Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности явлений переноса в кристаллах PbSb2Te4 и Sb2 (Te1-xSex) 3

Диссертация: Особенности явлений переноса в кристаллах PbSb2Te4 и Sb2 (Te1-xSex) 3
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В диссертационной работе выполнены комплексные исследования температурных зависимостей основных кинетических коэффициентов электропроводности, Холла, Зеебека, поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропии в интервале температур 77−450 К в кристаллах РЬБЬгТе^Си и 8Ь2Тез-х8ех. Проанализирована анизотропная картина механизмов рассеяния дырок. Сделаны оценки вкладов в подвижность дырок… Читать ещё >

Особенности явлений переноса в кристаллах PbSb2Te4 и Sb2 (Te1-xSex) 3 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Физико-химические и электрофизические свойства материалов на основе 8Ь2Те3 (обзор литературы)
    • 1. 1. Физико-химические свойства соединений на основе 8Ь2Те
      • 1. 1. 1. Кристаллическая структура теллурида сурьмы
      • 1. 1. 2. Диаграмма состояний БЬ-Те
      • 1. 1. 3. Кристаллическая структура РЬ8Ь2Те
      • 1. 1. 4. Диаграмма состояний РЬТе — 8Ь2Те
      • 1. 1. 5. Дефекты в кристаллах соединений на основе 8Ь2Те
    • 1. 2. Зонная структура кристаллов 8Ь2Те
    • 1. 3. Явления переноса в кристаллах на основе 8Ь2Те
      • 1. 3. 1. Эффект Холла
      • 1. 3. 2. Термоэдс
      • 1. 3. 3. Электропроводность
      • 1. 3. 4. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена
    • 1. 4. О механизмах рассеяния носителей тока
    • 1. 5. Влияние меди на свойства кристаллов РЬ8Ь2Те
    • 1. 6. Влияние изовалентного замещения теллура селеном на свойства кристаллов 8Ь2Те3. х8ех
  • Выводы к главе
  • Глава 2. Методика и техника эксперимента
    • 2. 1. Выбор метода исследования
    • 2. 2. Измерительная установка
    • 2. 3. Оценки погрешностей измерений
    • 2. 4. Технология изготовления кристалла
    • 2. 5. Подготовка образцов для измерений кинетических коэффициентов
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. Экспериментальные данные и их качественное обсуждение
    • 3. 1. Коэффициент Холла
    • 3. 2. Коэффициент термоэдс
    • 3. 3. Удельная электропроводность
    • 3. 4. Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена
  • Выводы к главе 3
  • Глава 4. Основные механизмы рассеяния дырок в РЬ8Ь2Те4 и 8Ь2Тез-х8ех
    • 4. 1. Расчет температурной зависимости эффективного параметра рассеяния дырок и его анизотропии
      • 4. 1. 1. Кристаллы твердого раствора 8Ь2Те3×8ех
      • 4. 1. 2. Кристаллы РЬ8Ь2Те4: Си
    • 4. 2. Оценка парциальных подвижностей из экспериментальных данных
      • 4. 2. 1. Кристаллы 8Ь2Тез. х8ех
      • 4. 2. 2. Кристаллы РЬ8Ь2Те4: Си
    • 4. 3. Теоретические оценки подвижностей доминирующих механизмов рассеяния дырок
      • 4. 3. 1. Кристаллы 8Ь2Тез. х8ех
      • 4. 3. 2. Кристаллы РЬ8Ь2Те4: Си
  • Выводы к главе 4
  • Глава 5. Описание явлений переноса в РЬ8Ь2Те4 и 8Ь2Тез-х8ех в двухзонной модели при учете межзонного рассеяния
    • 5. 1. Кинетические коэффициенты в двухзонной модели валентной зоны
    • 5. 2. Рассмотрение экспериментальных данных коэффициентов Холла и термоэдс в рамках двухзонной модели
    • 5. 3. Описание температурных зависимостей кинетических коэффициентов в двухзонной модели с учетом межзонного рассеяния в
  • PbSb2Te4:Cu
    • 5. 4. Описание температурных зависимостей кинетических коэффициентов в двухзонной модели с учетом межзонного рассеяния в
  • Sb2Te3.xSex
  • Выводы к главе 5

Актуальность темы

исследования.

В настоящее время основными используемыми материалами для термоэлектрических преобразователей, работающих вблизи комнатной температуры, являются сплавы на основе теллуридов висмута и сурьмы [1]. Однако более широкое применение термоэлектрических охладителей и генераторов сдерживает невысокий коэффициент полезного действия (на уровне 8%) [2]. Поэтому важной задачей является поиск новых материалов с высокой термоэлектрической эффективностью.

Одним из перспективных направлений синтеза новых термоэлектрических материалов является синтез соединений на основе А2УВ3У1 — А1УВУ1, характеризующихся низкими значениями теплопроводности. К подобным тройным слоистым халькогенидам относится соединение РЬ8Ь2Те4, имеющее кристаллическую решетку с ромбоэдрической симметрией [3].

Термоэлектрические свойства материала определяются, в первую очередь, свойствами электронного газа, зонной структурой и механизмами рассеяния. Кроме того, знание параметров энергетического спектра и механизмов рассеяния носителей тока позволяет рассчитать электрофизические свойства при рабочих температурах и оценить перспективность использования данного материала в термоэлектричестве. Также известно, что введение различных добавок в исходные соединения может оказывать значительное влияние на электрофизические свойства получаемых материалов [4].

На основании вышеизложенного можно заключить, что исследования электрофизических свойств методом измерения температурных зависимостей кинетических коэффициентов и их анизотропии с целью определения параметров энергетического спектра, механизмов рассеяния носителей тока и влияния различных добавок на них являются актуальной задачей.

Цель диссертационной работы.

Определить параметры энергетического спектра дырок, установить доминирующие механизмы рассеяния носителей тока кристаллов соединений РЬ8Ь2Те4: Си и 8Ь2Тезх8ех из экспериментальных данных и провести согласованный расчет температурных зависимостей исследованных кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропии.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Выполнить комплекс измерений температурных зависимостей кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропии в диапазоне температур от 77 до 450 К.

2. Выявить характер изменения кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах на основе соединений РЬ8Ь2Те4 в зависимости и температуры и легирования примесями селена и меди.

3. Установить доминирующие механизмы рассеяния и оценить их вклады в подвижность в плоскости скола и вдоль тригональной оси кристалла сз.

