Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Теоретически и экспериментально показано, что при воздействии электронов низкой энергии (до 900 эВ) на поверхность твердого тела в определенном энергетическом интервале, совпадающем с интервалами пороговых энергий упругих и неупругих потерь энергии, интенсивность рассеяния электронов поверхностью многокомпонентных мишеней носит ступенчатый характер. В диапазоне энергий электронов 600−900… Читать ещё >

Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

Условные обозначения и сокращения
1. Методы и способы контроля процессов ионно-плазменной обработки материалов электронной техники
- 1. 1. Физические основы и характеристика методов ионно-плазменной обработки
- 1. 2. Основные эффекты, сопровождающие ионно-плазменную обработку
- 1. 3. Применение эффектов ионной бомбардировки для контроля технологических процессов ионно-плазменной обработки
- 1. 4. Использование оптических эффектов для управления процессами ионно-плазменной обработки
- 1. 5. Масс-спектрометрия ионно-плазменных процессов 5 О
- 1. 6. Использование электрических сигналов для контроля процессов ионно-плазменной обработки
Заключение
2. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов (ИИТ) в многослойных пленочных гетероструктурах в процессах ионно-лучевого (ИЛТ) и реактивного (РИЛТ) травления и нанесения
- 2. 1. Методика определения закономерностей изменения ИИТ в процессах ИЛТ и РИЛТ
- 2. 2. Закономерности изменения ионно-индуцированного тока в процессах ИЛТ и РИЛТ пленочных структур диэлектрик — полупроводник и диэлектрик — металл
- 2. 3. Особенности изменения ионно-индуцированного тока при ионной очистке поверхностей металлов и полупроводников
- 2. 4. Закономерности изменения ионно-индуцированного тока при травлении гетероструктур
- 2. 5. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ структур металл — металл, металл — полупроводник, металл — диэлектрик — металл
- 2. 6. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ пленок углерода на металлах
- 2. 7. Контроль ионно-индуцированных токов при нанесении ионно-лучевым распылением пленок диэлектриков на проводящие подложки
- 2. 8. Измерение электрических потенциалов на поверхности структур при ионной бомбардировке
Заключение
3. Экспериментальное исследование явления вторичной ионно-электронной эмиссии при травлении многослойных пленочных гетероструктур металлов, полупроводников и диэлектриков
- 3. 1. Экспериментальное оборудование и методика проведения измерения тока вторичных электронов
- 3. 2. Параметры вторичной ионно-электронной эмиссии, используемые для диагностики состояния поверхности материалов в технологических процессах ИЛТ
- 3. 3. Зависимость интенсивности ионно-электронной эмиссии с поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков от электропроводности обрабатываемых структур при ИЛТ
- 3. 4. Зависимость интенсивности ионно-электронной эмиссии от технологических параметров процессов ИЛТ

Бурное развитие микроэлектроники, а в последние годы и наноэлектроники, потребовало разработки новых технологических процессов. Микроминиатюризация, высокая степень интеграции, возрастание числа и уменьшение размеров отдельных элементов электронных устройств неизбежно приводит к совершенствованию тонкопленочной технологии.

Важнейшими операциями в технологии производства БИС и СБИС являются процессы формирования микрои наноразмерных слоев и гетерокомпозиций, травление и создание топологического рисунка.

Широкое применение для создания тонкопленочных устройств находят ион-но-плазменные методы обработки, в том числе ионно-лучевое и реактивное ион-но-лучевое травление (ИЛТ и РИЛТ), а также нанесение пленок материалов ионно-лучевым и реактивным ионно-лучевым распылением (ИЛР и РИЛР).

Актуальной является проблема автоматизации ионно-плазменных процессов, которая не может быть решена без создания достаточно простых, точных и надежных методов контроля и управления. Проводимые в настоящее время исследования направлены на поиск и изучение физических явлений, на основе использования которых могут быть разработаны методики контроля состояния поверхности объектов обработки, устройства и оборудование для управления технологическими процессами формирования и травления тонких, сверхтонких и многослойных гете-роструктур.

В процессе ионно-плазменной обработки необходимо иметь информацию о начальных стадиях зарождения пленки, образовании сплошного слоя, о составе растущего слоя, а в случае травления — о переходе от одного слоя к другому и об окончании процесса.

Анализ физических явлений, возникающих в твердом теле при ионном и электронном воздействии на поверхность, позволяет заключить, что наиболее предпочтительным для отмеченных целей является использование эффектов, свойственных самим процессам. К числу таких эффектов относится ионно-электронная, электрон-электронная эмиссия и ионно-индуцированный ток, возникающий в пленочных структурах при воздействии на них низкоэнергетических заряженных частиц.

Методы контроля ионно-плазменных процессов, основанные на анализе ионно-индуцированных и эмиссионных токов в процессе обработки, представляют научный и практический интерес. Они наиболее адаптивны к изменяющимся условиям обработки и составу материалов структур.

Практическое применение этих методов представляется перспективным вследствие использования ионных и электронных пучков в качестве инструмента как для обработки поверхности, так и для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Применение отмеченных эффектов дает возможность разработать оперативные (in situ) неразрушающие методы контроля. Кроме того, это позволит разработать адаптивно-управляемую технологию создания тонкопленочных электронных устройств.

В настоящее время отсутствует системный подход к изучению и использованию отмеченных эффектов ионного и электронного воздействия на поверхность обрабатываемого материала.

Цель работы состояла в исследовании и применении электрофизических эффектов низкоэнергетического воздействия ионов и электронов для эффективного управления процессами вакуумного ионно-плазменного травления и осаждения тонких пленок и гетероструктур на основе полупроводников, диэлектриков и металлов и разработке элементов технологического оборудования.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

— обобщить и проанализировать электрофизические эффекты, сопровождающие электронную и ионную бомбардировку тонкопленочных структур на основе металлов, полупроводников и диэлектриков;

— создать экспериментальное оборудование и разработать методики измерения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессе эли-онной обработки тонкопленочных гетероструктур;

— исследовать закономерности изменения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессах ИЛТ и РИЛТ гетероструктур, ионной очистки поверхности подложек, формирования методами ИЛР и РИЛР тонкопленочных композиций и обработки структур электронной бомбардировкой;

— построить феноменологические модели возникновения и эволюции ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессе ионно-лучевой обработки гетероструктур;

— разработать концепцию построения алгоритмического обеспечения системы управления технологическим процессом на базе адаптивных математических моделей;

— разработать методики высокоточного определения момента окончания процессов ионно-плазменной обработки, исключающих негативное воздействие потоков ионов на подложку, в процессах ИЛТ и нанесения пленок заданной толщины в процессах ИЛР;

— создать и внедрить в серийное производство специальное вакуумное оборудование, оснащенное современными устройствами ионно-плазменной обработки и системами контроля технологических параметров, позволяющее реализовать адаптивно управляемые технологические процессы производства изделий электронной техники.

Методы исследования.

Для решения поставленных задач использовались современные методы экспериментальных исследований, в том числе Оже-спектроскопии, ВИМС, рентгено-структурного анализа и сканирующей зондовой микроскопии. Использовались методы математического и физического моделирования, системного анализа и компьютерной обработки расчетных и экспериментальных зависимостей.

