Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями

Диссертация: Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Второе направление — изменение плотности состояний фотонов в системе — может быть реализовано путем изготовления микрорезонаторов с пространственным ограничением световой волны в нескольких измерениях или введением локализованных состояний в запрещенную зону фотонных кристаллов /3/. Оптические моды в таких структурах можно трактовать как фотоны с пониженной размерностью. С точки зрения применения… Читать ещё >

Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Теоретические методы изучения структур с микрорезона торами и насыщающимися поглотителями
    • 1. 1. Микрорезонаторные структуры
    • 1. 2. Структуры с насыщающимися поглотителями
      • 1. 2. 1. Насыщающиеся поглотители на квантовых ямах с 1.2.2 Насыщающиеся поглотители на квантовых точках
  • 2. Взаимодействие экситонных и фотонных состояний пониженной размерности
    • 2. 1. Метод матриц переноса для цилиндрических и сферических волн
      • 2. 1. 1. Матрицы для цилиндрически-симметричных систем
      • 2. 1. 2. Матрицы для сферически-симметричных систем
      • 2. 1. 3. Амплитудные коэффициенты прохождения и пропускания
    • 2. 2. Цилиндрические и сферические брегговские отражатели
    • 2. 3. Модовая структура непланарных микрорезонаторов. ' ¦ s 2.4 Экситон-фотонное взаимодействие в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовой проволокой
    • 2. 5. Взаимодействие нульмерных экситонных и фотонных состояний в сферических микрорезонаторах с квантовыми точками
    • 2. 6. Цилиндрические и сферические поляритоны
  • 3. Насыщающиеся поглотители на квантовых ямах
    • 3. 1. Время выброса электронов из смещенных квантовых ям
      • 3. 1. 1. Метод
      • 3. 1. 2. Расчет и сравнение с экспериментом
    • 3. 2. Новый дизайн гетероструктуры для оптоэлектронных приборов с усиливающей и поглощающей секциями
    • 3. 3. Влияние сложного характера валентной зоны на время выброса дырок из квантовой ямы
      • 3. 3. 1. Теория
      • 3. 3. 2. Результаты расчета
    • 3. 4. Комплексный метод расчета времени восстановления поглощения насыщающегося поглотителя
      • 3. 4. 1. Основные уравнения
      • 3. 4. 2. Результаты моделирования
  • 4. Анализ бистабильности лазеров на квантовых точках с насыщающимся поглотителем
    • 4. 1. Основные уравнения
    • 4. 2. Режим бистабильности

Актуальность темы

.

Изобретение и реализация лазера на двойной гетероструктуре /1/ во многом определили дальнейшее развитие всей физики полупроводников. Концепция полупроводникового лазера сочетает в себе как фундаментальные принципы квантовой оптики и физики твердого тела, так и вопросы технологии оптоэлектронных приборов.

Одними из наиболее перспективных способов качественного улучшения параметров оптоэлектронных устройств являются два направления: это понижение «размерности» носителей в активной области и модификация фотонной структуры среды. Пространственное квантование носителей в активной области, т. е. переход от объемного полупроводника к квантовым ямам, квантовым проводам или квантовым точкам приводит к понижению порогового тока и повышению температурной стабильности лазера /2/.

Второе направление — изменение плотности состояний фотонов в системе — может быть реализовано путем изготовления микрорезонаторов с пространственным ограничением световой волны в нескольких измерениях или введением локализованных состояний в запрещенную зону фотонных кристаллов /3/. Оптические моды в таких структурах можно трактовать как фотоны с пониженной размерностью. С точки зрения применения в лазерах, микрорезонаторы могут дать такие преимущества как одномодо-вый режим, сужение спектра генерации и стабильность частоты генерации.

Также подавление спонтанной оптической рекомбинации может существенно улучшить пороговые характеристики лазера.

Технология уже достигла достаточного прогресса в изготовлении структур (в том числе лазерных), которые основаны на взаимодействии носителей и фотонов пониженной размерности. Таким образом, актуальными становятся вопросы разработки адекватного теоретического аппарата и моделирования подобных структур.

