Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах

Диссертация: СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Решением этой задачи, связанной с разработкой и производством СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ) нового поколения — СВЧ модулей класса «система в корпусе» на этапе разработки и в условиях серийного выпуска, достигается расширение функциональных возможностей СВЧ аппаратуры при уменьшении габаритов и снижении потребляемой мощности перспективных радиоэлектронных систем и комплексов. Целью… Читать ещё >

СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ РАЗРАБОТОК СВЧ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРИЕМНЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ СОВРЕМЕННЫХ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ
    • 1. 1. Основные требования, предъявляемые к СВЧ твердотельным приемным модулям в современных твердотельных радиолокационных системах
    • 1. 2. Основные факторы, ограничивающие чувствительность СВЧ твердотельных приемных модулей
      • 1. 2. 1. Основные источники шумов СВЧ твердотельных приемных модулей
      • 1. 2. 2. Влияние нелинейных искажений сигналов на качество приема сигналов СВЧТПМ
        • 1. 2. 2. 1. Нелинейные искажения сигналов при смешении сигналов в ТПМ
        • 1. 2. 2. 2. Нелинейные искажения многочастотных сигналов в СВЧ усилителях ТПМ
    • 1. 3. Состояние разработок ваМ и БЮе МИС и ГИС для СВЧ твердотельных приемных модулей
      • 1. 3. 1. Малошумящие СВЧ усилители на ваК транзисторах для приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток
      • 1. 3. 2. 8Юе фазовращатели для ТПМ АФАР
      • 1. 3. 3. СБИС СВЧ синтезаторов частоты для гетеродинов СВЧ твердотельных приемных модулей
    • 1. 4. Цель и основные задачи диссертационной работы
  • ГЛАВА 2. СВЧ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИЕМНИКИ ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИХ МОДУЛЕЙ АФАР на ваИ и 810е
  • ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
    • 2. 1. Проектирование входных каскадов СВЧ твердотельного приемного модуля АФАР
      • 2. 1. 1. Выбор типа СВЧ транзистора для МШУ ТПМ АФАР по критерию максимальной чувствительности при минимальных массо-габаритных характеристиках ППМ АФАР
      • 2. 1. 2. Моделирование усилителей высокой частоты (УВЧ) на 81Се) для приемных трактов ППМ АФАР
    • 2. 2. Метод повышения чувствительность приема фазо- и частотно-кодированных (ФКМ и ЧКМ) сигналов ТПМ АФАР
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА 3. СВЧ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИЕМНИКИ с
  • ПРЕОБРАЗОВАНИЕМ ЧАСТОТЫ на ваК и 810е
  • ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
    • 3. 1. Применение ОаК и 810е интегральных схем для повышения чувствительности в СВЧ приемниках сигнала с фазовой и частотной модуляцией
      • 3. 1. 1. СВЧ смесители на 81ве интегральных схемах
    • 3. 2. Применение ваИ и 810е интегральных схем в гетеродинах СВЧ ТПМ с преобразованием частоты для повышения чувствительности сложных сигналов с фазовой и частотной модуляцией в присутствии мощных помех
      • 3. 2. 1. 8Юе интегральные схемы синтезаторов с прямым цифровым синтезом частоты (ПЦСЧ)
      • 3. 2. 2. Применение СВЧ ГИС на 81Се для снижения уровня фазового шума гетеродинов СВЧ ТПМ с преобразованием частоты
    • 3. 3. Выводы
  • ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ и
  • ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ СВЧ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРИЕМНЫХ МОДУЛЕЙ НА ОаИ И БЮе МОНОЛИТНЫХ и
  • ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
    • 4. 1. Многоканальные СВЧ твердотельные приемные модули с преобразованием частоты
    • 4. 2. СВЧ твердотельный приемо-передающий модуль С-диапазона на ваК и 810е монолитных и гибридных интегральных схемах
    • 4. 3. Выводы

Актуальность работы.

Данная работа посвящена методам создания СВЧ твердотельных приемных модулей (ТПМ) класса «система в корпусе» на основе новых полупроводниковых материалов.