Научная новизна работы.

Впервые установлены закономерности проявления электрофизических эффектов — возникновение ионно-индуцированных токов и электронной эмиссии при низкоэнергетическом (до 5 кэВ) воздействии ионов и электронов (до 0,9 кэВ) на поверхность обрабатываемых материалов: металлов, полупроводников, диэлектриков.

Впервые экспериментально показана возможность использования возникающих электрофизических эффектов для неразрушающего и оперативного (in situ) контроля состояния обрабатываемой ионами и электронами поверхности в процессе травления и осаждения микрои наноразмерных пленок и гетероструктур на их основе.

Установлены закономерности немонотонного изменения ионно-индуцированного тока в приповерхностных слоях металлов, полупроводников и диэлектриков в пределах 100−300 нм при бомбардировке тонкопленочных материалов ионами с энергией до 5 кэВ, позволившие непрерывно контролировать процессы ионно-лучевого травления и осаждения. Показано, что закономерности изменения ионно-индуцированного тока связаны с природой материала пленок, их толщиной, видом бомбардирующих ионов, их энергией и плотностью тока.

Показано, что интегральный сигнал вторичных электронов при ионно-лучевом травлении тонкопленочных гетерокомпозиций позволяет фиксировать изменение состава и состояния поверхности непосредственно в процессе ионной обработки. Теоретические и экспериментальные результаты по кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлов и полупроводников удовлетворительно согласуются друг с другом.

Установлено, что при воздействии электронов низкой энергии (до 0,9 кэВ) на поверхность твердого тела с увеличением энергии интенсивность рассеяния электронов многокомпонентных мишеней носит ступенчатый характер, связанный с механизмом резонансной эмиссии.

Предложена феноменологическая модель возникновения и эволюции ионно-индуцированной проводимости и ионно-электронной эмиссии в процессе ионно-лучевого травления пленочных структур, учитывающая влияние сильных электрических полей и изменение коэффициента ионно-электронной эмиссии при переходе от одного слоя к другому.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Использование эффектов низкоэнергетического (до 5 кэВ) ионного воздействия на поверхность в процессе вакуумного ионно-плазменного формирования и травления тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков и гетерокомпозиций на их основе (индуцированные токи, эмиссия электронов, распыление и активирование гетерогенных реакций) позволяет с высокой эффективностью управлять их химическим и фазовым составами, атомной структурой и электрофизическими свойствами.

2. Регистрация ионно-индуцированного тока в тонкопленочных гетерокомпо-зициях в процессе их ионно-плазменной обработки обеспечивает возможность использования его в качестве информационного сигнала для эффективного управления процессами очистки поверхности, определения продолжительности и окончания травления и нанесения тонких пленок.

3. Вторичная электронная эмиссия в процессе ионно-лучевой обработки поверхности слоистых материалов позволяет не только фиксировать все стадии процесса: очистка, момент окончания травления, включая переход травления от одного слоя к другому, но и изменение химического состава приповерхностной области при практически любой толщине слоев, применяемых в микрои наноэлектронике.

4. Применение адаптивно-управляемых процессов на основе интеллектуальных систем управления позволяет обеспечить одновременный контроль нескольких технологических параметров, повысить разрешающую способность методов контроля, производительность, точность, быстродействие вакуумного ионно-плазменного оборудования.

5. Разработанные методики регистрации ионно-индуцированного тока и электронной эмиссии позволяют с высокой точностью определять момент окончания процессов ионно-плазменной обработки тонкопленочных гетероком-позиций.

6. Разработанные элементы и устройства технологического вакуумного оборудования с непрерывным контролем состояния обрабатываемой поверхности позволяют реализовать адаптивно-управляемые ионно-плазменные процессы нанесения и травления микрои наноразмерных гетерокомпозиций из металлов, полупроводников и диэлектриков с повышенной эффективностью.

Практическая значимость и реализация результатов работы.

1. Разработаны методики измерения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в пленочных структурах в процессе обработки, позволяющие фиксировать момент окончания процессов ИЛТ гетероструктур диэлектрик — полупроводник (металл), диэлектрик — диэлектрик — полупроводник, металл — металл с относительной погрешностью ± 1—2%.

2. Разработана новая методика определения толщины диэлектриков до 500 нм с точностью не хуже ± 5 нм по изменению ионно-индуцированного тока и тока вторичных электронов в процессе формирования пленок ионно-лучевым и реактивным ионно-лучевым распылением.

3. Созданы экспериментальные вакуумные многофункциональные установки с ионно-лучевым устройством и системой оперативного контроля для реализации управляемых процессов ИЛТ, РИЛТ и нанесения пленок материалов ИЛР, РИЛР с использованием в качестве информационного сигнала ионно-индуцированного тока и тока вторичных электронов.

4. Созданы устройства контроля и управления процессами ИЛТ и нанесения пленочных структур, позволяющие фиксировать момент окончания процесса обработки с относительной погрешностью не более ±3%.

5. Разработана методика контроля состава поверхности пленочных гетерострук-тур путем регистрации интегрального сигнала электронной эмиссии при ион-но-лучевом травлении, позволяющая в едином технологическом процессе безынерционно определять все стадии процесса травления: очистка поверхности, травление, переход травления от одного слоя к другому, окончание процесса травленияа также устанавливать изменение концентрации примесей, например, в пределах 2−4 ат. % водорода в, а -57: Я, 3−5 ат. %, мышьяка в ОаАБ.

6. Разработаны аппаратура и система регистрации сигнала вторичных электронов, обеспечивающие увеличение практически в 2 раза его интенсивность в процессе ионно-лучевого травления и формирования тонкопленочных гетеро-композиций.

7. Разработан способ контроля отклонения от заданного состава многокомпонентных пленок, содержащих кремний, основанный на анализе электрон-электронной эмиссии в процессе их формирования, позволяющий повысить воспроизводимость состава и свойств получаемых резистивных и диэлектрических пленок. Воспроизводимость состава резистивных пленок на основе сплава РС-3710 составила по содержанию 57 — 95%, по содержанию Сг — 90%, воспроизводимость свойств при этом находится в пределах Ар/р — 1−15%, АЯ/Я- 0,5−1%, Ае/ео — 1−1,5%.

8. Разработан способ поддержания и управления давлением плазмообразующего газа в процессе ионно-лучевой обработки тонкопленочных гетерокомпозиций, обеспечивающий высокую (до 95%) воспроизводимость измерений интетрального сигнала вторичной электронной эмиссии и ионно-индуцированного тока.

9. Разработан и создан ряд высокоэффективных распылительных устройств и многофункциональных вакуумных установок для ионного синтеза и обработки многокомпонентных пленок.

10. Полученные экспериментальные и теоретические результаты использованы в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных работ по направлению «Электроника и микроэлектроника» при подготовке магистров по профилю «Процессы микрои нанотехнологии» и инженеров по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника» в Московском государственном институте стали и сплавов (технологическом университете).

