Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии

Диссертация: Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Метод молекулярной динамики позволяет промоделировать, зная соответствующие потенциалы, парного взаимодействия, основные особенности структуры конденсированной фазы. Параметры потенциалов парного взаимодействия определяются, как правило. из экспериментальных данных. Альтернативным способом решения данной проблемы может быть привлечение неэмпирических методов квантовой механики, и, в частности… Читать ещё >

Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Основные закономерности процесса испарения летучего вещества из конденсированной фазы
      • 1. 1. 1. Условия испарения Кнудсена и Ленгмюра
      • 1. 1. 2. Макроскопическое описание процесса испарения летучего вещества из многокомпонентной конденсированной фазы
      • 1. 1. 3. Испарение компонентов из твердого фосфида галлия и его растворов в гагшии
    • 1. 2. Теоретические методы исследования структурных и физических свойств веществ, находящихся в жидком состоянии
      • 1. 2. 1. Метод Монте-Карло
    • 1. 2. 2. Метод молекулярной динамики
      • 1. 2. 3. Потенциалы парного взаимодействия
      • 1. 2. 4. Моделирование жидких полупроводниковых соединений АШВ¥- и галлия методами Монте-Карло и молекулярной динамики
  • Выводы к первой главе
  • Глава 2. ЛЕНГМЮРОВСКОЕ ИСПАРЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ ИЗ РАСТВОРОВ ФОСФОРА В РАСПЛАВАХ ГАЛЛИЯ И ТВЕРДОГО ФОСФИДА ГАЛЛИЯ
    • 2. 1. Методика проведения экспериментов по ленгмюровскому испарению компонентов из твердого фосфида галлия
    • 2. 2. Обсуждение результатов эксперимента по испарению фосфида галлия
  • Выводы ко второй главе
  • Глава 3. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ МОЛЕКУЛ
    • 3. 1. Метод Хартри-Фока-Рутана
    • 3. 2. Выбор функций базисного набора и способы построения атомных базисов
    • 3. 3. Вычисление молекулярных интегралов с гауссовыми функциями
    • 3. 4. Краткое описание программы расчета электронной структуры молекул методом Хартри-Фока-Рутана
    • 3. 5. Решение уравнений Хартри-Фока-Рутана
    • 3. 6. Вычисление средних значений физических величин
    • 3. 7. Вычисление параметров парных потенциалов для молекул Рг, ОаР и Оаг
  • Выводы к третьей главе
  • Глава 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСТВОРОВ ФОСФОРА В РАСПЛАВЕ ГАЛЛИЯ
    • 4. 1. Расчет структуры ближнего порядка жидкого галлия
    • 4. 2. Расчет структуры ближнего порядка растворов фосфора в расплавах галлия
    • 4. 3. Оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия выше и ниже температуры конгруэнтного испарения
  • Выводы к четвертой главе

Актуальность темы

Твердое тело представляет собой совокупность большого числа атомов, связанных друг с другом. Поэтому взаимодействие атомов в твердых телах определяет их структуру и свойства. В бинарных соединениях это взаимодействие усложняется, поскольку свойства компонентов, входящих в них, могут существенно различаться. Выявление закономерностей взаимодействия атомов в твердом теле составляет одну из основных задач физики конденсированных сред. Очевидно, что при решении таких задач целесообразно использовать различные теоретические методы, в частности, метод молекулярной динамики, учитывающий парное взаимодействие между атомами.

Среди бинарных полупроводниковых соединений видное место занимает фосфид галлия [1−4]. Технология приборов на основе СаР включает, как правило, высокотемпературные операции (эпитаксиальное наращивание пленок из растворов-расплавов, выращивание монокристаллов и т. д. [5,6]), во время которых происходит неконтролируемое испарение летучего компонента. При этом процесс испарения определяется структурой приповерхностных слоев и взаимодействием компонентов в твердом фосфиде галлия и его галлиевых растворах. В настоящее время взаимодействие компонентов в системе Оа-Р изучено недостаточно.

В связи с этим несомненный интерес представляет исследование испарения компонентов монокристаллического фосфида галлия в условиях Ленгмюра. Это позволяет определить в макроскопическом приближении важные энергетические характеристики процессов, протекающих на поверхности конденсированной фазы: энергию активации и лимитирующую стадию процесса испарения компонентов,.

