Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Нелинейно-оптическая диагностика сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микроэлектроники

Диссертация: Нелинейно-оптическая диагностика сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микроэлектроники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развита оригинальная методика нелинейно-оптической микроскопии изображения для наблюдения динамики переполяризации сегнетоэлектрических материалов, заключающаяся в исследовании локального сигнала второй гармоники при наложении электрического поля. Проведены исследования нелинейно-оптического отклика тонких пленок ЦТС различного состава в процессе их переполяризации. а) Создана стендовая модель… Читать ещё >

Нелинейно-оптическая диагностика сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микроэлектроники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ МАТЕРИАЛОВ 17 Г МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
    • 1. 1. Свойства сегнетоэлектриков: вводные замечания
    • 1. 2. Методы получения сегнетоэлектрических пленок
      • 1. 2. 1. Метод золь-гель
      • 1. 2. 2. Магнетронное напыление
      • 1. 2. 3. Лазерная абляция
      • 1. 2. 4. Метод химического осаждения из газовой фазы 25 металлоорганических соединений
    • 1. 3. Применение сегнетоэлектрических материалов в микроэлектронике
      • 1. 3. 1. Сегнетоэлектрическая память: состояние и перспективы
        • 1. 3. 1. 1. Материалы БЫАМ
        • 1. 3. 1. 2. Структура ячеек
        • 1. 3. 1. 3. Перспективы развития технологии П^АМ 1.3.2. Другие области применения сегнетоэлектрических материалов
    • 1. 4. Краткий обзор существующих методик диагностики материалов 37 микроэлектроники
      • 1. 4. 1. Неоптические методики
        • 1. 4. 1. 1. Рентгеноструктурный анализ
        • 1. 4. 1. 2. Методы электронной микроскопии
        • 1. 4. 1. 3. Методы сканирующей зондовой микроскопии
      • 1. 4. 2. Оптические методики
        • 1. 4. 2. 1. Эллипсометрия
        • 1. 4. 2. 2. Рамановская спектроскопия
        • 1. 4. 2. 3. Люминесценция
  • Глава 2. Генерация второй оптической гармоники в тонких сегнетоэлектрических пленках: базовый формализм и экспериментальные методики
    • 2. 1. Феноменологическое описание нелинейно-оптического отклика сред
      • 2. 1. 1. Феноменологическое описание нелинейной поляризации и поля ВГ
  • У 2.1.2. Связь параметров оптической ВГ и сегнетоэлектрической 54 поляризации
    • 2. 1. 2. 1. Параэлектрическая фаза
      • 2. 1. 2. 2. Сегнетоэлектрическая фаза
      • 2. 1. 3. Анизотропия квадратичной нелинейной поляризации
      • 2. 1. 4. Генерация второй гармоники в пространственно-неоднородных 61 тонких пленках
      • 2. 1. 5. Нелинейно-оптический отклик многофункциональных сред
    • 2. 2. Экспериментальные установки для исследования нелинейно- 64 оптического отклика сред
      • 2. 2. 1. Базовые схемы эксперимента и источники излучения
      • 2. 2. 2. Системы регистрации
      • 2. 2. 3. Структурные исследования: схема эксперимента
      • 2. 2. 4. Исследование рассеянного сигнала ВГ (индикатрисы рассеяния)
      • 2. 2. 5. Экспериментальная схема микроскопии ВГ
        • 2. 2. 5. 1. Экспериментальная схема сканирующей микроскопии ВГ
        • 2. 2. 5. 2. Микроскопия изображения
      • 2. 2. 6. Экспериментальная схема методики «накачка-проба»
    • 2. 3. Особенности изготовления образцов
      • 2. 3. 1. Изготовление тонких пленок титаната бария стронция (БСТ) методом 75 магнетронного напыления
      • 2. 3. 2. Изготовление тонких пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) и 77 титаната бария-стронция (БСТ) методом золь-гель
        • 2. 3. 2. 1. Изготовление пленок ЦТС
        • 2. 3. 2. 2. Изготовление пленок БСТ
  • Глава 3. МЕТОДИКА НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОЙ ДИАГНОСТИКИ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
    • 3. 1. Методика исследования субмикронной доменной структуры методом 83 генерации ВГ
      • 3. 1. 1. Модельная структура полидоменной пленки
      • 3. 1. 2. Поляризационные зависимости интенсивности ВГ
        • 3. 1. 2. 1. Поляризационные диаграммы в МСД модели
        • 3. 1. 2. 2. Поляризационные диаграммы в модели МОД
    • 3. 2. Экспериментальное исследование субмикронной доменной структуры 87 тонких пленок БСТ
      • 3. 2. 1. Изготовление образцов и исследование структуры методом атомно- 87 силовой микроскопии
      • 3. 2. 2. Экспериментальное исследование субмикронной доменной 89 структуры тонких пленок БСТ методом генерации второй оптической гармоники
        • 3. 2. 2. 1. Исследование рассеянного сигнала ВГ (индикатрисы 89 рассеяния)
        • 3. 2. 2. 2. Исследование поляризационных зависимостей интенсивности
  • ВГ: экспериментальные данные и аппроксимация в рамках ^ предложенных моделей
    • 3. 2. 3. Размерные эффекты в свойствах тонких пленках БСТ
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРТУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МИКРОСКОПИИ ВГ
    • 4. 1. Микроскопические исследования доменной структуры материалов: обзор 103 литературы
    • 4. 2. Экспериментальные исследования доменной структуры тонких сегнетоэлектрических пленок методом сканирующей микроскопии ВГ
      • 4. 2. 1. Сканирующая микроскопия ВГ для исследования доменной 106 структуры тонких пленок ЦТС при
  • приложении внешнего поля перпендикулярно поверхности пленки
    • 4. 2. 1. 1. Изготовление образцов и детали эксперимента
      • 4. 2. 1. 2. Исследования методом электро-силовой микроскопии 110 зависимости особенностей поляризации тонких пленок ЦТС .от состава пленки
      • 4. 2. 1. 3. Локальная диагностика (картирование) состояния поляризации 113 в тонких пленках ЦТС
      • 4. 2. 2. Сканирующая микроскопия ВГ для исследования состояния 117 поляризации тонких пленок БСТ при
  • приложении внешнего поля в плоскости пленки
    • 4. 2. 2. 1. Изготовление образцов и детали эксперимента
      • 4. 2. 2. 2. Экспериментальные исследования состояния поляризации 120 тонких пленок БСТ при
  • приложении внешнего поля в плоскости пленки
    • 4. 3. Диагностика состояния поляризации в тонких пленках ЦТС методом микроскопии ВГ
    • 4. 3. 1. Изготовление образцов и детали эксперимента
    • 4. 3. 2. Исследование динамики состояния поляризации
  • Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ ГВГ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ
    • 5. 1. Процессы переключения в тонких сегнетоэлектрических пленках (обзор 131 литературы)
    • 5. 2. Экспериментальные исследования методом ГВГ наносекундного 133 переключения
      • 5. 2. 1. Изготовление образцов и детали эксперимента
      • 5. 2. 2. Модель доменной структуры пленки 135 5.2.2.1. Схема изменения внешнего напряжения: два типа импульсов
        • 5. 2. 2. 2. Зависимость интенсивности ВГ от угла рассеяния 137 (индикатрисы рассеяния) при
  • приложении переменного электрического поля
    • 5. 2. 2. 3. Зависимость интенсивности ВГ от угла поворота поляризатора 138 (поляризационные диаграммы)
    • 5. 2. 3. Зависимость интенсивности ВГ от приложенного напряжения при наносекундном переключении
  • Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР
    • 6. 1. Методы изготовления, диагностика наноэлементов и перспективы развития устройств на их основе (обзор литературы)
      • 6. 1. 1. Обзор существующих методик изготовления и диагностики 147 наноструктур
      • 6. 1. 2. Перспективы развития нанотехнологий
    • 6. 2. Сегнетоэлектрические наноструктуры на основе пористого оксида алюминия
      • 6. 2. 1. Метод изготовления наноструктур и детали эксперимента
      • 6. 2. 2. Исследования наноструктур методом растровой электронной 156 микроскопии
      • 6. 2. 3. Исследования наноструктур методом атомно-силовой микроскопии 157 (АСМ)
      • 6. 2. 4. Сегнетоэлектрические свойства наноструктур
      • 6. 2. 5. Исследования наноструктур БСТ/А120з методом микро-рамановской 164 спектроскопии

    • Диссертационная работа посвящена экспериментальному исследованию методом генерации второй оптической гармоники (ГВГ) сегнетоэлектрических материалов, имеющих потенциальное применение в устройствах микрои оптоэлектроники. Особое внимание уделено изучению параметров доменной структуры и динамике переключения поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках, а также исследованию свойств сегнетоэлектрических наноструктур.

    Общая характеристика работы.

    Растущие потребности современной микроэлектроники ужесточают требования к качеству материалов, поскольку требуют увеличения плотности элементов (до Тбит/см) и устройств, а также уменьшения поперечного размера активных элементов (для уменьшения рабочих напряжений и, соответственно, энергосбережения). Повышение качества материалов и уменьшение размеров отдельных элементов требует создания новых методов контроля их характеристик, так как традиционные методики имеют целый ряд ограничений.

    Исследуемые объекты.

    1) Сегнетоэлектрические тонкие пленки.

    Применение сегнетоэлектрических пленок в микроэлектронике основано на явлении переключения сегнетоэлектрической поляризации. Именно это свойство сегнетоэлектриков привлекло к ним пристальное внимание исследователей при разработке первых запоминающих устройств. Однако использовавшиеся в начале 60-х годов сегнетоэлектрические материалы обладали с точки зрения подобных приложений рядом существенных недостатков, из которых наиболее заметным являлся эффект старения материала, приводящий к значительному искажению сегнетоэлектрических свойств. Кроме того, существовавшая в то время методика изготовления тонких сегнетоэлектрических пленок не обеспечивала достаточной однородности и воспроизводимости свойств. В результате для производства элементов памяти были выбраны ферромагнитные материалы, как более надежные.

