Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами

Диссертация: Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развитый в работе ex situ метод химической обработки в безводном растворе HCl в изопропиловом спирте и последующего прогрева в вакууме поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 позволяет получать атомарно-чистые, структурно-упорядоченные поверхности с различными реконструкциями без использования молекулярных пучков V группы. Общим свойством для всех изученных соединений А3В5 является… Читать ещё >

Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Приготовление реконструированных поверхностей соединений А3В5: пассивация поверхности, реконструкции и электронные свойства
    • 1. 1. Химические способы получения атомарно-чистых поверхностей А3В
    • 1. 2. Методика эксперимента
      • 1. 2. 1. Образцы и методы исследования
      • 1. 2. 2. Методика приготовления поверхностей соединений, А В химической обработкой в растворе HCl в изопропиловом спирте
      • 1. 2. 3. Морфология поверхностей соединений, А В после химической обработки в растворе НС1-ИПС
      • 1. 2. 4. Высоковакуумные исследовательские установки
    • 1. 3. Удаление собственных оксидов с поверхностей соединений А3В5 химической обработкой в растворе HCl в изопропиловом спирте
      • 1. 3. 1. Формирование пассивирующего слоя мышьяка на поверхностях соединений III-As: GaAs:(001), (111)А, В, (110) — InAs (OOl), InAs (l 11) A, B- InGaAs (lOO)
      • 1. 3. 2. Состав поверхности соединений III-P после обработки в растворе НС1-ИПС
      • 1. 3. 3. Состав и остаточные загрязнения на поверхности соединений III-Sb после обработки в растворе НС1-ИПС
      • 1. 3. 4. Низкотемпературная методика очистки поверхностей III-N (OOOl)
    • 1. 4. Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей
  • AJBJ
    • 1. 4. 1. Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей III-As
    • 1. 4. 2. Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей III-P
    • 1. 4. 3. Структура поверхностей III-Sb
    • 1. 4. 4. Структура поверхности GaN (OOOl)
    • 1. 4. 5. Активирование поверхности GaN (OOOl) цезием и кислородом

Развитие методов управления составом и атомной структурой поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 с адсорбатами в условиях сверхвысокого вакуума представляет как научный, так и практический интерес. Научный интерес состоит в углублении понимания процессов формирования границ раздела на атомном уровне и изучении связи атомной структуры и электронных свойств поверхности. Практическая значимость связана с необходимостью совершенствования методов приготовления атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 и поверхностей с адсорбатами с заданным составом, атомной структурой и электронными свойствами для создания приборов полупроводниковой оптоэлектроники. К моменту начала данной работы достаточно.

7 е хорошо были изучены структурные и электронные свойства поверхностей, А В с ориентацией (110), получаемых сколом в сверхвысоком вакууме, и поверхностей других ориентаций, приготовляемых с использованием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В исследовательских сверхвысоковакуумных (СВВ) установках без молекулярных источников, возможности получения различных реконструкций поверхностей А3В5 более ограничены. Для практически важных поверхностей с ориентацией (001), единственным способом приготовления поверхности с различными реконструкциями долгое время оставался метод десорбции защитного слоя элемента V группы. Возможность получения структурно-упорядоченных поверхностей А3В5 с помощью химической обработки ex situ и прогрева в вакууме в отсутствие потоков элемента пятой группы изучена существенно слабее. В частности, на таких поверхностях не удавалось наблюдать сверхструктурные перестройки, ранее обнаруженные на поверхностях А3В5, приготавливаемых с использованием МЛЭ. Реконструированные поверхности InAs (lll)A и GaAs (OOl) после химического удаления оксидов и прогрева в вакууме впервые были получены в Институте физики полупроводников СО РАН [1,2]. После химической обработки арсенида галлия в безводном растворе хлористоводородной кислоты в изопропиловом спирте (НС1-ИПС) в инертной атмосфере азота и прогрева в СВВ был получен весь ряд реконструкций на поверхности GaAs (OOl) [2]. Тем не менее, вопросы о механизме формирования пассивирующего слоя мышьяка при химической обработке в НС1-ИПС, о влиянии этой обработки на морфологию поверхности GaAs (OOl), а также о возможности приготовления реконструированных поверхностей GaAs других кристаллографических ориентаций оставались невыясненными. Для других полупроводниковых соединений А3В5 возможность приготовления структурно-упорядоченных поверхностей без использования техники МЛЭ не изучались.