СВЧ модули класса «система в корпусе» (СВК) можно определить, как функционально-законченные устройства, обладающие следующими основными признаками [1−3]:

— реализация основных характеристик в СВЧ тракте со стандартным волновым сопротивлением;

— самодиагностика и управление характеристиками;

— связь по цифровому интерфейсу с центральным процессором РЭС;

— изготовление по единой микроэлектронной технологии;

— обеспечение внутренней электромагнитной совместимости и тепловых режимов работы.

Основными предпосылками перехода на СВЧ СВК в настоящее время являются [1−9]:

— изменение внутренней структуры современных РЭС, обусловленное внедрением распределенных систем класса АФАР (антенных фазированных решеток), состоящих из большого количества одинаковых функционально-законченных управляемых блоков;

— непрерывно возрастающие требования к увеличению функций РЭС при уменьшении массо-габаритных характеристик;

— совершенствование качества СВЧ полупроводниковых приборов: увеличение удельной СВЧ мощности практически во всех диапазонах рабочих частот, повышение линейности и широкополосности, снижение уровня внутренних шумов;

— расширение функциональных возможностей СВЧ полупроводниковых приборов: реализация на одном кристалле аналоговых и цифровых схем, появление систем на кристалле.

Данная работа посвящена методам создания СВЧ твердотельных приемных модулей (ТПМ) класса «система в корпусе» на основе новых полупроводниковых материалов.

Анализ основных факторов, влияющих на качество приема сигналов СВЧ твердотельных приемных модулей (ТПМ) и состояния разработок современных ТИС и МИС на новых полупроводниковых материалах 8Юе и ваИ показал, что для обеспечения высокого качества приема сигналов с различными типами модуляций необходимо решить задачу создания СВЧ ТПМ на ОаИ и 8Юе ГИС и МИС.

Решение этой задачи позволит не только обеспечить высокое качество работы современных радиоэлектронных средств, но и реализовать СВЧ ТПМ с минимальными массогабаритными характеристиками.

Наиболее остро решение этой задачи необходимо в Си Х-диапазонах, где возможности 81 ГИС и МИС практически исчерпаны.

Но в Б-диапазоне при реализации СВЧ ТПУ с преобразованиями частоты МИС на 8Юе могут обеспечить меньший уровень потребления по сравнению с МИС на 81 из-за более высокого значения граничной частоты.

Особенно нужно отметить необходимость создания линейных МШУ, УВЧ и смесителей на ваЫ для обеспечения высокого качества приема сигналов в присутствии мощных несинхронных помех.

Задача построения СВЧ приемных модулей сигналов должна решаться не только по критерию высокого качества приема сигналов, но и с учётом требований по минимизации массо-габаритных характеристик аппаратуры при обеспечении устойчивости к внешним дестабилизирующим факторам.

Решению актуальной задачи обеспечения высокого качества приема СВЧ сигналов на основе совокупности новых научно-обоснованных технических и технологических решений посвящена настоящая диссертация.

Цель работы.

Целью данной работы является решение актуальной научной задачи разработки на основе новых научно-технических и технологических методов создания СВЧ ТПМ на ваЫ и 8Юе МИС и гибридных интегральных схем (микромодулей), а также определение требований к их элементной базе, для реализации минимальных массо-габаритных характеристик и повышения эффективности специальных радиоэлектронных систем.

Для достижения поставленной цели в работе:

1) проведен анализ основных факторов, влияющих на качество приема СВЧ сигналов в современных радиоэлектронных системах;

2) разработана флуктуационная модель и на её основе проведено моделирование методов повышения чувствительности СВЧ твердотельных приемных модулей для ППМ АФАР;

3) выполнен теоретический анализ и проведено моделирование методов повышения чувствительности СВЧ ТПМ с преобразованием частоты при воздействии шумов и помех;

4) изложены результаты экспериментальных исследований и внедрения в специальную аппаратуру оптимизированных СВЧ ТПМ на основе ОаК и 81Се приборов.

Научная новизна.