4. На основе имеющихся в литературе сведений о зонной структуре и анализе температурных зависимостей полученных экспериментальных данных для каждого исследованного соединения выбрать модель описания зонной структуры.

5. В рамках предложенной модели зонной структуры определить основные параметры энергетического спектра носителей тока исследованных кристаллов.

6. Рассчитать с учетом найденных параметров энергетического спектра дырок температурные зависимости коэффициентов Холла, термоэдс и Нернста-Эттингсгаузена.

Научная новизна.

В работе впервые выполнено комплексное измерение кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропии на сериях кристаллов 8Ь2Те3. х8ех (х = 0, 0,05, 0,1) и РЬ8Ь2Те4, легированных медью, в интервале температур 77 — 450 К.

Установлено, что в кристаллах РЬ8Ь2Те4, легированных медью, в области низких температур (Т ~ 100 К) две компоненты тензора Нернста-Эттингсгаузена 0, ъг и <2у1 положительны, а третья (2гъ отрицательна, в то время как в других узкозонных полупроводниках на основе АУ2ВУ13 три компоненты Нернста-Эттингсгаузена отрицательны, за исключением РЬ8Ь2Те4, у которого компонента положительна.

Предложено объяснение наблюдаемых особенностей температурных зависимостей компонент тензоров Нернста-Эттингсгаузена и термоэдс.

Впервые, для исследованных кристаллов, сделаны теоретические оценки подвижностей, обусловленных рассеянием на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей и дефектов, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальным значением холловской подвижности в плоскости скола и вдоль тригональной оси сз и эффективного параметра рассеяния, величина которого согласуется с его оценкой из анизотропии термоэдс и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в плоскости скола и вдоль тригональной оси с3.

Впервые для кристаллов РЬ8Ь2Те4: Си и 8Ь2Те3. х8ех в рамках двухзонной модели с основным и дополнительным экстремумами валентной зоны и учете межзонного рассеяния, удалось описать температурные зависимости кинетических коэффициентов Холла, термоэдс и Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне температур от 77 до 300 К.

Теоретическая значимость. Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы, обусловливающие теоретическую значимость проведенных исследований.

1. Получен полный набор данных, необходимых для теоретического описания свойств полупроводниковых материалов.

2. Установлена картина механизмов рассеяния, объясняющая основные особенности температурных зависимостей анизотропии термоэдс и Нернста-Эттингсгаузена в соединениях РЬБЬгТе^Си и 8Ь2Тез. х8ех.

3. Сформулирована модель, предложена процедура расчета и уточнены параметры зонной структуры в рамках двухзонной модели с учетом межзонного рассеяния, что позволило объяснить особенности температурных зависимостей исследованных явлений переноса. Полученные в результате диссертационного исследования сведения могут быть применены для прогнозирования электронных свойств исследованных материалов.

Практическая значимость. Совокупность данных, полученных в результате диссертационного исследования, может быть использована для оптимизации электрофизических свойств термоэлектрических материалов на основе соединений 8Ь2Тез. Полученные в работе данные по анизотропии кинетических коэффициентов в соединениях РЬ8Ь2Те4: Си и 8Ь2Те3×8ех могут быть использованы при разработке анизотропных термоэлектрических преобразователей, работающих вблизи комнатной температуры.

Методы исследования:

1. Измерение температурных зависимостей независимых компонент кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне температур 77 — 450 К.

2. Анализ полученных температурных зависимостей исследованных кинетических коэффициентов и их анизотропии в зависимости от состава.

3. Расчет параметров энергетического спектра носителей тока на основе измеренных кинетических коэффициентов и их анизотропии для каждого кристалла.

Предметом исследования являются закономерности изменения электрофизических свойств в зависимости от температуры и состава монокристаллов 8Ь2Тез. х8ех (х = 0, 0,05, 0,1) и РЬ8Ь2Те4 с добавками Си.

Объектом исследования являются серии кристаллов 8Ь2Те3. х8ех (х = 0, 0,05, 0,1) и РЬ8Ь2Те4, легированные медью, выращенные методом Чохральского.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Наблюдаемая анизотропия и разные знаки коэффициентов Нернста-Эттингсгаузена Qm в кристаллах PbSb2Te4: Cu определяются анизотропией подвижности и смешанного механизма рассеяния, причем в плоскости скола доминирует рассеяние на акустических фононах, а вдоль тригональной осипримесное. Особенности температурных зависимостей коэффициентов Нернста-Эттингсгаузена обусловлены изменением соотношения вкладов в подвижность основных механизмов рассеяния.

2. Наличие в PbSb2Te4: Cu смешанного механизма рассеяния носителей заряда с преобладанием рассеяния на акустических фононах в плоскости скола и кулоновском потенциале примесей и дефектов вдоль тригональной оси и изменение соотношения их вкладов с температурой подтверждается величиной, анизотропией и температурной зависимостью эффективного параметра рассеяния, определенного из совместного анализа температурных зависимостей кинетических коэффициентов Нернста-Эттингсгаузена, Холла, термоэдс, электропроводности и их анизотропии.

3. Рассчитанные подвижности и эффективные параметры рассеяния дырок в плоскости скола и вдоль тригональной оси для PbSb2Te4 и Sb2Te3xSex из теоретических оценок парциальных подвижностей при рассеянии на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей и дефектов имеют значения, близкие к экспериментальным.

4. Характер температурных зависимостей обеих компонент тензора Холла Rm и Яш свидетельствует о сложном строении валентной зоны кристаллов PbSb2Te4 и Sb2Te3.xSex. Температурные зависимости кинетических коэффициентов Холла, термоэдс и Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне температур от 77 до 300 К могут быть описаны в рамках двухзонной модели с учетом межзонного рассеяния, температурных зависимостей ширины энергетического зазора между неэквивалентными экстремумами валентной зоны AEV (T) и фактора Холла А (Т), а также параметров энергетического спектра дырок: химических потенциалов дырок Ц1 и |!2, масс плотности состояния дырок m*d и m d2, отношения подвижностей дырок Ь в основном и дополнительном экстремумах соответственно.

Достоверность результатов обеспечивается использованием высококачественных кристаллов РЬ8Ь2Те4, легированных медью и 8Ь2Те3. х8ех, выращенных методом Чохральского, применением хорошо зарекомендовавшего и многократно проверенного при исследовании полупроводников и металлов методом измерения температурных зависимостей кинетических коэффициентов Холла, электропроводности, термоэдс и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне температур 77−450 К и магнитном поле до 1,4 Тл.

