Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и анализ зондовых микромеханических устройств

Диссертация: Разработка и анализ зондовых микромеханических устройств
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Другой важной областью применения ЗМУ является технология записи, считывания и хранения информации. В настоящее время в этом направлении активно работают фирмы IBM, Hewlett-Packard и Samsung Electronics, которые реально планируют создание запоминающих устройств с плотностью хранения данных примерно в 100 раз выше, чем у современных жестких дисков персональных ЭВМ. Уже имеется опытной образец… Читать ещё >

Разработка и анализ зондовых микромеханических устройств (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Зондовые микромеханические устройства. Конструирование и технологии изготовления
    • 1. 1. Разновидности зондовых микромеханических устройств
    • 1. 2. Расчет параметров пленочных микросенсоров
    • 1. 3. Разработка конструкций активных зондовых микромеханических устройств
    • 1. 4. Технология изготовления зондовых микромеханических устройств
    • 1. 5. Применение ионных пучков в технологии зондовых микромеханических устройств
    • 1. 6. Тестирование зондовых микромеханических устройств
    • 1. 7. Выводы
  • Глава 2. Силовые взаимодействия в зондовых микромеханических устройствах
    • 2. 1. Расчет парных потенциалов взаимодействия
    • 2. 2. Межатомные силы в зондовых микромеханических устройствах
      • 2. 2. 1. Континуальное приближение
      • 2. 2. 2. Приближение дискретных атомных плоскостей
      • 2. 2. 3. Силы Казимира в зондовых микромеханических устройствах
    • 2. 3. Силы взаимодействия с наноструктурными зондами
    • 2. 4. Капиллярные силы в зондовых микромеханических устройствах
      • 2. 4. 1. Термодинамический цикл в системе зонд-образец
      • 2. 4. 2. Флуктуации основных термодинамических параметров
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Силы трения в зондовых микромеханических устройствах
    • 3. 1. Адгезионный механизм трения в наноконтактах
    • 3. 2. Дислокационный механизм трения в наноконтактах
    • 3. 3. Статистическая теория трения в зондовых микромеханических устройствах
    • 3. 4. Диссипативные силы в бесконтактном режиме
    • 3. 5. Выводы
  • Глава 4. Анализ режимов работы зондовых микромеханических устройств
    • 4. 1. Режимы регистрации туннельного тока
    • 4. 2. Режим регистрации нормальных сил
    • 4. 3. Модуляционные режимы
    • 4. 4. Режим регистрации боковых сил
    • 4. 5. Режим регистрации акустической эмиссии
    • 4. 6. Выводы
  • Глава 5. Моделирование и обработка сигналов в зондовых микромеханических устройств
    • 5. 1. Моделирование сигналов в зондовых микромеханических устройствах
    • 5. 2. Применение методов молекулярной динамики и Монте-Карло
    • 5. 3. Искажения сигналов в зондовых микромеханических устройствах
    • 5. 4. Применение вейвлет-преобразования для обработки сигналов
    • 5. 5. Выводы
  • Глава 6. Некоторые применения зондовых микромеханических устройств
    • 6. 1. Спектроскопия в режиме регистрации нормальных сил
    • 6. 2. Спектроскопия в режиме регистрации боковых сил
    • 6. 3. Исследование электрокапиллярного эффекта и диэлектрических свойств
    • 6. 4. Расчет парного потенциала взаимодействия атомов по данным атомно-силовой спектроскопии
    • 6. 5. Режим модификации поверхности
    • 6. 6. Выводы

Актуальность темы

.

В настоящее время микромеханика находится на новом этапе своего развития. Прежде всего, это связано с широкомасштабным внедрением нано-технологии в таких областях, как электроника, биология и медицина. Микромеханические устройства, создаваемые с помощью базовых технологических процессов микроэлектроники, насчитывают десятки — сотни наименованийот простейших механических резонаторов и акселерометров до микророботов, способных совершать манипуляции на расстояниях порядка долей микрометров. Обширный класс микромеханических устройств представляют зон-довые микромеханические устройства (ЗМУ) (в английской терминологии Probe Microsystems), которые нашли широкое применение в современной науке и технике. Так, всевозможные их модификации применяются в атомно-силовом микроскопе (АСМ) [1]. Принцип работы АСМ основан на зондировании поверхности исследуемого образца (в контактном или бесконтактном режиме) специальным чувствительным элементом — кантилевером (от англ. cantilever — консоль), состоящим из держателя и упругой консоли с маленькой иглой на конце. Силы, возникающие между иглой и поверхностью образца, вызывают деформацию консоли, которая в процессе сканирования детектируется различными электрическими или оптическими методами. Сканирующая атомно-силовая микроскопия в настоящее время стала одним из приоритетных методов исследования поверхности твердых тел на атомарном уровне разрешения. Актуальность задач, связанных с атомно-силовой микроскопией, обусловлена также развитием комплексных методов диагностики поверхности твердого тела, включая методы, использующие электронные и ионные пучки [2−7].

Другой важной областью применения ЗМУ является технология записи, считывания и хранения информации [8]. В настоящее время в этом направлении активно работают фирмы IBM, Hewlett-Packard и Samsung Electronics, которые реально планируют создание запоминающих устройств с плотностью хранения данных примерно в 100 раз выше, чем у современных жестких дисков персональных ЭВМ. Уже имеется опытной образец схемы суперкомпактной памяти под названием MILLIPEDE [9], который использует набор из 1024 микромеханических датчиков для записи, считывания и хранения информации. Одному информационному биту соответствует маленькое углубление размером 30−40 нанометров на поверхности специальной полимерной матрицы. Как отмечает один из авторов данного проекта П. Веттигер, в скором времени станет возможным создание устройств памяти сверхвысокой емкости размером с булавочную головку, и такие устройства будут незаменимы в мобильных вычислительных устройствах, в сотовых телефонах или часах. По его словам, если добиться достаточно эффективного функционирования технологии, то плотность записи можно будет довести до 400 Гбайт на квадратный дюйм. Сам же принцип сохранения информации, основанный на использовании ЗМУ, допускает и дальнейшую миниатюризацию вплоть до молекулярных размеров [4].

