Термическое окисление кремния в электрическом поле
Диссертация
Высокое структурное совершенство поверхности монокристаллического кремния при надлежащем качестве подготовки в механическом и химическом отношении открывает возможность изучения тонких физико-химических эффектов в ходе топохимического взаимодействия кремния с окисляющими газовыми средами в контролируемых условиях. К числу вопросов, остающихся нерешенными к настоящему времени, относится влияние… Читать ещё >
Список литературы
- Forth В., Schugerl К. Chemical reactions on solid surfaces. -Entropie, 1971, N 42, p.114−115.
- Александров JL.H. Кинетика образования и структура твердыхслоев. Н.: Наука, 1972, ~ 288 с.
- Barret P. Essai d’interpretation de 1*energie d1activation
- Experimentale dans les Reactions Solide-Gaz.' I. J. Chem. Phys. Physicochem. Bid., 1972, v.69, N 6, p.913−923
- Barret P. Essai d’interpretation de 1*energie d’activation Experimentale dans les Reactions Solide-Gaz. III. J.Chem.' Phys., 1973, V.70, N 2, p.225−243.
- J.F. de Wet. The Kinetic and Mechanisms of Solid-Gas Reactions. Miner. Sci and Eng., 1970, v.2, N 2, p.34−43.
- Soustelle M.M.P., Lalanze R.L. Kinetics of the Oxidation of Metals Influence of Self-Diffusion of Metal. — Oxid Metals, 1973″ v.7, N.1, p.23−29.
- Kofstad P. Mechanisms of Oxidation of Metals at high Temperatures. React Kinetics Heterogeneous Chem. Syst. Amsterdam, 1975, P.135−173.
- Grabke H.J., rforz G. Kinetics and mechanisms of gas-metal interactions. Annu. Rev. Mater. Sci., 1977, v.7, p.155−178.
- Mrowec S., Stoklosa A. A New Method of Calculating Parabolic Rate Constans for the Oxidation of Metals and Alloys. Bui. Acad, pol. Sci. Ser. Sci. Chim., 1974, v.22, N 7, p.643−650.
- Fevre A., Murat M. Analyse Theorique des Lois Cinetiques couramment utilisees en Thermo analyse pour 1'etude des Reactions Solide-Gaz. J. Therm. Anal., 1975, v.7, N 2, p4?9−443.
- Krambeck R.H. Numerical Calculation of Impurity Redistribution during Thermal Oxidation of Semiconductors.-J. Electrochem.Soc., 1974, v.121, N 4, p.588−591.
- Rosner D.E. Higk-temperature Gas-Solid Reactions. Annual Review of Mater. Sei., 1972, v.2, p.575−606.
- Хабаши Ф. Основы прикладной металлургии. M.: Металлургия, 1975, т. 1,-232 с.
- Besson J. La Mise en Equations d’une Cinetique Gaz-Solide. Regies Fondamentales et Exemples d’Applications. React Kinetics. Heterogeneous Chem. Syst., Amsterdam, 1975″ p.463−489.
- Oudar J. Processus de Germination et Croissance dans les Reactions Gaz-Metal. React.Kinetics.Heterogeneous Chem. Syst., Amsterdam, 1975, p.314−337.
- Kofstad P. Mass transport phenomena in oxidation of metals" -Mass.Transp.Phenomena Ceram., New York London, 1975″ p"383--407.47″ Барре П. Кинетика гетерогенных реакций.-M.: Мир.- 399 с.
- Deal В.Е., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 12, p.3770--3778.
- Deal B.E. The oxidation of silicon in dry oxygen, wet oxygen, and steam. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, N 6, p.527−533.
- Pliskin W.A. Separation of the linear and parabolic terms in the steam oxidation of silicon. J.B.M.J, of Reseacchand Develop., 1966, V.10, N 3, p, 198−206.
- Nakayama T., Collins P.C. Kinetic of thermal growth of silicon dioxide films in water vapor-oxygen-argon mixtures. J. Electrochem. Soc., 1966, V.115, N 7, p.706−713.
