Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
Диссертация
В работе исследовались свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHgi.x.yZnyTe, тройных соединений CdxHgjxTe, Cd]. xZnxTe, HgixZnxTe, а также бинарных полупроводников HgTe, CdTe и ZnTe. Исследования условий выращивания ЭС CdxHgix. yZnyTe из растворов-расплавов на основе Те в запаянной кварцевой ампуле с удалением остатков раствора-расплава путем центрифугирования. Для оптимизации… Читать ещё >
Список литературы
- Герасимов Я.И., Крестовников А. Н., Горбов С. И. Химическая термодинамика в цветной металлургии, том 4. М.: Металлургия, 1974 г.
- Tobin S.P., Smith F.T.J., and Norton. P.W. // J. Electron. Mater. 1995. V.24. -№ 9.-P. 1189−1199.
- Capper. P. //Inspec. IEE 1994. P.41.
- Евгеньев С. Б. Исследование теплового расширения и плотности полупроводниковых веществ различных структурных групп в твердой и жидкой фазах. Автореф. Канд. Дис. 1968.
- Берченко Н. Н. Кревс В.Е. Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы A"BVI и их применение. М.: Воениздат, 1982.
- Гирич Б.Г. ЛакеенковВ.М Новые материалы для оптоэлектроники и тепловидения. Реф. Сборник ВИНИТИ, Новости науки и техники, Се-рия:Новые материалы, технология их производства и обработки. 1990. -Вып. 9. 54с.
- Берченко Н. Н. Кревс В.Е. Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы AnBVI и их применение. М.: Воениздат, 1985.
- Pratt R.G., Hewett J., Capper P. e.a. // J. Appl. Phys. 1986. — V. 60. -P. 2377−2385.
- Баженов Н.Л., Гельмонт Б. Л., Иванов-Омский В.И. и др. // ФТП. 1982. -Т. 16.-С. 109−112.
- Гасан-заде С.Г., Шепельский Г. А. // ФТП. 1998. — Т. 32. — С. 436−438.
- Yu and Т.-С., Brebrick R.F. // J. Of Phase Equilibria. 1992. -V. 13, P.5.
- Petty M.S., Luhasz C. // J. Phis. D. 1976. — V.9. — P. l605.
- T.-C. Yu and R.F. Brebrick, J. Of Phase Equilibria v.13, No5, 1992.
- Hass K.C., Ehrenreich H., Velicky B. // Phys. Rev. В. 1983. V. 27. -P. 1088−1100.
- Seiler D.G., Litter C.L., Loloce M.R., Milazzo S.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989.-V. 7.-P. 370−376.
- Willey J.G., Dexter R.N. // Phys. Rev. 1969. — V. 181. — P. 1181 -1188.
- Несмелова И.М., Панасенко 3.K., Макарова НИ. // ФТП.- 1979.-Т. 13.-С. 1420−1422.
- Ивачов-Омский В.И., Коломиец Б. Т., Марков Ю. Ф. и др. // ФТП. 1967. -Т. 1.-С. 1442−1445.
- Bowers R.L., Mahan G.D. // Phys. Rev. 1969. — V. 185. — P. 1073−1079
- Сагинов Л.Д., Пономаренко В. П., Федирко B.A. и др. // ФТП. 1982. — Т. 16.-С. 470−473.
- Muller M.W. Composition correlations in ternary semiconductor alloys. Phys.Rev. B. 1984. V. 30. P. 6196.
- Pearsall T.P., Carles R., Portal J.C. Single longitudinal-mode optical phonon scattering in Gao.47Ino.53As. Appl.Phys.Lett. 1983. V. 42. N. 5. P. 436−438.
- Jaw D.H., Chen G.S., Stringfellow G.B. Atomic ordering in InAso.sPo.s grown by organometallic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 114.
- Kuan T.S., Kuech T.F., Wang W.I., Wilkie W.I. Long range order in AlxGai xAs. Phys. Rev. Lett. 1985. V. 54. P. 201.
