ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ логичСскиС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π›Π˜Π—ΠœΠžΠŸ-транзисторы с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ памяти, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠŸΠ›Π˜Π‘. Из ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² со ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ выдСлился Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π±Π΅Π· возмоТности стирания Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π’ ΡΡ‚ΠΈΡ… схСмах Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ Π˜Π‘ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ окошко, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ происходит ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ кристалла, просто отсутствуСт, Ρ‚. Π΅… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ логичСскиС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

БрСдства ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ своС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌ «ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ логичСскиС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы» (ΠŸΠ›Π˜Π‘). ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠŸΠ›Πœ ΠΈ ΠΠœΠ› стали микросхСмы CPLD (Complex Programmable Logic Devices — слоТныС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ логичСскиС устройства), Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π‘ΠœΠš — микросхСмы FPGA (Field Programmable Gate Arrays — ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹, Π³Π΄Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΌ понимаСтся любой логичСский элСмСнт). Рост уровня ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Π°Π» Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅ схСмы, ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… соотвСтствуСт Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌ систСмам. Π­Ρ‚ΠΈ схСмы ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ SOC {System On Chip — систСма Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅).

Π‘Ρ„Π΅Ρ€Π° примСнСния ΠŸΠ›Π˜Π‘ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠ° Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ схСм, Π½ΠΎ ΠΈ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΡ‹ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Ρ‹.

БрСдства обСспСчСния программируСмости ΠŸΠ›Π˜Π‘

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚. Π΅. Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ создания ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ стандартной Π‘Π‘Π˜Π‘, обСспСчиваСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Π½Π΅ΠΉ мноТСства ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ программирования ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ. Бостояния ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ схСмы, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅. Число ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π² ΠŸΠ›Π˜Π‘ зависит ΠΎΡ‚ Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ². Π’ ΠŸΠ›Π˜Π‘ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ:

  • β€’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° antifuse;
  • β€’ Π›Π˜Π—ΠœΠžΠŸ-транзисторы с Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ;
  • β€’ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, управляСмыС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ памяти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ («Ρ‚Π΅Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΌ» Π—Π£).

ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ диэлСктричСскиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π—Π­ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π—Π£ (см. ΠΏΠ°Ρ€Π°Π³Ρ€Π°Ρ„ 4.2). ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° antifuse, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² ΠŸΠ›Π˜Π‘, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π‘Π‘Π˜Π‘. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠ° образуСтся трСхслойным диэлСктриком с Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ слоСв «ΠΎΠΊΡΠΈΠ΄ — нитридоксид» ΠΈ Π² ΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ состоянии ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС сопротивлСниС (ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ составляСт =40 15 А).

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ напряТСния ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΡƒ ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π΅Ρ‚ проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π». Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, создаваСмого ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠΌ программирования, влияСт Π½Π° Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ проводящСй ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ (Ρ‚ΠΎΠΊ 5 мА ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΡƒ с ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ 600 Ом, Π° 15 мА — 100 Ом). ΠŸΠ›Π˜Π‘ с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡Π΅ΠΊ antifuse Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ°ΠΌΠΈ Actel ΠΈ Lattice Semiconductor.

Π›Π˜Π—ΠœΠžΠŸ-транзисторы с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ памяти, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠŸΠ›Π˜Π‘. Из ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² со ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ выдСлился Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π±Π΅Π· возмоТности стирания Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π’ ΡΡ‚ΠΈΡ… схСмах Π² ΠΊΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ΅ Π˜Π‘ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ окошко, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ происходит ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ кристалла, просто отсутствуСт, Ρ‚. Π΅. Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ стирания ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.

НСпрограммируСмыС ΠŸΠ›Π˜Π‘ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ схСмотСхники EPROM Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ часа) стирания старой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ излучСния. Из-Π·Π° Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ свойств ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм излучСния число Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² программирования ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π‘Π‘Π˜Π‘ ΠΈΠ· ΡƒΡΡ‚ройства. Π’ ΠŸΠ›Π˜Π‘ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ схСмотСхники EEPROM стираниС осущСствляСтся элСктричСскими сигналами, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ извлСчСния микросхСмы ΠΈΠ· ΡƒΡΡ‚ройства. ВрСмя стирания старой ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠΈ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ составляСт нСсколько миллисСкунд, Π° Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² — 104-Н06. Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ врСмя Π² Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠŸΠ›Π˜Π‘ всС ΡˆΠΈΡ€Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ схСмотСхника Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ энСргонСзависимых ячССк Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ схСмотСхничСским Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ Π² IIΠ› И Π‘ Π΄Π»Ρ программирования ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π‘Π‘Π˜Π‘, стали транзисторныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ, управляСмыС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠΌ памяти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (рис. 4.36).

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор VT2 Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ участок АВ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠΎΡΡ‚ояния Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π°, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ транзистора VT2. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΡŽ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ подаСтся высокий ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», ΠΈ Ρ‚ранзистор VT1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ. Π‘ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ записи—чтСния подаСтся сигнал, ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π² ΡΠΎΡΡ‚ояниС Π»ΠΎΠ³. 1 ΠΈΠ»ΠΈ Π»ΠΎΠ³. 0. Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚, ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ сохраняСт установлСнноС состояниС.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, управляСмый Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠΌ памяти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Рис. 4.36. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, управляСмый Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠΌ памяти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

ΠŸΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ прСдставляСт собой статичСскоС ΠžΠ—Π£, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ всС Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Ρ‹ памяти ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΠ±Ρ€Π°ΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ трСбуСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠŸΠ›Π˜Π‘. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс называСтся ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ врСмя, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ дСсятки ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ сотни миллисСкунд. ΠŸΠ›Π˜Π‘ с ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ статичСского ΠžΠ—Π£ производят Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹, ΠΊΠ°ΠΊ Xilinx ΠΈ Altera.

Говоря ΠΎΠ± ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… свойствах ΠŸΠ›Π˜Π‘, слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ благодаря рСгулярной структурС ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ для срСдств программирования мСТсоСдинСний Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла, ΠŸΠ›Π˜Π‘ ΠΏΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ нСсколько ΡƒΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π‘ΠœΠš. Однако Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π‘ΠœΠš ΠŸΠ›Π˜Π‘ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ…-Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ, выполняСмых ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠŸΠ›Π˜Π‘ осущСствляСт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ устройства, ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ программируя Π΅Π΅. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ эти Π‘Π‘Π˜Π‘ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ большими Ρ‚ΠΈΡ€Π°ΠΆΠ°ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сразу сниТаСт ΠΈΡ… Ρ†Π΅Π½Ρƒ. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠŸΠ›Π˜Π‘, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, становится Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π‘ΠœΠš. Π’ ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠŸΠ›Π˜Π‘ практичСски вытСснили Π‘ΠœΠš.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