    В настоящее время проводятся исследования, направленные на получение новых сегнетоэлектрических материалов для решения разнообразных задач, поставленных перед современной микроэлектроникой, а также создание новых и усовершенствование существующих инженерных решений, позволяющих более активно использовать преимущества сегнетоэлектриков.

    Можно отметить два типа устройств на основе сегнетоэлектрических тонких пленок, разработка которых доведена до коммерческого производства: электрооптические модуляторы и сегнетоэлектрические энергонезависимые запоминающие устройства (СЭЗУ) [1]. Кроме того, сегнетоэлектрические материалы и устройства на их основе используются при разработке приемников ИК излучения, микроактюаторов, оптических процессоров, устройств умножения частоты, дефлекторов, микродисплеев и проч.

    В качестве наиболее перспективных в настоящее время сегнетоэлектрических материалов для микрои наноэлектронных приложений называются керамики и тонкие пленки титаната бария-стронция (Ва, 8г) ТЮ3 и цирконата-титаната свинца (РЬ, 7г) ТЮ3. Исследования этих материалов продемонстрировали большие значения диэлектрических постоянных, высокое быстродействие, отсутствие существенной деградации сегнетоэлектрических свойств, малые токи утечки, возможность стабильной работы в широком температурном диапазоне [2,3]. Кроме того, варьирование параметров изготовления пленок (различные методики изготовления, изменение температуры отжига, различный состав и пр.) позволяет получать высококачественные пленки с заданными свойствами, что еще более расширяет возможности применения этих материалов в микроэлектронике. 2) Сегнетоэлектрические наноструктуры.

    Нанотехнология является на сегодняшний день одной из наиболее интенсивно развивающихся областей науки и техники. Разработка методов изготовления новых типов наноструктур и их диагностика включены в «дорожные карты» развития микроэлектронной промышленности [4−6]. Спектр разрабатываемых в настоящее время устройств на основе наноструктур очень широк: перестраиваемые фотонные кристаллы для устройств оптоэлектроники, элементы хранения информации сверхвысокой плотности, квантовые лазеры, одноэлектронные транзисторы, матрицы для формирования изображения и проч.

    Особое место занимают сегнетоэлектрические наноструктуры, идея создания которых путем погружения нанопористой мембраны-матрицы в прекурсор сегнетоэлектрического материала, возникла лишь несколько лет назад. Подобная матричная методика позволяет создавать наноструктуры (наночастицы) заданной геометрии, соответствующей используемому шаблону-матрице, что представляет интерес не только для практических приложений, но и с фундаментальной точки зрения: появляется возможность проведения систематических исследований влияния размера наночастицы на ее сегнетоэлектрические свойства.

    Актуальность.

    В настоящее время основными методиками диагностики качества и определения свойств сегнетоэлектрических пленок и рабочих пределов устройств на их основе являются электрофизические методики. Эти методики хорошо разработаны, обладают высокой точностью и широко применяются для исследования разнообразных сегнетоэлектрических материалов. Однако электрофизические методики требуют металлизации поверхности исследуемого материала для приложения внешнего поля, в то время как необходимость диагностики свойств возникает уже на начальных этапах их изготовления. Кроме того, необходимость нанесения электрических контактов для проведения электрофизических измерений создает известные трудности при исследовании сегнетоэлектрических наноструктур. Все это требует использования бесконтактных методов контроля, осуществление которых возможно при помощи оптических методик.

    Высокая популярность оптических методик связана в первую очередь с тем, что все эти методики являются бесконтактными и неразрушающими (исключение составляют материалы, чувствительные к оптическому диапазону частот). Бурное развитие фемтосекундной лазерной техники, позволяющей при использовании ультракоротких импульсов избежать термического повреждения облучаемой поверхности, привело к возрастанию интереса к использованию оптических методик при тестировании сегнетоэлектрических материалов СЭЗУ.

    В настоящее время наиболее часто используемой методикой исследования свойств наноматериалов является сканирующая микроскопия, позволяющая обеспечить высокое пространственное разрешение, вплоть до атомного. Однако при организации промышленного производства наноматериалов возникает необходимость контроля качества структур на сравнительно больших функциональных площадях, что вызывает значительные трудности для сканирующей микроскопии. В связи с этим для наноструктур активно разрабатываются оптические методики дальнего поля [6], методы ИК-спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния [7−9].

    Информативность нелинейно-оптических методик связана с симметрийными особенностями системы. Нелинейно-оптическая поляризация описывается тензором на единицу большего ранга, чем линейная поляризация. Это означает, что свойства, неразличимые для линейной оптики, оказываются диагностируемыми в нелинейной оптике.

    Первые работы, посвященные экспериментальному исследованию генерации второй оптической гармоники (ВГ), относятся к началу 60-х годов. Работы Н. Бломбергена [10,11] и Р. Хохлова [12] можно считать основой создания нелинейно-оптической методики диагностики среды.

    Чувствительность эффекта генерации ВГ к нелинейно-оптическим свойствам тонких пленок и низкоразмерных структур обусловлена существованием симметрийного правила запрета на генерацию ВГ в объеме центросимметричных сред в дипольном приближении. Поэтому основные источники ГВГ локализованы в областях нарушения инверсной симметрии, к которым, в том числе, относятся поверхности (приповерхностные слои) центросимметричных сред, флуктуации физических величин на поверхности и в объеме среды, пространственное распределение неоднородностей (дефектов). Как следствие, характеристики излучения ВГ, такие как интенсивность, поляризация, диаграмма рассеяния, проявляют высокую чувствительность к структуре подобных систем. Еще одно выгодное отличие методики ГВГ заключается в том, что она может быть использована как для диагностики готовых материалов (ех-зИи), так и для исследований в процессе их изготовления (ш-?йм).

    Возникновение в среде областей пространственного заряда (например, на границе раздела) также приводит к нарушению симметрии и появлению дополнительного электроиндуцированного вклада в нелинейную поляризацию на частоте ВГ, являющегося источником волны электроиндуцированной ВГ. Это позволяет использовать методику ГВГ для исследования распределения пространственного заряда, динамики доменной структуры и прочих электроиндуцированных эффектов. Особо следует отметить, что при использовании методики ГВГ в нецентросимметричной среде можно различить антипараллельные домены, неразличимые в линейной оптике.

    Требования к переключению для электро-оптических модуляторов и элементов памяти различны. В случае электро-оптического модулятора, процесс переключения должен быть согласован с изменением источника переключения (электрическим импульсом), а само изменение состояния поляризации должно быть обратимым. В элементах памяти переключение поляризации осуществляется полем, значение которого должно быть выше коэрцитивного, при этом необходимо, чтобы новое состояние поляризации было стабильным в течении достаточно длительного времени. Определение скорости переключения поляризации в сегнетоэлектрических тонких пленках также является одной из интересных и актуальных экспериментальных задач. Поскольку состояние поляризации сегнетоэлектрика определяется его доменной структурой, то определение параметров переключения напрямую связано с исследованием динамики переключения доменов.

    Методика электроиндуцированной ВГ позволяет проводить исследования состояния поляризации сегнетоэлектрических тонких пленок для различных режимов изменения внешнего поля. В работах [13,14] была предложена нелинейно-оптическая методика диагностики доменной структуры тонких пленок, основанная на анализе поляризационных диаграмм ГВГ. Эта методика хорошо разработана, она позволяет провести оценку доли доменов, ориентированных вдоль двух взаимно перпендикулярных осей, но применима только к случаю ориентации доменов в плоскости пленки. Кроме того, методика является статической, то есть с ее помощью определяется состояние поляризации сегнетоэлектрика при фиксированном внешнем поле.

    Методика ГВГ также успешно применялась для исследования наноструктур [15−17].

    Подводя итог, можно сформулировать основные задачи, возникающие в настоящее время при разработке сегнетоэлектрических элементов современной микрои наноэлектроники.

    Для высокоскоростных СЭЗУ и прочих устройств на основе сегнетоэлектрических тонких пленок:

    • создание новых сегнетоэлектрических материалов;

    • исследование скорости переключения поляризации;

    • исследование особенностей доменной структуры пленок;

    • в связи с переходом на топологические нормы до 0,8 мкм, исследование влияния размерных эффектов на сегнетоэлектрические свойства пленок.

    Для устройств на основе сегнетоэлектрических наноструктур:

    • разработка методики изготовления сегнетоэлектрических наноструктур с заданными свойствами;

    • определение и исследование сегнетоэлектрических свойств наноструктур.

    В связи с этим, разработка эффективных методик контроля качества сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур, в том числе и в процессе их изготовления, представляется весьма актуальной задачей. Цель работы.

    Целью данной работы является разработка экспериментальных и теоретических основ нелинейно-оптической диагностики сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур для микро-, нанои оптоэлектроники.

    Согласно этой цели были поставлены следующие конкретные задачи:

    I. Разработка методик нелинейно-оптической диагностики доменной структуры сегнетоэлектрических тонких пленок, использующихся для создания элементов высокоскоростных сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Определение пределов чувствительности методики при использовании лазерных источников и приемников излучения различных типов.

    II. Исследование динамики переключения поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках.

    III. Изучение диагностических возможностей методики ГВГ для исследования свойств сегнетоэлектрических наноструктур.

    Научная новизна.

    В работе предложен ряд оригинальных экспериментальных и теоретических подходов и методик исследования материалов микроэлектроники. В частности:

    1. Развита оригинальная методика нелинейно-оптической диагностики субмикронной доменной структуры сегнетоэлектрических пленок, основанная на одновременном исследовании поляризационных зависимостей и индикатрис рассеяния ВГ.

    2. На основе теоретического (феноменологического) анализа поля ВГ, генерируемого пленкой сегнетоэлекгрика, была разработана методика расчета диэлектрической поляризации, с использованием которой получены локальные петли гистерезиса диэлектрической поляризации.

    3. Разработана методика и проведены исследования квазилинейного режима переключения поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках в диапазоне до 200 МГц.

