Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца

Выводы по Главе 5:

1. Исследована кинетика окисления пленок халькогенидов свинца в замкнутой системе в широком диапазоне температур. Проведено комплексное изучение хода кинетических кривых для монокристаллических и поликристаллических пленок, выращенных на подложках различных типов, что обеспечивало различную зернистость отжигаемого материала. Установлен характер изменения кинетических кривых в зависимости от толщины отжигаемых пленок.

2. Выягвлсяы общие закономерности в характере окисления пленок различных халькогенидных материалов и связанные с тем, что итоговый процесс окисления состоит из двух составляющих- - легирования пленки кислородом с образованием в случае пленки л-типа. электропроводности инверсных областей и образование на поверхности зерен поликристаллической пленки оксидных фаз сложного состава, В зависимости от исходных свойств окисляемой пленки, ее толщины и режимов ее отжига соотношение скоростей двух указанных составляющих процесса окисления может быть различно, Это соотношение в общем случае и определяет вид кинетической кривой, а именно, является ли она монотонно возрастающей или характеризуется наличием экстремумов.

3. Изучено влияние легирования различными примесями на фоточувствительность пленок селенида и теллурида свинца. Впервые показана возможность формирования фоторезистивных элементов, работающих при комнатной температуре, на основе пленок легированного хлором и йодом теллурида. свинца Установлено, что фоторезистивные пленки легированного теллурида свинца могут обладать высокой чувствительностью без использования процедуры отжига. Это факт существенно упрощает технологию изготовления фоточувствительных структур за счет исключения длительного процесса оптимизации технологических режимов проведения температурной обработки. При этом темповое сопротивление изменяется на величину достигающую 80%,.

4. Проведено подробное исследование процессов долговременной релаксации фотопроводимости в пленках халькогенидов свинца. Установлены зависимости величины фотосигнала от технологических условий формирования пленок, от тина используемой легирующей примеси и остаточного давления в измерительной камере. Показано влияние указанных параметров на времена нарастания фотосигнала и времена его спада.

5. Предложена модель объясняющая общие закономерности в фотоэлектрических свойствах исследуемых структур. Модель основана на образовании и релаксации локализованных центров на поверхности зерен поликристаллических пленок халькогенидов свинца, возникновение которых связано с взаимодействием поверхности с кислородом. При этом происходит разделение каналов проводимости для неосновных и основных носителей заряда, в результате чего ток через структуру определяется движением неосновных носителей. Это и обуславливает высокую чувствительность пленок в инфракрасном диапазоне длин волн при комнатной температуре.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении. приведены основные результаты" ра боты:

1, Разработаны методики выращивания пленок халькогенидов свинца из газовой фазы с использованием методов горячей стенки и мгновенного испарения. Выявлено влияние технологических режимов на структуру и электрофизические параметры пленок. Определены зависимости подвижности носителей заряда от толщины пленки и температуры.

2, С использованием метода огибающих функций выполнен расчет минизонного спектра для сверхрешетки РЬ8/РЬТе, Определена зависимость эффективной ширины запрещенной зоны от периода сверхрешетки для значений периода менее 15 нм. Рассчитаны зависимости положения и ширины минизон от соотношения толщин, составляющих сверхрешетку слоев,.

3, Разработана методика формирования гетеропереходных структур на основе пленок халькогенидов свинца, выращиваемых из газовой фазы. Методом масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц исследовано размытие концентрационных профилей собственных компонентов на гетерогранице в зависимости от температуры выращивания.

4, Исследованы эффективные электрофизические параметры двухслойной гетерокомпозиции при различных толщинах и конфигурациях структуры в диапазоне температур 100−4-300 К, Установлено, что при общей толщине структуры ?<0,5 мкм (ёх-ёт) наблюдается рассеяние на. поверхности, а при (1 > 0,7 мкм существенную роль играет рас сеяние на дислокациях. Для образцов с разной толщинами составляющих гетеро-структуру слоев рассеяние носителей заряда на гетерогранице обусловлено наличием дислокаций несоответствия вплоть до очень маленьких толщин какого-либо из слоев РЬТе и РЬБ,.