Апробация работы.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: I Международной конференции «Интеллектуальные системы» (Махачкала, Россия, 1994), I и II Международном конгрессе «Новые высокие технологии для нефтегазовой промышленности и энергетики будущего» (Тюмень, Россия, 1996, 1997), Международном научно-техническом семинаре «Напылительная техника» (Москва, Россия, 2002), V Международной конференции «Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение» (Алушта, Украина, 2003), III и IV Международной конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Москва, Россия, 2003, 2004), III Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, Россия, 2003), Международной конференция «Термоэлектрики» (Санкт-Петербург, Россия, 2004), 7 International Symposium «Nanostructures», (Прага, Чехия, 2005), IV Российскояпонский семинар «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микрои наноэлекгроники» (Астрахань — АТУ, Россия, 2006), Международной конференции (Таганрог, Россия, 2003), II Международной конференции «Перспективные технологии производства радиоэлектронных блоков на печатных платах» (Москва, Россия, 2007), Международном семинаре «Вакуумная техника и технология» (Санкт-Петербург, Россия, 2007), 28-м заседании постоянно действующего научно-технического семинара: «Электровакуумная техника и технология», (Москва, Россия, 2007), IV Международной конференции «Микрои наноэлектроника» (Звенигород, Россия, 2007), Международной конференции «Квантовая информатика» (Звенигород, Россия, 2007), XIV Международной конференции «Вакуумная наука и техника» (Сочи, Россия, 2007), III Международной научно-техническая конференции «Вакуумная техника, материалы и технология» (Москва, Россия, 2008), XVIII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Неразрушающий контроль и техническая диагностика» (Нижний Новгород, Россия, 2008).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 52 работы в отечественной и зарубежной научной печати, в том числе 10 в изданиях, рекомендуемых ВАК для публикации основных результатов на соискание ученой степени доктора наук. Получено 7 авторских свидетельств.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, семи глав, выводов, списка литературы из 206 наименований и приложений. Общий объем работы составляет 375 страниц текста, включает 124 рисунка, 21 таблицу.

Основные результаты и выводы.

1. Установлена и обоснована возможность использования электрофизических эффектов низкоэнергетического воздействия ионов (до 5 кэВ) и электронов (до 900 эВ) на поверхность обрабатываемых материалов (возникновение индуцированного тока в приповерхностном слое и эмиссии электронов из них) для прецизионного управления процессами ионно-плазменного травления и осаждения микрои наноразмерных пленок и гетероструктур на основе полупроводников, диэлектриков и металлов.

2. Использование эффектов возникновения и изменения ионно-индуцированного тока и эмиссии электронов в процессе ионно-плазменного травления и осаждения тонкопленочных гетероструктур позволило разработать новые способы и приемы неразрушающего оперативного контроля изменения состояния обрабатываемой поверхности. Это обеспечило возможность регистрировать изменения химического состава поверхностного слоя в пределах 3—5% ат. и переход в процессе формирования одного слоя к другому с минимальным разрешением по их толщине ±5 нм.

3. Теоретически и экспериментально с учетом зонной теории обрабатываемого материала, вероятности выхода электрона в вакуум, плотности потока ионов на поверхность установлены закономерности изменения тока вторичных электронов и коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии в зависимости от параметров материала и ионного воздействия. Получена возможность прогнозирование реального тока ионно-электронной эмиссии с погрешностью до 10%.

4. Разработаны оригинальные методики и аппаратура для регистрации ион-но-индуцированного тока и эмиссионного электронного тока в реальных ионно-плазменных процессах травления и нанесения тонких пленок и гетероструктур, позволяющие на 15−20% повысить точность фиксации момента окончания процесса по сравнению с контролем по времени.

5. Установлены экспериментальные закономерности изменения интегрального сигнала вторичных электронов при ионно-лучевом травлении многослойных тонкопленочных гетерокомпозиций, позволяющие фиксировать временной интервал ионной очистки, переход травления одного слоя к другому и момент окончания процесса с точностью ± 2 с.

6. Предложена феноменологическая модель возникновения и эволюции ионно-индуцированной проводимости в процессе ионно-лучевого травления пленочных структур, учитывающая изменение потенциала приповерхностного слоя, подвергаемого бомбардировке заряженными частицами. Установлено, что возрастание измеряемого тока на завершающей стадии травления пленок диэлектриков (БЮг, Л12Оз) связано с влиянием сильных электрических полей, а изменение тока на границе раздела металлов обусловлено изменением коэффициента ионно-электронной эмиссии при переходе от одного слоя металла к другому в процессе ионно-лучевого травления. Показано, что результатом влияния электрических полей высокой напряженности при ионной бомбардировке является возникновение ионно-индуцированного тока, значение которого на 1—2 порядка превышает расчетное для массивных диэлектриков при отсутствии ионной бомбардировки.

7. Экспериментально показано, что каждому сочетанию наноразмерных ге-тероструктур диэлектрик—полупроводник-металл соответствует определенная закономерность изменения ионно-индуцированного тока при ионно-лучевом травлении и нанесении пленок металлов и диэлектриков. Установлено, что для структур диэлектрик-полупроводник (металл) наиболее значительными параметрами являются: толщина пленки диэлектрика, энергия и плотность потока ионов, вид бомбардирующих ионов и плотность тока тепловых электронов, поступающих на поверхность обрабатываемой структуры. Показано, что на зависимостях изменения ионно-индуцированного тока в процессе травления и осаждения имеются воспроизводимо идентифицируемые значения, позволяющие фиксировать момент полного стравливания пленки с поверхности подложки с погрешностью не более 1−2%.

8. Теоретически и экспериментально показано, что при воздействии электронов низкой энергии (до 900 эВ) на поверхность твердого тела в определенном энергетическом интервале, совпадающем с интервалами пороговых энергий упругих и неупругих потерь энергии, интенсивность рассеяния электронов поверхностью многокомпонентных мишеней носит ступенчатый характер. В диапазоне энергий электронов 600−900 эВ сечение рассеяния для указанных мишеней характеризуется увеличением интенсивности интегральной вторичной электронной эмиссии и сужением пиков энергетических спектров рассеяния для однокомпо-нентных мишеней. Эмпирически определенные размеры областей взаимодействия отличаются от расчетных значений для упругих и неупругих процессов рассеяния, что указывает на механизм рассеяния, сходный с механизмом резонансной эмиссии.

Показана возможность с высокой точностью определять средний атомный номер многокомпонентных мишеней, рассеивающих первичный поток низкоэнергетических электронов как в фокусированном, так и расфокусированном режиме облучения.

9. Экспериментально установлены зависимости изменения характеристик резистивных и диэлектрических пленок (ТКС, а, п, s, плотность пор, концентрация компонентов и примесей), получаемых ионно-плазменным осаждением, от энергии электронов, бомбардирующих поверхность подложки в процессе формирования пленки на подложке. Экспериментально показана возможность использования электрон-электронной эмиссии для контроля состава формирующейся пленки в процессе ионного распыления мишеней различного состава. Например, установлено, что величина интегрального сигнала вторичных электронов при формировании слоя на основе нитрида вольфрама на арсениде галлия и слоя (SiC)ix (AlN)x зависит от содержания азота или AIN соответственно.