    4. Разработана методика и проведены исследования степени заполнения пор и глубины проникновения сегнетоэлектрического материала в поры мембраны-матрицы пористого оксида алюминия при исследовании поперечного скола наноструктуры методом АСМ.

    Практическое значение представленной работы состоит в развитии и изучении диагностических возможностей метода генерации второй оптической гармоники для исследования процессов, происходящих в тонких пленках технологически перспективных сегнетоэлектрических материалов, а также для исследования свойств сегнетоэлектрических наноструктур.

    В связи с увеличением плотности и существенным снижением размеров активных устройств, традиционные методики определения качества сегнетоэлектрических материалов сталкиваются с существенными ограничениями. Применение традиционных электрофизических методик для исследования наноструктур в целом ряде случаев вообще не представляется возможным, т.к. данные методики предполагают нанесение металлических контактов для приложения внешнего поля. Кроме того, применение существующих методик для исследования тонких пленок может быть ограничено предельными условиями наблюдения сегнетоэлектрических свойств: большинство авторов отмечает, что стабильное использование электрофизических методик возможно лишь при толщинах пленок более 20 нм. Поэтому необходимо создание универсальной методики неразрушающей диагностики сегнетоэлектрических материалов, не ограниченной размерами исследуемого образца. Защищаемые положения.

    1 Методика нелинейно-оптической диагностики субмикронной доменной структуры сегнетоэлектрических пленок, основанная на одновременном использовании исследовании поляризационных зависимостей и индикатрис рассеяния интенсивности ГВГ, а также зависимостей от угла падения.

    2 Стендовая модель нелинейно-оптического микроскопа изображения с пространственным разрешением 0.4 мкм и чувствительностью на основе фемтосекундного лазера и стробируемой ПЗС камеры с интенсификатором изображения для синхронных измерений оптических и электрических характеристик. Локальные петли гистерезиса сегнетоэлектрической поляризации с разрешением 0.4 мкм в тонкой пленке сегнетоэлектрической керамики.

    3 Методика локальной диагностики состояния поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках на основе сканирующей нелинейно-оптической микроскопии. Картирование состояния поляризации по нелинейно-оптическому отклику в тонкой сегнетоэлектрической пленке при наложении электрического поля в плоскости и перпендикулярно плоскости пленки.

    4 Для каждой из предложенных в пп 1−3 методик: алгоритмы расчета структурных характеристик.

    5 Размерные эффекты в нелинейно-оптических свойствах и доменной структуре тонких пленок БСТ, проверка наличия сегнетоэлектрических свойств сверхтонких пленках (до 6 нм).

    6 Методика исследования переключения сегнетоэлектрической поляризации и перестройки доменной структуры с временным разрешением 5 не.

    7 На основе исследований нелинейно-оптического переключения в широком временном диапазоне — квазилинейный режим переключения поляризации в тонкой сегнетоэлектрической пленке.

    8 Структура и нелинейно-оптические свойства сегнетоэлектрических наноструктур, полученных по шаблонной технологии на основе пористых мембран оксида алюминия. Результаты исследования степени заполнения пор и глубины проникновения сегнетоэлектрического материала в поры мембраны-матрицы пористого оксида алюминия при исследовании поперечного скола наноструктуры методом АСМ.

    Структура и объем диссертации

    .

    Диссертация состоит из шести глав, введения, заключения и списка литературы, содержащего 220 наименований.

    Во введении сформулирована постановка задачи и обосновывается актуальность выбранной темы.

    Первая глава представляет собой обзор литературы, посвященной тенденциям развития современной микрои наноэлектроники, Особое внимание уделяется направлениям разработки сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Обсуждаются современные методики изготовления и диагностики сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур.

    Во второй главе сформулированы основные положения, применяемые при феноменологическом описании генерации второй оптической гармоники: базовый формализм ВГ, связь параметров оптической ВГ и сегнетоэлектрической поляризации, анизотропия квадратичной нелинейной поляризации, особенности генерации ВГ в пространственно-неоднородных тонких пленках. Также в этой главе обсуждаются все экспериментальные методики генерации ВГ, используемые в данной работе, приведено детальное описание экспериментальных установок и методик изготовления исследуемых структур, мр Третья глава посвящена описанию методики нелинейно-оптической диагностики доменной структуры сегнетоэлектрических тонких пленок. Предлагается модельная структура полидоменной пленки. Также в главе 3 приводятся результаты экспериментального исследования субмикронной доменной структуры тонких пленок титаната бария-стронция (БСТ) методом генерации второй оптической гармоники. Анализируются поляризационные зависимости интенсивности ВГ и диаграммы рассеяния. Обсуждается проявление размерных эффектов в свойствах тонких пленок БСТ.

    В четвертой главе предложена методика и представлены результаты экспериментального исследования доменной структуры тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) с использованием микроскопии ВГ. Рассматриваются две микроскопические методики: микроскопия изображения с высоким (вплоть до теоретического предела 0,4 мкм) пространственным разрешением и сканирующая микроскопия ВГ. Исследуются ^ особенности динамики доменной структуры при приложении переменного электрического поля в плоскости пленки и перпендикулярно плоскости пленки.

    Также приведены результаты исследований методом электро-силовой микроскопии особенностей поляризации тонких пленок ЦТС в зависимости от состава пленки.

    В пятой главе обсуждаются результаты исследования методом ГВГ процессов переключения в тонких сегнетоэлектрических пленках. Приводится краткий обзор литературы, посвященный современным требованиям, предъявляемым к параметрам переключения в сегнетоэлектрических пленках, а также существующим методам исследования скорости переключения. Обсуждаются экспериментальные результаты наблюдения особенностей нелинейно-оптического отклика пленок в зависимости от параметров приложенного переменного напряжения, приводятся результаты исследований переключения поляризации в нанои пикосекундном временных диапазонах.

    Шестая глава посвящена исследованию свойств сегнетоэлектрических наноструктур. Особое внимание уделяется обсуждению методов изготовления наноструктур, их потенциальному применению для создания устройств микроэлектроники, а также перспективам развития нанотехнологий. Приводятся результаты экспериментального исследования свойств сегнетоэлектрических наноструктур, изготовленных путем внедрения сегнетоэлектрического материала в поры мембраны-матрицы. Для исследования параметров структуры (свойства поверхностного слоя, степень заполнения пор) были использованы экспериментальные методики микро-рамановской спектроскопии, растровой и атомно-силовой микроскопии. Для определения наличия сегнетоэлектрических свойств наноструктур использовалась методика генерации второй оптической гармоники.

    В заключении сформулированы основные результаты диссертационной работы, а также проводится краткое рассмотрение перспектив развития предложенных в работе методик.

    Основное содержание диссертации опубликовано в 13 статьях. Результаты работы были представлены на 14 Международных и Всероссийских конференциях.

    Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах: Д1. Е. Mishina, N. Sherstyuk, A. Sigov, Т. Tamura, S. Nakabayashi, V. Moshnyaga, К Samwer, L. Kulyuk, Th. Rasing. Nonlinear-optical properties of thin ЬаолСаозМпОз films and dynamics ofphotoinducedphase transition.// Trans. Magn. Soc. Japan, 4, 272−277 (2004). Д2. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, D.R. Barsky, A.S. Sigov, Yu.I. Golovko, V.M. Mukhortov, M. De Santo, Th. Rasing. Domain orientation in ultrathin (Ba, Sr) Ti03 films measured by optical second harmonic generation. // J. Appl. Phys., 93, No. 10, 6216 — 6222 (2003). ДЗ. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, V.I. Stadnichuk, K.A. Vorotilov, V.A. Vasil’ev,.

    A.S. Sigov, O.M. Zhigalina, N. Ohta, S. Nakabayshi. Ferroelectrics templated in nanoporous silicon membranes. // Ferroelectrics, 286, 205−211 (2003).

    Д4. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, A.V. Mishina, V.M. Mukhorotov, G. Buinutskaya, L.L. Kulyuk, Th. Rasing. Optical second harmonic generation for determination the domain orientation in thin ferroelectric films. // Ferroelectrics, 286,279−290 (2003). Д5. E. D. Mishina, N. E. Sherstyuk, V.I. Stadnichuk, A.S. Sigov, V.M. Mukhorotov, Yu.I. Golovko, A. van Etteger, Th. Rasing. Nonlinear-optical probing of nanosecond ferroelectric switching. // Appl. Phys. Lett., 83, 2402−2404 (2003). Д6. Е. Д. Мишина, А. И. Морозов, A.C. Сигов, Н. Э. Шерстюк, О. А. Акципетров,.

    B.В. Леманов, Т. Расинг. Исследование структурного фазового перехода в монокристалле титаната стронция методами генерации когерентной и некогерентной второй оптической гармоники. // ЖЭТФ, 121, вып. З, 644 662 (2002).

    Д7. Е. D. Mishina, N. Е. Sherstyuk, K.A. Vorotilov, A. S. Sigov, R. Barberi, M. P. Moret, F. Manders, M.P. De Santo, P. K. Larsen, Th. Rasing. Nonlinear-optical and electric force microscopy for ferroelectric polarization imaging.//Appl. Phys. B, 74, 783−788 (2002).

    Д8. Мишина Е. Д., Шерстюк Н. Э., Воротилов К. А., Певцов Е. Ф., Сигов А. С., Расинг Т. Микроскопия второй оптической гармоники для локальной диагностики состояния поляризации в тонких пленках ЦТС. // Микроэлектроника, 30, № 6,446−456 (2001).

    Д9. Е. D. Mishina, N. Е. Sherstyuk, Е. Ph. Pevtsov, К. A. Vorotilov, A. S. Sigov, М. P. Moret, S. A. Rossinger, Р. К. Larsen, Th. Rasing. Local probing of the polarization state in thin PbZrTi03 films during polarization reversal. // Appl. Phys. Lett., 78, 796 (2001).

