Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние ближнего порядка на колебательные свойства псевдобинарных твердых растворов

Диссертация: Влияние ближнего порядка на колебательные свойства псевдобинарных твердых растворов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что ближний порядок типа кластерообразования приводит к сдвигу основных Ш и ТО фононных мод спектральной плотности фононных состояний по отношению к их положению для случайного твердого раствора вверх или вниз (в зависимости от знака дисперсии фононов виртуального кристалла). При этом полная плотность состояний ¡-выглядит как суперпозиция таковых для чистых бинарных составляющих… Читать ещё >

Влияние ближнего порядка на колебательные свойства псевдобинарных твердых растворов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Ближний порядок в твердых растворах замещения
    • 1. 2. Колебательные спектры твердых растворов: экспериментальные результаты
    • 1. 3. Расчеты колебательных свойств твердых растворов
    • 1. 4. Постановка задачи
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК В ОДНОМЕРНОЙ РЕШЕТКЕ ИЗИНГА И ЕГО ВЛИЯНИЕ НА КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ
    • 2. 1. Модель ближнего порядка: одномерная цепочка Изинга
    • 2. 2. Полная фононная плотность состояний: некоторые аналитические результаты
    • 2. 3. Численные расчеты полной и спектральной фононной плотности состояний
    • 2. 4. Влияние ближнего порядка на локализацию фононных мод в одномерной системе (обзор)
    • 2. 5. Локализация фононных мод в псевдобинарной атомной цепочке с ближним порядком
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА НА КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНОГО ИЗИНГОВСКОГО СПЛАВА
    • 3. 1. Алгоритм моделирования двумерного изинговского сплава с корреляцией в расположении примесных атомов
    • 3. 2. Численный расчет колебательных спектров двумерных 62 изинговских сплавов
      • 3. 2. 1. Выбор модели динамики решетки
      • 3. 2. 2. Алгоритм численного расчета
    • 3. 3. Численные расчеты полной и спектральной плотностей фононных 69 состояний
      • 3. 3. 1. Двухмодовые сплавы
      • 3. 3. 2. Переход от одномодового к двухмодовому поведению
    • 3. 4. Влияние ближнего порядка на локализацию фононных состояний в двумерном псевдобинарном твердом растворе
    • 3. 5. Учет взаимодействия с соседями, следующими за ближайшими, и кулоновского взаимодействия
      • 3. 5. 1. Влияние ближнего порядка на ЬО-ТОрасщепление
      • 3. 5. 2. Локализация фононных мод при учете кулоновского взаимодействия
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. РАСЧЕТ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ ФОНОННЫХ СОСТОЯНИЙ ТРЕХМЕРНЫХ ПСЕВДОБИНАРНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ С БЛИЖНИМ ПОРЯДКОМ
    • 4. 1. Модели коррелированного беспорядка замещения для псевдобинарных твердых растворов со структурой сфалерита
    • 4. 2. Расчет спектральной плотности фононных состояний псевдобинарного твердого раствора с ближним порядком с использованием метода когерентного потенциала
    • 4. 3. Экспериментальные исследования фононных мод в твердых растворах Сс1х^|хТе
  • Выводы

Полупроводниковые псевдобинарные твердые растворы (ТР) АХВ1ХС, например, А^ОаьхАэ и Сс1хН§ 1.хТе широко применяются в микрои оптоэлектронике. Как известно [1−3], многие ТР не являются случайными сплавами — существует определенная корреляция в заполнении узлов подрешетки с замещением. Эту неслучайность в размещении разных изовалентных атомов называют ближним порядком. В рамках представления о парном взаимодействии атомов, А и В (через атомы С), ближний порядок может быть одного из двух типов:

1) кластерообразование, т. е. преимущественное соседство в подрешетке с замещением одинаковых атомов (А либо В);

2) упорядочение, т. е. тенденция к чередованию атомов, А и В — ближайших соседей по подрешетке.