Снижение размерности взаимодействующих носителей и фотонов приводит не только к количественным изменениям характеристик приборов, но и к качественно новым эффектам /4/. Изучение взаимодействия экситонов и фотонов, пространственно-ограниченных в более чем одном направлении представляет фундаментальный интерес и является одной из целей данной работы.

Другим перспективным направлением в оптике наноструктур (особенно с точки зрения приборных приложений) являются лазеры с насыщающимися поглотителями, работающие в импульсном режиме /5/. Благодаря возможности генерировать оптические импульсы длительностью порядка пикосекунд и с частотой порядка гигагерц, данные структуры являются востребованными для передачи данных. Определяющим для пропускной способности линий передачи данных и систем оптической обработки информации построенных на на таких устройствах является время восстановления насыщающегося поглотителя. Для лазеров, основанных на квантовых ямах, время восстановления поглощения определяется временем ухода носителей из квантовой ямы. До недавнего времени, при расчете этого времени использовались довольно приближенные и упрощенные подходы. Разработка количественных методов расчета времени восстановления поглотителя является второй целью данной работы.

Для лазеров с насыщающимся поглотителем, основанных на квантовых точках, недавно было эксперементально обнаружено /6/ появление гистерезиса в зависимости мощности генерации от тока накачки. Создание адекватной теории, описывающее данный эффект, было следующей задачей данной работы.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые были проведены исследования однои нульмерных поляритонов в цилиндрических и сферических резонаторах, а также теоретические исследования эффекта бистабильности в лазерах на квантовых точках. Впервые были проведены теоретические исследования влияния сложной структуры валентной зоны на время выброса электрона из квантовой ямы.

Научная и практическая значимость предлагаемой диссертации обусловлена тем, что в ней показана возможность и найдены критерии наблюдения фундаментального эффекта расщепления Раби в одномерных и нульмерных системах.

Разработаны эффективные методы расчета насыщающихся поглотителей с квантовыми ямами, позволяющие получать численные результаты для времени выброса носителей, в том числе для дырок с учетом сложной валентной зоны. Предложен новый дизайн гетероструктуры для монолитных устройств с усиливающей и поглощающей частью, позволяющий сочетать высокую эффективность усиления с быстрым восстановлением поглощения.

Теоретически объяснен эффект бистабильности для лазеров на квантовых точках с насыщающимися поглотителями, показана возможностьчы перехода структуры из нормального в бистабильный режим в зависимости от длины поглотителя и приложенного к нему обратного напряжения. Основные положения, выносимые на защиту.

1. В системе цилиндрического резонатора с квантовой проволокой и сферического резонатора с квантовой точкой возможен переход от режима слабой связи к режиму сильной связи (расщепление Раби) при уменьшении нерадиационного уширения экситона или при увеличении добротности резонатора. В режиме сильной связи особенности в спектрах отражения/пропускания могут быть отнесены к образованию одномерных (цилиндрический случай) или нульмерных (сферический случай) поляритонов. Зависимость энергии поляритонов от центрального радиуса микрорезонатора имеет вид последовательности антипересечений фотонных мод с экситонной модой.

2. Основным механизмом ухода носителей из квантовой ямы с приложенным электрическим полем при комнатной температуре является термически-активированное тунелирование через состояния вблизи края барьера. Это приводит к существенной немонотонности времени ухода в зависимости от параметров квантовой ямы, которая вызвана корреляцией величины тока ухода с положением верхнего квантованного уровня.

3. Эффект подмешивания легкой дырки к тяжелой приводит к уменьшению времени выброса дырок при комнатной температуре из квантовой ямы на основе GaAs/AlGaAs.

4. Лазер на квантовых точках с насыщающимся поглотителем может переходить из бистабального в стабильный режим работы в зависимости от напряжения, приложенного к поглотителю и от отношения длины поглотителя к длине усиливающей области.

Заключение

.

В данной работе получены следующие результаты.

Разработан метод матриц переноса для цилиндрических и сферических волн. Произведен расчет модовой структуры и профилей полей цилиндрических и сферических микрорезонаторов.