Альтернативным методом приготовления атомарно-чистых поверхностей А3В5 является обработка поверхности полупроводника in situ в атомарном водороде (АВ). Большинство работ по изучению взаимодействия АВ с поверхностью GaAs (OOl) посвящено изучению состава поверхности [3]. Структура поверхности GaAs (OOl) при обработке в АВ изучена в меньшей степени, а имеющиеся результаты не дают полного представления о взаимосвязи между условиями обработки, составом поверхности и её структурой.

Сложность в изучении адсорбции на полярных гранях полупроводников А3В5 связана с тем, что в зависимости от соотношения элементов III и V групп в приповерхностном слое наблюдается большое число реконструкций [2,4]. В зависимости от ориентации и стехиометрии поверхности, при взаимодействии с щелочными металлами и молекулярными галогенами наблюдается формирование упорядоченных структур на одних поверхностях, тогда как другие поверхности разупорядочиваются [5,6]. В связи с этим, остаются актуальными вопросы о влиянии стехиометрии и атомной реконструкции исходной поверхности GaAs (OOl) на эволюцию структурных и электронных свойств поверхности при адсорбции электроположительных (цезия) и электроотрицательных (йода) адсорбатов, о влиянии адсорбат-индуцированной передачи заряда на ослабление связей поверхностных атомов, а также о природе перехода изолятор-металл в системе щелочной металл-поверхность полупроводника.

При создании гетероструктур для научных исследований и приборов наноэлектроники необходимо развивать не только методы атомно-слоевого выращивания, но и атомно-слоевого травления полупроводников. Известные методы травления предельно-тонких слоев полупроводников основаны на их контролируемом окислении и последующем растворении слоя оксида, толщина которого определяется режимом окисления. Предельное разрешение этих методов по толщине не превышает 2−3 МЬ. Методы сухого (газофазного) травления, такие как реактивное ионное и ионно-пучковое травление, широко используемые в технологии изготовления полупроводниковых структур, не позволяют контролировать травление на атомном уровне. Атомно-слоевое («цифровое») травление может быть реализовано на полярных гранях бинарных полупроводниковых соединений А3В5 путём использования адсорбатов, селективно реагирующих с поверхностными атомами разных столбцов таблицы Менделеева и уменьшающих энергию связи определенных поверхностных атомов подложки. С другой стороны, уменьшение энергии связи поверхностных атомов должно приводить к увеличению коэффициента поверхностной диффузии. Известно, что увеличения коэффициента поверхностной диффузии можно достичь с помощью сурфактантов — поверхностно-активных веществ, которые изменяют условия роста, но сами не встраиваются в растущий кристалл, сегрегируя на поверхность. Примером эффективного сурфактанта служит атомарный водород, позволяющий значительно снизить температуру роста ОаАэ без потери структурного качества растущей пленки [7]. Еще более выраженные сурфактантные свойства можно ожидать у цезия: имея один валентный электрон и большой ковалентный радиус, Сз не может встроиться в решетку, а высокий коэффициент диффузии и эффект СБ-индуцированного перераспределения заряда должен приводить к уменьшению энергии связи поверхностных атомов подложки и, следовательно, к увеличению их коэффициента диффузии. Идея, лежащая в основе использования сурфактантов, может быть применена как для низкотемпературного роста полупроводников, так и низкотемпературного приготовления структурно-упорядоченных поверхностей.

3 5.

Возможность управления составом и структурой поверхностей, А В используется для оптимизации границы раздела (Сэ-0)/А3В5 [8]. Интерес к изучению границ раздела (Сз-0)/А3В5 обусловлен возможностью достижения эффективного отрицательного электронного сродства и создания сверхчувствительных, малошумящих, быстродействующих фотоприемников, а также источников ультрахолодных и спин-поляризованных электронов [9]. Помимо источников спин-поляризованных электронов, востребованными являются детекторы спин-поляризованных электронов [10]. Недостатком известного детектора Мотта является громоздкость и необходимость использования высоких напряжений (до ~ 100 кэВ).

Компактной альтернативой детектору Мотта может стать магнитный барьер Шотгки на основе структуры Fe/GaAs [11].

Таким образом, развитие методов контролируемого изменения физико-химических свойств поверхностей полупроводников А3В5, заключающихся в управлении составом и структурой поверхности, как с помощью «ех situ» методов модификации поверхности («жидкой химии»), так и «in situ» (адсорбат-индуцированного изменения поверхностных реконструкций в вакууме), актуально для решения научных задач в области физики поверхности и создания ряда полупроводниковых приборов.