Обоснованность выводов обеспечивается использованием расчетных моделей, адекватных поставленным задачам в рамках современных представлений физики конденсированного состояния, и хорошим согласием результатов расчета с экспериментом, а также с данными, имеющимися в литературе.

Апробация работы. Основные научные результаты докладывались на следующих конференциях и семинарах: 12-ой научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем» (СПб, 2009), XII межгосударственном семинаре «Термоэлектрики и их применения» (СПб, 2010), пятом всероссийском форуме студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука и инновации в технических университетах» (СПб, 2011), 14-ой научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем» (СПб, 2011), IV международной научно-практической конференции «Инновационные технологии в технике и образовании» (Чита, 2012), шестом всероссийском форуме студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука и инновации в технических университетах» (СПб, 2012), XIII межгосударственном семинаре «Термоэлектрики и их применения» (СПб, 2012), международной научно-практической конференции «Неделя науки СПбГПУ» (СПб, 2009 — 2012), международной научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» (Чита, 2013).

Основные результаты и выводы.

1. Выполнено комплексное исследование девяти компонент тензоров кинетических коэффициентов: Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста-Эттингсгаузена в диапазоне температур 77−450 К на сериях монокристаллов 8Ь2Те3×8ех (х=0- 0,05- 0,1) и РЬ8Ь2Те4, легированных медью.

2. Установлено, что анизотропия, знаки и величины компонент тензора Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах РЬ8Ь2Те4: Си определяются анизотропией подвижности и смешанным механизмом рассеяния с доминирующими механизмами рассеяния на акустических фононах в плоскости скола и кулоновском потенциале примесей и дефектов вдоль тригональной оси.

3. Показано, что анизотропия коэффициентов термоэдс и Нернста-Эттингсгаузена обусловлена смешанным механизмом рассеяния дырок, характеризуемым эффективным параметром рассеяния. Полученные величины эффективного параметра рассеяния согласуются с предположением о смешанном механизме рассеяния дырок с различными доминирующими механизмами рассеяния в плоскости скола и в направлении перпендикулярном им.

4. Оценки парциальных подвижностей доминирующих механизмов рассеяния по формулам для рассеяния на акустических фононах и Брукса-Херринга для рассеяния на ионах примеси удовлетворительно согласуются с экспериментальными значениями подвижности во всех исследованных кристаллах на основе 8Ь2Тез.

5. Подтверждено сложное строение валентной зоны соединений на основе 8Ь2Те3. Показано, что наблюдаемые особенности температурных зависимостей могут быть объяснены при учете межзонного рассеяния.

6. Экспериментальные зависимости термоэдс ?(7), Холла Я (Т) и Нернста-Эттингсгаузена (2(Т) согласованы с расчетом в рамках двухзонной модели с учетом межзонного рассеяния со следующими параметрами для кристаллов РЬ8Ь2Те4: Си: ~ 0,5 ш0, тА1 ~ 0,9 ш0, Ь ~ 4, Ц! ~ 0,22 эВ (Г = 100 К), АЕу ~ 0,23 — 0,045-(77 100 — 1) эВи для кристаллов 8Ь2Те3. х8ех (х = 0, 0,05, 0,1), имеющих близкие параметры: тА ~ 0,7 т0, тА2 ~ 1,4 т0, Ь ~ 6, Ц1 -0,11 эВ (Т= 100 К), АЕу (7) ~ 0,13 — 0,01 -(Г/100 — 1) эВ.

Заключение

.

В диссертационной работе выполнены комплексные исследования температурных зависимостей основных кинетических коэффициентов электропроводности, Холла, Зеебека, поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена и их анизотропии в интервале температур 77−450 К в кристаллах РЬБЬгТе^Си и 8Ь2Тез-х8ех. Проанализирована анизотропная картина механизмов рассеяния дырок. Сделаны оценки вкладов в подвижность дырок акустического и примесного механизмов рассеяния. Показана необходимость учета вклада межзонного рассеяния дырок. В двухзонной модели оценены основные параметры энергетического спектра обоих сортов носителей тока.

В заключение выражаю искреннюю благодарность моему научному руководителю профессору Немову Сергею Александровичу за предложение темы данной работы, проявленное внимание к работе и помощь в обсуждении экспериментальных и расчетных результатов. Благодарю всех соавторов опубликованных работ по теме диссертационного исследования, и особенно старшего научного сотрудника Житинскую Марину Константиновну, доцента Прошина Владимира Ивановича, сотрудников Института металлургии и материаловедения РАН: старшего научного сотрудника Иванову Лидию Дмитриевну, ведущего научного сотрудника Шелимову Людмилу Евгеньевну и Свечникову Татьяну Евгеньевну за предоставленные для экспериментальных исследований кристаллы. Благодарю также коллективы кафедр «Прикладной физики и оптики твердого тела» и «Технология и исследование материалов» за созданную доброжелательную рабочую атмосферу и помощь в работе.

Публикации по теме диссертационной работы.

1. Благих, Н. М. Анизотропия поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле РЬ8Ь2Те4, легированном медью / Н. М, Благих, С. А. Немов, Л. Е. Шелимова // Научно-технические ведомости СПбГПУ. — 2011. — № 3(129) физико-математические науки. — С.7−10.

2. Немов, С. А. Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в РЬ8Ь2Те4/ С. А. Немов, Н. М. Благих, Н. С. Дёма, М. К. Житинская, В. И. Прошин, Т. Е. Свечникова, Л. Е. Шелимова // ФТП — 2012. — Т. 46, вып. 4. — С.463−468.

3. Немов, С. А. Оценка параметров зонного спектра и механизмов рассеяния РЬ8Ь2Те4: Си/ С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова // Ученые записки ЗабГГПУ, серия Физика, математика, техника, технология. — 2012. — № 3(44). — С. 88−92.

4. Немов, С. А. Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в РЬ8Ь2Те4 / С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова // ФТП. -2013. — Т. 47, вып. 1. — С. 18−23.

5. Немов, С. А. Описание явлений переноса в РЬ8Ь2Те4 в двухзонной модели при учете межзонного рассеяния / С. А. Немов, Н. М. Благих, В. Д. Андреева // Научные ведомости Белгородского государственного университета, серия: Математика. Физика.-2013.-№ 11 (154), вып. 31.-С. 181−189.