Построена теория взаимодействия экситонов и фотонов в системах с цилиндрической (квантовая проволока в цилиндрическом резонаторе) и со сферической (квантовая точка в сферическом резонаторе) симметрией. Получен критерий перехода от режима слабой к режиму сильной связи (расщепление Раби) и дисперсионные зависимости одномерных и нульмерных поляритонов.

Разработан новый метод расчета времени ухода носителей из квантовой ямы с приложенным электрическим полем, в рамках которого термический выброс и туннелирование рассматриваются как взаимодополняющие друг друга процессы .

Предложен метод вычисления времени выброса дырок из квантовой ямы в электрическом поле с учетом сложного характера валентной зоны.

Предложена модель, объясняющая режим бистабильности лазера на квантовых точках. Получены критерии для возникновения бистабильного режима.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Инжекционные лазеры на основе гетероструктуры alas-gaas с низким пороговым током при комнатной температуре / Ж. И. Алферов,
  2. B. М. Андреев, Е. Л. Портной, М. К. Трукан // ФТП. 1969. — Т. 3. —1. C. 1328−1332.
  3. Arakawa, У. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshols current / Y. Arakawa, H. Sakaki // Phys. Rev. Lett. 1982. — Vol. 40. — Pp. 939−941.
  4. Lasher, G. J. Inhibited spontaneous emission in solid-state physycs and electronics / G. J. Lasher // Phys. Rev. Lett.— 1987.— Vol. 58.— Pp. 2059−2062.
  5. Observation of the coupled exciton-photon mode splitting in a semiconductor quantum microcavity / C. Weisbuch, M. Nishioka, A. Ishikawa, Y. Arakawa // Phys. Rev. Lett. 1992. — Vol. 69.- Pp. 3314−3317.
  6. Avrutin, E. A. Monolithic and multi-gigahertz mode-locked semiconductor lasers: constructions, experiment, models and applications / E. A. Avrutin, J. H. Marsh, E. L. Portnoi // IEE Proc.-Optoelectron. — 2000. Vol. 147. — Pp. 251−278.
  7. Supershort light pulses by passive mode-locking of qd laser diode / A. E. Gubenko, I. M. Gadjiev, N. D. Il’inskaya et al. // Proc. of 12th Int.
  8. Symp. Nanostructures: Physics and Technology. — St.-Petersburg, Russia: 2004.- Pp. 51−52.
  9. Vahala, K. J. Optical microcavities / K. J. Vahala // Nature. — 2003.— Vol. 424. Pp. 839−846.
  10. C. Wilmsen, H. T. Vertical Cavity Surface Emitting Lasers / H. Т. C. Wilmsen, L. C. (ed.). — Cambridge University Press, 1999.
  11. Lott, J. Design of vertical cavity lasers with intracavity photodetectors / J. Lott // Electronic Letters. — 1997. Vol. 33. — Pp. 955−957.
  12. High single-mode power observed from a coupled-resonator vertical-cavity laser diode / A. Fischer, K. Choquette, W. Chow et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79. — Pp. 4079−4081.
  13. Continuous-wave dual-wavelength lasing in a two-section vertical-cavity laser / M. Brunner, K. Gulden, R. Hovel et al. // IEEE Photonics Technology Letters. 2000. — Vol. 12. — Pp. 1316−1318.
  14. Huffaker, D. Tunnel injection active region in an oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser / D. Huffaker, T. Oh, D. Deppe // IEEE Photonics Technology Letters. — 1997. — Vol. 9. — Pp. 716−718.
  15. Вертикальные микрорезонаторы на 1.3 мкм с inas/ingaas-квантовыми точками и приборы на их основе / А. В. Сахаров, И. JI. Крестников, Н. А. Малеев и др. // ФТП. — 2001. Т. 35. — С. 889−895.
