Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
Диссертация
Повышение требований к детальному изучению физических процеа сов в облученных полупроводниках обусловливает необходимость привлечения новых эффективных методов исследований. Экспериментальное изучение механизмов радиационного воздействия на атомном уровне сильно затруднено даже с применением самых современных технических средств. Теоретическое же рассмотрение задачи аналитическими методами… Читать ещё >
Список литературы
- Николаев М.Н., Базазянц H.G. Анизотропия упругого рассеяния нейтронов. М.: Атомиздат, 1972.
- Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. -M.s Мир, 1971.
- Шнейдер А.Д. Получение и исследование физических свойств бесщелевых, узкозонных и широкозонных полупроводников, А В. Автореферат докторской диссертации. Одесса, 1974.
- Конозенко И.Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные дефекты в кремнии.-Киев: Наукова думка, 1974.
- Агранович В.М., Кирсанов В. В. Проблемы моделирования радиационных повревдений в кристалл ах.-Успехи физических наук, т.118, т.1, 1976 г.
- МейрДд., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.: Мир, 1973.1. PkyUcs, 18, /, р. л/i, 1961, p. Ш.
- Коломенская Т.И. Исследование облучения протонами, дейто-нами и оС -частицами средних энергий кремния. Кандидатская диссертация, МГУ, 1970.14. Щалтъи, 7.С.} Toyl
- Физическая электроника, Львов, irt.D.ck. Jfcr&l. PfbCU*. e^inBi&bic^ffouaMv fofovk, v. УIG^Z, p Uso.
- Альберс В. Физическая химия дефектов.- В сб. Физика ип v1химия соединений, А В .-М.: Мир, 1970.
- Андриевский А.И., Ищук В. П., Поливода И. П. Влияние нейтронного и протонного облучения на электрические свойства соединений Те . Материалы 1У Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной. Львов, 1975, с. 29.
- Брудный В.Н. и др. Изменение электрофизических свойств
- Z. и р -типа Cdf Mflbx Те при электронном облучении. Там же, с. 59.
- Заитов Ф.А. и др. Влияние электронного и гамма-облучения на электрофизические свойства твердых растворов1. Там же, с. 43.
- Пасечник М.В. Нейтронная физика.-Киев: из-во АН УСССР, 1969.
- UnM^e<5<Ошл0 т., &jaoti w.1. Zcuuhl cenae&ksu^J^s. ОПа£. fy. ШеЛЛ. TTiJ.. ПГ. 55, -fgeb.jо /.
- Магден И.Н., Сухарев Ю. Г. Новые полупроводниковые приборы. Москва, «Знание», 1975.
- Машинное моделирование при исследовании материалов. Сб. переводов под ред. Позднеева Д. В. -М.: Мир, 1974.
- Бусленко Н.П. Моделирование сложных систем -М.: Наука, 1978.
- Шеннон Р. Имитационное моделирование систем искусство и наука.-М.: Мир, 1978.
- Ермаков С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. -М.: Наука, 1971.
- Соболь И.М. Численные методы Монте-Карло.-М.:Наука, 1973.
- Михайлов Г. А. Некоторые вопросы теории методов Монте-Карло. -Новосибирск: Наука, 1974. iXcMw ww^ ceo^gz «w
- ТПсиЬ.-fyi. ffle.d.Dcufk* ЪЛемЬаё.1. SelU&. sir, n 9, № 6, p 3.
- J^oh^ ScUffviiX • W&i&usi^tzeZotfi.rnvtcUi, IT? f9?0.
- Дэвисон Б. Теория переноса нейтронов.-М.:Атомиздат, 1960.
- Марчук Г. И. Методы расчета ядерных реакторов.-М.: Атомиз-дат, 1961.
- Фролов А.С., Ченцов Н. Н. Решение трех типичных задач теории переноса методом Монте-Карло: В сб. Метод Монте-Карло в проблеме переноса.-М.: Атомиздат, 1967.39. 4f. Мор/мил} ^ fyitfte-ш czrosiu-CLitd S-ta-t**1. Jf!*, p. 3.
- Поляк Ю.Г. Вероятностное моделирование на ЭВМ.-М.: Советское радио, 1971.
- Ищук В.П. 0 вычислении концентрации и энергетического спектра ПСА при нейтронном облучении Cd* tttjf-x ^ (расчет методом Монте-Карло). Физическая электроника, Львов. В.20. Издательство «Вища школа», 1980, с. 40.
