Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
Диссертация
Аналитические методы, использующие электроны средних и высоких энергий, нашли широкое применение для диагностики поверхности твёрдого тела. Наряду с классическим методом анализа поверхности — дифракцией электронов низкой энергии (ДЭНЭ, LEED), спектроскопия квазиупруго отражённых быстрых электронов и спектроскопия характеристических потерь энергии позволяют получать информацию о дальнем и ближнем… Читать ещё >
Список литературы
- Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. — И: Москва, Мир, 1968. — 574 с.
- Каули Дж.М. Физика дифракции.-И: Москва, Мир, 197 9 -431 с.
- Spence J.S.H., Zuo J.M. / Electron Microdifraction. -Plenum Press, New York, 1992.
- Estrup P.J., McRae E.G. Surface studies by electron diffraction. Surf.Sci., 1971, v.25, p.1−52.
- Neave J.N., Joyce В.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of Film Growth of GaAs by MBE from RHEED observation. Appl.Phys.A, 1983, v.31, № 1, pp.1−8.
- Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R., Cohen P.I. Damped Oscillations in Reflection High Energy Electron Diffraction during GaAs MBE.
- J.Vac.Sci.Technol.B, 1983, v. l, № 3, pp.741−746.
- Bulgaria): Тез.докл./Comun.Depart.Chem. of BAS 1988, -c.116.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Пошевнев В. И., Терехов A.C., Окорокова Л. Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs обработанной в спиртовых растворах HCl. Поверхность, 1989, № 4, с.147−150.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Пошевнев В. И., Терехов A.C. Пассивация поверхности GaAs в спиртовыхрастворах HCl. Поверхность, 1989, № 10, с.140−144
- XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике (декабрь 1990): Тез. докл/ ФТИ им. А. Ф. Иоффе и Ленингр. политехи, ин-т, 1990 -с.147.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Пошевнев В. И., Соколов P.A., Валишева H.A. Исследование поверхности InAs(lll)A после различных химических обработок с помощью ДЭВЭО и РФЭС. Поверхность, 1992, № 5, с.108−117 .
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Пошевнев В. И. Сверхструктурные перестройки на гранях (111)А и (001) InAs. Поверхность, 1992, № 7, с.59−67.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Мараховка И. И. Динамические сверхструктурные переходы на (001) InAs. в сбор.науч. трудов ИФП СО РАН «Полупроводники 9 6», Н.: ИФП, 1996, — с 238−240.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Пошевнев В. И., Соколов P.A. Резонансное каналирование быстрых электронов в дифракции на отражение в InAs. Поверхность, 1994, № 8, с.81−87.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г. Природа осцилляций зеркального рефлекса в ДЭВЭО от растущих граней кристаллов в МЛЭ. Поверхность, 1995, № 9, с.90−96.
- Галицын Ю.Г., Мансуров В. Г., Мараховка И. И., Петренко И. П. Адсорбционные фазы In на (111)A InAs. -в сбор.науч. трудов ИФП СО РАН «Полупроводники 9 6», Н.: ИФП, 1996, с 236−238.
- Междунар.конф. «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (4−6 ноября 1997, Ташкент): Тез.докл./Ин-т.электроники АН РУ, ТашГТУ, ТашГУ. Ташкент, 1997 г. с. 40.
- Междунар.конф. «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (4−6 ноября 1997, Ташкент): Тез.докл./Ин-т.электроники АН РУ, ТашГТУ, ТашГУ. Ташкент, 1997 г. с. 123.
- Галицын Ю.Г., Мараховка И. И., Мансуров В. Г. Плоскостное каналирование быстрых электронов и систематические брэгговские отражения в дифракции от граней InAs. Поверхность, 1998, № 3, с.59−65.
- Галицын Ю.Г., Мараховка И. И., Мансуров В. Г., Петренко И. П. Соразмерные и несоразмерные фазы In на поверхности (111)A InAs. ФТП, 1998, т.32, в.1, с.89−94 .
- Galitsyn Yu.G., Mansurov V.G., Moshchenko S.P. Indium Phases on a (111)A InAs Surface. PLDS, 1998, V.11/12, p.111−124.
- IV-Российская конференция по физике полупроводников (25−29 октября 1999): Тез.док. / ИФП СО РАН, Ак.городок. Н.:ИФП, ОМЕГА ПРИНТ, 1999 г. — с.147.