  16. Enhanced spectral power density and reduced linewidth at 1.3 micron in an ingaasquantum well resonant cavity light emitting diode / N. Hunt,
  17. E. Schubert, R. Logan, G. Zydzik // Appl. Phys. Lett. — 1992. Vol. 61. -Pp. 2287−2289.
  18. Nikolaev, V. V. Photon recycling white light emitting diode based on in-gan multiple quantum well heterostructure / V. V. Nikolaev, M. E. Port-noi, I. Eliashevich // Phys. Status Solidi A. 2001. — Vol. 183. — Pp. 177 182.
  19. , V. V. / V. V. Nikolaev, M. E. Portnoi // Phys. Status Solidi A. 2002. — Vol. 190. — P. 193.
  20. High extraction efficiency, laterally injected, light emitting diodes combining microcavities and photonic crystals / M. Rattier, T. Krauss, J. Carlin et al. // Optical and quantum electronics. — 2002. — Vol. 34. — Pp. 79−89.
  21. L. S. Dang, D. Heger, R. Andre et al. // Phys. Rev. Lett.— 1998.— Vol. 81. P. 3920.
  22. P. G. Savvidis, J. J. Baumberg, R. M. Stevenson et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 84. — P. 1547.
  23. H. Deng, G. Weihs, C. Santori et al. // Science. — 2002.- Vol. 298,-P. 199.
  24. M. Основы Оптики / M. Борн, Э. Вольф. — М.: Наука, 1970.
  25. , М. А. / М. А. Калитеевский, А. В. Кавокин // ФТТ. — 1995.-Т. 37.-С. 2721.
  26. , J. / J. Hopfield // Phys. Rev. 1958. — Vol. 112. — P. 1555.
  27. , В. М. / В. М. Агранович // ЖЭТФ.- 1959.- Т. 37.-С. 430.
  28. , В. А. / В. А. Киселев, И. Н. Уральцев, Б. С. Разбирин // Письма в ЖЭТФ. 1973. — Т. 18. — С. 504.
  29. D. Frohlich, A. Kulik, В. Uebbing et al. // Phys. Rev. Lett.- 1991. — Vol. 67. P. 2343.
  30. , L. C. / L. C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani // Solid State Commun. 1991. — Vol. 77. — P. 641.
  31. , E. JI. Экситонные поляритоны в периодических структурах с квантовыми ямами / Е. JI. Ивченко // ФТТ.— 1991.— Т. 33.— С. 2388.
  32. Exciton longitudinal-transverse splitting in gaas/algaas superlattices / E. L. Ivchenko, V. A. Kosobukin, V. P. Kochereshko, I. N. Uraltsev // Solid Stete Comm. 1989. — Vol. 70. — Pp. 529−535.
  33. , E. JI. / E. JI. Ивченко, А. В. Кавокин // ФТП. — 1992.-T. 34. C. 1815.
  34. Vahala, K. J. Optical microcavities / K. J. Vahala // Science. — 2003.— Vol. 424. Pp. 839−846.
  35. Whispering-gallery mode microdisk laser / S. McCall, A. Levi, R. Slusher et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 60. — Pp. 289−291.
  36. Tovar, A. Concentric-circle-grating, surface-emitting laser beam propagation in complex optical systems / A. Tovar, G. Clark / / JOS A A. — 1997. Vol. 14. — Pp. 3333−3340.
  37. High-finesse disk microcavity based on a circular bragg reflector / D. Labil-loy, H. Benisty, C. Weisbuch et al. // Appl.Phys.Lett. 1998. — Vol. 73. — Pp. 1314−1316.
  38. Jiang, Y. Cylindrical-wave reflection and antireflection at media interfaces / Y. Jiang, J. Hacker // Applied Optics.— 1994.— Vol. 33.— Pp. 7431−7434.
  39. Ping, E.-X. Transmission of planar, cylindrical and spherical multiple idielectric layer systems / E.-X. Ping j I Electronic Letters.— 1993.— Vol. 29.- Pp. 1838−1839.
  40. Rajh, T. Synthesis and characterization of surface modified colloidal cdte quantum dots / T. Rajh, О. I. Micic, A. Nozhik // J. Phys. Chem.— 1993, — Vol. 97.- Pp. 11 999−12 003.