Удовлетворительная теория зондовых устройств до сих пор отсутствует. В частности, не всегда представляется возможным точно описать аналитически выходной сигнал ЗМУ. Сложность этой задачи обусловлена невозможностью учесть все силы, действующие между отдельными атомами, плохо контролируемой формой зонда и неизвестным атомным рельефом поверхности. Кроме того, на практике трудно добиться хорошей пространственной разрешающей способности ЗМУ. Чаще всего это вызвано особенностями силовых взаимодействий в системе зонд-образец и, как следствие, неудачно выбранным режимом сканирования. Так, прямые эксперименты с АСМ, а также численное моделирование изображений свидетельствуют о том, что структура и форма зонда могут оказывать существенное влияние на контраст изображения, продольное разрешение, а также на распределение сил при зондировании образца в вертикальном направлении. Очевидно, что все эти факторы затрудняют применение АСМ как точного инструмента для диагностики материалов. Для решения этих и других подобных задач требуется универсальная математическая модель ЗМУ, которая бы учитывала основные особенности силовых взаимодействий в системе зонд-образец и последующее преобразование этих сил в электрический сигнал в различных режимах регистрации. На основе такой модели можно осуществлять выбор оптимального режима функционирования, что позволит значительно улучшить эксплуатационные характеристики ЗМУ. Известно, что силовые взаимодействия в системе зонд-образец приводят к возникновению всевозможных необратимых (диссипа-тивных) процессов и являются главной причиной износа сканирующих элементов ЗМУ. Выявление физических механизмов таких процессов и расчет сил взаимодействия также представляют значительный интерес. Наконец, очень важной практической задачей является разработка новых методов и технологий изготовления и тестирования ЗМУ. В настоящее время наиболее перспективным считается метод, основанный на полупроводниковой технологии. Процессы ионного распыления, анизотропного травления и фотолитография позволяют изготавливать универсальные диэлектрические и проводящие зондовые микросенсоры, способные измерять малые нормальные и латеральные силы.

Все перечисленные выше задачи в научной литературе (особенно в отечественной) до настоящего времени обсуждались очень мало, несмотря на важность их прикладного значения. Их решение позволит глубже понять особенности физических процессов в зондовых микромеханических устройствах, выявить новые закономерности и установить условия для их практического применения. По этой причине исследования в данной области являются актуальными, а их результаты имеют большое фундаментальное и прикладное значение.

Цель работы.

Разработка новых конструкций, методов проектирования, технологии и тестирования ЗМУ. Разработка и исследование теоретических моделей для зондовых микромеханических устройств с целью расширения их применения для диагностики поверхности твердого тела и создания принципиально новых систем для записи, считывания и хранения информации.

Основные задачи.

1. Разработка новых конструкций и технологий изготовления, а также методов проектирования и тестирования ЗМУ для атомно-силового микроскопа и запоминающих устройств.

2. Исследование особенностей силовых взаимодействий в ЗМУрасчет сил взаимодействия для зондов разного типа (в том числе и для нанотрубок) и моделирование силовых сигналов в ЗМУ. Исследование влияния внешней среды на силовые взаимодействия в ЗМУ.

3. Теоретический анализ различных режимов функционирования ЗМУ. Разработка и исследование математической модели ЗМУ и эффективных методов обработки сигналов. Применение разработанной модели для исследования формирования сигналов в ЗМУ.

4. Разработка качественно новых зондовых методов диагностики поверхности твердого тела с целью определения термодинамических и механических свойств.

Научная новизна.

1. Предложены новые конструкции пассивных и активных ЗМУ и разработана технология их изготовления, основанная на фотолитографии, анизотропном травлении и ионном распылении. Определены оптимальные режимы технологического процесса в целях получения ультраострых выступов на кончике иглы ЗМУ (радиус кривизны кончика составляет менее 10 нм). Предложены качественно новые методы контроля ЗМУ.

2. Выполнены сравнительные расчеты сил взаимодействия для различных ЗМУ в приближении дискретных атомных плоскостей и континуальном приближении. Разработана теоретическая модель ЗМУ с наноструктурными зондами — углеродными нанотрубками. Для системы зонд-образец проведен расчет капиллярной силы, определена роль электрокапиллярных сил и найдены флуктуации основных термодинамических параметров, влияющих на разрешающую способность АСМ. В рамках термодинамического подхода показано, что гистерезис, наблюдаемый при зондировании образца в вертикальном направлении, обусловлен термодинамическим циклом «поверхностная энергия — работа» .

3. Предложен дислокационный механизм трения нанозонда с поверхностью твердого тела. Разработана статистическая модель трения в наноконтак-тах, основанная на понятии фрактала. Показано, что для анализа физических процессов в наноконтактах может применен формализм дробного интегро-дифференцирования — математический аппарат, широко используемый в теории фракталов.

4. На основе полученных выражений для сил взаимодействия проведен анализ различных режимов (модуляционного и фрикционного) работы ЗМУ в приближении эффективной массы осциллятора. Теоретически показано, что в колебательном режиме работы ЗМУ происходит увеличение силы взаимодействия. Предложено новое уравнение движения зонда вдоль поверхности с учетом эффекта «прилипания-скольжения» и получено его аналитическое решение. Предложена математическая модель ЗМУ, учитывающая основные особенности формирования сигнала в системе зонд-образец и блоке электроники. С помощью численного эксперимента проанализирована работа ЗМУ. Для расчетов сил взаимодействия в ЗМУ предложено использовать модельный межатомный потенциал с параметрами, вычисляемыми в приближении электронного газа.

5. Впервые предложено использовать вейвлет-преобразование для обработки сигналов в ЗМУ. С помощью численного моделирования показана высокая эффективность предлагаемого метода для фильтрации шумов. Отмечено, что вейвлет-преобразование может использоваться для обработки изображений в ближнепольной, туннельной и магнитной силовой микроскопии.

6. На основе предложенных теоретических моделей и экспериментальных результатов предложено оценивать такие важные термодинамические параметры, как поверхностная энергия и энергия Гиббса. С помощью зондо-вого микроскопа предложено измерять акустическую эмиссию в режиме регистрации боковых сил и полуконтактном режиме. Аналитически решена задача о восстановлении парного потенциала взаимодействия атомов по измеренной в системе зонд-образец силе.

Практическая значимость.

Настоящая работа представляет интерес для специалистов, занимающихся теоретической и практической микромеханикой, зондовой микроскопией и нанотехнологией.

1. Предложенные в работе метод проектирования, изготовления и тестирования ЗМУ внедрены в производство (ЗАО СКБ «Алмаз-37», г. Москва).

2. Полученные в работе формулы могут использоваться для расчета силовых взаимодействий в различных режимах функционирования ЗМУ, калибровки атомно-силового микроскопа при определении формы зонда и интерпретации различных экспериментов с атомно-силовым микроскопом.

3. На основе проделанных в работе расчетов путем их сравнения с экспериментальными данными можно определять такие важные физические характеристики, как константа ван-дер-ваальсовского взаимодействия, модуль упругости, теплота сублимации, поверхностная энергия, коэффициент трения и др.

