Трехкаскадный усилитель переменного напряжения
Схема составлена с учетом того, что в качестве источника питания используется идеальный источник напряжения. Поэтому все переменные токи, которые через него замыкаются, выделяют на его внутреннем сопротивлении нулевое переменное напряжение. Следовательно, шина питания по переменному сигналу имеет нулевой потенциал, и, как следствие, верхний полюс резистора и коллектор транзистора по переменному…
Курсовая
Нормализатор с фильтром нижних частот
В настоящем курсовом проекте на тему «Нормализатор с фильтром нижних частот» спроектированнормализатор напряжения с ФНЧ, который предназначен для использования во входных цепях измерительных каналов портативного средства измерения показателей качества электроэнергии. Нарядус исходными данными для курсового проектирования, приведены общие сведения об электронных фильтрах. Выполнен расчет активного…
Курсовая
Микропроцессорная техника
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 3 Электрическое сопряжение микропроцессорных компонентов. Iol (p0) ≥ iilкр1533ир22+ iliк573рф6а+ ilids1225ab+ iliad5341+ iliicm7212+ iilкр1533ир22+ iilкр1533ир22+ iilкр580ви53. Iol (p0) ≥ iilк573рф6а+ iliкр1533ир22+ ilids1225ab+ iliad5341+ iliicm7212+ iilкр1533ир22+ iilкр1533ир22+ iilкр580ви53. Iol (p0) ≥ iilds1225ab+ iliк573рф6а+ iliкр1533ир22+ iliad5341+ iliicm7212…
Курсовая
Датчик мишенного типа
Операционный усилитель выбирается по напряжению питания (Uпит = ±36 В) и максимальному выходному току (не менее 20 мА). Этим условиям удовлетворяет ОУ К140УД6, со следующими параметрами: В нашем случае рабочая частота большая, и это условие выполняется даже для выходного напряжения 10 В. Вычислим минимальное необходимую скорость нарастания выходного напряжения: Гутников В. С. Интегральная…
Курсовая
Операционный усилитель с дифференциальным выходом
Схема полностью дифференциального измерительного усилителя приведена на рисунке 4. Рисунок 4 — Схема полностью дифференциальногоизмерительного усилителя Использованиедвух измерительных операционных усилителей с несимметричным выходомобеспечивает высокое входное сопротивление. Находят применение ПД ОУ и в фильтрах. Фильтры выполняются в основноманалогично фильтрам на обычных. ВоловичГ.И. Полностью…
Реферат
Схемотехника. Проектирование
Выбираем конденсатор типа К10−17 и округляем полученное значение в большую сторону до ближайшего стандартного номинала: Частота среза в области нижних частот, обусловленная только конденсатором, приблизительно определяется формулой: Частота среза в области нижних частот, обусловленная только конденсатором, приблизительно определяется формулой: Степаненко И. П. Основы теории транзисторов…
Курсовая
Информационная система контроля и управления технологическими процессами ТЭЦ
Одним из главных факторов, влияющих на экологию, являются выделение вредных веществ, в процессе изготовления. Так работа ТЭЦсопровождается загрязнением парами свинца, окрашивания — парами различных растворителей. Для уменьшения влияния вредных факторов на работников и экологию производственные помещения должны быть оснащены местной вентиляцией. Оценка влияния измерительных приборов на экологию…
Дипломная
Основы теории цепей
Полоса пропускания ненагруженного контура Sа = 11 кГц уже полосы пропускания нагруженного контура Sан = 35 кГц. Чем выше добротность контура, тем уже полоса пропускания. Добротность нагруженного контура. Определяем абсолютную полосу пропускания для обоих контуров. Строим зависимости сопротивления контура от частоты: Резонансное сопротивление ненагруженного контура: Определяем добротность…
Курсовая
Анализ и расчет схем
Справочники по полупроводниковым приборам (В.Ю. Лавриенко, А. В. Голомедов, Н. Н. Горюнов и др.) Для составления графа воспользуемся эквивалентной схемой замещения транзистора. Рисунок 5.1 — Граф схемы Составим матрицу F. Также определим вид матриц -F и FT. Составим граф схемы замещения (рисунок 5.1) и сразу выделим дерево графа. Где h11 — входное сопротивление транзистора, как четырехполюсника…
Курсовая
Датчики динамометра
НаименованиеНазначение1-RGВывод подключения резистора2-INВходное напряжение (-)3+INВходное напряжение (+)4-VsВход для отрицательного потенциала напряжения питания5RefВход опорного напряжения6OutputВыходное напряжение7+VsНапряжение питания8+RgВывод подключения резистора. В разработанной схеме используется коэффициент усиления 6,3.R1 выбираем подстроечный на 6,8 Ом. Рис 11 Принципиальная схема…
Курсовая
Методы молекулярного и атомарного манипулирования
Квантовая нанотехнология также рассматривается как технология манипуляций с отдельными квантовыми состояниями атомов и молекул. Квантовая нанотехнологии существенно отличается от неквантовых нанотехнологий. В последних производятся манипуляции с квантовыми состояниями «оптом», а не индивидуально. К основным концепциям квантовых нанотехнологий относятся квантовые аналоги наноассемблеров…