- IV-Российская конференция по физике полупроводников (25−29 октября 1999): Тез.док. / ИФП СО РАН, Ак.городок. H.:ИФП, ОМЕГА ПРИНТ, 1999 г. — с 197
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 560 с.
- Larsen Р.К., Dobson P.J., Neave.J.H., Joyce В.А., Bolger В., Zhang J. Dynamic effects in RHEED from MBE Grown GaAs (OOl) Surfaces. Surf.Sci., 1986, v.169, p.176−196.
- Gajdardziska-Jousifovska M., Cowley J.M. Brillouin Zones and Kikuchi Lines for Crystals Under Electron Channeling Conditions. Acta Cryst., 1991, v. A47, p.74−82 .
- Peng L.-M., Whelan M.J. A General Matrix Representation of the Dynamical Theory of Electron Diffraction. Proc.R.Soc.Lond.A, 1990, v.431, pp.111−123, and pp.125−142.
- R.Collela. n-Beam dynamical diffraction of High-energy electrons at glancing incidence. General theory and computational methods. Acta.Cryst., 1972, A28, P.11−15.
- R.Collela and J.F.Menadue. Comparison of experimental and n-beam calculated intensities for glancing incidence high-energy electron diffraction. Acta.Cryst., 1972, A28, P.16−22.
- К.Britz and G. Meyer-Ehmsen. High Energy Electron Diffraction at Si (001) Surface. Surf.Sci., 1978, v. 77, pp.131−141.
- Maksym P.A., Beeby J.L. A Theory of RHEED. Surf.Sci., 1981, v.110, p.423−438
- Dudarev S.L., Whelan M.J. Resonance Scattering of High Energy Electrons by a Crystal Surface. Intern.J.Modern Phys. B, 1996, v.10, № 2, pp.133−168
- Peng L.-M. Dynamical theory of spot intensity in RHEED. Surf. Sci., 1989, v.222, p.296
- Ma Y., Marks L.D. Bloch-wave solution in the Bragg case. Acta Crystallogr., 1989, v. A45, p.174
- Peng L.-M., Whelan M.J. Surface Superlattice Reflections and Kinematical Approximation in RHEED.-Acta Crist., 1991, v. A47, p.95
- G.Meyer-Ehmsen. Direct calculation of the dynamical reflectivity matrix for RHEED.- Surf.Sci., 1989, v.219, p.177, .
- Z.Mitura, M. Jalochowski, M.Subotowich. Computer Study of the Influence of Thermal Vibrations on the RHEED Intensity. Phys.Lett., 1990, A.150, p.51.
- Ichimiya A. Many-Beam Calculation of Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) Intensities by the Multi-Slice Method. Japan.Journ.Appl.Phys., 1983, v.22, № 1, p.176−180.
- Ichimiya A., Kohmoto S., Nakahara H., Horio Y. Theory of RHEED and application to surface structure studies. Ultramicroscopy, 1993, v.48, pp.425−432.
- Smith A.E., Linch D.F. Surface resonance effects in high and low-energy electron diffraction patterns in molybdenite. Acta.Cryst., 1988, A44, p.780.
- Smith A.E., Lehmpfuhl G., Uchida Y. A comparison between experimental and calculated convergent beam RHEED patterns from the Pt (lll) surface Ultramicroscopy, 1992, v.41, p.367−373.
- Zhao T. S., Poon H.C., Tong S. Y. Invariant-Embedding R-matrix Scheme for Reflection High-Energy Electron Diffraction. Phys.Rev.B, 1988, v.38, № 2, pp.11 721 182.
- Zhao T.S., Tong S. Y. R-matrix method for calculating wave functions in reflection high-energy electron diffraction. Phys.Rev.B, 1993, v.47, № 7, p.3923−3928.
- Peng L.-M., Cowley J.M. Dynamical diffraction calculations for RHEED and REM. Acta Crystallogr., 1986, v. A42, pp.545−552.
- Wang Z.L. A multislice theory of electron inelastic scattering in a solid. Philos.Mag., 1989, v. 60, p.617 .
- Ma Y., Marks L.D. Bloch Waves and Multislice in Transmission and Reflection Diffraction. Acta Crystallogr., 1990, A46, p.11−32.