- Kakimoto K., Katoda T. Clustering parameter and internal stress in III-V ternary alloys. Japanese J.Appl.Phys. 1985. V. 24., N. 8. P. 1022−1029.
- Seong T-Y, Norman A.G., Booker G.R., Cullis A.G. Atomic ordering and domain structures in metal organic chemical vapor deposition grown InGaAs (001) layers. J.Appl.Phys. 1994. V. 75. N. 12. P. 7852−7865.
- Sher A., Berding M.A., Schilfgaarde M. van, Chen A.B. HgCdTe status review with emphasis on correlations, native defects and diffusion. Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. C59.
- Schwartz L.M. Effective medium theory of electrical conduction in two-corn oonent anisotropic composites. Physica. 1994. V. A 207. P. 131.
- Zunger A., Mahajan S. Handbook of Semiconductors. 2nd ed., edited by S. Mabjan. Elsevier. Amsterdam. 1994. V.3. P. 1399.
- Don- J.-R., Wang Z.-G., Liu X.-L, Lu D.-C., Wang D., Wang X.-H. Photolu-mini scence of ordered Gao.5Ino.5P grown by metalorganic vapor phase epitaxy. App .Phys.Lett. 1995. V. 67. N. 11. P. 1573−1575.
- Oso io R., Bernard J.E., Froyen S., Zunger A. Ordering thermodynamics of surface and substrate layers in the Ga,.xInxP alloy. Phys.Rev.B. 1992. V. 45. P. Ill 3.
- Mintairov A.M., Temkin H. Lattice vibrations and phonon-plasmon coupling in Raman spectra of p- type Ino.53Gao.47As Phys. Rev. B. 1997.V. 55. N. 8. P. 5117−5123.
- Mozume T. Characterization of interfacial structure of InGaAs/InP short-period superlattices by high resolution x-ray diffraction and Raman scattering. J.Appl.Phys. 1995. V. 77. N. 4. P. 1492−1497.
- Wei S.-H., Zunger A. Fingerprints of CuPt ordering in III-V semiconductor alloys: valence-band splittings, band-gap reduction, and x-ray structure factors. Phys.Rev.B. 1998. V. 57. N. 15. P. 8993−8988.
- Wei S.-H., Laics D.B., Zunger A. Dependence of the optical properties of semiconductor alloys on the degree of long-range order. Appl.Phys.Lett. 1993. V. 62. N. 16. P. 1937−1939.
- Alonso R.G., Mascarenhas A., Horner G.S., Bertness K.A., Kurtz R., Olson J.M. Spontaneous ordering in GaInP2: A polirized-piezomodulated-reflectivity study. Phys.Rev.B. 1993. V. 48. N. 16. P. 11 833−11 837.
- Franceschetti A., Wei S.-H., Zunger A. Effect of ordering on the electron effective mass and strain deformation potential in GaInP2: Deficiencies of the kp model. Phys.Rev.B. 1995. V. 52. N. 19. P. 13 992−13 997.
- Zhang Y., Mascarenhas A. Conduction and valence — band effective masses in spontaneously ordered GaInP2. Phys.Rev.B. 1995. V. 51. N. 19. P. 1 316 213 173.
- Alsina F., Mestres N., Pascual J., Geng C., Ernst P., Scholz F. Raman scattering in single-variant spontaneously ordered GaInP2. Phys.Rev.B. 1996. V. 53. N. 19. P. 12 994−13 001.
- Cheong H.M., Mascarenhas A., Ernst P., Geng C. Effect of spontaneous ordering on Raman spectra of GaInP2. Phys.Rev.B. 1997. V. 56. N. 4. P. 1882−1888.
- Mader K.A., Zunger A. Effect of atomic clustering on the optical properties of III-V alloys. Appl.Phys.Lett. 1994. V. 64. N. 21. P. 2882−2884.
