Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2

Диссертация: Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кристаллы соединений типа Т1Вх2 являются анизотропными со слоистыми структурами и имеют ряд особенностей, отличающих их от классических полупроводников. Из этого класса материалов весьма интересными являются соединения с общей формулой TIGq Х2 «ширина запрещенной зоны которых меняется в интервале 2−3 эВ. Одним из путей получения материалов с широким набором параметров, отвечающим требованиям… Читать ещё >

Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
  • TlGoSJe^ ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
    • I. I. Краткий литературный обзор физических свойств таллий-галяяевых сульфидов и седенидов
      • 1. 2. Физико-химические свойства твердых раотворов
  • TIGqS2x&2"-X).V
    • 1. 3. Синтез и выращивание монокристаллов
  • Резюме
    • ГЛАВА II. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КРАЯ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ МОНОШСТАЛЛОВ TlGoSJe^
  • ПРИ Х^ I
    • 2. 1. Спектр и форма края основной полосы поглощения в полупроводниках
    • 2. 2. Методика эксперимента
    • 2. 3. Формирование края собственного поглощения монокристаллов и / lGoSe
    • 2. 4. Край полосы поглощения TIGqS2x$€ 2(←x) 45 Резюме
  • ГЛАВА III. СТРУКТУРА ОСНОВНЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ И ОПТИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzySe^-x)
    • 3. 1. О методике измерения диффузного отражения я обработке экспериментальных данных
    • 3. 2. Межзонные переходы соединений
  • TlGoSe, л ТШаОг
    • 3. 3. Спектр диффузного отражения твердых растворов
  • TlGaS2?e2(1.x) в интервале энергии 2*6 эВ
    • 3. 4. Диффузное отражение и механизм формирования края собственной полосы поглощения TIGqSzk^sO-x)*
    • 3. 5. Дисперсия края полосы собственного поглощения в монокристаллах TlGoSz «TlGoSe
    • 3. 6. Собственная интерференция и дисперсия у края собственной полосы поглощения TIGqS2, TIGaSSe,
  • TlGaSe?
  • Резше
  • ГЛАВА 1. У. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ В
  • ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzxSez (i.x)
    • 4. 1. Температурная зависимость электропроводности монокристаллов TIGq$ 2xS~2(f-x) при постоянном токе
    • 4. 2. Частотная и температурная зависимости электропроводности монокристаллов TlGoS^S^fy-x) в переменном токе
    • 4. 3. Примесная фотопроводимость монокристаллов
    • 710. о$ 2х$ег (4'х) .»
      • 4. 4. Термостимулированные токи соединения ТЫ
  • TIGoSet, TIGaSSe. .. .-щ
    • 4. 4. 1. Термостимулированные проводимости TIGaSz
  • TlGaSe?, TIGaSSe. h
    • 4. 4. 2. Термостимулированные деполяризации TIGqS
    • 4. 5. Температурное гашение фотопроводимости TIGqS л TlGoSe
  • Резюме
    • ГЛАВА V. Ф0Т0В0ЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ СИСТЕМЫ TIGQ Xz’CdSe
    • 5. 1. Изготовление гетеропереходов /IbQX? ~ CdSe
    • 5. 2. Спектральная характеристика фотоюльтаического эффекта в системе Ад- Wo*- Cd&e
    • 5. 3. Характеристики системы Ад- ТШахг — CdSe в фотодиодном режиме
  • Резюме

Дроведенные за последние пятнадцать лет в Институте физики АН Азерб. ССР исследования физических свойств соединений типа.

Т1Вх2 (где В" Go, ХТе, S, Se) показали, что они перспективны для практического применения. На основе этих исследований предложены приемники для видимой и ближней инфракрасной области, высокочувствительные детекторы душ мощных лазерных лучей и жесткого излучения, обнаружены индуцированное излучение, фоторезистивный, фотоакустический, электрооптический эффекты и вольташерные характеристики типа N, S и т. д.

Кристаллы соединений типа Т1Вх2 являются анизотропными со слоистыми структурами и имеют ряд особенностей, отличающих их от классических полупроводников. Из этого класса материалов весьма интересными являются соединения с общей формулой TIGq Х2 «ширина запрещенной зоны которых меняется в интервале 2−3 эВ. Одним из путей получения материалов с широким набором параметров, отвечающим требованиям твердотельной электроники является варьирование состава сложных полупроводниковых соединений. В этом отношении большой интерес представляет исследование системы TlGa$ 2~Эти исследования могут, с одной стороны, выявить новые экспериментальные факты, которых невозможно заранее предсказать, с другой стороны, полученные экспериментальные закономерности дают возможность более глубокого понимания физических процессов, происходящих в сложных слоистых материалах. Исследование электронных свойств соединений типа TIGQS2 й твеРда растворов на их основе как новых полупроводниковых материалов необходимо для поиска подходящих материалов для нужд твердотельной электроники.