- Ma Y., Marks L.D. A Robust Solution for RHEED Acta Crystallogr., 1991, A47, p.707−715.
- S.Lordi, Y. Ma, J.A.Eades. Comparison of Calculated and Experimental Convergent-Beam RHEED Patterns from MgO (lOO). Ultramicroscopy, 1994, V.55, p.284−292.
- S.Miyake, K. Kohra, M.Takagi. The nature of the specular reflection of electrons from a crystal surface. Acta Crystallogr., 1954, v.7, p.393−401.
- K.Kohra, K. Molliere, S. Nakano, M.Ariyama. Diffraction of electrons from a crystal surface.
- J.Phys.Soc.Jpn. suppl. B-II, 1962, p.82.
- Miyake S., Hayakawa K. Resonance Effects in Low and High Energy Electron Diffraction by Crystals. Acta Crystallogr. A, 1970, v.26, p.60−70.
- Ichimiya A., Kambe K., Lehmpfuhl G. Observation of the Surface State Resonance Effect by the Convergent Beam RHEED Technique. Jorn.Phys.Soc. of Japan, 1980, v.49, № 2, p.684−688.
- Uchida Y., Lehmpfuhl G., J.Jager. Diect imaging of atomic steps in reflection electron microscopy. Ultramicroscopy, 1984, v.15, p.119.
- Hsu T., Peng L.-M. Experimental studies of atomic step contrast in reflection electron microscopy (REM). Ultramicroscopy, 1987, v.22, pp.217−224.
- Peng L.-M., Cowley J.M. Geometric Analysis of Surface Resonance Conditions in Reflection High Energy Electron Diffraction. Journ. Electron Microscopy Technique, 1987, v.6, pp.43−53.
- Peng L.-M., Cowley J.M. Experimental Study of Surface Resonance Scattering Processes in RHEED. Surf.Sci., 1988, v.201, pp.559−572.
- Peng L.-M., Cowley J.M., Yao N. The Observation of Surface Resonance Effects in RHEED Patterns. Ultramicroscopy, 1988, v.26, pp.189−194.
- Wang Z.L., Liu J., Ping Lu, Cowley J.M. Electron Resonance Reflections from Perfect Crystal Surfaces and Surface with Steps. Ultramicroscopy, 1989, v.27, p.101−112.
- Yao N., Cowley J.M. The Parabolas and Circles in RHEED Patterns. Ultramicroscopy, 1989, v.31, p.149−157 .
- Cowley J.M. Imaging and analysis of surfaces with high spatial resolution. J.Vac.Sci.Technol.A, 1989, v.7, № 4, p.2823−2828.
- Yao N., Cowley J.M. Electron Difraction Conditions and Surface Imaging in Reflection Electron Microscopy. Ultramicroscopy, 1990, v.33, p.237−254.
- Lehmpfuhl G., Dowell W.C.T. Convergent-Beam Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) Observations from an Si (111) Surface. Acta Crist., 1986, v. A42, p.569−577.
- Smith E., Lehmpfuhl G., Uchida Y. A comparison between experimental and calculated convergent beam RHEED patterns from the Pt (lll) surface. Ultramicroscopy, 1992, v.41, p.367−373.
- James R., Bird D.M., Wright A.G. Smooth Parabolas in Transmission Electron Diffraction Patterns. Acta Cryst., 1994, v. A50, p.357−366.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Наука, 1974 — с 633.
- Miyake S., Hayakawa К. Resonance Effects in Low and High Energy Electron Diffraction by Crystals Acta Cryst., 1970, v. A26, p60−70.
- Marten H., Meyer-Ehmsen G. Resonance Effects in RHEED from Pt (lll).- Surf.Sci., 1985, v.151, p.570−584
- Peng L.-M. Bloch wave origin of surface resonance scattering in RHEED. Surf.Sci., 1994, v.316, L1049-L1054 .
- Bleloch A.L., Howie A., Milne R.H., Walls M.G. Elastic and Inelastic Scattering Effects in Reflection Electron Microscopy. Ultramicroscopy, 1989, v.29, p.175−182.
- Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже-и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.1. М.:Мир, 1987 598 с.
- Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Йоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. М.: Мир, 1971 — 493с.
