ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠžΠΏΡ‚ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ структуры с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ плотности состояний Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ΅ — ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ изготовлСния ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ свСтовой Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… измСрСниях ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… состояний Π² Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π·ΠΎΠ½Ρƒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов /3/. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… структурах ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹ с ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния примСнСния… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠžΠΏΡ‚ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ структуры с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • 1. ВСорСтичСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ изучСния структур с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π° Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями
    • 1. 1. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ структуры
    • 1. 2. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями
      • 1. 2. 1. ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ямах с 1.2.2 ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…
  • 2. ВзаимодСйствиС экситонных ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… состояний ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ размСрности
    • 2. 1. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ† пСрСноса для цилиндричСских ΠΈ ΡΡ„СричСских Π²ΠΎΠ»Π½
      • 2. 1. 1. ΠœΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ для цилиндричСски-симмСтричных систСм
      • 2. 1. 2. ΠœΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹ для сфСричСски-симмСтричных систСм
      • 2. 1. 3. АмплитудныС коэффициСнты прохоТдСния ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ
    • 2. 2. ЦилиндричСскиС ΠΈ ΡΡ„СричСскиС брСгговскиС ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ
    • 2. 3. Модовая структура Π½Π΅ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². ' Β¦ s 2.4 Экситон-Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ взаимодСйствиС Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠΉ
    • 2. 5. ВзаимодСйствиС Π½ΡƒΠ»ΡŒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… экситонных ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… состояний Π² ΡΡ„СричСских ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ
    • 2. 6. ЦилиндричСскиС ΠΈ ΡΡ„СричСскиС поляритоны
  • 3. ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ямах
    • 3. 1. ВрСмя выброса элСктронов ΠΈΠ· ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ям
      • 3. 1. 1. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄
      • 3. 1. 2. РасчСт ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ
    • 3. 2. Новый Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ гСтСроструктуры для оптоэлСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сСкциями
    • 3. 3. ВлияниС слоТного Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π° Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ выброса Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы
      • 3. 3. 1. ВСория
      • 3. 3. 2. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ расчСта
    • 3. 4. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ расчСта Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ восстановлСния поглощСния Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ поглотитСля
      • 3. 4. 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ уравнСния
      • 3. 4. 2. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ модСлирования
  • 4. Анализ Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ
    • 4. 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ уравнСния
    • 4. 2. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

ΠΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΡ‹

.

Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ гСтСроструктурС /1/ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠ»ΠΈ дальнСйшСС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ всСй Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° сочСтаСт Π² ΡΠ΅Π±Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π²ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡΡ‹ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ оптоэлСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Одними ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пСрспСктивных способов качСствСнного ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² оптоэлСктронных устройств ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° направлСния: это ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ «Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ» носитСлСй Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„икация Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ структуры срСды. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ носитСлСй Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области, Ρ‚. Π΅. ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΊ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ямам, ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° /2/.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ плотности состояний Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ΅ — ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ изготовлСния ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ранствСнным ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ свСтовой Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… измСрСниях ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… состояний Π² Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π·ΠΎΠ½Ρƒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов /3/. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… структурах ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Ρ‹ с ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния примСнСния Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°Ρ…, ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ прСимущСства ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠΎΠ΄ΠΎ-Π²Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, суТСниС спСктра Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ частоты Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ спонтанной оптичСской Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сущСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ характСристики Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°.

ВСхнология ΡƒΠΆΠ΅ достигла достаточного прогрСсса Π² ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ структур (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ…), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ основаны Π½Π° Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ носитСлСй ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ размСрности. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ становятся вопросы Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСорСтичСского Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… структур.

Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ размСрности Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… носитСлСй ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ измСнСниям характСристик ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΈ ΠΊ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ эффСктам /4/. Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ взаимодСйствия экситонов ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ², пространствСнно-ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ прСдставляСт Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ интСрСс ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ пСрспСктивным Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ наноструктур (особСнно с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ) ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ /5/. Благодаря возмоТности Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ оптичСскиС ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ порядка пикосСкунд ΠΈ Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ порядка Π³ΠΈΠ³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†, Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ структуры ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ вострСбованными для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ для пропускной способности Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌ оптичСской ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ построСнных Π½Π° Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… устройствах являСтся врСмя восстановлСния Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ поглотитСля. Для Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠ², основанных Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ямах, врСмя восстановлСния поглощСния опрСдСляСтся Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° носитСлСй ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы. Π”ΠΎ Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС этого Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ использовались довольно ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° количСствСнных ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² расчСта Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ восстановлСния поглотитСля являСтся Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Для Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠ² с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, основанных Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…, Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ /6/ появлСниС гистСрСзиса Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ мощности Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°ΠΊΠ°Ρ‡ΠΊΠΈ. Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ, ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ эффСкт, Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ исслСдования ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΈ Π½ΡƒΠ»ΡŒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… поляритонов Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… ΠΈ ΡΡ„СричСских Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ тСорСтичСскиС исслСдования эффСкта Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°Ρ… Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…. Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ тСорСтичСскиС исслСдования влияния слоТной структуры Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΡ выброса элСктрона ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы.

Научная ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ичСская Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ диссСртации обусловлСна Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΈ наблюдСния Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта расщСплСния Π Π°Π±ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½ΡƒΠ»ΡŒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… систСмах.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ эффСктивныС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ расчСта Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ямами, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ числСнныС Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ для Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ выброса носитСлСй, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС для Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ слоТной Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ гСтСроструктуры для ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… устройств с ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния с Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€Ρ‹ΠΌ восстановлСниСм поглощСния.

ВСорСтичСски объяснСн эффСкт Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ для Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ поглотитСлями, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡ‡Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° структуры ΠΈΠ· Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π² Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ поглотитСля ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния, выносимыС Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ.

1. Π’ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ΅ цилиндричСского Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΡΡ„СричСского Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° слабой связи ΠΊ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ сильной связи (расщСплСниС Π Π°Π±ΠΈ) ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ экситона ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ добротности Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ сильной связи особСнности Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Ρ… отраТСния/пропускания ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ отнСсСны ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… (цилиндричСский случай) ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΡƒΠ»ΡŒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… (сфСричСский случай) поляритонов. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ энСргии поляритонов ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ радиуса ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ антипСрСсСчСний Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ с ΡΠΊΡΠΈΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠΉ.

2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠΌ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° носитСлСй ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы с ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ являСтся тСрмичСски-Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ‚ΡƒΠ½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· состояния Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ края Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ нСмонотонности Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы, которая Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π° коррСляциСй Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня.

3. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ подмСшивания Π»Π΅Π³ΠΊΠΎΠΉ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΊ Ρ‚яТСлой ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ выброса Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ GaAs/AlGaAs.

4. Π›Π°Π·Π΅Ρ€ Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… с Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ поглотитСля ΠΊ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ области.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ† пСрСноса для цилиндричСских ΠΈ ΡΡ„СричСских Π²ΠΎΠ»Π½. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ расчСт ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ цилиндричСских ΠΈ ΡΡ„СричСских ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π° тСория взаимодСйствия экситонов ΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π² ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ… с Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ (квантовая ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅) ΠΈ ΡΠΎ ΡΡ„СричСской (квантовая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π² ΡΡ„СричСском Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅) симмСтриСй. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° слабой ΠΊ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ сильной связи (расщСплСниС Π Π°Π±ΠΈ) ΠΈ Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ зависимости ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½ΡƒΠ»ΡŒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… поляритонов.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ расчСта Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° носитСлСй ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы с ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ тСрмичСский выброс ΠΈ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° процСссы .

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ вычислСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ выброса Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΈΠ· ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ямы Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСском ΠΏΠΎΠ»Π΅ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ слоТного Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π° Π²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° модСль, ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΈ для возникновСния Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. Π˜Π½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ гСтСроструктуры alas-gaas с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ / Π–. И. АлфСров,
  2. B. М. АндрССв, Π•. Π›. ΠŸΠΎΡ€Ρ‚Π½ΠΎΠΉ, М. К. Π’Ρ€ΡƒΠΊΠ°Π½ // ЀВП. 1969. — Π’. 3. —1. C. 1328−1332.
  3. Arakawa, Π£. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshols current / Y. Arakawa, H. Sakaki // Phys. Rev. Lett. 1982. — Vol. 40. — Pp. 939−941.