  41. Y. a. Vlasov, V. N. Astratov, O. Z. Karimov et al. // Phys. Rev. B. — 1997.- Vol. 7655.- P. R13791.
  42. Fabrication of photonic band gap crystals through colloid self-assembly methods // Progress in Chemistry. — 2004. — Vol. 16.— Pp. 492−499.
  43. V. Zhuk, D. V. Regelman, D. Gershoni et al. // Phys. Rev. B. 2002. -Vol. 66.- P. 115 302.
  44. G. Dasbach, M. Bayer, M. Schwab, A. Forchel // Sem. Sci. Technol. — 2003. Vol. 18. — P. S339.
  45. Mie, G. / G. Mie // Annalen der Physik 1908. — Vol. 25. — P. 377.
  46. Jones, D. S. The theory of electromagnetism / D. S. Jones. — New York: Pergamon Press, 1964.
  47. Ping, E.-X. Transmission of electromagnetic waves in planar, cylindrical and spherical dielectric layer systems and their applications / E.-X. Ping // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76. — Pp. 7188−7194.
  48. Enhancement of spontaneous emission rates by three-dimensional photon confinement in bragg microcavities / B. Ohnesorge, M. Bayer, A, Forchel et al. // Phys. Rev. B. 1997. — Vol. 56. — Pp. R4367-R4370.
  49. Quantum boxes as active probes for photonic microstructures: The pillar microcavity case / J. M. Gerard, D. Barrier, J. Y. Marzin et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — Pp. 449−451.
  50. Enhanced spontaneous emission by quantum boxes in a monolithic optical microcavity / J. Gerard, B. Sermage, B. Gayral et al. // Phys. Rev. Lett. — 1998.-Vol. 81.-P. 1110.
  51. T. Gutbrod, M. Bayer, A. Forchel et al. // Phys. Rev. В.- 1998.-Vol. 57. P. 9950.
  52. Andreani, L. Strong-coupling regime for quantum boxes in pillar micro-cavities: Theory / L. Andreani, G. Panzarini, J.M.Gerard // Phys. Rev. B. 1999. — Vol 60. — Pp. 13 276−13 279.
  53. Artemyev, M. V. Quantum dots in photonic dots / M. V. Artemyev, U. Woggon // Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 76. — Pp. 1353−1355.
  54. Ultrafast dynamics in field-enhanced saturable absorbers / J. R. Karin, R. J. Helkey, D. J. Dericson et al. // Appl Phys. Lett. — 1994. Vol. 64. — Pp. 676−678.
  55. H0jfeldt, S. Modeling of carrier dynamics in quantum-well electroabsorp-tion modulator / S. H0jfeldt, J. M0rk // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2002. — Vol. 8. — Pp. 1265−1276.
  56. Tunable superlattice p-i-n photodetectors: characteristics, theory, and applications / A. Larson, P. A. Andrekson, S. T. Eng, A. Yariv // IEEE J. Quantum Electron. 1988. — Vol. 24. — Pp. 787−801.
  57. Picosecond all-optical gate using a saturable absorber in mode-locked laser diodes / I. Ogura, Y. Hashimoto, H. Kurita et al. // IEEE Photon. Tech-nol. Lett. 1998. — Vol. 10. — Pp. 603−605.
  58. Kurita, H. Ultrafast all-optical signal processing with mode-locked semiconductor lasers / H. Kurita, I. Ogura, H. Yokoyama // IEICE Transactions on Electronics. 1998. — Vol. E81C. — Pp. 129−139.
  59. Optimisation of signal transmission by an in-line semiconductor amplifier-saturable absorber module / C. Knoll, M. Golles, Z. Bakonyi et al. // Optics Commun.— 2001.- Vol. 187. — Pp. 141−153.
  60. Noise properties and cascadability of soa-ea regenerators / F. Ohman, S. Bischoff, B. Tromborg, J. M0rk // Proc. the 15th Annual Meeting ofthe IEEE Lasers and Electro-Optics Society.— Glasgow, UK: 2002.— Pp. 895−896.