5, Разработана методика и выбраны технологические режимы изготовления контактов металл — пленка халькогенида свинца, обеспечивающая формирование выпрямляющих структур и позволяющая целенаправленно изменять свойства полупроводникового материала вблизи.

А. щГ х. ' ^ ^ границы раздела. Проведено комплексное исследование вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик структур металл (висмут, индий, свинец) — полупроводник (теллурид свинца, селенид свинца) с различными толщинами окисленного слоя на границе раздела.

6. Предложена модель структуры, формирующейсяпри изготовлении барьеров металл — халькогенид свинца. Установлено, что результирующая вольт-амперная характеристика определяется характеристиками нескольких последовательно включенных выпрямляющих структур Установлено, что образование промежуточных диэлектрических слоев на границе раздела металл — теллурид свинца происходит в результате даже кратковременного контакта поверхности пленки с атмосферой при комнатной температуре.

7. С использованием термоэмиссионной теории Бете проанализированы вольт-амперных характеристик структур металл-полупроводник, изготовленных в различных технологических условиях и определены их электрические параметры. Установлены механизмы протекания тока через структуру металл — халькогенид свинца. Приводятся зависимости критерия Бете и коэффициента инжекции дырок от напряжения смещения, приложенного к структуре.

8. С использованием экспериментальных данных по дифференциальному сопротивлению структуры при нулевом смещении и значения чувствительности фотоприемника рассчитаны величины обнаружитель-ной способности для структур различного типа. Показано, что в структурах с наибольшей толщиной диэлектрического слоя на границе раздела можно реализовать режим работы фотоприемника с ограничением фоновым излучением,.

9. Исследована кинетика окисления пленок халькогенидов свинца в замкнутой системе в широком диапазоне температур. Получены зависямости сопротивления пленки от времени отжига для пленок различных халькогенидных материалов различающихся по структуре и свойствам. Установлен характер изменения кинетических кривых в зависимости от толщины отжигаемых пленок,.

10, Показано, что окисление пленок происходит в две стадии, на первой из которых изменяются электрофизические характеристики материала. а на второй изменяется его фазовый состав. Определено различие в кинетических кривых окисления РЬ8, РЬ8е и РЬТе, связанное с различной электроотрицательностью халькогееа. Установлены области на кинетических кривых, в которых проявляется заметная фоточу встви тель-ность при комнатной температуре. Обнаружено наличие высокой фоточувствительности в иеот ожженных пленках РЬТе,.

11, Проведено подробное исследование процессов долговременной релаксации фотопроводимости в пленках халькогенидов свинца, Установлены зависимости величины фотосигнала от технологических условий формирования пленок, от типа используемой легирующей примеси и остаточного давления в измерительной камере. Показано влияние указанных параметров на времена нарастания фотосигнала и времена его спада.

12, Предложена модель объясняющая общие закономерности в фотоэлектрических свойствах исследуемых структур, Модель основана на образовании и релаксации локализованных центров на поверхности зерен поликристаллических пленок халькогенидов свинца, возникновение которых связано с взаимодействием поверхности с кислородом. При этом происходит разделение каналов проводимости для неосновных и основных носителей заряда, в результате чего ток через структуру определяется движением неосновных носителей. Это и обуславливает высокую чувствительность пленок в инфракрасном диапазоне длин волн при комнатной температуре.

1. Абрикосов Н. Х., Шелимова Л. Б. Полупроводниковые материалы наоснове соединений AIVBVI. Мл Наука, 1975,.

2. Равич Ю. И., Ефимова Б, А, Смирнов И .А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М: Наука, 1968,.

3. Зломанов В, П., Новоселова А. В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген, М.: Наука, 1987.

4. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справ, / Под ред. Акад. А, В, Новоселовой, М.: Наука, 1978.

