. 1993. V.74. N1. P146−152.
- Bovven D.K., Wormington M. Characterisation of materials by grazing- incidence X-ray scattering // Adv. X-ray Analysis. 1993. V.36. P. 171−184.
- Bruhl H-G., Pietsch U., Lengeler B. Investigations of (Ga, In)(As, P)/InP single heterostructures by means of extremely asymmetrical Bragg diffraction using synchrotron radiation // J. Appl. Cryst. 1988. V. 21. N 3. P. 240−244.
- Bruhl H-G., Bauiabach Т., Gottschalch V., Pietsch U., Lengeler B. Extremely asymmetric x-ray Bragg reflection of semiconductor heterostructures near the edge of total external reflection. // J. Appl. Cryst. 1990. V. 23. P. 228−233.
- Hartwig J. Review of the X-ray diffraction in extreme asymmetric case. // Krist. und Techn. 1978. V. 13. N. 9. P. 1117−1126.
- Macrander A.T., Berreman D.W., Slusky S.E. Dynamical x-ray diffraction simulation for asymmetric reflections for III—V semiconductor multilayers//Adv. X-ray Anal.1988. V. 31. P. 167−173.
- Андреева M.A. Кинематическая теория скользящей рентгеновской дифракции с учетом изменений электронной плотности вблизи поверхности // Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988. N10. С. 17−21.
- Pietsch U., Borchard W. Lattice-parameter-difference measurement of heteroepi-taxial structures by means of extremely asymmetrical Bragg diffraction // J. Appl. Cryst. 1987. V. 20. N1. P. 8−10.
- Afanas’ev A.M., Imamov R.M., MuKhamedzhanov E.Kh. Asymmetric x-ray diffraction // Cryst. Rev. 1992. V.3. P.207−230.
- ASTM F 1526−94 Standart Test method for Measuring surface metal Contamination on Silicon Wafers by Total Reflection X-ray Fluorescence Spectroscopy, Philadelphia, P: A: American Society for Materials. 1994.
- Бушуев B.A., Имамов P.M., Мухамеджанов Э. Х., Орешко А. П. Определение толщины сверхтонких аморфных пленок по данным зеркального отражения рентгеновских лучей в условиях некомпланарной дифракции // Поверхность. 2002. № 1.С. 22−26.
- Прямые методы исследования дефектов в кристаллах // Под ред. А. М. Елистратова. М.: Мир. 1965. 351 с.
- Блохин М.А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральиый справочник. М.: Наука, 1982. С. 68.
- Koch Е.Е., editor, Handbook on Synchrotron Radiation, North-Holland Publ. Сотр., Amsterdam. 1983.
- Caciuffo R., Melone S., Rustichelli F. Monochromators for X-ray Synchrotron radiation /Physics Reports (Review Section of Physics Letters). 1987. V.152. P. 1−71.
- Bonse U., Materlik G., Schroder W. Measurement of lattice parameter difference of thin films by double crystal Bragg diffraction // J. Appl. Cryst. 1976. V. 9. P. 232 235.
- Степанов C.A.: http://sergey.gmca.aps.anl.gov
- Bonse U., Hart M. Tailless x-ray single-crystal reflection curves obtained by multiple reflection.// Appl.Phys.Lett.-1965.- Y.7.- P.238−240.
- Mark H. Fifty years of X-ray diffraction. Ed. P.P. Ewald. International Union of Crystallography. 1962. P.603.
- Имамов P.M., Ломов А. А., Новиков Д. В., Гоганов Д. А., Гуткевич С. М. Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенных кристаллов // Авторское свидетельство № 1 599 732. Приоритет от 04.07.1988.
- Ломов А.А., Новиков Д. В. Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев монокристаллов. // Авторское свидетельство № 1 583 809. Приоритет от 29.02.1988.
- Ломов А.А., Шитов Н.В.,. Бушуев В. А. Исследование совершенства структуры монокристаллов CsdS04, CSHSO4 и CsH2P04 высокоразрешающими рент-генодифракционными методами. // Кристаллография. 1992. Т. 37. Вып. 2. С. 444−150.
- Кютт Р.Н. Особенности использования дисперсионных схем трехкристально-го рентгеновского спектрометра. 1-ое Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом. Юрмала. J1CCP. Тезисы докладов. Москва. 1988. С. 119.
- Authier A. Dynamical Theory of X-Ray Diffraction. Published in the United States by Oxford University Press Inc., New York. 2001. 661 P.
- Guinier A. X-ray diffraction in crystals, imperfect crystals, and amorphous bodies. W.H. Freeman and Company. San Francisco and London. 1963. 378 P.
- Allison S.K. Letters to the Editor: On the Generalization of the Notation for the Double Crystal X-ray Spectrometer // Phys. Rev. 1937. V. 52. P. 884−885.
- DuMond J. W.M. Theory of the Use of More Than Two Successive X-ray Crystal Reflection to Obtain Increased Resolving Power // Phys. Rev. 1937. V. 52. P. 872−883.
- Andrews S.R., Cowley R.A. Scattering of x-ray from crystal surfaces // J. Phys. C. Solid State Phys. 1985. V. 18. P. 6427−6439.
- A.A. Ломов, B.A. Бушуев, B.A. Караванский. Исследование шероховатостей поверхности и границ раздела пористого кремния высокоразрешающими рентгеновскими методами // Кристаллография. 2000. Т.45. № 5. С.915−920.
- Tapfer L" Sciacovelli P. De Саго L. Double- and triple-crystal x-ray diffraction analysis of semiconductor quantum wires // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A179-A183.
- Holy V., Baumbach T. Nonspecular x-ray reflection from rough multilayers // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N.15. P. 10 668 10 676.
- Jergel M., Holy V., Majkova E., Luby S., Senderak R. Interface study of W-Si/Si and obliquely deposited W/Si multilayers by grazing-incidence high-resolution x-ray diffraction // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A241-A245.
- Holy V., Baumbach Т., Bessiere M. Interface roughness in surface -sensitive x-ray methods // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A221-A226.
- Hart L., Fewster P.F., Ashwin M.J. at el. Measurement of interface roughness in a superlattice of delta-barriers of AI in GaAs using high-resolution x-ray diffractome-try // J.Phys.D: Appl. Phys. 1995. V.28. N 4A. P. A154-A158.
- Fewster P.F. High-Resolution Diffraction-Space Mapping and Topography // Appl. Phys. 1994. V. A58.P. 121−127.
- Darhuber A.A., Schittenhelm P., Holy V., Stangl J., Bauer G., Abstreiter G. High-resolution X-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge dots // Phys.Rev. B. 1997. V. 55. N.23. P. l5652−15 663.
- Darowski N., Pietsch U" Wang K.-H., Forchel A., Shen Q., Kycia S. X-ray diffraction analysis of strain relaxation in free standing and buried GaAs/GalnAs/GaAs SQW lateral structures //Thin Solid Films 1998. V. 236. P.271−276.