Личный вклад автора.

Диссертация представляет итог самостоятельной работы автора, обобщающей полученные им результаты, а также в соавторстве с коллегами. В работах, выполненных в соавторстве, научные вклады авторов приблизительно равноценны. В опубликованных автором работах ему лично принадлежат выбор направлений и методов решения задач, трактовка и обобщение полученных результатов. Все сделанные в диссертации выводы принадлежат автору.

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались на Всероссийских научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, МЭИ, 1997;2002 г., руководитель семинара, профессор А.М.Гуляев), на Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика-97» (Москва, МИЭТ, 1997 г.), на Всероссийских научных совещаниях «Зондовая микроскопия» (Н.Новогород, ИФМ РАН, 1999;2001 г., руководитель совещания, чл. кор. РАН С.В.Гапонов), на Четвертом Всероссийском симпозиуме «Математическое моделирование и компьютерные технологии» (Кисловодск, 2000 г., руководитель симпозиума, академик РАН А.А.Самарский), на Международной научно-практической конференции.

Elbrus-97″ (Нальчик, п. Эльбрус, 1997), на Всероссийской научной конференции «Материаловедение-96» (Нальчик, КБГУ, 1996 г.), на Пятнадцатой Международной конференции «Воздействие потоков энергии на вещество» (Нальчик, п. Терскол, 2000 г.), на Межведомственном семинаре по проблемам современного анализа, информатики и физики «Нальчик-2000» (Нальчик, НИИ ПМА КБНЦ РАН, 2001 г.), на Второй международной конференции «Нелокальные краевые задачи и родственные проблемы математической биологии, информатики и физики» (Нальчик, НИИ ПМА КБНЦ РАН, 2001 г.), на заседаниях научного семинара, проводимого в НИИ ПМА КБНЦ РАН (Нальчик, 1999;2002 г., руководитель семинара, заслуженный деятель науки России, профессор А.М.Нахушев).

Положения, выносимые на защиту.

Анализ полученных результатов дает возможность сформулировать следующие научные положения, которые выносятся на защиту.

1. Разработаны новая конструкция и технология изготовления активного тензорезистивного датчика для АСМ. Проведено схемотехническое, физико-топологическое и технологическое моделирование тензодатчика. Произведен расчет резонансной частоты и жесткости чувствительных элементов различной формы.

2. Теоретически исследованы различные виды силовых взаимодействий в системе зонд-образец ЗМУ. С использованием модельных потенциалов проведены расчеты сил взаимодействия (притяжения и отталкивания) для зондов ЗМУ различной формы в континуальном приближении и приближении дискретных атомных плоскостей. Исследовано влияние сил Казимира в ЗМУ. Показано, что эти силы действуют преимущественно между образцом и мезо-скопической частью ЗМУ (консолью) и могут оказывать существенное влияние, когда расстояние между зондом и образцом превышает единицы нанометров. Рассмотрен случай, когда в качестве зонда ЗМУ используется углеродная нанотрубка. Вычислена энергия адгезии для системы «нанотрубка-поверхность твердого тела». Получена формула для критического расстояния сближения нанотрубки с поверхностью образца. С помощью компьютерного моделирования показано, что нанотрубка способна обеспечить атомный уровень разрешения в АСМ. Рассмотрено взаимодействие зонда ЗМУ параболической формы с адсорбированной жидкой пленкой. Получены выражения для силы отрыва зонда и флуктуаций основных термодинамических характеристик контакта.

3. Рассмотрены силы трения в ЗМУ. Предложен дислокационный механизм трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела. Развита статистическая теория трения в наноконтактах, основанная на понятии фрактала. В рамках статистического подхода получена формула, связывающая силу трения с фрактальной размерностью, упругими и адгезионными свойствами контакта.

4. Проанализированы основные режимы работы ЗМУ на примере АСМ. На основе проведенных расчетов сил взаимодействия построена теоретическая модель модуляционного режима работы ЗМУ. Дано объяснение явлению увеличения силы взаимодействия в модуляционном режиме. Предложена математическая модель режима регистрации боковых сил, соответствующая дислокационному механизму трения. Выведено новое уравнение движения зонда, учитывающее эффект «прилипания-сколежения», и получено его аналитическое решение. Для получения сигнала в ЗМУ предложено регистрировать акустическую эмиссию в контактном и полуконтактном режимах работы.

5. Предложена математическая модель ЗМУ, учитывающая взаимодействие зонда с образцом и последующее формирование электрического сигнала. Модель реализуется в схемотехнических САПР (Pspice, EWB, Micro Cap V) и позволяет более корректно интерпретировать экспериментальные данные в ACM. Предложена методика обработки изображений в АСМ с помощью вейвлет-преобразования, которая обеспечивает глубокое подавление шума при сохранении исходной структуры изображения.

6. Продемонстрирована возможность применения ЗМУ для диагностики поверхности твердого тела. По результатам измерения сил можно оценить константу Гамакера, прочность образца, коэффициент трения, теплоту сублимации. Предложен качественно новый метод спектроскопии в режиме регистрации боковых сил АСМ, позволяющий измерять поверхностную энергию. Рассмотрена контактная емкостная мода (режим регистрации диэлектрических свойств поверхности), для которой выведено уравнение движения зонда и получено его аналитическое решение. В континуальном приближении получено аналитическое решение обратной задачи о восстановлении парного межатомного потенциала по измеренной между зондом и образцом силе.

7. Получено выражение для действующей на зонд силы в режиме нано-литографии, которое позволяет из экспериментальных данных оценить модуль упругости образца. На основе проведенных расчетов предложен простой метод определения формы зонда АСМ в режиме нанолитографии.

6.6. Выводы.