  61. Schneider, H. Thermionic emission and Gaussian transport of holes in a GaAs/Al^Gai-^As / H. Schneider, K. v. Klitzing // Phys. Rev. В.— 1988. Vol. 38. — Pp. 6160−6165.
  62. Ahn, D. Exact calculations of quasibound states of an isolated quantum well with uniform electric field: Quantum-well Stark resonance / D. Ahn, S. L. Chuang // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 34. — Pp. 9034−9037.
  63. Hutchings, D. C. Transfer matrix approach to the analysis of an arbitrary quantum well structure in an electric field / D. C. Hutchings // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 34. — Pp. 9034−9037.
  64. Goldman, V. J. Resonant tunneling in magnetic fields: Evidence for space-charge buildup / V. J. Goldman, D. C. Tsui, J. E. Cunningham // Phys. Rev. B. 1994. — Vol. 50. — Pp. 10 864−10 967.
  65. Moss, D. J. Calculation of photogenerated carrier escape rates from GaAs/Al^Gai-xAs quantum wells / D. J. Moss, T. Ido, H. Sano // IEEE J. Quantum Electron. — 1994. — Vol. 30. — Pp. 1015−1026.
  66. Carrier escape dynamics in a single quantum well waveguide modulator / R. Bambha, D. C. Hutchings, M. J. Snelling et al. // Opt. Quantum Electronics. 1993. — Vol. 25. — Pp. S965-S971.
  67. Lefebvre, K. R. Electron escape time from single quantum wells / K. R. Lefebvre, A. F. M. Anwar // IEEE J. Quantum Electron. — 1997. — Vol. 33.-Pp. 187−191.
  68. Anwar, A. F. M. Electron escape via’polar optical-phonon interaction and tunneling from biased quantum wells / A. F. M. Anwar, K. R. Lefebvre // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 57. — Pp. 4584−4590.
  69. McLennan, M. J. Voltage drop in mesoscopic systems: a numerical study using a quantum kinetic equation / M. J. McLennan, Y. Lee, S. Datta // Phys. Rev. B. 1991. — Vol. 43. — Pp. 13 846−13 883.
  70. , L. C. / L. C. Andreani, A. Pasquarello, F. Bassani // Phys. Rev. B. 1987. — Vol. 36. — P. 5887.
  71. Chuang, S. L. Theory of hole refractions from heterojunctions / S. L. Chuang // Phys. Rev. B. 1989. — Vol. 40. — P. 10 379.
  72. , C. Y. / C. Y. Chao, S. L. Chuang // Phys. Rev. В.- 1991.-Vol. 43. — P. 7027.
  73. , S. / S. Ekbote, M. Cahay, K. Roenker // Phys. Rev. B. — 1998. -Vol. 58. P. 16 315.
  74. Lefebvre, K. R. Electron and hole escape times in single quantum wells / K. R. Lefebvre, A. F. M. Anwar // J. Appl. Phys. — 1996.- Vol. 80.— Pp. 3595−3597.
  75. Dynamics of carrier heating and sweepout in waveguide saturable absorbers / A. V. Uskov, J. R. Karin, R. Nagarajan, J. E. Bowers // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. — 1995. —Vol. 1.— Pp. 552−561.
  76. Gain and threshold characteristics of longwavelength lasers based on inas/gaas quantum dots formed by activated alloy phase separation /
  77. М. V. Maximov, L. V. Asryan, Y. M. Shernyakov et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2001. — Vol. 37. — Pp. 676−683.
  78. , L. V. / L. V. Asryan, R. A. Suris // Semicond. Sci. Technol. — 1996.-Vol. 11.-P. 554.
  79. , H. / H. Jiang, J. Singh // J. Appl. Phys.- 1999.- Vol. 85.-P. 7438. к
  80. M. Sugavara, N. Hatori, H. Ebe et al. // J. Appl. Phys.— 2005.— Vol. 97. P. 43 523.
  81. Passive mode-locking in 1.3 mm two-section inas quantum dot lasers / X. D. Huang, A. Stintz, H. Li et al. // Appl. Phys. Lett.- 2001.-Vol. 78. P. 2825.