Твердые растворы с ближним порядком первого типа имеют тенденцию к распаду, что, в конечном счете, проявляется в неоднородности свойств материала. Ближний порядок второго типа приводит к особенностям в электронных спектрах твердых растворов: изменению ширины запрещенной зоны, расщеплению подзон валентной зоны и др. [4]. При современном уровне развития технологии изготовления приборов, когда необходимо учитывать тонкие особенности строения твердых растворов, подобные эффекты играют важную роль.

Предсказать тип и степень ближнего порядка при получении твердого раствора по той или иной технологии заранее сложно. Необходимо создание теоретических моделей строения твердых растворов замещения, которые бы позволили, и понять механизм влияния ближнего порядка на физические свойства твердых растворов, и получить критерии для его экспериментального обнаружения.

Наиболее чувствительны к коррелированному беспорядку в твердых растворах колебания решетки, а основными экспериментальными методами их исследования являются комбинационное рассеяние света на фононах и спектроскопия отражения в дальнем ИК-диапазоне. Экспериментально регистрируемые в этих методах величины (например, сечение комбинационного рассеяния) определяются для ТР спектральной плотностью фонон-ных состояний. Следовательно, расчет этого параметра для модельных твердых растворов с ближним порядком должен выявить влияние последнего на особенности спектров комбинационного рассеяния и ИК-отражения.

Однако, несмотря на значительный интерес к расчету колебательных спектров различных кристаллов, в том числе и сложных полупроводниковых соединений [5,6], работы, посвященные изучению ближнего порядка в твердых растворах через их фононные спектры в литературе практически отсутствуют.

В связи с вышеизложенным, основной целью настоящей диссертационной работы являлось исследование влияния ближнего порядка в полупроводниковых псевдобинарных твердых растворах на их колебательные свойства.

Для достижения цели работы необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать одно-, двух — и трехмерные модели псевдобинарных твердых растворов с ближним порядком различного типа.

2. Рассчитать полную и спектральную плотности фононных состояний, а также ряд других величин, характеризующих колебательные свойства модельных псевдобинарных твердых растворов с ближним порядком.

3. Провести экспериментальные исследования колебательных свойств твердого раствора Сс^Ь^-Де методами спектроскопии ИК-отражения и комбинационного рассеяния света для определения возможности диагностики ближнего порядка посредством исследования фононных мод.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка цитируемой литературы и пяти приложений.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. Впервые проведены прямые численные расчеты полной и спектральной плотностей фононных состояний, а также ряда других величин, характеризующих колебательные свойства псевдобинарных твердых растворов с ближним порядком (в одномерной и двумерной моделях). Рассмотрены два типа ближнего порядка: кластерообразование и упорядочение, соответствующие термодинамической модели Изинга с разным знаком энергии смешения.

2. Впервые проведены расчеты спектральной плотности фононных состояний кластеризованного и упорядоченного псевдобинарных твердых растворов со структурой сфалерита с использованием схемы метода когерентного потенциала, позволяющей учитывать ближний порядок.

3. Показано, что ближний порядок типа кластерообразования приводит к сдвигу основных Ш и ТО фононных мод спектральной плотности фононных состояний по отношению к их положению для случайного твердого раствора вверх или вниз (в зависимости от знака дисперсии фононов виртуального кристалла). При этом полная плотность состояний ¡-выглядит как суперпозиция таковых для чистых бинарных составляющих твердого раствора.

4. Обнаружено, что ближний порядок типа упорядочения приводит к двойному эффекту: смещению основных мод спектральной плотности фононных состояний в направлении, противоположном случаю кластерообразования и появлению дополнительных мод. Последние могут быть интерпретированы как результат «сворачивания» дисперсионных кривых чистых материалов, как это происходит в короткопериодических сверхрешетках.

5. Численно исследовано влияние ближнего порядка на локализацию фононных мод в псевдобинарном твердом растворе (в одномерной модели) и показано, что кластерообразование способствует появлению тенденции к делокализации некоторых акустических и оптических мод, но, строго говоря, делокализованные моды при этом не наблюдаются. Парная же корреляция приводит к появлению отдельных делокализован-ных мод в нижней части акустической и оптической зон колебательных состояний, как это имеет’место для возбуждений другой природы (например, электронных).

