Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фазовые превращения в системах сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) и соединений Sm2O3, NiS, H2O, кислород

Диссертация: Фазовые превращения в системах сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) и соединений Sm2O3, NiS, H2O, кислород
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что при хранении на воздухе в поверхностном слое (0,5 -1,0 нм) массивных поликристаллических образцов (а), пленок 8ш8, полученных методами термовзрывного (б) и электромагнитного (в) напыления образуются фазы 2(8ш8), 8ш2028, (х-8т2(804)3+(1-х)-8т203). Содержание оксисульфидных фаз в образцах равно в мол. %: а — 73 8ш8, 20 8т2028, 7 (х-8т2(804)з+(1-х)-8т20з). Пленки 8т8 более склонны… Читать ещё >

Фазовые превращения в системах сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) и соединений Sm2O3, NiS, H2O, кислород (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Физико-химические свойства моносульфида самария (SmS) как материала тензодатчиков, фазовые равновесия в системах Ni-Sm-S, Sm-S-O, свойства фаз
    • 1. 1. Тензометрические датчики на основе моносульфида самария в сравнении с другими датчиками давления, их свойства
    • 1. 2. Свойства моносульфида самария
    • 1. 3. Фазовые переходы в моносульфиде самария
    • 1. 4. Фазовые равновесия в системах Sm- Sm2S3 и Sm- Sm
    • 1. 5. Фазовые равновесия в системе Sm-S
    • 1. 6. Фазовые равновесия в системах Ni-S и Ni-Sm
    • 1. 7. Фазовые равновесия в системе Ni-Sm-S
    • 1. 8. Термодинамические характеристики моносульфида самария и процессов парообразования
    • 1. 9. Выводы по литературному обзору
  • ГЛАВА 2. Методы получения и методики физико-химического анализа
    • 2. 1. Методы получения фаз
      • 2. 1. 1. Получение фаз в системах Ni-S, Ni-Sm, Ni-Sm-S
      • 2. 1. 2. Получение фаз в системах Sm-S, Sm-O, Sm-S
      • 2. 1. 3. Получение фаз в потоке H2S и CS
    • 2. 2. Методы физико-химического анализа
      • 2. 2. 1. Рентгенофазовый анализ (РФА)
      • 2. 2. 2. Микроструктурный анализ (МСА)
      • 2. 2. 3. Дюрометрический анализ (ДМА)
      • 2. 2. 4. Дифференциально-термический анализ (ДТА)
      • 2. 2. 5. Визуально-политермический анализ (ВПТА)
      • 2. 2. 6. ОЖЕ-электронная спектроскопия
      • 2. 2. 7. Принципы действия экспериментальных установок электромагнитного и электровзрывного напыления
      • 2. 2. 8. Изучение термической устойчивости сульфидов самария в парах воды и в газе с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при повышенной температуре
  • ГЛАВА 3. Закономерности в получении моносульфида самария, взаимодействие сульфидов самария (SmS, S1TI2S3, Sm3S4) с парами воды и кислородом
    • 3. 1. Фазовые составы продуктов взаимодействия самария с серой в запаянной ампуле при температурах обработки 670−1320 К
    • 3. 2. Влияние высокотемпературной обработки на фазовый состав и зеренную структуру образцов SmS
    • 3. 3. Фазовый состав поверхностных слоев массивных поликристаллических образцов и пленок SmS
    • 3. 4. Последовательность фазовых превращений при обработке SmS в потоке газа с парциальным давлением О2 0,21 МПа при 300 — 1070 К в течение 1 часа
    • 3. 5. Последовательность фазовых превращений при обработке SmS в парах воды в течение 1 часа при 300 — 1070 К
    • 3. 6. Фазовые превращения при обработке Sm3S4 и Sm2S3 в течение 1 часа в потоке паров воды и в газовой смеси с парциальным давлением 02 0,
  • МПа при 370−970 К
  • ГЛАВА 4. Фазовые равновесия в системе Sm-S-0 и разрезах системы Sm-S-N
    • 4. 1. Положение коннод в системе Sm-S-0 при 870 К
    • 4. 2. Фазовая диаграмма системы Sm2S3-Sm
    • 4. 3. Фазовая диаграмма системы SmS-Sm202S
    • 4. 4. Фазовая диаграмма системы Sm3S4-Sm202S
    • 4. 5. Фазовые равновесия в системах NiS-SmS и NiS-Sm3S4 при 1070 К
    • 4. 6. Фазовая диаграмма системы NiS-Sm2S
  • ГЛАВА 5. Получение изделий из БшЗ для электроники
    • 5. 1. Лабораторные инструкции по получению изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей, в виде порошка, таблеток и кубиков
    • 5. 2. Закономерности получения пленочных структур с тензочувствительным материалом ЗшБ
  • ВЫВОДЫ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Моносульфид самария (8т8) используется в качестве чувствительного элемента тензодатчиков. БшБ характеризует рекордная чувствительность, незначительный температурный коэффициент сопротивления, линейность характеристик, высокая термическая и радиационная стойкость. В датчиках сульфид самария находится в виде пленки, которую получают методами термовзрывного или электромагнитного напыления, используя поликристаллические зерна БшБ дисперсностью 90−120 мк и таблетки соответственно. Моносульфид самария является также перспективным материалом п-ветви термоэлектробатареи (а = 200 — 300 мкВ/Ка =104 Ом" 1 см" 1- Х= 1,7Вт/мК-2>1)[1].