- Хирр Р., Штробель Р. Алгол в мониторной системе «Дубна». Изд.2. Препринт ИПМ АН СССР, 1973.
- Ахиезер И.А., Давыдов JI.H. Теория электронного торможения тяжелых ионов в металлах. Успехи физических наук, т.129, в.2, 1979, с. 239.
- Бахвалов Н.С. Численные методы.-М.:Наука, 1973.
- Библиотека алгоритмов (51−100).-М.:Сов. радио, 1975.
- Библиотека алгоритмов (1б 506).-М.:Сов.радио, 1975.
- Березин И.С., Жидков Н. П. Методы вычислений. Т.2. -М.:Наука, 1962.
- Березин И.С., Жидков Н. П. Методы вычислений, Т.1. -№.:Наука, 1962.
- Пугачева Т.С., Ленченко В. М., Акилов Ю.З.
- Расчет пробегов атомов с энергиями до 50 кэВ в твердых телах. Физика и техника полупроводников, № 5, 1971, с. 2032.
- Ибрагимов S.Д., Яркулов У.К.
- Пробег ионов % и ХЯ в аморфном Д. О, «в областиэнергий 4−100 кэВ: В сб. Структура и свойства облученных материалов. Из-во ФАН УзССР, 1S75, с. 24.
- Кулаков В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцов В. М. и др. Под ред. Е. А. Ладыгина. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. -М.: Советское радио, 1980.
- Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники.-М.: Физматгиз, 1963.
- Вавилов B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты» в полупроводниках и полупроводниковых приборах.-М.:Атомиздат, 1969.
- Лейпунский О.И., Новожилов Б. В., Сахаров В. Н. Распространение гамма-квантов в веществе.-М.:Физматгиз, 1960.
- Аккерман А.Ф. Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе. Алма-Ата, из-во ФАН УзССР, 1972.
- Севостьянов Б.А. Ветвящиеся процессы.-М.:Наука, 1971.
- Коршунов Ф.П., Гательский Г. В., Иванов Г. М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. -Минск: из-во «Наука и техника», 1978.
- Под ред. Сидорова Н. А., Князева В. Н. Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций. Справочник.-М.:Сов.ради о, 1976.
- Ищук В.П. Определение глубины проникновения протонов и распределения радиационных дефектов при облучении соединений (расчет методом Монте-Карло). Сборник научных трудов МАИ, Москва, 1983, С.61−6Ц.
- Алексеев Б.В., Ищук В. П. Исследование возникновения структурных дефектов в полупроводниковых соединениях под действием гамма-излучения и быстрых электронов методом Монте-Карло. Сборник научных трудов МАИ, 1984.
- Войцеховский А.В., Лиленко Ю. В. Радиационные дефекты вном облучении. Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 4(23), с.22−24.
- Винецкий В.Л. Некоторые достижения и проблемы радиационной физики полупроводников. Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 1(20), с.3−26.
- Миронов Ю.А. Спектры первично смещенных атомов в полупроводниках от протонов космических энергий. Там же, с. 5661. узкозонных полупроводникахпри электрон
- Брудный В.Н., Войцеховский А. В., Гречух З. Г. Облучение xCdy Те электронами. Физика твердого тела, 1977, т. П, в. 8, о.1540−1544.
- Войцеховский А.В., Коханенко А. П., Лиленко Ю. В., Петров А. С. Время жизни носителей заряда в кристаллах Cd* Те., облученных электронами. Физика и техника полупроводников, 1981, т.15, в.4, с.676−681.
- Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений, -гл. :мир, 1971.
- Инденбом В.Л., Кирсанов В. В., Орлов А. Н. Радиационные дефекты в кристаллах. (Обзор). Вопросы атомной науки и техники. Серия (Гиаика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 2(21), с.3−22.
- Козырев С.П., Водопьянов Л. К. Образование радиационных дефектов в Cdo2 ПРИ ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.5, с. 893.
- Г>раускас Е.В., Каваляускас Ю. Ф., Петров И. Н., Шилейка А. Ю. Профиль распределения дефектов в ионно-имплантированных кристаллахot2 Mfyo, g Те, физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.7, с. 1322.