- Zhuang Y., Stangl J., Darhuber A.A., Bauer G., Mikulik P., Holy V., Darowski N., Pietsch U. X-ray diffraction from quantum wires and quatum dots // J. of materials science: materials in electronics. 1999. V. 10. P. 215−221.
- Darhuber A.A., Koppensteiner E., Straub H., Brunthatel G., Faschinger W., Bauer G. Triple axis x-ray investigation of semiconductors surface corrugations // J. Appl. Phys. 1994. V 76. N. 12. P. 7816−7823.
- Fewster P.F. A high-resolution multiple-crystal multiple-reflection diffractometer. //J. Appl. Cryst. 1989. V. 22. P. 64−69.
- Segmuller A., Murakami M. Caracterization of Thin Films By X-ray Diffraction, in Thin Films from Free Atoms and Particles, Klabunde K. J., Ed. Academic Press, New-York. 1985. P. 325−351.
- Rol K. Analysis of strain Distribution in Thin Films and Substrates // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 3224−3229.
- Арсентьев И.Н., Берте H.A., Конников С. Г., Уманский В. Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкораеходщегося пучка рентгеновских лучей ФТП. 1980. Т. 14. № 1. С. 96−100.
- Schiller С. Double diffraction des rayons X par des couches minces monocristalli-nes // Acta Electronica. 1981/1982. V. 23. N 3. P. 267−271.
- Macrander A.T., Minami E.R., Berreman D.W. Dynamical X-ray rocking curve simulations of nonuniform InGaAs and InGaAsP using Abeles' matrix method // J. Appl. Phys. 1986. V.60. P. 1364−1368.
- Kashihara Y., Kase Т., Harada J. Determination of lattice distortion in (GaAs)28(AlAs)24 superlattice layers by X-ray diffraction // Jap. J. Appl. Phys. 1986.V. 2. P. 1834−1841.
- Berreman D.W., Macrander A.T. Dynamical theory of asymmetric x-ray diffraction for strained crystal wafers. // Adv. x-ray anal. 1988. V. 31. P. 161−165.
- Baumbach Т., Bruhl H.-G., Rhan H., Pietsch U. Investigation of the compositional epth profile in epitaxial submicrometer layers of A3B5 heterostructures // J.Appl.Cryst. 1988. V. 21. N 5. P. 386−382.
- Holy V., Pietsch U., Baumbach T. High-Resolution X-Ray Scattering from Thin Films and Multilayers. Springer Verlag Berlin Heidelberg 1999. 257 p.
- Лисойван В.И. Измерения параметров элементарной ячейки на однокристальном спектрометре. Новосибирск: Наука. 1982. 127 с.
- Пунегов В.И., Ладанов А. В. О дифракции рентгеновских лучей на многослойной пленочной структуре в скользящей геометрии // Журнал технической физики. 1989. Т. 59. N11. С. 188−189.
- Пунегов В.И., Ладанов А. В. Теория дифракции рентгеновских лучей в многослойных кристаллах в условиях полного внешнего отражения //Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990. N 4. С. 45−50.
- Пунегов В. И. Динамическая теория дифракции на неидеальной гетерострук-туре // Физика твердого тела. 1991. Т. 33. № 1. С. 234−242.
- Stepanov S.A., Koehler R. A dynamical theory of extremely asymmetric x-ray diffraction taking account of normal lattice strain // J. Phys. D: Applied Physics. 1994. V. 27. P. 1923−1928.
- Ladanov A.V., Punegov V.I. A new approach to the problem of multiple X-ray diffraction in multilayer crystals //Twelth European Crystallographic meeting. Moscow. USSR. August 20−29. 1989. Collected abstracts. V. 3. P. 137.
- Jonker B.T., Qadri S.B., Krebs J.J., Prinz G.A. Epitaxial growth and x-ray structural characterization of Zni. xFexSe film on GaAs (OOl)// J. Vac. Sei. Tcchnol. A. 1989. V. 6. N 3. P.1946−1949.
- Bhat I.B., Patel K., Taskar N.R., Ayers J.E., Chandhi S.K. X-ray diffraction studies of CdTe grown on InSb // J.Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 23−29.
- Ishizuka F., Itoh T. X-ray analysis of. lattice imperfection and distortions in a Si/GaP billayer // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 7. P. 3007−3010.
- Scott M.D., Williams J.O., Goodfellow R.C. Growth of lattice-matched ZnSe,. ySy epitaxial layers and ZnSe/ZnSeiySy.multilayers on (100)GaAs substrates // Thin Sol.Films. 1980. V. 72. P. 1−3.
- Speriosu V.S., Vreeland J.T. X-ray rocking curve analysis of superlattices //J.Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 1591−1600.
- Speriosu V.S., Nicolet M-A., Tandon J.L., Yen Y.C.M. Interfacial Strain in AlxGal. x As Layers on GaAs //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 1377−1379.
- Hamdi A.H., Speriosu V.S., Tandon J.L., Nicolet M-A. Combined Use of Ion Backscattering and X-ray Rocking curves in the Analysis of Superlattices // Phys. Rev. 1985. V. B31.P. 2343−2347.
- Speriosu V.S. Kinematical X-ray Diffraction in Nonuniform Crystalline Films: Strain and Damage Distribution in Ion-Implanted Garnets // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 6094−6103.
- Головин О. JI, Ломов А. А. Автоматический прибор для изучения искажений структуры приповерхностных слоев совершенных монокристаллов. // ПТЭ. 1988. Т. 3. С. 230−234.
- Афанасьев A.M., Имамов P.M. Структурная диагностика «квантовых» слоев методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 780−801.
- Wormington М., Panaccione Ch, Matney К. М, Bowen D.K. Characterization of structures from X-ray scattering data using genetic algorithms // Phil. Trans. R. Lond. A. 1996. V. 357. P. 2827−2848. 1
- Stommer R., Metzger Т., Schuster M., Gobel H. Triple -axis diffractometry on GaN/Al203(001) and A1N/A1203(001) using a parabolically curved graded muiti-laycr as analyzer // И Nuovo Cimento. 1997. V. 19D. N. 2. P. 465−472.
- Zhuang Y., Giannini C., Tapfer L., Marschner Т., Stolz W. Lateral periodicity in highly- strained (GaIn)As/Ga (PAs) superlattices investigated by X-ray scattering techniques // II Nuovo Cimento. 1997. V. 19D. N. 2. P. 377−383.
- Parratt L.G. Surface studies of solids by total reflection of x-raya // Phys.Rev. 1954. V. 95. N. 4. P. 359−369.
- Sanyal M. K., Basu J. K., Datta A., Banerjec S. Determination of small fluctuations in electron density profiles of tliin: films: Layer formation in a polystyrene film. // Europhys. Lett. 1996. V. 36. N 4. P. 265−270.
