Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур
Проведенные теоретические и экспериментальные исследования позволяют сделать вывод о том, что слоистая импедансная модель, предложенная в, эквивалентная схема которой изображена на рис. 1.6,в, дает возможность учесть и количественно описать важные факторы, оказывающие влияние не только на нелинейные характеристики коммутационных диодов, но и на линейные и слабонелинейные. Последнее особенно важно…
Диссертация
Численное исследование трехмерных многомодовых электродинамических систем электронных СВЧ приборов
Развитие современных электронных СВЧ приборов сопровождается повышением их мощности и эффективности, расширением частотных диапазонов, использованием новых режимов работы. Электродинамические системы таких приборов характеризуются наличием сложной геометрии и требуют высокой точности расчета. Существующие аналитические методы исследования в большинстве практических приложений обладают…
Диссертация
Электронная микроскопия функционально активных наноразмерных материалов для микро-и наноэлектроники
Однако, такой быстрый радиальный рост волокон может происходить только в кинетическом режиме массопереноса, т. е. пока диаметр растущей оболочки остается меньше длины свободного пробега молекул в газовой фазе (~100 нм при атмосферном давлении). Когда диаметр волокна становится больше длины свободного пробега молекул, происходит переход из кинетического в диффузионный режим массопереноса…
Диссертация
Анализ структуры нестационарных, коротких и зашумленных сигналов на основе вейвлет-преобразования
Направление 1: Исследование структуры нестационарных процессов. Очень многие процессы в окружающем нас мире являются нестационарными и демонстрируют изменения во времени своих статистических свойств. В числе примеров можно упомянуть переходные процессы в радиофизических устройствах, нестационарные волны в океане, атмосферную и гидродинамическую турбулентность, нестационарные физиологические…
Диссертация
Формирование и спектральная обработка шумоподобных сигналов в нелинейных линиях передачи
В том случае, когда спектр принятого сигнала по тем или иным причинам не содержит несущей, используются схемы восстановления несущей частоты, одной из которых является квадратичная цепь [341, изображенная на рис. 3. При умножении частоты в реальном масштабе времени происходит восстановление подавленной несущей в спектре сигнала на удвоенной частоте. Квадратичная цепь оказывается наиболее простым…
Диссертация
Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания транзисторного модуля для изготовления КМОП схем с проектными нормами 0.35 мкн на кластерном технологическом оборудовании
Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы • обсуждались на следующих конференциях: Российская научная конференция «Радиационная стойкость электронных систем — Стойкость 1999» (Лыткарино, 1999) — Конференция «Молодежь и наука» — Научная сессия МИФИ — 99 (Москва, 1999) — Российская научная конференция «Радиационная стойкость электронных систем — Стойкость 2000» (Лыткарино…
Диссертация
Инжекционные лазерные усилители бегущей волны на основе двойных гетероструктур
К числу наиболее важных, решаемых на данном этапе технических задач, относятся проблемы передачи, обработки и хранения информации. Развитие различных отраслей науки и техники приводит к непрерывно увеличивающемуся объему информации. Для запоминающих устройств ЭВМ в настоящее время требуется объём то памяти порядка 1Сг° бит, а требуемая скорость передачи информации для ЭВМ Ю10-Ю12 бит/с и для…
Диссертация
Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
Проведена оптимизация параметров получения сверхпроводящих эпитаксиальных пленок семейства УВа2Си3Ох методами лазерного распыления и распыления на постоянном токе при высоком давлении кислорода. Впервые обнаружено возрастание доли включений УВСО (100) в пленке УВСО (001) при увеличении температуры осаждения на подложку ИсЮаОз, что, вероятно, вызвано взаимодействием осаждаемого материала…
Диссертация
Лазерное возбуждение высоких колебательных состояний молекул гексафторида серы
Селективное лазерное возбуждение высоких колебательных состояний многоатомных молекул представляет собой интересное физическое явление. Этот интерес обусловлен как сложностью самого яв ления, так и его практической значимостью. Первым эксперименталь ным наблюдением возможности сильного колебательного возбуждения молекул ЙК-лазерным полем за время, по-видимому меньше, времени между…
Диссертация
Лазерно-флуоресцентные методы и аппаратура диагностики и контроля состояния биологических тканей
Разработан метод геометрического зондирования для исследований внутренней структуры рассеивающих сред, который заключается в измерении распределения рассеянного назад лазерного излучения и флуоресценции по поверхности объекта под различными углами при освещении объекта точечным источником. Метод позволяет получить информацию, достаточную для реконструкции трехмерной структуры биологической ткани…