В шестой главе рассмотрены некоторые возможные применения ЗМС для диагностики поверхности твердого тела и нанотехнологии. Получены формулы для расчета силы отрыва и коэффициента трения в ЗМСс использованием этих формул по данным атомно-силовой микроскопии можно оценить такие важные физические параметры, как константа Гамакера, предельная прочность образца и энергия Гиббса. Предложен принципиально новый метод АСМ-спектроскопии, основанный на измерении полной энергии сканирования. Обсуждена роль электрокапиллярного эффекта в АСМ. Предложен метод исследования диэлектрических свойств образца. Разработана теоретическая модель данного метода. Получено аналитическое решение для траектории движения зонда в режиме регистрации диэлектрических свойств. Предложена методика расчета парного взаимодействия атомов по данным атомно-силовой спектроскопии. Проведены численные расчеты парного потенциала для системы W-Si, которые показали хорошее согласие между теорией и экспериментом. Рассмотрен режим зондовой нанолитографии. Получены выражения для критической силы нагрузки, при которой имеет место модификация поверхности, и силы индентирования. На основе проведенных расчетов предложен и экспериментально апробирован метод определения радиуса кривизны зонда в режиме нанолитографии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехно-логии — одно из новых направлений в современной твердотельной технологии [1]. Применение различных зондовых микромеханических устройств в атом-но-силовом микроскопе позволяет проводить исследования структуры и свойств поверхности твердого тела на уровне отдельных атомов и молекул. В настоящее время многие результаты, полученные с помощью атомно-силового микроскопа, стали уже «классическими» и могли бы занять место на страницах учебников по физике твердого тела и микроэлектроникедостижения в области зондовой микроскопии имеют широкие применения в технологических и научных областях. Другой важнейшей областью применения зондовых микросистем являются создание запоминающих устройств сверхбольшой информационной емкости. В настоящее время наблюдается линейный рост числа авторов и публикуемых ими научных и научно-практических работ, посвященных данной тематике [2]. Очень часто возникают новые идеи, основанные на результатах экспериментальных и теоретических исследований, которые стимулируют дальнейшее развитие зондовой микромеханики. Можно ожидать, что разработка зондовых микросистем нового поколения (в частности, многозондовых картриджей), а также построение хорошо обоснованной теоретической базы в ближайшем будущем выведет данное направление на качественно новый уровень. Хорошей иллюстрацией современного уровня развития практической и теоретической зондовой микромеханики является рассмотренный в данной работе круг вопросов. По результатам работы можно сделать следующие общие выводы.

1. В рамках метода Рэлея получены соотношения для расчета резонансной частоты и жесткости пленочных сенсоров различной конфигурации. Разработаны различные конструкции пассивных и активных зондовых микросистем и технология их изготовления. Предложенная технология имеет ряд достоинств. Во-первых, для ее реализации не требуется большого количества фотошаблонов, во-вторых, технологические операции являются стандартными и хорошо отработанными. В технологический маршрут предложено включить операцию ионного распыления для получения атомарно острых зондов.

2. Проведен расчет сил взаимодействия для зондов различного типа (в том числе для нанотрубок) в континуальном приближении и приближении дискретных атомных плоскостей. Определена роль дальнодействующих сил Казимира в зондовых микросистемах. Показано, что расчеты удовлетворительно согласуются с имеющимися экспериментальными результатами. Предложен метод расчета межатомного потенциала по данным атомно-силовой микроскопии, основанный на решении уравнения Фредгольма 1-го рода. Полученные аналитические выражения можно использовать для численного расчета сил взаимодействия в атомно-силовом микроскопе и зондовых запоминающих устройствах.

3. В рамках термодинамического подхода рассмотрено взаимодействие в зондовых микромеханических устройствах, работающих в атмосферных условиях. Проведен расчет силы взаимодействия между образцом и иглой АСМ, имеющей форму параболоида вращения. Найдены флуктуации основных термодинамических параметров.

4. Развита теория фрикционных взаимодействий в наноконтактах, образованных зондом атомно-силового микроскопа. Предложен дислокационный механизм трения при взаимодействии зонда с атомарно гладкой поверхностью твердого тела. Предложена статистическая модель трения в наноконтактах, основанная на понятии фрактала. Модель позволяет естественным образом интерпретировать различные экспериментальные результаты, получаемые с помощью атомно-силового микроскопа.

5. В рамках единого подхода проанализированы различные режимы функционирования зондовых микромеханических устройств. Получены в явном виде выражения для латеральной и нормальной траекторий движения зондовых сенсоров. Выражения можно использовать для моделирования работы атомно-силового микроскопа и зондовых систем для записи и считывания информации.

6. Предложена математическая модель зондового микромеханического устройства, учитывающая силовое взаимодействие в системе зонд-образец и дальнейшее преобразование этого взаимодействия в электрический сигнал с учетом характеристик регистрирующего прибора. Предложен метод обработки сигналов с помощью вейвлет-преобразования. На основе предложенной модели проведены численные расчеты, которые согласуются с экспериментальными данными.

7. На основе расчетов предложен ряд новых измерительных методик, осуществляемых с помощью зондовых микромеханических устройств: измерение акустической эмиссии в режиме боковых сил и полуконтактном режимеизмерение диэлектрических свойств образца в модуляционном режимеизмерение поверхностной энергии в режиме боковых силисследование электрокапиллярного эффекта. Получены соотношения для расчета прочности образца, контактной жесткости, энергии Гиббса и константы Гамакера по данным атомно-силовой микроскопии. Проанализированы различные методы зондовый нанолитографии с целью их применения для формирования поверхностных структур.