- Sanyal М. К., Hazra S., Basu J. К., Datta A. Extraction of density profile for near perfect multilayers. //Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 8. P. 4258^1261
- Metzger Т. H., Kegel I., Paniago R., Peisl J. Grazing-Incidcnce X-Ray-Scattering -An Ideal Tool to Study the Structure of Quantum Dots. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. V. 32. N 10A. P. A202-A207.1
- Sinha S. K., Sanyal M. K., Satija S. K., Majkrzak C. F., Neumann D. A., Homma H., Szpala S., Gibaud A., Morkoc H. X-ray scattering studies of surface roughness of GaAs/AlAs multilayers. // Physica B. 1994. V. 198. P. 72−771
- Jiang X., Metzger Т. H., Peisl J. Nonspecular x-ray scattering from the amorphous state in W/C multilayers. //Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. N 8. P. 904−906
- Вартаньянц И.А., Ковальчук М. В., Кон В.Г., Николаенко A.M., Харитонов И. 10 // Прямое определение фазы амплитуды отражения с помощью стоячих рентгеновских волн // Письма в ЖЭТФ. 1989. Т. 49. №. 11. С. 630 633.
- Казимиров А. Ю. Ковальчук М.В., Кон В.Г. Исследование многоволновой дифракции рентгеновских лучей в совершенных кристаллах с помощью син-хротронного излучения // Кристаллогр афия. 1994. Т. 39. № 2. С. 258−269.
- Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985. 494 с.
- Нефедов В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхностных слоев твердых тел. М.: Наука, 1983. 328 с.
- Суворов Э.В. Физические основы современных методов исследования реальной структуры кристаллов. Черноголовка: НЦЧ РАН, 1999. 231 с .
- Андреева М.А., Кузьмин Р. Н. Мессбауэровская и рентгеновская оптика поверхности. М.: Общенациональная академия знаний, 1996. 130 с.
- Зимин С.П. Пористый кремний-материал с новыми свойствами // Соровский образовательный журнал. 2004. Т. 8. № 1. С. 101−107.
- Goudeau P., Nandon A., Bomchil G., Herino R. X-ray small-angle scattering analysis of porous silicon layers //J.Appl.Phys. 1989. V. 66. N 2. P. 625−628.
- Beale M.I.J., Benjamin J.D., Uren M., Chev N.G., Cullis A.G. Morphology and Structure of Porous Silicon Films Studied by Electron Microscopy // J. Cryst. Growth. 1985. V. 73. P. 622−630.
- Herino R., Bomchil G., Baria K., Bertrand C., Ginoux J.I. Porous Silicon Films Surface Measurements of gas absorption method // J. Electrochem. Soc. 1987. V. 134. P. 1994- 2000.
- New Developments in Silicon, Relation With Other Nanosnructured Porous Materials, edited by D. Bellet and L.T. Canham, European-Materials Research Simpo-sium Proseedings, (Strasbourg, France, 1996), Thin Solid Films. 297. 9 (1997).
- Properties of Porous Silicon, Emis, Datareviews Series № 18, INSPEC, edited by L.T. Canham (The Institution of Electrical Engineers, Lodon, 1997)
- Canham L.T. New properties of porous silicon //Adv. Mater. 1995. V. 7. P. 10 331 040.
- Bayliss S.C., Harris P.J., Buckberry L.D., Rousseau C. Intense visible photolumi-nescence from molecular beam epitaxy porous silicon films on Si // Mater. Sci. Lett. 1997. V. 16. P. 737−740.
- Properties of Porous Silicon, Emis, Datareviews Series № 18, INSPEC, edited by L.T. Canham (The Institution of Electrical Engineers, London, 1997)
- Berger M.G., Dieker C., Thonissen M., Vcscan L., Luth H., Munder H., Theib W., Wernke M., Grosse P. Porosity superlattice: a new class of Si heterostructures // J. Phys. D. Appl. Phys. 1994. V.27. P. 1333−1336.
- Mazzoleni C., Pavesi L. Application to optical components of dieletric porous silicon multilayers // Appl. Phys. Lett. 67,2983 (1995).
- Loni A., Canham L.T., Berger M.G., Arens-Fischer R., Munder H., Luth H., Ar-rand H.F., Benson T.M. Porous silicon multilayer optical waveguides // Thin Solid Films. 1996. V. 276. P. 143−146.
- Frohnhoff St., Berger M.G., Thonissen M., Dieker C., Vescan L., Munder H., Luth H. Technologies for porous silicon devices // Thin Solid Films. 1995. V. 255. P. 59−64.
- Kruger M., Marso M., Berger M.G., Thonissen M., Billat S. et al. Highly sensitive photodetector using porous silicon // Thin Solid Films. 297, 241 (1997).
- Василенко А.П., Федоров А. А., Колесников А. В., Труханов Е. М., Пчеляков О. П., Соколов Л. В. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2002. Т. 68. № 4. С. 25−30.
- M.J.J. Theunissen. Etch Channel Formation during Anodic Dissolution of N-type Silicon in Aqueous Hydrofluoric Acid //J. Electrochem. Soc. 1972. V. 119. P. 351 360.
- Barla K., Bomchil G., Herino R., Phister J.C., Baruchel J. X-Ray topographc characterization of Porous Silicon Layers // J. Cryst. Growth. 1984 V. 68. P. 721−726.
- Barla К., Herino R., Bomchil G., Phister J.C., Freund A. Determination of lattice parameter and elastic properties of porous silicon by X-Ray diffraction // J. Cryst. Growth. 68 (1984) 727−733.
- Young L.M., Beale M.I.J., Benjamin J.D. X-Ray double crystal diffraction study of porous silica. Appl. Phys. Lett., 46 (1985) 1133−1139.
- Labunov V., Bondarenko V., Glinenko L., Dorofeev A., Tabolina L. Heat treatment effect on porous silicon // Thin. Solid. Films. 1986. V137. P. 123−128.
- Labunov V. Bondarenko V., Borisenko V.E., Dorofeev A. High-Temperature Treatment of Porous Silicon // Phys. Status Solidi (a). 1987. V. 102. P. 193−199.
- Sugiyama H., Nitrono 0. Microstructure and Lattice Distortion of Anodized Porous Silicon Layers// Jpn.J.Appl. Phys. 1989. V. 28. P. L2013-L2017- J. Cryst. Growth. 1990. V. 103. P. 156−162.
- Kim K.H., Bai G., Nicolet M.A., Venezia A. Strain in porous Si with and without capping layers// J. Appl. Phys., 69 (1991) P. 2201−2207.
- Bsiessy A., Muller F., Ligeon M., Gaspard F., Herino R., Romestain R., Vial J.C. Voltage-Controlled Spectral Shift of Porous Silicon Electroluminescence // Phys. Rev. Lett. 1993. V. 71. N. 4. P. 637−640.
- Koch F., Petrova-Koch V. Light from Si nanoparticle systems — a comprehensive view // J. of Non -Crystalline Solids. 1996. V. 198−200. P. 840- 846. Appl. Phys. Lett. 1992. V 61. P. 943−949.