До предпринятых в данной работе исследований оптические свойства TlGoS^были изучены недостаточно полно. Энергетические зоны соединений типа TI^qSz (к которым относятся ТЮй&-2 и ТШАо-х)) не исследованы ни экспериментально, ни теоретически. В литературе отсутствуют сведения о параметрах локальных уровней и закономерностях их распределения в запрещенной зоне* Необходимость изучения примесных центров в поду проводниках TlGoS^Se2(/-х) связана с тем, что в этих материалах, как в широко зонных поду проводниках" при формировании их физических свойств примеси играют важную роль. Кроме того, на основе полупроводников с глубокими уровнями можно создать различные типы твердотельных приборов.

Остаются также неизученными электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов Т1&0 $ 2х$?2((-х).

Поэтов исследование новых сложных слоистых материалов TlGoSJe^) являются одним из актуальных вопросов физики полупроводников.

Целью настоящей работы являлось установление характера оптических переходов в области края фундаментального поглощения, определение параметров зонной структуры и энергетического спектра, локальных состояний в запрещенной зоне и выявление возможности применения в полупроводниковой электронике.

В соответствии с поставленной перед работой целью требовалось решить следующие задачи:

1. Подучить монокристаллы TIGqSzx2(/-x).

2. Определить энергетические параметры зонной структуры и характер оптических переходов в монокристаллах TIG0S2 *.

TlGoScg 113 основе исследования оптического поглощения (в монокристаллах и тонких слоях), зеркального и диффузного отражения.

3. Исследовать дисперсию показателя преломления соединений типа TIGoS2 в области края собственной полосы поглощения.

4. Установить спектр локальных уровней и возможные электронные переходы в монокристаллах TIGaS,, TIGoSSe, ТЫ,.

5, Определить возможности изменения полупроводниковых параметров ТЮоЗях&гО-х) да варьировании состава.

Научная новизна и практическая значимость работы.

Получены крупные совершенные монокристаллы твердых растворов TlGo$ 2x^2fr-x) методом направленной кристаллизации.

Впервые исследован механизм проводимости в монокристаллах.

TlGoSzx^&O-x) показано, что при низких температурах (до 400 К) существенную роль в проводимости играет прыжковый механизм.

Впервые в монокристаллах TLGqS^&C^x) наблюден частотно-компенсационный эффект (ЧКЭ).

Впервые в кристаллах Т1в0 $ 2х$^2(*-х) определена пороговая энергия прямых и непрямых оптических переходов и прямых экситон-ных переходов.

Впервые при 110 К определены концентрационные зависимости пороговых энергий прямых оптических переходов и максимумов полосы экситонного поглощения и установлено, что в кристаллах Tl&aSz и Ша$е2 природа оптических переходов у края собственной полосы поглощения отличается.

Впервые определены межзонные расстояния в монокристаллах.

ТКэО&2х$ег (1-х) в интервале 2−6 эВ.

Уточнены методы определения оптических констант с учетом многократного отражения и впервые изучена дисперсия показателя преломления монокристаллов и TlGoSe? у края полосы собственного поглощения.

Впервые изучена структура локализованных состояний в запрещенной зоне нелегированных монокристаллов TIGqSzx&^o-x) методом ТСТ, ТСД, температурной зависимости проводимости и определены параметры глубоких и мелких примесей.

Впервые разработаны двухдиапазонные и двухбарверные фо-товольтаические элементы на основе TIGqX2. имеющие фоточувствительность в интервале I +3 эВ.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ПРЕДСТАВЛЕННЫЕ К ЗАЩИТЕ:

1. В соединениях TIGqS2x$^2({-x) в температурной области (80+400) К существенную роль играет прыжковый механизм, проводимости, приводящий к возникновению частотно-компенсационного эффекта.

2. Край полосы поглощения кристаллов TIGqS2x в интервале температур 100−300 К формируется прямыми и непрямыми переходами в экситонные состояния. <

3. Электронные состояния, формирующие потолок (дно) валентной зоны (зоны проводимости в кристаллах TlGoS^ и TlGoSe? различны.

4. В кристаллах TIGqS2x) процессы переноса заряда осуществляются с участием примесных центров, роль которых изменяется в зависимости от температуры и состава кристаллов «X» .

Результаты проведенных экспериментальных исследований отражены в пяти главах диссертация.

В первой главе дается литературный обзор о физических свойствах соединений «я TIGoSe, я физико-химических свойствах соединений TIGqSzx&zO-x) • 3Десь приведен также режим синтеза и выращивания монокристаллов 7Шо$ 2х>5 € 2(/-х).