Метод молекулярной динамики позволяет промоделировать, зная соответствующие потенциалы, парного взаимодействия, основные особенности структуры конденсированной фазы. Параметры потенциалов парного взаимодействия определяются, как правило. из экспериментальных данных. Альтернативным способом решения данной проблемы может быть привлечение неэмпирических методов квантовой механики, и, в частности, метода Хартри-Фока-Рутана, используемого для расчета электронной структуры молекул.

Привлечение полученных таким способом потенциалов при молекулярно-динамическом моделировании позволит раскрыть основные качественные и количественные особенности процессов, протекающих не только б газовой, но и в конденсированной фазе.

Использование данных по ленгмюровскому испарению фосфида галлия и по моделированию взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии методом молекулярной динамики позволит установить некоторые параметры взаимодействия атомов в объеме конденсированной фазы и на межфазных границах твердое тело-паровая фаза, расплав-паровая фаза. А это, в свою очередь, поможет скорректировать технологические режимы при испарении компонентов фосфида галлия в газовую среду при разнообразных операциях по получению этого материала и изготовлению приборов на его основе.

Таким образом, с учетом вышесказанного, можно считать тему диссертации, посвященную исследованию взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах-расплавах, актуальной.

Цель работы. Целью диссертации было экспериментальное и теоретическое исследование взаимодействия компонентов в поверхностных слоях твердого фосфида галлия и его растворах в расплавах галлия при Т 1000 К.

Для достижения поставленных целей в работе были решены следующие задачи.

1. Экспериментально исследован процесс конгруэнтного и инконгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия и его растворов в галлии, а также определена температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия.

2. Рассчитаны потенциалы Морзе и Л еннарда-Джонса молекул Р2, GaP и Ga2 неэмпирическим методом Хартри-Фока-Рутана.

3. Проведено молекулярно-динамическое моделирование растворов фосфора в расплавах галлия, используя полученные нами потенциалы парного взаимодействия.

Научная новизна.

В работе впервые получены следующие результаты.

1. Измерены энергии активации процесса конгруэнтного и инконгруэнтного испарения фосфида галлия.

2. Экспериментально определена температура конгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия.

3. Установлено, что испарение димеров фосфора из фосфида галлия протекает с выделением энергии.

4. Рассчитаны потенциалы парного взаимодействия Р-Р, Ga-Ga и Ga-P для моделирования взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его галлиевых расплавах.

5. Структурные характеристики растворов фосфора в галлии.

6. Показано, что в системе расплав галлия-фосфор имеет место положительная адсорбция фосфора.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Энергии активации процессов инконгруэнтного и конгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия равны 326.6 кДж/моль (3,4 эВ/атом) и 148,1 кДж/моль (1.54 эВ/атом), соответственно, и температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия, равная.

1064±3 К.

2. Процесс испарения молекул Р2 из твердого фосфида галлия протекает с выделением энергии, равной 121.2+8.8 кДж/моль.

3. Рассчитанные методом Хартри-Фока-Рутана потенциалы парного взаимодейстия Ga-Ga. Ga-P и Р-Р.

4. Рассчитанные методом молекулярной динамики структурные характеристики растворов фосфора в расплавах галлия.

5. Энергии испарения компонентов фосфида галлия выше и ниже температуры конгруэнтного испарения.

Научная и практическая ценность работы.

Диссертационная работа является необходимым этапом в исследовании энергетических и структурных свойств полупроводниковых соединений А3В~, Полученные в работе результаты могут послужить теоретической базой для объяснения существующих и новых эксперимен гальных данных. Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика — 97″ (Зеленоград, 1997 г.), V Международной конференции '» Термодинамика и материаловедение полупроводников5' (Москва, 1997 г.). Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» ТГ 1 .—I f~ Ч ТТ7 J «О» I.

Новгород, ivy/ г.), на iV международной конференции «Межмолекулярное взаимодействие в материалах» (Гданьск, Польша. 1997 г.), 36, 38 научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1996 г., 1998 г.).

Публикации. По результатам исследований опубликовано б работ в виде научных статей, докладов и тезисов докладов.

Личный вклад автора.

