Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди

Диссертация: Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основе комплексных структурных исследований с помощью Оже-спектроскопии, рентгенодифракционного анализа и атомно-силовой микроскопии установлено: элементный состав анодных пленок Си20 включает, помимо меди в количестве 62,7 ат.% и кислорода — 28,5 ат.%, незначительные количества углерода 2,2 ат.% и хлора — 5 ат.%, равномерно распределенного по толщине пленкиобразцы, полученные при плотности… Читать ещё >

Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Современные материалы для полупроводниковых сенсоров газов и методы их получения
    • 1. 1. Полупроводниковые сенсоры газов
    • 1. 2. Материалы полупроводниковых сенсоров газов
    • 1. 3. Механизм газочувствительности полупроводниковых материалов
    • 1. 4. Методы получения Си
      • 1. 4. 1. Метод высокотемпературного термического окисления
      • 1. 4. 2. Метод пластического вытягивания
      • 1. 4. 3. Метод выращивания зерен
      • 1. 4. 4. Метод низкотемпературного термического окисления
      • 1. 4. 5. Метод электроосаждения
      • 1. 4. 6. Метод твердофазной эпитаксии из раствора, инициированной электрическим полем
      • 1. 4. 7. Метод эпитаксии пульсирующим лазером
      • 1. 4. 8. Метод анодного окисления
      • 1. 4. 9. Метод химического окисления
      • 1. 4. 10. Метод реактивного распыления
    • 1. 5. Методы формирования контактов к Си
    • 1. 6. Выводы
  • Глава 2. Технология изготовления сенсорных элементов на основе анодного Си20 в сульфатно-хлоридном электролите
    • 2. 1. Описание экспериментальной установки и условий получения анодных пленок Си
    • 2. 2. Свойства электролита состава СиБО^ №С1,1ЛС
    • 2. 3. Термодинамические закономерности процесса формирования анодных пленок Си
    • 2. 4. Кинетические закономерности процесса формирования анодных пленок Си
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Исследование физико-химических свойств анодных пленок Си
    • 3. 1. Определение элементного состава анодных пленок Си
    • 3. 2. Определение фазового состава анодных пленок Си
    • 3. 3. Исследование морфологии поверхности анодных пленок Си
    • 3. 4. Выводы
  • Глава 4. Исследование электрофизических свойств анодных пленок Си
    • 4. 1. Исследование сопротивления анодных пленок Си
    • 4. 2. Исследование ВАХ анодных пленок Си
    • 4. 3. Выводы
  • Глава 5. Определение газочувствительных характеристик образцов сенсорных элементов на основе анодных пленок Си
    • 5. 1. Исследование адсорбционного отклика сенсорных элементов
    • 5. 2. Динамические характеристики сенсорных элементов
    • 5. 3. Механизм газочувствительности сенсорных элементов
    • 5. 4. Выводы

Актуальность диссертационной работы.

Индустриальное развитие, характерное для нашего времени, привело к тому, что проблема загрязнения окружающей среды, в том числе и воздушного бассейна, стала носить глобальный характер, что в свою очередь вызвало необходимость контроля концентрации большого числа загрязняющих веществ в атмосфере. В связи с этим динамично развиваются методы и средства химической диагностики, а именно сенсоры газов. Однако следует отметить, что используемые в настоящее время сенсоры до сих пор не удовлетворяют современным требованиям по некоторым характеристикам. Основным недостатком таких элементов является высокая рабочая температура (выше 200°С), что увеличивает энергопотребление при эксплуатации, требует взрывобезопасного исполнения для анализа горючих газов и паров. Поэтому разработка новых газочувствительных материалов для химических сенсоров является одной из актуальных задач.

Выбор газочувствительного материала для сенсорного элемента является определяющим фактором разработки сенсоров, поскольку такие требования как быстродействие, селективность по отношению к измеряемым компонентам, чувствительность (способность обеспечивать измерения в широком диапазоне концентраций), устойчивость к перегрузкам, стабильность и работоспособность в течение достаточно продолжительного времени, определяются именно свойствами используемого в устройстве материала.