Автор выражает искреннюю признательность генеральному директору фирмы NT-MDT, профессору Виктору Александровичу Быкову за предоставленную возможность провести эксперименты на оборудовании фирмы, а также за разрешение воспользоваться материалами, размещенными на интернет-сервере www.ntmdt.ru.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии // Микросистемная техника. 2000. № 1. С. 21.
  2. Sarid D. Scanning Force Microscopy with Applications to Electric, Magnetic and Atomic Forces. New York: Oxford Univ. Press, 1991.
  3. Magonov S. N, Whangbo M.-H. Surface analysis with STM and AFM. VCH, Weinheim- New York- Basel Cambridge — Tokyo, 1996.
  4. B.C. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии //ПТЭ. 1991. № 1.С.24−42.
  5. А.А., Куповицкий Е.Ф, Бухараева А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Заводская лаборатория. 1997. № 5. С. 10−27.
  6. С.Ш. Современные методы сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии // ПТЭ. 2002. № 5.С. 149−152.
  7. Э. Новые перспективные технологии хранения данных // В мире науки. 1992. № 11−12.С. 139−141.
  8. Binnig G, Quate C. F, Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett. 1986. V.56. P.930−933.
  9. Bryant P. J, Kim H. S, Zheng Y. C, Yang R. Technique for shaping scanning tunneling microscope tips // Rev. Sci. Instrum. 1987. V.58. N.6. P. l 15.
  10. Chen Yufeng, Xu Wei, Huang Jinlin. A simple new technique for preparing STM tips // J. Phys. E. 1989.V.22. N.7. P.455−457.
  11. Ibe J.P., Bey P.P.Jr., Brandow S.L., Brizzolara C.R.K., Colton R.J. On the electrochemical etching of tips for scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. and Tech. A.1990.V.8. N.4.P.3570−3575.
  12. Binh Yu Thien, Marien J. Characterisation of microtips for scanning tunneling microscopy // Surface Sci. l988.V.22. N. l-2. P.539−549.
  13. Vasile M.J., Grigg D.A., Griffith J.E., Fitzggerald E.A., Russel P.E. Scanning probe tips formed by focused ion beams // Rev. Sci. Instrum. l991.V.62.N.9. P.2167−2171.
  14. Hopkins L.C., Griffith J.E., Harriot L.R., Vasile M.J. Polycrystalline tungsten and iridium probe tip preparation with a Ga+ focused ion beam // J. Vac. Sci. and Tech. B. 1995. V.13. N.2. P.335−337.
  15. Morishita S., Okuyama F. Sharpening of monocrystalline molybdenum tips by means of inert-gas ion sputtering // J. Vac. Sci. and Tech. A. 1991. V.9. N.l. P.167−169.
  16. Buser R.A., Brugger J., de Rooij N.F. Micromachined silicon cantilevers and tips for scanning probe microscopy // Microelectron. Eng. 1991. V.15. N.l. P.407−410.
  17. Albrecht T.R., Anamine S., Carver Т.Е., Quate C.F. Microfabrication of cantilever stili for the atomic force microscope // J. Vac. Sci. and Tech. A. 1990. V.8.N.4. P.3386−3396.
  18. Dai H., Hafner J.H., Rinzler A.G., Colbert D.T., Smally R.E. Nanotubes as nanoprobes in scanning probe microscopy //Nature. 1996. V.384. P.147−151.
  19. Г. В. Фуллерены как изображающие элементы иглы атомно-силового микроскопа // Письма в ЖТФ.1997. Т.23. № 12.С.37.
  20. Е.И., Степанова А. Н., Оболенская Л. Н., Машкова Е. С., Гивар-гизов М.Е. Вискерные зонды // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия-99».Н.Новгород, ИФМ РАН.1999.С.411−421.
  21. В.А., Дремов В. В., Михайлов Г. М., Лосев В. В., Саунин С. А. Зонды «вискер-типа» и магнитно-силовые зонды для СЗМ // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия-2000». Н. Новгород, ИФМ РАН. 2000.С.298−302.
  22. Gould S.A.C., Drake В., Prater C.B., Weisenhorn A.L., Manne S., Kelderman G.L., Batt H.-J., Hansma H., Hansma P.K., Magonov S., Cantow H.J. The atomic force microscope: A toll for science and industry // Ultramicroscopy. 1990. V.33. N.2. P.93−98.
  23. B.A., Иконников A.B., Кацур C.H., Саунин С. А. Электроника и программное обеспечение универсальных зондовых микроскопов НТ-МДТ // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия-99». Н. Новгород, ИФМ РАН. 1999.С.327−334.
  24. Goddenhenrich Т., Lemke H., Hartmann U., Heiden C. Force microscope with capacitive displacement detection // J. Vac. Sci. and Tech. A. 1990. V.8. N.l. P.383−387.
  25. Umeda N., Ishizalci S., Uwai H. Scanning attractive force microscope using photothermal vibration // J. Vac. Sci. and Tech. B.1991.V.9. N.2. Pt.2. P.1318−1322.
  26. Mamin H.J., Ruga D. Termomechanical writing with an atomic force microscope tip // Appl. Phys. Lett. 1992. V.61. N.8. P. 1003−1005.
  27. B.A., Саунин С. А. Новые приборы и возможности сканирующей зондовой микроскопии // Материалы Всероссийского совещания «Зондо-вая микроскопия-99». Н. Новгород, ИФМ РАН.1999.С.132−133.
  28. Quate C.F. The scanning probe microscopy as a tool for nanotechnology // Preliminary Proceeding STM 99. International Conference on Scanning Tunneling Microscopy / Spectroscopy and Related Proximal Probe Microscopy. Korea, Seoul. 1999. P.l.
  29. С.Ш. Проводящие кронштейны для атомно-силового микроскопа // Физика и химия перспективных материалов. Сборник научных трудов. Нальчик, КБГУ. 1998. С.103−107.
  30. С.Ш., Дедков Г. В. Простой способ изготовления кронштейнов для атомно-силового микроскопа // Микроэлектроника. 1998. Т.27. № 2. С.158−160.
  31. С.Ш., Дедков Г. В. Мембранный датчик для атомно-силового микроскопа // Материалы Всероссийского совещания «Зондо-вая микроскопия-99». Н. Новгород, ИФМ РАН. 1999. С.381−383.
  32. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Физматлит, 2001. -264 с.
  33. Ю.Н. Механика деформируемого твердого тела. М.: Наука, 1988.-744 с.
  34. Справочник по электротехническим материалам. В 3 т./ Под ред. Ю. В. Корицкого и др. М.: Энергоатомиздат, 1986.
  35. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др. Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова.- М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  36. Р.В., Шевяков В. И. Кремниевые кантилеверы и калибровочные решетки для сканирующих зондовых микроскопов // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия-2000». Н. Новгород, ИФМ РАН. 2000. С.315−320.
  37. Oliver W.C., Pharr G.M. An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments // J. Mater. Res. 1992. V.7. N. 6. P.1564−1583.