  4. Lasher, G. J. Inhibited spontaneous emission in solid-state physycs and electronics / G. J. Lasher // Phys. Rev. Lett.— 1987.— Vol. 58.— Pp. 2059−2062.
  5. Observation of the coupled exciton-photon mode splitting in a semiconductor quantum microcavity / C. Weisbuch, M. Nishioka, A. Ishikawa, Y. Arakawa // Phys. Rev. Lett. 1992. — Vol. 69.- Pp. 3314−3317.
  6. Avrutin, E. A. Monolithic and multi-gigahertz mode-locked semiconductor lasers: constructions, experiment, models and applications / E. A. Avrutin, J. H. Marsh, E. L. Portnoi // IEE Proc.-Optoelectron. — 2000. Vol. 147. — Pp. 251−278.
  7. Supershort light pulses by passive mode-locking of qd laser diode / A. E. Gubenko, I. M. Gadjiev, N. D. Il’inskaya et al. // Proc. of 12th Int.
  8. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. — St.-Petersburg, Russia: 2004.- Pp. 51−52.
  9. Vahala, K. J. Optical microcavities / K. J. Vahala // Nature. — 2003.— Vol. 424. Pp. 839−846.
  10. C. Wilmsen, H. T. Vertical Cavity Surface Emitting Lasers / H. Π’. C. Wilmsen, L. C. (ed.). — Cambridge University Press, 1999.
  11. Lott, J. Design of vertical cavity lasers with intracavity photodetectors / J. Lott // Electronic Letters. — 1997. Vol. 33. — Pp. 955−957.
  12. High single-mode power observed from a coupled-resonator vertical-cavity laser diode / A. Fischer, K. Choquette, W. Chow et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79. — Pp. 4079−4081.
  13. Continuous-wave dual-wavelength lasing in a two-section vertical-cavity laser / M. Brunner, K. Gulden, R. Hovel et al. // IEEE Photonics Technology Letters. 2000. — Vol. 12. — Pp. 1316−1318.
  14. Huffaker, D. Tunnel injection active region in an oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser / D. Huffaker, T. Oh, D. Deppe // IEEE Photonics Technology Letters. — 1997. — Vol. 9. — Pp. 716−718.
  15. Π’Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° 1.3 ΠΌΠΊΠΌ с inas/ingaas-ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ / А. Π’. Π‘Π°Ρ…Π°Ρ€ΠΎΠ², И. JI. ΠšΡ€Π΅ΡΡ‚Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², Н. А. МалССв ΠΈ Π΄Ρ€. // ЀВП. — 2001. Π’. 35. — Π‘. 889−895.
  16. Enhanced spectral power density and reduced linewidth at 1.3 micron in an ingaasquantum well resonant cavity light emitting diode / N. Hunt,
  17. E. Schubert, R. Logan, G. Zydzik // Appl. Phys. Lett. — 1992. Vol. 61. -Pp. 2287−2289.
  18. Nikolaev, V. V. Photon recycling white light emitting diode based on in-gan multiple quantum well heterostructure / V. V. Nikolaev, M. E. Port-noi, I. Eliashevich // Phys. Status Solidi A. 2001. — Vol. 183. — Pp. 177 182.
  19. , V. V. / V. V. Nikolaev, M. E. Portnoi // Phys. Status Solidi A. 2002. — Vol. 190. — P. 193.
  20. High extraction efficiency, laterally injected, light emitting diodes combining microcavities and photonic crystals / M. Rattier, T. Krauss, J. Carlin et al. // Optical and quantum electronics. — 2002. — Vol. 34. — Pp. 79−89.
  21. L. S. Dang, D. Heger, R. Andre et al. // Phys. Rev. Lett.— 1998.— Vol. 81. P. 3920.
  22. P. G. Savvidis, J. J. Baumberg, R. M. Stevenson et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 84. — P. 1547.