Тезисы и труды конференций:

6. Благих, Н. М. Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле 8Ь2Те2.98е0.1 / Н. М. Благих, А. Ю. Пучков // 12-я научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем» тезисы докладов. — СПб. — 2009. — С.29−30.

7. Благих, Н. М. Анизотропия коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле 8Ь2Те2−98е0л / Н. М. Благих, С. А. Немов // XXXVIII Неделя науки СПбГПУ: Материалы международной научно-практической конференции Ч. IX. — СПб, изд-во Политехнического университета. — 2009. — С 180−181.

8. Благих, Н. М. Анизотропия коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в PbSt>2Te4, легированном медью / Н.М., Благих, Н. С. Дёма, A.C. Каральская, С. А. Немов // XXXIX Неделя науки СПбГПУ: Материалы международной научно-практической конференции Ч. IX. — СПб, Изд-во Политехнического университета. -2010.-С. 147−148.

9. Благих, Н. М. Влияние легирования медью на электрофизические свойства кристаллов PbSb2Te4 / Н. М. Благих, М. К. Житинская, С. А. Немов, В. И. Прошин, Т. Е. Свечникова, A.A. Тихонова, JI.E. Шелимова // Доклады XII межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения» — СПб, ФТИ (РАН). — 2010. — С. 282−286.

10. Благих, Н. М. Анизотропия коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле Sb2Te2.95Seo.05 / Н. М. Благих // материалы пятого всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука и инновации в технических университетах» — СПб, изд-во политехнического университета. -2011.-С. 95−96.

11. Благих, Н. М. Физические причины возникновения анизотропии кинетических коэффициентов в сильно анизотропных кристаллах PbSb2Te4 / Н. М. Благих, A.B. Шаповаленко, С. А. Немов. // 14-я научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наносистем» тезисы докладов. — СПб. — 2011. — С. 44.

12. Благих, Н. М. Эффект Нернста-эттингсгаузена и другие кинетические явления в твердых растворах Sb2Te3-xSex / Н. М. Благих, С. А. Немов // XL Неделя науки СПбГПУ: Материалы международной научно-практической конференции Ч. IX. — СПб, изд-во Политехнического университета. — 2011. — С. 152−154.

13. Каральская, A.C. Влияние легирования медью на анизотропию термоэдс в PbSb2Te4 / A.C. Каральская, Н. М. Благих, В. И. Прошин // XL Неделя науки СПбГПУ: Материалы международной научно-практической конференции Ч. IX. — СПб, изд-во Политехнического университета. — 2011. — С. 129−131.

14. Немов, С. А. Перспективы развития термоэлектричества: исследование новых материалов / С. А. Немов, Н. М. Благих // Материалы IV международной научно-практической конференции «Инновационные технологии в технике и образовании» — Чита, ЗабГГПУ. — 2012. — С.51−56.

15. Немов С. А., Анизотропия рассеяния носителей заряда в РЬ8Ь2Те4 / С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова // Материалы IV международной научно-практической конференции «Инновационные технологии в технике и образовании» — Чита, ЗабГГПУ. — 2012. — С.57−60.

16. Благих, Н. М. Особенности энергетического спектра в РЬ8Ь2Те4. / Н. М. Благих // материалы шестого всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука и инновации в технических университетах» — СПб, изд-во Политехнического университета. — 2012. — С. 147−148.

17. Благих, Н. М. Особенности строения валентной зоны / Н. М. Благих, С. А. Немов // ХЫ Неделя науки СПбГПУ: Материалы международной научно-практической конференции Ч. VI. — СПб, изд-во Политехнического университета. -2012.-С. 87−90.

18. Немов, С. А. Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в РЬ8Ь2Те4: Си / С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова // Доклады XIII межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применения» (ноябрь 2012) — СПб, ФТИ (РАН). — 2013. — С. 134−139.

19. Немов, С. А. Параметры энергитического спектра дырок в РЬ8Ь2Те4 / С. А. Немов, Н. М. Благих // Материалы международной научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» -Чита.: ЗабГУ — 2013. — С. 7−12.

20. Немов, С. А. Проявление межзонного рассеяния в температурных зависимостях кинетических коэффициентов в материалах на основе 8Ь2Те3 / С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Д. Иванова // Материалы международной научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества"-Чита.: ЗабГУ- 2013. — С. 12−15.

