Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
Диссертация
Полученное решение уравнения диффузии с учетом дрейфа удовлетворительно описывает результаты эксперимента по диффузии в системах Ju-SC, TS-Si t, Но — SC и может быть использовано при анализе процесса диффузии примеси как в поле механических напряжений, так и в электрическом поле, в частности, в поле контактной разности потенциалов. Научная новизна работы состоит прежде всего в том, что в ней… Читать ещё >
Список литературы
- Усков В, А. Многокомпонентная диффузия в моноатомных и бинарных полупроводниках. — в кн.: Свойства легированных полупроводников. — М.: Наука, 1977, — с.129−134.
- Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961, — 462 с.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -Л.: Наука, 1973, 384 с.
- Атомная диффузия в полупроводниках. Под редакцией Шоу Д. 1. М.: Мир, 1973, 684 с.
- Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах.- Л.: Наука, 1978, 207 с.
- Абдуллаев Г. Б., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурых. М.: Атомиздат, 1980, — 280 с.
- Синдер М.Н. Теоретические исследования условий образования приповерхностных профилей в полупроводниках. канд. дисс. -М. 1982, — 169 с.
- Соколов В.И., Трегубова А. С., Федорович Н. А., Шеленкевич В. А., Шульпина И. Л. Влияние механических напряжений на диффузию бора в кремени. ФТТ, 1979, т.21, r←J 5, — C. I4II-I4I5.
- Царевская Т.С. Исследование закономерностей диффузии бора и фосфора в кремнии в условиях упругой и пластической деформации. канд. дисс. Горький, 1979, — 161 с.
- Усков В.А. Процессы диффузии в кремнии и их роль в технологии получения материалов и приборов. в сб.: Проблемы производства полупроводникового кремния, — М. 1979, — с.30−31.
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. под. ред. Поута Да., Ту К., Мейера Дж. — М.: Мир, 1982, — 576 с. л «
- Усков В.А., Ерофеева Е. А., Линева Н. А. Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии. сб.: „Легирование полупроводников“. — М.: Наука, 1982, — с, 110−114.
- Горский B.C. Исследование упругого последействия в сплаве Си-Ли о упорядоченной решеткой. ЖЭТф, 1936, т.6, № 3, с.272−277.
- Процессы взаимной диффузии в сплавах. под.ред. Гурова К. П. М.: Наука, 1973, — 359 с.
- Гуров К.П., Карташкин Б. А., Угасте Ю. Э. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах и сплавах. М.: Наука, 198I, — 350 с.
- Щербединский Г. В. Изучение диффузионного взаимодействия углерода с легирующими элементами в тройных системах на основе железа.: Автореф. докторской дисс. М., 1973, — 33 с.
- Маннинг Д? к. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971, — 277 с.
- Васькин В.В. Влияние внутреннего электрического поля на одновременную и последовательную диффузию в полупроводниках. -Ш, 1968, т.2, № I, с.102−109.
- Старк Дк.П. Диффузия в твердых .телах. М.: Энергия, 1980, -239 с.
- Лобов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. М.: Наука, 1981, — 295 с.
- Юм-Розери В. Введение в физическое материаловедение. М.:Ме-таллургия, 1965, — 203 с.
- Мчедлов-Петросян П. О, Танатаров Л. В. Об одной задаче реактивной диффузии. TO, 1981, т.51, № 7, с.1345−1355.
- Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978, -с. 10.
- Николаев Н.И. Диффузия в мембранах. М.: Химия, 1980, — 232с.
- VW ?оо F.J.I (Ые.<�Ж (У.Ь. Dilution, in ike. tiici^u^- аМшьапси^btwtsM, M Ti Of Ti-AlаПор, Ыа. v. M p. Ы-Н
- Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. M.: Наука, 1979, — 343 с.
- Браун М. Доллимор Д. Галвей А. Реакции твердых тел. М.: Мир, 1983, — 359 с.
- Третьяков 10.Д. Твердофазные реакции. -М.- Химия, 1978,-359с.32. f/Ceo&t' М.Д. Ъ£ffub-'on, iewtusс Сп. Т (гСк ШЫ.-Tk.goL FCiMi, v. 59., НЪ, р. HAS-ЧЧ2> .
- ЬиИсиЖ мам- It 1кя flow of ifr. fiwiitCei to сзж. cUtUccdioMPt-oc. floy. Soc., i9Sej V. p. W-МЬ
- Пантелеев В. А, Муравьев В. А, Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупроводниках. ФТТ, 1977, т.19, № 3, — с.682−686.
- Васькин В.В. Некоторые вопросы теории диффузии в полупроводниках. Канд. дисс. Горький, 1968, — 156 с.
- Тимошенко С.П. Курс теории упругости. Киев: Наукова Думка, 1972, — 501 с.