Получают БшЗ из самария и серы в два этапа. Несмотря на многочисленные исследования, отсутствуют систематические сведения о характеристиках фазового и зеренного состава образцов в зависимости от условий обработки шихты в кварцевой ампуле и танталовом тигле. В процессе получения образцов и пробоподготовки БтБ находится в контакте с кислородом воздуха, парами воды. Состояние поверхностного слоя массивных поликристаллических образцов и пленок ЗшБ не изучалось. Актуально определить устойчивость сульфидов самария на воздухе и в парах воды при комнатной и повышенной температурах. Неизбежное присутствие в образцах моносульфида самария кислородсодержащих примесей определяет необходимость изучения фазовых превращений в системе Бт-Б-О. Для ЗтБ имеются несколько коммутирующих материалов, основным из которых является никель. Фазовые равновесия в системах сульфидов самария и сульфида никеля не рассматривались.

Цель работы состоит в изучении фазовых равновесий по изотермическим и политермическим сечениям в системе Бш-Б-О, в системе — БшгБз, в установлении фазового состава поверхностного слоя БшЗ, в определении последовательности фазовых преврщений при обработке порошков сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) в парах воды и кислороде (0,21 МПа) при температурах 300−1070 К. Задачи исследований:

1. Установление зависимости фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой в зависимости от условий обработки шихты в запаянной ампуле при 500−1370 К и в дальнейшем в танталовом тигле при 1300−2450 К.

2. Определение фазового состава поверхностных слоев (0,5−1,0 нм) массивных поликристаллических образцов и пленок SmS, напыленных термовзрывным и электромагнитным методами.

3. Определение последовательности фазовых превращений при обработке сульфидов самария (SmS, S1TI3S4, Sm2S3) в парах воды и газе с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при температурах 300−1070 К.

4. Установление положения коннод в системе Sm-S-0 при 870 К. Изучение фазовых равновесий и построение фазовых диаграмм систем Sm2S3 -Sm203, SmS — Sm202S, Sm3S4 — Sm202S, NiS — Sm2S3.

5. Разработка лабораторных инструкций по получению изделий из SmS.

Установление закономерностей получения пленок методами термовзрывного и электромагнитного напыления. Научная новизна.

1. Впервые построены фазовые диаграммы систем Sm2S3 — Sm203, Sm2S3 -NiS, SmS — Sm202S, Sm3S4 — Sm202S. В системе Sm2S3 — Sm203 образуется два оксисульфида: Smi0Si4O, температура твердофазного распада равна 1500 КSm202S, конгруэнтно плавится при 2370 К. В системе NiS — Sm2S3 в равновесии находятся исходные сульфиды. Системы эвтектического типа с координатами эвтектики: SmS — Sm202S, 53 мол. % Sm202S, 2170 КSm3S4 — Sm202S, 34 мол. % Sm202S, 1920 КSm2S3 — Sm202S, 23 мол. % Sm203, 1850 КSm202S — Sm203 80 мол. % Sm203, 2290 К. В системе Sm-S-0 при 870 К в равновесии также находятся фазы разреза Sm2S3-Sm203 с фазами Sm202(S04), Sm2(S04)3, SmS04.

2. Установлено, что в поверхностном слое (0,5 — 1,0 нм) массивных поликристаллических образцов (а), пленок ЗшБ, полученных методами термовзрывного (б) и электромагнитного (в) напыления, следуют слои фаз: 2(8т8), 8т2028, (х-8т2(804)з+(1-х)-8т203) с средними соотношениями (а) — 73, 20, 7- (б) — 18, 45, 37- (в) — 35, 45, 20 мол. % соответственно.

3. Определено, что порошок БшБ дисперсностью 90−120 мк при температурах выше 600 К окисляется водородом воды до 8т2028, который стабилен в парах воды до 1000 К. В потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа порошок окисляется по схеме: ЗшБ—670А" > 8т384 + 8т2028.

77°* > 8т2028 + БтзОз 1070Л')5т203.

Практическая значимость.