Как правило, газочувствительными элементами таких структур являются широкозонные полупроводники на основе оксидов металлов, определение концентрации газов которыми сводится к регистрации изменения их электрофизических свойств, происходящего в результате взаимодействия с газовой фазой. По нашему мнению таким материалом может являться оксид меди (I) — С112О.

Свойства важнейшего полупроводника Си20 исследуются с 20-х годов прошлого столетия [1]. На его примере В. П. Жузе и Б. В. Курчатовым впервые экспериментально было показано существование примесной и собственной областей проводимости в Си20, полученном термическим окислением. Немного позже на основе разработанной теории были созданы и получили широкое применение меднозакисные выпрямители, изучались их фотоэлектрические свойства. В дальнейшем интерес к Си20 несколько уменьшился из-за появления новых полупроводниковых соединений. Тем не менее, интерес к нему сохраняется, поскольку постоянно появляются новые сообщения о его свойствах, и выявляются новые возможности его применения в электронике.

Поэтому, несмотря на большое число известных методов получения Си20, продолжается поиск и разработка новых способов его синтеза. На наш взгляд одним из перспективных процессов является анодное окисление медной фольги на стеклотекстолите, который открывает возможность дешевого и простого получения газочувствительных пленок Си20 к таким парниковым газам как оксиды азота и сероводород.

Цель и задачи диссертационной работы.

Целью диссертационной работы является разработка технологии изготовления сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди, исследование их физико-химических свойств и определение газочувствительных характеристик.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать технологию получения анодных оксидных пленок меди (АОПМ).

2. Определить кинетические и термодинамические г закономерности процесса анодного окисления меди в сульфатно-хлоридном электролите.

3. Выявить влияние параметров технологических режимов получения пленок АОПМ на их состав, структуру и морфологию поверхности.

4. Исследовать физико-химические и электрофизические свойства АОПМ.

5. Определить газочувствительные характеристики сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди.

Объекты исследования.

Объектами исследования являются сенсорные элементы на основе анодных оксидных пленок меди.

Научная новизна.

В работе были получены следующие научные результаты:

1. Предложен механизм процесса анодирования медной фольги на стеклотекстолите в сульфатно-хлоридном электролите.

2. Определена структура и элементный состав полученных анодных оксидных пленок меди.

3. Установлен характер влияния технологических параметров на состав, структуру и морфологию поверхности АОПМ.

4. Определены характер термои фотопроводимости образцов на основе АОПМ, а также наличие р-п — переходов в пленке Си20.

5. Определено влияние технологических параметров режимов процесса анодирования меди, морфологии поверхности, состава, структуры и электропроводности образцов АОПМ на газочувствительные характеристики сенсорных элементов на их основе.

Практическая значимость.

1. Выявлено влияние параметров анодирования на скорость роста анодных оксидных пленок Си (I), размер зерен, состав пленок, стехиометрию, постоянную решетки меди, Си20 и СиС1, светои газочувствительность анодных пленок.

2. Определены оптимальные режимы формирования сенсорных элементов на диоксид азота, позволившие получить стабильные газочувствительные пленки.

3. Разработана технология изготовления сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди.

4. Разработан сенсорный элемент на диоксид азота со следующими характеристиками: предел обнаружения — 1,5 рршдинамический диапазон -1,5 — 20 рршвремя отклика — 47 е.- время восстановления — 12 минкоэффициент газочувствительности — 0,95 отн. ед.

Положения, выносимые на защиту.

1. Механизм процесса анодирования медной фольги на стеклотекстолите в сульфатно-хлоридном электролите.

2. Технологический маршрут и режимы анодирования пленок Си20 методом анодного окисления меди в сульфатно-хлоридном электролите.

3. Конструкция сенсорного элемента на основе анодных оксидных пленок меди, селективного по отношению к диоксиду азота.

Апробация работы.

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, 2002, 2004) — III Международная конференция «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2002) — II Международная научно-техническая конференция «Материалы и технологии XXI века» (Пенза, 2004) — V Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, 2004) — III Всероссийская конференция «Актуальные проблемы электрохимической технологии» (Саратов, 2008).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликованы 12 печатных работ, из них 2 статьи в журналах, входящих в перечень ВАК и 10 работ в сборниках трудов конференций.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложений.