6. Показано, что степень локализации основных фононных мод и в случайных, и в кластеризованных двумерных ТР АХВ1. ХС с двухмодовым оптическим поведением сильно зависит от состава «х» и типа ближнего порядка в модели без кулоновского взаимодей.

119 ствия атомов. В модели с кулоновским взаимодействием (полярные кристаллы) степень локализации фононных мод ниже и влияние ближнего порядка на нее невелико. 7. Обнаруженные эффекты влияния ближнего порядка на колебательные свойства псевдобинарных твердых растворов могут быть использованы в качестве способа диагно стики ближнего порядка в твердых растворах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Sher A., Berding MA., Schilfgaarde M., Chen А. В «HgCdTe status review with emphasis 011 correlations, native defects and diffusion’V/Semicond.Sci.Technol.- 1991, — V.6.-P.C59.
  2. M.W. «Composition correlations in ternary semiconductor alloys»// Phys.Rev.B. -1984.-V.30.-P.6196.
  3. Jaw D.H., Chen G.S., Stringfellow G.B. «Atomic ordering in InAsosPo. s grown by organometallic vapor phase epitaxy» // Appl.Phys.Lett.-1991.- V.59.- P. l 14.
  4. Wei S.H., Zunger A. «Optical properties of zinc-blend semiconductor alloys: Effect of epitaxial strain and atomic ordering’V/Phys.Rev.B.- 1994, — V.49.- P.14 337.
  5. M., Colombo L., Miglio L., Benedek G. «Vibrational properties and infrared spectra of AlxGai"xAs systems. I Average-t-matrix approximation versus supercell calculation for homogeneous alloys» // Phys.Rev.B.-1991, — V.43.- N.18.- P. 1447.
  6. S., Gironcoli S., Gianozzi P. // Phys.Rev.Lett.-1991.- V.65.- P.84.
  7. B.I., Vasilevskiy M.I. «Short-range order in a ID substitutional solid solution» // J.Phys.: Codens. Matter.-l991-V.3-P.7133−7138.
  8. К. в сб.: «Методы Монте-Карло в статистической физике».- М.: Мир, — 1982 г. -400 с.
  9. P.N. «Effect of invariance requirements on the elastic strain energy of crystals with application to the diamond structure»///Phys.Rev. -1966.- V.145.- P.637−645.
  10. А.В. «Метод когерентного потенциала в теории неупорядоченных сплавов» //ТМФ. -1977. Т.31, — С.392−404.
  11. T.S., Kuech T.F., Wang W.I., Wilkie W.I. «Long-Range Order in AlxGa,.xAs» // Phys.Rev.Lett. 1985. — V.54.- P.201.
  12. JI. «Статистическая физика твердого тела».- М.: Мир.- 1975, — 385 С.
  13. Yadava R.D.S., Warrier A.V.R.//Solid State Communications.-1991.-V.78.-P.449
  14. Sher A., M. van Schilfgaarde et.al. «Quasichemical approximation in binary alloys «//Phys.Rev.B.-1987.-V.36.-P.4279.
  15. В.П., Мамонтов М. Н., Морозова В.В //Тезисы IV Всесоюзной конференции по термодинамике и строению полупроводников.- 1989.-Ч.1.-С.97.
  16. Chen К.Т., Liu Н.С., Fang R.et.al «Occurrence of miscibility gap in thin surface layers of CdxHgi-xTe"//Solid State Communications.- 1992.-V.81-P.1025.
  17. Бублик B. T, Горелик C.C., Капустина М. Д. //Изв.АН сер. Неорганические материалы,-1971, — № 7.-С. 1507.
  18. Zamir D., Beshah K. et.al."Nuclear magnetic resonance studies of II-VI semicondutor compounds and alloys"//J.Vac.Sci.Technol.-1988.-V.A6-V.2612.