В совместных работах автору принадлежит проведение экспериментов, расчетов, обсуждение результатов и написание статей. Эксперимент по инконгруэнтному испарению проводился совместно с Комбаровой И. В. При проведении квантово-механических расчетов большая помощь была оказана к.ф.-м.н., доц. Скрипниковым В. А. Определение целей работы, обсуждение результатов экспериментов и расчетов осуществлялось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Хухрянским Ю.1Т.

Сгруктура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 133 страницы, включая оглавление, 14 рисунков, 13 таблиц и список литературы из 103 источников.

ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ.

1. Несмотря па некоторые расхождения рассчитанных в нашей работе характеристик жидкого галлия с экспериментально определенными величинами, использование рассчитанного нами потенциала Морзе молекулы Оапозволяет с достаточно хорошей точностью описывать структурные свойства жидкою галлия. Поэтому потенциал можно использовать и для моделирования растворов фосфора в расплавах галлия.

2. Определены структурные характеристики растворов фосфора в расплаве галлия.

3. Теоретическая оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия выше температуры конгруэнтного испарения позволяет сделать заключение, образование молекул Р2 на поверхности расплава галлия происходит с меньшей затратой энергии, чем в вакууме. А также сделать вывод, что взаимодействие атомов галлия и фосфора в расплаве приводит к положительной адсорбции фосфора расплавом галлия, к уменьшению энергии образования молекул Р2. что представляет несомненный интерес для практического использования.

ЗАКЛ ЮЧЕНЙЕ.

Проведенное теоретическое и экспериментальное исследование взаимодействия компонентов фосфида галлия позволяет сделать следующие выводы:

1. Энергии активации процессов конгруэнтного и инконгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия составляют.

326.6 кДж/модь (3.4 зВ/атом) и 148.1 кДж/моль (1.54 зВ/атом), соответственно.

2. Температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия равна 1064±3 К.

3. Процесс испарения молекул ?2 из насыщенного раствора фосфора в расплаве галлия протекает с выделением энергии, равной 121.2±8.8 кДж/модь.

4. Методом Хартри-Фоке-Рутаня рассчитана электронная структура молекул Pi, Gap к Q&2. Определены параметры потенциалов парного взаимодействия (Морзе и Леннарда-Джонеа) указанных структур.

5. Методом молекулярной динамики рассчитаны структурные характеристики растворов фосфора в расплавах галлия и установлены температурная и концентрационная зависимости этих характеристик,.

6. Теоретическая оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия выше температуры конгруэнтного испарения позволяет сделать заключение, что образование молекул ?2 на поверхности расплава, галлия происходит с выделением энергии ~ 0,5 эВ, что значительно меньше аналогичной величины в вакууме (5,06 эВ).

7. Взаимодействие атомов галлия и фосфора в расплаве приводит к положительной адсорбции фосфора расплавом галлия.

1Я/1.

1 ^ «Г.

Образование молекул ОаР на поверхности твердого фосфида галлия при конгруэнтной пспарекин протекает с в^хдслсш-юм лгьрхшх.