Основные результаты и выводы работы заключаются в следующем:

1. Проведено исследование кинетических характеристик процесса формирования анодных пленок Си20, которое показало, что в отличие от вентильных металлов, для которых характерна степенная зависимость кинетических характеристик, гальваностатическое анодирование меди не подчиняется закону Гюнтершульце и Бетца. На основе анализа протекания реакций на аноде определен стабильный режим роста качественной оксидной пленки при температуре 86 °C. С помощью термодинамического анализа возможных анодных реакций меди с компонентами электролита предложен механизм процесса образования Си20 по реакции:

2Си+ + 20Н" Си20 + Н20.

2. Определено влияние параметров анодирования на скорость роста анодных оксидных пленок меди: с ростом плотности тока скорость роста увеличивается от 0,05 до 0,15 мкм/мин, при этом рост пленки происходит в слабом электрическом поле. Анализ коэффициента выхода по току для процесса анодирования меди в сульфатно-хлоридном электролите, показал, что на аноде помимо окисления протекают побочные процессы с выделением хлора и кислорода.

3. На основе комплексных структурных исследований с помощью Оже-спектроскопии, рентгенодифракционного анализа и атомно-силовой микроскопии установлено: элементный состав анодных пленок Си20 включает, помимо меди в количестве 62,7 ат.% и кислорода — 28,5 ат.%, незначительные количества углерода 2,2 ат.% и хлора — 5 ат.%, равномерно распределенного по толщине пленкиобразцы, полученные при плотности тока 3 мА/см2 имеют минимальное содержание углерода и близки к стехиометрии Си20- анодные пленки Си (I) имеют поликристаллическую структуру с различной ориентацией кристаллитов Си20, чередующихся с кристаллитами CuCl, размером, в среднем 0,32±0,03 мкм.

4. Установлено, что плотность тока анодирования, кроме увеличения скорости окисления, оказывает влияние на размер зерен. При этом фазовый состав пленок Си20 остается постоянным. Атомы кислорода и хлора, внедряясь в кристаллическую решетку, не изменяют кубического типа элементарной ячейки решетки меди, а лишь увеличивают параметр постоянной решетки.

5. Из температурных зависимостей сопротивления пленок была определена ширина запрещенной зоны, равная 1,8 эВ и энергия активации примеси — 0,35 эВ. Установлена экспоненциальная зависимость электропроводности Си20 от освещенности в видимом диапазоне. Из экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик р-пперехода в пленочных резисторах и влияния на них температуры и освещенности определена величина потенциального барьера, равная 4,5 В. Пробивное напряжение составляет 8,8 В при токе утечки менее 1 мкА.

6. Установлена газочувствительность сенсорных элементов на основе анодного Си20 к диоксиду азота и сероводороду. Концентрационная зависимость их сопротивления от содержания N02 удовлетворительно апроксимируется выражением, аналогичным изотерме адсорбции Фрейндлиха. Максимальная чувствительность установлена при размере кристаллитов 0,35 мкм. Показано, что на время отклика и время восстановления сенсорных структур оказывают влияние режимы получения анодного Си20, рабочая температура и концентрация диоксида азота. Предложен механизм газочувствительности анодных пленок Си20. На основе пленок Си20 разработана технология изготовления образцов сенсорных элементов на N02. Показано, что сенсоры, изготовленные при плотности тока j = 3 мА/см обладают наиболее высокой стабильностью.

В заключение автор выражает благодарность:

Доценту кафедры X и Э Л. П. Милешко за советы и ценные замечания, полученные в процессе обсуждения результатов исследований;

Заведующей лаборатории НИИ Физики полупроводников HAH Украины (г. Киев) Конаковой Р. В. за проведение структурных исследований и обсуждение полученных результатов;