- Revesz A.G., Evans R.J. Impurity Effects in the Thermal Oxidation of Silicon. Reactiv. Solids, Proc. Int. Symp., 6 th., 1968 (Pub. 1969), N.Y., p.425−432.
- Revesz A.G., Evans R.J. Kinetics and Mechanism of Thermal Oxidation of Silicon With Special Emphasis of Impurity Effects. -J. Phys. Chem. Solids, 1969, v.30, p.551−564.
- Zeto R.J., Thornton C.G., Hryckwian E., Bosco C.D. Low temperature thermal oxidation of silicon by dry oxygen pressure above1 atm. J.Electrochem. Soc., 1975, v.1?2, N 10, p.1409−1410.
- Ota I., Butler S.R. Reexamination of Some Aspects of Thermal Oxidation of Silicon. J. Electrochem. Soc., 1974, v.121, N 8, p.1107−111
- Hess D.W., Deal B.E. Kinetic of the thermal oxidation of silicon in 02/N2 mixtures at 1200 °C. J.Electrochem. Soc., 1975, v.122, N 4, p.579−581.
- Колобов H.A., Тишкова Л. Н. Зависимость кинетики окисления кремния в сухом кислороде от его давления и свойств исхо, дно-го материала.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1968, вып.1, с.241−259.
- Колобов Н.А., Тишкова Л. Н. Кинетика окисления кремния в сухом кислороде и некоторые физико-химические свойства термически выращенных пленок .- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1968, вып.1, с.226−240.
- Колобов Н.А., Чернов А. А., Цацан Я. П. Исследованрщ кинетики процесса гидротермального окисления кремния.- В кн.: Симпозиум по физике системы п/п пленка двуокиси кремния.- Рига, 1974, с. 19.
- Колобов Н.А., Зворыкин Д. В., Григорьев А. Б. Исследование кинетики процесса гидротермального окисления кремния.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1970, вып. 4(54), с.136−145.
- Зворыкин Д.Б., Колобов Н. А., Колобанов В. И., Чернов А. А. Ускоренное гидротермальное окисление с применением ИК-нагре-ва.- Электронная техника. Сер. п/п приборы, 1976, вып. 5(107), с.66−69.
- Katz L.E., Howels B.F. Low temperature high pressure steam oxidation of silicon. J.Electrochem. Soc., 1979, v.1g6, IT 10, p.1822−1824.'
- Brodsky M.B., Cubicciotti D. The Oxidation of Silicon at High Temperatures. J.Amer. Chem. Soc., 1931, v.73, N 7, p.3497−3499.40> Основы технологии кремниевых интегральных схем /Под ред. Бур-гера Р. и Донована Р. М.: Мир, 1969, — 451 с.
- Bishop В.A., Hoharth С. A. The thermal oxidation of silicon using wet oxygen, Intern. J. Electroc., 1967, v.22, N 5, p.455−460.
- EdagaWaH., Morita I., Mackawa S. Growth, and Structure of Si Oxide Films on Si Surface. Jap. Appl. Phys., 1963, v.2, N 12, p.765−775.
- Law J.T. The high temperature oxidation of silicon. J. Phys. Ghem., 1957, v.61, N 9, p.1200−1205.
- Claussen B.M., Flower M. An Investigation of the Optical Properties and Growth of Oxide Films on Silicon. J.Electrochem. Soc., 1963, v.110, p.983−987.
- Evitts H.C., Cooper H.W., Flaschen S.S. Rates of formation of thermal oxides of silicon. J. Electrochem. Soc., 1964, v.111, N 6, p.688−690.
- Deal Б.Е., Sklar M. Thermal oxidation of heavily-doped silicon. J. Electrochem. Soc., 1965, v.112, N 4, p.430−435.
- Dathe J., Muller W. EinfluB der Oxydationsbedingungen auf die thermishe Oxydation von Silizium. ?6. Angew. Phys., 1968, v.25 Bd, N 6, p.341−343.