Показать весь текст

Список литературы

  1. JI.Д. Материалы на основе халькогенидов висмута и сурьмы для каскадов термоохладителей / Л. Д. Иванова, JI.E. Петрова, Ю. В. Гранаткина, B.C. Земсков и др. // Неорганические материалы. -2011. Т. 47, № 5. — С 521−527.
  2. Л.П. Термоэлектричество в России: история и современное состояние /Л.П. Булат, Е. К. Иорданишвили, А. А, Пустовалов, М. И. Федоров // Термоэлектричество. 2009. -№ 4. -С. 7−31.
  3. Л.Е. Синтез и структура слоистых соединений в системах PbTe-Bi2Te3 и PbTe-Sb2Te3 / Л. Е. Шелимова, О. Г. Карпинский, Т. Е. Свечникова, Е. С. Авилов и др. // Неорганические материалы. -2004. -Т.40, № 12. -С. 14 401 447.
  4. Л.Д. Электрофизические свойства монокристаллов теллурида сурьмы, легированных селеном и висмутом / Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, Ю. А. Сидоров // Неорганические материалы. 1999. — Т.35., № 1. — С. 44−52.
  5. A.B. Химические аспекты создания термоэлектрических материалов /A.B. шевельков // Успехи химии. 2008. -Т. 77., вып. 1. — С.3−21
  6. В.Н. Элементы структурной кристаллографии: учебное пособие. / В. Н. Арисова, О. В. Слаутин. -Волгоград.: РПК «Политехник» ВолгГТУ. 2007. -94 с.
  7. .Ф. Структура неорганических веществ / Б. Ф. Ормонт. -М.: Наука. 1960. -245с.
  8. В.Д. Кристаллы и кристаллизация / В. Д. Кузнецов. -М.:ГИТТЛ. 1954.-312с.
  9. Smith М., Propeties of Bi2Te3-Sb2Te3 alloys. / M. Smith, R. Knight, C. Spencer // J.Appl. Phys. 1962. — vol. 33, №. 7. — pp. 2186−2190.
  10. В.Н. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов ромбоэдрической сингонии / В. Н. Королышин, К. Д. Товстюк // Укр. физ. журн. -1972.-Т. 17, № 11.-С. 1819−1826.
  11. .А. Электронная структура полуметаллов группы V / Б. А. Волков, Л. А. Фальковский // ЖЭТФ. 1962. -Т43, № 3(9). -С. 1089−1101.
  12. Г. А. Теория группы и её приложение в физике / Г. А. Любарский. -М.: Физматгиз. -1958. 312 с.
  13. И.В. Электрофизические свойства и электронная структура теллурида сурьмы, легированного оловом. /И.В. Гасенкова, М. К. Житинская, С. А. Немов, Л. Д. Иванова // ФТТ. -2002. т.44., вып. 10. — С. 1766−1769.
  14. И.В. Особенности кристаллической структуры и гомогенность полупроводниковых материалов A2VB3VI: монография / И.В. Гасенкова- под ред. Л. М. Лынькова. -Минск.: Бестпринт. -2004. -120 с.
  15. Schneider M.N. Real structure property relationships of metastable ternary antimony tellurides and related compounds: Dissertation zur Erllangung des Doktorgrades / Schneider Matthias Nikolaus // Munchen. -2011. — 280 p.
  16. В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов / В. К. Григорович. -М.: Наука. -1966. 224 с.
  17. C.B. Термоэлектрические свойства и характер связей системы Bi2Te3-Sb2Te3 / C.B. Айрапетянц, Б. А. Ефимова // ЖТФ. 1958. — № 28. -С.1768−1774.
  18. И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников: М.: Мир. -2002. -376 с.
  19. Х.П. Физическая химия полупроводников / Х. П. Сюше. -М.: Металлургиздат. -1955. -332с.
  20. В.Г. Диаграммы состояний и структуры сплавов в системах Bi2Se3-Sb2Te3 и Bi2Te3-Sb2Se3 / В. Г. Кузнецов, К. К. Палкина // Журнал неорганической химии. 1963. — Т. 8, вып. 5. -С. 1204−1218.
  21. Н.Х. Получение и исследование монокристаллов Sb2Te3 и твердого раствора (Bi0.5Sbi.5)Te3, легированного Те и Se / Н. Х. Абрикосов, Л. Д. Иванова, Т. И. Фетисова // изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1976. -Т.12, № 12. — С.810
  22. Karamazov S. VegarcTs rule and Sb2Te3. xSex crystals / S. Karamazov, P. Nesladek, J. Horak, M. Matyas // Phys. Stat. sol. (b). -1996. vol. 194, issue 1, -pp.l 87 194.
  23. Н.Х. Исследование системы PbTe-Sb2Te3 / Н. Х. Абрикосов, Е. И. Елагина, М. А. Попова // изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1965. -Т. 1, № 12.-С. 2151−2154.
  24. Най Д. Физические свойства кристаллов / Д. Най. М.: Мир. — 1960.254 с.
  25. Husub Jin Candidates for topological insulators: Pb based chalcogenide series / Hosub Jin, Jung-Hwan Song, Arthur J. Freeman and Mercouri G. Kanatzidis // Phys. Rev. B. -vol. 83., issue 4. -pp. 41 202−4
  26. Bjorkman Т. Van der Waals Bonding in Layered Compounds from Advanced Density-Functional First-Principles Calculations / T. Bjorkman, A. Gulans, A.V. Krasheninnikov and R.M. Nieminen // Phys. Rev. Lett. -2012. Vol. 108., issue 23. -p.235 502−5
  27. B.C. Термоэлектрические материалы на основе слоистых тетрадемитоподобных халькогенидов / B.C. Земсков, Л. Е. Шелимова, П. П. Константинов, Е. С. Авилов и др. // Цветные металлы. 2011. -№ 5. -С. 19−26.
  28. Л.Е. Легирование Cd, Ag и Те монокристаллов слоистых соединений PbBi4Te7 и PbSb2Te4 / Л. Е. Шелимова, О. Г. Карпинский, Т. Е. Свечникова, И. Ю. Нихезина и др. // Неорганические материалы -2008. -Т. 44, № 3. С. 1−7.
  29. Ikeda Т. Solidification processing of alloys in the pseudo-binary PbTe-Sb2Te3 system / T. Ikeda, S. M. Haile, V.A. Ravi, H. Azizgolsani et al. // Acta Materialia. -2007. -vol.55, -pp. 1227−1239.
  30. Ikeda T. Solidification Processing of Te-Sb-Pb Alloys For Thermoelectricth
  31. Applications /Т. Ikeda, H. Azizgolshani, S.M. Haile, G.J. Snyder and V.A. Ravi/ 24 International Conference on Thermoelectrics. Proceedings, ICT05. 2005. -pp. 132 135.
  32. Buyanov Yu. I. Phase composition and thermodynamic properties of alloys of the Te-PbTe-Sb2Te3 system /Yu.I. Buyanov, L.V. Goncharuk and V.R. Sidorko // Powder Metallurgy and Metal Ceramics. -1999. -vol. 38, № 5−6. -pp. 270−273.
  33. Л.Й. Точков1 дефекта i мехашзми утворения твердих розчишв PbTe-Sb2Te3/ Л. И. Межиловська, В. М. Бойчук, О. В. Ткачик // <1пзика i xiMifl твердого тша. 2005. -Т.6., № 1. -С. 114−119.