    Д10. E. D. Mishina, Т. V. Misuryaev, N. E. Sherstyuk, V. V. Lemanov, A. I. Morozov, A. S. Sigov, Th. Rasing. Observation of a near-surface structural phase transition in srtio3 by optical second harmonic generation. // Phys. Rev. Lett., 85, 3664 (2000).

    Д11. E.D. Mishina, T.V. Misyuryaev, N.E. Sherstyuk, A.S. Sigov, A. Grishin, O.A. Aktsipetrov. Structural studies of epitaxial PbTi03 films by optical second harmonic generation. // Thin Solid Films, 336,291−295 (1998).

    Д12. A.A. Fedyanin, N.V. Didenko, N.E. Sherstyuk, A.A. Nikulin, O.A. Aktsipetrov. Interferometry of hyper Rayleigh scattering by inhomogeneous thin films. // Optics Letters, 24, No. 18, 1260−1262 (1999).

    Д13. O.A. Aktsipetrov, A.A. Fedyanin, A.A. Nikulin, E.D. Mishina, A.A. Sigov, N.E. Sherstyuk. Second harmonic generation interferometer for structural studies of thin ferroelectric ceramic films. // Ferroelectrics, 218, 355−361 (1998).

    Д14. Н. Э. Шерстюк. Нелинейно-оптические исследования сегнетоэлектриков: в направлении к нанометрам и пикосекундам. // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» INTERMATIC — 2004, 7 — 10 сентября 2004 года, Москва, Часть 3, стр. 7−16 (2004).

    ЗАКЛЮЧЕНИЕ

    .

    Темой, объединяющей экспериментальные результаты, представленные в диссертационной работе, является исследование методом генерации второй оптической гармоники сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур, имеющих потенциальное применение в разрабатываемых устройствах микрои наноэлектроники.

    В связи с поставленными задачами, экспериментальные исследования велись по двум направлениям:

    • исследование возможностей метода генерации второй оптической гармоники для диагностики сегнетоэлектрических тонких пленок и наноструктур;

    • исследование свойств тонких сегнетоэлектрических пленок (параметры доменной структуры, особенности переключения поляризации) и наноструктур, определяющих возможность их применения в устройствах современной микрои наноэлектроники.

    В ходе выполнения работы были получены следующие результаты: 1. Разработана оригинальная методика диагностики доменной структуры тонких сегнетоэлектрических пленок, основанная на разделении когерентного и некогерентного сигнала ВГ, и проведены исследования доменной структуры тонких пленок титаната бария-стронция (БСТ) различной толщины. а) Исследованы зависимости интенсивности второй оптической гармоники от угла поворота плоскости поляризации излучения накачки (поляризационные зависимости ВГ) и от угла рассеяния излучения ВГ (диаграммы рассеяния) для сегнетоэлектрических тонких пленок БСТ толщиной 6-И 40 нм. б) На основе теоретического анализа поляризационных зависимостей и ф диаграмм рассеяния сигнала ВГ определены доли доменов, ориентированных вдоль различных кристаллографических осей. Изменение угла падения излучения накачки позволяет разделить вклад в интенсивность ВГ доменов, ориентированных в плоскости пленки, и доменов, ориентированных в направлении нормали к поверхности. в) Проведены наблюдения размерных эффектов в нелинейно-оптических свойствах и доменной структуре тонких пленок БСТ. г) Проведена проверка наличия сегнетоэлектрических свойств в сверхтонких пленках (до 6 нм).

    Предложена методика локальной диагностики состояния поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках на основе сканирующей нелинейно-оптической микроскопии. а) Проведены исследования состояния поляризации тонких пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различного состава в зависимости от приложенного переменного напряжения. б) Проведено картирование состояния поляризации по нелинейно-оптическому отклику в тонких сегнетоэлектрических пленках цирконата-титаната свинца при наложении электрического поля в плоскости и перпендикулярно плоскости пленки. Предложены алгоритмы расчета структурных характеристик.

    Развита оригинальная методика нелинейно-оптической микроскопии изображения для наблюдения динамики переполяризации сегнетоэлектрических материалов, заключающаяся в исследовании локального сигнала второй гармоники при наложении электрического поля. Проведены исследования нелинейно-оптического отклика тонких пленок ЦТС различного состава в процессе их переполяризации. а) Создана стендовая модель нелинейно-оптического микроскопа изображения с пространственным разрешением порядка 0,4 мкм, позволяющая проводить синхронные измерения оптических и электрических характеристик. б) Методом нелинейно-оптической микроскопии изображения проведены наблюдения динамики изменения состояния поляризации сегнетоэлектрических пленок ЦТС различного состава и получены изображения, соответствующие различным точкам петли гистерезиса, в) Предложена методика расчета диэлектрической поляризации, основанная на феноменологическом анализе поля ВГ, генерируемого пленкой сегнетоэлектрика. На основании расчетов, проведенных при помощи этой методики, были получены локальные петли гистерезиса диэлектрической поляризации. Разработана методика и проведены экспериментальные исследования переключения сегнетоэлектрической поляризации и перестройки доменной структуры в тонких сегнетоэлектрических пленках. а) Проведены экспериментальные исследования процессов переключения в тонких пленках БСТ. Исследованы зависимости нелинейно-оптического отклика пленок от параметров сигнала внешнего импульсного напряжения с передним фронтом ~ 5 не. б) На основании анализа поляризационных диаграмм и индикатрис рассеяния ВГ предложена модель изменения доменной структуры при приложении переменного электрического поля в плоскости пленки. в) На основе нелинейно-оптических измерений исследован квазилинейный режим переключения поляризации в тонкой сегнетоэлектрической пленке.