- Цог^сиС (гЛD. С. Х- bkcLracterC-iatCoh. of
- OuicL cbfeets и Шп, (ьи-cL. jk. Soft. Fc'?m4 j
- M4G, у/.Ъ4,Ы
- Калинкин Ю.Л., Пантелеев В. А. Новый механизм влияния упругих напряжений на миграцию замещающей примеси в кремнии. В сб.: 5-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. М, 1982, — с. 94.
- Соколов В.И., Шеленшкевич В. А. Особенности диффузии бора в кремнии. В сб.: 5-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. — М, 1982, — с, 88.
- Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983, — с. 280 с.
- Валиев К.А., Козлов Б. И., Кокин А. А. и др. Распределение термоупругих деформаций в приповерхностной области термически окисленного кремния. В сб.: „Микроэлектроника“, — М.:Сов. Радио, 1972, вып.5, — с.282−295.
- Федорова Т.Ф., Усков В. А., Панасенко А. Г. Распределение напряжений и деформаций вблизи раздела эпитаксиального слоя и подложки. В сб. Тез. докл. Всесоюзной конференции по физикесоединений А3В5, 1981, Новосибирск, о.22−23.
- Пашков В.И. Равновесные дислокационные структуры и их взаимосвязь с диффузией примесей в полупроводниках. Канд.дисс., Горький, 1970. — 145 с.
- Рал fox, TJ. Diffu-Hoh, Си- fri&cx>n- III. &еке^их.Иск ofeyczii Тек. ca+uuei a-t clim&ihg diffusion- in-cLcexci diiZctOL’tCo^s (Zm.PL М>*>?осаЛСс>п, -CnJucubteet c&ffu-H'otb* U (oo-f) vufztah- Jj/ifJ- Pktf-j. Ы-p. ЬоЧЪ-ЛОЧ.
- Павлов П.В., Пашков В. И. Равновесная дислокационная структура в неоднородно’легированном полупроводнике. ФТТ, 1969, т. II, II, с. 3078−3084.
- Усков В.А. Исследование влияния внутреннего электрического поля, на однокомпонентную и многокомпонентную диффузию в полупроводниках. Канд.дисс., Горький, 1967. — с.190.
- Малкович Р.Ш. Методика расчета подвижности примесных ионов в твердых телах. ФТТ, I960, т.2, № II, — с.2784−2794.
- St Sot (A), 4914, ir. f, Ы&-, p. Uoi-ifOS.54' Na^-^ura, T. t S., НСгс^Ы Л. Diffusion, о*, tkifrtaih^ Boiufda^ th. stfstesvt Sc (zo&'cij-du. (film), — JbffM. Pktfl. fatt /&-УЗ гглз ,
- Малкович Р.Ш., Покоева В. А. Диффузия золота в сильнолегированном кремнии. ФТТ, 1976, т.18, № 9, — с, 2606−2610.
- Ахмедова M. Mf, Берман Л. С., Лебедев А. А. Влияние меди на диффузию золота в кремнии. Ш, 1976, т. Ю, № 12,-с.2363−2364.
- St&ywJt. Oh, tkz Tk&orie. of ih. biffuAioyv of bold into SC&wt. Pkyt. St Sot., 1910,». A6*ffJZ.,-f>.52←629.58. и.^кьи.Ь W. ,%ej?Cftr Я. Меьк-мгИгъ Сшс1 Jtinztiw of -Ькя dUff^HOn, of ftotct- in. Н&сон. J. JtffZ. PAy<9ZO, U 2.*, ЫЧ, p. 36/
- U., Moze-fvCCLol W., Seeges-A, biff и* Сок. offroZd c^ nUvoyi: a, wv hu>dd.~ Afij^. Phft. &dt V. S2, p, SS7- -/60.
- Jt^boKOva. I.V., KcLctyrouhviw К. V., Uidem/ В. V-, Snu-Wtu?i/ L S. ?>afu4ion of Uoyv aotct in- H&tcK, CL^nzaPed with,
- Валиев K.A., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Радио и Связь, 198I, — с. 248.
- Ort&etv А. К .в&иел Pctntah’otv, sttuttute And obie+ctation, of frotel s ilitidz on, froM? ux. feL№. J. A/ifd., we) v.44> VH, p. ja34.
- Йелс1 dht K. Y., Tu КМ- Рог^а.Иоя> Cbnot vwi tcMii&tLOn. Of CLtwcrtp, h. cui frUtUoUi of -tfa, utte^efcuee, Iztwezh, ikin. Om-cI СиУуьог^ксиЬ Кёсеои, fCtmi.
- Тк. Sot. MhtA,, 1925, V, 104 ^ Vl/Z, p. <(9?-ZOG.
