ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

БцинтилляционныС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ дСтСктирования

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ 2001 Π³. ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Saint-Gobain (Ѐранция) Π±Ρ‹Π»Π° Π·Π°ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π° (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ WO 01/60 944, WO 01/60 945) новая Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° сцинтилляционных кристаллов — Π³Π°Π»ΠΎΠ³Π΅Π½ΠΈΠ΄Ρ‹ Π»Π°Π½Ρ‚Π°Π½Π° Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ LaBr3(Ce) ΠΈ LaCl3(Ce). ΠŸΡ€ΠΈ свСтовыходС сравнимом со ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ NaI (Tl), Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким энСргСтичСским Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ высвСчивания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

БцинтилляционныС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ дСтСктирования (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π’ Π ΠΎΡΡΠΈΠΈ основным поставщиком нСорганичСских монокристаллов для производства сцинтилляционных Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π³. УсольС — БибирскоС, Π˜Ρ€ΠΊΡƒΡ‚ΡΠΊΠΎΠΉ области ΠΈ Π³. ΠΠΎΠ²ΠΎΡΠΈΠ±ΠΈΡ€ΡΠΊ, Π½Π° Π£ΠΊΡ€Π°ΠΈΠ½Π΅ — Π³. Π₯Π°Ρ€ΡŒΠΊΠΎΠ².

Наряду с ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния классичСских сцинтилляторов Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ вСлись Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² нСорганичСских сцинтилляторов, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивно Ρ€Π΅ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ.

НаибольшСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ· Π½Π΅ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… сцинтилляторов ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π΄ΠΌΠΈΡ CdWO4, поэтому ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ этом сцинтилляционная ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ CdWO4 составляСт ΠΎΡ‚ 30% Π΄ΠΎ 50% ΠΎΡ‚ NaI (Tl).

Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ врСмя появился Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄ сцинтилляторов Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ°Π»Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π°Ρ‚Π° иттрия Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ YAlO3(Ce). По ΡΠ²ΠΎΠΈΠΌ характСристикам ΠΎΠ½ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ CsI (Tl), Π½ΠΎ ΡΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большим быстродСйствиСм.

Π’ Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ объСм Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-излучСния большой интСрСс Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ сцинтилляторы, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ большой ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгистрации Π³Π°ΠΌΠΌΠ° — излучСния. Один ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… сцинтилляторовортогСрмант висмута Be4G3O12 (BGO). ΠšΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Ρ‹ BGO ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с NaI (Tl), Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ объСм Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΠΊ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, этот сцинтиллятор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π°ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ оказываСтся ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-излучСния Π² ΡΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π½Π½Ρ‹Ρ… полях. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ кристаллов BGO Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ распрСдСлСния Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° для Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ равномСрности. БущСствСнный нСдостаток этого сцинтиллятора — Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ свСтовой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄. Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ чистого ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ для кристаллов BGO с Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 25 ΠΌΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΡ‚ΠΎΠΉ 2,5 ΠΌΠΌ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ энСргСтичСскоС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ с 15 Π΄ΠΎ 9,5%.

НаконСц, для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… нСорганичСских сцинтилляторов, ΠΈ Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности для NaJ (Tl), свойствСнно послСсвСчСниС — Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° высвСчивания; кристаллы BGO ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ послСсвСчСниСм. Π₯отя, Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ряд нСдостатков кристаллов BGO ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ сцинтилляторов:

  • — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСвысокоС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ создаСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ слоТности ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-спСктров;
  • — Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ тСмпСратурная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (-1,2%/ΠΎΠ‘), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ примСнСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТных Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ спСктров.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… сцинтилляционных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² — LYSO (Lu1,8Y0,2SiO5:Ce). Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сходныС с BGO характСристики ΠΏΠΎ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ичСскому Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ (ΠΎΡ‚ 7% Π΄ΠΎ 11% Π½Π° ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ 662 кэВ). ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ кристаллов LYSO Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΠΊ Ρ…арактСристикам кристаллов BGO ΠΈ, соотвСтствСнно, кристаллы LYSO ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ, хотя ΠΈ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ, ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгистрации с ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π°ΠΌΠΈ BGO. ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ кристаллов LYSO ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с NaJ (Tl) ΠΈ BGO являСтся сущСствСнно мСньший Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт свСтового Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° (0,04%/Β°Π‘), Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π² Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-спСктромСтрах, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… условиях ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡˆΠΊΠ°Π»Ρƒ систСмы. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ прСимущСством кристаллов LYSO ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ кристаллами NaJ (Tl) ΠΈ BGO являСтся сущСствСнно мСньшая постоянная Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ спада свСтового ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° — 40 нс ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с 250 ΠΈ 300 нс, соотвСтствСнно. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Основной нСдостаток кристаллов LYSO — высокая собствСнная Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, обусловлСнная ΠΈΠ·ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΠΎΠΌ Lu-176.