  23. H. Deng, G. Weihs, C. Santori et al. // Science. — 2002.- Vol. 298,-P. 199.
  24. M. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΈ / M. Π‘ΠΎΡ€Π½, Π­. Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ„. — Πœ.: Наука, 1970.
  25. , М. А. / М. А. ΠšΠ°Π»ΠΈΡ‚Π΅Π΅Π²ΡΠΊΠΈΠΉ, А. Π’. Кавокин // Π€Π’Π’. — 1995.-Π’. 37.-Π‘. 2721.
  26. , J. / J. Hopfield // Phys. Rev. 1958. — Vol. 112. — P. 1555.
  27. , Π’. М. / Π’. М. Агранович // Π–Π­Π’Π€.- 1959.- Π’. 37.-Π‘. 430.
  28. , Π’. А. / Π’. А. КисСлСв, И. Н. Π£Ρ€Π°Π»ΡŒΡ†Π΅Π², Π‘. Π‘. Π Π°Π·Π±ΠΈΡ€ΠΈΠ½ // Письма Π² Π–Π­Π’Π€. 1973. — Π’. 18. — Π‘. 504.
  29. D. Frohlich, A. Kulik, Π’. Uebbing et al. // Phys. Rev. Lett.- 1991. — Vol. 67. P. 2343.
  30. , L. C. / L. C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani // Solid State Commun. 1991. — Vol. 77. — P. 641.
  31. , E. JI. ЭкситонныС поляритоны Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… структурах с ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ямами / Π•. JI. Π˜Π²Ρ‡Π΅Π½ΠΊΠΎ // Π€Π’Π’.— 1991.— Π’. 33.— Π‘. 2388.
  32. Exciton longitudinal-transverse splitting in gaas/algaas superlattices / E. L. Ivchenko, V. A. Kosobukin, V. P. Kochereshko, I. N. Uraltsev // Solid Stete Comm. 1989. — Vol. 70. — Pp. 529−535.
  33. , E. JI. / E. JI. Π˜Π²Ρ‡Π΅Π½ΠΊΠΎ, А. Π’. Кавокин // ЀВП. — 1992.-T. 34. C. 1815.
  34. Vahala, K. J. Optical microcavities / K. J. Vahala // Science. — 2003.— Vol. 424. Pp. 839−846.
  35. Whispering-gallery mode microdisk laser / S. McCall, A. Levi, R. Slusher et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 60. — Pp. 289−291.
  36. Tovar, A. Concentric-circle-grating, surface-emitting laser beam propagation in complex optical systems / A. Tovar, G. Clark / / JOS A A. — 1997. Vol. 14. — Pp. 3333−3340.
  37. High-finesse disk microcavity based on a circular bragg reflector / D. Labil-loy, H. Benisty, C. Weisbuch et al. // Appl.Phys.Lett. 1998. — Vol. 73. — Pp. 1314−1316.
  38. Jiang, Y. Cylindrical-wave reflection and antireflection at media interfaces / Y. Jiang, J. Hacker // Applied Optics.— 1994.— Vol. 33.— Pp. 7431−7434.
  39. Ping, E.-X. Transmission of planar, cylindrical and spherical multiple idielectric layer systems / E.-X. Ping j I Electronic Letters.— 1993.— Vol. 29.- Pp. 1838−1839.
  40. Rajh, T. Synthesis and characterization of surface modified colloidal cdte quantum dots / T. Rajh, О. I. Micic, A. Nozhik // J. Phys. Chem.— 1993, — Vol. 97.- Pp. 11 999−12 003.
  41. Y. a. Vlasov, V. N. Astratov, O. Z. Karimov et al. // Phys. Rev. B. — 1997.- Vol. 7655.- P. R13791.
  42. Fabrication of photonic band gap crystals through colloid self-assembly methods // Progress in Chemistry. — 2004. — Vol. 16.— Pp. 492−499.