- Берченко Н.Н., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение.-М.: Воениздат, 1982.1. ПРШГОКЕШЕ 1подпрограмма. simps й1. НАЗНАЧЕНИЕ
- Для заданной дозы облучения нейтронами соединения заданного составах) определение -среднего числа ПСА, приходящегося на один нейтрон, энергетического спектра ПСА (в целом и по компонентам) —
- ОБРАН|ЕШЕ SXA/PSA (М{Х, MV9 BSM, L,&91. MSItfO, TPS A, PRE? г
- CTM/4, tVPSA, EVPSA, MCLOUM, MCl^SP? MCI PSC, MCI PSA, MAECJ1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВ
- Описание формальных параметров процедуры приведено в п. 3.3.
- ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ
- RAMT) генератор псевдослучайных чисел, равномерно распределенных в интервале (0,1) —
- ORtf имитация нормально распределенных чисел с заданными средним значением и дисперсией-- итеративное вычисление (по мере появления реали1. МЕ-А /узаций) среднего значения-
- SP итеративное вычисление дисперсии- щ$р вычисление экспериментального распределения (гистограммы) по мере появления реализаций случайной величины- SI М, IМ•? — подпрограмма имитации источника нейтронов-
- PLCttT вычисление плотности соединенияпо заданному значению молярного состава Л — 1%СОМР- индентификация вида встретившегося атома компоненты соединения-
- ГЪЪСйМ определение смещенности атома встретившейся компоненты соединения-
- PARLfi/V библиотечная подпрограмма интерполяции- PRISP «подпрограмма построения таблицы значений и графика гистограммы энергетического спектра ПСА.1. ЗАМЕЧАНИЯ
- Характерным для процедур ME AW, T) ISP й tfI? T является их использование по мере появления очередного значения из выборки, а не по окончании формирования полной выборки.- ai25
- Содержание других проблемных процедур достаточно подробно описано в п. 3.3. Только некоторые из них (SZMIa/E, Z? MFRA/) детально описываются ниже.
- В основе процедур &MTSV, BMlSp, лежит интерполяции таблично представленных значений соответствующих функций.1. МЕТОД
- Применен метод Монте-Карло щ.* КОММЕНТАРИИ
- Если реализованного числа проигрываний модели (Л/SIMO) недостаточно для заданной точности вычисления количества ПСА, то на АЦПУ ведается
- ЗАДАННАЯ ТОЧНОСТЬ НЕ ГАРАНТИРУЕТСЯ» В противном случае печатается
- ЗАДАННАЯ ТОЧНОСТЬ ГАРАНТИРУЕТСЯ"1. ПОДПРОГРАММА1. НАЗНАЧЕНИЕ
- Моделирование источника нейтронов, позволяющее вычислить характеристики очередного нейтрона.1. ОБРАЩЕНИЕ
- STMT № Tls, I РА/, L, т, WA/, ^ ВМЕ)1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВсреднее значение энергии нейтронов-
- BIS, TXS параметры функции распределения энергиинейтронов в интервале 14 МэВ J -1РЛ/ плотность потока нейтронов-- массив линейных размеров мишени-
- Т интервал времени до появления очередного нейтрона-
- ИМ/ направление (косинусы) потока нейтронов-
- X массив координат соприкосновения нейтрона с поверхностью мишени-
- Efl/E значение энергии очередного нейтрона.1. ПРИМЕЧАНИЯ
- Направление потока нейтронов совпадает с направлением нормали к плоскости мишени.
- ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ1. НА/Vb1. WORM1. МЕТОД
- Согласно /"33J величина ЕЛ/&- определяется выражением
- Е//Е TIS (1 («* * BIS)%-L#®), где реализация случайной величины, равномернораспределенной в интервале (0,1) и Л/R реализация нормально распределенной величины с нулевым математическим ожиданием и единичной дисперсией. ФУНКЦИЯ ST/fF*W1. НАЗНАЧЕНИЕс
- Рачет длины свободного пробега нейтрона.0БРА1ЩИЕ в W (MAS)1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВреализация случайной величины, равномерно распре деленной в интервале (0,1),
- MAS- полное макроскопическое аечение взаимодействия нейтрона с атомом трехкомпонентного соединения.
- ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ Нет.1. МЕТОД
- Согласно одногрупповой теории /зз. длина пробега определяется соотношением1. MAS