1. Установлено, что применение в 81Се СВЧ фазовращателе векторного типа СВЧ аттенюатора квадратурных каналов с дискретным изменением величины коэффициента передачи благодаря низкой крутизне преобразования «помеха-частота» позволяет повысить чувствительность приема фазо-кодированных и частотно-кодированных (ФКМ и ЧКМ) сигналов СВЧ ТПМ АФАР на 10 дБ по сравнению с ТПМ, использующим векторный фазовращатель, усилители квадратур которого управляются аналоговым сигналом.

2. Определены предельно достижимые значения спектральной плотности фазового шума (СПФШ) 8ф (&п)=-150 дБ/Гц, ограничивающей чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов при заданном минимальном дискрете переключения фазы Аф=6° для СВЧ фазовращателя векторного типа С-диапазона.

3. Показано, что применение ваЫ МШУ в СВЧ ТПМ позволяет увеличить чувствительность приемников на 1,5дБ в присутствии асинхронных СВЧ помех мощностью до 30 Вт и уменьшить массо-габаритные характеристики 1111 М АФАР наЮ-15% по сравнению с ТПМ, использующим МШУ на ваАз транзисторах с устройством защиты.

4. Показано, что применение в СВЧ ТПМ приёмнике с рабочей частотой ф ~ 4 ГГц 8Юе СБИС СВЧ приемного тракта позволяет обеспечить снижение коэффициента шума на 1,5 дБ по сравнению 81 СБИС СВЧ приёмником. Снижение коэффициента шума достигается за счет на порядок большей граничной частоты 8Юе транзисторов ia, поскольку коэффициент шума на рабочих частотах, составляющих более 30% от граничной частоты (ф>0.3?а), растет пропорционально квадрату частоты.

5. Установлено, что применение 8Юе СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) в гетеродине СВЧ ТПМ с преобразованием частоты позволяет повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов более чем на 10дБ по сравнению с 81 СВЧ МИС и на 20дБ по сравнению с ваАз СВЧ МИС. Повышение чувствительности достигается из-за меньшего значения низкочастотного шума вЮе МИС гетеродина.

Практическая значимость.

1. Разработаны и внедрены новые практические методы проектирования СВЧ твердотельных приемных модулей на ваК и 8Юе МИС и ГИС, которые позволяют повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов при воздействии шумов и помех при минимальных массо-габаритных характеристиках аппаратуры.

2. Основные результаты исследований, проведенных в данной работе, использованы:

— при разработке и серийном выпуске ППМ АФАР радиолокационных станций 8- диапазона БКВП.434 856.029;

— при разработке и серийном выпуске ППМ АФАР радиолокационной аппаратуры С-диапазона БКВП.434 857.004;

— при разработке СВЧ четырехканального ТПМ радиолокационного модуля Х-диапазона БКВП.464 335.003.

На защиту автором выносятся следующие научные положения.

1. Применение СВЧ аттенюатора с дискретным изменением величины коэффициента передачи в 81ве СВЧ фазовращателе векторного типа СВЧ ТПМ АФАР позволяет, благодаря низкой крутизне преобразования «помеха-частота», повысить чувствительность приема фазои частотно-кодированных (ФКМ и ЧКМ) сигналов СВЧ ТПМ АФАР на 10 дБ по сравнению с ТПМ, использующим векторный фазовращатель, усилители квадратур которого управляются аналоговым сигналом, формируемым цифро-аналоговым преобразователем.

2. Выбор ОаЫ транзистора в качестве активного прибора малошумящего усилителя позволяет повысить чувствительность приема на 1,5дБ в присутствии асинхронных СВЧ помех мощностью до 30 Вт и уменьшить массо-габаритные характеристики ППМ АФАР наЮ-15% по сравнению с ТПМ, использующим МШУ на ОаАБ транзисторах с устройством защиты.

3. Использование в СВЧ ТПМ приёмнике с рабочей частотой ф ~ 4 ГГц 810е СБИС СВЧ приемного тракта позволяет обеспечить снижение коэффициента шума на 10 дБ по сравнению 81 СБИС СВЧ приёмником.

4. Выбор 816е СВЧ монолитных интегральных схем для гетеродина СВЧ ТПМ с преобразованием частоты позволяет повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов более чем на ЮдБ по сравнению с 81 СВЧ МИС и на 20дБ по сравнению с ОаАэ СВЧ МИС.

Содержание работы.