5. Шелимова Л. Е., Томашик В. Н., Грыцив В. И, Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении: системы на основе хальхоге-нидов Si, Ge, Sn, Pb. M.: Наука, 1991.

6. Кучис Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования, М.- Радио и связь" 1990.

7. Земел Дж.Н. Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений. В кн. Поверхностные свойства твердых тел / Под ред. М, Грина, М.: Мир., 1972.

8. Hollo way Н., Logothetis E.M. Hight-inobility epitaxial layers of PbTe and Pbi vSr-i Л e prepared by post-growth annealing / J, of Appl. Phys, v. 42,1971, p. 4522−4525.

9. Sloope B.W. Tiller C.O. Electrical properties of epitaxial Ge films deposited on (111) СиРг substrares / J. of Appl, Phys. v.38, № L 1967, p.140.148,.

10. Ramey R.L., McLennian W.D. Charge-carrier mobility in polycrystallinesemiconducting films based on bulk single-crystal! theory / J. of Appl. Phys., v. 38, № 9, 1967, p. 3491−3494.

11. LKamins T.I. Hall mobility in chemically deposited polycrystalline silicon. /.

12. J. of AplL Phys. v, 42, Ms IT, 1971, p. 4357−4365,.

13. Франкомб М. Ф., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок, В кн. Физика тонких пленок, Т.5 / Под общ, ред. Г, Хасса и" Р, Э, Туна, М: Мир, 1972,.

14. Vaya P.R., Majhi J., Gopalam В, S.V., Dattarreyan C.D. Thickness Dependence of Hall Mobility of H WE Grown PbTe Films / Phys. stat, sol. (a) v. 87, 1985, p. 341−350,.

15. Технология тонких плёнок: Справ, / Под ред. Л. Майссела, Р. Гленга, Т, 1, М.: Сов, радио, 1977,.

16. Молекулярно-лучевая зиитаксия и гетероструктурьг / Под ред. Л.Ченга. М.: Наука, 1989.

17. Гладкий C.B., Саунин И. В. Массоперенос при выращивании пленок PbixSnxTe из газовой фазы ./ Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1991, Т. 27, №> 3, С. 1407−1410,.

18. Гладкий С. В., Рудаков В, И, Сауиии И. В. Изготовление структур для светоизлучающих приборов с длиной волны 3−5 мкм на кремниевых подложках, / Труды ИМ РАН, Ярославль, 199.2, с, 128−133,.

19. Милославов С, Л, Сауния И, В., Яськов Д, А, Влияние состава на структуру и электрофизические свойства пленок твердого раствора Pbi-xSnxTe/ Изв. АН СССР, сер, Неорг. Мат, 1983, Т.19, № 1, С. 55−58.

20. Чопра К, Л, Электрические явления в тонких пленках, М.: Мир, 1972.

21. Кочетков Ю, В., Никифоров В. Н., Васильева О. Н., Гаськов A.M. Механические напряжения в гетер оэ п итак си ал ь н ы х пленках А4В6 / Вестн. моек, ун-та, серД Физика, Астрономия, 1994, Т, 3.5, С, 68−74,.

22. Димитров Д. Ц. Физико-химические методы управления структурой и свойствами газочувствительных слоев на основе диоксида олова: Дисе.канд. физ,.-мат. наук / СПбГЭТУ, С.-Петербург, 1998,.

23. Ормонт Б. Ф, Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982,.

24. ЗЬМосс Т., Баррел Г., Эллис Б, Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976.

25. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки, Мл Мир, 1989.

26. Altarelli М. Electronic structure and semiconductor-semimetal transition in InAs-GaSb superlattices / Phys. Rev. B, 1983, v, 28, № 2 p. 842−844.

27. Bastard G. Superlattice band structure in the envelope-function approximation / Phys. Rev, B, 1981, v. 24, № 10, p. 5693−5697.

28. Bastard G, Theoretical investigations of superlattice band structure in the envelope-function approximation / Phys. Rev. B, 1982, v. 25, № 12, p. 7584−7597,.