Цель данной работы заключалась в изучении физико-химических процессов, лежащих в основе приготовления атомарно-чистых, структурно-упорядоченных (реконструированных) поверхностей А3В5 без использования молекулярных пучков и в исследовании атомной структуры и электронных свойств поверхности GaAs (OOl) с различными адсорбатами. В качестве адсорбатов использовались цезий, калий, натрий, атомарный водород, йод, кислород и железо.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

• исследовать возможность приготовления реконструированных поверхностей о С полупроводников, А В путём химической обработки ex situ и последующего прогрева в вакууме без использования молекулярных пучков;

• изучить возможность in situ получения реконструированных поверхностей GaAs (OOl) низкотемпературной обработкой в атомарном водороде;

• изучить взаимодействие цезия с Asи Gaстабилизированными поверхностями GaAs (OOl), переход изолятор-металл в системе щелочной металл-СаАз (001), а также исследовать возможность использования цезия в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия;

• изучить взаимодействие йода с поверхностью GaAs (OOl) и осуществить прецизионное («цифровое») травление поверхности GaAs (OOl) с точностью до 1 монослоя, используя селективность взаимодействия Cs и I с поверхностными атомами мышьяка и галлия;

• изготовить магнитный барьер Шоттки на основе гетероструктуры Pd/Fe/GaAs (001) и изучить спин-зависимый транспорт электронов в такой структуре с возможностью электрической и оптической регистрации спина электронов.

Объекты и методы решения. В качестве объектов исследования использовались объёмные монокристаллы и эпитаксиальные структуры на основе полупроводниковых соединений, А В. Структуры были выращены в Институте физики полупроводников СО РАН методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав и стехиометрия поверхности полупроводников изучались методами Ожеи рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения (СХПЭЭВР), фотоэмиссии с использованием синхротронного излучения. Структура поверхности изучалась методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ), дифракции медленных (ДМЭ) и быстрых.

Л f электронов (ДБЭ). Электронные свойства поверхностей, А В с адсорбатами изучались методами спектроскопии фотоотражения, СХПЭЭВР, фототока, фотолюминесценции, спектроскопии анизотропного отражения, квантового выхода фотоэмиссии. Встроенные электрические поля определялись методами фотои электроотражения.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложен и реализован метод создания реконструированных поверхностей полупроводниковых соединений А3В5, альтернативный методу молекулярно лучевой эпитаксии. Обнаружены и исследованы сверхструктурные перестройки, соответствующие анионным и катионным фазам на поверхностях полупроводниковых соединений А3В5, приготовленных путём химического удаления оксидов в безводном растворе хлористоводородной кислоты в изопропиловом спирте и прогрева вакууме в отсутствие потоков элементов V в группы. Эта методика является универсальной для полупроводников, А В и позволяет получать поверхности, не уступающие по качеству поверхностям, выращиваемым методом МЛЭ.

2. Обнаружены и исследованы новые Ga-стабилизированные реконструкции (4×4) и (2×4)/с (2×8), полученные путём низкотемпературной обработки в атомарном водороде поверхности ОаАз (001), покрытой оксидами.

3. Обнаружен и объяснен эффект Сэ-индуцированного уменьшения температуры перехода от АБ-стабилизированной ОаАз (001)-(2×4)/с (2×8) к ва-стабилизированной поверхности (4×2)/с (8×2). На основе селективного взаимодействия электроположительных атомов цезия и электроотрицательных атомов йода с аниони катион-стабилизированными поверхностями ОаАз (001) реализовано атомно-слоевое травление поверхности (001) арсенида галлия.

4. Обнаружено, что при адсорбции щелочных металлов (К, Иа) на поверхность СаАз (001) при температуре ниже 200 К и 0а1к~О.5 МЬ происходит динамический фазовый переход диэлектрик-металл первого рода. Показано, что спектры потерь энергии электронов в системе Сэ/ваАз не зависят от ориентации и структуры поверхности и связаны с конденсацией адатомов цезия в плотноупакованные двумерные островки с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Обнаружены и исследованы сурфактантные свойства цезия. Предложено использовать Се в качестве сурфактанта для низкотемпературного роста арсенида галлия.

6. Предложен и реализован новый тип спин-детектора на основе гетероструктуры Рё/Ре/СаАБЛпСаАз с квантовыми ямами, позволяющий измерять поляризацию свободных электронов методом катодолюминесценции. С использованием.

