Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле

Диссертация: Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развита экспериментальная методика исследования фотопроводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла, основанная на применении в качестве источника зондирующего излучения перестраиваемого германиевого циклотронного лазера. Применение данной техники позволило получить спектральные зависимости фотопроводимости в режиме ЦКЭХ при различных фиксированных магнитных полях. Целью настоящей… Читать ещё >

Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. Обзор литературы
    • 1. 1. Циклотронный резонанс в двумерных системах
    • 1. 2. Фотопроводимость двумерного электронного газа в магнитном поле. №
  • II. Осцилляции Шубникова-де-ГааЗа (ОШГ) и эффект отрицательной «замороженной» фотопроводимости
    • 2. 1. Измерения и характеристики образцов
    • 2. 2. Эффект отрицательной «замороженной» фотопроводимости
  • III. Циклотронный резонанс в InAs/GaSb/AlSb квантовых ямах
    • 3. 1. Методика эксперимента
    • 3. 2. Структуры с «тонкими» (<10А) AlSb барьерами.. 2,
    • 3. 3. Структуры со «средними» (20−100А) AlSb барьерами
    • 3. 4. Структуры с «широкими» (>30 О А) AlSb барьерами
    • 3. 5. ЦР в InAs квантовых ямах в наклонных магнитных полях
  • IV. Фотопроводимость двумерного электронного газа (20ЭГ) в магнитном поле
  • 4.
  • Введение
  • 4. 2 Методика эксперимента. &
    • 4. 3. Фотопроводимость 2БЭГ при слабых токах смещения
    • 4. 4. Фотопроводимость 2D3r при сильных токах смещения

Полупроводниковые структуры пониженной размерности являются одним из наиболее интересных и перспективных направлений в современной физике полупроводников. Кроме многочисленных приборных применений, к которым относятся инжекционные гетеролазеры, светодиоды, фотоприемники, а также резонансно-туннельные приборы, двумерные системы носителей заряда, реализованные на основе полупроводниковых гетероструктур представляют собой удобный объект для изучения фундаментальных закономерностей строения твердого тела, а так же особенностей взаимодействия носителей в двумерных системах. Открытие в 1981 г квантового эффекта Холла (КЭХ)[К.von Klitzing, 1980] положило начало новому направлению в физике двумерных систем, а так же стимулировало обнаружение эффектов (дробный квантовый эффект Холла (ДКЭХ) [D. Tsui, Н. Stornier, А. Gossard, 1982], обусловленных особенностями основного состояния кулоновски связанных двумерных систем в сильном магнитном поле. Субмиллиметровая спектроскопия в сильном магнитном поле, к наиболее развитым направлениям которой относится циклотронный резонанс (ЦР) является, наряду с фотолюминесценцией одним из наиболее мощных экспериментальных методов исследования двумерных систем. Спектры циклотронного поглощения несут информацию об эффективной массе и концентрации и особенностях энергетического спектра носителей заряда, а также о времени релаксации импульса и длине корреляции хаотического рассеивающего потенциала. Исследования циклотронного поглощения в квантовых ямах 1пАз/СаЗЬ проводятся в различных исследовательских группах уже около 20 лет [39−46,59−63,65]. Интерес исследователей обусловлен возможностью сосуществования в данных структурах пространственноразделенных систем электронов и дырок и связанными с этим перспективами наблюдения целого ряда теоретически предсказанных физических явлений. Несмотря на то, что опубликованные экспериментальные данные весьма обширны, до сих пор нет единого мнения об особенностях спектров циклотронного поглощения в данной системе.

Фотопроводимость двумерных систем в сильном магнитном поле весьма перспективный экспериментальный метод для исследования механизмов протекания тока и энергетической релаксации носителей в условиях КЭХ. Однако, данная техника получила гораздо меньше развитие по сравнению с ЦР в силу ряда факторов, затрудняющих создание «чистой» экспериментальной ситуации, таких как высокая чувствительность сигнала к разогреву образца зондирующим излучением, а так же трудность интерпретации результатов, связанная с тем, что большинство экспериментов проводятся при фиксированной частоте излучения и развертке магнитного поля образца [68−72].

Целью настоящей работы является с одной стороны применение хорошо развитой техники ЦР для исследования двумерных электронно-дырочных систем в квантовых ямах СаЭЬ-ГпАз, с другой — развитие экспериментальной методики фотопроводимости в сильном магнитном поле и ее использование для исследования фотоэффекта в режиме КЭХ в гетероструктурах А1СаАз/6аАэ.