29. Гуменюк-Сычевская Ж, В., Сизов Ф, Ф, Анизотропия оптического поглощения в квантово-размерных структурах кубических полупроводников А4В6 / Укр, Физ., Журя, 1989, Т.24, Ng 12, С, Ш 1−1816.

30. Sizov R, Apatskaya М., G u m enj u k Si chevskay a X, Tetyorkin V, and Troyan Y, Electronic properties of FbTe/PbSnTe multiple quantum wells / Semicond. Sei. TechnoL v, 5, 1990, p, 9:28−932,.

31. Kinoshita H, Fujiyasu H, PbTe-Pbi xSnxTe superlattices prepared by a hot wall technique/X AppL Phys, 1980, v, 51, № 11, p. 5845−5846,.

32. Kinoshita H, Sakashita Т., Fujiyasu H. (p/n) PbTe multiple-layer films prepared by a hot wall technique / J. Appl. Phys. 1981, v. 52, № 4, p. 28 692 871,.

33. Борисова С, С, Михайлов И. Ф., Палатник Л, С, Сяяатов А. Ю., Фе-доренко А, И, Шяаковская Л. П, Формирование яла парных слоев в одномерных сверхрешетках при послойном механизме роста. / Кристаллография, 1989, Т. 34, С, 716−722.

34. Аяатская М. В., Сизов Ф. Ф., Тетеркин В, В, Ушанкияа H.H., Электрофизические свойства сверхрешеток PbTe-PbixSnxTe / ФТП, 1989, Т.23, № 1, С, 1203−1206.

35. Сизов Ф. Ф., Троян Ю. Г., Тетеркин В, В., Аяатская М. В., Гуменкж-Сычевская Ж, В, Структуры с квантовыми ямами на основе PbTe/Pbi-xSnxTe / Изв. АН СССР, сер, Физическая, 1989, Т. 53, № 9, С, 1813−1816.

36. Цидильковекий И. М, Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1987,.

37. Бондоков Р. Ц., Давыдов И, А, Моптников В. А., Саунин И. В., Таиров Ю. М. Структуры с квантоворазмерными эффектами PbTe/PbS / Тез, Докл, У Междун, Конф. по Физике и Технологии тонких пленок: Ивано-Франковск, Украина, 2−7 октября, 1995, С, 170,.

38. Александрова O.A., Бондоков Р. Ц. Электронные свойства сверхрешеток PbTe/PbS 1996/ Известия ТЭТУ, вып. 495, С. 64−73,.

39. Фоменко В. С, Эмиссионные свойства материаловСправ. ./ КиевН аукова думка, 198}.53,Силин А. П. Полупроводниковые сверхрешетки / УФН, 1985, Т. 147, вып. 3, С, 485−517,54,Фельдман Л, Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок М. гМир, 1989.

40. Пекар С. И. Теория подвижности, эффекта Холла и магнитосонротив-ления в электронных нолупроводниках с заряженными дефектами/ ФТТ, 1966, Т. 8, С. 1115−1121.

41. Mai аре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974.

42. Александрова O.A., Бондоков Р. Ц., Саунин И. В., Таиров Ю. М, Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe/PbS / ФТП, 1998, Т. 32, Ке 2, С. 1064 1068.

43. Николиан Э, Синха А. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл-полупроводник, В кн. Тонкие пленки Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж, Поута, К, J у, Д, Ж, Мейера. М.: Мир, 1982.

44. Родерик Э. Х, Контакты металл-полупроводник. М: Радио и связь, 1982.61,3и С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984.

45. Кайданов В. И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа А4В6/УФн, 1985, Т. 145, Je 1, С. 51−86,.

46. Калюжная Г. А., Киселева К. В. Проблема стехиометрии в полупроводниках пременного состава типа А2В6 и А4В6 / Труды ФИ, А H им. П. Н. Лебедева, М.: Наука, 1987, Т. 77, С. 5−84.