- Линева Н.А., Сахаров С. В., Усков В. А., Фомичева З. В. Влияние термообработки на формирование структуры переходного слоя в системе Ati-St Неорган.материалы. 1979, т.15.- с. 731−734.
- Линева Н.А., Сахаров С. В., Усков В. А. Влияние низкотемпературного отжига на формирование разупорядоченной области в системе «Золото р — кремний, легированный бором». -Техника средств связи. Сер. ТПО, 1979. вып.2, с.22−26.
- Хансен М." Андерко К. Структуры двойных сплавов. T.I. М.: Металлургиздат, 1962. — с.253.
- Дидик В.А., Малкович Р. Ш. О низкотемпературной диффузии золота в кремнии.- ФТП, 1982, т.16, JS 4. с.745−747.
- Ски W.K., Ucit& Н., Иау&с Ж, МИШ* И., MitcM M.A.Ju, KM. IcU+btifittbtion, of tkz- dcnuh^ut cliffutxMj in, tifUcCek*
- Otowotaje 1.0.AhfitoM M. fiMciffe*. 1M Ihf-tu±nv> of iU ha-{или oj thz suAsbtate on, илеЬЛ si&u'cfe fet-med ftoM, tfan. Mi .-Ik. Sot., tf 32 tfj -p. -fi/3 -1So.
- BbthCMj G-.X.P., Yootv KM. / cUu^i (r., SihXcvccy S., cCev&v$e>n ct.X.
- Tkz c&i&tvci, tCon, of fiiMrctcdifft^iorv of Mi in- &ihf&- vu/dal Si -L in, depth Лссшм, e&ectxcH,
- Koos V., ^еи-упАяп, И. A, St>uMU in- Шк tutfei li&udt jcerrt. Phfft. St. Sol, W5, v. A19J biz t К НЧ- H6.
- Х.Я., Hu-ng g.S.f May&t I.W. Struck.1.- ЯоЛ&гаЛ- diffusions toajdu. J. Vcu. Ou^d .}1. QZS, ia Mj HZ,
- Тешабаев А.Т., Бахадырханов М. К., Зайнабидинов С. Исследование скоплений никеля в кремнии. Изв. АН Уз. ССР, сер. ф-м наук, 1976, № 5, — с.74−75.
- Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С. Влияние низкотемпературного отжига на поведение атомов никеля в кремнии. ФТП, 1978, т.12, Р 4, — с.683−688.
- Wdtrnvc М.} ТСкд C-Y., Ти К. h/. Atonic yvu>Ubrv о J- do^ynjihtvcjcLUcU XZCttcL. ¦foth^odCch,. Th. Sol Fclh^,
- Pwtcni’ui R., bcika, fi. P. HcuoUoCLt tCw> 2iSciccoUe-i of /nUa? h'&uok- fot-majrCo^: Ct бо^иХеч, {iy^dc^tCoh,. 7A. Sot. Ft'-e^, 49 121 v. г — f>.$ ?2 .
- Scsuuvton, R.Jl., Mc. CcdoUn- 1.0. ЫшДиХСон, of CLtyu>tvlbOui $>i&e
- R>o&?*u$k? R. L, Mt. CaldCh, Т.О. ytowtk. of Si to finocUctz UcMtcvt &tvLfacu.- XAr/yf.PkyS., 946 t v.44 tNS, p. 2260 — 22 62 .
- Лобов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых телах. шиз и Хим. обработки материалов, 1976, № 2,-с.77−104.
- Отъкс И., МСиль. И. Eff-eU of bo^fiwatte sUm оу^ rt&ttioh, dcffu-tion- С*. th& Си-ВС gCste^. — Тииц. Jfy. iMt. МеЛсЖ, 19УЧ, и. 42 ,#2.p.-to? 442.
- Todojccxo K, TesWunvoto I. The. -utko-nuol cLffutCoH, of Uteh, ih. H&ton. J. fyjrf. Ptyi*. 49П, v. V9fN6jxb5Z7-$ 5?9.
- G-i4?oh. C. F. t PoviloKC-i E.I., KzbtJu>w b. t 7U zffzit of Mali eotfrU on. bo^CLKt bCffu-но^ Curto $etyUa>n.clucbo'u.-Т.ЕШРихЖьи. $oe., 4942, v.4496, р. НЧ- ГУД.
- Пантелеев В.А., Гугина Т. О., Андон В. М., Еловская А. И. Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупровод-никах.-ФТТ, тД9, № I, с.181−184.
- Пантелеев В.А., Гугина Т.С, Муравьев В. А. Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупроводниках. ФТТ, 1978, т.20, № 2, — с.562−564.
- Аморфные полупроводники. Под. ред. Бродски М. — М.: Мир, 1982, — 419 с.