- Sladkova J. Optical Measurements of Oxide Films on Silicon. -Czechos. J.'Phys., cip B, 1963, v.13, p.452−458.
- Ступельман В.Iii., Васютина З. В., Ребров В. Н. О термическом окислении кремния для маскировки от диффузии бора и фосфора. В сб.: Электронное прибор строение. Энергия, L961, вып. 3, с. 23 27.
- Мазель Е.З., Пресс Ф. П. Ппашрная технология кремниевых приборов. -М.: Энергия, 1972, 384- с.
- Van der Muelen Y.J. Kinetics of thermal growth of ultra-thin layers of SiO^ on silicon. J. Electrochem. Soc., 1972, v.119, N 4, p.530−534.
- Irene E.A. The effects of trace amounts of water on the thermal oxidation of silicon in oxygen. J. Electrochem. Soc., 1974, v.121, N 12, p.1613−1616.
- Hopper M.A., Clarke R.A., Young L. Thermal oxidation of silicon. In situ measurement of the growth rate using ellipsomet-ry. J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, N 9, p.1216−1222.
- Archer R.J. Optical Measurement of Film Growth on Silicon and Germanium Surfaces in Romm Air. J. Electrochem. Soc., 1957, v.104, p.619−622.
- Gulbransen E.A., Andrew K.F., Brassart F.A. Oxidation von silicium bei hohen temperaturen und niedrigen drucken unter stromungsbedingungen dampfdruck von silicium. J. Electrochem. Soc., 1966, v.113, N 8, p-834−837″
- Wolters D.L. The role of water in the oxidation of silicon. -In: Insul Films Semicond. Inv. Gontrib. Pap.Conf. Durcham, 1979, p.18−27.
- Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов.- М.: Мир, 1969, — 392 с.
- Archer R.J., Globeli Q.W. Determination of the properties of films on silicon by the method of ellipsometry. J. Phys. Chem. Sol., 1965, v.26, p.343−347.
- Nishijiama M., Murotani E. On the Interaction of Oxygen with Si (III) Surfaces. Surface Sci., 1975, v.59, N 2, p.441−444.
- Joyce B.A., Neave J.H. An Investigation of Silicon Oxygen Interactions Using Auger Electron Spectroscopy. Surface Sci., 1971, v.27, N 3, p.499−515.
- Redondo A., Goddard W.A., Smarts С.А., Мс Gill Т.С. Oxidation of silicon surfaces. J .Vac. Sci. and Technol., 1981, v.19, N. 3, p.498−501.
- Французов A.A., Макрушин И. И. Масс-спектроскопическое исследование начальной стадии окисления кремния.- Ж. техн.физ., 1975, т.45, с.600−602.
- Самсонов С.С., Девочкин О. В., Постников B.C., Воронцов Е. С., Рембеза С. И. О механизме окисления кремния кислородом воз, пуха.- К. физической химии, 1975, т.49, & 8, с.1938−1940.
- Cabrera N., Mott N.F. Theory of the Oxidation of Metals. -Rep. Prog. Phys., 1949, v.12, N 2, p.163−184.
- Hass G.A., Gray H.F. Oxidation of Si Surfaces. J.Appl. Phys., 1975, v.46, N 9, p.3885−3887.
- Ghez R. f van der Muelen Y.J. Kinetics of thermal growth of ultra-thin layers of SK^ on silicon. Part II. Theory. J. Electr-ochem. Soc., 1972, v.119, N 8, p.1100−1106.
- Ройх И.Л., Белицкая С. Г., Ордынская В. В. Роль влажности при окислении кремния на воздухе, — Изв. АН СССР сер. Неорганические материалы, 1972, № 8, 9, с.1525−1528.
- Tennyson S., Carlan A.J. Oxidation of n-Type Silicon in the 10−1400 A Oxide Thickness Range. J. Appl. Phys., 1972, v.43, N 5, p.2455−2459.
- Mott N.F. A Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans.Farad. Soc., 1939, v.35, p.1175−1177.
- Mott N.F. The Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans. Farad. Soc., 1940, v.36, p.472−476.