ИТ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Мзделукг О, Физика полупроводниковых соединений элементов III и У Групп. М.: Мир, 1967. 477 с.
  2. К., Роуз-Икс А. Полупроводники типа АшВу.-- М.: Кзд-во иностр. лит-ры- 1963. 323 с.
  3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1984. 456 с.
  4. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь. 1991 528 с.
  5. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 224 с.
  6. В.М., Додгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эштаксшт в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. 328 с.
  7. Л.Д., Лившиц Е. М. Статистическая физика. М.: Наука. 1976. 584с.
  8. П. К. Мерзляков A.B., Кушш Л. Л. Отклонение давления пара от равновесного в эффузионной камере 7 Неорг. материалы. 1972, Т, 8, JSg 3. С.564−566.
  9. Несмеянов AIT., Хандамирова Н. Э. Влияние коэффициента Ленгмюра и молекулярного состава пара на результаты измерения давления пара, // Ушешдпмик. 1959. Т.28. № 2. С.117−132.
  10. Melville В, Н," (?ray S.С. The vapour pressure of red phosphorus '7 Trans. Faraday Soc. 1936. № 32. P.1026−1030.
  11. ЮЛ. Кинетика испарения летучего компонента идеальною раствора // Журн. физ, химии. 19S0. Г. 34. Tfe 0. С.2017−2020.
  12. A.A., Шварцмсн Л. А. Физическая химия. М.- Металлургия. 1976. 342 с.
  13. ЕЛ.- Хухрянский Ю.П. Жидкофазная зпитаксия СаАз из растворов с испаряющимся растворителем и' Яеорг.материалы. 1982. Т.3 8. № 3. С.348−350.
  14. Хухрянский Ю. П, Николаева Е. П. Исследование процесса жидкофазхюй зпитаксии из растворов с испаряющимся растворителем // Кристаллография. 1982. Т.2'7. Вып.4. С.763−766.
  15. Ю.П. Эпитаксия пленок из многокомпонентных растворов-расплавов при изотермическом испарении растворителя Ч Кристаллография, 1992. Т.37. Вып.5. С. 1275−1280.
  16. Ю.П. Механизм обмена фосфора между фазами в системе пар-раствор 1п-Р//"Журн. физ, химии. 1981, Т.55. № 9. С.2374−2377.
  17. Хухрянский Ю. П, Диффузионная модель процесса испарения летучего вещества из разбавленного растем ' Т.: 1 ' 'Г 'О. № 10. С.2634−263″.
  18. Хухрянский 10.П., Ермилин В. П., Бордахоз Е. В., Сысоев и.И. Кинетика поглощения пара летучего вещества пасштавами металлов И Расплавы. 1988.1.2. Вын.1. С. 12−16.
  19. Х^осрянскин Ю. П. Закономерности испарения летучего компонента при диффузионном перемешиваний раствора // Получение и анализ чистых веществ: Межвуз. сб. науч. тр. Горький: ГГУ, 1987. С.14−17.
  20. Ю.П. Влияние ассоциации в паровой фазе на испарение летучего компонента из растворы, 7 Здскт. техника. 1934. Серия б. Выа. .10. 0.15−17.
  21. Горбов С. И, Термодинамика полупроводниковых соединений Ал’в Итоги науки и техники. Химическая термодинамика и равновесие. М.: ВИНИТИ. 1975.1.3. 149 с.
  22. Молекудярно-дучевая зпитахеих и гетероетруктуры. Иод ред. гт «х: Плога К. Мт Мир. 19X9, 582 с. 1. J .<"7 i
  23. Foxon €.17 Boudry M.R. Joyce B.A. Evaluation of surface kinetic data, by the transform. analysis of modulated molecular bearn. measm’cmonts // SurLSdcncc. 1974. Г.69--92.
  24. Foxon C.'i. Joyce B.A., Farrow R.F.C.- Griffiths R. M The identification 01 species evolved in the evaporation of IIX-V compound^// J. Рщъ. D. Appj.Phys. ?974. V. 7. p. 2422−2435.
  25. Richman D. Dissociation pressures oi’GaAs, Gap. and InP and the nature of the I1. I-V melts// J. Phys.Oiiem.Solids. 1963. V. 24. P, 1131−1139.
  26. Johnston W.D. The phosphorous dissociation pressure over the system GaP-Ga 7J. Electrochem. Soc. 1963. V.110. № 2. P. 117 419.
  27. Drowart 1. Goldfinger P. Etude themodynamique des composes IH-V et П~ VI par spectrometrie de masse //J.Chem.Pliys. 1958, ?. 55. P. 721−732.