10. Разработаны концепции автоматизации и алгоритмического обеспечения системы управления процессами ионно-плазменного осаждения и травления тонкопленочных гетерокомпозиций, заключающиеся в использовании имитационного моделирования и интегрированной системы, сочетающей процедуры оптимизации управления с применением адаптивной модели с процедурами идентификации параметров управляемого процесса. Предложена модель формирования пучка заряженных частиц ионного источника типа «Радикал», учитывающая немоноэнерге-тичность потока ионов, распределение плотности тока и объемного заряда. Концепция и модель позволяют определить условия оптимальности управления потоком заряженных частиц, используемых для реализации процессов осаждения и травления тонких пленок. Разработанная процедура на 20−30% снижает концентрацию дефектов на поверхности подложки по сравнению с неуправляемым потоком ионов после стравливания нанесенного слоя. Разработаны алгоритмы и системы управления процессами нанесения пленок диэлектриков, металлов и ионного травления функциональных слоев СБИС с использованием ионно-индуцированных токов. Использование закономерности изменения ионно-индуцированного тока (/,) от времени при ионно-лучевом травлении тонких пленок диэлектриков позволило путем обработки сигнала и нахождения характерных точек, соответствующих максимуму функции /&bdquo-(О? с погрешностью не более ± 2% определять время окончания травления слоя, корректировать и изменять параметры ионного источника в процессе травления.

11. Разработана автоматизированная система управления процессом создания многослойных структур диэлектрик — металл в едином вакуумном цикле, использующая непрерывный контроль толщины наносимых пленок путем регистрации изменения ионно-индуцированного тока и падения напряжения от толщины слоя. Алгоритм управления заключается в подаче сигнала о прекращении данного этапа или процесса в целом на исполнительные элементы автоматики при достижении измеряемыми параметрами (/" или ли) некоторого порогового значения, соответствующего заданной толщине пленки.

12. Для обеспечения реализации адаптивно-управляемых процессов ионно-лучевого травления и осаждения пленок разработаны и созданы специализированные устройства и установки: многопучковая установка синтеза пленок сложного состава (УСиВаО) ионным распылением 4-х мишеней, позволяющая с помощью управления составом, интенсивностью и энергией потока ионов на поверхность мишеней и подложки поддерживать и регулировать как состояние, так и химический состав формируемых слоевустройства для ионного травления пленочных гетероструктур с контролем процесса путем регистрации индуцированного тока в цепи подложкодержатель — пленка — датчикустройства для контроля процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления пленок металлов на металлах с использованием ионно-электронной эмиссии.

13. Разработаны устройства равномерного распределения потоков плазмо-образующего газа и системы управления напуском рабочего газа и стабилизации его давления в технологической камере в диапазоне давлений 5−10″ —1Па в процессе ионно-лучевого осаждения и травления пленочных структур. Устройство распределения плазмообразующего газа позволяет увеличить до 95% равномерность плотности тока ионных пучков, извлекаемых из устройства ионно-плазменной обработки, оперативно отслеживать изменение основных параметров ионно-плазменных устройств: давление плазмообразующего газа, напряжение и ток разряда, стабилизировать их на уровне, не превышающем ± 5% от потенциального значения. Это позволяет управляемо контролировать скорость роста пленок и ее отклонение в пределах 0,1−0,2 нм/с от заданного значения.

14. Разработанные неразрушающие методы контроля ионно-плазменных процессов осаждения и травления тонкопленочных структур, основанные на регистрации ионно-индуцированных токов, ионно-электронной и электрон-электронной эмиссии, а также разработанные адаптивно-управляемые процессы, элементы и устройства для реализации процессов были использованы при разработке следующих экспериментальных и промышленных технологий:

— создания резистивных и диэлектрических многокомпонентных многослойных пленочных структур для устройств вторичных источников питания;

— создания функциональных устройств гибридных интегральных схем на металлической подложке путем получения изолирующего слоя на подложке, формирования пассивных и активных элементов ГИС;

— создания диодов Шоттки на арсениде галлия в едином технологическом процессе, включающем ионную очистку, реактивное ионно-лучевое травление поверхности подложки, нанесение ионным распылением однои двухслойных слоев металлизации из А1, 77 и ЖЫ;

— направленного нанотекстурирования ионными пучками поверхности углеродных эмиттеров, применяемых в электронных приборах специального назначенияформирования токоведущих элементов СБИС ЗУ ЦМД ПРИ реализации процессов травления многослойных структур Сг-Си-Сг, а также нанесения ИЛР структур 8Ю2—А1 — ЗЮг, ШЕе — Тавоспроизводимого прецизионного нанесения ИЛР и удаления ИЛТ пленок металлов (Аи, Р^ Ag) с поверхности пьезокварцевых кристаллов с целью оперативной настройки частоты кварцевых резонаторов;

— формирования ИЛР нанопленок ферромагнитных материалов (№, ШЕе, Со, Ре) с высокими значениями коэрцитивной силы для устройств магнитной памяти.

В результате выполненной работы решена важная народнохозяйственная проблема, связанная с созданием вакуум-плазменного оборудования с неразру-шающим контролем процессов формирования гетерокомпозиций на основе металлов, полупроводников и диэлектриков при использовании электрофизических эффектов от ионного и электронного воздействия.

Заключение

Рассчитана и разработана адаптивно управляемая система газонапуска в устройства ионно-лучевой обработки.

Созданы ионно-плазменные устройства для реализации воспроизводимых процессов ИЛР, РИЛР, ИЛТ и РИЛТ.

Спроектированы и созданы многофункциональные вакуумные установки и технологические модули, позволяющие решать широкий круг задач при создании изделий электронной техники.

Рассчитаны, спроектированы и созданы системы контроля ионно-плазменных процессов нанесения и травления пленочных структур, апробирование на опытных и серийно выпускаемых вакуумных технологических установках.