Результаты работы использованы при разработке и серийном выпуске: ППМ АФАР 8-диапазона БКВП.434 856.029- ППМ АФАР С-диапазона БКВП.434 857.004- четырех канального СВЧ ТПМ Х-диапазона БКВП.464 335.003, что обеспечило заданную чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов этих устройств.

Проведенные испытания подтвердили стойкость разработанных СВЧ ТПМ к внешним воздействующим факторам (механическим, климатическим, акустическим) Комплекса государственных военных стандартов (КГВС) «Мороз-6».

В результате выполненных автором научных исследований и разработок методов проектирования, измерения и моделирования основных параметров СВЧ ТПМ на ваИ и 8'1Се и методов обеспечения качества приема сложных сигналов в диссертации изложены научно-обоснованные технические и технологические решения по разработке и организации серийного производства СВЧ ТПМ на ваК и 81Се интегральных схемах, качество приема сигналов которых обеспечивает современные требования к радиоэлектронным устройствам двойного применения, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие экономики страны и повышение ее обороноспособности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным научным результатом работы является создание СВЧ твердотельных приемных модулей на ГИС и МИС из новых полупроводниковых материалов ваК и 81Се, обеспечивающих высокое качество приема сигналов с различными типами модуляции при минимальных массогабаритных характеристиках.

Решением этой задачи, связанной с разработкой и производством СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ) нового поколения — СВЧ модулей класса «система в корпусе» на этапе разработки и в условиях серийного выпуска, достигается расширение функциональных возможностей СВЧ аппаратуры при уменьшении габаритов и снижении потребляемой мощности перспективных радиоэлектронных систем и комплексов.

На основе выполненных в работе исследований, с использованием методов статистической радиофизики, теории оценивания и машинного моделирования дано теоретическое обобщение обеспечения высокого качества приема фазои частотнокодированных (ФКМ и ЧКМ) сигналов в присутствии шумов и помех.

Это позволило:

— определить основные факторы и провести моделирование методов повышения чувствительности СВЧ твердотельных приемных модулей при воздействии мощных СВЧ помех;

— с помощью конструктивно-технологических методов построения СВЧ фазовращателей снизить уровень фазовых шумов при приеме сигналов в ППМ АФАР;

— провести исследования и выполнить моделирование методов цифрового синтеза гетеродинных сигналов для минимизации уровня дискретных составляющих в радиочастотном спектре сигнала СВЧ ТПМ;

— выполнить экспериментальные исследования внедрённых в специальную аппаратуру оптимизированных СВЧ ТПМ на основе ОаК и 81ве приборов.

Внедрение разработанных в работе новых методов позволило получить следующие научные результаты:

1. Установлено, что применение в 81Се СВЧ фазовращателе векторного типа СВЧ ТПМ АФАР СВЧ аттенюатора с дискретным изменением величины коэффициента передачи позволяет повысить чувствительность приема фазои частотнокодированных (ФКМ и ЧКМ) сигналов, что достигается благодаря низкой крутизне преобразования «помеха-частота» при использовании дискретно переключаемого СВЧ аттенюатора. Определены предельно достижимые значения спектральной плотности фазового шума (СПФШ), ограничивающей чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов при заданном минимальном дискрете переключения фазы крутизны СВЧ фазовращателя векторного типа.

2. Показано, что применение ваК МШУ в СВЧ ТПМ позволяет повысить чувствительность и надежность и уменьшить массо-габаритные характеристики ППМ АФАР. Установлены зависимости между минимально достижимым значением коэффициента шума и уровнем синхронных и асинхронных СВЧ помех на входе ТПМ.

3. Определено, что применение в 810е СВЧ МПС в генераторе управляемом напряжением (ГУН) гетеродина с фазовой автоподстройкой частоты (ФАПЧ) позволяет повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов за счет снижения уровня СПФШ гетеродина твердотельного приемного модуля.