- Wei S.-H., Zanger A. Theory of reflectance-difference spectroscopy in ordered III-V semiconductor alloys. Phys. Rev. B. 1995. V. 51. N. 20. P. 14 110−14 114.
- Fluegel В., Zhang Y., Cheong H.M., Mascarenhas A., Geisz J.F., Olson J.M., and Duda A. Exciton absorption bleaching studies in ordered GaJn^P. Phys.Rev.B. 1997. V. 55. N. 20. P. 13 647−13 650.
- Wirth R., Seitz H., Geiger M., Scholz F., Ilangleiter A., Muhe A., Philipp F. Single variant ordering in GalnAs/InP. Appl.Phys.Lett. 1997. V. 71. N. 15. P. 2127−2130.
- Estrera J.P., Stevens P.D., Glosser R., Duncan W.M., Kao Y.C., Liu H.Y., Beam III E.A. Phonon mode study of near-lattice-matched InxGai. xAs using micro-Raman spectroscopy. Appl.Phys.Lett. 1992. V. 61. N. 16. P. 1927−1929.
- Quadri S.B., Skelton E.F., Webb A.W., Kennedy J. Evidence for bond strengthening in CdNxZnxTe (x=0.04). Appl.Phys.Lett. 1985. V. 46. N. 3. P. 257−259.
- Zax D.B., Zamir D., Vega S. Local structure and order in the semiconductor alloy Hgo.7gCdo.22Te by multinuclear NMR Phys.Rev.B. 1993. V. 47. P. 6304.
- Liao X.Z., Shi T.S. Composition modulated structures in bulk-growth Hgo.8Cdo.2Te. Appl.Phys.Lett. 1995. V. 6. N. 16. P. 2089−2091.
- Wolfe W.L., Ziss G.J. (Eds.). The Infrared Handbook. Ch.ll. Office of Naval Research, Washington, DC. 1973.
- Wei S.-H., Zunger A. Disorder effects on the density of states of the II-VI semiconductor alloys Hgo.5Cdo.5Te, Cdo.5Zn0.5Te, and Hgo.5Zno.5Te. Phys.Rev.B. 1991. V. 43. N. 2. P. 1662−1677.
- Козырев С.П., Пырков B.H., Водопьянов JI.K. Перестройка колебательных спектров полупроводниковых сплавов Cd.xZnxTe. ФТТ. 1992. Т. 34. В. 8. С. 2367−2371.
- Wei S.-H., Ferreira L.G., Zunger A. First-principles calculation on temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys. Phys.Rev.B. 1990. V. 41. N. 12. P. 8240−8269.
- Kwon M.S., Lee J.Y. Formation of CuPt-type ordered (Cd, Zn) Te at CdTe/ZnTe interface. J. Crystal Growth. 1998. V. 191. P. 51−58.
- Estrera J.P., Stevens P.D., Glosser R., Duncan W.M., Kao Y.C., Liu H.Y., Beam III E.A. Phonon mode study of near-lattice-matched InxGaixAs using micro-Raman spectroscopy. Appl.Phys.Lett. 1992. V. 61. N. 16. P. 1927−1929.
- Вавилова JI.C., Иванова A.B., Капитонов B.A., Мурашова А. В., Тарасов И. С., Арсентьев И. Н., Берт Н. А., Мусихин Ю. Г., Пихтин Н. А., Фалеев Н. Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах 1п-GaAsP. ФТТ1. 1998. Т. 32. В. 6. С. 658−662.
- Губанов В.А., Курмаев Э. З., Ивановский А. Л. Квантовая химия твердого тела. М. Наука. 1984. 304 с.
- Мильвидский М.Г., Чалдышев В. В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов (обзор). ФПГ. 1998. Т. 32. В. 5. С. 513−522.
- Khachaturyan A.G. Theory of Structural Transformations in Solids. N.Y. John Wiley and Sons. 1983.