  34. Е.В. Физика твердого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках: учебное пособие / Е. В. Владимирская, В. Э. Гасумянц, В.Г. Сидоров/ СПб.: Изд-во СПбГТУ. 2000. — 62 с.
  35. , Л.С. Физика полупроводников / Л. С. Стильбанс / М.: «Советское радио». 1967. -452с.
  36. Haijun Zhang Topological insulators in Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface /Haijun Zhang, Chao-Xing Liu, Xiao-Liang Qi, Xi Dai, Zhong Fang and Shou-Cheng Zhang // Nature Physics. -2009. -Vol. 5., No 6. pp 369 447.
  37. Wang G. Electronic structure of the thermoelectric materials Bi2Te3 and Sb2Te3 from first-principles calculations / G. Wang and T. Cagin // Phys. Rev. B. 2007. -vol. 76. — pp.75 201−8.
  38. Г. Теория зон Бриллюэна и электронных состояний в кристаллах / Г. Джонс. -М.: Мир. 1968. — 264с.
  39. Drabble J.R. Anisotropic Galvanomagnetic Effects in Semiconductors / J.R. Drabble and R. Wolfe // Proc. Phys. Soc. B. 1956. -vol. 69, № 11. -pp. 1101−1108.
  40. Drabble J.R. Galvanomagnetic Effects in p-type Bismuth Telluride / J.R. Drabble // Proc.Phys. Soc. 1958. -vol. 72, № 3. -pp. 380−390.
  41. Falicov L.M. Band Structure and Fermi Surface of Antimony: Pseudopotential Approach / L.M. Falicov, P.J. Lin //Phys. Rev. 1966. -vol. 141, № 2. -pp. 830−832.
  42. Golin S. Band Model for Bismuth-Antimony Alloys / S. Golin // Phys. Rev. 1968. -vol. 176, № 3. -pp. 562−567.
  43. Stordeur M. Investigation of the Weak-Field Charge Transport in Semiconducting V2-VI3 Compounds with Trigonal Symmerty / M. Stordeur // Phys. stat. sol. (b). -1984. -vol. 124, issue 1. -pp. 439−446.
  44. Stordeur M. Investigation of the Weak-Field Charge Transport in Semiconducting V2-VI3 Compounds with Trigonal Symmerty / M. Stordeur and G. Simon // Phys. stat. sol. (b). -1984. -vol. 124, issue 2. -pp. 799−806.
  45. K.B. Физика полупроводников / K.B. Шалимова. М.: Энергоатомиздат. -1985. -392 с.
  46. Д. Электронная структура. Экспериментальные результаты // физика металлов под ред. Дж. Займана. / Д. Шенберг. М.: Мир. -1972. -С. 75−128.
  47. Ketterson J.B. de Haas-Shubnikov effect in Sb / J.B. Ketterson, Y. Eckstein // Phys. Rev. 1963. — vol. 132, issue 5. — pp. 1885−1891.
  48. В.А. Поверхность Ферми и термоэдс смешанных кристаллов (Bii.xSbx)2Te3 /В.А. Кульбачинский, А. Ю. Каминский, П. М. Тарасов, П. Лостак // ФТТ. -2006. -Т.48., Вып. 5. -С.786−793.
  49. Simon G. Investigations on a two-valence band model for Sb2Te3 / G. Simon and W. Eichler // Phys. Stat. sol. (b). 1981. Vol. 107, issue 1. — pp. 201−206.
  50. Stordeur M. Valence Band Structure of (Bi!xSbx)2Te3 Single Crystals / M. Stordeur, H.T. Langhammer, H. Sobotta and V. Riede // Phys. stat. sol. (b). -1981. -vol. 104, issue 2. -pp. 513−522.
  51. Leimkuhler G. Elektrochemische Herstellung und strukturelle Untersuchung von Sb2Te3 und SbxTey: zur Erlangung des Grades eines Doktors der Naturwissenschaften / Leimkuhler Gisbert. Hannover. — 2003. -90 p.
  52. Ronlund B. Doping properties of Sb2Te3 indicating a two valence band model / B. Ronlund, O. Beckman, H. Levy // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1965. № 26. — pp. 1281−1286.
  53. В.А. Температурные зависимости запрещенной зоны Bi2Te3 и Sb2Te3, полученные методом туннельной спектроскопии. / В. А. Кульбачинский // ЖЭТФ. 2003. -Т. 124., вып. 6(12). — С. 1358−1366.
  54. М.К. Эффекты Нернста-Эттингсгаузена, Зеебека и Холла в монокристаллах Sb2Te3 /М.К. Житинская, С. А. Немов, Л. Д. Иванова // ФТТ. -2002. -т. 44, вып. 1. -С. 41−46.
  55. Н.П. Особенности спектров отражения монокристаллов твердых растворов Bi2Te3 Sb2Te3 в области плазменных эффектов / Н. П. Степанов, A.A. Калашников / ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 9. — С. 1165−1169.
  56. Н. П. Оптические свойства монокристаллов Bi2Te3-Sb2Te3 / Н. П. Степанов, A.A. Калашников // Физические явления в конденсированном состоянии вещества: сб. материалов Всерос. науч.-практ. конф. Чита: ЗабГГПУ, 2009.
  57. Н. П. Особенности спектров отражения монокристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 в области плазменных эффектов / Н. П. Степанов, A.A. Калашников // ФТП. 2010. — Т. 44, вып. 9. — С. 1165−1169.
  58. Horak J. Krystal tetradymitoveho typu s vyraznymi termoelektrickymi vlastnostimi / J. Horak, P. Lostak // Chem. Listy. 1998. -vol. 92. -pp. 382−389.
  59. Kulbachinskii Y.A. Valence-band changes in Sb2. xInxTe3 and Sb2Te3. ySey by transport and Shubnikov-de Haas effect measurements / V.A. Kulbachinskii, Z.M. Dashevskii, M. Inoue, M. Sasaki et al. // Phys. Rev. B. 1995. -vol. 52, № 15. -pp.10 915−10 922.
  60. Yavorsky B. Yu. Electronic structure and transport anisotropy of Bi2Te3 and Sb2Te3 / B.Yu. Yavorsky, N.F. Hinsche, I. Mertig and P. Zahn // Phys. Rev. B. 2011. -vol. 84.-pp. 165 208−7.
  61. Bunton C.N. The thermal expansion of antimony and bismuth at low temperature / C.N. Bunton, S. Weintroub // J.Phys. C. Solid State Phys. -1969. -vol. 2, № 1. pp. 116−123.
  62. Krishnan M.G. Electronic Structure Calculations of Bi2Te3/Sb2Te3 Superlattices for Thermoelectric Applications. Dissertation requirements for the degree of Doctor of Philosophy, Physics / Krishnan Mandayam Gomatam. North Carolina. -2008. -95 p.
  63. Д. Псевдопотенциалы в теории металлов / Д. Харрисон. -М.: Мир. 1968. -366с.
  64. Sosso G.C. Vibrational properties of crystalline Sb2Te3 from first principles / G.C. Sosso, S. Caravati and M. Bernasconi // J. Phys.: Condens. Matter. -2009. -vol. 21. -pp. 95 410−6