- Bellet D, Billat S., Dolino G., Ligeon M., Meyer C., Muller F. X-ray study of the anodic oxigation of P+ porous silicon // Solid State Commun. 1993. V. 86 P. 51−55.
- Chen Z., Bosman G. Porous silicon Photoluminescence Enhancement and Saturation. Resulting from Thermal Annealing in Nitrogen Gas // Phys. Stat. sol. (b).1994. V. 184. P. 283−290.
- Iyer S.S., Collins R.T., Canham L.T. (eds.). Light emission from silicon // Mater. Res.Soc.Symp. Proc. 1992. P. 256.
- Herino R., Lang W. (eds.). Porous silicon and related materials // Thin Solid Films.1995.V. 255.
- Vial J.C., Derrien J. (eds.) Porous Silicon Science and Technology, Les Editions de Physique, Les Ullis, Springer Verlag. Berlin 1995.
- Amato G., Delarue C., von Bardeleben H.J. (eds.). Structural and optical properties of porous silicon nanostructures // Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices. Volume 5. 1997. 464 pp. Cloth. ISBN 90−5699−604−5.
- Guinier A., Fournet G. Small-Angle Scattering of X-rays. Wiley, New York. 1995.
- Vezin V., Goudeau P., Naudon A., Halimaoui A., Bomchil G. Characterization of photoluminescent porous Si by small-angle scattering of X-rays // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60 N21. P. 2625−2627.
- Franz H., Petrova-Koch V., Muschik Т., Lehmann V., Peisl J. Small-Angle X-ray scattering Investigation of porous films // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1992. V. 283. P. 133.
- Naudon A., Goudeau P., Vezin V., Vial J.C., Derrien J. (eds.). Porous Silicon Science and Technology. Les Editions de Physique. Les Ullis. Springer Verlag. Berlin. 1995 255 p.
- Heuser B.J., Spooner S., Glinka C.J., Gilliam D.L., Wilson N. A, M.S. Boley M.S. Neutron Reflectivity studies of Porous Silicon films //Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993 V. 283. P. 209.
- Schupler S., Freidman S.L., Murcus M.A., Adler D.L., Xie Y.H., Ross F.M., Harris T.D., Brown W.L., Chabal Y.J., Brus L.E., Citrin P.H. Dimension of Luminescent Oxidized and Porous Silicon Structures // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. P. 26 482 653.
- Xie Y.H., Hybertsen M.S., Wilson W. L, Ipri S.A., Carver G.E., Drown W.L., Dons E., Weir B.E., Kortan A.R., Watson G.P. Liddle A.J. Absortion and Lumincsccncc studies of free standing porous silicon films // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 5386−5391.
- Miyazaki S., Yasaka Т., Okamoto K., Shiba K., Sakamoto K., Hirose M. Current Density Dependence of Microstructure and Lattice Expantion in Porous Silicon Layers studied by X-ray diffractiometry // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1992. V. 256. P. 185.
- Bellet D., Dolino G. X-ray observation of porous silicon wetting // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 162−167.
- Lomov A.A., Bellet D., Dolino G. X-ray Diffraction Study of Thin Porous Silicon Layers //phys.stat.sol.(b). 1995. V.190. P. 219−226.
- Компан М.Е., Кузьминов Е. Г., Кулик В. Б., Новак И. И., Беклемышев В. И. Обнаружение сжатого состояния материала квантовых проволок пористого кремния методом комбинационного рассеяния света // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 64. вып. 10. С. 695−700.
- Fuchs H.D., Stutzmann М., Brandt M.S., Rosenbauer M., Weber J., Breitschwerdt A., Deak P., Cardona M. Porous silicon and siloxene // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. N 11. P. 8172−8189.
- Lomov A., Bellet D., Dolino G., Ligeon M. X-ray diffraction studies of the porous silicon thin layers // 2nd European Symposium «Х-ray Topography and High Resolution Diffaraction» Berlin, Germany, 5−7 September 1994, p.142.
- Bellet D., Dolino G., Ligeon M., Blanc P., Krisch M. Studies of coherent and diffuse X-ray scattering by porous silicon // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. N. 1. P. 145 149.
- Buttard D., Dolino G., Bellet D., Baumbach T. X-ray diffraction and reflectivity studies of thin porous silicon layers // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. V. 452. P. 437−442.
- Bensaid A., Patrat G., Brunei M., de Bergevin F., Herino R. Characterization of porous silicon layers by grazing-Incidence X-ray Fluorescence and Diffraction // Solid State Commun. 1991. V. 79. P. 923−928.
- Buttard D., Bellet D., Baumbach T. X-ray diffraction investigation of porous silicon superlattices // Thin Solid Films. 1996. V. 276. P. 69−70.
- Buttard D., Bellet D., Dolino G. Baumbach T. Thin layers and multilayers of porous silicon: X-ray diffraction investigation // J. of Appl. Phys. 1998. V. 83. N 11. P. 5814−5822.
- Dolino G., Bellet D. X-ray diffraction observation of strains induced by vapor adsorption in porous silicon //Thin Solid Films. 1995. V. 255. P. 132−139.
- Dolino G., Bellet D., Faivre C. Adsorption strains in porous silicon // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. N24. P. 17 919−17 929.
- Jung K.H., Shin S., Kwong D.L., George Т., Lin T.L., Yu H.Y., Zavada J. X-ray study of nanoparticles of silicon embedded in an amorphous silicon dioxide matrix //J. Electrochem. Soc. 1992. V. 139. P. 3363−3368.
- Bustarret E. Ligeon M. Ortega L. Visible Light emission from disordered Si-based continuous and porous thin films // Solid State Commun. 1992. V. 83. P. 461−465.
- Guilinger T.R., Kelly M.J., Chason E.H., Heasley T.J., Howard A.J. Nondestructive Measurement of Porous Silicon Thickness Using X-ray Reflectivity // J. Electrochem. Soc. 1995. V. 142. N 5. P. 1634−1636.
- Балагуров JI.A., Павлов В. Ф., Петрова E.A., Воронина Т. П. Исследование пористого кремния и его старения методом полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии // ФТП. 1997. Т.31. № 8. С. 957−960.
- Меженный М.В., Павлов В. Ф. Рентгеновские дифрактометрические и топографические исследования структурных особенностей пористого кремния // Материалы электронной техники. Атомная структура и методы структурных исследований. 1999. № 3. С. 71−76.
- Metzger Н., Franz Н., Binder М., Peisl I., Petrova-Koch V. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit // J. Lumin. 1993. V. 57. P. 201−204.
- Salditt Т., Metzger Т. H., Brandt Ch" Klemradt U., Peisl J. Determination of the static scaling exponent of self—afflne interfaces by nonspecular x-ray scattering «Phys. Rev. B. 1995. V. 51. N 9. P. 5617−5627.
