Реактивное ионно-плазменное и

реактивное ионно-лучевое травление.

Реактивное ионно-плазменное травление осуществляется в реакторах, аналогичных применяемым для ионноплазменного травления (Рис. 5.5). Однако в реактивном ионноплазменном травлении вместо плазмы инертного газа используется разряд в молекулярных газах аналогично тому, как это осуществляется при плазменном травлении.

Особенностью реактивного ионно-плазменного травления являются:

• — асимметричные электроды (т.е. отношение площади катода к площади заземленной поверхности намного меньше единицы);
• — размещение подложек на запитываемом электроде;
• — относительно низкие рабочие давления (0,133… 13,3 Па).

Каждая из перечисленных особенностей метода обуславливает относительно высокую энергию ионов, бомбардирующих поверхность.

Низкие рабочие давления, используемые при реактивном ионно-плазменном травлении, приводят к необходимости применения более сложных вакуумных систем и низких скоростей подачи рабочего газа (~ 10… 100 см³/мин). В остальном системы реактивного ионно-плазменного травления сходны с реакторами для плазменного травления с параллельным расположением электродов.

Реактивное ионно-лучевое травление — самый современный из разработанных методов реактивного травления.

Реактивное ионное травление (РИТ) также является одной из разновидностей плазмохимической обработки. РИТ характеризуется приведенными выше параметрами и характеристиками, а также носит анизотропный характер. Этот процесс используется во многих областях, включая производство полупроводниковых приборов и оптоэлектроники.

При этом процессе обрабатываемый материал вынесен из зоны плазмы разряда и подвергается воздействию луча ускоренных ионов химически активных газов, которые в процессах перезарядки, диссоциации и нейтрализации в луче и на поверхности материала могут образовывать ХАЧ и производить травление. В этом процессе используется как физическое, так и химическое взаимодействие ускоренных ионов с атомами поверхностных слоёв обрабатываемого материала. Применяемое при этом оборудование сходно с установками, используемыми при ионнолучевом травлении (Рис. 5.6). Аналогичными являются и рабочие характеристики. Однако вместо инертных газов источниками ионов служат молекулярные газы — так же как в методах плазменного и реактивного ионно-плазменного травления.

Хотя реактивное ионно-лучевое травление дает весьма высокий уровень анизотропии травления (Af ~ 1), то селективность его травления весьма низкая и из-за достаточно сложного оборудования нс находит широкого применения.