- Peiro F., Cornet A., Roura P., Morante J.R. On the origin of the coarse and fine contrast modulation in epitaxial InGaAs strained layers grown on InP substrates. Mat. Intern. MRS-95 Conf. Boston. Massachusetts. November 1995.
- Берт H.A., Вавилова Л. С., Ипатова И. П., Капитонов В. А., Мурашова А. В., Пихтин Н. А., Ситникова А. А., Тарасов И. С., Щукин В. А. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP- структуры с модулированным составом. ФТП. 1999. Т. 33. В. 5. С. 544−548.
- Козырев С.П., Пырков В. Н., Водопьянов Л. К. Особенности перестройки колебательных спектров сплавов полупроводник-полуметалл CdTe-HgTe. Решеточные моды Cd-Te и Hg-Te колебаний. ФТТ. 1992. Т. 34. С. 3695.
- Баранова О.Б., Василевский М. И., Строганова С. В. Спектроскопия фононов в полупроводниковых твердых растворах замещения как метод исследования ближнего порядка. Известия Академии Наук. Серия физическая. 1994. Т. 58. N. 7. С. 101−04.
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М. Мир. 1976.431 с.
- Grefenstette J. J (Ed.). Proceedings og the II Intern.Conf. on Genetic algorithms and their applications. Hillsdate. NJ. Lawrwnce Erlbaum Associates (a). 1987.
- G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, М.Р. Lisitsa, S.R. Lavoric, A.S. Rakitin, J.W. Tomm and A.P. Litvinchuk. Semicond. Sci. Technol. 14, 187 (1999).
- А.И. Белогорохов, A.A. Флоренцев, И. А. Белогорохов, A.B. Елютин. Оптические и вибрационные свойства твердых растворов Cd^Hgi-^-^Zn^Te, ФТТ 48(4), 597−606 (2006).
- T.L. McDevit, S. Mahajan, D.E. Laughlin, W.A. Bonner, V.G. Keramidas. Phys. Rev. В 45, 6614(1992).
- M. Борн, Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток, Из-во иностр. лит., М. (1958).
- M.I. Vasilevskiy. Phys. Rev. В 66, 1953 (2002).
- V.M. Burlakov, A.P. Litvinchuk, V.N. Pyrkov, G.G. Tarasov, N.I. Vitrik-hovskii. Phys. Stat. Sol. (b) 128,389 (1985).
- G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, M.P. Lisitsa, S.R. Lavoric, A.S. Rakitin, J.W. Tomm and A.P. Litvinchuk. Semicond. Sci. Technol. 14,187 (1999).
- А.И. Белогорохов, А. Г. Белов, B.M. Лакеенков. Автометрия СО РАН 5, 8 (1996).
- С.П. Козырев, В. Н. Пырков, Л. К. Водопьянов. ФТТ 34,2372 (1992).
- S.P. Kozyrev, L.K. Vodopyanov, R. Triboulet. Sol. St. Commun. 45, 383 (1983).
- С.П. Козырев, В. Н. Пырков, Л. К. Водопьянов. ФТТ 34, 2367 (1992).
- A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant, N.A. Smirnova. J. Crystal Growth 159,186 (1996).
- Р.М. Amirtharaj, K.K. Tiong, P. Parayanthal, F.H. Pollak, J.K. Furdyna. J. Vac. Technol. A3,226 (1985).
- А.И.Белогорохов, И. А. Денисов, Н. А. Смирнова, Л. И. Белогорохова. ФТП 38,1, 84 (2004).
- M.I. Vasilevskiy, A.I. Belogorokhov, M.J.M. Gomes. J. Electronic Materials 28, 6, 654 (1999).
- С.П. Козырев, B.H. Пырков, Л. К. Водопьянов ФТТ 37,5,1293 (1995).
- A.M. Witowski, M. Grynberg. Phys. Stat. Sol. (b) 100, 389 (1980).