  19. С.П., Пырков B.H., Водопьянов Л. К. «Спектр решеточного отражения сплавов CdxHguxTe (х=0−0.8)"//Физика твердого тела.-1992.-Т.34.-С.2373.
  20. A., Bowman R.C., Cooper D.E. «Raman studies of composition and structural ordering in CdxHg|.xTe» //Appl.Phys.Lett.-1990.-V.56.- P. 1055.
  21. Дж. «Модели беспорядка»,— М.: Мир, — 1982, — 590 С.
  22. В.И., Кацнельсон А. А. «Ближний порядок в твердых растворах».- М.: Наука, — 1977, — 253 С.
  23. Р. «Точно решаемые модели в статистической механике». М.:Мир.- 1985,486 С.
  24. В.М., Земсков B.C. «Физико-химические основы легирования полупроводников»,— М.:Наука. 1967.- 371 С.
  25. Стенли Г."Фазовые переходы и критические явления», — М.:Мир.-1973. -420 С.
  26. Dasgupta S., Stauffer D., Dohm V."Boundary effects in the three-dimensional Ising model’V/Physica A.- 1995, — V.213.- P.368−375.
  27. Moran-Lopez J.L., Aguilera-Granja F., Sanchez J.M. «First-order phase tranzitions in the Izing square lattice with first- and second-neighbor interractions’V/Phys.Rev.B. 1993.-V.48.-N.5.- P.3519−3522.
  28. Sanchez J.M., de Fontaine D. «Ordering in fee lattices with first- and second-neighbor interractions’V/Phys.Rev.B.-1980, — V.21.-N.1.-P.216−228.
  29. М.Я., Лисица М. П. «Фононы в соединениях АгВб» В кн. Физика соединений А2В6, — М.:Наука.- 1986, — 320 С.
  30. М.Я., Литвинчук А. П., Пекарь Г. С., Полисский Г. Н. «Резонансное комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnixCdxSe» //ФТТ-1981.-Т.23, №.4.- с. 10 101 013.
  31. Г. М., Ипатова И. П., Рыскин А.И «Оптические свойства четверных твердых3 5растворов на основе соединений, А В в облети решеточных и плазменных колебаний» // ФТП.-1984.-Т.18, № 1.- С.24−41.
  32. Н.Кера, W. Gebicki, T. GiebuItowicz, B. Buras, K. Clausen «A neutron study of phonon dispersion relations in HgTe'7/Solid State Communications.-1980.-V.34.-P.211−213.
  33. J.M.Rowe, P.M.Nicklow, D.L.Price, K. Zanic//Phys.Rev.B.-1974.- V.10.-P.671.
  34. R.Carles, N. Saint-Cricq, M.A. Renucci, J.B.Renucci., in: Lattice Dynamics, Int.Conf., (Paris), Flammarion Sciencies, Ed. M.Balkanski.- 1977.-P.195.
  35. D.W. Taylor In: Optical properties of mixed crystals, Elliot, ed., North-Holl.-1988.- P.35−130.
  36. H.W., Barker A.S. // Phys.Rev.- 1966- v. 149 P.715.
  37. Kozyrev S.P., Vodopyanov L.K., Triboulet R."Observation of short-order clustering effect in Cd,.xHgxTe» // Sol.St.Comm.-1983.- V.45, P.383.
  38. Perkowitz S., Kim L.S., Weng Z.C., Belca P"Optical phonons in CdxZn,.xTe».//Phys.Rev. B.-1990- V.42, P.1455.
  39. P.M., Dhar N.K., Baars J., Seelwind H. «Investigation of phonons in HgCdTe using Raman scattering and farOifrared reflectivity»//Semicond.Sci.Technol.-1990.-V.5.- P. S68.
  40. Compaan A., Bowman R.S., Cooper D.E."Raman studies of compositional and structural ordering in Cd,.xHgxTe «//Semicond.Sci.Technol.- 1990.- V.5. P. S73.
  41. Kim O.K., Spitzer W.G. «Infrared reflectivity spectra and Raman spectra of AxGaixAs mixed crystals» //J.Appl.Phys.-1979.-V.50.-N6.-P.4362.