- Сморгонская Э.А., Кютт P.H., Гордеев C.K., Гречинская А. В., Кукушкина Ю. А., Данишевский A.M. О фрактальном характере структуры нанопористо-гол углерода, полученного из карбидных материалов // ФТТ. 2000. Т. 42. С. 1141−1146.
- Koppensteiner Е., Schuh A, Bauer G., Holy V., Bellet D., Dolino G. Caracteriza-tion of lattice distortion in p+ type porous silicon layers by X-ray Intensity Distribution Around Reciprocal Lattice point // Appl. Phys. Lett. 1994. V 65. P. 1504 -1507.
- Bellet D., Dolino G., Billat S., Ligeon M., Lefebvre S., Bessiere M. Characterization of photoluminescence porous silicon layers studied by X-ray synchrotron diffraction // J. Lumin. 1994. V. 62. P. 49−53.
- Ратников B.B. Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом // ФТТ. 1997. Т. 39. вып. 5. С. 635−641.
- Faivre С., Bellet D. Structural properties of p+ type porous silicon layers versus the substrate orientation: an X-ray diffraction comparative study // J. Appl. Cryst. 1999. V. 32. P. 1134−1144.
- Kyutt R.N., Smorgonskaya E.A., Danishevskii A.M., Gordeev S.K. Carbon nano-clusters in bulk nanoporous carbon studied by ultra-small angle X-ray scattering // Fullerens, Nanotubes, and Carbon Nanostructures. 2004. V. 12. N 1−2. P. 529−533.
- Chamrad V., Dolino G., Stettner J. X-ray scattering study of porous silicon layers // Physica B. 2000. V. 283. P. 135−138.
- Караванский B.A., Ломов A.A., Сутырин А. Г., Имамов P.M., Дравин В. И., Мельник Н. Н., Заварицкая Т. Н. Влияние дефектов на формирование пористых слоев GaP(OOl) // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 912−920.
- Loni A., Canham L.T., Berger M.G., Arens-Fischer R., Munder H., Luth H., Ar-rand II.F., Benson T.M. Porous silicon multilayer optical waveguides // Thin Solid Films. 1996. V. 276. P. 143−146.
- Binder M., Edelmann Т., Metzger H., Peisl I. Structure and correlation in porous silicon studied by X-ray scattering methods // Solid State Communications. 1996. V. 100. N l.P. 13−16.
- Vlieg E., van der Veen J.F., Gurman S.J., Norris C., Macdonald J.E. X-ray diffraction from rough, relaxed and reconstructed surfaces // Surface Science. 1989. V. 210. P. 301−321.
- Vlieg E., van der Gon A.W. Denier, van der Veen J.F., Macdonald J.E., Norris C. Surface X-ray scattering during crystal growth: Ge on Ge (lll) // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 61. P. 2241−2248.
- Афанасьев A.M., Имамов P.M. Эффекты динамической дифракции в методе стоячих рентгеновских волн // Кристаллография. 1995. Т. 40. № 3. С. 446−460.
- Afanas’ev A.M., Aleksandrov Р.А., Imamov R.M., Lomov A.A., Zavyalova A.A. How Thin are Layers Which can be Studied I-ray method. -Abstracts of Eight European Crystallographic Meeting. Liege, Belgium, 1983. P. 230.
- Afanas’ev A.M., Aleksandrov P.A., Imamov R.M., Lomov A.A., Zavyalova A.A. Diffraction scattering at angles far from the Bragg angle and structure of thin susur-face layers// Acta Cryst. 1984. V A40. P. 352−355.
- Afanas’ev A.M., Aleksandrov P.A., Fanshenko S.S., Chaplanov V.A., Yakimov S.S. Asymptotic Bragg Diffraction. Single-Crystal Surface- Adjoining-Layer Structure Analysis // Acta Cryst. 1986. V. A42. P. 116−122.
- Robinson I.K. Crystal truncation rods and surface roughness // Phys. Rev. B. 1986. V. 33. N6. P. 3830−3836.
- Якимов C.C., Чаплапов B.A., Афанасьев А. А., Александров П. А., Имамов P.M., Ломов A.A. Апгстремное разрешение при определении структуры приповерхностных слоев кристалла методом рентгеновской дифракции// Письма вЖЭТФ. 1984. № 1.С. 1−5.
- Afanas’ev A.M., Aleksandrov P.A., Imamov R.M., Lomov A.A., Zavyalova A.A. Three-crystal diffractometry in grazing Bragg-Laue geometry. // Acta Cryst. 1985. V. A41. P. 227−232.
- Afanas’ev A.M., Imamov R.M., Lomov A.A., Margushev Z.Ch., Maslov A.V. Investigation of the structure of real Indium antimonide surfaces by the asimptotic Bragg diffraction method. // Surface Science. 1992. V. 275. P. 131−136.
- Ломов A.A., Завьялова A.A., Маргушев З. Ч. Влияние рельефа кристаллической поверхности па дифракционное рассеяние рентгеновских лучей. // Поверхность. 1990. № 4. С. 152−155.
- Ломов А.А., Осипов А. Ф., Сироченко В. П. Методика исследования приповерхностных слоев монокристаллов кремния методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии. // Заводская лаборатория. 1993. № 2. С. 41−43.
- Афанасьев A.M., Александров П. А., Завьялова А. А., Имамов P.M., Ломов А. А. Трехкристальпые рентгеновские спектры кристаллов с нарушенным слоем в скользящей Брэгг-Лауэ геометрии. // Кристаллография. 1986. Т. 31. С.1066−1069.
- Завьялова А.А., Ломов А. А., В.П. Сироченко, А. Ф. Осипов. Исследование приповерхностных слоев полупроводниковых подложек рентгенодифракци-онными и электрофизическими методами // Кристаллография. 1992. Т. 37. Вып. 2. С. 470−473.
- Выоков J1.A., Емельянов А. В., Ермолов А. В., Завьялова А. А., Ломов А. А., Маргушев З. Ч. Иследование структурных искажений и границ раздела полупроводник-диэлектрик//Кристаллография. 1990. Т. 35. Вып. 1. С. 142−146.
- Ломов А.А., Новиков Д. В., Гоганов Д. А., Гуткевич С. М. Измерение дифракционного рассеяния рентгеновских лучей при скользящих углах падения с использованием координатного детектора. // Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 10. С. 2881−2884.
- Афанасьев A.M., Имамов P.M., Ломов А. А., Новиков Д. В. Однокристальная реализация метода асимптотической брэгговской дифракции. // ФТТ. 1989. Т. 31. № 10. С. 176−181.
- Имамов P.M., Ломов А. А., Новиков Д. В. Использование асимметричной дифракции рентгеновских лучей для исследования сверхтопких аморфных пленок на поверхности совершенных монокристаллов //Поверхность. 1990. № 2. С. 148−149.