На защиту выносятся следующие положения:

1.Осцилляции ширины и интенсивности линии циклотронного резонанса (ЦР), а также эффективной циклотронной массы в квантовых ямах 1пАз/СаЗЬ возникают в результате гибридизации волновых функций, соответствующих состояниям зоны проводимости ГпАэ и валентной зоны баБЬ.

2.Частота по обратному магнитному полю 1/В осцилляций формы линии ЦР в квантовых ямах ГпАэ/баЗЬ определяется не энергией Ферми, как считалось ранее, а энергией, разделяющей электронную и дырочную подзоны размерного квантования.

3.Величина эффекта замороженной отрицательной фотопроводимости в квантовых ямах 1пАз/А13Ь/СаЗЬ резко падает при увеличении толщины А13Ь барьера от б до 20А, что связано с подавлением рекомбинации неравновесных дырок с электронами в яме.

4.Механизм возникновения фотопроводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла не сводится к чисто болометрическому отклику двумерного электронного газа, а имеет составляющую, связанную с непосредственным участием фотовозбужденных носителей в процессах рассеяния.

5.Наблюдаемое сильное (более чем на два порядка) увеличение сигнала фотопроводимости двумерного электронного газа в режиме ЦКЭХ при значениях тока смещения, близких к критическому представляет собой фотостимулированный пробой КЭХ. Данное явление может быть положено в основу создания высокочувствительных детекторов излучения с перестраиваемой полосой чувствительности в дальнем ИК и субмиллиметровом диапазоне.

1.Обзор литературы.

Основные результаты диссертации отражены в публикациях: 1.Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, С. Д. Сучалкин, В. М. Устинов.

Особенности циклотронного поглощения в GaSb/InAs/GaSb квантовых ямах" Письма в ЖЭТФ, т.53, (1991).

2.S.D.Suchalkin, Yu.B.Vasilyev «Populaion inversion in twodimensional InAs/GaSb/AlSb systems «.

In proceedings of the Eigth Vilnius Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconducors 22−24 September 1992, ed. by Vilnius, «Academia», 57 (1992).

3.Yu.L.Ivanov, Yu.B.Vasilyev, S.D.Suchalkin «Submillimeter cyclotron resonance lasers and their applications 44.

Digest of International Conference on Millimeter Wave and Far Infrared Technology, Beijing, p. 249−252, (1992).

4.С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев, Ю. Л. Иванов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, И. Г. Савельев «Фотопроводимость GaAs/AlGaAs гетероструктур в режиме квантового эффекта Холла» .

Письма в ЖЭТФ, т.56, 377−380(1992).

5.S.D.Suchalkin and Yu.B.Vasilyev «Population inversion in two dimensional InAs/GaSb/AlSb quanum wells «.

Inernational Jornal of Infrared and Millimeter Waves, v.14, No 9, 1847 1850 (1993) .

6.С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев «Инверсная заселенность уровней пространственного квантования в двумерных системах InAs/AiSb/GaSb» .

ФТП, т.27, 1990;1995(1993).

7.Ю. Л. Иванов, С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев «Субмиллиметровая спектроскопия объемных полупроводников и полупроводниковых структур пониженной размерности с помощью плавно перестраиваемого германиевого циклотронного лазера» ФТП, т.27, 1995;2009(1993).

8.С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев, Ю. Л. Иванов «Влияние интерференции в подложке на форму линии циклотронного резонанса двумерного электронного газа» .

ФТП, т.27, 2075;2077(1993).

9.Yu.B.Vasilyev, H. Kobori, T. Ohyama, S.D.Suchalkin, S.V.Ivanov and P. S.Kop'ev «Cycloron resonanse in InAs quantum wells «Abstracts of 22nd Internaional Conference on the Physics of Semiconductors Vancouver, Canada, August 15−19, MoP 111 (1994).

10.S.D.Suchalkin, Yu.В.Vasilyev, Yu.L.Ivanov, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev, I.G.Savel'ev «Submillimeter photoconductivity in magnetically quatizedtwo-dimensional electron gas» Conference workbook of 11th Int.Conf. «High Magnetic Fields in Semiconductor Physics», MIT, Cambridge, USA, p.586−589.(1994).

11. Yu.B.Vasilyev, H. Kobori, T. Ohyama, S.D.Suchalkin, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev, B.Ya.Meltser «Anomalies in the cyclotron resonance in InAs-AlSb quantum wells» .

Conference workbook of 11th Int.Conf. «High Magnetic Fields in Semiconductor Physics», 1994, MIT, Cambridge, USA, p.486−489.