Коллективу кафедры ТМ и НА за исследование структуры поверхности методом атомно-силовой микроскопии и обсуждение полученных результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Я. А. Введение в химию полупроводников Текст. / Я. А. Угай -М.: «Высш. школа», 1975. 302 с.
  2. Ю.А. Химические сенсоры Текст. / Ю. А. Золотов // Журнал аналитической химии. 1990. — Т. 45. — № 7. С. 1255 — 1258.
  3. Г. Ф. Датчики и приборы для применения в задачах экологического мониторинга Текст. /Г.Ф. Филаретов // Приборы и системы управления. 1996. — № 5. — С. 26 — 28.
  4. .Ф. Химические сенсоры: возможности и перспективы Текст. / Б. Ф. Мясоедов, A.B. Давыдов // Журнал аналитической химии. 1990. — Т. 45. — В. 7. — С. 1259 — 1278.
  5. JI.M. Химические сенсоры в диагностике окружающей среды Текст. / Л. М. Дорожкин, И. А. Розанов // Сенсор. 2001. — № 2. -С. 2−9.
  6. Р. Б. Газовая чувствительность границ «раздела в полупроводниковых материалах Текст. / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Сенсор. 2005. — № 1. — С. 21 — 47.
  7. В. В. К вопросу о чувствительности полупроводниковых химических сенсоров газа Текст. / В. В. Петров // Сенсор. 2003. -№ 1.-С. 48−50.
  8. В. М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров Текст. /
  9. В. М. Арутюнян // Микроэлектроника. 1991. — Т. 20. — В. 4. — С. 369 -378.
  10. А. М. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров Текст. / А. М. Гаськов, М. Н. Румянцева // Неорганические материалы. 2000. — Т. 36. — № 3. — С. 369 — 378.
  11. . А. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами Текст. / Б. А. Акимов, А. М. Гаськов, М. Лабо и др. // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33. — В. 2. — С. 205 — 206.
  12. О. В. Особенности электрических и газочувствительных характеристик, полученных катодным напылением тонких пленок диоксида олова Текст. / О. В. Анисимов, Н. К. Максимова
  13. Н. Г. Филонов и др. // Сенсор 2003. — № 1. — С. 40 — 47.
  14. И. А. Адсорбция газов на поверхности соединений А3В5 индиевой группы Текст. / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1998 — Т. 72. — № 6. С. 1106 — 1110.
  15. Agueev О. A. Synthesis and investigation of nanocrystalline SiC properties in sensor applications Text. / O. A. Agueev, N. N. Moskovchenko,
  16. A. Svetlichnaya // Fourth international conference on Advanced semiconductor devices and Microsystems ASDAM'02, Smolenice Castle, Slovakia. 2002 — P. 59−62.
  17. Connolly E. J. A porous SiC ammonia sensor Text. / E. J. Connolly,
  18. B. Timmer, Т. M. Pham et al // Sensors and Actuators. 2005. — B. 109. -P. 4446.
  19. Л. П. Газочувствительные резисторы на основе золь-гельных пленок легированного диоксида кремния Текст. / Л. П. Милешко, А. Н. Королев, Л. А. Светличная // Известия вузов. Электроника. -2004. № 2. — С. 4517.
  20. Kawasaki Н. NOx gas sensing properties of tungsten oxide thin films synthesized by pulsed laser deposition method Text./ H. Kawasaki, J. Namba, K. Iwatsuji et al // Applied Surface Science 2002. — V. 197−198. -P. 547−551.
  21. Kanda K. Development of a W03 thick-film-based sensor for the detection of VOC Text. / K. Kanda К., T. Maekawa // Sensors and Actuators 2005. -B. 108.-P. 97−101.
  22. Hoel L. F. Gas sensing with films of nanocrystalline WO3 and Pd made by advanced reactive gas deposition Text. / L. F. Hoel, Reyes, S. Saukko, et al. // Sensors and Actuators 2005. — B. 105. — P. 283−289