  43. V. Zhuk, D. V. Regelman, D. Gershoni et al. // Phys. Rev. B. 2002. -Vol. 66.- P. 115 302.
  44. G. Dasbach, M. Bayer, M. Schwab, A. Forchel // Sem. Sci. Technol. — 2003. Vol. 18. — P. S339.
  45. Mie, G. / G. Mie // Annalen der Physik 1908. — Vol. 25. — P. 377.
  46. Jones, D. S. The theory of electromagnetism / D. S. Jones. — New York: Pergamon Press, 1964.
  47. Ping, E.-X. Transmission of electromagnetic waves in planar, cylindrical and spherical dielectric layer systems and their applications / E.-X. Ping // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76. — Pp. 7188−7194.
  48. Enhancement of spontaneous emission rates by three-dimensional photon confinement in bragg microcavities / B. Ohnesorge, M. Bayer, A, Forchel et al. // Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 56. — Pp. R4367-R4370.
  49. Quantum boxes as active probes for photonic microstructures: The pillar microcavity case / J. M. Gerard, D. Barrier, J. Y. Marzin et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — Pp. 449−451.
  50. Enhanced spontaneous emission by quantum boxes in a monolithic optical microcavity / J. Gerard, B. Sermage, B. Gayral et al. // Phys. Rev. Lett. — 1998.-Vol. 81.-P. 1110.
  51. T. Gutbrod, M. Bayer, A. Forchel et al. // Phys. Rev. Π’.- 1998.-Vol. 57. P. 9950.
  52. Andreani, L. Strong-coupling regime for quantum boxes in pillar micro-cavities: Theory / L. Andreani, G. Panzarini, J.M.Gerard // Phys. Rev. B. 1999. — Vol 60. — Pp. 13 276−13 279.
  53. Artemyev, M. V. Quantum dots in photonic dots / M. V. Artemyev, U. Woggon // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76. — Pp. 1353−1355.
  54. Ultrafast dynamics in field-enhanced saturable absorbers / J. R. Karin, R. J. Helkey, D. J. Dericson et al. // Appl Phys. Lett. — 1994. Vol. 64. — Pp. 676−678.
  55. H0jfeldt, S. Modeling of carrier dynamics in quantum-well electroabsorp-tion modulator / S. H0jfeldt, J. M0rk // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2002. — Vol. 8. — Pp. 1265−1276.
  56. Tunable superlattice p-i-n photodetectors: characteristics, theory, and applications / A. Larson, P. A. Andrekson, S. T. Eng, A. Yariv // IEEE J. Quantum Electron. 1988. — Vol. 24. — Pp. 787−801.
  57. Picosecond all-optical gate using a saturable absorber in mode-locked laser diodes / I. Ogura, Y. Hashimoto, H. Kurita et al. // IEEE Photon. Tech-nol. Lett. 1998. — Vol. 10. — Pp. 603−605.
  58. Kurita, H. Ultrafast all-optical signal processing with mode-locked semiconductor lasers / H. Kurita, I. Ogura, H. Yokoyama // IEICE Transactions on Electronics. 1998. — Vol. E81C. — Pp. 129−139.
  59. Optimisation of signal transmission by an in-line semiconductor amplifier-saturable absorber module / C. Knoll, M. Golles, Z. Bakonyi et al. // Optics Commun.— 2001.- Vol. 187. — Pp. 141−153.
  60. Noise properties and cascadability of soa-ea regenerators / F. Ohman, S. Bischoff, B. Tromborg, J. M0rk // Proc. the 15th Annual Meeting ofthe IEEE Lasers and Electro-Optics Society.— Glasgow, UK: 2002.— Pp. 895−896.
  61. Schneider, H. Thermionic emission and Gaussian transport of holes in a GaAs/Al^Gai-^As / H. Schneider, K. v. Klitzing // Phys. Rev. Π’.— 1988. Vol. 38. — Pp. 6160−6165.
  62. Ahn, D. Exact calculations of quasibound states of an isolated quantum well with uniform electric field: Quantum-well Stark resonance / D. Ahn, S. L. Chuang // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 34. — Pp. 9034−9037.
  63. Hutchings, D. C. Transfer matrix approach to the analysis of an arbitrary quantum well structure in an electric field / D. C. Hutchings // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 34. — Pp. 9034−9037.
