ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π”ΠΠš-транзистор. 
НаноэлСктроника ΠΈ схСмотСхника

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Из-Π·Π° разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ элСктродами формируСтся элСктростатичСская Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠ°, которая Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρƒ Π”ΠΠš. ИзмСнСниС частоты напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС — с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΡƒΠΊΠ»Π΅ΠΎΡ‚ΠΈΠ΄Π°, Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π²Π°Π»ΠΎΡΡŒ. Новый ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π΅ Π½Π΅ΠΆΠΈΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΆΠΈΠ²ΠΎΠΉ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π”ΠΠš-транзистор. НаноэлСктроника ΠΈ схСмотСхника (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Новый ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π΅ Π½Π΅ΠΆΠΈΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΆΠΈΠ²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ.

Π”ΠΠš-транзистор — это Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ устройство, способноС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ Π”ΠΠš Π² Π½Π°Π½ΠΎΠΏΠΎΡ€Π΅ с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΡƒΠΊΠ»Π΅ΠΎΡ‚ΠΈΠ΄Π°. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, такая структура ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΡ‚ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² ΡΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ сСквСнирования. Π‘Π΅ΠΊΠ²Π΅Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΈΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² (Π±Π΅Π»ΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½ΡƒΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… кислот Π”ΠΠš ΠΈ Π ΠΠš) — это ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ аминокислотной ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΡƒΠΊΠ»Π΅ΠΎΡ‚ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ (ΠΎΡ‚ Π°Π½Π³Π», sequence — ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ). Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ символьноС описаниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ прСдставляСт Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½ΡƒΡŽ структуру ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹. Π£Ρ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· IBM Research ΠΈ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Π³ΠΈ ΠΈΠ· TJ Watson Research.

Center ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΠ»ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π”ΠΠš-транзистора (рис. 2.6), с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивноС сСквСнированиС Π³Π΅Π½ΠΎΠΌΠ°. Π”ΠΠš-транзистор прСдставляСт собой Π΄Π»ΠΈΠ½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡ€Ρƒ с Ρ€ΡΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚алличСских Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΠΊ, Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ находится длинная ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Π° Π”ΠΠš. Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΡΠ»ΠΈΡˆΠΊΠΎΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ — всСго нСсколько Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Благодаря Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ°ΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π”ΠΠš-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ заряды, сравнимыС с Π·Π°Ρ€ΡΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронов.

Π”ΠΠš-транзистор [32].

Рис. 2.6. Π”ΠΠš-транзистор [32].

Из-Π·Π° разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ элСктродами формируСтся элСктростатичСская Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠ°, которая Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρƒ Π”ΠΠš. ИзмСнСниС частоты напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‹ с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС — с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΡƒΠΊΠ»Π΅ΠΎΡ‚ΠΈΠ΄Π°, Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π²Π°Π»ΠΎΡΡŒ.

БСквСнация Π”ΠΠš ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ взятого Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΠ° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ соврСмСнной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ Π·Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ‚ нСсколько мСсяцСв ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‚ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ, СстСствСнно, Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π³Π΅Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ°Ρ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС Π»Π΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ наслСдствСнныС заболСвания. Если ΠΆΠ΅ появится устройство быстрого сСквСнирования, Ρ‚ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π”ΠΠš ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ клиничСской ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€ΠΎΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΈ. ЕстСствСнно, подобная ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΡ‚ Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Π΅.

Новый ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄, основанный Π½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π”ΠΠš-транзистора, для ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΉ сСквСнации ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² 100 ΠΌΠ»Π½ Ρ€Π°Π· мСньшС исходного вСщСства (Π”ΠΠš) ΠΈ Π·Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ‚ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ мСньшС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Но ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΅ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ — Π½Π°Π½ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ‹ для Π”ΠΠš-транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… количСствах с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ соврСмСнных ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микроэлСктронного производства. ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сквозь Π½Π°Π½ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ Π”ΠΠš, Π½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π±ΠΈΠΎΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, изучСния ΠΈΡ… ΠΌΠΎΡ€Ρ„ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ…аничСских свойств. БСйчас ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π½Π°Π΄ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ° дискрСтного сСквСнатора Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π”ΠΠš-транзистора.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