  23. Bio M. Synthesis of pure and loaded powders of WO3 for N02 detection through thick film technology Text. / M. Bio, M. C. Carotta, S. Galliera, et al. // Sensors and Actuators- 2004. B. 103. — P. 213−218
  24. Chengx X. L. ZnO nanoparticulate thin film: preparation, characterization and gas-sensing property Text. / X. L. Cheng, H. Zhao, L. H. Huo., et al. // Sensors and Actuators. -2004.- B. 102. P. 248−252
  25. Ruiz A. M. Transition metals (Co, Cu) as additives on hydrothermally treated Ti02 for gas sensing Text. / A. M. Ruiz, A. Cornet, K. Shimanoe, et al. // Sensors and Actuators. 2005. — B. 109. — P. 7−12
  26. Ruiz A. M. Effects of various metal additives on the gas sensing performances of Ti02 nanocrystals obtained from hydrothermal treatments Text. / A. M. Ruiza, A. Corneta, K. Shimanoeb, et al. // Sensors and Actuators- 2005. -B. 108-P. 340
  27. Jun Y.-K High H2 sensing behavior of Ti02 films formed by thermal oxidation Text. / Y.-K. Juna, H.-S. Kima, J.-H. Leeb, S.-H. Honga, // Sensors and Actuators. 2005. — B. 107. — P. 264−270
  28. Ruiz A. M. Microstructure control of thermally stable Ti02 obtained by hydrothermal process for gas sensors Text. / A. M. Ruiz,., G. Sakai, A. Cornet, et al. // Sensors and Actuators 2004. — В 103. — P. 312−317.
  29. А. Ч. Детектирование газов-окислителей тонкопленочными полупроводниковыми сенсорами на основе 1п2Оз Текст. / А. Ч. Гурло, М. И. Ивановская //: Журнал физической химии. 1998. — Т.72. — № 2. -С. 364−367.
  30. Golovanov V. Experimental and theoretical studies of indium oxide gas sensors fabricated by spray pyrolysis Text. / V. Golovanov // Sensors and Actuators-2005.-B. 106-P. 563−57
  31. Epifani L. In203 Thin films obtained through a chemical complexation based sol-gel process and their application as gas sensor devices Text. /
  32. Epifani // Journal of Sol-Gel Science and Technology 2003. V.26. — P. 741−744.
  33. Huo L. H. Sol-gel route to pseudocubic shaped -Fe203 alcohol sensor: preparation and characterization Text. / L. H Huo // Sensors and Actuators 2005.-B. 107-P. 915−920.
  34. Sung Choi U. Sensing properties of Au-loaded Sn02-Co304 composites to CO and H2 Text. / U.-Sung Choi, G. Sakai, K. Shimanoe, N. Yamazoe // Sensors and Actuators 2005. — B. 10 7 — P. 397−401.
  35. Shukla S. Inverse-catalyst-effect observed for nanocrystalline-doped tinoxide sensor at lower operating temperatures Text. / S. Shukla, L. Ludwig, С. Parrish, S. Seal // Sensors and Actuators 2005. — B. 104 — P. 223−231.
  36. Kima I.-J. Sensitivity enhancement for CO gas detection using a Sn02-Ce02-Pd0x system Text. / I.-J. Kima, S.-D. Hanb,., I. Singhc, et al // Sensors and Actuators 2005. — B. 107. -P. 825−830.
  37. Lee J.-M. H2S microgas sensor fabricated by thermal oxidation of Cu/Sn double layer Text. / J.-M. Lee, B.-U. Moon, C.-H. Shim, B.-C. Kim, et al // Sensors and Actuators. 2005. — B. 108. — P. 84−88.
  38. Kong X. High sensitivity of CuO modified Sn02 nanoribbons to H2S at room temperature Text. / X. Kong, Y. Li.// Sensors and Actuators 2005. -B. 105.-P. 449−453.
  39. Suzuki T. A micromachined gas sensor based on a catalytic thick film/Sn02 thin film bilayer and thin film heater Part 1: CH4 sensing Text. / T. Suzuki, K. Kunihara, M. Kobayashi, et al // Sensors and Actuators 2005. — B. 109 -P. 185−189.
  40. Tabata S. A micromachined gas sensor based on a catalytic thick film/Sn02 thin film bilayer and a thin film heater Part 2: CO sensing Text. /