В работе получены и внедрены новые практические методы проектирования СВЧ твердотельных приемных модулей на СаК и 81Се МИС и ГИС, которые позволяют повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов при воздействии шумов и помех при минимальных массо-габаритных характеристиках аппаратуры, состоящие:

— в применении в 81Се СВЧ фазовращателе векторного типа СВЧ ТПМ АФАР СВЧ аттенюатора с дискретным изменением величины коэффициента передачи, что позволяет повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов из-за низкой крутизны преобразования «помеха-частота» при использовании дискретно переключаемого СВЧ аттенюатора;

— в выборе в качестве активного прибора МШУ СВЧ ТПМ ваЫ СВЧ транзистора, что позволяет минимизировать требования к устройству защиты, повысить чувствительность приема и надежность работы в присутствии асинхронных помех и уменьшить массо-габаритные характеристики ППМ АФАР;

— в использовании 810е СВЧ МИС в ГУН гетеродина с ФАПЧ, что позволяет повысить чувствительность приема ФКМ и ЧКМ сигналов за счет снижения уровня СПФШ гетеродина твердотельного приемного модуля.

Показать весь текст

Список литературы

  1. П.А., Радиолокационные системы //- М.: Радиотехника. -2004. — 524 С.
  2. Р. Куэй. Электроника на основе нитрида галлия // Пер. с англ. под ред. А. Г. Васильева. М.: ТЕХНОСФЕРА.-2011.-592 С.
  3. А.Г., Колковский Ю. В., Концевой Ю. А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках // М.: Техносфера. 2011. 416С.
  4. Помехозащищенность радиосистем со сложными сигналами // под ред. Г. И. Тузова- М.: Радио и связь. 1985. 264С.
  5. М.С. Статистическая теория радионавигации // М.: Радио и связь. 1985.- 344С.
  6. .Р. Теоретические основы статистической радиотехники // -М.: Радио и связь. 1989. — 656с.
  7. B.C. Основы спутниковой навигации. Системы GPS NAVSTAR и ГЛОНАСС // М.: Горячая линия — Телеком. -2005. -272С.
  8. Я.Д., Манжос В. Н. Теория и техика обработки радиолокационной информации на фоне помех // — М.: Радио и связь, 1981. -416С.
  9. В.А. Лихарев. Цифровые методы и устройства в радиолокации // М.: Советское радио. -1973. -456С.
  10. Е.А. Леонова, Формирование сложных сигналов на ПЧ с использованием сигнальных процессоров // Цифровая обработка сигналов. -2002. № 2. — С.22−24.
  11. И. Рытов С. М. Введение в статистическую радиофизику. Часть1. Случайные процессы // М.: Наука. — 1976. — 496С.
  12. Г. И., Козлов М. Р. Помехозащищенность систем связи использующих сигналы с псевдослучайной перестройкой частоты // -Зарубежная радиоэлектроника. № 7.-1989.-С. 19−32.
  13. Ван-дер-Зил А. Шумы при измерениях //- М.: Мир. -1979. -204С.
  14. Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах // М.: Радио и связь. -1990. — 296С.
  15. . Характеристики нестабильности фазы и частоты сигналов высокостабильных генераторов: Итоги развития за пятнадцать лет // ТИИЭР. Т.66. — 1978. — С.70−103.
  16. Современная радиолокация. (Анализ, расчет и проектирования систем)./Пер. с англ. под ред. Ю. Б. Кобзарева // М.: Советское радио. -1969. -704С.
  17. Справочник по радиолокации. Под ред. Скольника. Пер. с англ. Под ред.Н. К. Трофимова // М.: Сов. Радио. -1979. -Т.З. — 528С.
  18. В., Волек В. Спутниковое телевидение // Зарубежная радиоэлектроника. — № 2. -1989. -С.64−74.
  19. Л.М., Шведов А. К. Моделирование спутниковой радионавигационной системы Navstar // Зарубежная радиоэлектроника. -№ 12. -1987. С.31−46.
  20. Глобальная радионавигационная система ГЛОНАСС // под ред. В. Н. Харисова, А. И. Петрова, В. А. Болдина. М.: ИПРЖР, 1998. — 400С.
  21. Н .Н. Система спутниковой связи DSCS // Зарубежная радиоэлектроника. — № 7. -1989. — С.3−23.
