Формирование силицидов железа и кобальта на поверхности чистого и окисленного монокристаллического кремния монокристаллического кремния
Базовым материалом современной твердотельной электроники является кремний. Широкое применение в кремниевой технологии находят микроструктуры, созданные на основе тонких пленок силицидов переходных 3d металлов. Особый интерес среди них вызывают силициды железа и кобальта, которые благодаря перспективности их практических приложений активно исследуются на протяжении двух последних десятилетий. Так…
Диссертация
Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов
В настоящее время в производстве GaAs МИС для формирования металлизации омических и барьерных контактов (ОК и БК), а также для создания межэлементной и межуровневой разводки традиционно используются такие металлы, как Au, Pt и Pd. В кремниевой технологии драгоценные металлы не применяются, а для создания металлизации ранее использовался А1, а сегодня с успехом применяют Си. По сравнению с Au…
Диссертация
Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления
Определены параметры обработки кремния в трехкомпонентной системе HNO3-HF-H2O, приводящие к порообразованию или химической полировке. Переходная область между ними соответствует режиму травления с циклическим изменением толщины пористого слоя, что отвечает циклическому изменению соотношения скоростей порообразования и химической полировки кремния. Конечная толщина пористых пленок и степень…
Диссертация
Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием
Исследовано влияние на структуру пленок фианита параллельного подложке ВЧ поля. В условиях ионно-плазменной стимуляции без ВЧ смещения на подложке, но с приложением параллельного поверхности подложки ВЧ поля получены аксиально текстурированные пленки фианита с осью текстуры перпендикулярной поверхности подложки. В этом случае напыление на нагретую до температуры 500 °C подложку приводит…
Диссертация
Исследование четырехфазного компенсированного преобразователя с двойной частотой напряжения на конденсаторах
Альтернативным решением является использование четырехфазного КП с двойной частотой напряжения на коммутирующих конденсаторах. На базе четырехфазного КП можно построить многофазный КП для питания нагрузок большей мощности. Двенадцатифазный КП, состоящий из трех четырехфазных КП, имеет меньшую установленную мощность трансформаторного оборудования, по сравнению с преобразователем на основе двух…
Диссертация
Изучение движения квантовых частиц в атомных структурах при помощи численного решения уравнения Шрёдингера
Исследованы процессы рассеяния атома водорода на протоне. На основе визуализации плотности электронного облака качественно объяснены осцилляционные зависимости вероятности перезарядки от прицельного параметра и относительной скорости сталкивающихся частиц. Качественно можно сказать, что от прицельного параметра зависит частота переходов области повышенной плотности электронного облака от одного…
Диссертация
Многоуровневые полупроводниковые преобразователи частоты с емкостным делителем напряжения для автономных систем генерирования электрической энергии (Анализ и синтез)
Развиты теоретические положения для расчета внешних и внутренних характеристик МП с ЕДН. Выявлено, что вид последовательности комбинаций состояний ключей, определяемый синтезом вектора задания, параметры реализуемого алгоритма пространственного векторного ШИМ, а также значение коэффициента управления кт определяют распределение токовой загрузки, а также статических и динамических потерь активной…
Диссертация
Локальная диагностика неоднородной плазмы с помощью автоматизированного спектрометрического комплекса
Для получения этой спектроскопической информации необходимо: собрать массив экспериментальных данных, связанных с пространственным распределением спектральной энергетической яркости поверхности источникаопределить, на основе этих данных, пространственное распределение спектральной энергетической яркости поверхности источника, с учетом кривой спектральной чувствительности использованных…
Диссертация
Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов
Разработан технологический процесс осаждения алмазоподобных пленок из пучков ионов углеводородов (циклогексан, ацетон, пропанол) и композитных тонкопленочных покрытий (типа SiCOH, SiCNH) из пучков ионов кремнийоргани’ческих соединений (гексаметилдисилазан, винилтриметоксисилан). Оптимизированы свойства тонких пленок используемых в качестве просветляющих покрытий элементов солнечных батарей без…
Диссертация
Процессы электронного обмена при рассеянии атомных частиц на тонких пленках и вторичной ионной эмиссии
Разработанный метод расчета динамики электронной температуры в области каскада столкновений при вторичной ионной эмиссии позволил оценить степень разогрева электронной подсистемы, температура которой может достигать нескольких тысяч градусов. Аналитический расчет динамики электронной температуры может рассматриваться как шаг на пути создания количественного метода вторичной ионной масс…