Определены условия получения образцов моносульфида самария с необходимыми характеристиками: фазовый состав, примеси, форма, размер зерен, степень кристалличности зерен.

Метрические характеристики фазовых диаграмм позволяют подобрать условия получения плотноспеченных и литых образцов заданных составов. Микроструктура образцов систем позволяет идентифицировать примеси фаз в 8т8.

Окисление на воздухе массивных поликристаллических образцов моносульфида самария и, особенно, напыленных пленок определяет проведение пробоподготовки в инертной атмосфере. Даны рекомендации по увеличению степени защиты пленок моносульфида самария от воздействия кислорода воздуха и паров воды. Термическую обработку пленок после напыления рекомендовано проводить при температуре не выше 470 К, желательно в инертной атмосфере.

Разработаны лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей в виде порошка, таблеток и кубиков. Получены изделия из моносульфида самария: поликристаллический порошок БшБ со сформировавшейся зеренной структурой, дисперсностью 90- 100 мк, 100 — 110 мк, 90 — 120 мк для получения пленок ЗшБ термовзрывным методомтаблетки из 8т8 диаметром 50 мм, 75 мм, толщиной 3−4 мм для получения пленок БшЗ методом электромагнитного напылениякубики из БшБ размерами 5><5×5 мм, 10×10×10 мм для п-полупроводниковой ветви термоэлектрических преобразователей. На защиту выносятся:

1. Характеристики фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой, формируемые в зависимости от режимов термической обработки веществ в запаянной ампуле при 500−1370 К, шихты в танталовом тигле при 1300−2450 К.

2. Фазовый состав поверхностных слоев массивных поликристаллических образцов моносульфида самария, пленок БшБ, полученных методами термовзрывного и электромагнитного напыления.

3. Последовательность фазовых превращений при обработке сульфидов самария (БтБ, 8т283, 8т384) в парах воды и в потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при температурах 300 — 1070 К.

4. Положение коннод в системе Бт-Б-О при 870 К. Фазовые диаграммы систем Бп^з — 8ш203, 8т8 — 8т2028, Бп^ - 8т2028 и N18 — 8ш283.

5. Лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей в виде порошка, таблеток и кубиков.

Достоверность результатов.

Использованы простые сульфиды, аттестованные на химический состав и фазовую однородность. Определены продолжительности отжигов, обеспечивающие достижение равновесного состояния. Фазовые диаграммы систем построены при условии согласованности данных комплекса независимых методов исследования. Использовано современное оборудование и расчетные программы.

выводы.

1. Впервые построены фазовые диаграммы систем Бп^Бз — 8т203, БшЗ -8т2028, 8т384 — 8т2028, N18 — 8т283. В системе 8ш283 — 8ш203 образуется два оксисульфида: ЗгпюЗнО, температура твердофазного распада равна 1500 К- 8ш2028, конгруэнтно плавится при 2370 К. Координаты эвтектик в подсистемах 8ш283 — 8ш2028, 23 мол. % 8ш203, 1850 К- 8ш2028 — 8ш203 80 мол. % 8ш203, 2290 К. Системы эвтектического типа с координатами эвтектики: 8т8 -8ш2028, 53 мол. % 8ш2028, 2170 К- 8ш384 — 8ш2028, 34 мол. % 8ш2028, 1920 К. В системе 8ш-8−0 при 870 К в равновесии находятся фазы разреза 8т283−8т203 с фазами 8т202(804), 8т2(804)3, 8т804. В системе № 8 — 8т283 образуются твердые растворы на основе исходных сульфидов. В № 8 при 770 К растворяется 2 мол. % 8т283.

2. Установлено, что при хранении на воздухе в поверхностном слое (0,5 -1,0 нм) массивных поликристаллических образцов (а), пленок 8ш8, полученных методами термовзрывного (б) и электромагнитного (в) напыления образуются фазы 2(8ш8), 8ш2028, (х-8т2(804)3+(1-х)-8т203). Содержание оксисульфидных фаз в образцах равно в мол. %: а — 73 8ш8, 20 8т2028, 7 (х-8т2(804)з+(1-х)-8т20з). Пленки 8т8 более склонны к сорбции молекул кислорода и образованию кислородсодержащих соединений в поверхностном слое: 6−18 8ш8, 45 8ш2028, 37 (х-8т2(804)3+(1-х)-8т203) — в — 35 8т8, 45 8т2028, 20 (х-8т2(804)з+(1-х)-8т20з).

3. Порошок 8т8 дисперсностью 90−120 мк при температурах выше 600 К окисляется водородом воды по схеме: 8т8 —шк > 8ш384 + 8ш2028 —шк > 8т2028. Фаза 8ш2028 стабильна в парах воды до 1000 К. В потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа порошок 8т8 окисляется по схеме: 8ш8 шк > 8ш384 + 8ш2028 770А" > 8ш2028 + 8ш203 1070А" > 8ш203.