  22. И.Н., Романов Л. М. Новые разработки спутниковых радионавигационных систем // Зарубежная радиоэлектроника. -№ 7. -1989. -С. 68−82.
  23. L. К. J. // IEEE Trans. Electron Devices V. 41, 2176 (1997).
  24. Ho W., Surya С., Tong К. et al. // IEEE Trans. Electron Devices V. 46, 1099 (1999).
  25. F. N. // IEEE Trans. Electron Devices V. 41, 1926 (1994).
  26. Y. Su, S. Wei, R. Wang et al. // IEEE Electron Device Lett. V.24, 622 (2003).
  27. A., Eastman L. // IEEE Electron Device Lett. V.24, 535 (2003).
  28. J., Vignaud P., Rigaud D., Vandamme L. // IEEE Trans. Electron Devices V. 37, 2250 (1990).
  29. S., Petrychuk M., Danylyuk S. //Phys. Stat. Sol. A V.202, 816(2005).
  30. Curutchet A., Malbert N., Labat N. et al. // Microelectron. Reliab. V.43, 1713 (2003).
  31. O., Bahir G., Salzmann J. // IEEE Trans. Electron Devices V.37, 2250 (1990).
  32. C., Deen M., Cheng Y., Matloubian M. // IEEE Trans. Electron Devices V.48, 2884(2001).
  33. G., Cappy A., Heliodore F., Playez E. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. V.36, 1151 (1988).
  34. Lee S., Webb K. // IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1057—1060.
  35. Lee S., Webb K., Tilak V., Eastman L. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. V.51, 1567 (2003).
  36. Lu W.,. Kumar V, Piner E., Adesida I. // IEEE Trans. Electron Devices V.50, 1069 (2003).
  37. R., Tegude F. // IEEE International Microwave Symposium Digest, Boston, 1998, pp. 137—140.
  38. Sanabria C., Chakraborty A., Xu H. et al. // IEEE Electron Device Lett. V. 27, 19 (2005).
  39. M. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. V.37, 1340 (1989).
  40. Sun H., Bolognesi C. // Appl. Phys. Lett. V.90, 123 505 (2007).
  41. Г., Паттс Д. Спектральный анализ и его приложения, пер. с англ. Писаренко В. Ф. //-.М.: Мир. -1971. Т. I. -342С.
  42. С.А., Ю.Е. Дьяков, Чиркин А. С. Введение в статистическую радиофизику и оптику // -М.: Наука. -1981. -640С.
  43. В. И. Статистическая радиотехника // М.: Радио и связь. -1982.-382С.
  44. В. И. Выбросы случайных процессов//-М.: Наука. -1980. -196С.
  45. Ю.И Шарапов, Г. М Крылов, Ю. П Пантелеев. Преобразование сигнала без комбинационных частот // Радиотехника. -2001. № 2. -С.24−28.
  46. B.C. Теория нелинейных электрических цепей // М.: Радио и связь, — 1982. -280С.
  47. А. Я. Нелинейные искажения многочастотных сигналов в СВЧ транзисторных усилителях // Радиотехника. -1988. -№ 3. -С.34−42.
  48. J. Pedro, N. Carvalho, Intermodulation Distorsion in Microwave and Wireless Circuits (Artech House, Boston, 2003).
  49. I. Angelov, H. Zirath, N. Rorsman, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 40, 2258 (1992).
  50. W. Curtice, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 28, 448 (1980).
  51. A. Materka, T. Kacprzak, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 33, 129 (1985).
  52. A. Parker, J. Scott, Electron. Lett. 29, 1961 (1993).
  53. D. Root, M. Pirola, S. Fan, W. Anklam, A. Cognata, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 41, 2211 (1993).
  54. S. Islam, A. Anwar, IEEE Trans. Electron Devices 49, 710 (2004).
  55. J. Lee, K. Webb, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 52, 2 (2004).
  56. A. Parker, J. Rathmell, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 803—806.
  57. S. Boumaiza, F. Ghannouchi, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 51, 2427 (2003).
  58. J. R. Black, IEEE Trans. Electron Devices 16, 338 (1969).
  59. J. Brinkhoff, A. Parker, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 51, 1045 (2003).
  60. В. Bunz, A. Ahmed, G. Kompa, in Proceedings of the European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS Paris, 2005, pp. 649—652.