- J. Baars, F. Sorger. Sol, St. Commun. 10, 875 (1972).
- Shyama Rath, K.P. Jain, S.C. Abbi, С Julien, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 52, 17172(1995).
- Lu W., Ye H. J, Yu Z. Y, Zhang S.Y., Fu Y, Xu W. L, Shen S.C. and Giriat W., Phys. Stat. Sol. (b) 147, 767 (1988).
- G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, J.W. Tomm, S.Y. Kriven', S.R. Lavorik, N.V. Shevchenko. Proc. SPIE 2113,17 (1994).
- I. Hill. J. Appl. Phys., 67,4270 (1990).
- D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys. 56,1601 (1984).
- Баранова О. Б, Василевский М. И, Строганова С. В. Спектроскопия фононов в полупроводниковых твердых растворах замещения как метод исследования ближнего порядка. Известия Академии Наук. Серия физическая. 1994. Т. 58. N. 7. С. 101−04.
- Khachaturyan A.G. Theory of Structural Transformations in Solids. N.Y. John Wiley and Sons. 1983.
- Ziman J.M. Models of disorder. Cambridge. U.K.: Cambridge University Press. 1979.
- Wei S.-H, Ferreira L. G, Zunger A. First-principles calculation on temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys. Phys.Rev.B. 1990. V. 41. N. 12. P. 8240−8269.
- Khachaturyan A.G. Theory of Structural Transformations in Solids. N.Y. John Wiley and Sons. 1983.
- Максимов C. K, Максимов K. C, Ильичев Э. А. Знак энергии смешения и возможность неравновесных фазовых переходов при кристаллизации. Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. В. 6. С. 412−416.
- Wei S.-H., Zunger A. Fingerprints of CuPt ordering in III-V semiconductor alloys: valence-band splittings, band-gap reduction, and x-ray structure factors. Phys.Rev.B. 1998. V. 57. N. 15. P. 8993−8988.
- Wei S.-H., Laks D.B., Zunger A. Dependence of the optical properties of semiconductor alloys on the degree of long-range order. Appl.Phys.Lett. 1993. V. 62. N. 16. P. 1937−1939.
- Alonso R.G., Mascarenhas A., Horner G.S., Bertness K.A., Kurtz R., Olson J.M. Spontaneous ordering in GaInP2: A polirized-piezomodulated-reflectivity study. Phys.Rev.B. 1993. V. 48. N. 16. P. 11 833−11 837.
- Ichimura M., Sasaki A. Short-range order in III-V ternary alloy semiconductors. J.Appl.Phys. 1986. V. 60. N. 11. P. 3850−3855.
- Берт H.A., Вавилова JI.C., Ипатова И. П., Капитонов В. А., Мурашова А. В., Пихтин Н. А., Ситникова А. А., Тарасов И. С., Щукин В. А. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP- структуры с модулированным составом. ФТП. 1999. Т. 33. В. 5. С. 544−548.
- Vasilevskiy M.I., AndaE.V. Diffusion instability of homogeneous distribution of mercury in Cd. Hg^Te. Semicond. Sci. Technol. 1995. N 10. P. 157−162.
- Wei S.-H., Zunger A. Disorder effects on the density of states of the И-VI semiconductor alloys Hgo.5Cdo.5Te, Cdo.5Zno.5Te, and Hgo.5Zno.5Te. Phys.Rev.B. 1991. V. 43. N. 2. P. 1662−1677.
- Kwon M.S., Lee J.Y. Formation of CuPt-type ordered (Cd, Zn) Te at CdTe/ZnTe interface. J. Crystal Growth. 1998. V. 191. P. 51−58.
- Козырев С.П., Пырков В. Н., Водопьянов JI.K. Особенности перестройки колебательных спектров сплавов полупроводник-полуметалл CdTe-HgTe. Решеточные моды Cd-Te и Hg-Te колебаний. ФТТ. 1992. Т. 34. С. 3695.