4. Установлена зависимость фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой. Использование мелкодисперсного самария, постепенная обработка шихты в запаяной ампуле от 500 К до 1370 К обеспечивает выход моносульфида самария до 90 мол. %. Обработка шихты в танталовом тигле при 1300−1800 К формирует кристалличность зеренSm3S4He образуется в связи с термической диссоциацией SmS.

5. Разработаны лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария в виде порошка, таблеток и кубиков. Поликристаллический порошок моносульфида самария со сформировавшейся зеренной структурой использован для получения пленок SmS термовзрывным методомтаблетки использованы для получения пленок SmS методом электромагнитного напылениякубики применены для п-полупроводниковой ветви термоэлектрических преобразователей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Интернет-ресурс (http://www.sms-tenzo.ru)
  2. Н.П. Тензорезисторы: Теория, методики расчета, разработки. М.: Машиностроение. — 1990. — 224 с.
  3. М.И. Основы электротехники. Под ред. д-ра техн. наук C.B. Страхова. 9-е изд. испр. М.: Высшая Школа. — 1964. — 560 с.
  4. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. — 1984. — 456 с.
  5. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высш. шк., 1982. 521 с.
  6. A.B. Физические свойства халькогенидов РЗЭ / A.B. Голубков, Е. В. Гончарова, В. П. Жузе и др. Л.: Наука, 1973. -304 с.
  7. В.В. Редкоземельные полупроводники в датчиках механических величин / В. В. Каминский, И. А. Смирнов // Приборы и системы управления. -1985. № 8.-С. 22−24.
  8. С.И. Тензорезистивный эффект в поликристаллических пленках SmS / С. И. Гребинский, В. В. Каминский, И. А. Смирнов, С. Г. Шульман // 3-я Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси).- М.: АН СССР.- 1983. С. 46.
  9. В.В. Тензочувствительность и температурный коэффициент сопротивления моносульфида самария / В. В. Каминский, М. В. Романова // Приборы и системы управления.- 1988, — № 8. С. 28−29.
  10. В.В. Перспективы применения редкоземельных полупроводников в высокотемпературных и радиационностойких датчиках температуры / Каминский В. В., Васильев Л. Н., Горнушкина Е. Д., Соловьев С. М., Сосова Г. А.- 1994. с. 25.: Деп. в ВИНИТИ № 2999-В94.
  11. B.B. Датчики внутренних напряжений пластмассовых, композитных и бетонных конструкций на основе сульфида самария / В. В. Каминский, JI.H. Васильев, П. В. Дубровин, С. М. Соловьев, В. В. Шпейзман // Микросистемная Техника, 2001. № 10. С. 7−9.
  12. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. Тез. докл. Всесоюзного семинара. / Л: ФТИ, 1985. 175 с.
  13. A.B. Термоэлектрические материалы: фундаментальные основы и направления современных исследований. МГУ, 2003. — 50 с.
  14. DiSalvo F. J. Thermoelectric Cooling and PowerGeneration. J. SCIENCE. 1999. -Vol. 285. — № 7. — P. 703−706.
  15. В.В. Влияние у-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS /В.В. Каминский, J1.H. Васильев, Е. Д. Горнушкина, С. М. Соловьев, Г. А. Сосова, Н. М. Володин // ФТП, 1995. Т. 29, № 2. С. 306−308.
  16. Васильев J1.H. Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS / JI.H. Васильев, В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Н. В. Шаренкова // ФТП, 2000, Т. 34. В. 9. С. 1066−1068.
  17. H.A. Термоэлектрики и их применение. СПб., 1997. — С. 132−135.
  18. В.В. Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании монокристалла SmS / В. В. Каминский, JI.H. Васильев, М. В. Романова, С. М. Соловьев // ФТТ. 2001. — Т.43. — № 6. — С. 997−999.
  19. В.В. Генерация электродвижущей силы при однородном нагреве полупроводниковых образцов моносульфида самария / В. В. Каминский, С. М. Соловьев, A.B. Голубков // Письма в ЖТФ, 2002. Т. 28. В.6. С. 29−34.
  20. Kaminski V.V. Electromotive force generation in SmS based nanostructures / V.V. Kaminski, L.N. Vasil’ev, M.M. Kazanin, S.M. Solov’ev and A.V. Golubkov // Fifth