- Mott N.F. The Theory of the Formation of Protective Oxide Films on Metals. Trans. Farad. Soc., 1947, v.43, p.429−434.
- Cabrera N. On the oxidation of metals at low temperatures and the influence of light.-Phil.Mag., 1949, v.40,N 2, p.175−188.'
- Felner F.P., Mott N.F. Low-temperature Oxidation. Oxid Metals, 1970, v.2, N 1, p.59−99.
- Grimley T.B., Trapnell B.M.W. The gas-oxide interface and the oxidation of metals. Proc. Roy. Soc.(A), 1956, v.234, p.405--418.
- Эванс У.P. Коррозия и окисление металлов.- М.: Машгиз, 1962, — 856 с.
- Хауффе Э.К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. М.: Изд. ИЛ, 1962, т.1, — 415 е.- 1963, т.2, — 275 с.
- Landsberg P.Т. On the logarithmic rate law in chemisorption and oxidation. J. Chem. Phys., 1955, v.23, р. Ю79-Ю87.
- Halsey G.D. The rate of adsorption on a nonuniform surface. -J. Phys. Colloid. Chem., 1951, v.55, N 1, p.21−26.
- Chattopadhyay B. Thin film oxidation and the logarithmic rate law. Thin Solid. Films., 1975, v.16, N 1, p.117−124.
- Engell H.J., Hauffe K., Ilschner B. Uber die Kinetic der Oxydation von Nickel bei 400 °C. ъ.Electrochem., 1954, v.58, N 7, p.478−482.
- Арсламбеков В.А. Прецизионная весовая техника исследования кинетики и механизма взаимодействия газов с металлами. «В кн.: Механизм взаимодействия металлов с газами. М., 1964, с.174−175.
- Арсламбеков В.А. О механизме образования первичных окисных пленок на металлах. Тйм же, с. 86−82.95* Арсламбеков В. А. О механизме образования и исгорении окисных пленок на кремнии и германии. ТЬм же, с. 167−173.
- Арсламбеков В.А., Сафаров А. Некоторые особенности механизма и кинетики окисления кремния. Микроэлектроника, 1977, т. 6, вып. X, с. 75−78.
- Данков П.Д. Закономерности образования и строение защитных пленок на металлах. ДАН, 1939, т. 23, № 6, с. 548−552.
- Данков П.Д. Структура и механизм образования пленок на поверхности металлов. В кн.: Труды ¡-¡-конференции по коррозии металл лов. М.: 1943, с. I2I-I4I.
- Данков П.Д. Кристаллохимический механизм взаимодействия поверхности кристалла с чужеродными элементарными частицами. I. фиа. химия, 1946, т. 20, вып. 8, с. 853-o67.
- Данков П.Д. К теории тчальных стадий фазовых превращений (образование поверхностных пленок). ДАН, 1946, т. 51, вып. 6, с. 449−452.
- Данков П.Д. К теори окисления металлов. I. физ. химии, 1952, т. 26, вып. 5, с. 753−758.
- Архаров В.И. Основные проблемы механизма взаимодействия металлов с газами. В кн.: Механизм взаимодействия металлов с газами. М.: Наука, 1964, с. 24−35.
- Архаров В.И. О механизме зарождения кристаллов новой фазы при химических реакциях в твердом состоянии вещества. Там же, с. 93 96.
- Wagner С. Beitrag zur Theorie des AnlaufVorganges. Z. Physik. Chem.(B), 1933, v.21, p.25−41.
- Wagner C. Beitrag zur Theorie des Anlaufvorganges. II. Z. Physik. Chem.(B), 1936, v.32, p.447−461.
- Ю6. Wagner C. Diffusion and High Temperature Oxidation of Metals. Atom Movements. Amer. Soc. of Metals, Cluveland, 1959, —239p.
- Sarrazin P., Besson J. Compatibilite des approximations de Wagner avec les equations de la cinetique heterogene en regime de deffusion. J. Chim. Phys. et Phys. — Chim. Biol., 1973, V.70, N 1, p.27−32.