Диссертация
Прямое преобразование видеоимпульса в радиоимпульс в линиях передачи на ферритах и на полупроводниковых гетероструктурах
Установлено, что поскольку в связанных линиях передачи (лестничная системакоаксиал с ферритом) основное затухание волн в диапазоне 500 — 1000 МГц связано с высокочастотными диэлектрическими потерями в намагниченном феррите, а потери из-за скин-эффекта малы, то при синхронном возбуждении УЭМВ обратной волны ее затуханием можно управлять изменением по волноводной системе распределения потока…
Диссертация
Пикосекундная генерация излучения и сверхбыстрые процессы в парах органических соединений
Впервые получено вынужденное излучение паров органических соединений пикосекундной длительности, как в режиме бегущей волны суперлюминесценции (сверхизлучение), так и в режиме генерации. Сверхизлучение обладает следующими основными характеристиками: расходимость не более радиан, кпд преобразования достигает 10 спектр имеет полуширину 10−12 нм и, в отличие от спектра сверхизлучения…
Диссертация
Резонансный транспорт тока в сверхпроводящих переходах
Характеристики джозефсоновских переходов сильно зависят от свойств «слабой связи» туннельного перехода, причем имеют значение не только толщина и тип материала: металл, диэлектрик или полупроводник, но также и характер границ перехода. Одной из главных задач современной технологии является получение сверхпроводящих переходов с высоким значением характерного напряжения Vc — IcRn, (Ic — критический…
Диссертация
Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером Шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия
Преимущества МИС СВЧ над гибридными ИС заключаются в объединении на кристалле активных элементов (диодов и полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ)) и пассивных элементов (резисторов, индуктивностей, конденсаторов и микрополосковых линий (МПЛ)), что при высоких полуизолирующих и диэлектрических свойствах i-GaAs и толщинах подложки GaAs 75 -125 мкм позволяет существенно сократить габариты…
Диссертация
Синтез схем автономных инверторов напряжения с улучшенным гармоническим составом выходного напряжения на основе эволюционного моделирования
Исследованы структуры оперативно-перестраиваемых однофазных преобразовательных сетей, способных адаптироваться к изменяющейся по величине нагрузке с целью экономии расходования ресурса вентильного комплекта и уменьшения потерь электроэнергии. Синтезирована с использованием генетического алгоритма трехмодульная группа на базе однофазных инверторов, генерирующая трехступенчатое напряжение без…
Диссертация
СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
Показано, что применение в СВЧ ТПМ приёмнике с рабочей частотой ф ~ 4 ГГц 8Юе СБИС СВЧ приемного тракта позволяет обеспечить снижение коэффициента шума на 1,5 дБ по сравнению 81 СБИС СВЧ приёмником. Снижение коэффициента шума достигается за счет на порядок большей граничной частоты 8Юе транзисторов ia, поскольку коэффициент шума на рабочих частотах, составляющих более 30% от граничной частоты…
Диссертация
Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник
При измерениях чаще всего применяются контактные методы, т. е. параметры полупроводниковых и диэлектрических материалов и металлических пленок измеряют на постоянном или низкочастотном токе. Измерения такими методами производятся при наличии контакта зонда с образцом. Зачастую это приводит к разрушению исследуемого материала. При использовании таких методов могут возникать характерные для них…
Диссертация
Топологические методы повышения эффективности работы беспроводных сетей в распределенных системах управления объектами промышленной электроники
Однако внедрение беспроводных технологий в большинстве перечисленных применений сдерживается двумя основными факторами: невозможностью длительной, в течение нескольких лет, работы от автономных источников тока из-за высокого энергопотребления радиопередатчиков и пониженной надежностью доставки сообщений по сравнению с проводными технологиями. Первый фактор является ключевым для широкого класса…
Диссертация
Нестационарные процессы в активных элементах частотно стабилизированных гелий-неоновых лазеров
Предложена конструкция активного элемента, в которой между оболочкой и разрядным каналом устанавливается изолированный от катода цилиндрический экран с отражающей (Я не менее 90%) поверхностью и повышающей рабочую температуру капилляра (на 35 — 40°С), давление наполнения и долговечность катода и лазера в целом. Внешняя поверхность капилляра матируется или чернится, что исключает возможность…
Диссертация
Динамика электронных пакетов, обострение электронной плотности и локализация одноэлектронных образований: Развитие альтернатив. подхода к теории фотоотсчетов