12. Yu.B.Vasilyev, H. Kobori, T. Ohyama, S.D.Suchalkin, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev «Cyclotron resonance in InAs quantum wells» .

Proc. 22th Int. Conf. on the Physics of Semiconductor, Vancouver, p.735−738. (1994).

13. Yu.B.Vasilyev, H. Kobori, T. Ohyama, S.D.Suchalkin, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev «Cyclotron resonance in AlSb-InAs quantum wells in tilted magnetic fields» .

Digest of the 49 Annual Meeting of Physical Society of Japan, Fukuoka, p.132(1994).

14. S.D.Suchalkin, Yu.B.Vasilyev, Yu.L.Ivanov, S.V.Ivanov, P. S.Kop'ev, B. Meltser and T. Ohyama «Application of Hall devices for FIR detection» .

Conference workbook of 7th Int.Conf. on Modulated Semicond. Structures, Madrid, p.736−743 (1995).(также опубликовано в Solid State Electronics).

15. Yu.B.Vasilyev, S.V.Ivanov, B.Ya.Meltser, S.D.Suchalkin, and P. Grambow «Cyclotron resonance in InAs quantum wells in tilted magnetic fields» .

Conference workbook of 11th Int.Conf. on the Electronic Properties of Two Dimensional Systems, Nottigham, p.241−242 (1995).(также опубликовано в Surf.Sei.).

16. Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, А. Ф. Цацульников, П. В. Неклюдов, П. С. Копьев «Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/ (AlGa) Sb» .

ФТП, т.31, 1246−1248(1997).

17 С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев, К. фон Клитцинг, В. А. Головач, Г. Г. Зегря, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер «К вопросу о природе осцилляций циклотронного поглощения в квантовых ямах InAs/GaSb» .

Послана в печать (Письма в ЖЭТФ).

Благодарности.

Автор выражает признательность д.ф.м.н. профессору Петру Сергеевичу Копьеву за руководство данной работой, своим коллегам к.ф.м.н. Юрию Борисовичу Васильеву, д.ф.-м.н. Г. Г. Зегре и В. Головачу за плодотворные обсуждения работы, а также институту Макса Планка (Штуттгарт, Германия) за предоставленную возможность провести ряд экспериментов.

АОЗ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате выполнения диссертационной работы был получены следующие результаты:

1.Детально исследованы спектры циклотронного поглощения в InAs квантовых ямах с различной толщиной AlSb барьеров, отделяющих яму от GaSb матрицы. Показано, что форма и характер изменения линии ЦР в данных структурах коренным образом меняются при толщине барьера, превышающей 2OA.

2.Экспериментально доказано, что характерные особенности поведения спектров ЦР в «полуметаллических» квантовых ямах InAs/GaSb обусловлены не зависимостью эффективности экранирования случайного потенциала от фактора заполнения и не кулоновским взаимодействием между электронами в InAs и дырками в GaSb, как считалось ранее, а есть проявление эффекта гибридизации зоны проводимости InAs и валентной зоны GaSb. 3. Показано, что использование InAs в качестве материала для защитного антиокислительного слоя приводит к значительному уменьшению концентрации носителей в яме, т.к. в этом случае поверхностные состояния расположены по энергии ниже основной.

А 03 подзоны размерного квантования и не могут служить источником носителей для квантовой ямы.

4.Показано, что величина эффекта замороженной отрицательной фотопроводимости в исследуемых структурах резко падает при увеличении толщины А1БЬ барьера от б до 2 0А, что связано с подавлением рекомбинации неравновесных дырок с электронами в яме.

5. Развита экспериментальная методика исследования фотопроводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла, основанная на применении в качестве источника зондирующего излучения перестраиваемого германиевого циклотронного лазера. Применение данной техники позволило получить спектральные зависимости фотопроводимости в режиме ЦКЭХ при различных фиксированных магнитных полях.

6. Показано, что механизм фотопроводимости в режиме ЦКЭХ при поглощении квантов излучения с частотой, близкой к циклотронной не сводится к простому разогреву электронной системы.

7. Исследованы зависимости величины фотопроводимости в режиме ЦКЭХ от тока смещения. Обнаружено резкое (~в 100 раз) увеличение сигнала фотопроводимости при токах смещения, близких к критическому току пробоя КЭХ, что было интерпретировано как проявление фотостимулированного пробоя КЭХ.