  42. Perkowitz S., Kim L.S., Becla P. «Infrared analysis of clustering in II-VI-VI compound CdSexTe,.x7/ Phys.Rev.B.- 1991.-V.43.-N8.-P.6598.
  43. A.M., Мазуренко Д. М., Синицин M.A., Явич Б. С. «Оптические фононы и упорядочение кристаллической решетки твердых растворов InxGa|.xAs"//OTII.- 1994.-Т.28.-№ 9, — С. 1550.
  44. Kwok S.H. Yu P.Y. Uchida К. // Phys.Rev.B.-1998.- V.58.-P.R13395.
  45. T.S., Wang W.I., Wilkie E.L. //Appl.Phys.Lett.-1987.-V.51.-P.51.
  46. Heinrich A.J., Weber E.R., Uchida K. et.al. «Short-range ordering in AlGaAs grown with metal-organic vapor-phase epitaxy» //Phys.Rev.B.-1999.-V.59.-P. 10 296−10 301.
  47. Zolotoyabko E., Golgner A., Komem Y."Thickness effect in the atomic ordering of strained GalnP» //Phys.Rev.B.-1999,-V.60.-P. 11 014−11 025.
  48. Alsina F., Webb J.D., Mascarenhas et. al «Far-infrared transmission studies in disordered and ordered Ga0 siIncnsP’V/Phys.Rev.B.-1999.-V.60.-P. 1484−1487.
  49. Zorn M., Kupras P., Shkrebtii A.I. et.al. «Correlation of InGaP (001) surface structure during growth and bulk ordering"//Phys.Rev.B.-1999.-V.60.-P. 8185−8190.
  50. Amirtharaj P.M., Tiong K.K., Parayanthal P. et.al. //J.Vac.Sci.Technol.-1985.-V.A3.- V.226
  51. A., Pollak F.H., Amirtharaj P.M., Wilson J.A. //Semicond.Sci.Technol.-1990.-V.5.-P.S78-S80.
  52. S.P., Vodopyanov L.K., Triboulet R. «Structural analysis of the semiconductor-semicondactor-semimetal alloy Cdi.xHgxTe"//Phys.Rev.B.-1998.- V.58.-P.1374.
  53. Baars .T., Sorger F. «Restrahlen spectra of HgTe and Cdi. xHgxTe» //Solid.State Communications. -1972.- V.10.-P.875−878.
  54. D.N., Vandevyver M. «Vibrational properties of HgCdTe system’V/J.Appl.Phys.-1984.-V.56.-P. 1601 1607./'-p-0
  55. Kang S.K., Dumelow T., Parker T.J., York R.J., Smith S.R.P., Ershov S.N., Vasilevskiy M.I. //Digest of 18-th Int.Conf. Mill. Waves, Colchester, UK.-1993.- V.2104.-P.224.
  56. Farajami Shayesteh, Dummelow T., Parker T.J., Benushis T.I., Ershov S.N., Vasilevskiy M.I. //Int.J. Infr.Mm.Waves.-1995.-V.16.-P.763.
  57. Perkowtz S."Far infrared characterization of HgixCdxTe and related electronic materials» //Journal of Electronic Materials.-1985, — V.14.-N.5.-P.551−561.
  58. И.М., Гредескул C.A., Пастур Л.А."Введение в теорию неупорядоченных систем», — М.:Наука, — 1982, — 358 С.
  59. Albuquerque E.L., Fulco P. and Tilley D.R.// Phys. Status Solidi В.-1988, — V.146.- P.449
  60. D.N., Fang T.D. «Characterization of Raman scattering spectra in ternary compound semiconductors»// Phys.Rev.B -1990.-V.41,N.6.-P.3746.
  61. Santos M.S., Rodrigues E.S., de Oliveira P.M.C. «Sling-mass chains: Theoretical and experimental studies» //Am.J.Phys.-1990.-V.58-N.10-P.923.
  62. E.V., Latge A. «A new renormalization grope scheme for the spectra of hierarchical lattices» // J.Phys. C: Solid State Phys. 1988, — V.21- P.4251−4261.
  63. Kobayashi A., Dow J.D., O’Reilly E.P. «Phonons in AlxGaixAs alloys».//Superlat.and Microstruc. -1985, — V.1,N.6.-P.471.