В работах излагается альтернативный подход к теории фотоотсчетов, отличный от основанного на корпускулярном соотношении один фотон один электрон. Альтернативный подход (рис.1) основан на представлении, что электронный поток, эмитируемый катодом под действием, в частности, лазерного излучения, изначально, т. е. в окрестности катода, является плоской волной или каким-то близким к ней более-менее…
Диссертация
Влияние нестационарных и многочастичных эффектов на туннелирование электронов
Научная новизна. В настоящей работе путем обобщения на квантовый случай соответствующего выражения, известного в классической механике, впервые получена величина, имеющая смысл среднего времени нахождения квантовой частицы в заданной области пространства. Показано, что эта величина, не будучи непосредственно наблюдаемой, однозначно связана с наблюдаемыми углами поворота спина при Ларморовской…
Диссертация
Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур
Поскольку воздействие измерительного процесса (распыление ионной бомбардировкой) на объект измерения исключить нельзя никогда, измеренное распределение всегда является в той или иной мере искаженным отображением истинного распределения. Говоря математическим языком, измеренное распределение представляет собой свертку истинного распределения с функцией разрешения. Это обстоятельство можно…
Диссертация
Расчёт елементів эмиттерно-связанной логике
З появою транзистора в 1948 р. почалася епоха напівпровідникової цифровий технік, яка обумовила розвиток найрізноманітніших систем і пристроїв обробки інформації. Десь до 1970;х років у цих системах застосовувалися напівпровідникові цифрові схеми на дискретних і пасивних елементах. Проте за використанні цих схем у великих і складних системах трапилися величезні проблеми, що стосуються надёжности…
Реферат
Двухосный індикаторний стабілізатор телекамер на ВОГ
Усі математичні операції проводилося з допомогою пакета «MATHCAD» з допомогою якого чисельно визначалися коріння полиномов в передавальної функції розімкнутої системи Wp (s), знаючи які можна Wp (s) як послідовного сполуки елементарних ланок. Це виконується так. Нехай полиномы чисельника і знаменника Wp (s) мають своє коріння ?ai, ?bi відповідно. Ці коріння може бути нульовими, дійсними…
Реферат
Конструирование РЭТ. Радар детектор
Кj= 1,04*1,03*1*1 = 1,07Интенсивность отказов компонентов в рабочем режиме высчитывается по формуле:(7)гдеλj- интенсивность отказов элементов, с учетом условий эксплуатации;αj-поправочный коэффициент, учитывающий коэффициенты нагрузки и рабочей температуры элементов. Интенсивность отказов прибора определяется по формуле:(8)где∑λjр — сумма интенсивностей отказов группы элементов;Nj…
Курсовая
Применение ЭВМ к изучению темы
В технике, изобразительном искусстве, преподавании для исследования геометрических свойств предметов часто приходится пользоваться изображениями пространственных фигур на плоскости, называемыми чертежами. При помощи чертежей могут быть мысленно представлены формы предметов, определены размеры и взаимное расположение их отдельных геометрических элементов. Необходимо отметить, что изучение раздела…
Курсовая
Принцип работы терагерцовых устройств
Разработка конструкции плазмонного детектора с решеточным затвором Обычные одиночные полевые транзисторы не являются хорошими детекторами, так как они имеют низкую чувствительность (ниже 70 мВ/Вт даже при приложении тока смещения), которая обусловлена слабой связью транзисторной структуры с терагерцовым излучением. Это обусловлено тем, что длина активной части типичного транзистора (порядка…
Курсовая
Микропроцессорные системы управления
Сигнал, управляющий третьим состоянием входов / выходов микросхемы должен включать буфер в случае обращения к ПЗУ для чтения или к одному из банков ОЗУ для чтения (записи). Его активный уровень — низкий. Обозначим этот сигнал /ENBUF. Этот сигнал становится активным при появлении активного одного из сигналов выбора банков. Состояние сигнала, управляющего направлением приведены в табл…
Курсовая
Кварцевый акселерометр. Конструкторско-технологические особенности
Инструментальная погрешность акселерометра связано со множеством факторов, привносящих в передаточные функции различного рода нестабильности, и, т.о., оказывающих влияние на выходные характеристики акселерометра. Коэффициент передачи акселерометра является функцией многих переменных, каждая из которых зависит от своих параметров, подверженных влиянию внешнихвоздействий. Если записать полный…
Дипломная
Анализ микрофонных усилителей, расчет простого микрофонного усилителя
Основной частью проектируемого устройства будет двусторонняя печатная плата из фольгированного стеклотекстолита СФ1−50−1.5 ГОСТ 10 316−78.Материал платы стеклотекстолит. Он имеет большую механическую стойкость, термостойкость, при сверлении отвесртий дает меньшую шероховатость поверхности, выдерживает большое количество перепаек без отслоения фольги от диэлектрика, стоит дешевле таких…
Дипломная