- Amirtharaj P.M., Tiong К.К., Parayanthal P., Pollak F.H., Furdyna J.K. Raman characterization of HgixCdxTe and related materials. J.Vac.Sci.Technol.
- A. 1985. V.3.N. LP. 226−232.
- Максимов C.K., Максимов K.C., Ильичев Э. А. Знак энергии смешения и возможность неравновесных фазовых переходов при кристаллизации. Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. В. 6. С. 412−416.
- PerkowitzS., KimL. S., FengZ. C. Opticalphononsin Cdi"xZnxTe. Phys.Rev.B. 1990. V. 42. N. 2. P. 1455−1457.
- Sher A., Berding M.A., Schilfgaarde M. van, Chen A.B. HgCdTe status review with emphasis on correlations, native defects and diffusion. Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. C59.
- Schwartz L. M. Effective medium theory of electrical conduction in two-component anisotropic composites. Physica A. 1994. N 207. P. 131−136.
- Johnson S.M., Sen S., Konkel W.H., Kalisher M.H. Optical techniques for composition measurement of bulk and thin-film Cdi.yZnyTe. J.Vac.Sci.Technol.
- B. 1991. V. 9. N. 3. P. 1897−1901.
- Mikkelson J.C.M., Jr., Boyce J.B. Phys.Rev.Lett. 1982. V. 49. P. 1412.
- Amirtharaj P.M., Tiong K.K., Parayanthal P., Pollak F.H., Furdyna J.K. Raman characterization of HgixCdxTe and related materials. J.Vac.Sci.Technol. A. 1985. V.3.N. l.P. 226−232.
- Genzel L., Martin T.P., Perry C.H. Model for long-wavelength optical-phonon modes of mixed crystals. Phys.Stat.Sol. (b). 1974. V. 62. N. 1. P. 83−92.
- Verier H.W., Barker A.S., Jr. Optical phonons in mixed crystals of CdSeySi.y. Phys.Rev.B. 1967. V. 164.N.3.P. 1169−1184.
- Козырев С.П., Пырков B.H., Водопьянов JI.K. Особенности перестройки колебательных спектров сплавов полупроводник-полуметалл CdTe-HgTe. Решеточные моды Cd-Te и Hg-Te колебаний. ФТТ. 1992. Т. 34. С. 3695.
- Козырев С.П., Пырков В. Н., Водопьянов JI.K. Перестройка колебательных спектров полупроводниковых сплавов Cd.xZnxTe. ФТТ. 1992. Т. 34. В. 8. С. 2367−2371.
- Белогорохов А.И. Определение параметров зонной структуры материала CdxHgi"xTe по спектрам отражения в дальней ИК- области. В сб. «Спектральные методы решения проблем физики твердого тела» под ред. Г. Н. Жижина. М.: ИСАИ. 1988. С. 46−80.
- Alonso R.G., Mascarenhas A., Horner G.S., Bertness К.A., Kurtz R., Olson J.M. Spontaneous ordering in GaInP2: A polirized-piezomodulated-reflectivity study. Phys.Rev.B. 1993. V. 48. N. 16. P. 11 833−11 837.
- Quadri S.B., Skelton E.F., Webb A.W., Kennedy J. Evidence for bond strengthening in Cdi. xZnxTe (x=0.04). Appl.Phys.Lett. 1985. V. 46. N. 3. P. 257−259.
- Zhang Y., Mascarenhas A. Conduction and valence — band effective masses in spontaneously ordered GaInP2. Phys.Rev.B. 1995. V. 51. N. 19. P. 1 316 213 173.
- Kakimoto K., Katoda T. Clustering parameter and internal stress in III-V ternary alloys. Japanese J.Appl.Phys. 1985. V. 24., N. 8. P. 1022−1029.