  21. TC scientific Advisory Committee Seminar «Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology», St. Petersburg, 27−29.05.2002. P. 131−134.
  22. B.M. Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария / В. М. Егоров, В. В. Каминский // ФТТ, 2009. Т. 51. В. 8. С. 15 211 522.
  23. О.И. Об оптимизации концентрации носителей заряда ветви охлаждающего термоэлемента // ЖТФ. 2005. — С. 75−132.
  24. Васильев J1.H. О структуре дефектов в SmS / JI.H. Васильев, В. В. Каминский, М. В. Романова, Н. В. Шаренкова, A.B. Голубков // ФТТ, 2006. Т. 48. В. 10. С. 17 771 778.
  25. В.В. Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS /В.В. Каминский, A.B. Голубков, JI.H. Васильев // ФТТ. 2002. — С. 1474−1501.
  26. В.В. Возникновение электродвижущей силы при изменении валентности ионов самария в процессе фазового перехода в монокристаллах SmS / В. В. Каминский, С. М. Соловьев // ФТТ. 2001. — Т.43. -№ 3. — С. 423−426.
  27. Jayaraman A. Temperature-induced explosive first-order electronic phase tranzition in Gd-doped SmS / A. Jayaraman, E. Bucher, F.D.Demier, L.D.Longinotti // Phys. Rev. Lett. 1973. -V.31. N I L. — P. 700−703.
  28. В.П. Электрические свойства SmS / В. П. Жузе, A.B. Голубков, E.B. Гончарова и др. // ФТТ.- 1964, — Т.6. С. 268−271.
  29. С.М. Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук: Санкт-Петербург, 2007. — 18 с.
  30. М.М. Аномальная термоэдс в моносульфиде самария / М. М. Казанин, В. В. Каминский, С. М. Соловьев //ЖТФ, 2000. Т. 70. В. 5. С. 136−138.
  31. В.В. Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария / В. В. Каминский, М. М. Казанин // Письма в ЖТФ, 2008. Т. 34. В. 8. С. 92−94.
  32. B.B. Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок SmS / B.B. Каминский, М. М. Казанин, С. М. Соловьев, Н. В. Шаренкова, Н. М. Володин //ФТП. 2006. — Т.40.-№ 6. — С. 672675.
  33. Iwamoto К. Effects of plastic deformation on the electrical conductivity of SmS single crystals / K. Iwamoto, K. Kimura, S. Takeuchi. // Phil. Mag. B. 1988. V. 57. — N 4. -P. 467−472.
  34. B.M. Неравновесная термодинамика и термоэлектрические явления. /X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. // В. М. Грабов. Киев: Наукова Думка, 2002. — С. 171−175.
  35. .Н. Механические свойства SmS / Б. Н. Смирнов, A.B. Голубков, И. А. Смирнов // ФТТ, — 1976, — Т. 18.- № 7. С. 2097−2098.
  36. В.В. Электрические свойства и особенности структуры поликристаллических пленок моносульфида самария / В. В. Каминский, Н. М. Володин, Т. Б. Жукова и др.//ФТТ.- 1991.-Т. 31.-№ 1. С. 187−191.
  37. JI.H. Электропроводность тонких пленок SmS / JI.H. Васильев, В. В. Каминский, Ю. М. Курапов и др. // ФТТ. 1996.- Т. 38. № 3. — С. 779−785.
  38. JI.C. Тонкие полупроводниковые пленки на основе РЗЭ / J1.C. Палатник, М. Н. Набока // Редкоземельные полупроводники. Баку: Элм. — 1981. -С. 134−182.
  39. В.В. Термо-э.д.с. и электросопротивление монохалько-генидов самария при сверхвысоком давлении / В. В. Щенников, H.H. Степанов, И. А. Смирнов, A.B. Голубков // ФТТ. 1988, — Т. 30. — № 10. — С. 3105−3110.
  40. A.A. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монохалькогенидах самария при одноосном сжатии / A.A. Виноградов, С. И. Гребинский, В. В. Каминский и др. // ФТТ. 1984, — Т. 26. — С. 402−408.
  41. JI.П. Рост термоэлектрической добротности при больших градиентах температуры / Л. П. Булат // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. -Киев: Наукова Думка, 2002. С. 271−275.
  42. О.Н. О взаимосвязи параметров некоторых термоэлектрических материалов с диаграммами состояния / О. Н. Манык, Д. П. Белоцкий // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. Киев: Наукова Думка, 2002. — С. 203−207.
  43. United State Patent. High performance thermoelectric materials and methods of preparation / J.P. Fleurial, T.F.Caillat, P.A.Borshchevsky // 5, 610, 366. 11.03.1997.