  41. S. Tabata, K. Higaki, H. Ohnishi, et al //Sensors and Actuators 2005. — B. 109.-P. 190−193.
  42. Niranjan S. N. A room temperature nitric oxide sensor actualized from Ru-doped Sn02 nanowires Text. / S. N. Ramgir, I. S. Mulla., К. P. Vijayamohanan // Sensors and Actuators. -2005. B. 107 — P. 708−715.
  43. Montmeat P. Model of the thickness effect of SnO? thick film on the detection properties Text. / P. Montmeat, R. Lalauze, J.-P. Viricelle, et al. // Sensors and Actuator.- 2004.- B. 103.- P. 84−90.
  44. А. А. Газочувствительные приборы на микромашиной мембране: комбинация кремниевой технологии и технологии толстых пленок Текст. / А. А. Васильев, А. В. Писляков, М. Zen, В. Margazin, идр. // Сенсор. 2001 — № 1 — С. 16−26.
  45. Carbajal-Franco G. Thin film tin oxide-based propane gas sensors Text. / G. Carbajal-Franco, A. Tiburcio-Silver, J. M. Dominguez, A. Sanchez-Juarez // Thin solid films. 2000. — V. 373 — P. 141−144.
  46. M. H. Газочувствительные материалы на основе оксида олова Текст. / М. Н. Румянцева, О. В. Сафонова, М. Н. Булова,
  47. Л. И. Рябова, А. М. Гаськов // Сенсор. 2003. — № 2. — С.8 — 33.
  48. В. В. Быстродействие полупроводниковых металлоксидных толстопленочных сесоров и их чувствительность к различным газам в воздушной газовой среде 4.1 Текст. / В. В. Малышев, А. В. Писляков // Сенсор. 2001 — № 1. — С. 2−15.
  49. В. В. Быстродействие полупроводниковых металлоксидных толстопленочных сесоров и их чувствительность к различным газам в воздушной газовой среде 4.2 Текст. / В. В. Малышев, А. В. Писляков
  50. Сенсор. 2002 — № 3. — С. 11−22. 1
  51. Ю. JI. Твердотельные газовые сенсоры: перспективные направления исследований Текст. / Ю. JI. Емельянов, А. А. Томченко // Приборы и системы управления. — 1998. № 7. — С. 37−40.
  52. JI. П. Газочувствительные резисторы на основе анодного оксида меди Текст. / JI. П. Милешко, О. Н. Негоденко, К. Н. Капустин // Известия вузов. Электроника. 2001. — № 6. — С. 45−47.
  53. Башкиров JL А. Перспективы использования оксидов металлов, обладающих фазовым переходом металл-полупроводник, для разработки химических газовых сенсоров Текст. / JI. А. Башкиров,
  54. У. Барди, Ю. К. Гунько и др. // Сенсор. 2003. — № 2. — С. 34−42.
  55. . Ш. Особенности микроструктуры и сенсорные свойствананонеоднородных композитных пленок Текст. / Б. Ш. Галямов, С. А. Завьялов, JI. Ю. Куприянов // Журнал физической химии. 2000. Т. 74. -№ 3.-С. 459−465.
  56. С. В. Исследование механизмов сенсибилизации допированных газовых сенсоров Текст. / С. В. Рябцев, Е. А. Тутов, А. Н. Лукин,
  57. А. В. Шапошник // Сенсор. 2001. — № 1. — С.26−30.
  58. А. Ф. Физика полупроводников Текст. / А. Ф. Иоффе M.-JL: Изд-во Академии наук СССР, 1957. — 492 с.
  59. К. Тонкопленочные солнечные элементы Текст. / К. Чопра, С. Дас М.: Мир, 1986. — 435 с.
  60. А. Е. Preparation, characteristics and photovoltaic properties of cuprous oxide a review Text. / A. E. Rakhshani // Solid-State Electronics. — 1988 — V. 29 — № 1 — P.7−17.
  61. А. Е. Electrodeposition and characterization of cuprous oxide Text. / A. E. Rakhshani A. A. Al-Jassar, J. Varghese // Thin Solid Films. -1987.-V. 148.-P. 191−201.
  62. Rakhshani A. E. The effect of temperature on electrodeposition of cuprous oxide Text. / A. E. Rakhshani J. Varghese // Phys. Stat. Sol (a). 1988 V.105.-B. 183 P. 183−188.
  63. Ю. В. Чистые химические вещества Текст. / Ю. В. Карекин И.И. Ангелов М.: Химия, 1974. — 408 с.