  38. С.Ш., Гаев Д. С. Конструкция активного тензорезистивного датчика для атомно-силового микроскопа // Микросистемная техника. 2001. № 3. С.11−12.
  39. С.Ш., Гаев Д. С. Активный тензорезистивный датчик для атомно-силового микроскопа// Доклады АМАН. 2001.Т.5. № 2.С.102−107.
  40. В.И. Интегральные тензопреобразователи. -М.: Энергоатомиз-дат, 1983. 137 с.
  41. В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках. Вып.З.-М.: Радио и связь, 1992.- 120 с.
  42. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Кн. 5. Кремлев В. Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. / Под ред. Г. Г. Казеннова. М.: Высш. шк., 1990. — 144 с.
  43. У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление. -М.: Мир, 1985. 501 с.
  44. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. -М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
  45. Л. Применения операционных усилителей и линейных ИС. М.: Мир, 1985.-572 с.
  46. Пакет прикладных программ моделирования и анализа технологических процессов формирования структуры элементов СБИС STAMP. Описание применения. М.: АТН РФ, МНПП «Конверсия», 1992.
  47. Пакет прикладных программ моделирования и анализа технологических процессов формирования структуры элементов СБИС STAMP. Руководство пользователя. М.: АТН РФ, МНПП «Конверсия», 1992.
  48. Т.И. Радиационно-стимулированное формирование микрозондов сканирующих туннельных микроскопов // ЖТФ. 2000. Т.70. № 2. С.102−105.
  49. Ивановский Г. Ф, Петров В. В. Ионно-плазменная обработка материалов. -М.: Радио и связь, 1986. 230 с.
  50. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления.: Сб. статей 19 861 987 г. / Под ред. Е. С. Машковой. М.: Мир, 1989. — 126 с.
  51. Дедков Г. В, Рехвиашвили C.III. Модификация формы иглы сканирующего зондового микроскопа с помощью ионного распыления // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. № 2. С.61−68.
  52. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск I. Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша.- М.: Мир, 1984. 336 с.
  53. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Выпуск II. Пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша.- М.: Мир, 1986. 488 с.
  54. Torii A, Sasaki М, Напе К, Okuma S. A method for determining the spring constant of cantilever for atomic-force microscopy // Meas.(Sci. and Tech. 1995. V.7. N.2. P. 179−184.
  55. Bykov V, Golovanov A, Shevyakov V. Test structure for SPM tip shape de-convolution // Appl. Phys. A. 1998. V.66. P. 499−502.
  56. Дедков Г. В, Рехвиашвили C.III. Метод контроля формы иглы атомно-силового (туннельного) микроскопа с помощью спектрометрии обратного рассеяния // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 11. С.83−88.
  57. Рехвиашвили С. Ш, Гаев Д. С. К теории модуляционной атомно-силовой микроскопии // Известия вузов. Электроника. 2001. № 2. С. 101−106.
  58. С.Ш. Сканирующий атомно-силовой микроскоп // Математическое моделирование. 2003.Т.15. № 2. С.62−68.
  59. Г. В. Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике // УФН. 1995. Т.165. № 8. С.919−953.
  60. Дедков Г. В. Таблицы электронных распределений атомов и ионов при 2
  61. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. -М.: Наука, 1986. 544 с.
  62. Gould S.A.C., Buke К., Hansma Р.К. Simple theory for the atomic-force microscope with a comparison of theoretical and experimental images of graphite // Phys. Rev. B. 1989. V.40. N.8. P.5363−5366.
  63. Ciraci S., Tekman E., Baratoff A., Batra I.P. Theoretical study of short- and long-range forces and atom transfer in scanning force microscopy // Phys. Rev. B. 1992. V.46. N.16. P.10 411−10 422.
  64. Tekman E., Ciraci S. Tip-structure effects on atomic force microscopy images //J.Phys.: Condens. Mater. 1991.V.3. N.6. P.2613−2619.
  65. Overhey G., Tomanek D., Zhong W., Sun Z., Miyazaki H., Mahanti S.D., Gun-therodt H.-J. Theory for the atomic force microscopy of layered elastic surfaces // J. Phys.: Condens. Materr. 1992. V.4. N.17. P.4233 4249.
  66. E.B., Климчицкая Г. Л., Лобашев A.A., Мостепаненко В. М. О моделировании атомной структуры острия атомно-силового микроскопа при сканировании в режиме сил отталкивания // Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. № 3.C.73−80.
  67. В.М., Панов В. И., Соколов И. Ю. Явление нарушения линий постоянной силы над поверхностью с перепадом рельефа и разрешение атомно-силового микроскопа //Письма в ЖТФ. 1993.Т. 19.№ 8.С.65−72.
  68. Sasaki Naruo, Tsukada Masuro. Effect of the tip structure on atomic-force microscopy//Phys. Rev. B. 1995. V.52. N.ll. P.8471−8482.
  69. Hartmann U. Theory of Van der Waals microscopy // J. Vac. Sci. and Tech. B. 1991. V.9. N.2. Pt.2. P.465−469.
  70. Hartmann U. Manifestation of zeropoint quantum fluctuation in atomic force microscopy // Phys. Rev. В. 1990. V.42. N.20. P. 1541 -1546.
  71. Ю.Н., Мостепаненко B.M., Панов В. И., Соколов И. Ю. Экспериментальное и теоретическое исследование сил и пространственного разрешения в атомно-силовом микроскопе // ЖТФ. 1990. Т.60. №.1. С. 141 148.
  72. Rekhviasvili S. The some theory question in atomic-force microscopy // Proceeding of the All-Russia Conference «Scanning probe microscopy 2001», N. Novgorod, IPMRAS. 2001. P.217−220.
  73. С.Ш. О силовых взаимодействиях в зондовых микромеханических системах // Микросистемная техника. 2003. № 2. С.33−37.
  74. С.Ш. Силы Ван-дер-Ваальса в атомно-силовой микроскопии // Тезисы XV Международной конференции «Уравнения состояния вещества». Терскол. 2000. С.51−53.
  75. Touhari F., Bouju X., Girard Ch., Devel M., Gohel-Solal G. Scanning force microscopy simulations of well-characterized nanostructures on dielectric an semiconducting substrate // Appl. Surf. Sci. 1998. V.125. P.351−359.
  76. .В., Кротова H.A., Смилга В. П. Адгезия твердых тел.- М.: Наука, 1973.
  77. Ю.С. Силы Ван-дер-Ваальса. М.: Наука, 1988. — 344 с.
  78. Лифшиц Е. М, Питаевский Л. П. Статистическая физика. М.: Физматлит, 2002. — 496 с.
  79. Butter Н., Gerlach Е. Van Der Waals-Interaction of ionic and covalent crystals // Chem. Phys. Lett. 1970. V.5. N.2. P.91−92.
  80. Erlandsson R., Yakimov V. Force interaction between a W tip and Si (l 11) investigated under ultrahigh vacuum conditions // Phys. Rev. B. 2000. V.62. N.20. P.13 680.