Во второй главе изложены результаты исследований оптических свойств монокристаллов TIGqS2 я TlGoSeg и твердых растворов на их основе у края собственной полосы поглощения. Изучен край собственной полосы поглощения монокристаллов.

Tl (jO$ 2x$fy (4-x) моноклинной структуры в температурном интервале 100−300 К. Установлено, что край собственной полосы поглощения соединений TIGqS2х-х) формируется прямыми и непрямыми переходами при участии экситонного поглощения. Установлены концентрационные зависимости пороговой энергии оптических переходов и максимума экситонного поглощения в твердых растворах TlGoS^ В третьей главе приведены результаты исследования спектров зеркального и диффузного отражения в монокристаллах TIGqS2 и TlGoSfy * йз К0Т0РЫХ определены энергии межзонных переходов в собственной полосе поглощения. В § 3.3 данной главе изложены результаты измерения диффузного отражения в TIGqS2x20-х) На основании этих данных определены энергии межзонных переходов в интервале 2+6 эВ и установлен характер формирования края полосы поглощения в собственной и примесной областях.

В этой же главе приведены результаты исследования дисперсии показателя преломления монокристаллов TlGaSz и TlGoSe2 с учетом многократного отражения.

Здесь же изложены результаты исследования аномальной дисперсии в кристаллах TlGoSz. TlGctSSe и TlGoSez методом собственной интерференции. Установлено, что методом собственной интерференции можно обнаружить экситоны в кристаллах типа Т/ваЗг при комнатной температуре.

Обнаружена модуляция интерференционной картины в кристаллах типа TIGoS2. Предложено объяснение этого явления.

В четвертой главе излагаются результаты исследования энергетических спектров локальных состояний в запрещенной зоне монокристаллов Sc2fr-х) • Температурными (80+600 К) и частотными (О+Ю^Гц) исследованиями электропроводности монокрис таллов TlGoS2x2(1 -х) установлено, что в большой температурной области механизм протекания тока соответствует прыжковой проводимости. Для выявления и определения параметров примесных уровней нелегированных монокристаллов TlGoS2?(S2(f~x) были использованы разные методы (электрические, фотоэлектрические, термостшкалированные токи и т. д.), которые давали возможность изучить примесные состояния в большом энергетическом интервале. Установлено, существование в TIG0S2XSe2(f-x) глубоких ярймесных центров, расположенных приблизительно в середине запрещенной зоны, и наличие уровней прилипания. Вычислены параметры уровней прилипания (концентрация, глубина залегания и сечкние захвата).

Здесь также приведены результаты исследования индуцированной примесной фотопроводимости и частотно-компенсационного эффекта в монокристаллах типа TIGq$ 2 * Наличие индуцированной прик месной фотопроводимости и ИК гашение показывают, что монокристаллы TIG0S2X (f-x) являются компенсированными.

Пятая глава освещает методику создания структуры Ag-TlGaxrCdk в виде «сендвич» а и результаты по исследованию их фотоэлектрических свойств.

Установлено, что результаты фотовольтаических исследований хорошо согласуются с результатами оптических и фотоэлектрических измерений в монокристаллах типа TIGqX2 •.

Показано, что разработанные в виде «сендвична вышеуказанные структуры имеют более широкую область фоточувствительности чем отдельные компоненты, и могут успешно применяться в качестве световых датчиков в области 1,1−3 эВ.

В заключении диссертации приведены основные результаты и краткие выводы.

Результаты работы доложены на У Всесоюзной конференции no химии, физике и техничеекому применению халькогенидов (г.Баку, 1979), П Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупро-водниках (г.Ташкент, 1980), И Республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана (г.Баку, 1979), IУ Республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана (г.Баку, 1981), семинарах кафедры физики полупроводников АТУ им. С. М. Кирова.

Основные результаты работы опубликованы в четырех статьях и четырех тезисах докладов.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в следующих статьях:

I. Bakhyschov А, В., Safuat Boules, Paradzhav P.P., Wamedov M.Sh., and Tagirov V.I. The Fundamental Optical Absorption Mg© of TlQaS2x8e2(1-x) Solid Solutions, — Phys.Status.Solidi (Ъ), 1979, V 95″ Я 10, p. k121-k125″.

2. Бахшнов А. Э, Хомутова М. Д., Ахмедов А. А., Юсиф С. Б., Тагиров В. И. Исследование дисперсий соединений типа YlGoS2 с учетом многократного отражения в образцах. — Оптика и спектроскопияД980, т.49, № 3, с. 578−580.