- Jost W. Diffusion und chemische Reaction imfesten Stoffen, Leipzig, 1937, -188p.
- Fromhold A.T. Kinetics of oxide film growth on metal crystal. -J. Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, p.1081−1092.
- Fromhold A.T. Kinetics of oxide film growth on metal crystal. -J. Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, p.1309−1318.
- Fromhold A.T. Parabolic Oxidation of Metals. Phys. Lett., 1969, v. A29, N 3, p.'157−158.
- Колобов H.A., Самохвалов M.M. Эффузия и окисление полупроводников.- М.: Металлургия, 1975, 454 с.
- Blanc J. A revised model for the oxidation of Si by oxygen. -Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N 5, p.424−426.
- Rosencher E., Straboni A., Rigo S., Amsel G. An480 study of the thermal oxidation of silicon in oxygen. Appl. Phys.Lett., 1979, v.34, N 4, p.254−256.
- Murarka S.P. Oxygen partial-pressure dependence of the oxidation induced surface stacking faults in (100) n silicon. J.Appl. Phys., 1977, v.48, N 12, p.5020−5026.
- Cristy S.S., Condon J.B. A Model of Oxidation of Silicon by Oxygen. J. Electrochem. Soc., 1981, v.128, N 10, p.2170−2174.
- Irene E.A. Evidence for a parallel path oxidation mechanism at the Si Si02 interface. — Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, N 1, p.74−75.
- Irene E.A. Silicon Oxidation Studies: Measurement of the Diffusion of Oxidant in Si0^ Pilms. J.Electrochem. Soc., 1982, N 2, v.129, p.413−417.
- Irene E.A. Silicon oxidation studies: a model for high and low temperature thermal oxidation. J.Electrochem. Soc., 1981, v.128, N 8, p.363−369»
- Revesz A.G., Schaffer H.A. The Mechanism of Oxygen Diffusion in Vitreous Si02 J.Electrochem. Soc., 1982, v.129, N 2, p.357−361. /
- Doremus R.H. Oxidation of silicon by water and oxygen and diffusion in fused silica. J. Phys. Ghem., 1976, v.80, N 16, p.1773−1775.1.5
- Lora-Tamayo A., Dominguez E., Lora-Tamayo E., Llabres J. A new model of the thermal growth of a silicon dioxide layer. Appl. Phys., 1978, v.17, N 1, p.79−84.
- Mott N.F. Mechanisms for the thermal growth of vitreous oxide layers on silicon. In: Inst. Phys. Conf. Ser., 1979, N 50, Chapter 1, Durham, p.12−17.
- Mott N.F. Mechanisms for the oxidation of silicon and the formation of charged defects. Proc. Roy. Soc., 1981, v. A-376,
- N 1765, p.207−215, London.
- Tiller W.A.* On the Kinetics of the Thermal Oxidation of Silicon. I. A Theoretical Perspective. J.Electrochem. Soc., 1980, v.127, N 3, p.619−624.
- Ligenza J.R., Spitzer W.G. Mechanism of Oxidation of Silicon in Wet Oxygen. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v.14, p.131−136.
- Tiller W.A. On the Kinetics of the Thermal Oxidation of Silicon. III. Coupling with other key phenomena. J. Electrochem. Soc., 1981, v.128, N 3, p.689−697.
- Анохин В.8., Ховив A.M., Пшестанчик В. Р., Миттова И. Я. Формально-кинетическое описание перманентного окисления кремния.- В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. -Воронеж: Изд. ВГУ, 1979, с. 3−7.
- Миттова й.Я. Кинетическая модель роста легированных оксидных пленок на кремнии. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. — Воронеж- Изд. ВГУ, 1977, с. 27−35.
- Угай Я.А., Анохин В. З., Миттова И. Я., Ховив A.M., ПШестанчик B.I Пространственная модель кинетики процессов твердое тело газ.- ДАЯ, 19at, т. 259, Ш 3, с. 648−650.