  81. Landman U., Luedtke W.D., Nitzan A. Dynamics of tip-substrate interactions in atomic-force microscopy // Surf. Science. 1989. V.210. P. 177−184.
  82. Ю.Н., Мостеиаиенко B.M., Панов В. И., Соколов И. Ю. Ограничения на параметры дальнодействия юкавского типа из атомно-силовой микроскопии // ДАН СССР. 1989.Т.304. № 5.С.1127−1130.
  83. Г. В., Рехвиашвили С. Ш. Силовые взаимодействия и нанотрубки в атомно-силовом микроскопе //ЖТФ. 1999. Т.69. № 8. С.124−127.
  84. М. М. J., Ebbesen Т. W., Gibson J. М. Exceptionally High Young’s Modulus Observed for Individual Carbon Nanotubes // Nature. 1996. V.381. P.678.
  85. Ruoff R.S., Lorents D.C. Mechanical and Thermal Properties of Carbon Nanotubes // Carbon. 1995. V.33. N.7. P.925−930.
  86. Nikolaev P, Thess A, Rinzler A.G., Colbert D. Т., Smalley R. E. Diameter doubling of single-wall nanotubules // Chem. Phys. Lett. 1997. V.266. P.422−426.
  87. Van der Werf К.О., Putman C.A.J., de Grooth B.G., Greve J. Adhesion force imaging in air and liquid by adhesion mode atomic-force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1994. V.65. N.9. P. l 195−1197.
  88. С.Ш. Некоторые вопросы термодинамики контактного взаимодействия в атомно-силовом микроскопе // ЖТФ. 2001. Т.71. № 10. С.131−134.
  89. С.Ш. Расчет термодинамики контактного взаимодействия в атомно-силовом микроскопе // Микросистемная техника. 2001. № 2. С.28−31.
  90. .В., Чураев Н. В., Муллер В. М. Поверхностные силы. -М.: Наука, 1985.
  91. Oliva A.I., Sosa V., De Coss R., Sosa R., Lopez S. Vibration isolation analyses for scanning tunneling microscope // Rev. Sci. Instrum. 1992. V.63. N.6. P.3326−3329.
  92. Oliva А.1., Anguiano E., Denisenko N., Aguilar M., Pena J.L. Analysis of scanning tunneling microscopy feedback system // Rev. Sci. Instrum. 1995. V.66. N.5.P.3196−3203.
  93. Butt H.-J., Jaschke M. Calculation of thermal noise in atomic force microscopy // Nanotechnology. 1995. V.6. N.l. P. 1−7.
  94. Cleveland J.P., Schaffer Т.Е., Hansma P.K. Probing oscillatory hydration potential using thermal-mechanical noise in atomic-force microscope // Phys. Rev. B. 1995. V.52. N.12. P.8692−8695.
  95. Г. В. Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели // УФН. 2000. Т. 170. № 6. С.585−618.
  96. Ф.П., Тейбор Д. Трение и смазка. М.: Машгиз., 1960. — 151 с.
  97. И.В., Добычин М. Н., Комбалов B.C. Основы расчета на трение и износ. М.: Машиностроение, 1977. — 526 с.
  98. Контактное взаимодействие твердых тел и расчет сил трения и износа. Под ред. А. Ю. Ишлинского, Н. Б. Демина. М.: Наука. 1971. — 245 с.
  99. С.Ш. Дислокационный механизм трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела // ЖТФ. 2002. Т.12. № 2. С.140−142.
  100. В.В., Скороход В. В. Атомный механизм когезионного трения в компьютерном эксперименте // Письма в ЖТФ. 1996. Т.22. № 9. С.70−77.
  101. Good B.S., Banerjea A. Simulation of tip-sample interaction in the atomic-force microscope // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V.8. N.10. P.1325−1333.
  102. В.Д., Чишко K.A. Звуковое излучение при аннигиляции дислокаций // ФТТ. 1972. Т. 14. № 11. С.3126−3122.
  103. С.Ш. Дислокационный механизм трения в наноконтактах // Поверхность. 2002. № 12. С.48−50.
  104. Фрид ель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. — 584 с.
  105. А.Р., Глазов В. М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1978. — 309 с.
  106. С.Ш. Статистическая теория трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела // ИФЖ. 2003. Т.76. № 4. С. 168 170.
  107. Фракталы в физике: Труды VI Международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 9−12 июля 1985) / Под ред. JI. Пье-тронеро, Э. Тозатти. М.: Мир, 1988. — 672 с.
  108. P.M. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории. М.: Постмаркет, 2000. — 352 с.
  109. Г. В., Рехвиашвили С. Ш. Адгезионное трение при контакте на-нотрубок с поверхностью твердого тела // «Зондовая микроскопия-99». Материалы Всероссийского совещания. Н. Новгород, ИФМ РАН. 1999. С.152−155.
  110. Тарасов С. Ю, Колубаев А. В, Липницкий А. Г. Применение фракталов к анализу процессов трения // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. № 3. С.82−88.
  111. A.M. Элементы дробного исчисления и их применение. -Нальчик: Издательство КБНЦ РАН, 2000. 299 с.
  112. Самко С. Г, Килбас А. А, Маричев О. И. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их приложения. Минск, 1987.
  113. Дедков Г. В, Кясов А. А. Флуктуационно-электромагнитное взаимодействие зонда сканирующего микроскопа с поверхностью твердого тела // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. № 12. С.10−16.
  114. Дедков Г. В, Кясов А. А Электромагнитные флуктуационно-диссипативные силы между нанозондом и поверхностью // ФТТ. 2001. Т.43. № 3. С.536−542.
  115. Tersoff J, Hamann D.R. Theory and application for the scanning tunneling microscope // Phys. Rev Lett. 1983. V.50. P. 1998−2001.
  116. Watanaba S, Aono M, Tsukada M. Theoretical calculations of the scanning tunneling microscopy images of the Si (lll) ^3x3 -Ag surface // Phys. Rev. B. 1991. V.44. N.15. P.8330−8333.
  117. ITashizume T, Kamiya I, Hasegawa Y, et al. A role of a tip geometry on STM images // J. Microsc. 1988. V.152. N2. P.347−354.
  118. Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Э. Бурштейна, С. Лундк-виста. М.: Мир, 1973. — 424 с.
  119. Боголюбов Н. Н, Боголюбов Н. Н. Введение в квантовую статистическую механику. М.: Наука, 1984. — 384 с.
  120. Брагинский Л. С, Баскин Э. М. Неупругое резонансное туннелирование // ФТТ. 1998. Т.40. № 6. С.1151−1155.
  121. Lang N.D. Theory of single-atom imaging in the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. Lett. 1986. V.56. N. 11. P. 1164−1167.
  122. С.Ю., Денисов А. В. Особенности туннельно-спектроскопических измерений в конфигурации воздушного сканирующего туннельного микроскопа // ЖТФ. 2000. Т.70. № 1. С. 100−107.
  123. Baskin L.M., Drozdov A.V., Vladimirov G.G.The thermal expansion as a possible mechanism of nanofabrication // Surf. Sci. 1996. V.369. P.385−392.
  124. Е. Фракталы М.: Мир. 1991.-254 с.