- Жовапиик Е.В., Николаев И. Н., Ставкин Д. Т., Шевлюга В. М., Имамов P.M., Ломов А. А. Исследование структуры переходной области Pd—Si (111) при лазерном напылении палладия. // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 5. С. 935−939.
- Imamov R.M., Lomov А.А., Novikov D.V. New Grazing-Incidence X-ray Diffraction Method For Superlattice Investigation // Phys. Stat. Sol. (a). 1991. V. 127. P. 313−319.
- Ломов А.А., Шитов Н. В., Бушуев В. А., Баранов А. И. Структурный фазовый переход в приповерхностном слое монокристаллов дейтеросульфата цезия. // Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. Вып. 5. С. 297−300.
- Ломов A.A. Развитие метода трехкристальной рентгеновской дифрактометри для анализа приповерхностных слоев совершенных монокристаллов. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. Москва. 1987.
- Cathcart J.V., Petersen G.F., Sparks C.J. The Structure of Thin Oxide Films Formed on Nicel Crystals. // J. Electrochem. Soc. Solid State Science. 1969. V. 116. P. 664−668.
- Pasemann M., Pchelyakov O.P. High-resolution structural characterization of the amorphous-crystalline interface by transmission electron microscopy // J. of Cryst. Growth. 1982. V. 58. P. 288−299.
- Степанцев E.A., Завьялова A.A., Кишнева M.E., Ломов А. А. Зависимость электропроводности р-п бикристаллов от структуры составляющих их монокристаллов // ФТП. 1985. Т. 19. С. 2027−2030.
- Вертопрахов В.Н., Зиновьева В. П. Механическое разрушение поверхности монокристаллов Ge, Si и соединений типа АщВу// Физика и химия обработки материалов. 1969. № 4. С. 97−104.
- Bloch R., Bahr D., Olde J., Brugemann, Press W. X-ray diffraction measurements from imperfect GaAs crystals: Evidence for near-surface defects // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N8. P. 5093−5099.
- Ломов A.A., Завьялова A.A., Маргушев З. Ч. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия в исследовании изогнутых монокристаллов // Кристаллография. 1991. Т. 36. № 1.С. 20−24.
- Афанасьев A.M., Александров П. А., Имамов P.M., Завьялова А. А., Ломов А. А. Структура приповерхностного слоя монокристалла после ионно-плазменного травления //ДАН. 1986. Т. 346. С. 67−70.
- Cui S.F., Li J.H., Li M., Li C.R., Gu Y.S., Mai Z.H. Determination of surface roughness of InP (001) wafers by X-ray scattering // J/Appl. Phys. 1994. V. 76. N7. P. 4154−41−58.
- Brugemann L., Bloch R., Press W., Tolan M. Resolution Investigation of X-ray Tree-Crystal Diffractometers //Acta Cryst. 1992. V. A48. P. 688−692.
- Caticha A, Diffraction of X-rays at far tails of the Bragg peaks. II. Darwin dynamic theory // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N 1. P. 33−38.
- Lucas C.A., Gartstein E., Cowley R.A. The resolution function of an X-ray triple crystal diffractometer: comparison of experiment and theory //Acta Cryst. A. 1989. V. 45. P. 416−422.
- Афанасьев A.M., Александров П. А., Завьялова A.A.,. Имамов P.M., Ломов A.A. Трехкристальпая рентгеновская дифрактометрия в скользящей геометрии Брэгг-Лауэ//Докл. АН. СССР. 1985. Т. 281. N 3. С. 581−584.
- Чарный Л.А., Ломов А. А. Особенности спектров трехкристальной дифрактометрии в Брэгг-Лауэ геометрии // Кристаллография. 1993. Т. С.229−2312.
- Aleksandrov Р.А., Afanasiev A.M., Stepanov S.A. Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry // Phys. status solidi (a). 1984. V. 86. P. 143−154.
- Александров П.А., Афанасьев A.M., Степанов C.A. Фактор асимметрии при дифрации рентгеновских лучей в условиях полного внешнего отражения // Кристаллография, 1984, т. 29, вып. 2, с. 197−202.
- Афанасьев A.M., Афанасьев СМ., Александров П. А., Завьялова А. А., Имамов P.M., Ломов А. А. Трехкристальпая рентгеновская дифрактометрия в скользящей Брэгг-Лауэ геометрии с перпендикулярной разверткой // ФТТ. 1985. Т. 27. вып. 8. С. 2284−2291.
- Afanasiev A.M., Afanasiev S.M., Aleksandrov P.A., Imamov P.M., Pashaev E.M. Grassing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films // Phys. status solidi (a). 1984. V. 86. P. K1-K5.
- Мейер Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973.296 с.
- Klappe J.G.E., Barsony I., Ryan T.W. X-ray diffraction analysis of damage and dopping effects in low-dose, high-energy implanted silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 1992. V. 235. P. 185−190.
- Pynn R., Fujii Y., Shirane G. The resolution Function of a Perfect Crystal three Axis Spectrometer//Acta Cryst. 1983. V. A 39. P. 38−46.
- A. H. Тихонов, В. Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач. М: Наука, 1979.405 с.
- Быковский Ю.А., Козлеиков В. П., Николаев И. Н., Соколов IO.C. Повышение адгезии пленок меди на полиамиде при лазерном напылении // Поверхность. 1994. № 3. С. 65−69.
- McWhan D.E. Synthetically Modulated Structures, edited by Chang L.L., Gies-sen B.C. (Academic Press, New York) 1985, Chapt. 2.
- Zigler J., Cao L.X., Bunk 0., Johnsom R.L., Zegenhagen J. In-situ x-ray diffraction study of electrodeposited Pd on Si (lll):H //HASYLAB Annual Report/Part I. 1998. P. 435.
- Dura J. A., Richter C. A., Majkrzak C. F., Nguyen N. V. Neutron reflectometry, x-ray reflectometry, and spectroscopic ellipsometry characterization of thin SiOg on Si. //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. N 15. P. 2131−2133.
- Schleich В., Schmeisser D., Gopel E. On the local structure of Pd-Si interface // Surface Sci. 1987. V. 191. P. 367−373.
- Smolsky I.L., Zaitseva N.P., Rudneva E.B., Bogatyreva S.V. Formation of «hair» inclusion in rapidly grown potassium dihydrogen phosphate crystals // J. of Cryst. Growth. 1996. V. 166. P. 228−233.
- Афанасьев A.M., Зозуля A.B., Ковальчук M.B., Чуев M.A. О фазовой проблеме в трехволиовой рентгеновской дифракции // Письма в ЖЭТФ. 2002. Т. 75. вып. 7. С. 379−384.
- Пиментел Д., Мак Клеман К. Водородная связь. М.: Мир, 1964. 464 с.
- Баранов А.И., Синицын В. В., Понятовский Е. Г., Шувалов JI.A. Фазовые переходы в поверхностных слоях кристаллов гидросульфатов // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 44. № 4. С. 186- 189.