47. Берченко H.H., Заридзе Д.III., Матвеенко A.B. Формирование барьеров Шоттки и гетероструктур в халькогенидах свинца и твердых растворах на их основе / Зарубежная Электронная Техника, 1979. № 4. С. 34−51.

48. Трофимов В. Т., Селиванов Ю. Г., Чижевский Е. Г. Фотопроводимость тонких эпитаксиалькых слоев ееленида свинца / ФТП, 1996, Т. 30,1. Ф 4, С, 755−763.

49. Walpole J.N., Nill K.W. Capacitance-Voltage Characteristics of Metal Barriers on p-РЬТе and p-inAs: Effects of the inversion Layer / J. of Appl. Phys. 1971, v. 42, JNe 13, p, 5609−5617.

50. Гришина Т. А., Драбкин И. А., Костиков Ю. П., Матвеенко А. В., Протасова Н. Г., Саксеев Д. А. Оже-спектроскопическое исследование процессов на границе металл-полупроводник в системе in-Pbi-xSrixTe / Неорганические Материалы, 1982, Т. 18, № 10, С, 1709- 1713,.

51. Гришина Т. А., Драбкин И. А., Костиков Ю. П., Матвеенко А. В., Саксеев Д. А. Взаимодействие термически напыленного In с РЬТе и РЬо, 7?8по, 2зТе / Неорганические Материалы, 1987, Т. 23, № 11, С. 18 391 842.

52. Берченко Н. Н., Евстигнеев А. И., Ерохов В. Ю., Матвеенко А. В. Свойства поверхности узкозонных полупроводников и методы их защиты / Зарубежная Электронная Техника, 1981, № 3, С, 3−68,.

53. Стриха. В, И. Расчет вольт-амперной характеристики прижимного контакта металл-полупроводник с учетом пленки окисла / Радиотехника и Электроника, 1964, № 4, С. 681−687.

54. Стриха В. И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) / Под ред. В. И. Стрихи, М, — Сов, Радио, 1974 с.

55. Физические величины: Справ. / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З, Михайлова. М: Энергоатом издат, 1991,.

56. Гришина Т. А., Берченко Н. Н., Годердзитвили Г. И., Драбкин И. А., Матвеенко А. В., Мхеидзе Т. Д., Саксеев Д. А, Третьякова Е. А. Поверхностно-барьерные структуры с промежуточным слоем на Pbo.77Sno, 23Te / ЖТФ, 1987, Т. 57, № 12, С. 2355−2390.

57. Tetyorkm V.V., Bunch.uk S.G. Metal-PbTe interface chemistry and the Schottky barrier formation / Abstr. Of Third international Conference «Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics» ,.

58. September 2 October 1996, Uzhgorod, Ukraine, 1996, p. 173.

59. А кимов Б. A., Богданов В. A., Богоявленский В. А., Рябова Л. И., 11 танов В. И. Свойства диодных структур на основе /?-PbTe (Ga) / ФТП, 1997, Т. 31, № 12, С, 1431 .1435.

60. Гришина Т. А. Изучение процессов формирования барьерных структур на основе Pbi-xSnxTe и исследование их электрических и фотоэлектрических характеристик: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук / ЛЭТИ, Ленинград, 1989, 12 с.

61. Берченко H.H. Объемные и поверхностные несовершенства в узкощелевых полупроводниках АПВ¥-1 и AIVBVI: Автореф. дисс. д-р физ.-мат. наук / Киев ИП, А НУ, 1991, 33 с.

62. Hagstrom А, L., Fahlman A. The Interaction between Oxigen and Lead Chalcogenides at Room Temperature Studied by Photoelectron Spectroscopy / Application of Surface Science (!), 1978, p. 455−470.

63. Крьглгок O.H., .Гаськов A.M., Зломанов В. П., акад. Новоселова A.B. Анализ состава эпитаксиальных пленок Pbo,"Sno, 2Te на ВаРг методом ОЖЕ-электронной спектроскопии / Докл. АН СССР. Физическая Химия. 1986, Т. 287, jsfe 5, С. 1157−1160.