3 5 развитой методики приготовления структурно-совершенных поверхностей, А В, изготовлен магнитный барьер Шотгки для детектирования спина свободных электронов.

Практическая значимость работы.

5 С.

• Метод получения поверхностей, А В с заданной стехиометрией, атомной структурой и контролируемыми электронными свойствами с помощью химической обработки в безводном растворе НС1-ИПС и последующего прогрева в вакууме в отсутствие потоков элементов V группы может быть использован для приготовления поверхностей с заданной стехиометрией и реконструкцией для научных исследований, а также для подложек перед эпитаксиальным ростом, изготовления полупроводниковых приборов.

• Развитый метод приготовления совершенных поверхностей ваАБ позволил создать магнитные барьеры Шотгки Fe/GaAs для детектирования спиновой поляризации электронов.

• Низкотемпературный метод приготовления Gaстабилизированной поверхности GaAs (OOl) в атомарном водороде позволяет минимизировать концентрацию термических дефектов.

• Показано, что цезий может быть использован в качестве сурфактанта для низкотемпературного роста GaAs и других соединений А3В5.

• Селективное взаимодействие щелочных металлов и галогенов с аниони катион-стабилизированными поверхностями полупроводниковых соединений А3В5 может быть использовано для атомно-слоевого травления полярных поверхностей.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Развитый в работе ex situ метод химической обработки в безводном растворе HCl в изопропиловом спирте и последующего прогрева в вакууме поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 позволяет получать атомарно-чистые, структурно-упорядоченные поверхности с различными реконструкциями без использования молекулярных пучков V группы. Общим свойством для всех изученных соединений А3В5 является удаление собственных оксидов и образование на поверхности пассивирующего слоя. Состав пассивирующего слоя зависит от химического соединения А3В5. Для соединений III-As (GaAs (OOl), (111)А, В, (110) — InAs (OOl), (111)АInGaAs (OOl)) обработка в НС1-ИПС приводит к образованию пассивирующего слоя элементного мышьяка толщиной 1−3 ML. Для соединений III-P (InP (OOl) GaP (llO)) и III-Sb (InSb (OOl), GaSb (OOl)) происходит пассивация поверхностей этих полупроводников хлоридными соединениями элементов третьей группы. Для всех соединений А3В5 атомарно-чистая поверхность получается прогревом в вакууме в среднем на 200° ниже температуры, необходимой для десорбции собственных оксидов. Прогрев в вакууме соединений А3В5 приводит к последовательности аниони катион-стабилизированных реконструкций, характерных для этих соединений.

2. Низкотемпературная обработка поверхности GaAs (OOl), покрытой собственными оксидами, в атомарном водороде и последующий прогрев в вакууме позволяют получить новые Ga-стабилизированные реконструкции (4×4) и (2×4)/с (2×8). Структура Ga-(2×4) объяснена расчетами из первых принципов в рамках модели элементарной ячейки (2×4) «Gaсмешанный димер». В температурном интервале.

280−420°С получен ряд реконструкций от вадо Аэстабилизированной поверхности ОаАз (001). Обработка в АВ приводит к пассивации собственных электронных состояний и откреплению уровня Ферми на поверхности р-ОаАз (001).

3. Эффект снижения на ~100°С температуры сверхструктурного перехода от Аэк ва-стабилизированной поверхности СаАз (001)-(4×2)/с (8×2) под влиянием адсорбированного цезия обусловлен уменьшением энергии связи атомов мышьяка на Аэ-стабилизированной поверхности ОаАз (001) вследствие перераспределения электронной плотности между поверхностными атомами Аэ и нижележащими атомами ва. Св-индуцированное уменьшение энергии связи поверхностных атомов позволяет использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия.

4. Адсорбция щелочных металлов (К, Ыа) на поверхности СаАз (001) при температуре ниже 200 К и 9а1к~0.5 МЬ приводит к динамическому фазовому переходу диэлектрик-металл первого рода. При увеличении концентрации атомов цезия на поверхностях ваАв при покрытиях 9>0.5 монослоя и температуре 300 К происходит переход к конденсированной двумерной металлической фазе, который сопровождается возникновением дублета узких пиков потерь энергии электронов, обусловленных возбуждением плазмонов в адсорбционном слое. Появление бездисперсионных плазменных потерь связано с динамическим фазовым переходом от газовой фазы атомов цезия к плотноупакованным двумерным островкам с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Селективное взаимодействие электроположительных и электроотрицательных атомов с катиони анион-стабилизированными поверхностями СаАБ (001) приводит к атомно-слоевому (цифровому) травлению поверхности СаАз (001), контролируемому реконструкционными переходами.