  64. Goldman, V. J. Resonant tunneling in magnetic fields: Evidence for space-charge buildup / V. J. Goldman, D. C. Tsui, J. E. Cunningham // Phys. Rev. B. 1994. — Vol. 50. — Pp. 10 864−10 967.
  65. Moss, D. J. Calculation of photogenerated carrier escape rates from GaAs/Al^Gai-xAs quantum wells / D. J. Moss, T. Ido, H. Sano // IEEE J. Quantum Electron. — 1994. — Vol. 30. — Pp. 1015−1026.
  66. Carrier escape dynamics in a single quantum well waveguide modulator / R. Bambha, D. C. Hutchings, M. J. Snelling et al. // Opt. Quantum Electronics. 1993. — Vol. 25. — Pp. S965-S971.
  67. Lefebvre, K. R. Electron escape time from single quantum wells / K. R. Lefebvre, A. F. M. Anwar // IEEE J. Quantum Electron. — 1997. — Vol. 33.-Pp. 187−191.
  68. Anwar, A. F. M. Electron escape via’polar optical-phonon interaction and tunneling from biased quantum wells / A. F. M. Anwar, K. R. Lefebvre // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57. — Pp. 4584−4590.
  69. McLennan, M. J. Voltage drop in mesoscopic systems: a numerical study using a quantum kinetic equation / M. J. McLennan, Y. Lee, S. Datta // Phys. Rev. B. 1991. — Vol. 43. — Pp. 13 846−13 883.
  70. , L. C. / L. C. Andreani, A. Pasquarello, F. Bassani // Phys. Rev. B. 1987. — Vol. 36. — P. 5887.
  71. Chuang, S. L. Theory of hole refractions from heterojunctions / S. L. Chuang // Phys. Rev. B. 1989. — Vol. 40. — P. 10 379.
  72. , C. Y. / C. Y. Chao, S. L. Chuang // Phys. Rev. Π’.- 1991.-Vol. 43. — P. 7027.
  73. , S. / S. Ekbote, M. Cahay, K. Roenker // Phys. Rev. B. — 1998. -Vol. 58. P. 16 315.
  74. Lefebvre, K. R. Electron and hole escape times in single quantum wells / K. R. Lefebvre, A. F. M. Anwar // J. Appl. Phys. — 1996.- Vol. 80.— Pp. 3595−3597.
  75. Dynamics of carrier heating and sweepout in waveguide saturable absorbers / A. V. Uskov, J. R. Karin, R. Nagarajan, J. E. Bowers // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. — 1995. —Vol. 1.— Pp. 552−561.
  76. Gain and threshold characteristics of longwavelength lasers based on inas/gaas quantum dots formed by activated alloy phase separation /
  77. М. V. Maximov, L. V. Asryan, Y. M. Shernyakov et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2001. — Vol. 37. — Pp. 676−683.
  78. , L. V. / L. V. Asryan, R. A. Suris // Semicond. Sci. Technol. — 1996.-Vol. 11.-P. 554.
  79. , H. / H. Jiang, J. Singh // J. Appl. Phys.- 1999.- Vol. 85.-P. 7438. ΠΊ
  80. M. Sugavara, N. Hatori, H. Ebe et al. // J. Appl. Phys.— 2005.— Vol. 97. P. 43 523.
  81. Passive mode-locking in 1.3 mm two-section inas quantum dot lasers / X. D. Huang, A. Stintz, H. Li et al. // Appl. Phys. Lett.- 2001.-Vol. 78. P. 2825.
  82. Mode-locking at 9.7 ghz repetition rate with 1.7 ps pulse duration in two-section qd lasers / A. E. Gubenko, I. M. Gadjiev, N. D. Il’inskaya et al. // Proc. IEEE Semicond. Laser Conf. — Shimane (Japan): 2004.— Pp. 2125.
  83. Bistable operation of a two-section 1.3-/Π¨1 inas quantum dot laser — absorption saturation and the quantum confined stark effect / X. Huang, A. Stintz, H. Li et al. // IEEE J. Quantum Electron. — 2001. — Vol. 37. — P. 414.