64. Александрова O.A., Бондоков Р. Ц., Малышев С. П., Саунин И. В. Вольт-амперные характеристики металл-полупроводник на основе теллурида свинца / Изв. ТЭТУ, 1997, вып. 504, С. 92−98.

65. Извозчиков В. А., Тимофеев O.A. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. Л.: Энергия, 1979.

66. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973: Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбцииМ: Наука., 1987,.

67. ВЗ. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, «990.

68. Киес Р. Дж, Крузе П. В., Патл и Э, Г. и др, Фотоприемники видимого и ПК диапазонов. / Под ред. Р.Дж.Киеса, м.: Радио и связь, ?985.

69. Давыдов С. Ю., Моптников В. Д., Томаев В. В. Полупроводниковые адсорбционные датчики'. Владикавказ: Изд-во Северо Осетинского государственного университета, 1998.

70. Яковлев Ю. П, Оптоэлектронные датчики для экологического мониторинга / Научная молодежная школа по твердотельным датчикам, С.-Петербург, Устный докл. 23 ноября 1998.

71. Бовина Л. А., Стафеев В. И. Узкозонные твердые растворы (СсП^)Те, В кн. Физика соединений АЛВУ* / Под ред. А. П. Георгобиани, М. К. Шейнкман., М.: Наука, 1986,.

72. Барышев П. С, Несмелова И. М. Полупрводниковые материалы для инфракрасной оптоэлектроники / Оптический Журнал, 1996, Т. 63, № 11, С. 4−16,.

73. Белозеров А. Ф., Омелаев А. И., Филиппов В. Л, Современные направления применения И К радиоме т ров и тепловизоров в научных исследованиях и технике / Оптический Журнал, 1998, Т, 65, № 6, С. 16−27,.

74. Кайданов В. П., Немов С, А., Равич Ю. И, Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках тина А1УВУ1: Обзор / ФТП, 1994, Т.28, № 3, С. 369−393.

75. Вииецкий В. А, Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова Думка, 1969.

76. Бытенский Л. И, Кайданов В. И, Мельник Р. Б., Немов С. А., Равич Ю. И. Самокомпенсация акцепторов вакансиями в сульфиде и селени-де свинца/ФТП, 1980, Т. 14, № 1, С, 74−79.

77. Равич Ю. И., Немов С. А. Физика неупорядоченных полупроводников: Учеб. Пособие / СПбГТУ, 1998,.

78. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969.

79. Гаврикова Т. А., Зыков В. А., Немов С, А. Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe (TI, Pbex) / ФТП, 1993, Т. 27s № 2, С. 200 204.

80. Зыков В. А., Гаврикова Т. А., Немов С. А. Амфотерное поведение висмута в пленках ееленида свинца / ФТП, 1995, Т. 29, JM° 2, С. 309−315.

81. Зыков В. А., Гаврикова Т. А., Немов С. А. Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe: Cl:Seex / ФТП, 1996, Т. 30, № 4, С. 71 711}.

82. Захарова И, Б., Зубкова Т. П., Немов С. А., Рабизо О. В., Выдрик В. Н. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе: С1,Теех / ФТП, 1994, Т. 28, № ю, С. 18 021 807.

83. ЮО. Неустроев JT.H., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристалличкских пленках халъкогенидов свинца / Микроэлектроника, 1988, Т. 17, вып. 5, С. 399−416.

84. Лебедев А. А. Зыков В, А. Взаимодействие примесей и дефектов в эпитаксиальных пленках халъкогенидов свинца / 1 Городская научная конференция по физике полупроводников и наноэлектронике, С. Петербург, 28 ноября, 1997, Тез. Докл. С, 43−45.

85. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения/ Под ред. Г, Харбеке, М: Мир, 1989.

86. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films / Phys. Rev, v. 104, No 6, 1956, p. 1508−1516.f J J 7 JL.