  82. Mode-locking at 9.7 ghz repetition rate with 1.7 ps pulse duration in two-section qd lasers / A. E. Gubenko, I. M. Gadjiev, N. D. Il’inskaya et al. // Proc. IEEE Semicond. Laser Conf. — Shimane (Japan): 2004.— Pp. 2125.
  83. Bistable operation of a two-section 1.3-/Ш1 inas quantum dot laser — absorption saturation and the quantum confined stark effect / X. Huang, A. Stintz, H. Li et al. // IEEE J. Quantum Electron. — 2001. — Vol. 37. — P. 414.
  84. Lasher, G. J. Analys of a proposed bistable injection laser / G. J. Lasher // Solid-State Electron. 1964. — Vol. 7. — P. 707.
  85. , В. В. Брегговские отражатели для цилиндрических волн /
  86. В. В. Николаев, Г. А. Соколовский, М. А. Калитеевский // ФТП.— % 1999. Т. 33. — С. 174−179.
  87. , М. А. Расчет модовой структуры многослойного оптического волокна / М. А. Калитеевский, В. В. Николаев, R. A. Abram // Оптика и Спектроскопия. — 2000. — Т. 88. — С. 792−798.
  88. , М. А. Аналоги эффекта Брюстера и полного внутреннего отражения для цилиндрических волн / М. А. Калитеевский, В. В. Николаев // ЖТФ. 2000. — Т. 70.- С. 51−56.
  89. Optical eigenmodes of a multilayered spherical microcavity / M. A. Kali-teevskii, S. Brand, R. A. Abram, V. V. Nikolaev // J. Mod. Optics.— 2001.- Vol. 48.- Pp. 1503−1516.4
  90. Kaliteevski, M. A. Optical eigenmodes of a cylindrical microcavity / M. A. Kaliteevski, V. V. Nikolaev, R. A. Abram // J. Mod. Optics.— 2000.- Vol. 47.- Pp. 677−684.
  91. Exciton polaritons in a cylindrical microcavity with an embedded quantum wire / M. A. Kaliteevski, S. Brand, R. A. Abram et al. // Phys. Rev. B. 2000. — Vol. 61. — Pp. 13 791−13 797.
  92. Light-exciton coupling in semiconductor microcavities of cyllindrical and spherical symmetry / R. Abram, S. Brandt, M. Kaliteevski et al. // Proc. 25th Int. Conf. the Physics of Semiconductors (ICPS-25). Osaka: 2000.
  93. The coupling of zero-dimensional exciton and photon states: a quantum 4 dot in a spherical microcavity / R. Abram, S. Brand, M. A. Kaliteevskiet al. // Proc. 9th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2001.
  94. Electromagnetic theory of the coupling of zero-dimensional exciton and photon states: a quantum dot in a spherical microcavity / M. A. Kaliteevs-ki, S. Brand, R. A. Abram et al. // Phys. Rev. В. — 2001.- Vol. 64.— P. 15 305.
  95. Spontaneous light emission from a spherical microcavity with a quantum dot / V. V. Nikolaev, M. A. Kaliteevski, D. Cassagne et al. // Phys. Stat. Sol. (a). — 2002. —Vol 190.- Pp. 199−203.
  96. Polariton lasers based on semiconductor quantum microspheres / P. Bi-genwald, V. Nikolaev, D. Solnyshkov et al. // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70.- P. 205 343.
  97. E. L. Ivchenko, M. A. Kaliteevski, A. V. Kavokin, A. I. Nesvizhskii // J. Opt. Soc. Am. B. 1996. — Vol. 13. — P. 1061.
  98. Nikolaev, V. V. Carrier escape time from reverse-biased quantum well semiconductor heterostructures / V. V. Nikolaev, I. A. Larkin, E. A. Avrutin // Proc. Cond. Matter and Materials Physics Conf.— Belfast: 2003.- Pp. 699−700.
  99. Nikolaev, V. V. Photocarrier escape time in quantum-well light-absorbing devices: Effects of electric field and well parameters / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // IEEE J. Quantum Electron.— 2003.— Vol. 39.— Pp. 1653−1660.