  61. N. de Carvalho, J. Pedro, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 50, 2090 (2002).
  62. J. Xu, W. Yin, J. Mao, IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 17, 55 (2007).
  63. N. de Carvalho, J. Pedro, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 47, 2364 (1999).
  64. И. Шахнович. Твердотельные СВЧ приборы и технологии. Состояние и перспективы // Электроника НТБ. 2005. — № 5. -С.58−64.
  65. А. Васильев. Интегрированная элементная база СВЧ, силовой и фотоэлектроники. НЛП Пульсар в борьбе за рынок высоких технологий // Электроника НТБ. -2008. Вып.№ 3. — С.70−75.
  66. А.Г. Васильев, А. А. Дорофеев, Ю. В. Колковский, С. В. Корнеев, В. М. Миннебаев. SiGe и GaN СВЧ приборы для приемопередающих (ППМ) и передающих модулей // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2009.- выпуск.2 — С.53−60
  67. Fong K.L. High-frequency analysis of linearity improvement technique of common-emitter transconductance stage using a low-frequency-trap network. IEEE, Journal of Solid-State Circuits, Vol. 35, No. 8, c. 1249−1252, 2000.
  68. A. Maekawa, T. Yamamoto, E. Mitani, S. Sano // IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 722—725.
  69. A. Darwish, K. Boutros, B. Luo et al. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. V.54, 4456 (2006).
  70. M. van Heiningen, F. van Vliet, R. Quay et al. // Proceedings of European Microwave Integrated Circuits Conference, Manchester, 2006, pp. 75—78.
  71. P. Colantonio, F. Giannini, R. Giofre et al. // Proceedings of European GaAs and Related Compounds Application Symposium GAAS, Paris, 2005, pp. 673— 676.
  72. A. Wakejima, K. Matsunaga, Y. Okamoto ey al. // Electron. Lett. V.41, 1371 (2005).
  73. A. Wakejima, K. Matsunaga, Y. Okamoto et al. // IEEE International Microwave Symposium Digest, San Francisco, 2006, pp. 1360—1363.
  74. Y. Wu, P. Charvarkar, M. Moore et al. // IEDM Technical Digest, San Francisco, 2000, pp. 375—376.
  75. Y. Chung, C. Hang, S. Cai et al. // IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 433—436.
  76. J. Jeong, D. F: Kimball, M. Kwak et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, V. 57, pp. 2148−2159, 2009.
  77. A. Z. Markos, K. Bathich and G. Boeck // IEEE llthAnnual Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), Melbourne, FL, USA, 2010.
  78. Y. S. Lee, M. W. Lee, and J. Yoon-Ha // IEEE Microwave and Wireless Components Letters, V. 18, pp. 55−57, 2008.80. 0,13 CMOS Phase shifter for X, Ku and K-band Phased Arrays. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 42 № 11, c. 2535−2545, 2007.
  79. A 2,4 GHz-Band 1,8 V operation Single-chip Si CMOS T/R MMIC Front-End with a Low Insertion Loss Switch // IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 36 № 8, 2001.
  80. Single-ended and Differential Ka-Band BiCMOS Phased Array FrontEnd IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 43 № 10, 2008.
  81. A 22 24 GHz 4 Element CMOS Phased Array With On chip Coupling Characterization. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 43 № 9, 2006.
  82. An Xand Ku Band 8 Element Phased Array Receiver in 0,18 SiGe BiCMOS Technology. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 43 № 6, 2006.
  83. А. В., Попов В. Н. Синтезаторы частот в технике радиосвязи // М.: -Радио и связь. -1991. -312С.
  84. В. Синтезаторы частот. Теория и проектирование: Пер. с англ./ Под ред. А. С. Галина // М.: Связь. -1979. -452С.
  85. Д. Н., Пайн А. А. Основы теории синтеза частот // М.: Радио и связь. -1981. — 452С.
  86. В. В., Ляховкин А. А. Системы фазовой автоподстройки частоты // М.: Связь. -1972. — 462С.
  87. Цифровые системы фазовой синхронизации. Под ред. М. И. Жодзишского // М.: Советское радио. -1980. — 208С.