8.Предложен новый тип фотодетектора в дальнем ИК и субмиллиметровом диапазоне, основанный на эффекте фотостимулированного пробоя КЭХ. Чувствительность данного приемника оценивается как 107В/Вт, однако имеются значительные резервы для ее повышения за счет оптимизации параметров и геометрии структуры.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.W.Chiu, K. Lee and J.J.Quinn Surf. Sci, 55,182−184(1976)
  2. T.A.Kennedy, R.J.Wagner, B.P.McCombe and D.С.Tsui"Frequency-dependent Cyclotron Effective Mass in Si Inversion Layers". Phys.Rev.Lett. 13, 1031−1035(1975).
  3. T.A.Kennedy, R.J.Wagner, B.P.McCombe and J.J.Quinn «Lineshape distortions in FIR cyclotron resonance of MOS structures»
  4. Sol.St.Comm. 18, 275−278(1976).
  5. M.von Ortenberg «Substrate effects on the cyclotron resonance in surface layers of silicon»
  6. Sol.St.Comm. 17, 1335−1340(1975).
  7. И.В.Кукушкин, С. В. Мешков, В. Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерного электронного газа в квантующем магнитном поле"1. УФН 155,219−247(1988)
  8. T.Ando, Y. Uemura «Theory of Quantum Transport in a Two-Dimensional Electron System under Magnetic Fields"-Part IJ.Phys.Soc.Jpn. 36,959−964(1974)-1. T. Ando Part II
  9. J.Phys.Soc.Jpn. 37, 622−625, 1233−1236 (1974). T. Ando Part III
  10. J.Phys.Soc.Jpn. 36,1521−1525(1974).
  11. T.Ando «Theory of Cyclotron Resonance Lineshape in a Two-Dimensional Electron System» J.Phys.Soc.Jpn. 38,989−993(1975).iio
  12. Т.Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн «Электронные свойства двумерных систем» М. «Мир», 1985.
  13. J1. Б. Иоффе, А. И. Ларкин ЖЭТФ, 81, 1048−1053 (1981) .
  14. I.Affleck J.Phys.Ser.С, 17,279−282(1984) .
  15. R.R.Gerhardts «Cumulant approach to the two-dimensional magneto-conductivity problem»
  16. Surf.Sci., 58,227−232(1976).
  17. Э.И.Рашба, В. Б. Тимофеев «Квантовый эффект Холла» ФТП, 20,977−982(1986).
  18. G.Abstreiter, Р. Kreschaurek, J.P.Kotthaus and J.F.Koch «Cyclotron Resonance of Electrons in an Inversion Layer of Silicon».
  19. Phys.Rev.Lett., 32, 104−108(1974) .
  20. S.J.Allen Jr., D.C.Tsui, J.V.Dalton «Far-Infrared Cyclotron Resonance in the Inversion Layer of silicon».
  21. Phys.Rev.Lett, 32,107−110(1974)
  22. G.Abstreiter,, J.P.Kotthaus, J.F.Koch and G. Dorda «Cyclotron Resonance of electrons in surface space-charge layers on silicon».
  23. Phys.Rev.B, 14,2480−2493(1976)
  24. G.Abstreiter, J.F.Koch, P. Goy, and G. Dorda «Frequency dependence of surface cyclotron resonance in Si».
  25. Phys.Rev.B, 14,2494−2497(1976).
  26. J.P.Kotthaus «High-frequency magnetoconductivity in space charge layers on silicon»
  27. Surf.Sci., 73,472−476(1978).m
  28. J.P.Kotthaus, G. Abstreiter, J.F.Koch «Subharmonic structure of cyclotron resonance in an inversion layer on Si» Solid.St.Comm., 15, 517−519(1974).
  29. J.P.Kotthaus, and R. Ranvaud «Cyclotron resonance of holes in surface space charge layers on Si».
  30. Phys.Rev B, 15, 5758−5762(1977)
  31. R.J.Wagner, T.A.Kennedy, B.P.McCombe and D.C.Tsui «Frequency dependence of cyclotron resonance in Si inversion layers in the region of activated conductivity»
  32. Surf.Sci. 58,207−211(1976)
  33. R.J.Wagner and D.C.Tsui «Submillimeter laser cyclotron resonance of inversion layers of low electron densities» Surf.Sci. 98,256−261(1980).
  34. M.J.Chou, D.C.Tsui, G. Weimann «Cyclotron resonance of high-mobility two-dimensional electrons at extremely low densities».