    Проведены исследования сегнетоэлектрических наноструктур, созданных путем внедрения сегнетоэлектрического материала в поры мембраны-матрицы. а) Разработана методика и проведены исследования степени заполнения пор и глубины проникновения сегнетоэлектрического материала в поры мембраны-матрицы пористого оксида алюминия при исследовании поперечного скола наноструктуры методом атомно-силовой микроскопии. б) Проведены экспериментальные исследования структуры и нелинейно-оптических свойств сегнетоэлектрических наноструктур ЦТС и БСТ, полученных по шаблонной технологии на основе пористых мембран оксида алюминия.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. The International Technology Roadmap for Semiconductors. // Semiconductor Industry Association (SIA). Austin, TX.: International SEMATECH 1999. -p. 105−140.
    2. W.K. Chen, C.M. Cheng, J.Y. Huang, W.F. Hsieh, T.Y. Tseng. Study of linear and nonlinear optical properties of distorted Ti-06 perovskite structure in Ba, Sri2*Ti03. // J. Physics and Chemistry of Solids 2000. — v.61. — i.3 — p. 969.
    3. Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений.: пер. с англ. / под ред. JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1970. — 352 с.
    4. Optical metrology roadmap for the semiconductor, optical, and data storage industries. Ed. Duparre, A.- Singh, B. // Proceedings of SPIE 2001. — v. 4449.
    5. Herman I. Optical diagnostics for thin film processing. // Academic Press, 1996, p. 783
    6. Technology roadmap for nanoelectronics, European Commission, 1ST programme, www.cordis.lu.
    7. Matsuura, D.- Kanemitsu, Y.- Kushida, T.- White C. W.- Budai, J. D.- Meldrum, A. Optical characterization of CdS nanocrystals in А120з matrices fabricated by ion-beam synthesis. // Appl. Phys. Lett. 2000 — v. 77. — No.8 — p. 2289.
    8. Lee, M. W.- Twu, H. Z.- Chen, C.-C.- Chen, C.-H. Optical characterization of wurtzite gallium nitride nanowires. // Appl. Phys. Lett. 2001. — v. 79. — i. 10 -p.3693.
    9. Dai, L.- Chen, X. L.- Zhang, X. N.- Jin, A. Z.- Zhou, T.- Hu, B. Q.- Zhang Z. Growth and optical characterization of Ga203 nanobelts and nanosheets. // J. Appl. Phys. 2002 — v. 92. — i.6 — p. 1062.
    10. , H. Нелинейная оптика.- M.: Мир, 1966
    11. Bloembergen, N.- Chang, R.K.- Jha, S.S.- Lee, C.H. Optical second-harmonic generation in reflection from media with inversion symmetry. // Phys. Rev. 1968 -v. 174.-p. 813.
    12. Ахманов, C. A- Хохлов P.B. Проблемы нелинейной оптики.- M., 1964.
    13. Gopalan, V.- Raj, R. Domain structure and phase transitions in epitaxial KNb03 thin films studied by in situ second harmonic generation measurements. // Appl. Phys. Lett. 1996-v. 68-NolO-p. 1323.
    14. , V. — Lettieri, J. — Theis, C.D. — Schlom, D.G. — Jiang, J.C. — Pan X.Q., Probing domain microstructure in ferroelectric Bi4Ti3012 thin films by optical second harmonic generation. // J. Appl. Phys. 2001 — v. 89 — NolO — p. 1387
    15. Kirilyuk, A.- Rasing, Th.- Doudin, В.- Ansermet, J.-Ph., Nonlinear magneto-optical response of Co/Cu multilayered nanowires. // J. Appl. Phys. 1997 — v. 81 -Nol2 — p. 4723.
    16. Murzina, T.V.- Kravets, F.F.- Misuryaev, T.V.- Aktsipetrov, O.A. Second harmonic generation studies of magnetic nanogranular films exhibiting giant magnetoresistance // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2003 — v. 5221 — c. 41.
    17. Beermann, J.- Bozhevolnyi, S. I.- Coello, V. Second-harmonic far-field microscopy of random metal nanostructures. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. m 2003 -v. 5118-p. 530.
    18. J.C. Hulteen, C.R. Martin. In: Nanoparticles and Nanostructured Films (Ed. J.H. Fendler). // Wiley-VCH, Weinheim, Germany 1998. — p.235.
    19. M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы, (пер. С англтйского под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского) // М.: Мир, 1981 г.-736 с.
    20. W. Zhong, D. Vanderbilt, К.М. Rabe. First-principles theory of ferroelectric phase transitions for perovskites: The case of BaTi03.// Phys. Rev. В 1995. -v.52-pp 6301−6312.
    21. L-H.Ong, J. Osman and D.R. Tilley. Landau theory of second-order phase transitions in ferroelectric films.//Phys. Rev. В 2001. — v.63. — p 144 109−1
    22. Soon Byung Park and Woong Kil Choo. Structural and dielectric studies of the Phase Transitions in Pb (Ybi/2Ta½)03 PbTi03 Ceramics.// Jpn. J. Appl. Phys. -2000. — v.39. — pp 5560−5564.
    23. A. Snedden, C.H. Hervoches and Ph. Lightfoot. Ferroelectric phase transition in SrBi2Nb209 and Bi5Ti3FeOi5: a powder newtron diffraction study .//Phys. Rev. В -2003.-v.67.-p.92 102.
    24. К.А. Воротилов. Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения. // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Москва, МИРЭА 2000. — 388 с.
    25. Vorotilov К.А., Yanovskaya M.I., Turevskaya Е.Р., Sigov A.S. Sol-gel derivad ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties. // J. Sol-Gel Science and Technology. 1999. — v. 16. — p. 109−118.
    26. Xusheng Wang and Hiroshi Ishiwara. Sol-gel derived ferroelectric Pb (ZrixTix)03 Si02 — В20з glass-ceramic thin films formed at relatively low annealing temperatures.//Jpn. J. Appl. Phys.- 2001. — v.40. -Noll. — pp. 5547−5550.
    27. V.S. Tiwari, Arun Kumar, V.K. Wadhawan and Dhananjai Pandey. Kinetics of formation of the pyrochlore and perovskite phases in sol-gel derived lead zirconate titanate powder.// Journal of Materials Research. 1998. — v.13. — i.8. — pp.2170 -2173.
    28. S.M. Smith, A.A. Talin, S. Voight, A. Hooper and D. Convey. Effect of annealing temperature on physical properties of thin epitaxial PZT films on STO/Si substrates.// Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2002. — v.4804. — p. l
    29. Jiunnjye TSAUR, Zhan Jie WANG, Lulu ZHANG et.all. Preparation and Application of Lead Zirconate Titanate (PZT) Films Deposited by Hybrid Process: Sol-Gel Method and Laser Ablation. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — v.41. — Part 1. -No.llB. — pp.6664−6668.
    30. M. Ishida, H. Matsunami and T. Tanaka. Preparation and properties of ferroelectric PLZT films by rf-sputtering. // J. Appl. Phys. 1997. — v.48. — No.3. — pp. 951 953.
    31. В.М. Мухортов. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. // Ростов-на-Дону. 2001. — 347 стр.
    32. В.М. Мухортов, Г. Н. Толмачев, А. И. Мащенко. // ЖТФ 1992. — т.62. -вып.5. — стр. 22−28.
    33. В.М. Мухортов, Г. Н. Толмачев, А. И. Мащенко. // ЖТФ 1993. — т.63. -вып. 11.- стр. 135−142.
    34. В.М. Мухортов, Ю. И. Головко, Г. Н. Толмачев, А. И. Мащенко. Гетероэпитаксиальный рост пленок сложного оксида из самоорганизованной системы, образующейся в плазме газового разряда. // ЖТФ 1999. — т.69. -стр. 87−91.
    35. В.М. Мухортов, Г. Н. Толмачев, Ю. И. Головко, А. И. Мащенко. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов. // ЖТФ 1998. — т.68. — стр. 99−103.
    36. E.J. Cukauskas, S.W. Kirchoefer and J.M. Pond. Low-loss Bao)5Sroi5Ti03 thini4 films by inverted cylindrical magnetron sputtering.// J. Appl. Phys. 2000. — v.88.1. No.5. pp.2830−2835.
    37. T. Masuda, Yu. Miyaguchi, K. Suu, Sh. Sun. Preparation of SrBi2Taij5Nbo, 509 ferroelectric thin films by RF sputtering on large substrate.// Jpn. J. Appl. Phys. -2000. v.39. — Part 1. — No.9B. — pp. 5460−5464
    38. Zh.-J. Wang, K. Kikuchi, R. Maeda. Effect of Pb content in target on electrical properties of laser ablation derived lead zirconate titanate thin films.// Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — v.39. — Part. 1. — No.9B. — pp. 5413−5417
    39. R.R. Das, P. Bhattacharya, W. Perez, R.S. Katiyar. Influence of Ca on structural and ferroelectric properties of laser ablated SrBi2Ta209 thin films.// Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — v.42. — Parti. — No. 1. — pp. 162−165.
    40. Zh.-J. Wang, R. Maeda, M. Ichiki, H. Kokawa. Microstructure and electrical properties of lead zirconate titanate thin films deposited by excimer laser ablation.// Jpn. J. Appl. Phys. 2001. — v.40. — Parti. — No.9B. — pp. 5523−5527.
    41. D. Burgess, F. Schienle, J. Lindner, M. Schumaher et all. Metal-organic chemical vapor deposition and characterization of strontioum bismuth tantalate (SBT) thin films. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — v.39. — Part. 1. — No.9B. — pp. 5485−5488.
    42. K. Ishikawa, A. Saiki, H. Funakubo. Growth of epitaxial SrBi2Ta209 thin films by metalorganic chemical vapor deposition. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — v.39. -Part.l. -No.9B. — pp.2102−2109.
    43. W 48. H. Nonomura, H. Fujisawa, M. Shimizu and H. Niu. Epitaxial Growth and
    44. Ferroelectric Properties of the 20-nm-Thick Pb (Zr, Ti)03 Film on SrTi03(100) with an Atomically Flat Surface by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. // Jpn. J. Appl. Phys.-2002.-v.41.-Part. 1 No. l IB. — pp. 6682−6685.
    45. А. Воротилов К. // Электроника: наука, технология, бизнес. 1998. -т.3−4. — стр. 75
    46. Tatsuya Yamazaki. Key Issues for Manufacturable FeRAM Devices. // 1st International Meeting on Ferroelectric Random Access Memories (FeRAM 2001). Book of Abstracts. 2001. — November 19−21, Gotemba, Japan. — p.31