  64. Z.-W Fu and J.D.Dow // Phys.Rev.B .- 1987.-V.36, — P.7625.
  65. X. «Принципы динамической теории решетки». М.:Мир,-1986.-392 С.
  66. В. «Lattice dynamics of superlattices with interface roughness»// Phys.Rev. B. -1990.-V.42,N. 11.- P.7256−7259.
  67. Уилкинсон, Райнш. «Справочник алгоритмов на языке алгол. Линейная алгебра». М.: Машиностроение.- 1976.-389 С.
  68. Дин П. «Колебательные спектры неупорядоченных систем. Численные результаты» В кн: «Вычислительные методы в теории твердого тела».-М.:Мир, — 1975, — 400 С.
  69. И.М. //УФН, — 1964, — Т.83, — С. 617.
  70. N.F., Twose W.D. // Adv.Phys. 1961- N10 — p. 107.
  71. Borland R.E."The nature of the electronic states in disordered one-dimensional systems» // Proc.Roy.Soc.Lond. -1963, — V. А274, — P.529−545.
  72. Dean P."Vibrations of glass-like disordered chains"//Proc.Phys.Soc.-1964.- V.84.-P.727−744.
  73. E.N., Soukoulis C.M., Cohen M.H. «Localization for correlated binary-alloy disorder’V/Phys.Rev.B.-1988.-V.37.-P.4399.
  74. Evangelou S.M., Wang A.Z."Localization in paired correlated radom binary alloys» //Phys.Rev.B.-1993.-V.47.-P. 13 126−13 136.
  75. Evangelou S.N., Economou E.N."Reflectionless modes in chains with large-size homogeneous impurities"//J.Phys.A:Math.Gen.-1993.-V.26.- P.2803−2813.
  76. Domiguez Adame F., Macia E., Sanchez A."Delocalization vibrations in classical random chains» //Phys.Rev.B.-1993.-V.48-N.9.- P.6054−6057.
  77. G., Keim M., Fischer F., Waag A., Landwehr G. «Resonant tunneling in CdTe/CdxMgi.xTe double-barrier single-quantum-well heterostures’V/Phys.Rev.B. 1996 — V.53, N24,-P.16 414−16 419.
  78. Canisius J., van Hemmen J.L."Localization of phonons"//J.Phys.C:Solid State Phys.-1985.-V.18-P.4873−4884.
  79. M.I., Baranova O.V. «Phonos in a medium with correlated substitutional disorder: a one-dimensional study"// J.Phys.:Condens. Matter.-1992.-N. 4, — P.9299−9308.
  80. Борн M., X. Кунь «Динамическая теория кристаллической решетки», — М.:Ин.лит.-1958, — 470 с.
  81. W.Cochran «Theory of the lattice vibrations of germanium’V/Proc.R.Soc.(London).- 1959. -Ser.A 253.- P.260−276
  82. G.Dolling, R.A. Cowley «The thermodinamics and optical properties of germanium, silicon, diamond, and gallium arsenide"//Proc.Phys.Soc.-1966.-V.88, — P.463−494.
  83. J.С. Phillips"Covalent bonds in crystals. I. Elements of a structural theory» //Phys.Rev. -1968.- V.166- P.832−838- «Il.Partially ionic bonding». Ibid.-1968.-V.168.-P. 905−911.
  84. S.Gottlicher, E. Wolfel «X-ray determination of the electron distribution in crystals (in German)"//Z.Electrochem.-1959.-V.63.-P. 891 -901.
  85. W.Weber «Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si, Ge and a-Sn» //Phys.Rev. В -1977.-V.15.-P. 4789−4803.
  86. M.F. Thorpe, S.W. de Leeuw «Coulomb effects in disordered solids"//Phys.Rev.B.-l986.-V.33. N.12 — P.8490−8505.
  87. Л.Д., Лифшиц E.M. «Электродинамика сплошных сред», сер. Теоретическая физика, Т.8. М.: Наука, — 1982, — 620 С.
  88. J.Baars, F. Sorger // Solid State Communications. -1972, — V.10.-P.875