- Mintairov A.M., Temkin H. Lattice vibrations and phonon-plasmon coupling in Raman spectra ofp- type Ino.53Gao.47As Phys. Rev. B. 1997.V. 55. N. 8. P. 5117−5123.
- Cheong H.M., Mascarenhas A., Ernst P., Geng C. Effect of spontaneous ordering on Raman spectra of GaInP2. Phys.Rev.B. 1997. V. 56. N. 4. P. 1882−1888.
- Mader K.A., Zunger A. Effect of atomic clustering on the optical properties of III-V alloys. Appl.Phys.Lett. 1994. V. 64. N. 21. P. 2882−2884.
- Н.П. Гавалешко, B.B. Тетеркин, Ф. Ф. Сизов, С. Ю. Паранчич, Неорганические материалы 28,2276−2281 (1992).
- S. Takeyama, S. Narita, J. Phys. Soc. Japan 55, 274−286 (1986).
- A.M. Андрухив, K.E. Миронов, Высокочистые вещества 2, 139−144 (1993).
- Т. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, and K. Ohtsuka, Jpn. Appl. Phys. 32, 3496−3501 (1993).
- C.K. Williams, Т.Н. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn, J. Electron Mater. 7, 639 (1978).
- S.E.Ostapov, O.A. Bodnaruk, I.N. Gorbatiuk, I.M. Rarenko, School-Conf. PPMSS (Chernivtsi, Ruta, 1995) p. 158.
- G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman, J. Appl. Phys. 53, 7099 (1982).
- K. Joswikowski, A. Rogalski, Infr. Phys. 28,101 (1988).
- O.A. Боднарук, A.B. Марков, С. Э. Остапов, И. М. Раренко, А. Ф. Олонецкий, ФТП 34, 430−432 (2000).
- P. Sydorchuk, G. Khlyap, М. Andrukhiv, Cryst. Res. Technol. 36, 361−369 (2001).
- B.A. Тягай, O.B. Снитко, Электроотражение света в полупроводниках, Киев, Наукова думка, 1980, 304 с.
- J. Lee, N.C. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers, Phys. Rev. В 49,1668 (1994).
- Granger R, Properties of Narrow Gap Semiconductors (ed. P Capper), London: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, 1994, p 312.
- P. Koppel, J. Appl. Phys. 57, 1705−1709 (1985).
- L.Vina, C. Umbach, M. Cardona, and L. Vodopyanov, Phys.Rev. В 29, 6752 (1984).
- E.M. Larramendi, E. Puron, О de Melo, Semicond. Sci. Technol. 17, 8−12 (2002).
- А.И. Белогорохов, Ю. А. Пусеп, Определение концентрации свободных носителей заряда в материале CdxHgixTe по спектрам РЖ- отражения, Препринт ИФП СО РАН 13,1−29 (1987).
- Scott W. Electron mobility in Hg,.xCdxTe, J.Appl.Phys., 43(3), 1055−1062 (1972).
- Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979,416 с.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982,368 с.
- Raymond A., Robert J.L., Aulombard R.L., Bousquet С., Valassiades О., Royer М. Modification of the classical magnetic freese-out manifestations in n-type Hg! xCdxTe (x~18%) due to presence of resonant levels, Lect. Notes Phys., 152,387−390 (1982).
- Lax В., Mavroides J.G., Zeiger H.J., Keyes RJ. Cyclotron resonance in indium antimonide at high magnetic fields, Phys.Rev., 122(1), 31−35 (1961).
- Арапов Ю.Г., Давыдов А. Б., Зверева M.JI., Стафеев В. И., Цидильковский И. М. Локализация электронов в магнитном поле в п- Hg0.gCd0.2Te, ФТП, 17(8), 1392−1396(1983).
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Локализация электронов в магнитном поле, ЖЭТФ, 64(6), 2222−2231 (1973).
- Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Корнияш А. А., Петряков В. А. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в Hgi"xCdxTe, ФТП, 18(2), 201−205 (1984).