- Меринов Б.В., Баранов А. И., Максимов Б. А., Шувалов JI.A. Кристаллическая структура CsDS04//Кристаллография. 1986. Т. 31. вып. 3. С. 450- 454.
- Iton К., Ozaki Т., Nakamura Е. Structure of Cesium Hydrogensulfate // Acta/ Cryst. B. 1981. V. 37. P. 1908−1909.
- Matsunaga H., Iton K., Nakamura E. X-ray Structural Study of Ferroelectric Cesium Dihydrogen Phosphate at Room Temperature // J. of Phys. Soc. Of Japan. 1980. V. 48. N6. P. 2011−2014.
- Меринов Б.В., Баранов А. И., Шувалов Л. А., Максимов Б. А. Кристаллическая структура суперионпой фазы CsDS04 и фазовые переходы в гидро и дейте-росульфатах цезия // Кристаллография. 1987. Т. 32. вып. 1. С. 86- 92.
- Glasser L. Proton Conduction and Injection in Solids // Chemical Reviews. 1975. V. 75. N 1. P. 21−64.
- Кульбачипский В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. М.: Физ. фак. МГУ, 1998. 164 с.
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Изд-во мир, 1989. -241с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1984. Т. 1−2. 445с.
- Ломов А.А., Маргушев З. Ч., Фанченко С. С. Определение параметров субмикронных гетероэпитаксиальных слоев методом асимптотической брэгговской дифракции // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 5. С. 448−452.
- Zaumseil P. On the Increased Sensitivity of X-ray Rocking Curved Measurements by Triple-Crystal Diffractometry // Phys. status solidi (a). 1985. V. 91. P. K31-K33.
- Казимиров А.Ю., Ковальчук M.B. Кон В. Г. О возможности методов двух- и трехкристальной рентгеновской дафрактометрии в исследовании структурыразупорядоченных поверхностей слоев монокристаллов // Металлофизика. 1987. Т. 9. N 4. С. 54−58.
- Идье В., Драйард Д., Джеймс Ф. Статистические методы в экспериментальной физике. М.: Атомиздат. 1976. 334 с.
- Афанасьев A.M., Чуев М. А., Имамов P.M., Ломов А. А., Пашаев Э. М. Достижения высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в характеризации многослойных гетероструктур. //Поверхность. 1999. № 12. С. 11−20.
- Ломов А.А., Имамов P.M., Гук А.В., Федоров Ю. В., Хабаров Ю. В., Мокеров В. Г. Влияние параметров структуры отдельных слоев на фотолюминесцентные свойства системы InxGa).xAs-GaAs. П Микроэлектроника. 2000. № 6. С. 410−416.
- Афанасьев A.M., Чуев М. А., Имамов P.M., Ломов А. А. Структурные характеристики многослойной системы InxGai.xAs-GaAs. //Кристаллография. 2000. Т. 45. № 4. С. 715−721.
- Афанасьев A.M., Чуев М. А., Имамов P.M., Ломов А. А. Структура границ квантовой ямы In^Ga^As по рентгенодифракциопным данным. //Кристаллография. 2001. Т. 46. № 3. С. 412−421.
- Lomov A. A. Chuev М. A., Galiev G. В. Structural characterization of undoped and Si-doped AlGaAs/GaAs double quantum wells separated by a thin A1A1 layer// SPIE Proceeding ofSPIE. 2004. V. 5401. P. 590−596.
- Ломов A. A., Чуев M. A., Ганин Г. В. Параметры многослойной гетероструктуры по результатам совместного анализа кривых дифракционного отражения от разных кристаллографических плоскостей //Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 10. С.89−95.
- Cirlin Е.М., Vajo I., Doty R.E., Hasenberg T.C. A study of ion beam induced surface roughening and its effect on SIMS depth profiling // J. Vac. Sci. Techn. A. 1991. V. 9. P. 1395−1400.
- Бушуев В. А. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем// ФТТ. 1989. Т. 31. № 11. С. 70−78.
- Servidori М., Fabbri R. Analysis of (п.-п) and (п,-п,+п) x-ray rocking curves of processed silicon //J. Phys. D: Appl. Phys. 1993. V. 26. P. A22-A28.
- Гончарский A.B., Колпаков A.B., Степанов А. А. Обратные задачи вычислительной диагностики нарушенных приповерхностных слоев кристаллов порентгендифракционным данным // Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1986. N 12. С. 66−71.
- Гончарский А. В., Степанов А. А. О единственности решения обратной задачи дифракции рентгеновских лучей на тонких монокристаллах.// Докл. АН СССР. 1986. Т. 287. N 2.С. 309−312.
- Подоров С.Г., Пунегов В. И., Кусиков В. А. К решению обратной задачи кинематической рентгеновской дифракции на неоднородной кристаллической структуре // ФТТ. 1994. Т. 36. № 3. С. 827−835.
- Tapfer L., Ospelt М., von Kanel Н. Monolayer resolution by means of X-ray interference in semiconductor heterostructures // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 12 981 305.
- Крамер Г. Математические методы статистики. М.: Мир, 1975. 353 с.
- Servidori М., Cembali F. Accuracy in X-ray rocking curves analysis as a necessary resuinement for revealing vacancies and interstitials in regrown silicon layers amorphized by ion implantation // J. Appl. Cryst. 1988. V. 21. P. 176−182.
- Klappe J.G.E., Fewster P.F. Fitting of Rocking Curves from Ion Implanted Semiconductors // J. Appl. Cryst. 1993. V. 27. P. 103−110.
- Ilg M., Ploog K. Enhanced In surface segregation during molecular-beam epitaxy of (In, Ga) As on (hll)GaAs for small values of h II Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 11 512−11 515.
- Ferrary C. Bruni M.R., Martelli F., Simeone M.G. InGaAs/GaAs strained single well characterization by high resolution X-ray diffraction // J. of Crystal Growth. 1993. V. 126. P. 144- 150.
- Gulyaev Yu.V., Mokerov V.G., Kaminsky V.E., Guk A.V., Fedorov Yu.V., Kha-barov Yu.V. Optical Spectroscopy pf 2D Electron States in Modulation-Doped N-AlGaAs/GaAs Heterostructures // Photonics and Optoelectronics. 1997. V. 4. N 1. P. 1−12.
- Вайнштейн Б.К., Симонов В. И., Мельников B.A., Товбис А. Б., Андрианов В. И., Сирота М. И., Мурадяп J1.A. Автоматическое рентгеновскоеопределение кристаллических структур // Кристаллография. 1975. Т. 20. вып. 4. С. 710−715.
- Kyutt R.N., Shubina T.V., Sorokin S.V. Solnyshkov D.D., Ivanov S.V., Willander M. X-ray diffraction determination of the interfacestructure of CdSe/BeTe superlattices //J.Phys. D.: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. A166-A170.
- Р.Н.Кютт. Трехкристальная дифрактометрия сверхрешеток и других многослойных эпитаксиальных структур // Металлофизика и новейшие технологии. 2002. Т. 24. С. 497−512.