  100. Modelling monolithic mode-locked semiconductor lasers / E. A. Avrutin, J. H. Marsh, J. M. Arnold et al. // Proc. 3rd IEEE LEOS Int. Conf. on Numerical Simulation of Optical Devices (NUSOD). — Tokyo (Japan):2003.- Pp. 76−79.
  101. Nikolaev, V. V. Quantum-well design for monolithic optical devices with gain and saturable absorber sections / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. — Vol. 16. — Pp. 24−27.99.
  102. V.Nikolaev, V. Modelling monolithic mode-locked semiconductor lasers / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // Proc. 4rd IEEE LEOS Int. Conf. on Numerical Simulation of Optical Devices (NUSOD). — Santa Barbara (USA):2004.-Pp. 63−64.
  103. Nikolaev, V. V. Multi-band к • p theory of carrier escape from quantum wells / V. V. Nikolaev, E. A. Avrutin // Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 70. — P. 125 319.
  104. V. V. Nikolaev, E. A. A. Recovery dynamics of quantum-well saturable absorber / E. A. A. V. V. Nikolaev // Proc. 13th Int. Symp. «Nanostruc-tures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2005.
  105. Andrews, G. E. Special Functions / G. E. Andrews, R. Askey, R. Roy. — First edition. — Cambridge: Cambridge University Press, 1999.
  106. Adachi, S. GaAs, AlAs and AIxGaixAs: material parameters for use in research and device applications / S. Adachi // J. Appl. Physics. — 1985. — Vol. 58. Pp. R1-R29.
  107. Simultaneous measurements of electron and hole sweepout from quantum wells and modeling of photoinduced field screening dynamics / J. A. Cavailles, D. A. B. Miller, J. E. Cunningham et al. // IEEE J. Quantum Electron. 1992. — Vol. 28. — Pp. 2486−2497.
  108. , P. W. / P. W. Anderson // Phys. Rev. B. 1981. — Vol. 23. — P. 4828.
  109. , В. / B. Shapiro // Phys. Rev. B. 1987. — Vol. 35. — P. 8256.
  110. , M. / M. Cahay, M. McLennan, S. Datta // Phys. Rev. В.— 1988. Vol. 37. — P. 10 125.
  111. M. Buttiker, Y. Imry, R. Landauer, S. Pinhas // Phys. Rev. B. 1985. -Vol. 31.- P. 6207.
  112. Newton, R. G. Scattering Theory of Waves and Particles / R. G. Newton. — First edition. — New York: McGraw-Hill, 1966.
  113. , J. M. / J. M. Luttinger // Phys. Rev. — 1956.- Vol. 102.— P. 1030.
  114. , M. / M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino // Phys. Rev. В.— 1985.-Vol. 32.-P. 5138.
  115. , G. / G. Fishman // Phys. Rev. B. 1995. — Vol. 52. — P. 11 132.
  116. , D. A. / D. A. Broido, L. J. Sham // Phys. Rev. В.- 1985.-Vol. 31.- P. 888.
  117. , A. / A. Twardowski, C. Hermann // Phys. Rev. B. — 1987. — Vol. 35.- P. 8144.
  118. , S. L. / S. L. Chuang // Phys. Rev. В.- 1991.- Vol. 43.-P. 9649.
  119. , M. / M. Altarelli // Phys. Rev. B. 1983. — Vol. 28. — P. 842.
  120. , Т. / T. Kumar, M. Cahay, K. Roenker // Phys. Rev. B. 1997. -Vol. 56. — P. 4836.
  121. , R. / R. Winkler, A. I. Nesvizhskii // Phys. Rev. В. 1996.-Vol. 53. — Pp. 9984−9992.
  122. Analysis of bistable quantum dot injection laser / N. S. Averkiev, V. V. Nikolaev, M. Y. Poliakov et al. // Proc. 13th Int. Symp. «Nanos-tructures: Physics and Technology». — St. Petersburg: 2005.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!