  65. Zhang Wei First Principles Studies on 3-Dimentional Strong Topological Insulators: Bi2Te3, Bi2Se3 and Sb2Te3 / Wei Zhang, Rui Yu, Hai-Jun Zhang, Xi Dai et al. //New J. Phys. -2010. -vol.12, -pp.65 013−15
  66. Simon G. Galvanomagnetic und Thermoelectrische Transportersuchungen an Sb2Te3 / G. Simon and W. Eichler // Phys. Stat. sol. (b). 1981. Vol. 103, issue 1. — pp. 289−295.
  67. Л.Д. Свойства монокристаллов твердых растворов системы Bi2Te3 Sb2Te3 / Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1995. — Т. 31, № 6. — С. 735−738.
  68. И.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках / И. М. Дикман, П. М. Томчук. Киев.: Наукова думка. -1981. -320 с.
  69. К. Теория явлений переноса и потенциала для полупроводников со многими минимума на изоэнергетических поверхностях и с анизотропным рассеянием. / К. Херринг, Э. Фогт. // Проблемы физики полупроводников. -М.: ИЛ. 1957. — С. 567−598.
  70. Г. А. Электрические свойства кристаллов типа висмута. / Г. А. Иванов, В. М. Грабов // ФТП. -1995. -Т. 29, № 5,6. -С. 1040−1050.
  71. А.А. Влияние сложной валентной зоны на тепловые и электрические свойства Sb2Te3 / А. А. Андреев, И. А. Смирнов, В. А. Кутасов // ФТТ. 1968. -Т. 10, № 6. — С. 1782−1787.
  72. М.К. Анизотропия термоэдс слоистого соединения PbSb2Te4 М.К. Житинская, С. А. Немов, Л. Е. Шелимова, Т. Е. Свечникова и др. // ФТТ. -2008. т. 50, вып. 1. — С. 8−10.
  73. А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы / А. Ф. Иоффе. М. Д.: Изд-во академии наук СССР. — 1960. -188с.
  74. Thonhauser Т. Thermoelectric properties of Sb2Te3 under pressure and uniaxial stress / T. Thonhauser, T.J. Scheidemantel, J.O. Sofo, J.V. Badding et al. // Phys. Rev. B. -2003. vol.68, -pp. 85 201−8.
  75. Stordeur M. Anisotropy of the Thermopower of />-Sb2Te3 /M.Stordeur and W. Heiliger // Phys. Stat. sol. (b). -1976. -vol.78. -pp.K103-K106.
  76. Л.Д. Термоэлектрические свойства монокристаллических твердых растворов системы Bi2Te3 Sb2Te3 в области температур 100−700 К / Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -2000. — Т. 36, № 7. — С. 810−816.
  77. Л.Д. Анизотропия термоэлектрических свойств монокристаллов теллурида сурьмы, легированного оловом / Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, Ю. В. Сидоров // Неорганические материалы. -1998. Т. 34, № 1. -С.34−39.
  78. А.А. Анизотропные термоэлементы (обзор) /А.А. Снарский,
  79. A.M. Пальти, А. А. Ащеулов // ФТП. 1997. -Т. 31, № 11. — С. 1281−1298
  80. Khvostantsev L.G. Thermoelectric Properties and Phase Transition in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa / L.G. Khvostantsev, A.I. Orlov, N.Kh. Abrikosov, L.D. Ivanova // Phys. Stat. sol. (a). 1980. — vol. 58, issue 1. — pp. 37−40.
  81. Khvostantsev L.G. Kinetic Properties and Phase Transition in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa / L.G. Khvostantsev, A.I. Orlov, N.Kh. Abrikosov, L.D. Ivanova // Phys. Stat. sol. (a). 1985. — vol. 89, issue 1. — pp. 301−309.
  82. Yates B. The Electrical Conductivity and Hall Coefficient of Bismuth Telluride. // J.Electr. a Control. 1959. — V. 6, No. 1. — P. 26−38.
  83. Roy В., Electrical and magnetic properties of antimony telluride. / B. Roy,
  84. B.R. Chakraborty, R.B. Bhattacharya, A.K. Dutta // Solid State Commun. 1978. -vol. 25.-pp. 617−620.
  85. Langhammer H.T. Optical and Electrical Investigations of Anisotropy of Sb2Te3 Single Crystals. / H.T. Langhammer, M. Stordeur, H. Sobota, V. Ride // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. — vol. 109, № 2. — pp. 673−681.
  86. М.К. Влияние неоднородностей кристаллов В12Те3 на поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена / М. К. Житинская, С. А. Немов, Т. Е. Свечникова // ФТП. -1997. -Т.31., № 4. -С. 441−443.
  87. И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках / И. М. Цидильковский. -М.: Физматгиз. 1960. — 396 с.
  88. .М. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б. М. Аскеров. М.: Наука. -1985. -320 с.
  89. С.А. Тензор Нернста-Эттингсгаузена в монокристалле БЬ2Тез /С.А. Немов, Г. Л. Тарантасов, В. И. Прошин, М. К. Житинская и др. / ФТП. -2009. Т. 43, вып. 12. -С. 1629−1633.
  90. С.А. Об анизотропии рассеяния дырок в слоистом соединении РЬ8Ь2Те4 по данным коэффициента Нернста-Эттингсгаузена / С. А. Немов, М. К. Житинская, Л. Е. Шелимова, Т. Е. Свечникова // ФТТ. -2008. -Т. 50, вып. 7. -С.1166−1168.
  91. , Л.П. Исследование поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена и других явлений переноса в халькогенидах свинца / Л. П. Павлов М. гВысшая школа, 1975. — 206 с.
  92. Дж. Принципы теории твердого тела. /Дж. Займан // М.: Физматлит. -1988. -478с.
  93. О. Теория твердого тела / О. Маделунг. -М.: Наука. 1980.416 с.
  94. .А. О механизме рассеяния на ионах примеси в В12Тез / Б. А. Ефимова, Е. В. Кельман, Л. С. Стильбанс // ФТТ. 1962. -Т.4, вып. 1. — С. 152−156.
  95. С.А. Термомагнитные и термоэлектрические явления в науке и технике: монография / С. А. Алиев, Э. И. Зульфигаров. Баку.: «ЭЛМ». — 2009. -325с.
  96. М.А. Изменение параметров ветвей термоэлементов на основе халькогенидов висмута и сурьмы при интеркаляции подвижной меди / М. А. Коржуев, Л. Д. Иванова // Письма в ЖТФ. 2006. -т.32, вып. 2. — С.79−83.
  97. M.K. Влияние легирования медью на кинетические явления в кристаллах «-Bi2Te2.85Seo.i5 / M.K. Житинская, С. А. Немов, Т. Е. Свечникова // ФТП. -2007. -т. 41, вып. 10. -С. 1158−1162.