  89. О.В. Баранова, М. И. Василевский, С. В. Строганова «Спектроскопия фононов в полупроводниковых твердых растворах замещения как метод исследования ближнего порядка"// Известия академии наук (серия физическая). 1994. — Т.58. — № 7 — С. 101−104.
  90. D.N.Talwar, М. Vandevyver // J.Appl.Phys. 1984.-V.56.- P. 1601.
  91. A.Tu, P. D. Persans //Appl. Phys. Lett.- 1991, — V.58. P.1506.
  92. C.M., Economou E.N. «Localization in Disordered Two-Dimensional Systems» //Phys.Rev.Let. -1980.- V.45, N19, — P.1590.
  93. Lee P.A., Ramakrishnan T.V. «Disordered electronic systems» //Rev.Mod.Phys. 1985. V.57, N2, — P. 287.
  94. D., Kravchenko S.V., Sarachik M.P. //Phys.Rev.Let. -1997, — V.79.- P. 2304.
  95. Castellani C., Castro C. Di, Lee P.A. «Metallic phase and metal-insulator transition in two-dimentional electronic systems //Phys.Rev. B. 1998. — V.57, N16 — P. R9381.
  96. Canisius J., van Hemmen J.L. «Localization of phonons» //J.Phys.C:Solid State Phys. -1985.-V.18.- P.4873.
  97. Rolo A.G., Gomes M.J.M., Vasilevskiy M.I., Vikhrova O.V., Savinov A.Yu. «FIR and Raman spectroscopy studies of CdS-Si02 composites» //Proc. 24-th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel- World Scientific.- 1998.- Tu P10.
  98. Rolo A.G., Gomes M.J.M., Vasilevskiy M.I., Vikhrova O.V., Conde O., Savinov A.Yu. «Optical Phonons and Crystalline Quality of (CdS or Ge) Nanocrystals Embedded in Si02 Films»
  99. Abstr.9-th Int. Symp. On small Particles and Inorganic Clusters, Lauzanne, Switzerland.- 1998. poster 12.24.
  100. Suemune Т., Tawara Т., Saiton Т., Uesigi K."Stability of CdSe and ZnSe dots self-organizaed on semiconductor surfaces"//Appl.Phys.Lett.-1997.-V.71,N.26.-P.3886−3888.
  101. M.P. Chemberlain, C. Trallero-Giner and M. Cardona «Theory of one-fonon Raman Scaterring in semiconductor microcrystallites’V/Phys.Rev.B. 1995 -V.51- P. 1680.
  102. М.И., Баранова O.B., Строганова C.B. «Модельный расчет фононных спектров псевдобинарных растворов с ближним порядком»// В сб. «II ая Российская конференция по физике полупроводников».- 1996 — Т.2. — С.80.
  103. M.I., Baranova O.V., Stroganova S.V. «Vibrational properties of a 2D Ising alloy»// J. Computer Phys.Communications.- 1996-V.97.- P. 199−204.
  104. М.И., Вихрова O.B. «Влияние ближнего порядка на локализацию фононных мод в двумерном твердом растворе»// Тез. докл. конференции «Структура и свойства твердых тел».- .Н.Новгород. 1999.- С.72−73.
  105. D.W. Taylor,"Optical Properties of Mixed Crystals», ed. R.J. Elliott, North Holland, Amsterdam.-1988, — P. 1988.
  106. Baroni, S. De Gironcoli, P. Gianozzi // Phys.Rev. Lett. -1990-V.65- P.84.
  107. K. Binder //Rep.Prog.Phys. -1987- V.50, P.783.
  108. R.A. Mayanovich, W.F. Pong, B.A. Bunker // Phys.Rev.B -1990-V.42- P. l 1174.
  109. E.Belas et.al. //J.Cryst.Growth -1994- V.138 P.940.115i. Бовина Jl.А., Стафеев B.A."Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te» В кн.: Физика соединений А2В6.- М.: Наука,-1986, — 320 С.
  110. К.Binder //Rep.Prog.Phys. -1987-V.50.-P.783.