    47. Hiroshi Ishiwara. Current status of ferroelectric memory.// 1st International
    48. Meeting on Ferroelectric Random Access Memories (FeRAM 2001). Book of Abstracts. 2001. — November 19−21, Gotemba, Japan. — p. PL-3
    49. D. Takashima and I. Kunishima // IEEE J. Solid State Circuits. 1998. — v.33. -787.
    50. Ahard H., Mace H., Peccoud L. Device processing and integration of ferroelectric thin films for memory applications. // microelectronic Engineering. 1995. — v.29. -pp. 19−28.
    51. Motoyuki Oishi. ITRS Forecasts FeRAM Capasity to Quadruple. // http://neasia.nikkeibp.com/index.shtml. Nikkei Buiseness Publications, October 2001 Issue 1
    52. Setter N., Waser R. Electroceramic materials. // Acta Materialia 2000. — v.48. -p.151−178.62. (application) Petrovsky V.I., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Microelectronic applications of ferroelectric films // Integrated ferroelectrics 1993 — v.3 — p.59
    53. Новости высоких технологий. // Электронный журнал. Доступно в электронном виде по адресу: http://pld.hi-fi.ru/news/0008/8 110 620.htm
    54. А.С. Сигов. Сегнетоэлекгрические тонкие пленки в микроэлектронике.// Соросовский образовательный журналю 1996ю — № 10 — стр.83−91
    55. Wagner C.N.J. Direct Methods for the Determination of atomic-scale structure of amorphous solids (x-ray, electron and neutron scattering). // J. of Non-Crystalline Solids 1978.-V.31.-pp. 1−40.
    56. Я. С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев JI.H. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. -М.:Металлургия. 1982. — 632 с.
    57. X-ray Absorption. Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS and XANES/ Eds. D.C. Koningsberger, R. Prins N.Y.: John Wiley&Sons. — 1988. -V.92. -674 p.
    58. K. Ohwada, K. Hirota, P.W. Rehrig, Ya. Fujii, G. Shirane. Neutron diffraction study of field-cooling effects on the relaxor ferroelectrics Pb (Zn1/3Nb2/3)o>92Tio-o8.03. // Phys. Rev. B. 2003. — v.67. -p.94 111.
    59. I. Kanno, H. Kotera, K. Wasa et. all. Crystallographic characterization of epitaxial Pb (Zr, Ti)03 films with different Zr/Ti ratio grown by radio-frequency-magnetron sputtering. // J. Appl. Phys 2003. — v.93. — pp.4091 — 4096.
    60. A. Garg, Z.H. Barber, M. Dawber, J.F. Scott et all. Orientation dependence of ferroelectric properties of pulsed-laser-ablated Bi4. xNdxTi30i2 films. //Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. — № 12. — pp.2414−2416.
    61. J.T. Zhu, Li Lu. X-ray diffraction and photoelectron spectroscopic studies of (OOl)-oriented Pb (Zr0>52Ti0,48)O3 thin films prepared by laser ablation. //J. Appl. Phys. 2004. — v.95. — No.2. — pp.241−247.
    62. J.F. Li, B. Ruette and D. Viehland. Observation of domain texture in poled Pb (Mgi/3Nb2/3)03 PbTi03 crystals. // Appl. Phys. Lett. — 2002. — v.81. — No.12. -pp.3633−3635.
    63. Y.K. Kim, K. Lee and S. Baik. Domain structure of epitaxial PbTi03 thin films on Pt (001)/Mg (001) substrates. // J. Appl. Phys.- 2004. v.95. — No.1−2. — pp.236 240.
    64. S.G. Lu, L. Mak, K.H. Wong. Optical studies of transparent ferroelectric strontiumbarium niobate/silica nanocomposite. // J. Appl. Phys. 2003. — v.94. — pp.34 223 426.
    65. Е.Д. Мишина, K.A. Воротилов, B.A. Васильев, A. C Сигов, N. Ohta, S. Nakabayashi. Сегнетоэлектрические наноструктуры на основе пористого кремния. // ЖЭТФ 2002. — т. 122. — вып.3(9). — с.582.
    66. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, V.I. Stadnichuk, K.A. Vorotilov, V.A. Vasil’ev, A.S. Sigov, O.M. Zhigalina, N. Ohta, S. Nakabayshi. Ferroelectrics templated innanoporous silicon membranes. // Ferroelectrics 2003. — v.286. — No.3. — pp.205 211.
    67. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. — 264 с.
    68. D. Fuchs, М. Adam, P. Schweiss et all. Structural properties of slightly off-stoichiometric homoepitaxial SrTix03.5 thin films. // J. Appl. Phys. 2000. — v.88. — No.4. — pp. 1844−1850.
    69. Z.T. Song, H.L.W. Chan, Y.P. Ding et all. Microstructure and electrical properties of lead lanthanum titanate thin film under transverse electric fields. // J. Appl. Phys. -2002. v.91. — No. 12. — pp. 3779−3784
    70. Maxim B. Kelman, Paul C. Mclntyre, Bryan C. Hendrix et all. Structural analysis of coexisting tetragonal and rhobohedral phases in polycrystalline Pb (Zr0)35Tio, 65)03 thin films. // J. Mat. Res. 2003. — v. l8. — pp.173−179.
    71. I. Szafraniak, C. Harnagea, R Scholz, S. Bhattacharyya, D. Hesse and M. Alexe. Ferroelectric epitaxial nanocrystals obtained by a self-patterning method. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. -No.l 1. — pp.2212−2213.
    72. Y. Luo, I. Szafraniak, N. Zakharov et all. Nanoshell tubes of ferroelectric lead zirconate titanate and barium titanate. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. — No.3. -pp.440−442.
    73. X. Lansiaux, E. Dogheche, D. Remiens, M. Guilloux-viry, A. Perrin, P. Ruterana. LiNb03 thick films grown on sapphire by using a multistep sputtering process.//J. Appl. Phys. 2001. — v.90. — No. 10. — pp. 5274−5277.
    74. David I. Woodwarda, Ian M. Reaney, Richard E. Eitel and Clive A. Randall. Crystal and domain structure of the BiFe03-PbTi03 solid solution. // J. Appl. Phys. 2003. — v.94. — No.5. — pp. 3313−3318.
    75. C. A. Randall, R. E. Eitel, T. R. Shrout, D. I. Woodward and I. M. Reaney. Transmission electron microscopy investigation of the high temperature BiSc03-PbTi03 piezoelectric ceramic system.// J. Appl. Phys. 2003. — v.93. — No. l 1. -pp. 9271−9274.
    76. Xinhua Zhu, Jianmin Zhu, Shunhua Zhou, Qi Li, Zhiguo Liu, and Naiben Ming. Domain structures and planar defects in SrBi2Ta209 single crystals observed by transmission electron microscopy.// Appl. Phys. Lett. 2001. — v.78. — No.6. — pp. 799−801.
    77. Y. Drezner and S. Berger. Nanoferroelectric domains in ultrathin BaTi03 films. // J. Appl. Phys. 2003. — v.94. — No. 10. — pp. 6774−6778.
    78. R. Liithi, Н. Haefke, К.-Р. Meyer, Е. Meyer, L. Howald, and H.-J. Gijntherodt. Surface and domain structures of ferroelectric crystals studied with scanning force microscopy. // J. Appl. Phys. 1993.- v.74. — pp.7461 — 7471.
    79. П.А. Арутюнов, А. Л. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. // Микроэлектроника -1999. т. 28. — № 6. — стр. 13−22.
    80. Genaro Zavala, Janos Н. Fendler, Susan Troiler-McKinstry. Characterization of ferroelectric lead zirconate titanate films by scanning force microscopy. // J.Appl. Phys. 1997. — v.81. -i.ll. — pp. 7480−7491.
    81. Wenhui Ma, Catalin Harnagea, Dietrich Hesse, and Ulrich Gosele. Well-ordered arrays of pyramid-shaped ferroelectric BaTi03 nanostructures. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. — No. l8. — pp. 3770 — 3772.
    82. V. V. Shvartsman, A. Yu. Emelyanov, A. L. Kholkin, A. Safari. Local hysteresis and grain size effect in Pb (Mg1/3Nb2/3)03-PbTi03 thin films. // Appl. Phys. Lett. -2002.-v.81.-No.l.-pp. 117−119.
    83. V. Likodimos, M. Labardi, and M. Allegrini. Domain pattern formation and kinetics on ferroelectric surfaces under thermal cycling using scanning forcemicroscopy. // Phys. Rev. В 2002. — v.66. — p. 24 104
    84. C. S. Ganpule, A. L. Roytburd, V. Nagarajan, В. K. Hill, S. B. Ogale, E. D. Williams, R. Ramesh and J. F. Scott. Polarization relaxation kinetics and 180° domain wall dynamics in ferroelectric thin films.//Phys. Rev. В 2001. — v.65. — p. 14 101
    85. V. Likodimos, X. K. Orlik, L. Pardi, M. Labardi, and M. Allegrinia. Dynamical studies of the ferroelectric domain structure in triglycine sulfate by voltage-modulated scanning force microscopy. // J. Appl. Phys. 2001. — v.87. — No.l. -pp.443−451.
    86. X. K. Orlik, V. Likodimos, L. Pardi, M. Labardi, and M. Allegrini. Scanning force microscopy study of the ferroelectric phase transition in triglycine sulfate. // Appl. Phys. Lett. 2000. — v.76. — No.10. — pp. 1321 — 1323
    87. M.P. De Santo. Electrical properties of surfaces analyzed by scanning probe techniques. // PhD Thesis. Dipartimento di Fizika, Universita della Calabria, Italy, 2000.
    88. B.K. Введение в эллипсометрию. Д.: Издательство ЛГУ, 1986 г. 322 с.
    89. Pingxiong Yang, David L. Carroll, John Ballato and Robert W. Schwartz. Growth and optical properties of SrBi2Nb209 ferroelectric thin films using pulsed laser deposition. // J. Appl. Phys. 2003. — v.93. — No. l 1. — pp. 9226 — 9230.
    90. Zhigao Hu, Genshui Wang, Zhiming Huang, and Junhao Chu. Optical properties of Bi3.25Lao.75Ti3012 thin films using spectroscopic ellipsometry. // J.Appl. Phys. -2003.- v.93.-No.7.-pp. 3811 -3815.
    91. W. S. Tsang, K. Y. Chan, C. L. Мак, and К. H. Wong. Spectroscopic ellipsometry study of epitaxially grown Pb (Mg,/3Nb2/3)03-PbTi03 /MgO/TiN/Si heterostructures. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. — No.8. — pp. 1599- 1601.
    92. A. H. Mueller, N. A. Suvorova, E. A. Irene, O. Auciello and J. A. Schultz. Model for interface formation and the resulting electrical properties for barium-strontium-titanate films on silicon. // J. Appl. Phys. 2003. — v.93. -No.7. -pp.3866−3872.