  98. .А. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах, на основе теллурида свинца / Б. А. Волков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // УФН. -2002. -Т. 172, № 8. С. 875−906.
  99. С.А. Примесь талия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности. / С. А. Немов, Ю. И. Равич // УФН. 1998. -Т.168, № 8.-С. 817−842.
  100. Uliner H.A. Structuruntersuchungen am System Sb2Te3. xSex (Halbleitereigenschaften von Telluriden. VIII) / H.A. Uliner // Annalen der Physik. -1968. vol. 476, issue 1−2. — pp. 45−56.
  101. Wu C.Y. Resistivity Behavior and Exponent n in Boltzmann ATn Term for Sb2Te3. xSex Compounds / C.Y. Wu, Y.D. Yao, Y.L. Song, C.Y. Мои et al. // Chinese journal of physics. -1998. -vol. 36, № 2−11. -pp. 440−443.
  102. Л.Н. Эффективная масса и подвижность в твердых растворах p-Bi2.xSbxTe3.ySey для температур < 300 К. / Л. Н. Лукьянова, В. А. Кутасов, П. П. Константинов // ФТТ. 2005. — Т. 47, вып. 2. — С. 224−228.
  103. Л.П. Термоэлектрическое охлаждение: Текст лекций / Под общ. ред. Л. П. Булата. / Л. П. Булат, М. В. Ведерников, А. П. Вялов и др. -СПб.:СПбГУНиПТ. 2002. — 147 с.
  104. A.C. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей / A.C. Охотин, A.C. Пушкарский, Р. П. Боровикова, В. А. Симонов. М.: Наука. — 1974. -170 с.
  105. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. -М.: Высшая школа. 1975. -206 с.
  106. О.И. Термоэлектрические элементы / О. И. Ильярский, Н. П. Удалов. М.: Энергия. -1970. -72 с.
  107. , Ю.И. Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнова -М.: Наука, 1968. 384 с.
  108. В. А. Методы экспериментального исследования полупроводников / Целищев В. А., Ушаков А. Ю. JL: Изд-во ЛИИ. — 1987. — 160с.
  109. В.И. К вопросу об определении гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках / В. И. Кайданов, И. С. Лискер // Инженерно-физический журнал. 1965. — Т. 8, № 5. — С. 661−665.
  110. В.И. Исследование гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках нестационарным методом / В. И. Кайданов, И. С. Лискер // Заводская лаборатория. 1966. — Т.32 № 9. -С. 1091−1095.
  111. А. с. Устройство для измерения эдс поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в полупроводниковых материалах / В. И. Кайданов, И. А. Черник (СССР). № 187 859 от 18.08.66 // Бюл. № 21 от 20.10.66.
  112. У.Г. Зонная плавка / У. Г. Пфан. 2-е изд. перераб. и расш. — М.: Мир. — 1970.-367 с.
  113. К.Т. Методы выращивания кристаллов / К. Т. Вильке Л.: «Недра», 1968. — 248 с.
  114. , Л.Д. Выращивание монокристаллов сурьмы методом Чохральского. /Л.Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина // Неорган, материалы. 2007. -№ 3. — С. 295−300.
  115. Т.Ф. О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников / Т. Ф. Мазец, К. Д. Цэндин // ФТП. 1990. — Т. 24, вып. 11. -С. 1953−1958
  116. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. Л. Изд-во «Наука», Ленингр. отд. 1970. -303 с.
  117. П. Свободные электроны в твердых телах / П. Гроссе. -М.: Мир.-1982.-270 с.
  118. С.А. Физика конденсированного состояния: явления переноса в полупроводниках с резонансным рассеянием носителей тока: учебное пособие / С. А. Немов, Ю. И. Равич. СПб.: Изд-во Политехи. Ун-та. — 2011. -86 с.
  119. П.С. Физика полупроводников: учебное пособие для втузов. / П. С. Киреев // М.: Высшая школа. 1975. -584с.
  120. Ф.Д. Теория подвижности электронов в твердых телах / Ф. Д. Блатт. -М. JL: Физматлит. — 1963. -224с.
  121. С.А. Резонансные состояния в полупроводниках AIVBVI с примесью таллия: дисс.. д-ра. Физ.-мат. наук: 01.04.10 /Немова Сергея Александровича. -JI. -1987. -339 с.
  122. И. А. Исследование поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена и другие явления переноса в халькогенидах свинца: дис.. канд. физ.-мат. наук: / И. А. Черник. JL, 1968. — 242 с.
  123. А.Г. Вырождение электронного газа в полупроводниках / А. Г. Самойлович и JI.JI. Коренблит// УФН. -1955. Т. LVII., вып. 4. С.577−630
  124. Н.В. Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества/ Н.В. Коломоец// ФТТ. 1966. -Т. 8, вып. 4. -С. 997−1003.
  125. Eremeev S.V. Atom-specific spin mapping and buried topological states in a homologous series of topological insulators /S.V. Eremeev, G. Landolt, T.V. Menshchikova, B. Slomski et al. // Nature communications. -2012. -№ 3. Article number: 635. pp. 1−7.
  126. К. Физика полупроводников / К. Зеегер. -М.: Мир. -1977.615 с.
  127. , А.П. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- под ред. И. А. Григорьева М.: Энергоатомиздат. — 1991. — 1232 с.
  128. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. Акад. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат. -1976. -1008с.о
  129. Пшенай-Северин Д. А. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника / Д.А. Пшенай-Северин, М. И. Федоров // ФТТ. 2007. -Т.49, вып. 9. — С. 1559−1562.
  130. Пшенай-Северин Д. А. Влияние межзонного рассеяния на термоэлектрические свойства полупроводников и полуметаллов / Д.А. Пшенай-Северин, М. И. Федоров // ФТТ. 2010. -Т.52, вып. 7. — С. 1257−1261.
  131. В.М. Явления переноса и межэкстремумное рассеяние носителей заряда в полупроводниках / В. М. Грабов // ФТТ / материалы межвузовской конференции. Барнаул. — 1982. -С31−34.
  132. В.М. Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурмы и сплавов висмута-сурьмы: дисс.. д-ра. Физ.-мат. наук: 01.04.10 /Грабова Владимира Миновича. -СПб. -1998. -603с.
  133. Ю.И. Температурная зависимость подвижностей и концентраций носителей тока в висмуте. / Ю. И. Равич, A.B. Рапопорт // ФТТ. -1992. -т.34, вып. 6. -С. 1801−1806
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!