Курсовая
Разработка системного контроллера для серии 1810
ПЗУ (16К или 64Кбайт) включает в себя специальную микросхему, содержащую контрольные разряды каждого байта, дополняя число единиц байта до нечетного. Все обращения к ПЗУ контролируются по честности. Триггер сбоя ПЗУ имеет сигнализацию и может быть отсоединен контроллером прерывания соей или другой одноплатной микро. Основные характеристики микропроцессора: архитектура Фон-Неймана; совмещенная…
Курсовая
Разработка программ преобразования форматов двоичных данных и сортировок в машинных кодах микро-ЭВМ СМ-1800 с помощью эмулятора на ПК
Считая, что модуль — число неотрицательное, то для любого отрицательного числа нужно получить его значение без знака (его прямой код). Для этого необходимо отрицательное число, представленное в обратном дополнительном коде, проинвертировать и прибавить к нему единицу. На языке ассемблера инвертирование числа можно осуществить с помощью команды CMA, а прибавление 1 с помощью команды ADI 01. Если…
Курсовая
Обеспечение ЭМС линий питания, управления и передачи данных в пространственном распределенном радиоэлектронном комплексе
Схемы. Защитные элементы. Определение экономической эффективности разработки. Емкостное влияние молнии. Токовые контуры с большой емкостью относительно земли. Мероприятия по обеспечению условий труда. Технические особенности комплектующих комплекса. Индуктивное влияние. Обеспечение электромагнитной совместимости РЭС1. 1. Механизмы появления помех и мероприятия по их снижению. Функциональные…
Дипломная
Гиганское магнитосопротивление и его применение в электронике
Запись производится записывающим индуктивным элементом 5, помещенным в экран 4. Через индуктивный элемент 5 протекает ток записи. Магнитные поля от намагниченных участков дорожки изменяют сопротивление чувствительного магниторезистивного датчика с гигантским магнитосопротивлением 3, который экранируется экраном 2. Ток с магниторезистивного датчика 3 подается на усилительное устройство. При…
Реферат
Расчет элементов и узлов аппаратуры связи
Тогда передаточная функция искомого ПФ запишется:.Для реализации полученной передаточной функции необходимо выбрать тип звеньев, для чего найдем вначале добротности полюсов соответствующих сомножителей, используя соотношение. (19)В результате расчетов получим Q1 = 16,1, Q2 = 16,1 и Их таблицы 3.6 выбираем для реализации всех сомножителей схему 3. Для отыскания элементов звена, соответствующего…
Курсовая
Динамические процессы в источнике питания для сварки на переменном токе высокой частоты
Главной целью данной работы было создание инструмента для осуществления сварки на частоте ультразвукового диапазона, т. е. сварочного аппарата. Вопросы технологии его применения выходят за рамки данной диссертационной работы, поскольку требуют участия технологов сварочного производства. Основное внимание в работе уделено изучению особенностей переходных процессов в схемах инверторных сварочных…
Диссертация
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем
Саморазогрев, связанный с наличием скрытого слоя окисла, теплопроводность которого на несколько порядков ниже, чем у кремния, может приводить как к снижению выходного тока, так и к тепловому пробою в кремнии и выгоранию алюминиевых контактов на границе с кремнием. Проблема саморазогрева особенно актуальна для мощных КНИ-транзисторов, в которых большие токи и напряжения приводят к значительному…
Диссертация
Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристиками
Теоретические изыскания продвигались существенно быстрее экспериментальных, так как основным препятствием было отсутствие решеточно-согласованных систем. Однако к концу 1966 г. Ж. И. Алферову с коллегами удалось получить методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) первую решеточно-согласованную AlGaAs-гетероструктуру. Одновременно с группой Ж. И. Алферова аналогичные результаты были получены…
Диссертация
Исследование новых методов повышения эффективности технологических гиротронов
Актуальным является исследование процессов рекуперации в гиротронах со специфическими распределениями высокочастотного (ВЧ) поля в резонаторе, отличными от стандартного, близкого к гауссовому. Согласно теории, распределение поля с максимумом, расположенным около конца пространства взаимодействия, способствует более глубокой группировке электронов и позволяет повысить долю отбираемой у электронов…
Диссертация
Непосредственный преобразователь частоты с прогнозирующим управлением
В настоящее время одним из перспективных направлений уменьшения потребления реактивной мощности из питающей сети при одновременной возможности двухстороннего обмена энергией и снижения уровней высших гармоник в кривой сетевого тока является применение схем активных ПЧ, использующих в силовой схеме полностью управляемые силовые ключи, управление которыми осуществляется релейными или…