  35. Phys.Rev B 37, 848−854(1988).
  36. Th.Englert, J.C.Maan, Ch. Uihlein, D.C.Tsui and A.C.Gossard Sol.St.Com. 46, 545−548(1983).
  37. R.Lassing, E. Gornik «Calculation of the cyclotron resonance linewidth in GaAs-AlGaAs heterostructures»
  38. Sol.St.Com. 47, 959−963(1983).
  39. G.L.J.Rikken, H. Sigg, C.J.G.M.Langerak, H.W.Myron, and J.A.A.Perenboom, and G.Weimann. «Subband-Landau-level spectroscopy in GaAs-AlxGai-xAs heterojunction».
  40. Phys.Rev.B, 34, 5590−5593(1986).4iZ
  41. A.D.Wieck, J.C.Maan, U. Merkt, J.P.Kotthaus, K. Ploog, G. Weimann «Intersubband Energies in GaAs-Gax-xAlxAs heterojunctions» Phys. Rev B, 35,4145−4149(1987)
  42. A.D.Wieck, K. Ballweg, U. Merkt, K. Ploog, G. Weimann, W. Schlapp «Combined intersubband-cyclotron resonances in a GaAs-Gai-xAlxAs»
  43. Phys.Rev.B, 38,10 158−10161(1988).
  44. A.D.Wieck, F. Thiele, U. Merkt, K. Ploog, G. Weimann, W. Schlapp «Subband-Landau-level coupling in GaAs/Gai-xAlxAs heterojunctions».
  45. Phys.Rev.B 39, 3785−3789(1989).
  46. M.B.Stanaway, C.J.G.M.Langerak, R.A.J.Thomeer, J.M.Chamberlain, J. Singleton, M. Henini, O.H.Hughes, A.J.Page, G. Hill"Resonant subband Landau level coupling in GaAs-(Ga, Al) As quantum wells in tilted magnetic field»
  47. Semicond.Sei.Techn. 6,208−212(1991).
  48. R.Merlin «Subband-Landau-Level coupling in tilted magnetic fields: exact results for parabolic wells»
  49. Sol.St.Comm. 64, 99−101(1987).
  50. V.Falko «On the resonant tunneling through double barrier structures in a tilted magnetic field»
  51. Sol.St.Comm. 78,925−929(1991).
  52. Z.Schlezinger, J.C.M.Hwang, and S.J.Allen Jr «Subband-Landau-level Coupling in a Two-Dimensional Electron Gas».
  53. Phys Rev Lett 50,2098−2103(1983).
  54. T.P.Smith, F.F.Fang «g-factor of electrons in an InAs quantum wells».
  55. Phys.Rev.B, 35,7729−7734(1987).
  56. L.L.Chang, N.J.Kawai, E.E.Mendez «Semimetallic InAs-GaSb superlattices to the heterojunction limit»
  57. Appl.Phys.Lett, 35,30−32(1981).
  58. J.Luo, H. Munekata, F.F.Fang, P.J.Stiles «Observation of zero-field spin splitting of the ground electron subband in GaSb/InAs/GaSb quantum wells»
  59. Phys.Rev B, 38, 10 142−10 1445(1988).
  60. J.Luo, H. Munekata, F.F.Fang, P.J.Stiles «Effects of inversion assymetry on energy band structures in GaSb/InAs/GaSb quantum wells».
  61. Phys.Rev B, 41, 7685−7689(1990)
  62. H.Bliyssen, J.C.Maan, P. Wyder, L.L.Chang, and L. Esaki «Cyclotron resonance in an InAs-GaSb superlattice»
  63. Sol.St.Com 31, 35−38(1979).4 0.Y.Guildner, J.P.Vieren, P. Voisin, M. Voos, L.L.Chang, and L. Esaki «Cyclotron resonance and Far-Infrared MagnetoAbsorption Experiments of Semimetallic InAs-GaSb Superlattices».
  64. Phys.Rev.Lett. 45,1719−1723(1980).
  65. Y.Guildner, J.P.Vieren, P. Voisin, M. Voos, L.L.Chang, and L. Esaki «Observation of double cyclotron resonance and interband transitions in InAs multi heterojunctions»
  66. Sol.St.Com. 41, 755−760(1982)
  67. J.C.Maan, Y. Guildner, J.P.Vieren, P. Voisin, M. Voos, L.L.Chang, and L. Esaki «Three-dimensional character of semimetallic InAs-GaSb quantum wells»
  68. Sol.St.Com. 39, 683−687(1981).
  69. J.C.Maan, Ch. Uihlein, L.L.Chang «Hybrid cyclotron-intersubband resonance in thin InAs layers confined between GaSb»
  70. Sol.St.Com. 44, 653−656(1982).
  71. D.Heitmann, M. Ziesmann, L.L.Chang «Cyclotron-resonance oscillations in InAs quantum wells».