- Alnot P., Wyczisk F., Friederich A. Photoelectron spectroscopy study of chemically etched GaAs. Surf. Sci., 1985, v.162., № 1−3, p.708−716.
- Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthauer F.J. Cleaning chemistry of GaAs (100) and InSb (100) substrates for molecular beam epitaxi. J.Vac. Sci. Technol. 1983. V. Bl. № 3. P. 791−794.
- Saletes A., Massies J., Contour J.P. Residual Carbon and Oxigen Surface Contamination of Chemically Etched GaAs (001) substrates. Jap.J.Appl.Phys., 1986, v.25, № 1, p. L48-L51.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции.1. М.:Наука, 1987. с 210.
- Massies J., Contour J.P. In Situ Deoxidation of GaAs Substrates by HC1 Gas. Japan.J.Appl.Phys., 1987, v.26, № 1, pp. L38-L40.
- Frese K.W., Morisson S.R. Passivation and interface studies on n-GaAs. Appl.Surf.Sci., 1981, v.8., N1, p.266−277.
- Fridel P., Landesman J.-P., Boher P., Schneider J. Cleaning and nitridation of GaAs-surfaces in multipolar plasmas. J.Vac.Sci. and Technol., 1987, V. B5, N4, pp.1129−1134.
- Kawai N.J., Nakagawa T., Kojima T., Ohta K., Kawashima M. Passivation of GaAs surface by As layers. Electron. Lett. 1984. V.20. N1. P.47.
- Etienne P., Alnot P., Rochette J. F, Massies J. Auger Electron spectroscopy Sputter Depth Profiles on AlxGaixAs Protected by As and GaAs Ultrathin Layers. J.Vac.Sci.Technol. B, 1986, v.4, № 6, pp.1301−1305.
- Bringans R.D., Uhrberg R.I.G., Bachrach R.Z., Nortrup J.E. Arsenic -Terminated Ge (lll): An Ideal 1×1 Surface. Phys.Rev.Lett., 1985, v.55, № 5, p.533
- Hashizume T., Xue Q.K., Zhou J., Ichimiya A., Sakurai T. Structures of As-Rich GaAs (001)-(2×4) Reconstructions. Phys.Rev.Lett., 1994, v.73, № 16, p.2208−2211.
- Avery A.R., Holmes D.M., Sudijono J., Jones T.S., Joyce B.A. The As-terminated reconstructions formed by GaAs (001): a scanning tunneling microscopy study of the (2×4) and c (4×4) surfaces. Surf.sci., 1995, v.323, p.91−101.
- Sandroff C. J, Nottenburg R.N., Bischoff J.C., Bhat R. Dramatic enhancement in the gain of GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistorby surface chemical passivation. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 1. P. 33.
- Carpenter M.S., Melloch M.R., Landstrom M.S., Tobin S.P. Effects of Na2S and (NH4)2SX edge passivation treatments on the dark current-volage characteristics of GaAs p-n diodes. Appt. Phys. Lett. 198 8 V.52, N25, P 2157
- Carpenter M.S., Melloch M.R., Dungan T.E. Shottki barier formation on (NH4)2S-treated n- and p-type (100)GaAs Appl.Phys.Lett. 1988. V.53. N1. P.67−68.
- Nottenburg R.N., Sandroff C.J., Humphrey D.A. Near-ideal transport in an AlGaAs/GaAs heterostructure bipolar transistorby Na2S regrowth J.Appl.Phys.1988. V.27. N12. P. L2367
- Yablonovitch E., Sandroff C.J., Bhat R., Guitter T. Nearli ideal electronic properties of sulfur coated GaAs surfaces Appl. Phys. Lett. 1987. V.51. № 6. P.439.
- Oigawa H., Fan J.-F., Nannichi Y., Ando K., Saiki K., Koma A. Studies on an (NH4) 2SX-Treated GaAs Surface using AES, LEELS and RHEED.- Japan. J. AppL Phys. 1989. V.28. N3. P. L340-L342.
- Hirayama H., Matsumoto Y., Oigawa H., Nannichi Y. Reflection high-energy electron diffraction and X-ray photoelectron spectroscopic study on (NH4)2Sx-treated GaAs (001) surfaces. Appl.Phys.Lett., 1989, V.54, № 25, P.2565.