  44. Miodushevskij P.V.Thermoelement on the basis monosulfide samarium and molybdenum. / P.V. Miodushevskij, A.S. Wjsokih, O.V. Andreev // Advanced Materials and Processing: Proceedings of Russia-Japan Seminar. Novosibirsk 2007. — P. 138−139.
  45. С.Д. Особенности получения термоэлементов на основе Pb-Те / С. Д. Летюченко // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. -Киев: Наукова Думка, 2002. С. 311−314.
  46. И.С. Генераторные термоэлектрические модули на основе Bi-Te на уровень 30−250 °С и на уровень 30−300 °С / И. С. Термена // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл.- Киев: Наукова Думка, 2002. С. 409−415.
  47. C.B. Исследование тонких пленок SmS с разными параметрами решетки / C.B. Погарев, И. Н. Куликова, Е. В. Гончарова и др. // ФТТ. 1981. — Т. 23.-№ 2.-С. 434−439.
  48. A.A. Электрические свойства металлической фазы SmS, устойчивой при атмосферном давлении / A.A. Виноградов, В. В. Каминский, И. А. Смирнов // ФТТ. -1985.-Т. 27. С. 1121−1123.
  49. B.B. Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS / B.B. Каминский, H.B. Шаренкова, JI.H. Васильев, С. М. Соловьев // ФТТ, 2005. Т. 47. В. 2. С. 217−219.
  50. Н.В. Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS / H.B. Шаренкова, B.B. Каминский, JT.H. Васильев, Г. А. Каменская //ФТТ. 2005. -С. 547−598.
  51. И.Д. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария) / И. Д. Смирнов, B.C. Оскотский // УФН. -1978.- Т. 124.-ВЫП. 2. С. 241−279.
  52. P.C. Электронное строение и свойства неметаллических редкоземельных монохалькогенидов // Электронная структура и оптические спектры полупроводников. Под. ред. Ю.Пожелы. Вильнюс- 1987. — С. 8−40.
  53. Ю.В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В Голубков. // ФТП, 2009. Т. 43. В. 3. С. 324−328.
  54. Н.И. Теоретическое исследование электронной структуры и электрофизических свойств моносульфида самария / Н. И. Масюкова, О.В. Фаберович//ФТТ. 1993. -Т.35.-№ 1. — С. 138−144.
  55. Т.Л. Металлическая фаза моносульфида самария, устойчивая при атмосферном давлении / Т. Л. Бжалава, Т. Б. Жукова, И. А. Смирнов и др. // ФТТ.1974. Т.16, — № 12. — С. 3730−3732.
  56. Л.Н. Деформационный механизм возникновения фазового перехода при полировке образцов SmS / Л. Н. Васильев, В. В. Каминский, Ш. Лани // ФТТ. -1997. Т.39." № 3. — С. 577−579.
  57. Jayaraman A. Continuous and discontinuous semiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides under pressure / A. Jayaraman, V. Narayamurti, E. Busher, R.G.Maines // Phys. Rev. Lett. -1970, — V.25.- P. 1430−1433.
  58. В.В. Фазовый переход металл-полупроводник в SmS под действием лазерного облучения / В. В. Каминский, А. И. Щелых, Т. Т. Дедегкаев и др. // ФТТ.1975. -Т. 17.-№ 5. С. 1546−1548.
  59. Као К. Перенос электронов в твердых телах / Као К., Хуанг В. М.: Мир. -1984.-350 с.
  60. A.B. Уточнение модели электропереноса в полупроводниковом SmS / A.B. Голубков, Е. В. Гончарова, В. А. Капустин // ФТТ. 1980. — Т. 22. — № 12. — С. 3561−3567.
  61. В.В. Особенности электропереноса в поликристаллическнх пленках SmS / В. В. Каминский, A.A. Виноградов, Н. М. Володин и др. // ФТТ. -1989.-Т. 31.-№ 9.-С. 153−157.
  62. В.В. Определение типа и деформационного потенциала зоны проводимости в SmS / В. В. Каминский, A.A. Виноградов, В. А. Капустин, И. А. Смирнов // ФТТ. 1978. — Т.20.- № 9. — С. 2721−2725.
  63. К.А. Фазовые диаграммы гетерогенных систем. Часть 1. Фазовые диаграммы одно и двухкомпонентных систем. Новосибирск: ИНХ, 1991. — 133 с.
  64. И.Г. Диаграмма плавкости системы SmS S1112S3 / И. Г. Васильева, ЯМ. Гибнер, JI.H. Курочкина и др. // Неорг. материалы. — 1983. — Т. 18. — № 3. — С. 360−362.
  65. A.B. О существовании областей гомогенности монохалькогенидов редкоземельных элементов / Голубков A.B., Сергеева В. М. // Журн. ВХО им. Д. И. Менделеева. М. 1981. — Т. 26, № 6. — С. 645−653.