  84. Lasher, G. J. Analys of a proposed bistable injection laser / G. J. Lasher // Solid-State Electron. 1964. — Vol. 7. — P. 707.
  85. , Π’. Π’. БрСгговскиС ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ для цилиндричСских Π²ΠΎΠ»Π½ /
  86. Π’. Π’. НиколаСв, Π“. А. Боколовский, М. А. ΠšΠ°Π»ΠΈΡ‚Π΅Π΅Π²ΡΠΊΠΈΠΉ // ЀВП.— % 1999. Π’. 33. — Π‘. 174−179.
  87. , М. А. РасчСт ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры многослойного оптичСского Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π° / М. А. ΠšΠ°Π»ΠΈΡ‚Π΅Π΅Π²ΡΠΊΠΈΠΉ, Π’. Π’. НиколаСв, R. A. Abram // ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΈ Π‘пСктроскопия. — 2000. — Π’. 88. — Π‘. 792−798.
  88. , М. А. Аналоги эффСкта Π‘Ρ€ΡŽΡΡ‚Π΅Ρ€Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ отраТСния для цилиндричСских Π²ΠΎΠ»Π½ / М. А. ΠšΠ°Π»ΠΈΡ‚Π΅Π΅Π²ΡΠΊΠΈΠΉ, Π’. Π’. НиколаСв // Π–Π’Π€. 2000. — Π’. 70.- Π‘. 51−56.
  89. Optical eigenmodes of a multilayered spherical microcavity / M. A. Kali-teevskii, S. Brand, R. A. Abram, V. V. Nikolaev // J. Mod. Optics.— 2001.- Vol. 48.- Pp. 1503−1516.4
  90. Kaliteevski, M. A. Optical eigenmodes of a cylindrical microcavity / M. A. Kaliteevski, V. V. Nikolaev, R. A. Abram // J. Mod. Optics.— 2000.- Vol. 47.- Pp. 677−684.
  91. Exciton polaritons in a cylindrical microcavity with an embedded quantum wire / M. A. Kaliteevski, S. Brand, R. A. Abram et al. // Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61. — Pp. 13 791−13 797.
  92. Light-exciton coupling in semiconductor microcavities of cyllindrical and spherical symmetry / R. Abram, S. Brandt, M. Kaliteevski et al. // Proc. 25th Int. Conf. the Physics of Semiconductors (ICPS-25). Osaka: 2000.
  93. The coupling of zero-dimensional exciton and photon states: a quantum 4 dot in a spherical microcavity / R. Abram, S. Brand, M. A. Kaliteevskiet al. // Proc. 9th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2001.
  94. Electromagnetic theory of the coupling of zero-dimensional exciton and photon states: a quantum dot in a spherical microcavity / M. A. Kaliteevs-ki, S. Brand, R. A. Abram et al. // Phys. Rev. Π’. — 2001.- Vol. 64.— P. 15 305.
  95. Spontaneous light emission from a spherical microcavity with a quantum dot / V. V. Nikolaev, M. A. Kaliteevski, D. Cassagne et al. // Phys. Stat. Sol. (a). — 2002. —Vol 190.- Pp. 199−203.
  96. Polariton lasers based on semiconductor quantum microspheres / P. Bi-genwald, V. Nikolaev, D. Solnyshkov et al. // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70.- P. 205 343.
  97. E. L. Ivchenko, M. A. Kaliteevski, A. V. Kavokin, A. I. Nesvizhskii // J. Opt. Soc. Am. B. 1996. — Vol. 13. — P. 1061.
  98. Nikolaev, V. V. Carrier escape time from reverse-biased quantum well semiconductor heterostructures / V. V. Nikolaev, I. A. Larkin, E. A. Avrutin // Proc. Cond. Matter and Materials Physics Conf.— Belfast: 2003.- Pp. 699−700.