- Sandroff C.J., Hegde M.S., Farrow L. A., Chang C.C., Harbison J.P. Electronic passivation of GaAs surfaces through the formation of arsenic-sulfur bonds. -Appl.Phys.Lett. 1989. V. 54. N 4. P. 362.
- Wilmsen C.W., Kirchner P.P., Woodal J.M. Effects of N2,02 and H20 on GaAs passivated by photowashing or coating with Na2S-9H20. J.Vac.Sei. and Technol., 1989, V. B7, № 4, P.851.
- Ren S.-F., Chang Y.-C. Electronic Properties of Sulfur Treated GaAs (OOl) Surfaces. Phys.Rev. 1990. V. B41. N.ll. P.7705.
- Nannichi Y., Fan J.-F., Oigawa H., Koma A. A model to explain the effective passivation of the GaAs surface by (NH4)2SX treatment Japan. J.Appl.Phys. 1988. V. 27., N 12., P. L2367.
- Moison J.M., Bensoussan M, Houzay F. Epitaxial regrowth of an InAs surface on InP: an example of artificial surface. Phys.Rev. 1986. V. B34. № 3. P. 2018 .
- Laurence G., Simondet F., Saget P. Combined RHEED-AES Study of the Thermal Treatment of (001)GaAs Surface Prior to MBE Growth. Appl.Phys., 197 9, v.19, pp.63−70.
- Ueno K., Shimada T., Saiki K., Koma A. Heteroepitaxial growth of layered transition metal dichalcogenides on sulfur-terminated GaAs (111) surfaces. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. № 4. P. 327 .
- Chadi D.J. Vacancy-Indused 2×2 Reconstruction of the Ga (lll) Surface of GaAs. Phys.Rev.Lett, 1984, V.52, N21, pp.1911−1914.
- Noreika A.J., Francombe M.N., Wood C.E.C. Growth of Sb and InSb by molecular-beam epitaxy.- J. Appl Phys., 1981, V.52, P.7416.
- Haberern K.W., Pashley M.D. GaAs (111)A-(2×2) Reconstruction Studied by Scanning Tunneling Microscopy. Phys.Rev.B, 1990, v.41, № 5, pp.32 263 229.
- Bohr J., Feidenhansl R., Nielsen M., Toney M., Johnson R.L., Robinson I.K. Model-Independent Structure Determination of the InSb (lll)2×2 Surface with Use of Synchrotron X-Ray Diffraction. Phys.Rev.Lett., 1985, v.54, № 12, pp.1275−1278 .
- Kaxiras E., Bar-Yam Y., Joannopoulos J.D., Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. I. Methodology and the (2×2) reconstructions of GaAs (lll). Phys.Rev.B, 1987, v.35, № 18, pp.9625−9635.
- Thornton J.M.S., Unsworth P., Jackson M.D., Weightman P., Woolf D.A. Existance of Ga-vacancy and As-trimer induced (2×2) phases on the GaAs (lll)A surface. Surf.Sci., 1994, v.316, pp.231−237.
- Pukite P.R., Lent C.S., Cohen P.I. Diffraction from Stepped Surfaces. II. Arbitrary terrace distributions- Surf.Sci., 1985, v.161, pp.39−68.
- Larsen P.K., Chadi D.J. Surface structure of As-stabilized GaAs (OOl): 2×4, c (2×8) and domain structures. Phys.rev.В, 198 8, v.37,№ 14, p.8282−8288
- Калашников Н.П., Ремизович B.C., Рязанов М. И. Столкновения быстрых заряженных частиц в твердых телах. М.:Атомиздат, 1980, С. 212.
- Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. У.Ф.Н., 1969, Т.99, С. 249.
- Doyle P.A., Turner P. S. Relativistic Hartree-Fock X-ray and electron scattering factors. Acta Crystallogr., 1968, V. A24, N3, P.390.
- Whelan M.J. On the Usefulness of the Concept of the Dispersion Surface Introdused by Professor P.P.Ewald. Act.Cryst., 1986, V.42, P.493.
- Дударев С.Л. Объемное резонансное рассеяние быстрых электронов в кристаллах. Письма в ЖЭТФ, 1991, том 53, вып. 2, с.112−115.