    93. A.H., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. М., 1972
    94. D. A. Tenne, A. Soukiassian, М. Н. Zhu, А. М. Clark, X. X. Xi, Н. Choosuwan, Qi Не, R. Guo, and A. S. Bhalla. Raman study of BaxSrixTi03 films: Evidence for the existence of polar nanoregions. // Phys. Rev. В 2003. — v.67. — p.12 302 .
    95. M. S. Tomar, R. E. Melgarejo, A. Hidalgo, S. B. Mazumder and R. S. Katiyar.-щ Structural and ferroelectric studies of Bi3.44Lao.56Ti3Oi2 films. // Appl. Phys. Lett. 2003. v.83. — No.2. — pp. 341 — 343.
    96. H. Zheng, H. Bagshaw, G. D. C. Csete de Gyorgyfalva, I. M. Reaney, R. Ubic, J. Yarwood. Raman spectroscopy and microwave properties of CaTi03-based ceramics. // J. Appl. Phys. 2003. — v.94. — No.5. — pp. 2948 — 2956.
    97. Marcin Gnyba and Piotr Wroczynski. Raman and infrared investigation of ferroelectric ceramics. // Proc. SPIE ~ Volume 5258, IV Workshop on Atomic and Molecular Physics, Jozef Heldt, Editor, November 2003. 2003. — pp. 178−181.
    98. Oleksiy Svitelskiy, Jean Toulouse, Grace Yong, Z.-G. Ye. Polarized Raman study of the phonon dynamics in Pb (Mgi/3Nb2/3)03 crystal. // Phys. Rev. В 2003. -v.68 — p. 104 107.
    99. S. Lanceros-Mendez, H. Ebert, G. Schaack, and A. Kloperpieper. Raman and infrared study of the quasi-one-dimensional betaine arsenate-phosphate mixed-crystal system. // Phys. Rev. В 2003. — v.67. — p. 14 109
    100. Jinggang Zhao and Yukihiro Ozaki. Method based on polarized infraredspectroscopy for the determination of the spatial orientation of transition dipole moments of a ferroelectric liquid crystal. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. -No.2.-pp. 389−391.
    101. T. Yu, Z. X. Shen, W. S. Toh, J. M. Xue, and J. Wang. Size effect on the ferroelectric phase transition in SrBi2Ta209 nanoparticles. H J. Appl. Phys. 2003.- v.94. No.l. — pp. 618−620.
    102. M. El Marssi, F. Le Marrec, I. A. Lukyanchuk, M. G. Karkut. Ferroelectric transition in an epitaxial barium titanate thin film: Raman spectroscopy and x-ray diffraction study. // J. Appl. Phys.-2003.-v.94.-No.5.-pp, 3307−3312.
    103. V. M. Naik, D. Haddad, R. Naik, J. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli and G. W. Auner. Phase transitional studies of polycrystalline Pbo.4Sro.6Ti03 films using Raman scattering. // J. Appl. Phys. 2003. — v.93. — No.3. — pp.1731 — 1734.
    104. Naoki Sugita, Eisuke Tokumitsu, Minoru Osada and Masato Kakihana. In Situ Raman Spectroscopy Observation of Crystallization Process of Sol-Gel Derived Bi4^La^Ti30i2 Films. // Jap. J. Appl. Phys. Part 2: Letters. 2003. — v.42. -i.8A -pp. L944-L945.
    105. В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. М.:Гостехиздат, 1982 г. 359 с.
    106. Y. P. Wang, H. F. Ning, L. Zhou, J. К. Shen, and Z. G. Liu. Photoluminescence of pyrochlore phase in SrBi2Ta209 thin films. Il Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. -No.4. — pp. 743 — 745.
    107. Ji Zhou, Longtu Li, Zhilun Gui, S. Buddhudu and Yan Zhou. Photoluminescence of CdSe nanocrystallites embedded in ВаТЮЗ matrix. // Appl. Phys. Lett. 2000.- v.76. No.12. — pp. 1540 — 1542
    108. T.N. Vasilevskaya, A.A. Kaplyanskiy, A.B. Kulinkin and S.P. Feofilov. Luminescence of Cr3+ Impurity Ions in Li2Ge70i5 Nanocrystals and Clusters Embedded in Lithium Germanate Glasses. // Phys. Sol. State 2003. — v.45 — i.5.-pp. 961 -968.
    109. Shi De Cheng, Chan Hin Kam, Yee Loy Lam, Kanitsara Pita and Srinivasa Buddhudu. Luminescence properties of Nd3 ±doped LiNb03 and LiTa03 sol-gel powders. // Proc. SPIE, 2000. — v.422. — Advanced Microelectronic Processing
    110. Techniques, H. Barry Harrison, Andrew T. S. Wee, Subhash Gupta, Editors, October 2000, pp. 49−55.
    111. V. Dierolf, C. Sandmann, S. Kim, V. Gopalan, K. Polgar. Ferroelectric domain imaging by defect-luminescence microscopy. // J. Appl. Phys. 2003. — v.93. -No.4. — pp. 2295−2297.
    112. T.F. Heinz, in: H.-E. Ponath, G.I. Stegeman (Eds.), Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena, North Holland, Amsterdam, 1991. p. 355.
    113. H. Бломберген. Нелинейная оптика. -M.: Мир, 1996, 424 с.
    114. Шен, И.Р., Принципы нелинейной оптики, пер. с англ., М., Наука, 1989, 561 стр.
    115. Junaidah Osman, Yoshihiro Ishibashi and David R. Tilley. Calculation of nonlinear susceptibility tensor components in ferroelectrics. // Jpn. J. Appl. Phys. -1998. v.37. — pp. 4887−4893.
    116. Heinz T.F., Loy M.M.T., and Thompson W.A. Study of Si (l 11) surfaces by optical second-harmonic generation: reconstruction and surface phase transformation // Phys. Rev. Lett. 1985. — V.54. — P.63−66.
    117. O.A. Aktsipetrov, N.N. Akhmediev, I.M. Baranova, E.D. Mishina, and V.R. Novak. Structure of Langmuir films by second-harmonic reflection // Sov. Phys. JETP 1985. — v.62. — pp. 524−530.
    118. O.A. Aktsipetrov, A.A. Fedyanin, D.A. Klimkin, A.A. Nikulin, E.D. Mishina, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, C.W. van Hasselt, M.A.C. Devillers, and Th. Rasing.
    119. Optical second harmonic generation studies of thin lead-zirconate-titanate ferroelectrics films // Ferroelectrics 1996. — v.186. — pp. 215−218.
    120. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, T.V. Misuryaev, A.S. Sigov, A.M. Grishin, Th. Rasing, O.A. Aktsipetrov. Structural studies of epitaxial PbTi03 films by optical second harmonic generation // Thin Solid Films 1998. — v.336. — pp. 291−294.
    121. Goldstein, H., Classical Mechanics, Cambrige, Addison-Wesley Press, 1970.
    122. C.K. Chen, A.R.B. de Castro and Y.R. Shen. Surface-Enchanced Second Harmonic Generation // Phys. Rev. Lett. 1981. — v.46. — pp. 145−148.
    123. A.A. Никулин, A.B. Петухов. Гигантская вторая гармоника на поверхности металла: флуктуационный механизм диффузности и деполяризации излучения // ДАН СССР 1989. — с. 87−91.
    124. М. Fiebig, V.V. Pavlov, R.V. Pisarev. Second harmonic generation as a tool for studying electronic and magnetic structures of crystals: review. // J. Opt. Soc. Am. В 2005. — vol. 22. — No. 1. — pp. 96 — 118.
    125. Vorotilov K.A., Yanovskaya M. I., Turevskaya E.P., Sigov A.S. Sol-gel derivediferroelectric films: avenues for control of microstructural and electric properties. // J. Sol-Gel Sciense and Technology. 1999. — V. 16. — P.109−118.
    126. Jl.C. Коханчик, K.A. Воротилов, A.C. Сигов. РЭМ-исследование сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца, полученныхметодом химического осаждения из растворов. // Изв. Академии наук, Сер.
    127. Физическая 2001. — т. 65. — № 9. — стр. 1276−1279.
    128. S.Y. Hou, J. Kwo, R.K. Watts, J.-Y. Cheng and D.K. Fork. Structure and properties of epitaxial Bao.5Sro.5Ti03/SrRu03/Zr02 heterostructure on Si grown by off-axis sputtering. // Appl. Phys. Lett. 1995. — vol. 67. — issue 10. — pp. 1387 -1389.
    129. S. Yamamichi, H. Yabuta, T. Sakuma, and Y. Miyasaka. (Ba+Sr)/Ti ratio dependence of the dielectric properties for (Вао^Го^ТЮз thin films prepared by ion beam sputtering. // Appl. Phys. Lett. 1994. — vol. 64. — i. 13. — pp. 1644 -1646.
    130. A.V. Bune, V.M. Fridkin, S. Dusharme, L.M. Blinov, S.P. Palto, A.V. Sorokin, S.G. Yudon, A. Zlatkin. Two dimensional ferroelectric films.// Nature 1998. -v.391.-pp. 874−877.
    131. F.Li, J.A. Eastman, J.M. Vetrone, C.M. Foster, R.E. Newnham, L.E. Cross, dimentions and size-effects in ferroelectrics. // Jap. J. Appl. Phys. 1977. — v.36. -N0.8. — pp. 5169−5174.
    132. V. Gopalan, R. Raj. Domain structure and phase transitions in epitaxial KNb03 thin films studied by in situsecond harmonic generation measurements. // Appl. Phys. Lett. 1996. — v.68. — No.10. — pp. 1323 — 1325.
    133. V. Barad, J. Lettieri, C.D. Theis, D.G.Schlom, J.C.Jiang, X.Q.Pan. Probing domain microstructure in ferroelectric Bi4Ti30i2 thin films by optical second harmonic generation. // J. Appl. Phys. 2001. — v.89. — No.2. — pp. 1387 — 1392.
    134. K. L. Sorokina and A. L. Tolstikhina. Atomic force microscopy modified forstudying electric properties of thin films and crystals. Review. // Crystallogr. Rep. 2004. — vol. 49. — i.3. — pp. 476 — 499.
    135. V. Malyshkin, A.R. McGurn, A.A. Maradudin. Features in the speckle correlations of light scattered from volume-disordered dielectric media. // Phys. Rev. B 1999. -v.59.- pp. 6167−6176.
    136. A.C.R. Pipino, R.P. van Duyne, G.C. Schatz. Surface-enhanced second-harmonic diffraction: Experimental investigation of selective enhancement. // Phys. Rev. B -1996. v.53. — pp. 4162 — 4169.
    137. M.I. Molotskii, M.M. Shvebelman. Decay of ferroelectric domains formed in the field of an atomic force microscope. // J. Appl. Phys. 2005. — vol. 97. — pp. 84 111−1-84 111−6, in press.
    138. D. Fu, K. Suzuki, K. Kato, H. Suzuki. Dynamics of nanoscale ppolarization backswitching in tetragonal lead zirconate titanate thin film. // Appl. Phys. Lett. -2003. vol.82. — No. 13. — pp. 2130 — 2132.
    139. Ya. Cho, K. Fujimoto, Y. Hiranaga, Ya. Wagatsuma, A. Onoe, K. Terabe and K. Kitamura. Tbit/inch ferroelectric data storage based on scanning nonlinear dielectric microscopy. // Appl. Phys. Lett. 2002. — vol.81. — No. 23. — pp. 4401 -4403.