Диссертация
Оптические свойства резонансных состояний мелких доноров в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами и объемных полупроводниках
В гетероструктурах GaAs/AlGaAs с КЯ, легированных мелкими донорами, время жизни резонансного состояния, принадлежащего второй подзоне размерного квантования, определяется рассеянием на полярных оптических фононах, если такие процессы рассеяния не запрещены законом сохранения энергии. 2 При моделировании электронного транспорта в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с КЯ выявлены условия, необходимые для…
Диссертация
Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов IV группы
Некорректность многих предложенных моделей связана с игнорированием многовариантности решения задач обеспечения газочувствителыюсти и фоточувствительности и отсутствием развитых методик прямого анализа состава и свойств на поверхности анализируемых объектов. Из выше изложенного следует, что тема диссертационной работы, посвященная получению и анализу наноструюурированных композиционных слоев…
Диссертация
Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда
Например, прогнозируемое в уменьшение характеристических размеров МОП-структур до 30−15нм потребует уменьшения толщины подзатворного диэлектрика до 1 нм (рис. 4), при которой без принятия специальных мер туннельный ток будет сравним по величине с основным током транзистора, тогда как в качественных МОП-структурах туннельный ток не должен превышать 1% от рабочего тока. Кроме того, при такой длине…
Диссертация
Разработка и исследование тиристорного выпрямителя с микропроцессорным управлением для широкорегулируемого электропривода
Актуальность работы. В настоящее время большое значение имеет развитие полупроводниковых преобразователей с микропроцессорным управлением для регулирования скорости асинхронных, вентильных и вентильно-индукторных двигателей. Однако не утратил актуальность вопрос создания тиристорного микропроцессорного управления для электропривода (ЭП) постоянного тока, который отличается высокой надежностью…
Диссертация
Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методами приборно-технологического моделирования
Таким образом, в представленной работе осуществлена разработка и обоснование научных подходов к решению актуальной проблемы эффективного и надежного использования приборно-технологического моделирования (ПТМ) в качестве метода создания и совершенствования базовых изделий микроэлектронной и микросистемной техники: проведена классификация и анализ объектов и средств приборно-технологического…
Диссертация
Технология изготовления полиимидных коммуникационных структур для сборки высокоинтегрированных изделий микроэлектроники
Из рис. 3 следует, что тестовые структуры с высоким и очень высоким уровнем компоненты UCn в высшей степени выявляют свойства приборов (линия 1, 2), для которых зависимость компоненты постоянного напряжения Ucn от длительности токовых тестовых импульсов отсутствует или очень слаба. Нелинейность ВАХ характеристик этих образцов может быть обусловлена, например, различными видами разнородностей…
Диссертация
Тонкопленочные структуры «молибден-медь» с эффектом близости и сверхпроводниковым переходом для сверхчувствительных субмиллиметровых болометров
Выбор материалов и толщин слоев двухслойной структуры, при применении которых возможно получить упомянутые свойства структуры, т. е. получить достаточно резкий сверхпроводниковый фазовый переход при заданной температуре края перехода в диапазоне Т «0,4−0,1 К; Разработана лабораторная методика получения тонкопленочных двухслойных металлических структур «молибден-медь» с заданной критической…
Диссертация
Трансформация структуры и электрофизических свойств оксидов переходных металлов при плазменном, лазерном и электронно-лучевом воздействиях
Анодное окисление (или анодирование) проводилось в установке, схема которой изображена на рисунке 2.1, состав электролитов приведен в таблице 2.1. При пропускании тока через электрохимическую ячейку, в которой окисляемый образец является анодом, происходит перенос ионов кислорода из электролита в металл и образование на его поверхности анодной оксидной пленки (АОП). Анодирование осуществлялось…
Диссертация
Взаимодействие электронных и механических зондов с рельефной поверхностью в нанометровом диапазоне
В условиях «чистого вакуума» (безмасляная откачка) толщина и латеральные размеры углеводородной пленки, формирующейся под действием электронного облучения РЭМ на поверхности рельефной структуры с нанометровыми размерами элементов рельефа, определяются кинетикой набора дозы облучения, а не ее интегральным значением. Это свидетельствует о доминирующей роли поверхностной диффузии молекул…
Диссертация