87. Petri tz R.L. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface / Phys, Rev, v, 110, Jsfe 6, 1958, p. 1254−1262.

88. Mandurah M.M., Saraswat K.C., Kamins ТЛ. A model for conduction in poly crystalline silicon/ Part 1: TheoryPart П: Comparison of theiry and experiment / IEEE Transact, on electron divaces, v. ED-28, № 10, 1981, p.1163−1176.

89. Шкловский Б. И, Эфрос А. Л, Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

90. Неустроев Л. Н., Осипов В, В, О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / ФТП, 1984, Т. 18, № 2, С. 359−362.

91. ЮВ. Неустроев Л. Н, Осипов В. В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS 1. Модель, проводимость и эффект Холла / ФТГТ, Т. 20, № 1, С, 59−65.

92. Неустроев Л. Н. Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS П. Фотопроводимость, Сравнение с экспериментом / ФТП, Т. 20, 1, С. 66−72.

93. Ю. Ковалев А. Н., Маняхин Ф, И, Свойства и механизм фотопроводимости поликристаллических слоев сульфида свинца / Поверхность. Физика, химия, механика, 1986, № 2, С, 117−126,.

94. Левченко В, И., Постнова Л. И., Дикарева В, В. Определение энергии активации диффузии кислорода в пленках сульфида свинца / ФТП, 1994, Т. 28, № 10, С. 1843−1848.

95. Петров В. И., Гареев А. Ф., Горбачев В. В., Руленко М. П., Шабалин A.B. Люминесцентные и электрофизические свойства поли кристаллических пленок РЪТе / Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1987, Т. 53, № 3, С. 443−446.

96. Петров В. И. Особенности локальной катодолюминесценции узкозонных полупроводниковых материалов / Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1987, Т. 51, № 3, С. 462−467,.

97. Дашевский З. М., Руленко М. П. Эффект увеличения диффузионной длины носителей заряда в поликристаллических пленках РЬТе / ФТП, 1993, Т. 27, № 4, С. 662−667.

98. Bode D.E., Levinstein Н. Effect of Oxigen on the Electrical Properties of Lead Telhmde Films i Phys, Rew., 1954, v. 96, № 2, p. 259−265.

99. Боде Д. Е. Детекторы на основе солей свинца. В кн. Физика тонких пленок, Т. 3 / Под ред. Г. Хасса и Р, Э. Туна. М.: Мир, 1968.

100. Олеск С. А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых раствотров селенида свинца селенидакадмия: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук / ЛЭТИ, д., 1990, 14 с.

101. Справочник по инфракрасной технике Т.1 Физика ИК-излучения / Под ред. У. Вояфа и Г. Цисиса. М.: Мир. 1995.

102. Александрова О., Бондоков Р., Малы if св С., Саунин П., Таиров Ю. Получаване елементи на оптодвойките на PbS / Докл. Междунар. Конф. «ELECTRONICА'96», 10−11 октября 1996, г. Ботевград, Болгария, С. 51−56. (на болгарском языке).

103. Смит Р. А. Полупроводники. М: Мир, 1982.

104. Бондоков Р. Ц., Димитров Д. Ц., Мошников В. А., Саунин И, В. Получаване елементи на оптодвойките на РЬТе / Докл. Междунар. Конф. «ELECTRONICAW, 15- 16 октября 1998, г. Ботевград, Болгария, С. 102−106. (на болгарском языке).

105. Димитров Д. Ц., Лучинин В. В, Моншиков В. А., Панов М. Ф. Эллип-сометрия как экспресс метод установления корреляции между пористостью и газочувствительностью слоев диоксида олова / ЖТФ, 1999, № 4, принята в печать.

106. Бондоков Р. Ц. Фотоэлектрические свойства ИК-датчиков на основе РЬТе<�С1, 1>, работающих при комнатной температуре / Тез. докл. Науч. Молодеж. школа по твердотельным датчикам, 23−25 ноября 1998, С. П егербург, С. 10.