  28. П. Полупроводниковые соединения д-и9 • М.: металлургия. 1967. 682 с.
  29. Thurmond C.D. Phase equilibria in the GaAs and OaP systems „T.Phvs.Chem.Soiids. 1965. V 26 ж 5. P, 785−802.
  30. Iiegems M., Panish M.B., Arthur J.R. Phase equilibria ада vapor pressures m the Ga-P system //}, Chem, Thermodynamics. 1974. У.6. P. 157−177.
  31. К. Физика жидкою состояния. -M.: Мир, 1978. 4OO с.
  32. И.П., Николаев H.H. Теория систем многих частиц,— М.: Ксд-ло Моск. Ун-та, 1984. 312 с.
  33. X., Тобо-шик Я. Компьютерное моделирование в физике. В 2-х частях. Часть i. М.: Мир. 1996, 349 с.
  34. Abraham F.F. Computer simulations of surfaces and physisorbed uhns /7 J, Vacuum science and technology. 1984. V, 2. P. 534−549,
  35. Maciiiup S. ana Gnsager L. Huciimiions and irreversible process, li Systems with kinetic energy^ Phys. Rev. 1953. V.91. P. 1512−1515.
  36. Б. М. Детлаф A.A. Сншвоиник по физика для инженеров и студентов вузов. ~~М.- Наука. 1964. 847 с.
  37. Дж. Электронная структура молскзсх М,: Мир, 1965. 587 с.
  38. Дж.- Кертис 4“ Берд Р. Молекулярная теория гыюв и жидкостей. М.: Изд-eö- иностр. днт-ры, 1961. 929 с.
  39. В., КоэнМ,. Уэйр Д. Теорияпсевдопотенциалд М.: Мир, '973. 557 с.
  40. Wang Z.Q. and Stroud D. Mocte Carlo study of liquid OaAs: bulk and surface properties, 1 J.Phys.Rev. B. 1990. V.42. № 8. P. S353−5355.
  41. Wang Z.Q. and Stroud D. Moats Carlo study of the liquid CdTe surface !! j. Phys Rev, и? 989. учи M> 5, P. 3129−5132.
  42. ZUaiig Q.-M., Cliiarotti G., and Selloni A., Сат R,. Paxineilo M. Atomic structure and bonding in liquid GaAs from ab initio molecular dynamics 9 J. Pkys.Rev. B. 1990. V.42. N 8. P. 5071−5081.
  43. Hatner J. and .Tank W. //J. Phys. Condeiis.Mutier. 19S9. V.l. P.4235.
  44. Иванова P. B, Химия и технология галлия. Мл Металлургия, 1973,1. С. 391.
  45. Шахтаронов М. И, Введение в современную теорию растворов, ~ М.:1. Наука. 1968. з26 с.
  46. НИ. Галлий.М.: Металлургия, 1964. 169 с.
  47. Я.И. Рентгенография жидких металлов. Львов: Выща школа.1977. 163 с.
  48. . Структура, твердых аморфных и жидких веществ. -М.: Наука, 1983. 151 с.
  49. Heiidus Н. Die Atoi^verteilvng mi Flussigen Metalle //Z. Naiiirforschtmg.194/. V.2a. Ks 7. P.505.
  50. Tsay S.-F., Wang S. Anomalies m the liquid structure of Ga metai fi J. Phys.Rev. B. 1994. V.50. M 1. P.108−112.
  51. Hafiier J., .Tank W. Structura! and electronic properties of the !"qi.iid polyvalent elements. III. The trivaieot elements, vPuys. Rc v. B. 1990. V.42. P, 11 530−1 1539.
  52. Lai S.K. Li W., Tosi M.P. Evaluation of liquid structure of potassium, zmc. and cadmium// Phys.Rev. A. 1990. V.42. P.72S9−7303.
  53. Tsay S.-F. Structure of rapidly quenched Ga metal // j.Phys.Rev. B. 1993,. V, 48. № 9. P. 5945−5948. 56 Tsay S.-F, Relation between the p aud rapidly quenched liquid gai hum /V J. Phys.Rev. B, 1994. ?.50. № 1, P. 1034 07,
  54. Farrow R.F.C. The evaporation of In? under Knudsen (equilibrium) and Langrmiirt (free) evaporation conditions/^ J.Phys.D: Appl.Phys. 1974. V. 7. P. 2436−2443.
  55. Foxon C.T., Harvey J.A., Joyce B.A. The evaporation of GaAs under equilibrium and non-equilibrium conditions using a modulated beam technique// J. Phys.Chem. Solids 1973, V. 34. P.1693−1701.
  56. Lou C.Y., Somorjai G.A. Studies of the vaporization mechanism of galliumarsenide single crystals 2 J.Chem.Phys. 1971. V.55. Xs 9, P.4554−4565.
  57. Panish M. B, f Arthur J, R. Phase equilibria, and vapor pressures of the systemu-P If J.Chem.Tliermodynaimcs. 1970. V.2. P.299−3J8.