- Аскаров Б.А., Оксенгендлер Б. Л., Юнусов М. С. Атомная диффузия в аморфных полупроводниках. Изв. АН Уз. ССР, сер.Физ.-мат.наук, 1983, — № 2, с.48−51.
- Двуреченский А.В., Рязанцев И. А., Смирнов Л. С. Диффузия водорода в аморфном кремнии. ФТП, 1982, т.16, № 4, — с.621−624.
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Кесаманлы Ф. П., Наследова Д. Н. — М.:Наука, 1973, — 471с.
- Хлудков С.С., Чалдышева Н. В. 0 механизме диффузии железа в арсениде галлия.-Изв.Вузов:Физика, 1982, т.25,№ 5,-с.П5-П7.
- Шишияну Ф.С., Георгиу В. Г. Диффузия, растворимость и электрическая активность Fe в (кхР ФТП, 1976, т. Ю, № II -с.2188−2190.
- Куликов Г. С., Никулица И. Н. Диффузия и растворимость кобальта в арсениде галлия. ФТТ, 1972, т.14, № 9, — с.2704−2707.
- OLdou/ В. skott oit-ffuHOhb of ti&vvt Cn. ike. lll-Vкпэ-т.
- Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977, — 240 с.
- Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. -М.: Наука, 1977, с.21−29.
- Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука, 1974, — с. 129.
- Литвиненко С.А., Митрофанов В. В., Соколов В. И. Внутренние напряжения в системе кремний-окисел и их влияние на образование пор в окисле. ЖТФ, 198I, т.51, Р 4, — с.828−830.
- Справочник по специальным функциям. Под ред. Абрамовича М. и Стиган И. — М.: Наука, 1979, — с. 195.
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, — с. 270.
- Агеев В.В., Коковина В. Н., Приходько Н. Е., Трошина Е.П.
- Агеев В.В., Коковина В. Н., Приходько Н. Е., Трошина Е. П. Диффузия тербия и гольмия в кремнии. Известия ЛЭТИ, 1977, № 211, — с.80−85.
- Коковина В.Н., Фролова Т. Н. Исследование многокомпонентной диффузии примесей в кремнии, Известия ЛЭТИ, 1978, № 228, — о, 131−134.
- ИЗ. Кидяркин В. М., Фирсова Т. И., Ивин А. Л. Влияние условий термообработки на свойства растворных пленок двуокиси кремния.- Электронная техника, сер, Материалы, 1975, № 10, с.46−52.
- Усков В.А., Федотов А. В., Ерофеева Е. А. Диффузионные явления в материалах функциональной микроэлектроники. Межвузовское научное совещание-семинар. «Проблемы функциональной микроэлектроники». Тезисы докладов.-Горький, 1980, — с.182−183.
- Усков В.А., Родионов А. И., Власенко Г. Т., Федотов А. Б. Диффузия редкоземельных элементов в кремнии.-5-я Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупровод, материалов. Тезисы докладов.-М.:ИМЕТ им. А. А. Байкова, 1982, с. 81.
- Федотов А.Б., Царевская Т. О., Усков В. А. Влияние термоупругих напряжений на диффузию бора в системе Si- SiOL Неорга-нич. материалы. — М., 1983, т.19, № 4, — с, 521−524.
- Уие, IX, /о1{*уфс F. И/. InffajM-tiz, of ftwUty? o&cL'fita -Hon- on. So&cte- гмг’Ш&^'о^аЛСоК'. l. C^^t fxKOwtk. 19*5- V. A9, N3, р-Ъ09-Ъ4Ч.
- Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов, т.2 М.: Металлургия, 1962, с. ИОО-ИОЗ.
- Усков В.А., Сорвина В. П., Федотов А. Б. Влияние комплексооб-разования на диффузию Со в Irdfig Неорганические материалы. — М, 1975, т. II, № 6, с.1012−1015.
- Усков В.А., Федотов А.Б. Диффузия и растворимость Fe в
- Ш Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. М: ИМЕТ им. А. А. Байкова, 1975, с.146−147.
- Усков В.А., Федотов А. Б., Ерофеева Е. А., Думаревская Н. С. Реакционный механизм диффузии переходных элементов в кремнии. П Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках. Ч. П, Тезисы докладов. -Ташкент, 1980, с.147−148.
- Федотов А. Б. Особенности диффузионных, явлений в системе металл-полупроводник. Тезисы докладов научной конференции молодых ученых Горьковской области. — Горький, 1983, — с, 12I.
- Усков В.А., Родионов А. И., Федотов А. Б., Думаревская Н. С. Диффузия и фаз о образование в системе NC -S>c Неорганич. материалы. М., 1984, т.20, № 7, — с.1147−1150.
- Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М.: Сов. Радио, I960, 423 с.
- Полякова A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1975, 167 с.- 127 -Приложение I