3. Бахышов А. Э., Ахмедов A.M., Науер С. Булес, Тагиров В. Й., Межзонные переходы соединений типа TlGoSz. Изв. вузов СССР, Физика, 1980, № 7, с. 125−127.

4. Бахышов А. Э., Гасанова Л. Г., Сафуат Булес, Самедов С. Р. Глубокие примесные уровни и энергетическая структура запрещенных зон кристаллов типа TlGoS2. Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, с. 58,59.

5. Лебедев А. А., Гасанова Л. Г., Бахышов А. Э., Науер С. Булес, Тагиров В. И. Диаграмма состав-свойства электрических и фотоэлектрических свойств TlGoSfyS^tff-x) Тезисы докладов У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Баку, 1979, с. II3-II4.

6. Сафуат Булес, Самедов С. Р. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlJt7(i-x)GQx$ 2 й ^IGoS^Se^j Тезисы докладов П Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана. Баку, 1979, с. 54.

7. Сафуат Булес Юссиф. Фотоответ в структуру МПМ на основе высокоомных монокристаллов типа ТШйХ2. Тезисы докладов 1У Республикансаой научной конференции аспирантов вузов Азербайджана, Баку, 1981, с. 109.

8. Бахышов А. Э., Самедов С. Р., Сафуат Булес, Тагиров В. И. Частотно-компенсационный эффект в слоистых полупроводниках типа Т1Вх2. ФТП, 1982, т.16, вып.1, с. I6I-I63.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность профессору ТАГИРОВУ В.И. за предоставление возможности выполнения экспериментальной части работы на кафедре физики полупроводников, обсуждение полученных результатов и полезные советы. Я весьма признателен я благодарен многоуважаемым руководителям проф. ГАДЖИЕВУ С.А. и доценту БАХЫШОВУ А.Э. за руководство, постоянное внимание в работе полезные дискуссии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

Разработана технология выращивания монокристаллов JlGoS^^x) при 0 ^ Х^ I. Исследованы в широком диапазоне изменения внешних условий электрические, оптические свойства, энергетические параметры зонной структуры, спектр локальных уровней и механизм проводимости монокристаллов TIGqS2x2(1 -х) *.

Результаты проведенных исследований, впервые полученные автором, можно вкратце свести к следующему:

1. Разработан режим получения крупных монокристаллов твердого раствора ^20-х) при 0 ^ х < I методами направленной кристаллизации.

2. Установлен механизм проводимости в монокристаллах TlGpS2xSe2(f.x) • Показано, что в температурной области (80*400Ж в электропроводности существенную роль играет прыжковый механизм. При температуре ниже 200 К протекание тока происходит по локальным уровням, сгруппированным около уровня Ферми. При высоких температурах в прыжковой проводимости основную роль играют локальные уровни, находящиеся в хвосте плотности состояний.

3. Установлено существование мелких и глубоких примесных уровней нелегированных монокристаллов TIGqS2xS^ff-x) ПРЙ измерении спектрального распределения примесной фотопроводимости, примесного поглощения, ТСП, ТСД, температурных зависимостей фото-и темновой проводимости. Вычислены их характеристические параметры. Температурное и ИК-гашение фотопроводимости доказывает, что в TlGoS2xSe2(i.x) существует несколько примесных центров, а их роль в рекомбинации меняется в зависимости от температуры. Показано, что плотность состояний глубоколежащих локальных уровней.

ТО TQ Т О равна 10 -10 эВ-±см~° и связана с собственными дефектами.

4. Обнаружен частотно-компенсационный эффект и предложен механизм его объяснения.

5. В результате исследования спектральной зависимости коэффициента прглощения монокристаллов TlGoS2xSe2^xy в области температур 110−300 К и о (~ + Ю^см-^ установлено, что края собственной полосы поглощения формируется прямыми и непрямыми переходами с экситонным поглощением. Установлено, что концентрационные зависимости энергий прямых, непрямых переходов и максимумов полосы эксятонного поглощения при, НО К имеют излом, что свидетельствует о том, что природа оптических переходов у края собственной полосы поглощения в TIGqS2 и TIGqSg2 отличается.

Определены межзонные расстояния в монокристаллах TIGqS2x в экстремальных точках зоны Бриллюэна в интервале 2 + 6 эВ".

6. Методом собственной интерференции и уточненным метрдом многократного отражения у края собственной полосы поглощения в.

TIGqS2x&2(f-x) обнаружена аномальная дисперсия. Предполагает-сягг^что аномальная дисперсия связана с экситонным поглощением.