ΠŸΡ€ΠΈ использовании кристалла LYSO ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 120 нс, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ спСктромСтричСскиС Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π“ΠŸ «Π“Ρ€ΠΈΠ½ Π‘Ρ‚Π°Ρ€» с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ DL — прСобразоватСля, способныС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ 107 ΠΈΠΌΠΏ/с, ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1,5.106 ΠΈΠΌΠΏ/с.

ΠŸΡ€ΠΈ использовании кристалла BGO пропускная ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ спСктромСтричСского Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 3,5.105 ΠΈΠΌΠΏ/с.

НаимСньшая Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сцинтилляций Π² Π½Π΅ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… кристаллах Π±Ρ‹Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π° с Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈΠ· Ρ„Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ΄Π° бария BaF2. Быстрый ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ сцинтилляции позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΡΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ Π² 4 — 5 Ρ€Π°Π·Π° Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ NaI (Tl), ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ΡΡ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡΠΌ, достигаСмым с ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ичСскими сцинтилляторами.

Π’ 2001 Π³. ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Saint-Gobain (Ѐранция) Π±Ρ‹Π»Π° Π·Π°ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π° (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ WO 01/60 944, WO 01/60 945) новая Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° сцинтилляционных кристаллов — Π³Π°Π»ΠΎΠ³Π΅Π½ΠΈΠ΄Ρ‹ Π»Π°Π½Ρ‚Π°Π½Π° Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ LaBr3(Ce) ΠΈ LaCl3(Ce). ΠŸΡ€ΠΈ свСтовыходС сравнимом со ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ NaI (Tl), Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким энСргСтичСским Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ высвСчивания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊ Π½ΠΈΠΌ большой интСрСс. Однако трудности, связанныС с Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ загрязнСниСм мСстороТдСний Π»Π°Π½Ρ‚Π°Π½ΠΎΠΈΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΠ΅ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ, приводят ΠΊ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ тСхнологиям ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ стоимости ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

Для Π±Ρ€ΠΎΠΌΠΈΠ΄Π° Π»Π°Π½Ρ‚Π°Π½Π° срСднСС энСргСтичСскоС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для 662 кэВ ΠΈΠ·ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΠ° 137Cs составляСт ~3,2% ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ свСтовыход NaI (Tl).

На Π±Π°Π·Π΅ кристаллов LaBr3(Ce) производятся Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ дСтСктирования, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами для класса сцинтилляционных Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²:

  • — Π­Π½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ичСскоС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для энСргии Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-излучСния 662 кэВ ΠΎΡ‚ 2,5% Π΄ΠΎ 3,5%. Для кристалла NaI (Tl) Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ условиях, Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ составляСт Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 6%.
  • — Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСгистрации Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ кристалла NaI (Tl);
  • -Высокая тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ характСристики прСобразования, обСспСчиваСмая ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом свСтовыхода сцинтилляционного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ прСимущСства Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² дСтСктирования Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ кристаллов LaBr3(Ce), ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ качСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠ΅ свойства Π³Π°ΠΌΠΌΠ° — спСктромСтров Π½Π° ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅.

Π’ Ρ‡Π°ΡΡ‚ности:

  • — Π±Π»ΠΎΠΊ дСтСктирования Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ LaBr3(Ce) позволят ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ со ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ спСктрами Π³Π°ΠΌΠΌΠ°-ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ;
  • — Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ качСства ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ½ΡƒΠΊΠ»ΠΈΠ΄ΠΎΠ² Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°Ρ…;
  • — Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ минимально измСряСмой активности, Π·Π° ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ‹ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π° измСрСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ² для достиТСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°;
  • — Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠ°Ρ тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройств дСтСктирования позволяСт эффСктивно ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈ тяТСлых Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Ρ… воздСйствиях внСшнСй срСды [7].

ИспользованиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² дСтСктирования Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ кристаллов LaBr3(Ce), ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ качСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² сцинтилляционной Π³Π°ΠΌΠΌΠ° — спСктромСтрии России.

Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ОАО «ΠΠ˜Π˜Π’ЀА» Π±Ρ‹Π» Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ радиомСтричСской консоли (Π³Π°ΠΌΠΌΠ° — Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ) для контроля монолитности слоТно — ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ (ΡˆΠΈΡ„Ρ€ «Π”искант-Π”»), составлСнный с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Π“ΠžΠ‘Π’ 16 504–81. Для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ измСнСния Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ности Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ трСбуСтся ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ большой динамичСский Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½. Π­Ρ‚ΠΎ достигаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° сцинтиллятора с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ высвСчивания. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ трСбуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π€Π­Π£ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ элСктричСскиС схСмы. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π±Ρ‹Π» использован пластиковый сцинтиллятор ПБ-Н2 ΠΈ Π€Π­Π£ R980. Π’ Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ экспСримСнты с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ увСличСния динамичСского Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