  88. В. Н. Мищенко И.Н. Молочко С. В. Основные направления создания интегрированной авиационной бортовой радиоэлектронной аппаратуры связи, навигации и опознавания США // Зарубежная радиоэлектроника. — № 8. -1987. — С. 3−22.
  89. Khanna A.P.S. Microwave oscillators. The state of technology. An in depth at the past, present and future development of microwave oscillators technology. // Microwave Journal. 2006. — V.49. — № 4. — P.22.
  90. Motorola Communications Device Data. Functional Selection Guide. -2002.-387 p.
  91. GEC Plessey Semiconductors. Data Sheet. 2003. — 412 p.
  92. Analog Devices Data Sheet. 2007. — 238 p.
  93. Л. Ридика. DDS: прямой цифровой синтез частоты.// гаЗ ggi. qzr.ru/uzly/dds/htm.
  94. Р. Кушинг. Прямой цифровой синтез (DDS) и преобразование квадратурных сигналов в диапазон 800 2500 МГц с одной боковой полосой // http://www.radioradar.net.
  95. .М., Чандракасан А., Б. Николич. Цифровые интегральные схемы // М.: Вильяме. — 2007. — 912С.
  96. Ю.В., Перевезенцев А. В., Плетнев Р. А. Четырехканальный приемник Х-диапазона для систем радиолокации //
  97. Материалы VI научно-технической конференции «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА «Пульсар-2007». -Владимир. -2007. -С.171−174.
  98. ПеревезенцевА.В. Многоканальный СВЧ приемник Х-диапазона на GaN и SiGe микросхемах. // «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2011. Вып. 1−2, С.114−119.
  99. Е.В., Коротков А. С. Микроэлектронные малошумящие КМОП-усилители радиочастотного диапазона: применение, схемотехника, тенденции развития. УДК 621. 372, С-Пб, журнал «Успехи современной радиоэлектроники», 2007, № 2, С. 3 — 34.
  100. Fong K.L. High-frequency analysis of linearity improvement technique of common-emitter transconductance stage using a low-frequency-trap network. IEEE, Journal of Solid-State Circuits, Vol. 35, No. 8, c. 1249−1252, 2000.
  101. Sivonen P., Kangasmaa S., Parssinen A. Analysis of packaging effects and optimization in inductively degenerated common-emitter low-noise amplifiers. IEEE, Transactions on microwave theory and techniques, vol.51, No. 4, C.12 201 226, 2003.
  102. Gilbert В. A precise four-quadrant multiplier with subnanosecond response. IEEE, J. Solid-State Circ., vol. SC-3, c. 365−373, 1968.
  103. E.A., Шарова A.H. Применение структурного метода для улучшения качественных показателей перемножителей и преобразователей частоты. УДК 621.396.62- 621.372.632. М.: Радиотехника, 1987, № 3, С. 45−49.
  104. Heijden М., Graaff Н., Vreede L. A Novel frequency-Independent Third-Order Intermodulation distortion cancellation technique for BJT amplifiers. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 37, No. 9, 2002.
  105. Lim S., Long J. A low-voltage broadband feedforward-linearized BJT mixer. IEEE Journal of Solid-State circuits, Vol. 41, No.9, c. 2177−2187, 2006.
  106. Lim S., Long J. A +15 dBm IIP3 mixer with even-order input harmonic termination. IEEE, c. 237−240, 2005.
  107. Otaka S., Ashida M., Ishii M., Itakura T. A +10-dBm IIP3 SiGe Mixer with IM3 cancellation technique. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 39, No.12, с. 2333−2341,2004.
  108. М.Ю., Колковский Ю. В., Перевезенцев A.B. Минимизация фазовых шумов твердотельных СВЧ синтезаторов частоты. // «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы». 2006. — Вып. 1−2.-С.97- 101.
  109. А.Н. Флуктуации в автоколебательных системах. М.: Наука.-1969.-880С.
  110. Ю.В. Колковский, В. И. Федосов. Твердотельные СВЧ генераторы, стабилизированные микросхемами серии 321ФЕхх. // Электронная промышленность.-2003.-№ 2.- С.65- 70
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!