7. Разработаны двух диапазонные фотовольтаические элементы со структурой. Показано, что их фоточувствительность охватывает широкую спектральную область Х.2 + 3Д эВ. Установлено, что спектр фотоэдс структуры ^ - T16qXz — Ccf/Se имеет узкий пик, энергетическое положение которого резонансно совпадает с энергетическим положением прямой экситонной полосы поглощения соединений.

Т1вах,.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Quseinov Q.D., Ramazanaade A.M., Kerlmova B.M., and
  2. X am alloy M.S. About a group of three-component compounds being analogous to binary semiconductors of A111!^1 type, -Phys. Stat* Sol., 1967, V 22, N 1, kl 17"йс121.
  3. U.S., 5*110*685(CI.252−512) Semiconductive materials containing thallium /Oeorges R* Oaffergeld (to Union Carbide Corp.) nach Ohem. Abstr* 1964, Y 60, 6325 b.
  4. Г. Д. Сеидов Ф.И. Пашаев A.M., Халилов Х. Я., Нани Р. Х. Исследование системы TeS~ GqS- Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1972, т.8, № 11, с. I70−171.
  5. Г. Д. Поиск и физические исследования новых полупроводниковых аналогов Автореф. докт. дис. Вильнюс, 1971 -82 с.
  6. Muller Р. Poltmaan В. und Hahn Н. Sur structur ternarer
  7. Ohalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium. i
  8. Z.Naturforsoh., 1974, Y 29b, 1ST 1, p.117−118.
  9. Г. Д. Сеидов Ф.М. Халшгов Х. Я. Исмаилов М.З.
  10. О псевдобднарной системе TISe GaSe- Рукопись представлена редакций Ж.Фяз.Х.Деп. ВИНИТИ, 1971, J§ 3761−71, — 9с.
  11. А. А. Бабанлы М.Б. Исследование системы Те2&-&euro- GqzSc3 и Tl2Se — Jn2Se3 — Уч. зап. MB и ССО Аз. ССР, 1975, 3−4, с. 61−64.
  12. Л.Г., Бахышов А. Э., Гасанлы Н. М., Хала&ов З.Д. Уровни применения в монокристаллах TlGoScg Рукопись представлена Азгосуниверситетом. Деп. ВИНИТИ, 1975, № 3762−75,-9с.
  13. Muller D. Bulenberger G. und Hairn H. Uber ternaae Thalliumchalkogenide mit thalliumselenid Struktur.-2. anorg. allg.Gh.em. 1973, Y 398, H 2, p. 207−220.
  14. Guseinov Q, D", Abdullayev G.B. Bidzinova S.M.
  15. Seldov У.М. I small oy M.B., and Paehayev A.M. On non-Analogs о t TlSe-type seal conductor с omp ounds «-Phys. Lett. 1970, Y 33, A, К 7, p.421−422.
  16. Hahn H. und Wellmann B. ttber ternare Challeogenide des Thalliums rn. it Gallium und Indium. J, Nat urwissenshaf ten, 1967,1. Y „1“ P.^2.
  17. Isaacs T. J, and Hopkins R.H. Crystall growth, symmetry and physical properties of thallium, gallium disulphide, TlGaS^.-J.of Orystal Growth, 1975″ T 29, Я 1, p.121−122.
  18. Mnller D.Y. und Hahn H. Zur Strulctur des 71Ga3e2*-„L.anorg* allg.chem.*, 197&“ *38, Я 5, p.258−272.
  19. Isaacs T.J. Crystall data for thallium gallium diselenide, T10a8e2,-J.Appl"Cryst.allogr., 1973″ T б, Я 5ip. 413−414.
  20. И. Б. Кушев А.А. Исследование систем TIGaSfTlGoTe, TUnSe2 ТПпТе2 ~ Азерб.Хим.Журнал, 1977, № 4, с, 110—112.
  21. А.А. Спектральное распределение фотопроводимости монокристаллов и пленок TIGqSc2 Уч. зап. Горько вского ун-та сер, физика, 1971, № 126, с. 29−32.
  22. Karpovich I.A. Qhervova А. А». Leonov E.g., and Orlov Y.K. Preparation and Some Propertions of TlGaSe^ Shin Films.-Phya*Status Solidi (a), 1971″ T 4, F 1, p"k13−4c15.
  23. И. А. Чернова A.A. Демидова Д. И. Леонов Е.и. Орлов В. М. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TIGqSz, TlGoSe2 и TWnSi Изв. АН СССР,
  24. Неорг. матер. 1972, т.8, % II, с. 70−72.
  25. ТУсэйнов Г. Д. Абдуллаев Г. Б. Исмайлов М. З. Сеидов Ф.М. 0 сложных аналогов полупроводников типа flSe ~ Рукописьпредставлена редакций Ж.Физ.Х.Деп.ВШИТИД973, № 6398−73, 12 с.