Показать весь текст

Список литературы

Нанотехнология в электронике. / Под ред. Ю.Чаплыгина. — М.: Техносфера, 2007.-263 с.
Гуртов В. Твердотельная электроника — М.: Техносфера, 2006. 358 с.
Киреев В. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы / В. Киреев, А. Столяров — М.: Техносфера, 2006. — 489 с.
Динамика радиоэлектроники / Под ред. Ю. И. Борисова. М.: Техносфера, 2006.-432 с.
Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ. М. Золотарева / Под ред. Н. Айнспука, Д.Брауна. — М.: Мир, 1987. 489 с.
Броудай Ч. Физические основы микротехнологии / Ч. Броудай, Дж. Мерей- -М.: Мир, 1985.-494 с.
Бередин A.C. Технология и конструирование интегральных микросхем / А. С. Бередин, О. Р. Мочалкина М.: Радио и связь, 1983. — 386 с.
Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В. Е. Фортова. — М.: Мир, 2003.-482 с.
Мак-Даниель М. Процессы столкновений в ионизированных газах М.: Мир, 1967.-832 с.
Чен Ф. Введение в физику плазмы: пер. с англ. — М.: Мир, 1987. — 398 с.
Райзер Ю.П. Физика газового разряда М.: Наука, 1987. — 569 с.
Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металлов: Пер. с англ. М.: Мир, 1967. — 427с.
Оцуки Е.Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. — 277 с. ил.
Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р.Бериша. — М.: Мир, 1984. 328 с.
Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е. С. Машковой. М.: Мир, 1989. — 349 с.
Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Под ред. Д. Бриггса, М.Сиха. М.: Мир, 1987. — 598 с.
Ионная имплантация. / Под ред. Дж.К.Хирвонена. М.: Металлургия, 1985. -345 с.
Зенгул Э. Физика поверхности: Пер. с нем. М.: Мир, 1990. — 536 с.
Тонкие пленки. Взаимая диффузия и реакции / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера- пер. с англ. М.: Мир, 1982. — 570 с.
Ивановский Г. Ф., Петров В.И.Ионно-плазменная обработка материалов. — М.: Радио и связь, 1977. 232 с.
Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майссел, Р.Глэнг. М.: Советское радио, 1977. — 1429 с.
Руденко К.В. Мониторинг плазмохимического травления структур poly -Si/Si02/Si: зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия / К. В. Руденко, A.B.Мяконьских, A.A. Орлековский //Микроэлектроника. — 2001.-Т.36, № 3. С. 206−221.
Орлековский A.A. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы / A.A.Орлековский, К. В. Руденко // Микроэлектроника. 2001. — Т.30, № 5. — С. 323−344.
Маишев Ю.П. Специфика диагностики параметров плазмы электрическими зондами в процессах ионно-лучевого и плазмохимического травления / Ю. П. Маишев, В. И. Фаренник, А. В. Шевченко, А. М. Будянский, С. В. Дудин, A.B. Зыков //Тр. ФТИАН. 1999. — Т.15. — С.86−116.
Chen F.F. «Langmuir probe analysis for high density plasmas» // Ed. By University of California, Los Angeles, 2000.
Руденко К.В. Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок / К. В. Руденко, А. В Мяконьских, А. А. Орлековский // Микроэлектроника. 2007. -Т.35, № l.-C. 123−134.
Каган Ю.М., Перель В. И. Зондовые методы исследования плазмы // Тр. УФН T.LXXXI. — Вып.З. — С. 409 — 452.
Козлов А.Н. Автоматизированный контроль технологических параметров вакуумного оборудования как обеспечение непрерывного контроля качества / А. Н. Козлов, Д. Э. Гринфельд, А. В. Щербаков, А. М. Филачев // Прикладная физика. 2006. — № 3. — С.38−45.
Черепин В.Т., Васильев М. А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. — Киев: Наукова думка, 1975. 239 с.
Батавин, В. В. Оптические методы исследования и контроля в элктроднный технике / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой //Электронная промышленность. — 1979. Вып. 1−2. С.63−66.
Глудкин О.П., Густов А. Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС М.: Радио и связь, 1981. — 112 с.
Lim S.C. An Overview of Thickness Measurement Techniques for Metallic Thin Films / S.C. Lim, D. Ridley // Solid State Technol., 1983. V.26. — N2. — P.99−103.
Sternheim M. A Laser Interferometer System to Monitor Dry Etching of Patterned Silicon / M. Sternheim, W. Gelder, A.W.Hartman J.Electrochem. Soc., 1983. — V.130. -N3. — P.655−658.
Чен Ф. Основы физики плазмы / Пер. с англ. М.: Мир, 1990. — 364 с.
Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. — М.: Радио и связь, 1983. 220 с.
Hosaka S. Monitoring secondary ions etching / S. Hosaka, N. Sakudo // Solid State Technol., 1979. V.22. -N 2. — P.123−128.
Busta H.H., Lajos R.E., Kirwit D.A. Plasma etch monitoring with laser interfer-ometry/ H.H.Busta, R.E.Lajos, D. A .Kirwit // Solid State Technol., 1979. V.22. -N2.- P.61−64.
Bondur J.A., Clark H.A. Plasma Etching for Si02 Profile Control. Solid State Technol., 1980.- V.23 -N4.- P.122−128.
Donelly V.M. Anisotropic etching of Si02 in low-frequency CF4/02 and NF3/Ar plasmas / V.M.Donelly, D.L.Flamm, W.C.Dautermont-Smith, D.J.Werder // J.Appl.Phys., 1984. V.55(l) —N1. — P.242−252.
Sterheim M., van Gelder W., Hartman A.W. A Laser interferometer system tomonitoring dry etching of pattered silicon. J. Electrochem. Soc., 1983, V.130 -N3 — P.655−658.
Lechaton J.S., Srinivasan G.R., Gaur S.P. Precision Reactive Sputter Etching and Its Applications. Jap.J.Appl.Phys., 1983. — V.22, supplement 22−1. — P.141−144.
Коронкевич В.П., Ханов B.A. Современные лазерные интерферометры. М.: Наука, 1985.- 180 с.
Curtis B.J. Optical end point detection for the plasma etching of aluminium. -Solid State Technol., 1980. V.23. — N4. — P.129−132.
Curtis B.J., Brunner H.R. An optical detector for monitoring plasma etching. -ISPC 4, 4th Int. Symp. Plasma Chem., Zurich, 1979, Conf. Proc. — V.l. — P. 139 145.
Park K.O., Rock F.C. End Point Detection for Reactive Ion Etching of Aluminium. J. Electrochem. Soc., 1983. — V. l31. -Nl. — P. 214−215.
Oshima M. Optical Spectroscopy in Reactive Sputter Etching and Its Application to Process Control. Jap.J.Appl.Phys., 1981. — V.20. — N4. — P.683−690.
Marcoux P.J., Foo Pang Dow. Methods of end point detection for plasma etching. Solid State Technol., 1981. — V.24. — N4. — P. 115−122.
Босяков M.H., Лабуда A.A., Никифоренко H.H. Применение ИК спектроскопии в изучении плазмохимического процесса травления двуокиси кремния //Журнал прикладной спектроскопии. 1981. — Т.34. — Вып.4. — С.618−622.
Kadou Н., Takashi Т., End point detection in plasma etching by optical emission Spectroscopy. J. Electrochem. Soc., 1980. — V. 127. — N1. — P.234−235.