  66. К.Е. Фазовая диаграмма системы лантан-сера / К. Е. Миронов, И. Г. Васильева, A.A. Камарзин и др.// Неорг. материалы. 1978. — Т. 14. — № 4. — С. 641−644.
  67. О.В. Диаграммы состояния систем Sc S, Lu — S / O.B. Андреев, H.H. Паршуков // V Всесоюз. конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников: тез. докл. 29−31.05.1990. — Саратов: СГУ, 1990. — С. 20.
  68. A.A. Кристаллохимия сульфидов редкоземельных элементов / A.A. Елисеев, Г. М. Кузьмичева // Кристаллохимия М.: ВИНИТИ — 1976. — Т. 11. — С. 95−131.
  69. Г. М. Кристаллохимический подход к изучению фазовых диаграмм на примере халькогенидов редкоземельных элементов / Г. М. Кузьмичева, С. Ю. Хлюстова // Журн. неорг. химии. 1990. — Т. 35. — № 9. — С. 2351−2358.
  70. Г. А. Особенности кристаллохимии соединений редкоземельных элементов / Г. А. Бандуркин, Б. Ф. Джуринский, И. В. Тананаев. М.: Наука, 1984. -232 с.
  71. A.A. Кристаллохимия редкоземельных элементов / A.A. Елисеев, Г. М. Кузьмичева // Кристаллохимия: сб. ст. М., 1976. — Т. 2. — С. 9 -131.
  72. Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. — 400 с.
  73. И.Г. Физико-химический аспект материаловедения сульфидов редкоземельных элементов: Автореф. дис.. д-ра хим. наук: Новосибирск, 1992. -49с.83. Картотека PDF-2
  74. Я.И. Халькогениды редкоземельных элементов / Я. И. Ярембаш, A.A. Елисеев. М.: Наука, 1975. — 260 с.
  75. Гшнайднер К.: Физика и химия редкоземельных элементов: Справочник / К. Гшнайднер, J1. Айринг. М.: Металлургия, 1982. — 336 с.
  76. С.П. Термодинамика соединений лантаноидов / С. П. Гордиенко, Б. В. Феночка, Г. М. Виксман. Киев: Наукова Думка, 1979. — 376 с.
  77. П.Г. Хальколантанаты редких элементов / П. Г. Рустамов, О. М. Алиев, A.B. Эйнуллаев. М.: Наука, 1989. — 284 с.
  78. A.C. Фазовые равновесия системы Sm2S3 Sm203 / Высоких A.C., Ваулин В. Г., Киселев С. А. // Сборник материалов конференции «Полифункциональные химические материалы и технологии». — Томск, ТГУ, 2007, 23−25 мая. — С. 308−311.
  79. О.В. Фазовая диаграмма системы Sm2S3 Sm203 / O.B. Андреев, A.C. Высоких, В. Г. Ваулин // Журнал неорганической химии. — 2008, № 8. Т. 53. — С. 1414−1418.
  80. О.В. Фазообразование в системах SmS Sm202S, SmS — Sm203 / O.B. Андреев, A.C. Высоких, A.B. Матигоров // 7-й семинар СО РАН — УрО РАН. Термодинамика и материаловедение. Тезисы докладов. Новосибирск, 2−5.02.2010. — С. 90.
  81. А. Химия твердого тела. М.: Мир, 1988. — Т. I. — 558 с.
  82. В.А. Диффузия никеля в сульфиде самария / В. А. Дидик, В. В. Каминский, Е. А. Скорятина, В. П. Усачева, Н. В. Шаренкова, A.B. Голубков // Письма в ЖТФ. 2006. — Т. 32. -№ 13.-С. 1−5.
  83. A.B. Исследование диффузии самария в сульфиде самария / A.B. Голубков, В. В. Каминский // Письма в ЖТФ, 2008. Т. 34. В.13. С. 91−94.
  84. Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. — 360 с.
  85. Г. Ф. Основы термодинамики. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1987. — 192 с.
  86. M. Реакции твердых тел / М. Браун, Д. Доллимор, А. Галвей.- М.: Мир, 1983.-360 с.
  87. A.B. Термическая диссоциация сульфидов металлов / A.B. Ванюков, P.A. Исакова, В. П. Быстрое. Алма-Ата: Наука, 1978. — 271 с.
  88. С.П. Испарение и термодинамические свойства моносульфидов самария и европия / С. П. Гордиенко, Б. Ф. Феночка, C.B. Дроздова // Халькогениды. Выпуск 3. Киев: Наукова думка. — 1974. — С. 49−54.
  89. П.П. Определение продолжительности отжигов при изучении фазовых равновесий в твердом состоянии бинарных систем // Журн. неорг. химии.- 1992. Т. 37. — Вып. 8. — С. 1891−1894.
  90. A.A. Синтез и кристаллохимия редкоземельных полупроводников / A.A. Елисеев, O.A. Садовская, Г. М. Кузьмичева // Журн. ВХО им. Д. И. Менделеева. 1981. — Т. 26. -№ 6. — С.612−621.