  26. И. А. Чернова А. А. Демидова Л. И. Ширина запрещеннойзоны TlGa(S, Se) «TUnfS.Se) Изв. АН СССР, Неорг.матер. Х974, т.10, № 12, с. 2216−2218.
  27. А. Мусаева Д. Г. Лебедев А.А. Якобсон М. А. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов TlGoSe2 Физ. и техн. полупроводников, 1975, т.9, Л 8, с. 1548−1651.
  28. А. Э. Халайов З.Д. Салманов BJ/L. Ахмедов A.M. Тагиров В. И. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGo$ 2- ^из*и техн. полупроводников, Х976, т. Ю, J* 10, с. 1950−1952.
  29. А. Э. Лебедев А.А. ХалаФов З.Д. Якобсон ДД.А. Оптические и фотоэлектрические исследования кристаллов
  30. TlGdSt Фяз. и техн. полу проводников, 1978, т. 12, № 3, с. 555−557.
  31. A.M. Бахышов А. Э. Тагиров В.И. О механизме проводимости соединений TIGq$ 2 „TlGoS^z ~ Физ* и техн* полупроводников, 19 77, т.II, № 4, с. 780−781.
  32. С. Х. Дарвиш A.M. Бахышов А. Э. Тагиров В.И.
  33. О механизме проводимости в слоистых и полимерных полупроводниках Тезисы доклад. Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников. Баку, 1978, — 28 с.
  34. А. Э. Алиев Р.А. Самедов С. Р. Эйендиев Ш. М. Тагиров В. И. Индуцированная прыжковая проводимость в соединениях типа TlGdSs- • и техн* полупроводников, 1980, т.14 & 8. 1661 с.
  35. Abdul layeva 8.G., Belenkii G.L.“ and Manedov IT. Т. Near-Babd-Bdge Optical Properties of TlGaS2*Se2(1-x) Mlxed
  36. Crystal в"-Rtys» Status Solidi (b), 1980, V 102, К 1, p. k19-k22.
  37. Abdullayeya S.G. Belenteii Q. L". Qodahaev М.0″ and Mame-dcyv Kxeitons in TlGaSe2.-Phys.Status Sollidi (b), 1981, T 10? t H 1, P. k61-k65.
  38. Л.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства некоторых хаяькогенвдов галлия. Дис.канд.физ.-мат.наук,-Баку, 1976- 120 с.
  39. А. Э. Дарвиш A.M. Халасбов З. Д. Ахмедов A.M. Физические свойства и диаграммы состояния систем UGQSxSe2.x Уч.зап.Ж и ССО Аз. ССР, сер. физ.-мат.наук, 1977, № 4, с. I5I-I54.
  40. А.Э., Ахмедов A.M. Диаграммы состояния и диаграммы состав-свойство систем и WnS2 TlJnSe2 Изв.АН СССР. Неорг. матер., 1979, т.15, № 3, с. 417−420.
  41. Бахышов¦А.Э. Лебедев А. А. Халайов 3.1. Якобсон М. А. Зависимость оптических и фотоэлектрических свойств от состава твердах растворов TlGoSxSfy-x * ~ Фйз* й техн. полупровод-ников, 1978, т.12, В 3, с. 580−583.
  42. Дарвиш A.M. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и тонких пленок соединений типа TIGqS2 и
  43. TUft$€ 2. Дне.канд.физ.-мат.наук, Баку, 1978, 172 с.
  44. Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Мир. М., 1967, — 74 с.
  45. Ю.М. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. — 366 с.
  46. Bxrenreich. H., Cohen M.H. Self Consist ant field apporouch to manyelectron Problem.- Phys. Fey. 1959″ V 115, Np. 786−790.
  47. Van Hove L. The accurance of Singularities in the elastic frequency distributions of a Crustal. Phya. Rev. 1955, Ў 89″ Я 6, p. 1189−1195.
  48. Т. Барел Г. Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. -М., Мир, 1976, 430 с.
  49. . Оптические процессы в полупроводниках. -М., Мир, 1973, 456 с.
  50. Уха нов Ю. Я. Оптика полупроводников. Часть I. А, ЛШ, 1970, — 104 с.
  51. Мое с Т. Оптические свойства полупроводников. -М., ИЛ, 1961, 304 с.
  52. Т.Г. Исследрвание зонной структуры некоторых полупроводников и оптическими методами. Дис. канд. физ.-мат.наук, Баку, 1970, — 104 с.
  53. НД. Маврин Б. Н. Халафов З.Д. Спектры комбинационного рассеяния света в монокристаллах TIGqS2 «TlGoSe2и TlGoS0t6Seft4 Уч.зап. MB и ССО Азерб. ССР, сер. физ.-мат. наук. 1976, № 4, с. 130−131.