  58. И. В. Рязанов Д.В. Лешмюровское испарение твердого фосфида галлия// Тезисы докладов межвузовской нз. учиомехнической конференций „Микроэлектроника и информатика 979 Часть 1,-М: МГИЭТ (ТУ), 1997. С. 66.
  59. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под ред. Г, В, Самсонова.-М.: Металлургия, 1969. 453 с.
  60. Г. Курс неорганической химия. М.: Нака, 1978. 7.1. Кн.2, 32бс. 63. Беклемишев А. В. Меры и единицы физических величин. — Ы.: Havwa.1935:315 с.
  61. Ю.П., Веремьянина Л. Н. Сысоев О.Й, Крылова Л/В Испарение галлия и индия в условиях Леш шора. // Журн. техи. физики. 1996. Т. 66. № 4. С, 186−188
  62. Хухрянский 10.11. /7 Пронессы роста ii<�"i, vi,)ч“».""пиковых кристаллов ипленок иод ред. Кузнецова Ф. А. Поч^м.Хх^сгг Наука, 1981. С. 104.
  63. Мт Мир,)972, →90 с. 72. Полумтпирхчес. кке методы расчет электронной структуры/ под ред. Дж, Сигала' М.: Мир. 1980. 327 с.
  64. Барановский В, И. г Братцев В. Ф., Панин A.M., Третьяк В. М, Методы расчета электронной структуры атомов и молекул. Л: йзд-во Леииигр. ун-та, 1975. 203 с,
  65. С. Метод молекулярных орштлеи. М: Мир, 1983, С, 17 i202.
  66. О. Теория твердого тела, М.: Наука, 1980, 416 с,
  67. McWeeney R. Gaussian approximations ю wave funerions// Nature. 1950.166. 26 4209. P. 21−22.
  68. O’ohata K., Taketa IF, Kuzinaga S. Gaussian expansions of atomic orbitals
  69. J Phys. Soc. Japan. 1966. V.21. № 1! P.2306−23J 3, SI. Stewart R.F. Small Gaussian expansions of atomic orbnals/v .А31шп.РЬун.1969. V.50, P.2485−2495.
  70. Kshre W'.J,. Stewart R.F., Popic J.A. Self-consistent molecular-orbitalmethods. I. Use of Gaussian expansions of Slate?-type atomic orbital". • j.Chem.Phys, «969. ?.5B Jn<�"6. P.26S7−2664.
  71. Ю.А., Длдюша Г. Г., Хупрхезшч В. А., Подольская Л.M., Каган
  72. P.M. Методы распета электронной структуры и спектров молекул. -Киев: Паукова думка, 1969. 307 с.
  73. Рязанов Д. В-, Скритшиков В, А., Хухрянский Ю21 Нотсштиалтт межчастичного взаихк> ie"n • ¦"п. ч>. ч ни >.фосфора .х •. ' >
  74. Тезисы докладов V Международной конференции '"'Термодинамика и1. А' -М. МИЗТ, 1997. С. 136.
  75. Д. В. Окрипников В.А. Х)'хр'отсккй Ю и. Расчет электроннойструктуры состояния L’L» молекулы Gar методом Хартри-Фока-Рутана
  76. Тезисы докладов Международного семинара «Карбид кремния родственные материалы».-Новгород. 1997. С. 24−25,и
  77. Ryazanov D.V., Scripnikov V.A., Khukhiyanskii Yu.P. About interaction between gallium and phosphorus atoms in a condensed phase// Тезисы докладов 41″ international Conference '"intermobcniar Interaction in Mattel Gdansk. POL, AND, September P. 37.
  78. Д.Е., Схфипншсов Б. А. Взаимодействие атомов фосфора х г&ллйй в молекулах Рг и Gap !! Вестник ВГТУ. 1998. Вып. 1.3. С.41−44.
  79. Shim F, Mandix K., Gmgerich К .А. Theoretical and experimentalinvestigations of the Ga- mokcnte .7J. PhysGhem, 1991. ?.95. P, 54 355 412.
  80. Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1949. 403 с,
  81. .М., Яценко А. С. Свойства димеров /7 Успехи физ. navK.1996. Т. 166. № 3. С. 225−2-43.
  82. К.П., Герцберг F. Константы двухатомных моле! суд. М.: Мир, 1984. 4.1. 408 с.
  83. А. В. Косилов А.Т. Моделирование жидкого и аморфного железа // Расплавы, 1998. № 1. С, 55−61.
  84. А.В., Косилов А. Т. Стрз-тстура расплавов железо-углерод по данным компьютерного эксперимента /7 Вестник ВГТУ. Сер. «Материаловедение». Вып. 1.2. С.79−80.
  85. И.Т., Назаренко К).IF, Некреч Е. Ф, Краткий справочник по химии/ иол ред. О, Д. Куриленко. Киев: Наукова думка, 1965, 835с,
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!