Диссертация
Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов
Одной из основных задач современной электроники является улучшение характеристик полупроводниковых приборов, повышение их быстродействия, рабочих частот и увеличение выходной мощности, а также уменьшение размеров и создание монолитных интегральных схем (МИС). Несмотря на огромный прогресс в развитии элементной базы за последние годы, основными активными элементами в диапазоне частот от единиц…
Диссертация
Исследование режимов генерации сверхкоротких импульсов в твердотельных лазерах с насыщающимся поглотителем
Одним из основных методов получения СКИ является метод пассивной синхронизации мод с помощью насыщающегося поглотителя. Именно этотштод в результате многочисленных исследований позволил достичь в последнее время поразительных результатов как в импульсных, так и в непрерывных лазерах. Достаточно упомянуть, что с помощью пассивной синхронизации мод в твердотельных лазерах получены мощности СКИ…
Диссертация
Исследование электронно-оптических свойств электростатических полей близких к однородному и цилиндрическому, разработка энерго-масс-анализаторов
Благодаря хорошим электронно-оптическим характеристикам и простой конструкции анализатор типа ЦЗ стал одним из наиболее широко применяемых в электронной спектроскопии. По чувствительности анализатор типа ЦЗ признан в настоящее время наилучшим для исследования элементного состава поверхности твердого тела методом спектроскопии Оже-электронов /7,65/. Для Цже-спектрометров, использующих ЦЗ…
Диссертация
Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами
В настоящее время среди устройств энергонезависимой полупроводниковой памяти широкое распространение получила память типа Flash, базирующаяся на хранении заряда. Обладая страничной организацией перезаписи данных и хорошим для такой организации быстродействием 10 мс), эта память имеет сравнительно невысокое число циклов перезаписи и весьма чувствительна к некоторым внешним воздействиям…
Диссертация
Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения
34 эВЕу + 0,38 эВЕу + 0,42 эВЕу + 0,46 эВ. В случае, когда в состав примесного центра входят атом хрома и атом бора в запрещенной зоне кремния также возникают ГУ: Еу + 0,57 эВЕу + 0,86 эВЕу + 0,9 эВ. Если же в состав примесного центра входят атом хрома и атом кислорода в запрещенной зоне кремния появляются следующие ГУ: Еу+ 0,83 эВЕу + 0,91 эВЕу + 0,94 эВ. Часть данных находятся в хорошем…
Диссертация
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C: H облучением ионами PFn средних энергий
Исследована зависимость внутренних механических напряжений в алмазоподобных пленках от дозы при их облучении различными ионами, в том числе и молекулярными. Обнаружена универсальность кривой изменения внутренних механических напряжений в зависимости от количества смещений, вводимых при ионной бомбардировке. Впервые обнаружен значительный свеллинг облучаемых образцов. 6. Экспериментально показано…
Диссертация
Проектирование тестовых схем для аттестации технологических процессов производства СБИС
Целью настоящей работы является обеспечение возможности аттестации ТПП СБИС (УБИС) по объективным характеристикам качества проведения операций, в качестве которых выступают случайная и систематическая составляющие погрешности формируемых элементов физической структуры (ФС), плотность повреждающих физическую структуру СБИС дефектов, а также показатели скорости деградации элементов физической…
Диссертация
Свойства джозефсоновских переходов с прослойкой из сильно легированного аморфного кремния
Исследована структура ТДП М^/ос^/ЫЪ11, границы раздела и элементный состав переходных слоев аналитическими методами. Проведен комплексный профильный анализ элементного состава, кристаллической структуры и проводимости слоев джозефсоновской структуры NbVa-Si/Nbn с использованием методов резерфордовского обратного рассеяния (POP) и оже-электронной спектроскопии (ОЭС), просвечивающей электронной…
Диссертация
Связь зарядового состояния атомных частиц, отраженных от поверхности металла, с характеристиками рассеяния
Так, без знаний закономерностей формирования зарядового состояния, теряют информативную ценность измерения энергетических спектров рассеянных ионов в целях диагностики состава и структуры поверхностей. Действительно, получение количественных характеристик из таких измерений невозможно в принципе, и даже качественные выводы могут оказаться неверными. Пусть, например, некоторая поверхностная…
Диссертация
Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей
Разработка инструментальных и методологических основ нанотехнологии в части разработки и производства сканирующих зондовых микроскопов для комплексного исследования свойств поверхности с пространственным разрешением на уровне отдельных атомов и молекул, обеспечивающих возможность работы приборов в мультимодовом режиме, включающем возможность регистрации топографических, силовых, токовых…
Диссертация
Влияние анизотропии, индуцируемой внешним полем в активной или поглощающей среде лазера, на характеристики генерируемого излучения
Линейная анизотропия индуцируется также в лазерах с конденсированными активными средами, например, в лазерах на сложных органических соединениях при использовании линейно поляризованного излучения накачки. Одной из первых работ, положившей начало широким исследованиям в этом направлении, является работа, где степень поляризации вынужденного излучения лазеров на основе растворов сложных…
Диссертация
Угловые распределения атомов при распылении одно-и двухкомпонентных материалов
Большой интерес в этой связи представляет изучение распыления кремния и германия, которые, как известно, становятся аморфными уже на начальной стадии ионного облучения. Это позволяет исключить из рассмотрения механизмы, связанные с упорядоченным расположением атомов, и изучать роль механизмов первичного выбивания и каскадного распыления. Следует, однако, отметить, что первые эксперименты…
Диссертация
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях: V Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2005) — V Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика — 2005» (Зеленоград, 2005) — 13, 14, 15, 16, 17 Всероссийские межвузовские научно-технические конференции…
Диссертация
Расчет диференціального каскаду з транзисторным джерелом тока
Для визначення становища робочої крапки над сімействі вихідних статистичних характеристик потрібно поставити Uкэ01. Розумно брати Uкэ01 мінімальним т.к. тоді видатки роботу підсилювача мінімальні. Т.к. брати Uкэ01 < 1 У безглуздо, в такому напрузі транзистор перебуває у нестабільної області, чому ми ще й маємо зміна вхідного струму. Тому візьмемо Uкэ01 рівним 2 В. Нехай вхідні напруги отримають…
Реферат
Расчёт відео підсилювача
Розрахунок і його побудова динамічної характеристики. Розрахунок коефіцієнта передачі перед кінцевого каскада. Будуємо вхідну вольт-амперную характеристику транзистора і відзначаємо робочу точку (див приложение). Произведём розподіл допустимих все відео підсилювач частотних спотворень Мн і Мв між його цепями: Вочевидь, що необхідну Кт пк необх = 100 від двох каскадів проміжного посилення отримати…
Реферат
Усилитель кабельних систем связи
Струм бази визначається Rб. При збільшенні струму колектора напруження у точці А падає, і отже зменшується струм бази, але це не дає збільшуватися далі току колектора. Та й щоб став змінюватися струм бази, напруження у точці А має змінитися на 10−20%, тобто Rк має бути дуже велике, що виправдовується лише у малопотужних каскадах. Але з те, що ми застосовувати перекрёстные зворотний зв’язок, дана…
Реферат
Контроллер пожарной сигнализации
Монтаж контроллера сети выполнен на печатной плате из двухстороннего фольгированного стеклотекстолита, размером 88 55 2 мм. На плате предусмотрены индикаторы приема и передачи данных по сети, а также индикатор наличия питания. По причине малой потребляемой мощности стабилизатор напряжения DA1 может быть установлен без дополнительного теплоотвода. Для прокладывания линии связи используется витая…
Курсовая
Основы построения устройств приема и обработки сигналов
Крутизна сток затворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В. S=∆Ic/∆Uзи = (33−25)/ (2,8- 1,5) = 6,15 мА/В, при UСИ = 9 В,· внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистораRi = ∆UСИ/∆IC = (10−8)/(28,01−27,99) = 200 кОм, при UЗИ = 2,0 В; Методическое руководство по курсовому проектированию. N2363. ТРТУ…
Курсовая
Тема проекта Разработка автоматизированной системы управления сушильно-барабанной машиной
В разрабатываемой системе выбор кабелей и аппаратов защиты необходимо осуществлять исходя из потребляемой мощности устройств на каждом узле электрической цепи. Такие приборы, как влагомер, термометр, датчик скорости и манометр потребляют в среднем по 60 Вт, следовательно, общая потребляемая мощность равна 240 Вт. Для приборов мощностью до 1 к Вт можно использовать кабели сечением 0,5 кв мм…
Курсовая
Микропроцессорный контроллер для предварительной обработки сигналов напряжения с аналоговых датчиков
Теперь нам необходимо запомнить данный бит и сформировать импульс, который укажет АЦП, что он должен выдать следующий бит. Реализацию записи бита в память микроконтроллера организуем через бит переноса: MOVC, DOUTMOVB.3,CSETBCLKCLRCLKТеперь в третьем бите регистра B находится одиннадцатый (старший) бит оцифрованного сигнала, а микроконтроллер готов к считыванию следующего (десятого) бита…
Курсовая