  111. С.К. Максимов, К. С. Максимов, Е. А. Ильичев //Письма в ЖЭТФ, — 1996.-Т.63- С. 412.
  112. G.S. Chen, G.B. Stringfellow //Appl.Phys.Lett. -1991-V.59 P.324- P.2258. 1 Ш. G.B. Stringfellow//J.Cryst.Growth. — 1989.-V.98, — P. 108.
  113. M. Ishimura, A. Asaki //J.Appl.Phys.- 1986.- V.60.-P.3850.
  114. I.P.Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin //J.Appl.Phys. -1993.-V.74- P.7198. 122- Rajput B.D., Browne D.A.//Phys.Rev.B -1996.-V.53.-P.9048.
  115. Baroni S., Gianozzi P., Molinari E.// Phys.Rev.B-1990.-V.41-P.3870.
  116. В., Sapriel J. «Raman investigation of angannonicity and disorder-induced effects in Ga,.xAlxAs epitaxial layers’V/Phys.Rev.B -1981-V.24-P.7194−7205.
  117. M.I., Baranova O.V., Stroganova S.V. «Vibratinal properties of a 2D pseudobinary ising alloy»// In: Proc. lO-th summer school CPG EPS- September 1995.
  118. А.И.Белогорохов, Ю. А. Пусеп. «Определение концентрации свободных носителей заряда в материале CdxHgi-xTe по спектрам ИК-отражения», АН СССР, Сибирское отделение, Новосибирск, — 1987, — 27С.
  119. Н.Н.Берченко, В. Е. Кревс, В. Г. Средин. «Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы» М.: Воениздат.- 1982.- 208 С.
  120. M.I. Vasilevskiy «Confined LO phonons in superlattices with interfacial broadering» //J.Phys Cond. Matter 1992 -V.4.- P.4509.
  121. M.I. Vasilevskiy, A.G.Rolo and M.J.M. Gomes «One-phonon Raman Scattering from semiconductor nano-crystals» //Solid State Communications.- 1997- V. 104 P.381.
  122. Rajput B.D., Browne D.A.//Phys.Rev.B.-1996.-V, 53.- P.9048.
  123. Feng Z.C., Perkowitz S.et.al."Composithinal dependence of optical-phonon frequencies in AlxGa,.xAs"//Phys.Rev.B. -1993, — V.47, N.20.- P. 13 466−13 470.
  124. M.I. Vasilevskiy, O.V. Baranova, Z.F. Krasil’nik, D.A. Rakhlin, S.V. Stroganova «Short-range order and micro-inhomogeneities in CdxHg|.xTe: characterization by means of FIR and Raman spectroscopies’V/J.Cryst.Growth.- 1996 V. 159 — P. 1108−1111.
  125. М. «Резонансные явления», В кн. Рассеяние света в твердых телах. Вып. II.-М.:Мир.-1984.-328 С.
  126. R.G., Winer Е. //Pnys.Rev.B.-1989.-V. 39.-Р. 10 056.
  127. Одно-фононное комбинационное (рамановское) рассеяние
  128. Как известно 92., подчиняется уравнению
  129. Лйх + к. Ь, = -гоП-оКАяР), (1.2)которое имеет решениес = е’м° кХк, Ре-'Кга?. (1.3)
  130. При этом предполагается, что свет, идущий от области с/г, не рассеивается сколько-нибудь еще, и волны, идущие от различных с! г, некогерентны. Выражение (1.3) может быть переписано следующим образом: еллбх=€ 5Ёя=-~кЦР1е-'^с1г, (1.4)1. Я *
  131. Подставляя (1.4) в (1.5) получимit 4 ½als cosesfre^'dF1.6)сЮ. 8лс3
  132. Сечение комбинационного рассеяния получается после деления (1.6) на интенсивность падающего излучения (внутри среды):
  133. Данная формула описывает как упругое, так и неупругое рассеяние.
  134. Для кристалла получаем спектральное сечение комбинационного рассеяния: d2adildajr.4 Л СО, г 7lsf со, 1
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!