  91. И.Г. Взаимодействие тербия с халькогенами, кристаллохимические и физико-химические свойства халькогенидов тербия: Автореф.. канд. хим. наук: — М.: МИТХТ, 1984.-17с.
  92. К.Е. Сульфиды редкоземельных металлов / К. Е. Миронов, A.A. Камарзин, В. В. Соколов и др. // Редкоземельные полупроводники. Баку: ЭЛМ -1981.-С. 52−92.
  93. О.В. Взаимодействие самария с серой / О. В. Андреев, O.A. Садовская, Е. Ю. Шабалина // ЖНХ, 1990. Т. 35. В. 3. С. 575−577.
  94. В.Г. Простые и сложные сульфиды щелочноземельных и редкоземельных элементов / В. Г. Бамбуров, О. В. Андреев // ЖНХ, 2002. Т. 47. № 4. С. 676−683.
  95. О.В. Химия простых и сложных сульфидов в системах с участием s-(Mg, Ca, Sr, Ba), d- (Fe, Cu, Ag, Y), f- (La-Lu) элементов: Дис.. д-ра хим. наук: -Тюмень, 1999.-430 с.
  96. М.Н. Изменение фазового состава и структуры при отжиге пленок сульфидов и оксисульфидов церия, самария, тулия / М. Н. Набока, Н. К. Мишнева,
  97. Л.Д. Терещенко // Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. J1. — 1976. — С. 46.
  98. ПО.Высоких A.C. Оптимизация условий получения моносульфида самария / Высоких A.C., Ваулин В. Г. // Сборник материалов конференции «Полифункциональные химические материалы и технологии». Томск, ТГУ, 2007, 23−25 мая.-С. 311−314.
  99. Ш. Третьяков Ю. Д. Химические принципы получения металлоксидных сверхпроводников / Ю. Д. Третьяков, Е. А. Гудилин // Успехи Химии, 2000. — Т. 69.-№ 1.-С. 3−40.
  100. Besancon P. Teneur en Oxygene et formule exacte d’une famille de composes habituellement Appeles «variete ?» on «phase complexe» des sulfures des terres rares // J. of Solid State Chem. 1973. V. 7. P. 232 — 240.
  101. Л.Г. Физико-химический анализ систем Ln-S (Ln = Nd, Er): Дис.. канд. хим. наук: Новосибирск, 1990. — 212 с.
  102. В.Я. Основы физико-химического анализа / В. Я. Аносов, М. И. Озерова, Ю. А. Фиалков. М.: Наука, 1976. — 503 с.
  103. В.В. Микротвердость одно- и двухфазных сплавов. Красноярск: Красноярский университет, 1990. — 160 с.
  104. Пб.Колмаков А. Г. Методы измерения твердости: Справоч. издание, серия специалиста материаловеда / А. Г. Колмаков, В. Ф. Тереньтев, М. Б. Бакиров. М.: Интермет инжиниринг, 2000. — 125 с.
  105. С.С. ОЖЕ-электронная спектроскопия // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. Т. 7. № 2. С. 82−88.
  106. Л.С. Механизм формирования, фазовый состав и структура тонких пленок сульфидов редкоземельных металлов / Л. С. Палатник, М. Н. Набока // Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. -Л.-1976, — С. 28.
  107. М.Н. Формирование и структура тонких пленок сульфидов РЗМ / М. Н. Набока, Л. Д. Терещенко // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1980. -Т. 16. -№ 7, — С. 1179−1181.
  108. М.Н. Структура и физические свойства тонких ' пленок на основе соединений редкоземельных элементов // Физика и химия редкоземельных полупроводников.- Новосибирск: Наука СО. 1990. — С. 41−45.
  109. О.В. Физикохимия наукоемких материалов / Андреев О. В., Высоких A.C., Левен И. П. //Учебное пособие. Тюмень: изд-во ТюмГУ. 88 с.
  110. О.В. Взаимодействие моносульфида самария с парами воды при 300 -1000 К / Андреев О. В., Высоких A.C., Головина Л. А. // Вестник Тюменского государственного университета. 2007 г. — № 3. — С. 124- 129.
  111. A.C. Изделия из SmS для электроники / A.C. Высоких, П. В. Миодушевский, П. О. Андреев // Вестник Тюменского государственного университета. 2011. — № 5. — С. 179 — 185.
  112. П.В. Фазовый состав поверхностного- слоя образцов моносульфида самария / П. В. Миодушевский, A.C. Высоких, П. О. Андреев // Вестник Омского государственного университета. 2011. — № 4. — С. 116−120.
  113. A.C. Изучение области гомогенности на основе фазы Sm202S / A.C. Высоких, О. В. Андреев // Синтез и свойства химических соединений: Сборник статей. Тюмень. 2007. — С. 91−96.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!