Долгополов В.М., Иванов В. И., Кротков В. А., Соловьев В. И. Разработка спектрального индикатора для контроля процесса плазмохимического удаления фоторезиста// Электронная техника.Сер.З. Микроэлектроника. -1980.- Вып.4. С.39—41.
Singleton M.J. End point Detection in plasma Photoresist Stripping: Some Practical Design Considerations. Solid State Technol., 1981. — V.24. -N4. — P.132−133.
Soller B.R., Shuman R.F., Ross R.R. Application of emission pectroscopy for profile control during oxigen RIE of thick photoresist. J.Electrochem.Soc., 1984. — V.131. -N6. -P.1353−1356.
Harshbarger W.R., Porter R.A. Optical Detector to Monitor Plasma Etching. -J.Electronic Mater, 1978. V.7. -N3. -P.429¹⁴⁰.
Деймтредер В. Лазерная спектроскопия / Пер. с нем. М.: Наука, 1985. -608 с.
Oshima М. Monitoring of Dry Etching Process of Si02 on Si by Using Mass Spectra. Jap.J.Appl.Phys., 1978. — V.17. — N3. — P.579−580.
Bunyard G.B., Raby B.A. Plasma Process Development and Monitoring Mass Spectrometry. Solid State Technol., 1977. — V.20. — P.53−56.
Raby B.A., Mass Spectrometric study of plasma etching. J.Vac.Sci. and Technol., 1978. — V.15. -N2. — P.205−290.
Dennison R.W. Mass Spectrometry Applied to a Reactive Ion Mill. — Solid State Technol., 1980. V.23. — N9. — P. 117−120.
Hosaka S., Sakudo N., Hashimoto S. Monitoring secondary ion during ion etching. J.Vac.Sci. and Technol., 1979. — V.16. -N3. -P.913−916.
Hofmann D., Wechsung R. Plasma Mass Spectrometry for thin film process control. 4th Int. Symp. on Plasma Chemistiy, Zurich, 1979. — V.2. — P.622−627.
Bolker B.F.T., Tisone T.C., Latos T.S. Control system dynamics using glow discharge mass spectroscopy for thin film sputtering. J.Vac.Sci. and Technol., 1981. V.18. -N2. -Р.328−334.
Lutz Н. Multisource deposition rate control using a mass Spectrometer as a sensing element. J.Vac.Sci. and Technol., 1978. — V.15. -N2. -P.309−312.
Чутко B.M. Контроль процессов ионного распыления методом кварцевого резонатора // ОМП. 1983. — № 11. — С.41−45.
Generosi R., Miriametro A. Automatic temperature compensating apparatus for measurement of thin films during deposition. — Rev.Sci.Instrum., 1982. — V.53. — N9.-P. 1470−1471.
Mayer N.M. Resistance Measurements by Radio Telemetric System during Film Deposition by Sputtering. Siemens Forsch. u. Entwickl., 1982. — Bd 11.- N6. -P.322−326.
Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, 1998. — 263 с.
Лещенко И.Н., Сокол В. А., Чукаев С. В. Прибор для контроля параметров пленок при их напылении в вакууме. — ПТЖ. 1984. — С.243.
Ukai К., Hanazawa K.J. End point determination of aluminium reactive ion etching by discharge impedanse monitoring. J.Vac.Sci. and Technol., 1979. — V.16.- N2.-P.385.
Sakaki H., Sekiguchi Y., Yokoyama K. Ion-beam-induced-current (IBIC) monitoring of uniform and selective ion-etching processes in layered structures. -J.Vac.Sci. and Technol., 1981. V.19.-Nl.-P.23−25.
Технология СБИС /Под ред. С. Зи / Пер. с англ. В 2 т.Т. 1 — М.: Мир, 1986.- С.236−238.
Киреев В.Ю. Технология и оборудование производства интегральных микросхем. Состояние и основные тенденции развития // Электроника: Нау-ка.Технология. Бизнес. 2004. — № 7. — С.22−32.
Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.:Атомиздат, 1963. — 343 с.
Устройство ионно-лучевого нанесения пленок / С. Б. Симакин, Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров, С. В. Панин, В. И. Фролов // Электронная промышленность. 1990. — № 4. — С.13−14.
Готт Ю.В. Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях. М.:Атомиздат, 1989. — 498 с.
Симакин С.Б., Петров В. И., Ивановский Г. Ф. Исследование электропроводности диэлектриков при ионно-плазменной обработке. — М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. 1984. — Вып. 2 (201). — С.97.
Симакин С.Б., Петров В. И. Метод оперативного контроля процессов ионного травления и нанесения // Электронная техника. Сер. 7. 1984. — Вып. 4 (125). — С.78−80.
Weinberg Z.A., Matthies D.L., Jonson W.C., Lampert M.A. Measurement of the Steady-State Potential Difference across a Thin Insulating Film in a Corona Discharge. Rev.Sci.Instrum., 1975. — V.46. — N2. — P.201−203.
Симакин С.Б., Петров В. И., Перов H.C. Управление процессами ионно-лучевого травления пленок металлов. М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. -1987. — Вып. 5 (234). — С.306.
Симакин С.Б., Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Повышение чувствительности метода контроля процессов ионного и ионно-химического травления // Сборник реф. НИОКР, обзоров и депонир. рукоп. Сер. ИМ. -1985. № 24 (ч. 2). -С.2.
A.C. 125 154 СССР МКИ Способ управления процессами ионного травления диэлектрических пленок / С. Б. Симакин, В. И. Петров, Г. Ф. Ивановский, В. А. Мурашко (СССР) / 125 154 СССР заяв. 23.0.84, опубл в БИ. 1986. — № 30.
Симакин С.Б., Петров В. И., Ломакина О. Г., Пожидаев Е. Д. Контролируемое травление направленным потоком ионов пленок Та, Mo и С при формировании топологии ИС // Электронная техника. Сер. 7. 1986. — Вып. 3 (136). — С. 42−44.
Симакин С.Б., Петров В. И. Контроль процессов очистки поверхностей металлов и полупроводников // Электронная техника. Сер. 7. — 1986. Вып. З (136). -С. 52−55.
A.C. 1 531 764 СССР МКИ Способ управления процессом ионной очистки поверхностей полупроводников и металлов / С. Б. Симакин, В. А. Скворцов (СССР) / 1 531 764 СССР заяв. 09.03.88, опубл. в БИ. 1989. — № 47.
Симакин С.Б., Петров В. И. Контроль чистоты поверхностей металлов и полупроводников при ионной обработке // на V отрасл. науч.- техн. конф. «Тонкие пленки в производстве ПП и ИС»: Тез. докл. Нальчик, 1983. — С. 179.
Симакин С.Б., Ивановский Г. Ф., Петров В. И., Перов Н. С. Исследование про-цессоа ионного травления двухслойных диэлектрических структур// Сборник реф. НИОКР, обзоров и депонир. рукоп. Сер. РТ. 1985. — № 29 (ч.2). — С.4.
Киреев В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 2983. — 345 с.
Данилин Б.С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. — М.: Энергоиздат, 1998. — 386 с.
Харис П. Углеродные, нанотрубки и родственные структуры. Новые материалы XXI век / Пер. с англ. М.:Техносфера, 2003 — 336 с.
Симакин С.Б., Петров В. И., Перов Н. С. Управление процессами ионно-лучевого травления пленок металлов. — М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. — 1987. Вып.5 (234). — С.306.