  64. А. И. Металловедение Текст. / А. И. Самохоцкий, М. Н. Кунявский М.: Машгиз, 1955. — 448 с.
  65. Papadimitriou L. Acceptor states distributed in energy in Cd-doped Cu20 Text. / L. Papadimitriou // Solid State Communications 1989. — V.71.3. P. 181−185.
  66. Papadimitriou L. Schottky barriers on Cu20 and their performance as solar cells Text. / L. Papadimitriou // Annuire de l’universite de Sofia «KLINENT OHRIDSKI», Physique et technologie des semi-conducteurs. 1984.-T. 78.-L. 1. -P.126−130.
  67. Papadimitriou L. Deep trap levels in cuprous oxide Text. / L. Papadimitriou, C. A. Dimitriadis, L. Dozsa and L. Andor // Solid State electronics. 1989. V.32. — № 6. -P.445 — 448.
  68. Papadimitriou L. Trap centers in cuprous oxide Text. / L. Papadimitriou, C.A. Dimitriadis, L. Dozsa // Solid State Electronics 1988. — V.31. — № 10. -P.1477- 1482.
  69. Papadimitriou L. Heterojunction solar cells on cuprous oxide Text. / L. Papadimitriou N.A. Economou // Solar cells. 1981. — V.3 — P. 73−80.
  70. Dimitriadis C. A. Resistivity dependence of the minority carrier diffusion length in single crystals of Cu20 Text. / C. A. Dimitriadis, L. Papadimitriou, N. A. Economou // Journal of materials science letters. 1983.-V.2-P. 691−693.
  71. Papadimitriou L. DLTS evaluation of nonexponential transients of defect levels in cuprous oxide (Cu20) Text. / L. Papadimitriou // Solid State Electronics. 1993 — V.36. — № 3. — P.431 — 434.
  72. Papadimitriou L. Photovoltaic properties of sputtered n-CdO films on p-Cu20 Text. / L. Papadimitriou N. A. Economou // Solid State Electronics. 1983. — V.26. — № 8 — P.767−769.
  73. Papadimitriou L. Preparation of bulk single crystals of Cu20 by the plastic flow method and investigation of their electrical properties Text. / L. Papadimitriou, N. A. Economou // Journal of Crystal Growth. 1983. -V.64. — № 3. — P. 604−608.
  74. В. В. Полупроводниковые приборы Текст. /
  75. B. В. Пасынков, JL К. Чиркин А. Д. Шинков -М.: Высш. школа 1966 -414 с.
  76. А. Н. Курс химии Текст. / Под ред. А. Н. Харина М.: Высш. школа, 1983−384 с.
  77. Lee J. Epitaxial growth of Cu20 (111) by electro-deposition Text. / J. Lee, Y. Так // Electrochemical and Solid-State letters. 1999. — V. 2. — B. 11.-P. 559−560.
  78. Lee J. Electrochemical deposition of a single phase of pure Cu20 films by current modulation methods Text. / J. Lee, Y. Так // Electrochemical and Solid-State letters. 2000. — V.3. — B.2. — P. 69−72.
  79. Kale S. N. Magnetism in cobalt doped Cu20 thin films without and with Al, V, Zn codopants Text. / S. N. Kale S. B. Ogale S. R. Shinde, et al // Appl. Rhys. Lett.-2003.-V. 82.-P. 2100−2102.
  80. M. И. Определение выхода по току при оксидировании меди переменным током Текст. / М. И. Марчевская, П. М. Вячеславов, Г. К. Буркат и др. // Журнал прикладной химии. 1982. -Т. LV. — № 3. — С. 690−691.
  81. М. И. Оксидирование меди на переменном токе в водных растворах едкого натра Текст. / М. И. Марчевска, Х. Б. Петров // Журнал прикладной химии. 1980. Т. LIII. — № 2. С. 329−334.
  82. Fortin Е. Photovoltaiceffects in Cu20-Cu solar cells grown by anodic oxidation Text. / E. Fortin, D. Masson // Solid State Electronics. 1982. -V.25 — № 4. — P.281−283.
  83. В. JI. Основы электрохимии Текст. / В. Л. Кубасов,
  84. C. А. Зарецкий М.: Химия 1985, — 186 с.
  85. Л. А. Анодное окисление меди в сульфатно-хлоридном электролите Текст. / Л. А. Светличная, Л. П. Милешко, А. Н. Королев // Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 2004.-9 с. — Деп. в1. ВИНИТИ 21.10.2004 № 1651.