  125. С.Ш. К вопросу о распределении сил в атомно-силовом микроскопе // Вестник Кабардино-Балкарского отделения академии технологических наук РФ. 1997. В.1. Серия технология. С.4−11.
  126. В.В., Молчанов С. П. Альтернативный метод работы SXM при исследовании поверхности // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия -99». Н. Новгород, ИФМ РАН. 1999. С.404−410.
  127. Рехвиашвили C.LII. Теоретический анализ модуляционного и фрикционного режимов атомно-силового микроскопа // Микросистемная техника. 2001. № 12. С.25−30.
  128. Gotsmann В, Anczykowski В., Seidel С., Fuchs Н. Determination of tip-sample interaction forces from measured dynamic force spectroscopy curves // Appl. Surf. Sci. 1999. V.140. P.314−319.
  129. С.Ш. Особенности силовых взаимодействий в бесконтактном режиме атомно-силового микроскопа // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26. № 12. С.46−50.
  130. Mate С.М., McClalland G.M., Erlandsson R., Chiang S. Atomic-scale friction of a tungsten tip on a graphite surface // Phys. Rev. Lett. 1987. V.59. N. l7. P. l942−1945.
  131. Holscher H., Schwarz U.D., Weisendanger R. Modeling of the scan process in lateral force microscopy // Surf. Sci. 1997. V.375. N.2/3. P.395−402.
  132. P., Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твердого тела. М.: Мир, 1972. — 308 с.
  133. В.А., Дработ Ю. Б. Акустическая эмиссия. Применение для испытаний материалов и изделий. М.: Стандартиздат, 1976. -272 с.
  134. Kolosov О., Yamanaka К. Nonlinear detection of ultrasonic vibrations in an atomic force microscope // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Pt.2. V.32. N.8A. P.1095−1098.
  135. Rabe, U., Arnold, W. Acoustic Microscopy by Atomic Force Microscopy // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. N.12. P. 1493−1495.
  136. Rabe, U., Dvorak, M., Arnold, W. The Atomic Force Microscope as a Near-field Probe for Ultrasound // Thin Solid Films. 1995. V.264. P. 165.
  137. Efimov A.E., Saunin S.A. Atomic Force Acoustic Microscopy as a tool for polymer elasticity analysis // Proceeding of the All-Russia Conference «Scanning probe microscopy-2002», N. Novgorod, IPM RAS. 2002. P.79−81.
  138. В urn ham N. A., Kulik A. J. Surface Forces and Adhesion. Handbook of Micro and Nanotribology. CRC Press, Boca Raton, 1997. P.21.
  139. В.А., Медведев Б. К., Соколов Д. Ю. Мультимодовый сверхвысо-ковакуумный СЗМ SOLVER-UHM // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия-99». И. Новгород, ИФМ РАН. 1999. С.320−326.
  140. И., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. М.: Радио и связь, 1988. — 560 с.
  141. М. Шумы в электронных приборах и системах.-М.: Мир, 1986. -399 с.
  142. Г. И. Методы вычислительной математики,— М.: Наука, 1989. -608 с.
  143. А.В., Покропивный В. В., Скороход В. В. Моделирование влияния радиуса кривизны на чувствительность атомно-силового микроскопа//ЖТФ. 1997. Т.67. № 12.С. 70−75.
  144. Davies J.H., Hyldgaard P., Hershfield S., Wilkins J.W. Classical theory of shot noise in resonant tunneling //Phys.Rev.B. 1992.V.46. N.15.P.9620−9633.
  145. Mizes H.A., Park S., Harrison W.A. Multiple-tip interpretation of anomalous scanning-tunneling-microscopy images of layered materials // Phys. Rev. B. 1987. V.36. N.8. P.4491−4494.
  146. Flatte M.E., Byers J.M. Theory of a scanning tunneling microscope with a two-protrusion tip //Phys. Rev. B. 1996. V.53. N.16. P. 10 536−10 539.
  147. B.B., Клинов Д. В., Демин B.B. Методологические особенности наблюдения ДНК в атомно-силовой микроскопии // Биоорганическая химия. 1999. Т.25. № 3. С.234−237.
  148. С.Ш. Применение вейвлет-преобразования для обработки изображений в атомно-силовом микроскопе // Письма в ЖТФ. 2002. Т.28. № 6. С.46−50.
  149. Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и примеры применения //УФН. 1996. Т.166. № 11. С.1145−1170.
  150. И.М., Иванов О. В., Нечитайло В. А. Вейвлеты и их применение //УФК 2001. Т. 171. № 5. С.465−501.
  151. Goodman F.O., Garcia N. Roles of the attractive an repulsive forces in atomic-force microscopy // Phys. Rev. B. 1991. V.43. N.6. P.4728−4731.
  152. Burnham N.A., Colton R.J., Pollock H.M. Interpretation of force curves in force microscopy // Nanotechnology. 1993. V.4. N.2. P.64−80.
  153. Г. И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977. 288 с.
  154. Schwartz U.D., Allers W., Gensterblum G., Pireaux J.-J., Wiesendanger R. Growth of Сбо thin films oil GeS (OOl) stadied by scanning force microscopy //Phys. Rev. B. 1995. V.52. N.8. P.5967−5976.
  155. А. Физическая химия поверхностей. M.: Мир, 1979. — 568 с.
  156. В.А., Лосев В. В., Саунин С. А. Емкостная методика сканирующей силовой микроскопии в исследовании распределения легирующей примеси // Материалы Всероссийского совещания «Зондовая микроскопия -99». Н. Новгород, ИФМ РАН. 1999. С.134−140.
  157. Ю.Я., Коганов Э. С., Струнский М. Г. Расчет электрической емкости. Л.: Энергоиздат. 1981. — 287 с.
  158. Ringger М., Hidber H.R., Schlogl R., Oelhafen P., Gunterodt H.-J. Nanometer lithography with the scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1985. V.46. N.9. P.832−834.
  159. B.K. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии // Электронная промышленность. 1993. № 10. С. 20.
  160. Dagata J.A., Schnier J., Harary H.H., Evans C.J., Postek M.T., Bennett J. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air // Appl. Phys. Lett. 1990. V.56. N.20. P.2001−2003.
  161. Nagahara L.A., Thundat Т., Lindsay S.M. Nanolithography on semiconductor surface under an etching solution // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. N3. P.270−272.
  162. Thundat Т., Nagahara L.A. Oden P. L, Lindsay S.M., George M.A., Glaunsinger W.S. Modification of tantalum surface by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell // J. Vac. Sci. Tech. A. 1990. V.8. N.4. P.3537−3541.
  163. Е.Ф., Михайлов Г. М., Редькин A.H., Фиошко A.M. Зондовая на-нолитография на пленках аморфного гидрогенизированного углерода // Микроэлектроника. 1998. Т.27. № 2. С.97−102.
  164. Ф., Фахмаи Г. Динамика рассеяния газа поверхностью. М.: Мир, 1980.-423 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!