- Ястребов Л.И., Кацпельсон А. А. Основы одно-электронной теории твердого тела. М.:Наука, 1981, с. 48
- Woolf D.A., Westwood D.J., Williams R.H. Surface reconstructions of GaAs (lll)A and (lll)B: A static surface phase study by reflection high-energy electron diffraction Appl.Phys.Lett., 1993, v. 62, p.1370
- Savage D.E., Lagally M.G. Reflection high-energy electron diffraction study of the growth of In on GaAs (110) at different temperatures.
- J.Vac.Sci.Technol., 1986, v.4, p.943.
- Ichikawa T. RHEED study of In-induced superstructures on Ge (lll) surfaces. Surf.Sci., 1981, v. lll, p.227
- Monch W. /Semiconductor Surfaces and Interfaces. -Springer, Berlin, 1993 p.180
- Ganz E., Hwang I., Xiong F., Golovchenko J. Growth and morphology of Pb on Si (111) Surf. Sci., 1991, v.257, p.259−273.
- Weitering H., Heslinga D., Hibma T. Strucrture and growth of epitaxial Pb on Si (lll). Phys.Rev.B, 1992, v.45, p.5991.
- Heine V., Weaire D. Structure of Di- and Trivalent metals. Phys.Rev.B, 1966, v.152, p.603
- Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of Film Growth of GaAs by MBE from RHEED Observation. Appl.Phys., 1983, V. A31, P.1−8.
- Knibb M.G., Maksym P.A. The effect of reconstruction on RHEED intensities for GaAs (001) (2×4) surface. Surf.Sci. 1988. V.195. P.475−498.
- Clarke S., Vvedensky D.D. Growth kinetics and step density in reflection high-energy electron diffraction during molecular-beam epitaxy
- J.Appl.Phys., 1988, V63, N7, P.2272.
- Eds. Larsen P.K., Dobson P.J. RHEED and reflection electron imaging of surface. New York: Plenum Press. 1988, p.271
- Harris J.J., Joyce B.A., Dobson P.J. Comments on «RED intencity oscillations durin MBE of GaAs» -Surf. Sci., 1981, V.103, P. L90.
- Zhang J., Neave J.H., Dobson P.J., Joyce B.A., Effects of Diffraction Conditions and Processes on RHEED Intencity Oscillations During the MBE Growth of GaAs. Appl.Phys., 1987, V. A42, pp.317−326.
- Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R., Cohen P.J. Damped oscillations in reflection high energy electron diffraction during GaAs MBE J.Vac.Sci. Technol., 1983, V. B1, N3, pp.741−746.
- Petrich G.S., Pukite P.R., Wowchak A.M., Cohen P.I., Arrott A.S. On the origin of RHEED intensity oscillations. Surface Science, 1989, V.216, P.222−248 .
- Lehmpfuhl G., Ichimiya A., Nakahara H. Interpretation of RHEED oscillation during MBE growth. Surf.Sci.Letters, 1991, v.245, P. L159−162.
- Braun W., Daweritz L., Ploog K.H. Origin of Electron Diffraction during Crystal Growth. -Phys.Rev.Lett., 1998, v.80, N22, pp.4935−4938
- Kawamura T., Maksym P.A. RHEED from stepped surfaces and its relation to RHEED intensity oscillations observed during MBE. Surf. Sci., 1985, V.161, P.12−24.
- Peng L.-M., Whelan M.J. Dynamical calculations for RHEED from MBE growing surfaces. I. Growth on a low-index surface. Proc.R.Soc. Lond. A, 1991, V.432,1. P.195−213.
- Zhang J., Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Fawcett P.N. Specular beam intensity oscillations during MBE growth.-Surf. Sci., 1990, V.231. P.379.
- S.Miyake, K. Kohra, M.Takagi. The nature of the specular reflection of electrons from a crystal surface. Acta Crystallogr., 1954, v.7, p.393−401
- Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J., Dobson P.J. RHEED intensity oscillations during MBE growth of III-V compaunds- an Overview. in book «RHEED and REM of Surfaces» edited by P.K.Larsen, P.J.Dobson — Plenum Press, Ney-York, 1988, pp.397−417.
- Reginski K., Lamin M.A., Mashanov V.I., Pchelyakov O.P., Sokolov L.V. RHEED intensity oscillations from Si (111) surface in the presence of surface resonance. Surf.Sci., 1995, v.327, pp.93−99