  54. А.Э., Ахмедов A.M. Фараджев Ф. З. Халафов З.Д. Поглощение и электропоглощение в монокристаллах типа TIG0S2 Тезисы докл. Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников. Баку, 1978, 70 с.
  55. З.Д., Гасанлы Н. М. Сардарлы P.M. Оптические фононы в TlGo&z Изв. вузов, физика, 1977, № 2, с. 151−154.
  56. SLliott B.J. Intensity of optical absorption by excitons.-Phys.Kev., 1957, T 108, H 6, p.1584−1589.
  57. В.П. Теория поглощения света в полупроводниках .
  58. Минск, Наука техника, 1975, — 464 с,
  59. Г. В. Абсорбционная спектроскопия диспергированных веществ. УФН, 1959, т. 69, с. 57−104.
  60. Kubellca P. Hew Contributions to the optics ocf intensely li$it-8crttering materials.- J#Opt*Soc.Amm., 1948, Y 38, IT 51 pi448−501 •
  61. И.П. Определение ширины запретной зоны из спектров диффузного отражения. Оптик, и спектр, I960, т.4, № 2, с. 256−260.
  62. Г., Браун Б. Герцог Г. Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения. ТУВД, 1965, г. 85,2, с. 365−380.
  63. О. П. Степанов Б.И. Спектры отражения окрашенных раосеи-вагощих объектов. П £ЭТФ, 1954, т. 27, № 4, с. 467−476.
  64. Tandem S.P., Gupta Т.P. Diffuse Reflectance spectrum of
  65. Cuprous oside. Phys.Stat.Sol., 1970, 37″ p#43−45.
  66. Tandon 3.P. and Gupta J.P. Measurement of forbidden energy gap of Semiconductor by Diffuse Reflectance Technique.-Phys"Status.Solidi, 1970, Y 38, S 1, p.363−367.
  67. Ю.Н., Ковалев В. П., Уханов Ю. И. Применение метода дйффуз ного отражения для изучения края оптического поглощения полупроводников и диэлектриков. Физ. и техн. полупроводников, 1970, т.4, № 12, с. 2400−2403.
  68. В.В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. ЖЭТФ, 1953, т. 26, # 4, с. 459−472.
  69. А.П. Оптика рассеивающих сред. Минск, Наука, и техника, 1969, — 592 с.
  70. П.С. Физика полупроводников. -М., Высшая школа, 1975,-584 с.
  71. Г. С. Оптика. -М., Наука, 1976, 926 с.
  72. А. Н. Стахира И.М. Оптические свойства. Укр. физ. журнал. 1964, т.9, № 10, с. 1074−1078.
  73. Povle B.A., llott N.P. Conduction in Non-Crystalline Systems V. Conductivity Optical and Photo conductivity in Amorphous Semiconductors. Ehilas. Mag. f 1970, T 22, H 179, p. 903−922.
  74. А.Э., Самедов С.P., Сафуат Булес. Гасанова Д. Г. Глубокие примеоные уровни и энергетическая структура запрещенных зон в кристаллах типа TIQqS^ ~ Тез. докл. П всесо-юзн. ссвещ. по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, с. 58−59.
  75. Д. Г. Халатов З.Д. Гасанлы ЕЛ*. Бахышов А. Э. Некоторые оптические свойства монокристаллов TIGqS
  76. Ю. А. Халилов С.Х. Рагимов А. В. Компенсационный закон в электрон в электропроводности полигидрохинона на переменном токе. Докл. АН Азерб. ССР, 1979, т.35, 3 3, с, 33−36.
  77. Л. И. Ванников А.В. Органические полупроводники и биполимеры. М., Наука, 1968, — 181 с,
  78. Pond Р.Н. A model of Meyer-Neldel rule" — Phys.Lettes. 1969, V 30, A, N 4t p.217−218.
  79. Т. Н. Вартанян А.Т. Эффект ксмдлекции электропроводности органического полупроводника. ФТГ, 1972, № 6, № 11, с. 2227−2230.
  80. М.В., Побереженец И. И. Компенсационный эффект в антрацене. Ук.ФизJK., 1976, т.21, $ I, с. 57−61.
  81. А. Э. Самедов С.Р. Сафуат Будес, Тагиров В.И. Частотно-компенсационный эффект в слоистых полупроводниках типа Т1Вх2 ФТП, 1982, т.1 6, вып.1, с. 161−163.
  82. Е. И. Берлин А.А. Парини В. П. и др. Электропроводность полимеров с сопряженными связями. Докл. АН СССР, I960, г. 134, № 5, с. II23−1126.