  72. Phys.Rev.B 34, 7463−7466(1986).
  73. L.S.Kim, H.D.Drew, H.Munekata. «Electron and hole cyclotron resonance in semimetallic GaSb/InAs/GaSb quantum wells»
  74. Sol.St.Com. 66, 873−877(1988).46.J.Scriba.
  75. Semicond.Sci.Tech.8, 133−137(1993).
  76. C.R.Pidgeon, D.L.Mitchell, and R.N.Brown «Interband Magnetoabsorption in InAs and InSb»
  77. Phys.Rev. 154, 737−741(1967).4 8.M.Altarelli, J.C.Maan, L.L.Chang, L. Esaki «Electronicstates and quantum Hall effect in GaSb-InAs-GaSb quantum wells //
  78. Phys. Rev. B, 35, 9867−9870(1987).
  79. P.F.Hopkins, A.J.Rimberg, R.M.Westervelt, G. Tuttle, H. Kroemer «Quantum Hall effect in InAs/AlSb quantum wells «Appl.Phys.Lett 58,1428−1431(1991).
  80. C.Nguyen, B. Brar, H. Kroemer, and J. English «Surface donor contribution to electron sheet concentrations in not-intentionally doped InAs-AlSb quantum wells»
  81. Appl.Phys.Lett 60, 1854−1860(1992).1. Mb
  82. Ikai Lo, W.C.Mitchel, M.O.Manasreh, C.E.Stutz, K.E.Evans «Negative persistent photoconductivity in the Alo.6Gao.4Sb/InAs quantum wells «
  83. Appl. Phys. Lett., 60, 751−753(1992).
  84. Ikai Lo, W.C.Mitchel, J.P.Cheng «Electronic properties of AlxGaixSb/InAs quantum wells»
  85. Phys.rev.B, 50, 5316−5322(1994).
  86. D.J.Chadi «Electron accumulation at undoped AlSb-InAs quantum wells: Theory»
  87. Phys.Rev.B, 47,13 478−13483(1993).
  88. G.Bastard «Energy levels in semiconductor quantum wells» Surf. Sei. 170, 426−437(1986).
  89. A.Fasolino, M. Altarelli «Landau levels and magneto-optics in semiconductor superlattises»
  90. Surf.Sci. 142, 322−325(1984).
  91. Qi-Gao Zhu and Herbert Kroemer «Interface connection rules for effective-mass wave functions at an abrupt heterojunction between two different semiconductors «
  92. Phys. Rev. B 27, 3519−3527(1983).
  93. E.B.Hansen, O.P.Hansen «Nonparabolisity as a cause of oscillations in 2D cyclotron resonance «
  94. Sol.St.Comm. 66, 1181−1184(1988).
  95. M.J.Yang, P.J.Lin-Chung, B.V.Shanabrook, J.R.Waterman, R.J.Wagner, W.J.Moore «Enhancement of cyclotron mass in semiconductor quantum wells «
  96. Phys. Rev. B, 47, 1691−1694(1993).
  97. M.J.Yang, R.J.Wagner, B.V.Shanabrook, J.R.Waterman and M.J.Moore
  98. Phys.Rev.В 47, 6807−6810(1993).
  99. M.J.Yang, R.J.Wagner, P.J.Lin-Chung, В.V.Shanabrook, J.R.Waterman, W.J.Moore, J.L.Davis «Spin-resolved cyclotron resonance in a 2D electron gas «
  100. Surf.Sci., 305, 271−274(1994).
  101. D.J.Barnes, R.J.Nicholas, R.J.Warburton, N.J.Mason, P.J.Walker, N. Miura «Observation of magnetic-field-induced semimetal-semiconductor transitions in crossed-gap superlattices by cyclotron resonance «
  102. Phys. Rev. B, 49, 10 474−10483(1994).
  103. R.J.Warburton, B. Brar, C. Gauer, A. Wixforth, J.P.Kotthaus, H. Kroemer «Cyclotron resonance of electron-hole systems in InAs/GaSb/AlSb «
  104. Sol.St.Electronics, 40, 679−682(1996).
  105. R.J.Wagner, B.V.Shanabrook, M.J.Yang, J.R.Waterman «Electron-hole hybridizing in InAs single quantum wells clad with GaSb «
  106. Superlattices and Microstructures, 21,115−120(1997).
  107. Jih-chen Chiang, Shiow-Fon Tsay, Z.M.Chau, Ikai Lo «Conduction-Valence Landau Level Mixing Effect «
  108. Phys. Rev. Lett. 77, 2053−2056(1996).
  109. J.Kono, В.D.McCombe, J.-P. Cheng, I. Lo, W.C.Mitchel, C.E.Stutz.» Far-infrared magneto-optical study of two-dimensional electrons and holes in InAs/AlxGal-xSb quantum wells «