  99. Nikolaev, V. V. Photocarrier escape time in quantum-well light-absorbing devices: Effects of electric field and well parameters / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // IEEE J. Quantum Electron.— 2003.— Vol. 39.— Pp. 1653−1660.
  100. Modelling monolithic mode-locked semiconductor lasers / E. A. Avrutin, J. H. Marsh, J. M. Arnold et al. // Proc. 3rd IEEE LEOS Int. Conf. on Numerical Simulation of Optical Devices (NUSOD). — Tokyo (Japan):2003.- Pp. 76−79.
  101. Nikolaev, V. V. Quantum-well design for monolithic optical devices with gain and saturable absorber sections / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. — Vol. 16. — Pp. 24−27.99.
  102. V.Nikolaev, V. Modelling monolithic mode-locked semiconductor lasers / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // Proc. 4rd IEEE LEOS Int. Conf. on Numerical Simulation of Optical Devices (NUSOD). — Santa Barbara (USA):2004.-Pp. 63−64.
  103. Nikolaev, V. V. Multi-band ΠΊ β€’ p theory of carrier escape from quantum wells / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70. — P. 125 319.
  104. V. V. Nikolaev, E. A. A. Recovery dynamics of quantum-well saturable absorber / E. A. A. V. V. Nikolaev // Proc. 13th Int. Symp. «Nanostruc-tures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2005.
  105. Andrews, G. E. Special Functions / G. E. Andrews, R. Askey, R. Roy. — First edition. — Cambridge: Cambridge University Press, 1999.
  106. Adachi, S. GaAs, AlAs and AIxGaixAs: material parameters for use in research and device applications / S. Adachi // J. Appl. Physics. — 1985. — Vol. 58. Pp. R1-R29.
  107. Simultaneous measurements of electron and hole sweepout from quantum wells and modeling of photoinduced field screening dynamics / J. A. Cavailles, D. A. B. Miller, J. E. Cunningham et al. // IEEE J. Quantum Electron. 1992. — Vol. 28. — Pp. 2486−2497.
  108. , P. W. / P. W. Anderson // Phys. Rev. B. 1981. — Vol. 23. — P. 4828.
  109. , Π’. / B. Shapiro // Phys. Rev. B. 1987. — Vol. 35. — P. 8256.
  110. , M. / M. Cahay, M. McLennan, S. Datta // Phys. Rev. Π’.— 1988. Vol. 37. — P. 10 125.
  111. M. Buttiker, Y. Imry, R. Landauer, S. Pinhas // Phys. Rev. B. 1985. -Vol. 31.- P. 6207.
  112. Newton, R. G. Scattering Theory of Waves and Particles / R. G. Newton. — First edition. — New York: McGraw-Hill, 1966.
  113. , J. M. / J. M. Luttinger // Phys. Rev. — 1956.- Vol. 102.— P. 1030.
  114. , M. / M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino // Phys. Rev. Π’.— 1985.-Vol. 32.-P. 5138.
  115. , G. / G. Fishman // Phys. Rev. B. 1995. — Vol. 52. — P. 11 132.
  116. , D. A. / D. A. Broido, L. J. Sham // Phys. Rev. Π’.- 1985.-Vol. 31.- P. 888.
  117. , A. / A. Twardowski, C. Hermann // Phys. Rev. B. — 1987. — Vol. 35.- P. 8144.
  118. , S. L. / S. L. Chuang // Phys. Rev. Π’.- 1991.- Vol. 43.-P. 9649.
  119. , M. / M. Altarelli // Phys. Rev. B. 1983. — Vol. 28. — P. 842.
  120. , Π’. / T. Kumar, M. Cahay, K. Roenker // Phys. Rev. B. 1997. -Vol. 56. — P. 4836.
  121. , R. / R. Winkler, A. I. Nesvizhskii // Phys. Rev. Π’. 1996.-Vol. 53. — Pp. 9984−9992.
  122. Analysis of bistable quantum dot injection laser / N. S. Averkiev, V. V. Nikolaev, M. Y. Poliakov et al. // Proc. 13th Int. Symp. «Nanos-tructures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2005.
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