  83. Rosenberg В., Phowaik В.В., et al. Pre-expotential Factor in semiconducting arganic Siibstanees.-J.Chem.Phys. 1968, vol.49, N 9, p, 4108−4113″
  84. Lee ?.0. The Meyer-ffeldel Rule and the DC Conductivity in Amorphous Ge Films.- Phys. States Solidi, 1978, V 47, N 1, p. fc4?-k49.
  85. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М. Физ.мат. 1963, 494 с.
  86. Bube 5Д. Photoconductivity and Crystal imperfactions in Cadmium Sulfide Crystals" — J. chem"Phys» 1955э Vol.23″ N1, p. 18−25.
  87. П. Г. Устьянов В.И. Определение параметров уровней прилипания в полупроводниках методом термостимулированной проводимости. В кн.: Актуальные вопросы физики полупроводниковых приборов. Вильнюс, 1969, с. I53-I7I,
  88. Carlicu О.?.J. Gibson А. У" She electron trap mechanism of luminescence in sulphidu and silicate phosphere.- Proc.Phys. Soc. 1948″ V A60, H 542, p.574−581.
  89. Э.и. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. -М., Гостехиздат, 1956, 350 с.
  90. Э.И. Законы электронной поляризаций и деполяризации кристаллов. ФТТ, 1961, т. 3, № 7, с. 2048−2050.
  91. Randall S.T., Wilkins И.Т. Phosphorescence and electron traps*- Proc"Roy*Soc., 1945″ A184, ff 999, p"565−407.
  92. Haering R.R. Adums У. Н-. Theory and Applications of Thermally Stimulated Currents in Fhotoconductors.-Phys. Rev. 1960, У 11?" * 2, P.451 -454.
  93. Д.ушик Ч. Б. Исследование центров захвата в щалочно-галоидных кристаллофосфорах. Тр. ин-та физ. и астр. АН ЭССРД955, № 3, с. 3−88.
  94. Д.ущик Ч.Б. К теории термического высвечивания. Докл. АН ССОР, сер. физ. 1955, г. 101, № 4, с. 641−644.
  95. Orossweiner L. Ia A Note on the analysis of First-order Glow Curves.- J.Appl.Phys.1955, V 24, N 10, p.1506−1507.
  96. С. Г. Беленький Г. Л. Мамедов Н. Т. Экситонные состояния в слоистых полупроводниках TIGq/$ 2x$€ 20-x)1961, ФТП, т.15, № 5, с. 943−948.
  97. В. Н. Рнвкин С.М. Исследование уровней прилипания в Sb$s методом термостимулированного тока. Физ.тв. тела. 1959, т.1, № 9, с. 1460-Х961.
  98. В. Н. Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск, Наука, 1979, — 332 с.
  99. З. И. Роках А.Г. Кац Н. Б., Маликов В. П. Новикова Е.А. Цакерман Н. М. Фотопроводящие пленки (типа CMS). -Изд-во Сарат. Ун-та, 1979, 192 с.
  100. А.Э., Хомутова МЛ. Ахмедов АЛ,. ЮсиФ G.B.,
  101. В.И. Исследование дисперсий соединений типа ТЫ о учетом многократного отражения в образцах. Оптика и спектроскопия, 1980, г. 49, № 3, с, 578−580.
  102. Bakhyschov А.В. Safuat Boules, garadzhov У.У., Mamedov M.3h. в®-4 Tagirov Y.I. The Fundamental Optical Absorption Edgeof TlQa82xSe2(1-x) Solid Solutions. Phys.Stetus.
  103. Solid! (Ъ), 1979, Y 95, HO, p. k121-k125.
  104. А.Э., Ахмедов A.M., Ha yep С.Б.улео, Тагиров В. И. Меясзонные переходы соединений типа TlGoS^ * ~ вузов СССР, Физика, 1980, № 7, с. 125−127.
  105. Сафуат Б.улес. Самедов С. Р. Оптические и фотоэлектрическиеи
  106. TlGoSx^e2(4-x Тезисы докладов П Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана, Баку, 1979, 54 с.
  107. А. А. Гасанова Л.Г., Бахышов А. Э. На yep С.
  108. Булес. Тагиров Б. И. Диаграмма состав-свойства электрических и фотоэлектрических свойств TIGqSzxS^O-x) • Тезиса докладов. У Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Баку, 1979, с. 503−504.
  109. Саф.уат Б. удес ЮссиФ. Фотоответ в структуру МШ на основе высокоомных монокристаллов типа TIGqX2. Тезисы докладов 1У Республиканской научной конференции аспирантов вузов Азербайджана, Баку 1981, — 109 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!