- Dornhaus R., Nimtz G., Schlicht В. Narrow-Gap Semiconductors. In: Sprigger Tracts in Modern Physics. Berlin, Springer, 98, 1−312 (1983).
- Spicer W.E., Silberman J.A., Lindau J., Chen A.-B., Sher A., Wilson J.A. Band gap variation and lattice, surface and interface «instabilities» in Hg., xCdxTe and related compounds, J. Vac. Sci. Technol., Al (3), 1735−1743 (1983).
- Schlicht В., Alpsancar A., Nimtz G., Schroeder A.N.F. On the thermodynamic instability of n- type HgCdTe (x=0.2), and on acceptor levels, transport properties and lifetime ofp- type HgCdTe, Lect. Notes Phys., 152,439−443 (1982).
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 616 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М., Наука, 1981,384 с.
- Владимиров В.В., Волков А. Ф., Мейлихов Е. З. Плазма полупроводников, М.: Атомиздат, 1979,256 с.
- Белогорохов А.И., Белов А. Г., Виноградов Е. А., Рашевская Е. П. Расчет свободных носителей заряда для твердых растворов CdxHgixTe, Препринт ФИАН им. П. Н. Лебедева, 1988, 37 с.
- Козырев С.П., Пырков В. Н., Водопьянов Л. К. Перестройка колебательных спектров полупроводниковых сплавов Cd! xZnxTe. ФТТ. 1992. Т. 34. В. 8. С. 2367−2371.
- Белогорохов А.И. Определение параметров зонной структуры материала CdxHgi.xTe по спектрам отражения в дальней Ж- области. В сб. «Спектральные методы решения проблем физики твердого тела» под ред. Г. Н. Жижина. М.: ИСАИ. 1988. С. 46−80.
- Alonso R. G, Mascarenhas A, Horner G. S, Bertness К. A, Kurtz R, Olson J.M. Spontaneous ordering in GaInP2: A polirized-piezomodulated-reflectivity study. Phys.Rev.B. 1993. V. 48. N. 16. P. 11 833−11 837.
- Quadri S. B, Skelton E. F, Webb A. W, Kennedy J. Evidence for bond strengthening in Cd^ZnJe (x=0.04). Appl.Phys.Lett. 1985. V. 46. N. 3. P. 257−259.
- Zhang Y, Mascarenhas A. Conduction and valence — band effective masses in spontaneously ordered GaInP2. Phys.Rev.B. 1995. V. 51. N. 19. P. 1 316 213 173.
- Kakimoto K, Katoda T. Clustering parameter and internal stress in III-V ternary alloys. Japanese J.Appl.Phys. 1985. V. 24, N. 8. P. 1022−1029.
- Mintairov A.M., Temkin H. Lattice vibrations and phonon-plasmon coupling in Raman spectra ofp- type Ino.53Gao.47As Phys. Rev. B. 1997.V. 55. N. 8. P. 5117−5123.
- Cheong H. M, Mascarenhas A, Ernst P, Geng C. Effect of spontaneous ordering on Raman spectra of GaInP2. Phys.Rev.B. 1997. V. 56. N. 4. P. 1882−1888.
- Mader K. A, Zunger A. Effect of atomic clustering on the optical properties of III-V alloys. Appl.Phys.Lett. 1994. V. 64. N. 21. P. 2882−2884.
- Н.П. Гавалешко, B.B. Тетеркин, Ф. Ф. Сизов, С. Ю. Паранчич, Неорганические материалы 28, 2276−2281 (1992).
- S. Takeyama, S. Narita, J. Phys. Soc. Japan 55,274−286 (1986).
- A.M. Андрухив, K.E. Миронов, Высокочистые вещества 2,139−144 (1993).
- Т. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, and K. Ohtsuka, Jpn. Appl. Phys. 32, 3496−3501 (1993).
- C.K. Williams, Т.Н. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn, J. Electron Mater. 7, 639(1978).