- Анохин В.З. Кинетика и механизм термического окисления кремния.- Воронеж: Изд-во ВГУ, 1983 т 196 с.
- Wolters D.L. The role of water in the oxidation of silicon. -Ins Insul Films Semicond. Inv. Contrib. Pap. Conf. Durcham, 1979, 1980, p.18−27.
- Jorgensen P. J, Effect of an Electric Field on Silicon Oxidation. J. Chem. Phys., 1962, v.37, N 4, p.874−877.138.' Uhlig Ы.Н., Brenner A.E. Effect of Electric Field on Oxidation of Copper. Acta. Met., 1955, v.3, p.108−110.
- Cismaru D., Cismaru G.D. Zinc Oxidation at High Temperatures. Effect of Electric Field on Zinc Oxidation. First International Congress of Metallic Corrosion, Butterworths1, London, 1961, p.237−239.
- Jorgensen P.J. Effect of an Electric Field on the Oxidation of Zinc. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, p.461−462.
- Raleigh D. O, Transport processes in the Thermal Oxidation of Silicon. J. Electrochem. Soc., 1966, v.113, p.782−788.
- Малевская Л.А., Казаковский Н. Т. Кинетика окисления кремния в электрическом поле. В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. — Воронеж: Изд. ВГУ, 1979, с. 31−35.
- Анохин B.S., Малевская Л. А., Миттова И. Я. Кинетика термического окисления кремния в постоянном электрическом поле в атмосфере водяного пар. Кинетика и катализ, 19 80, т. XXI, вып. 4, с. 887−991.
- Воронцов Е.С., Струков В. М. Каталитическое действие платины при окислении монокристаллического кремния. Кинетика и катализ, 1975, т. 16, № 4, с. 1075−1079.
- Струков В.М., Воронцов Е. С. Дистанционное каталитическое влияние платины и палладия на окисление монокристаллического кремния. 1. прикл. химии, 1976, т. 49, № 5, с. 978−981.
- Струков В.М., Воронцов Е. С. Особенности кинетики окисления кремния в присутствии платинового, палладиевого и серебрянного катализаторов.-Кинетика и катализ, 1976, т. 17, с.1606−1608.
- Струков В.М., Воронцов Е. С., Осауленко И. А. Контактное каталитическое действие платиновой и палладиевой черни на окисление кремния. Электронная техника. Сер. Материалы, 197 6, вып. 2, с. 83−85.
- Смит Р. Полупроводники. -М.: Изд. И.Л., 1962, 467 с.
- Spectroscopy from Oxidized Silicon using He II and Zr Mev. radiations. Proc. 7-th intern. Vac. Congr.: Solid Surfaces, Vienna, 1977, p.2229−2232.
- Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации /Под ред. В. Н. Кондратьева.- М.: Наука, 1974.- 502 с.
- Ховив A.M. Электронные и .диффузионные явления в процессе формирования гетероструктуры кремний-диоксид кремния. Дис.. к.м.-м.н., Воронеж, 1983.
- Угай Я.А., Ховив A.M., Анохин В. З., Малевская Л. А., Миттова И. Я. Электромиграция кислородсодержащих ионов при термическом окислении кремния.- ДА. Н, 1982, т.267, JS I, с. 144−146.
- Угай Я.А., Малевская Л. А., Анохин В. З., Миттова И. Я., Зубко-ва Т. Кинетика термического окисления кремния в переменном электрическом поле во влажном кислороде.- il. физ. химии, 1982, т. Щ ja 7, 1800−1803.
- Киселев В.Ф. Стимулирование химических реакций на поверхности полупроводника при возбуждении его электронной системы.
- В кн.: Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников. Материалы ГУ семинара.- Новосибирск. Изд. НГУ, 1981, с.3−12.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках.- М.: Изд. Физматгиз, I960, 187 с.
- Сысоев В.И., Антюшин В. Ф., Сыноров В. Ф. Кинетика миграции зарядов в диэлектрических пленках.- Микроэлектроника, 1976, т.5, в.4, с.349−354.