    140. R. Hellwarth and P. Christensen. Nonlinear optical microscope using second harmonic generation. // Applied Optics 1975. — vol. 14 — i.2. — pp. 247 — 248.
    141. Ch.-K. Sun, Sh.-W. Chu, I.-H. Chen, B.-L. Lin, P. C. Cheng. Biological photonic crystals revealed by multimodality nonlinear microscopy. // Proc. SPIE Int. Soc.
    142. Opt. Eng. 2002. — vol. 4620. — pp. 166 — 174.
    143. J. Mertz, L. Moreaux and T. Pons. Perturbative theory of the electro-optic response of second-harmonic generation membrane potential sensors. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 2002. — vol. 4620. — pp. 182 — 190.
    144. Kirilyuk, V.- Kirilyuk, A.- Rasing, Th. A combined nonlinear and linear magneto-optical microscopy // Appl. Phys. Lett. 1997. — vol. 70. — p. 2306 — 2308.
    145. Y. Uesu, S. Kurimura and Y. Yamamoto. Optical second harmonic images of 90° domain structure in BaTi03 and periodically inverted antiparallel domains in LiTa03. // Appl. Phys. Lett. 1995. — vol. 66. — No. 17. — pp. 2165−2167.
    146. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Пер. с англ. -М.:Мир, 1984,-456 с.
    147. , О.М.- Бурмистрова, П.В.- Васильев, A. JL- Роддатис, В.В.- Воротилов, К.А.- Сигов А. С. Электронная микроскопия элементов сегнетоэлектрических ЗУ на основе многослойных структур Si-Si02-Ti-Pt-ЦТС. // Микроэлектроника, в печати.
    148. Ortmann L., Schwable C., Vogt H. Study of centrosymmetric crystal phases by optical second harmonic generation. // Ferroelectrics 1976, — v. 12. — p. 189.
    149. Hoerman В. H., Ford G. M., Kaufmann L. D., Wessels B. W. Dielectric properties of epitaxial ВаТЮЗ thin films // Appl. Phys. Lett. -1998. v. 73. — No. 16. — p. 2248−2250.
    150. S. Li, H. Zheng, L. Salamanca-Riba, R. Ramesh, I. Naumov, and K. Rabe, // Appl. Phys. Lett. 2002. — v.81. — pp. 4398.
    151. Young Min Kang, Choong Heui Chung, Sang Hyun Oh, Beelyong Yang, Seaung Suk Lee, Suk Kyoung Hong and Nam Soo Kang. Characterization of Polarization
    152. Switching Behavior of Pt/SrBi2Ta209/Pt Ferroelectric Capacitors in Ferroelectric Random Access Memory. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — vol. 41. -Parti. — No.2. -pp. 694 — 697.
    153. M. Alexe, A. Gruverman, C. Harnagea, N. D. Zakharov, A. Pignolet, D. Hesse, J. F. Scott. Switching properties of self-assembled ferroelectric memory cells. // Appl. Phys. Lett. 1999.- vol. 75. — No. 8. — pp. 1158 — 1160.
    154. Yutaka Kanda, Keiji Yoshida and Itaru Uezono. Design and performance of LiNbC>3 optical modulator with a superconducting electrode. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. — vol.37. — Parti. — N0.6B. — pp. 3736 — 3738.
    155. Keiji Yoshida, Yuji Mukaiyama, Haruichi Kanaya, Yutaka Kanda. Design and performance of high gain superconducting booster circuit for LiNb03 optical modulator. // Physica С 2002. — Nos. 372−376. — pp. 360−363.
    156. J. F. Scott, // Ferroelectr. Rev. 1998. — v. 1. — p. 1
    157. P. K. Larsen, G. L. M. Kampschoer, M. J. E. Ulenaers, G. А. С. M. Spielings, and R. Cuppens, Nanosecond switching of thin ferroelectric films. // Appl. Phys. Lett. -1991.-v.59.-pp.611.
    158. E. D. Mishina, Т. V. Misuryaev, A. A. Nikulin, V. R. Novak, Th. Rasing, O. A. Aktsipetrov. Hyper-Rayleigh scattering from Langmuir films of C6o and its derivatives. // J. Opt. Soc. Am. В 1999. — v. l 6. — p. 1692.
    159. R. Blinc, B. Zeks. Soft modes in ferroelectrics and antiferroelectrics. // North-Holland, Amsterdam, 1974.
    160. E. D. Mishina, N. E. Sherstyuk, V.I. Stadnichuk, A.S. Sigov, V.M. Mukhorotov, Yu.I. Golovko, A. van Etteger, Th. Rasing. Nonlinear-optical probing of nanosecond ferroelectric switching. // Appl. Phys. Lett. 2003. — v.83. — No.12. -pp.2402−2404.
    161. V. Gopalan, R. Raj. Domain structure and phase transitions in epitaxial KNb03 thin films studied by in situsecond harmonic generation measurements. // Appl. Phys. Lett. 1996. — v.68. — No.10. — pp. 1323 — 1325.
    162. Е.Д. Мишина. Нелинейно-оптическая диагностика материалов микроэлектроники. // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Москва, 2004 г. 326с.
    163. Kavalerov, V.- Fujii, Т.- Inoue, M. Observation of highly nonlinear surface-acoustic waves on single crystal lithium-niobate plates by means of an optical sampling probe. // J. Appl. Phys. 2000. — vol. 87. — No.2. — p. 907.
    164. J. Gudde, U. Conrad, V. Jahnke, J. Hohlfeld, and E. Matthias. Magnetization dynamics of Ni and Co films on Cu (001) and of bulk nickel surfaces. // Phys. Rev. В-1999.-vol. 59.-p.R6608.
    165. J. Li, B. Nagaraj, H. Liang, W. Cao, Chi. H. Lee, R. Ramesh. Ultrafast polarization switching in thin-film ferroelectrics. // Appl. Phys. Lett. 2003. — vol. 84. — No. l 1. -pp.1174 — 1177.
    166. J. Hohlfeld, Th. Gerrits, M. Bilderbeek, Th. Rasing, H. Awano, N. Ohta. Fast magnetization reversal of GdFeCo induced by femtosecond laser pulses. // Phys. Rev. В 2001. — vol. 65. — p.12 413.
    167. S. I. Ashitkov, M. B. Agranat, P. S. Kondratenko, S. I. Anisimov, V. E. Fortov, V. V. Temnov, K. Sokolowski-Tinten, B. Rethfeld, P. Zhou, and D. von der Linde.
    168. Ultrafast laser-induced phase transitions in tellurium. // Письма в ЖЭТФ 2002.1. T.76. Выпуск 7. — с. 538.
    169. S. Fahy, R. Merlin. Reversal of Ferroelectric Domains by Ultrashort Optical Pulses. // Phys. Rev. Lett. 1994. — vol. 73. — p. l 122.
    170. Kwang Soo Seol, Satoshi Tomita and Kazuo Takeuchi. Gas-phase production of monodisperse lead zirconate titanate nanoparticles. // Appl. Phys. Lett. 2002. -v.81.-No.lO. — pp. 1893−1895.
    171. Kwang Soo Seol, Kazuo Takeuchi, Takeshi Miyagawa and Yoshimichi Ohki. Characteristics of nanoparticles formed during pulsed laser ablation of SrBi2Ta209. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002 — v.41. — Parti. — No.9. — pp. 5654−5658.
    172. X.G. Tang, Q.F. Zhou and J.X. Zhang. Raman scattering investigation of the phase transition in nanocrystalline (Pb, Ca, La) Ti03. // J. Appl. Phys. 1999. — v. 86. -No.9.-pp. 5194−5197.
    173. S.G. Lu, C.S. Mak, K.H. Wong and K.W. Cheah. Photoluminescence of9 transparent strontium-barium-niobate-doped silica nanocomposites. // Appl. Phys.1.tt. 2001. — v.79. — No.26. — pp. 4310−4312.197,198 199.200,201,202,203,204,205,206 207,208209210
    174. Wenhui Ma, Catalin Harnagea, Dietrich Hesse, and Ulrich Gosele. Well-ordered arrays of pyramid-shaped ferroelectric ВаТЮЗ nanostructures. // Appl. Phys. Lett.-2003. v.83. — No. 18. — pp. 3770−3772.
    175. Интернет-ресурс http://xserver.aaas.org/news/nanocircuit.html. Breakthrough of the year: The Runners-Up. // Science 2001, Special Issue. -v.294. — pp. 2443 — 2447.
    176. Интернет-ресурс «International Strategy for Nanotechnology Research and Development», U.S. National Science Foundation, 2001. http://nano.gov. Сергей Бобровский. Сколько же места там, внизу? // PC Week/RE 2003, № 45, стр. 55 — 57.
    177. Патент США. Tunable photonics with ferroelectrics: J. Sajeev, K. Busch, US Patent Number US2002074537 (20 June 2002).
    178. Интернет-ресурс International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2002 (available at http://public.itrs.net/Files/2002Update/Home.pdf).
    179. Li S., Eastman J.A., Vetrone J.M., Fodter C.M., Newman R.E., Cross L.E. Dimension and size effects in ferroelectrics.// Jap. J. Appl. Phys. -1997. v. 36. — p. 5169−5174.
    180. Chattopadhyay S., Ayyub P., Palkar V.R., Multani M. Size-induced diffuse phase transition in the nanocrystalline ferroelectric PbTi03// Phys. Rev. В 1995. — v. 52.-p. 13 177−13 183.
    181. Hoerman В. H., Ford G. M., Kaufmann L. D., Wessels B. W. Dielectric properties of epitaxial ВаТЮЗ thin films // Appl. Phys. Lett. -1998. v. 73. — No. 16. — p. 2248−2250.
    182. E.D. Mishina, N.E. Sherstyuk, V.I. Stadnichuk, K. A. Vorotilov, V.A. Vasil’ev, A.S. Sigov, O.M. Zhigalina, N. Ohta and S. Nakabayashi. Ferroelectrics templated in nanoporous silicon membranes. // Ferroelectrics 2003. — v. 286. — pp. 205−211.
    183. R. Krishnan, R. Kesavamoorthy, S. Dash, A.K. Tyagi, B. Raj. Raman Spectroscopic and Photoluminescence Investigations on Laser Surface Modified a-Al203 Coatings. // Scripta Materialia. 2003. — v.48. — p.1099.
    184. S.-Y. Kuo, W.-Y. Liao, W.-F. Hsieh. Structural ordering transition and repulsion of the giant LO-TO splitting in polycrystalline BaxSr (iX)Ti03. // Phys. Rev. B. -2001. v.64.-p.224 103.
    185. Kuo Shou-Yi, Liao Wen-Yi, Hsieh Wen-Feng. Structural ordering transition and repulsion of the giant LO-TO splitting in polycrystalline Ba^Sri^Ti03. // Phys. Rev. B. -2001. v. 64. — No. 22. — p. 224 103.
    186. Osada M., Kakihana M., S. Wada, T. Noma, Cho W.-S. Broken symmetry in low-temperature ВаТЮЗ phases: Strain effects probed by Raman scattering. // Appl. Phys. Lett. -1999. v. 75. — No. 21. — p. 3393−3395.
    187. Q.F. Zhou, H.L.W. Chan, Q.Q. Zhang, C.L. Choy. Raman spectra and structural phase transition in nanocrystalline lead lanthanum titanate. // J. Appl. Phys. -2001. v. 89. — No. 12. — pp. 8121−8126.
    Заполнить форму текущей работой

    Сессия? Спокойно!