  86. М. В. Основы теории и практики электрохимической обработки металлов и сплавов Текст. / М. В. Щербак, М. А. Толстая,
  87. A. П. Анисимов В. X. Постаногов М.: Машиностроение, 1981 — 263 с.
  88. Н. П. Прикладная электрохимия Текст. / Под ред. Н. П. Федотьева Л.: Химия, 1967. — с.600.
  89. Глинка Н. J1. Общая химия: Учеб. пособие для вузов Текст. / Под ред.
  90. B. А. Рабиновича. Д.: Химия, 1985. — 704 с.
  91. А. Н. Кинетические и термодинамические особенности процесса получения и механизм газочувствительности анодных оксидных пленок меди (I) Текст. / А. Н. Королев, JI. П. Милешко,
  92. Л. А. Светличная Текст. // Труды VIII МНТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», ПЭМ-2002, п. Дивноморское, Краснодаский кр., 14−19 сентября 2002 г., 4.1 — С. 169−171.
  93. А. Электролитические конденсаторы Текст. / А. Гюнтершульце, Г. Бетц М.-Л.: Оборонгиз, 1938. — 243 с.
  94. И. Н. Анодные покрытия на легких сплавах Текст. /
  95. И. Н. Францевич, В. И. Лавренко, А. Н. Пилянкевич и др. К.: Наук, думка, 1977.— 259с.
  96. Gan Z. Н. Preparation and characterization of copper oxide thin films deposited by filtered cathodic vacuum arc Text. / Z. H. Gan, G. Q. Yu, B. K. Tay, et al. // Journal of Physics D: Applied Physics. 2004, V. № 37. -P. 81−85.
  97. Svetlichnaya L. A. Structure and composition of Cu20 films produced by anodizing copper foil on fiberglass laminate Text. / L. A. Svetlichnaya,
  98. P. Mileshko, A. N. Korolev // Inorganic Materials 2008 — Vol. 44 — №. 7.-P. 713−720.
  99. JI. А. Электрофизические свойства хлорсодержащего анодного Cu20 Текст. / JI. А. Светличная, JI. П. Милешко, А. Н. Королев // Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 2004.-7 с. -Деп. в ВИНИТИ 21.10.2004 № 1650
  100. К. В. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам Текст. / Под ред. К. В. Шалимовой — М.: Высш. школа, 1968, 464 с.
  101. JI. А. Электрофизические свойства анодных пленок хлорсодержащего Си20 на стеклотекстолите Текст. /
  102. Л. А. Светличная, Л. П. Милешко, А. Н. Королев// Известия вузов. Электроника. 2008. — № 2. — С. 39−42.
  103. Pollack G. P. Photoelectric properties of cuprous oxide Text. /
  104. G. P. Pollack // Journal of Applied Physics. V. 46. — № 1. — P. 163−172.
  105. Сборник методик и инструктивных материалов по определению вредных веществ для контроля источников загрязнения окружающей среды Текст./ Под ред. JT. В. Коплик, 4 1.- Краснодар: Изд-во «Северный Кавказ», 1993. 223 с.
  106. Л. А. Газочувствительные резисторы на основе анодных пленок Си20 Текст. / Л. А. Светличная // Сб. статей III Всероссийской конференции молодых ученых «Актуальные проблемы электрохимической технологии» г. Саратов: СГТУ — 2008. — С. 192 195.
  107. А. Н. Применение анодных пленок Си20 для создания мультисенсорных систем Текст. / А. Н. Королев, В. Н. Котов, Л. П. Милешко, Л. А. Светличная // Электронная промышленность. 2008. -№ 3. — С.29.
  108. Baratto С. Metal oxide nanocrystals for gas sensing Text. / C. Baratto,
  109. E. Comini, G. Faglia, et al. // Sensors and Actuators. 2005. — B. 109. — P. 2−6.
  110. Sergiu T. S. Sensing characteristics of tin-doped ZnO thin films as N02 gas sensor TextO / T. S. Sergiu, S. S. Teodor, I. L. Oleg // Sensors and Actuators. 2005. — B. 107. — P. 379−386 129
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!