- В.А. Караванский, А. А. Ломов, Е. В. Ракова, Н. Н. Мельник, Т. Н. Заварицкая, В. А. Бушуев. Диагностика субмикронных люминесцентных пленок пористого кремния // Поверхность. 1999. № 12. С. 32 -39.
- Бушуев В.А., Ломов А. А., Сутырин А.Г, Караванский В. А. Структура пленок пористого кремния по данным рентгеновской рефлектометрии // Перспективные материалы. 2000. № 4. С.25−33.
- Быковский Ю.А., Караванский В. А., Котковский Т. Е., Кузнецов М. Б., Чистяков А. А., Ломов А. А., Гаврилов С. А. Фотографические процессы, стимулированные в нанопористом кремнии мощным лазерным излучением // ЖЭТФ. 2000. Т. 117. № 1 .С.136−144.
- Бушуев В.А., Ломов А. А., Сутырин А. Г. Восстановление профиля распределения плотности приповерхностного слоя в методе рентгеновской рефлектометрии // Кристаллография. 2002. Т. 47. №.4. Стр.741−749.
- Karavanskiy V.A., Lomov А.А., Sutyrin A.G., Bushuev V.A., Loikho N.N., Mel-nikN.N., Zavaritskaya T.N., Bayliss S. Observation of nanocrystals in porous stain-etched germanium // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 197. No ½. P. 144−149.
- Ломов А.А., Бушуев В. А., Караванский В. А., Бэйлисс С. Структура слоев пористого германия по данным высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 2. С. 362−371.
- Karavaskiy V.A., Lomov А.А., Sutyrin A.G., Bushuev V.A., Loikho N.N., Mel-nik N.N., Zavaritskaya T.N., Bayliss S. X-ray and Raman studies of nanocrystals in porous stain-etched germanium. // Thin Solid films. 2003. V. 437/1−2. P. 290−296.
- Ломов А.А., Караванский В. А., Сутырин А. Г., Имамов P.M., Дравин В. А., Мельник Н. Н., Заварицкая Т. Н. Влияние дефектов на формирование пористых слоев GaP(OOl).// Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 912−920.
- Сутырин А.Г., Бушуев В. А., Ломов А. А. Влияние объемных неоднородностей на зеркальное отражение и диффузное рассеяние рентгеновских лучей // Известия РАН. Серия физическая. 2004. № 4. С. 545−550.
- De Boer D.K.G. Influence of the roughness profile on the specular reflectivity of X-rays and neutrons // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N. 9. P. 5817−5822.
- Бушуев B.A., Сутырин А. Г. К вопросу о корректном учете межслойных шероховатостей в рекуррентных формулах Паррата //Поверхность. 2000. № 1. С. 82−85.
- Kieessig Н. Interferenz von Rontgenstrahlen an dunnen schichten // Ann. Phys. 1931. B10. P. 769−788.
- Смирнов Л. А., Анохин С. Б. Интерпретация кривых полного внешнего отражения рентгеновских лучей от поверхности напыленных в вакууме металлических пленок. // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 48. № 3. С. 574−578.
- Goryachev D.N., Belyakov L.V., Sreseli O.M., Yaroshetskii I.D. Some perspectives on the luminescence mechanism via surface -confincd states of porous Gc // Semicond. Sci. Technol. 1995. V. 10. P. 373−376.
- Maeda Y., Tsukamoto N., Yazawa Y., Kanemitsu Y., Matsumoto Y. Intense visible photoluminescence from molecular beam epitaxy porous Sii. xGex grown on Si //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 3168−3172.
- Niquet Y. M., Allan G., Delerue C., Lannoo M. Capped Nanometer Germanium Electronic Materials // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1182.-1186.
- Choi W. K., Ng V., Ng S. P., Thio H. H. Blue and red photoluminescence from Ge+ implanted Si02 films and its multiple mechanism // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 1398−1403.
- Sendova-Vassileva M., Tzenov N., Dimova-Malinovska D., Rosenbauer M., Stutzmann M., Josepovits K.V. Photoluminescence characterization of stain-ctched germanium films // Thin Solid Films. 1995. V. 255. P. 282−286.
- Czachor A. Raman Studies of Ge sputtering amorphous layers // Phys Rev. B. 1985. V. 32. P. 5628−5634.
- Zacharias M, Weigand R., Dietrich В., Stolze K., Biasing J., Veit P., Drusedau Т., Christen J. Optical study of pulsed laser annealing a-Ge:H films // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 2384−2389.
- Kikuta S., Kohra K. X-ray Crystal Collimatore Using Successive Asymmetrik Diffraction and their Applications to Measurements of Diffraction Curves // J. Phys. Soc. Japan. 1970. V. 29. P. 1322−1328.
- Schmuki P., Erickson L.E., Lockwood D.J. Porous Semiconductor Micropattcrns Formed on Focussed Ion Beam Implants // J. of Porous Materials. 2000. V. 7. P. 233−237.
- Xia Z., Ristolainen E.O., Ronkainen H., Saarilahti J., Grahn K., Molarius J. Structural properties of Ge-implanted Si]. xGex layers // Vacuum. 1995. V. 46. N 8−10. C. 1071−1075.
- White C.W., Budai J., Zhu J.G., Withrow S.P., Zuhr R.A., Hembree D.M., Henderson D.O., Ueda A., Tung Y.S., Mu R., Magruder R.H. GaAs nanocrystal formed by sequential ion implantation // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N 4. C. 1876−1880.
- Xu J., Steckl A J. Fabrication of visible photoluminescent Si microstructures by focused ion beam implantation and wet etching // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65(16). P. 2081−2083.
- Mazzone A.M., Rocca G. Three dimensional Monte Carlo simulations — Part I: Implanted profiles for dopant in submicron devices // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1984. V. CAD-3. P. 64−71.
- Gerischer H. Preparation of porous silicon layers by due to electrochemical etching //Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 1965. B. 69. P. S578-S584.
- Yoneda Y. Anomalous surface reflection of X-rays. // Phys. Rev. 1963. V. 131. P. 2010−2013.
- Chamard V., Dolino G., Stettner J. X-Ray-Scattering Study of Porous Silicon Layers. // Physica B. 2000. V. 283. N 1−3. P. 135−138.
- Nevot L., Croce P. Caracterisation Des Surfaces Par Reflexion Rasante de Rayons X. Application A L’etude Du Polissage de Quelqucs Verres Silicates. // Rev. Phys. Appl. 1980. V. 15. N 3. P. 761−779.
- Sinha S. K., Sirota E. В., Garoff S., Stanley H. B. X-ray and neutron scattering from rough surfaces. // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 4. P. 2297−2311.
- Андреев А. В. Симметрийные свойства полей, отраженных шероховатыми поверхностями.//ЖЭТФ. 1996. Т. 110. № 12. С. 2111−2126.