  110. Phys. Rev. B, 55, 1617−1636(1997).66.Е.И.Рашба1. AM1. ФТТ, 2,1224−1230(1960).
  111. Ю.А.Бычков, Е. И. Рашба Письма в ЖЭТФ, 39, 66−69(1984).
  112. C.F.Lavine, R.J.Wagner, D.C.Tsui Surf. Sci. 113, 112−117(1982)
  113. P.Stein, G. Ebert, K. von Klitzing, G. Weimann «Photoconductivity on GaAs-AlxGai-xAs heterostructures» Surf.Sci. 142, 406−411(1984).
  114. J.C.Maan, Th. Englert, D.C.Tsui, A.C.Gossard «Observation of cyclotron resonance in the photoconductivity of two-dimensional electrons»
  115. Appl.Phys.Lett. 40, 609−611(1982).
  116. Sol.St.Com. 50, 753−757(1984).
  117. M.J.Chou, D.C.Tsui, A.Y.Cho «FIR photoconductivity in the integral quantum Hall regime in GaAs/AlGaAs»
  118. Proceedings of the 18-th Int. Conf. On the Phys. of Semiconductors, Stokholm, Sweden 437−440(1986)
  119. Н.Б.Житенев, В. Г. Долгополов «Наблюдение частотной зависимости фотоотклика в условиях Квантового эффекта Холла» Письма в ЖЭТФ, 47, 592−594(1988).
  120. Н.А.Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордовец «Фотопроводимость в условияхциклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения» ФТП 24, 635−639(1990).
  121. E.Vasiliadou, G. Muller, D. Heitmann, D. Weiss, К. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W. Schlapp, R. Losch «Collective responce in the microwave photoconductivity of Hall bar structures»
  122. Phys.Rev.В 48,17 145−17148(1993).
  123. R.Meisels, F. Kuchar, J.J.Harris, C.T.Foxon «Microwave responce of quasi-particles in the FQHE»
  124. Surf.Sei. 263, 76−80(1992).
  125. F.Kuchar «Microwave Investigations of the Quantum Hall Effect in GaAs-AlGaAs heterostructures» Feskorperprobleme 28, 45−62(1988).
  126. M.Buttiker «Absence of backscattering in the quantum Hall effect in multiprobe conductors»
  127. Phys.Rev.В 38, 9375−9391(1988).
  128. M.Buttiker «The Quantum Hall Effect in Open Conductors» Semiconductors and Semimetals, 35, 191−277(1990).
  129. E.Die?el, G. Muller, D. Weiss, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W. Schlapp, R. Losch «Novel far-infrared photoconductor based on photon-induced interedge channel scattering»
  130. Appl.Phys.Lett., 58, 2331−2333(1991)
  131. K.Hirakawa, M. Endo, K. Yamanaka, Y. Hisanaga, S. Komiyama
  132. Giant negative far-infrared responce of the diagonal magnetoresistance due to edge channel transport in the quantized Hall regime»
  133. Proceedings of the 23th Int Conf on the Phys of Semicond., Berlin, 3,2543−2546(1996).
  134. G.Muller, D. Weiss, S. Koch, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W"Schlapp, R. Losch «Edge channels and the role of contacts in the quantum Hall regime»
  135. Phys.Rev.B, 42, 7633−7635(1990).
  136. G.Muller, D. Weiss, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W. Schlapp, R. Losch «Confinement-potential tuning: From nonlocal to local transport»
  137. Phys.Rev.B, 46, 4336−4339(1992).
  138. S.Komiyama, H. Hirai, M. Ohsawa, Y. Matsuda, S. Sasa, T. Fujii «Inter-edge-state scattering and nonlinear effects in a two-dimensional electron gas at high magnetic fields» Phys.Rev.B, 45, 11 085−11107(1992).
  139. R.Mertz, F. Kleimann, R.J.Hang, and K. Ploog «Nonequillibrium Edge-State Transport Resolved by Far-Infrared Microscopy» Phys.Rev.Lett. 70, 651−655(1993).
  140. F.Thiele, E. Batke, V. Dolgopolov, J.P.Kotthaus, G. Weimann, W. Schlapp, «Cyclotron-resonance-induced photovoltage of inversion electrons on GaAs»