A.C. 1 364 151 СССР МКИ Способ определения толщины пленки диэлектрика / С. Б. Симакин, Петров В. И., Ивановкский Г. Ф. (СССР) / 1 364 151 СССР заяв. 04.11.85, опубл. в БИ-1987.-№ 49.
Чопра K.JI. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. — М.: Мир, 1972.-435 с.
Аброян И.А., Дубро В. В., Ильин И. А. Изменение электропроводности при-верхностных слоев кремния при травлении ионами // Электронная техника. Сер. 2. 1981. — Вып. 4 (14). — С.36−40.
Ремизович B.C., Рязанов М. И., Тилиние И. С. Исследование поверхностных и объемных свойств твердых тел по взаимодействию частиц. — М.: Энерго-издат, 1981.-321 с.
Рязонов М. И. Дилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. — М.: Энергоиздат, 1985. — 150 с.
Мотт И., Месси Г. Теория атомных столкновений / Пер. с англ. М.: Мир, 1969.-754 с.
Энергии разрыва химических связей, потенциалы ионизации и сродство к электрону: Справочник / Под ред. Л. В. Гурвича М.: Наука, 1974. — 608 с.
Заидерна А. Методы анализа поверхности / Пер. с англ. М.: Мир, 1997. -582 с.
Петров H.H., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: ЛГУ, 1977. — 160 с.
Курнаев В.А., Машкова Е. С., Молчанов В. А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела. М.:Энергоиздат, 1985. — 192 с.
Черепин В.Т., Васильев М.А.Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. Киев.:Наукова думка, 1975. — 239 с.
Шульман А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.:Наука, 1977. — 551 с.
Posadowski W.M. Pulsed magnetron spuutering of reactive compounds. Thin Solid Films, 1999. — V.343−344. — P.85−89.
Паралис Э.С., Кишиневская JI.M. //Физика твердого тела. — 1961. — Т.З. — № 4.-С. 1219−1228.
Ковалев В.П. Вторичные электроны. М.: Энергоатомиздат, 1987. — 453 с.
Электронная и ионная спектроскопия твердого тела / Под ред. Л.фирменса. -М.: МИР, 1981.-634 с.
Добрецов Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.-389 с.
Иванов А.И., Леонтьев A.B. //Поверхность. -2004.-№ 5. С.48−51.
Филимонов A.B., Королева Е. Ю. //Поверхность. 2004. — № 8. — С.32−36.
Симакин С.Б., Кислов Н. М., Кузнецов Г.Д, Сергиенко A.A. К модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников при ионной обработке поверхности // Материалы электронной техники. — 2004. № 4. — С.63−67.
Евдокимов И.Н., Молчанов В. А., Одиноков Д. Д. и др.// Докл. АН СССР.1967. — Т. 177. № 3. — С. 550−554.
Евдокимов И.Н., Молчанов В.А.// XIII-ая Всесоюз. конф. по эмиссионнойэлектронике: Тез.докл. М.: Наука, 1968. — С.70.
Петров H.H., Дорожкин A.A. // ФТТ. 1961. — Т. З, № 1. — С.53−60.
Петров H.H. // ФТТ. 1960. — Т.2. — № 5. — С.1300−1306.
Петров H.H. // ФТТ. 1960. — Т.2. — № 5. — С.940−948.
Макаров В.В., Петров H.H. //ФТТ. 1981. — Т.23. — № 6. — С.1767−1774.
Аброян И.А., Лавров В. П. //Физическая электроника. 1967. — № 227. -С.93.
Батанов Г. М. // РиЭ. 1963. — № 8 — С. 852.
Керков X., Петухов В. П., Романовский Е. А. и др. // Изв. АН.Сер. физическая. 2002. — Т.66. — № 4. — С. 533−537.
Керков X., Петухов В. П., Романовский Е. А. и др. // Изв. АН.Сер. физическая. 2004. — Т. 68. — № 3. — С.405−409.
Брусиловский Б.А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энерго-издат, 1990.-342 с.
Krebs К.Н./ Vacuum. 1983. — Vol.33. — № 9. — P. 555−563.
Фирсов О.Б. // ЖЭТФ. 1959. — № 36. — С. 151.
Эльтеков В.А. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование. — М.: Моск. Университет, 1993. 143 с.
Кишеневский Л.М., Парилис Э. С. // ЖТФ. 1982. — Т.52. — № 7. — С. 12 901 298.
Кишеневский Л.М., Парилис Э. С. // V-я Всесоюз. конф. ВАЧТ: Тез. докл., ч.1.-Минск: БГУ, 1987.-С. 21.
Бронштейн И.М., Фрайман Б. С. Вторичная электронная эмиссия. — М.: Наука, 1969.-451 с.
Мессии Г., Бархон Е. Электронные и ионные столкновения. — М.: Мир, 1968. 342 с.
Практическая растровая электронная микроскопия/ Под ред. Дж. Гоулд-стейна / Пер. с англ. М.: Мир, 1987. — 656 с.
Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ/ Под ред. P.C. Комовой / Пер. с англ. Т.1. -М.: Мир, 1984. 303 с.
Растровая электронная микроскопия и ренгеновский микроанализ/ Под ред. P.C. Комовой / Пер. с англ. Т.2. М.: Мир, 1984. — 351 с.
Кощеев А.П., Мясников И. А. Роль энергии первичных электронов в возбуж-деннии экзоэмиссии реальной поверхности металла. М.: Мир, 1986. — 432 с.
Чапланов A.M., Шибко А. Н. Воздействие импульсного лазерного и электронного облучений на тонкие пленки алюминия // Поверхность. 1987. -№ 5. -С. 64−67.
Вятский И .Я., Лилянкевич А. Н. // Физика твердого тела. 1984. — Вып. 4. -С. 285.
Али-Заде И.И., Вакар О. М., Петрыкин Ю. В. Оценка предела обнаружения для метода мессбауэровской спектроскопии о регистрации электронного излучения //Физика. 1987. — № 9. — С.20−23.
Sawyer G.R. J. mat. sci 13, 196. р.885
Дж.Хастед. Физика атомных столкновений. М.: Мир, 1965. — 465 с.
Лизунов Ю.Д., Рязанов А. И. Торможение быстрых заряженных частиц в поверхностных слоях многокомпонентных материалов и образование первичных радиоционных дефектов при ионном облучении // Поверхность. — 1987. № 5. — С.121−131.
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.- 138 с.
Брондон Д., Каплан У. Микрострукута материалов. Методы исследования и контроля. -М. .-Техносфера, 2004. — 384 с.
Москалев А.А., Цой B.C. Резонансная неупругая дифракция медленных электронов // Журнал теоретической и экспериментальной физики. — 1987. — № 1. С.330−342.
Жвирблис П.С., Пашлемас Э. П. О стабильности вычисляемых сечений рассеяния электронов на атомных мишенях // Изв. ВУЗОВ. Сер. Физика. 1987.-№Ю.-С. 118−120.
Айнспрук Н., Уиссмен У. Арсенид галлия в микроэлектронике / Пер. с англ. -М.: Мир, 1988−554 с.
Иевлев В.М., Трусов Л. И. Структурные превращения в тонких пленках. -М.: Металлургия, 1988. 325 с.
Пранявичус Л., Дудоник Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками. — Вильнюс: Моклас, 1980. — 191 с.
Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике — 2-е изд. М.: Техносфера. — 160 с.
Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б., Сушков В. П., Кушхов А. Р., Делян А. И. Состояние и проблемы ионно-плазменного травления нитридов элементов третьей группы // Изв. ВУЗов.Сер. Материалы электронной техники. —2003. № 4. — С.12
Хершман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. — 239 с.
Симакин С.Б., Сафаралиев Г. К., Кузнецов Г. Д., Билалов Б. А., Курбанов М. А. Получение пленок твердых растворов (SiC)ix (AIN) ixионным распылением // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2006. — № 1. — С.48−52.
Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б. Низкоэнергетическое ионное стимулирование процессов формирования тонкопленочных кремнийсодержащих материалов и многослойных структур на их основе // Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. — 2005. — № 4. — С. 22−31.
Симакин С.Б., Кузнецов Г. Д., Сергиенко A.A., Пилишкин В. Н. Адантивное управление технологическими процессами ионно-лучевого травления // П-й Междунар. симп. «Нанотехнология»: Тез. докл. Прага, 2005. — С. 135.
Максимей И. В. Имитационное моделировование на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1988.-232 с.
Шеннон Р. Имитационное моделирование систем наука и искусство. — М.: Мир, 1978.-418 с.
Попов Э.В. Экспертные системы. — М.: Наука, 1987. — 289 с.
Расстригин Л.А. Современные принципы управления сложными системами.- М.: Советское радио, 1980. 232 с.
Рошаль A.C. Моделирование заряженных пучков. — М.: Атомиздат, 1979. -304 с.
Афонцев С.А., Григорьев Н. И. Использование двухмерных численных моделей для анализа и моделирования полупроводниковых приборов // Зарубежная радиоэлектроника. 1975. — № 6. — С.157−166.167.
Александров В.М., Нестеров A.A. Динамическая коррекция движения пучка частиц в усторителях //Автометрия. — 1972. № 1. — С. 37−46.
Бублик Б.Н., Гаращенко Ф. Г. Структурно-параметрическая оптимизация и устойчивость динамики пучков. — Киев: Наукова думка, 1985. — 304 с.
Егоров Б. Н. Оптимимальное управление тепловыми и диффузионными процессами. М.: Наука, 1978. — 464 с.
Овсянников Д.А. Численный метод оптимизации параметров волноводного группирователя электронов // Журнал технической физики. 1972. — Т.42, № 4. — С. 705−707.
Гудков В.И., Овсянников A.B., Рябцов A.B. Численная оптимизация движения электронов в волноводном группирователе //Электрофизическая аппаратура. 1974.-Вып. 11.-С. 160−167.
Захаров A.B., Самарский A.A. Применение метода больших частиц к расчету движения пучка в электромагнитном поле с учетом пространственного зарада пучка //Вычислительные методы и программирование. — 1971. — Вып. 16. — С. 225−243.
Власов А.Г., Шапиро Ю. А. Методы расчета эмиссионных электронно-оптических систем. JLМашиностроение, 1974. — 288 с.
Самарский A.A. Николасаев Е. С. Методы решения сеточных уравнений. — М.: Наука, 1978.-592 с.
Болдасов B.C. Определение формы плазменного эмиттера методом установления // Вычислительные методы и программирование. 1982. — Вып. 36.1. С.206−213.
Мокин Ю.И. Алгоритм определния плотности тока эмиссии в задаче о фокусировке пучка // Журнал вычислительной математики и математической физики. 1980. — Т.20. — № 3. — С. 671−681.
Заде J1.A. Понятие лингвистической переменной и его применение к принятию приближенных решений. М.: Мир, 1976. —165 с.
Заде JI.A. Основы нового подхода к анализу сложных систем и процессов принятия решений. — М.: Знание, 1974. 236 с.
Уотерман Д. Руководство по экспертным системам. — М.: Мир, 1989. — 388 с.
Мелихов А.Н., Берштейн JI.C. Ситуационные советующие системы с нечеткой логикой. М.:Наука, 1990. — 272 с.
Нечеткие множества в моделях управления и искусственного интеллекта / Под ред. Д. А. Поспелова. М.:Наука, 1986. — 396 с.
Дюбуа Д., Прад А. Теория возможностей. Приложение к представлению знаний в информатике. — М.:Радио и связь, 1990. — 287 с.
Габович И.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. — М.: Атом-издат, 1972.-304 с.
Попова Г. С., Урев М. В. Расчет магнитного поля по его значениям на оси симметрии // Численные методы решения задач электронной оптики. — Новосибирск: Изд-во ВЦ СО АН СССР, 1979. С.89−98.
Красовский A.A., Буков В. Н. Универсалные алгоритмы оптимального управления непрерывными процессами. — М.: Наука, 1977. — 217 с.
Симакин С.Б., Ивановский Г. Ф., Петров В. И., Казанский A.A., Перов Н. С. Автоматическая установка нанесения пленочных структур ионным распылением // Электронная промышленность. —1990. № 4. — С.6−7.
Данилин Б.С., Киреев В. Ю., Неволин В. К. Выбор оптимального давления рабочего газа и мижэлектродного расстояния в диодных системах ионногораспыления и травления // Электронная техника. Сер. 3. — 1967. — Вып.2. — С.3−42.
Симакин С.Б., Ивановский Г. Ф., Петров В. И., Панин C.B., Фролов В. И. Многопучковая установка синтеза пленок сложного состава ионным распылением // Электронная промышленность. — 1989. № 11. — С.23−24.
Ивановский Г. Ф., Симакин С. Б., Петров В. И., Казанский A.A., Перов Н.С.
Установка нанесения пленочных структур ЦМД СБИС ионным распылением.- М.: ЦНИИ «Электроника». Сер/ 3. 1987. — Вып.4 (233). — С.79.
Симакин С.Б., Ивановский Г. Ф., Петров В. И., Казанский A.A., Перов Н. С. Автоматическая установка нанесения пленочных структур ионным распылением // Электронная промышленность. 1990. — № 4. — С.6−7.
Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б., Филипов В. А., Сергиенко A.A. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов в тонкопленочных гетерокомпози-циях при ионно-лучевом травлении // Вестник МЭИ. — 2006. № 4. — С. 5055.
Симакин С.Б. и др. Блок выделения информативного сигнала / С. Б. Симакин,
B.А. Скворцов, В. И. Петров // В кн.: Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике. М: Физика, 1987.1. C.245−249.
Маишев Ю.П. Источники ионов с холодным катодом для ионно-лучевого травления и нанесения пленок // Электронная техника. Серия 7. 1984. -Вып.4 (125).-С.75−78.
Кузнецов Т.Д., Симакин С. Б., Митрофанов Е.А.Устройство для повышения точности регистрации момента окончания процесса ионного травления тонкопленочных гетерокомпозиций // Вакуумная техника и технология. — 2007.- Т. 17. — № 3. С.219−224.
Кузнецов Г. Д., Симакин С. Б., Демченкова Д. Н. Микро- и нанотехнология пленочных гетерокомпозиций. Курс лекций. № 1370 М.: МИСиС Изд-во «Учеба»,. — с.
Симакин С.Б., Виноградов М. К., Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Микропроцессорная система контроля ионного травления функциональных слоев СБИС // Электронная промышленность. 1989. — № 11. — С.22−23.
Калабеков Б.А. Микропроцессоры и их применение в системах передачи и обработки сигналов. М.:Радио и связь, 1988. — 369 с.
Технология и оборудование для травления и напыления пленок ионным распылением в вакууме // Ш-я Междунар. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии»: Тез. докл. Кисловодск, 2003. -С.69.

Заполнить форму текущей работой