  141. Phys.Rev.B 40, 1414−1419(1989).
  142. P.F.Fontein, P. Hendriks, F.A.P.Bloom, J.H.Walter, L.G.Giling, C.W.J.Beenaker, «Spatial potential distribution in GaAs/AlxGal-xAs heterostructures under quantum Hall conditions studied with the linear electro-optic effect»
  143. Surf.Sci. 263, 91−96(1992).
  144. D.J.Thouless «Edge voltages and Distributed Currents in the Quantum Hall Effect»
  145. Phys.Rev.В 71, 1879−1882(1993).
  146. C.Wexler D.J.Thouless «Current density in the quantum Hall bar»
  147. Phys Rev. В 49,4815−4820(1994).
  148. E.Yahel, A. Palevski, H. Shtrikmann Current distribution in the integer Quantum Hall effect: the role of edge states versus bulk states»
  149. Proceedings of the 23th Int Conf on the Phys of Semicond., Berlin, 3,2523−2526(1996).
  150. J.Scriba «Nichtparabolizitat in InAs/AlSb-Quantentopfen» Dissertation der Fakultat fur Physik der Ludwig-Maximilians-Universitat Munchen, (1992) .
  151. И.В.Кукушкин, Б. Н. Шепель, О. В. Волков, К. фон Клитцинг Письма в ЖЭТФ, 60,556−559(1994)
  152. Н.L.Stormer, A.M.Chang, D.C.Tsui, J.C.M.Hwang Breakdown of the Integral Quantum Hall Effect»
  153. Proceedings of the 11th Int Conf on the Phys of Semicond., San Francisco, 267−270 (1984) .
  154. S.Komiyama, T. Takamasu, S. Hiyamizu, S. Sasa Breakdown of the quantum Hall effect due to heating» Sol.St.Com. 54, 479−484(1985).
  155. L.Eaves, F.W.Sheard Size-dependent quantized breakdown of the dissipationless quantum Hall effect in narrow channels» Semicond.Sci.Technol. 1, 346−349(1986).
  156. А.А.Шашкин, В. Г. Долгополов, С. Н. Дорожкин Шнурование Холловского тока двумерной нелинейной электронной системы в квантующем магнитном поле"1. ЖЭТФ 91, 1897−1904(1986).
  157. М.I.Dyakonov A possible mekhanism of breakdown of the quantum Hall effect»
  158. M.E.Cage, D.Y.Yu, G. Marullo Reedtz «Observation and an explanation of the breakdown of the quantum Hall effect» J.Res.NIST 95, 93−107(1990).
  159. M.E.Cage, G. Marullo Reedtz, D.Y.Yu, C.T. van Degrift «Quantized dissipative states at breakdown of the quantum Hall effect»
  160. Semicond.Sci.Technol. 5, 351−363(1990).
  161. В.Г.Мокеров, Б. К. Медведев, В. М. Пудалов, Д. А. Ринберг, С. Г. Семенчинский, Ю. В. Слепнев Переходы между бездиссипативным и диссипативным состояниями в GaAs/AlGaAs гетероструктурах в режиме квантового эффекта Холла»
  162. Письма в ЖЭТФ 47, 59−61(1988).
  163. S.Kawaji, K. Hirakawa, M. Nagata, «Device-width dependence of plateau width in quantum Hall states» Physica B, 184, 17−20(1993)
  164. S.Kawaji, K. Hirakawa, M. Nagata, T. Okamoto, T. Fikase, T.Goto. Breakdown of the Quantum Hall Effect in GaAs/AlGaAs heterostructures due to Current» J.Phys.Soc.Jpn. 63(6), 367−382(1994).
  165. M.Prasad, M. Singh «Electron-phonon scattering in the presence of a magnetic field in quasi-two-dimensional quantumwell structures»
  166. Phys.Rev.B, 29, 4803−4806(1984).
  167. E.Tsitsishvili and Y. Levinson «Auger scattering betwen Landau levels in a two-dimensional electron gas» Phys.Rev.B, 56, 6921−6930(1997).
  168. W.Kohn «Cyclotron Resonance and de Haas-van Alphen Oscillations of an Interacting Electron Gas»
  169. Phys.Rev., 123, 1242−1244(1961).
  170. N.R.Cooper and J.T.Chalker Phys.Rev.Lett., 72,2057(1994).
  171. Г. Г.Зегря, А. С. Полковников «Механизмы Оже-рекомбинации в квантовых ямах»
  172. ЖЭТФ, 113, 1491−1521(1998).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!