6. Барьеры Шоттки на основе РеЛЗаАз (001) позволяют достигать эффективности в детектировании спина электронов Р~2−10″ 5, сравнимой с эффективностью детекторов Мотта. Гетероструктуры Рё/Те/ОаАзЛпОаАз с квантовыми ямами могут быть использованы для измерения спиновой поляризации свободных электронов методом катодолюминесценции.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 2-ой Международной конференции по физике низкоразмерных структур (PLDS-2, Дубна, 1995), на 2-ой, 6-ой, 7-ой, 8-ой и 9-ой Российских конференциях по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996, Санкт-Петербург 2003, Звенигород 2005, Екатеринбург 2007, Новосибирск 2009), на 9-ой, 10-ой Международной конференции по поляризованным мишеням и поляризованным пучкам (Urbana, IL, 1997, Новосибирск 2003), на Международной конференции по поляризованным электронам низкой энергии (Санкт-Петербург, 1998), на 9-ой Международной конференции по физике поверхности и тонких плёнок (ICSFS-9, Copenhagen, 1998), 20-ой и 23-ей европейской конференции по физике поверхности (ECOSS) (Краков 2001 г., Берлин 2005), на 7-ой и 9-ой конференциях по арсениду галлия и полупроводниковым соединениям группы III-V (Томск 2002, 2006), на 12-ом, 15-ом, 17-ом Международном симпозиуме «Nanostructures: physics and technology» (Санкт-Петербург 2004, Новосибирск 2007, Минск 2009), на совещании по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск 2003), на 7-м российско-японском семинаре по физике поверхности полупроводников (Владивосток 2006 г.), на Международной конференции по ультрафиолетовому излучению и взаимодействию излучения с конденсированным веществом (Иркутск 2005), на 12-ой и 13-ой Международной конференции по формированию границ раздела полупроводников (Ваймар 2009, Прага 2011), на 14-ом Европейском семинаре по молекулярно лучевой эпитаксии (Гранада 2007), на 2-ом, 3-ем, 4-ом, 5-ом, 6-ом и 7-ом Международных семинарах по пассивации поверхности полупроводников (Устрон 2001, 2003, 2005, Закопане 2007, 2009, Краков 2011), на 1-ой Всероссийской конференции по методам исследования состава и структуры функциональных материалов (Новосибирск 2009), на Международном семинаре по наномеханике и наноинженерии (Красноярск 2009). Результаты работы докладывались на семинарах в Институте физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Институте физики им. Керенского СО РАН (Красноярск), Эколь Политекник (Палезо, Франция), Орсе (Франция), Триест (Италия), Университетах Тор Вергата (Рим, Италия), Фермон-Клерон (Франция), Хайдельберга (Германия), Хиросимы (Япония).

Основные результаты и выводы диссертации состоят в следующем: 1. Развит метод контролируемого изменения физико-химических свойств поверхностей, заключающийся в управлении составом и сверхструктурными переходами на поверхностях полупроводников А3В5 путём химического удаления оксидов и последующего прогрева вакууме в отсутствие потоков элементов V группы. Исследованы сверхструктурные переходы, соответствующие анионным и катионным фазам на поверхностях полупроводниковых соединений А3В5:

• ОаАз (111)В: (1×1) 350 °C > (2×2) 400 °C > (1×1) 480 °C > (3×3) 530 °C > л/19хл/19) — ОаАз (111)А: (1×1) 300 °C > (2×2) — ОаАз (001): (1×1) 400 °C >

2х4)/с (2×8) 480 °C > (2×6)/(3×6) 530 °C > (4×1) 580 °C > (4×2)/с (8×2) — СаЛз (ПО): (1×1).

• 1пАб (001): (1×1) 23°ос > (2×4)/с (2×8) 280 °C > (2×4)/(4×2) 300 °C > (4×2)/с (8×2) — (111)А: (1×1) 300 °C > (2×2).

• 1пР (001): (1×1) 230 °C > (2×1) 280 °C > (2×4)/с (2×8) 450 °C > (4×4).

• ОаР (110): (1×1).

• 1п8Ь (001)-(1×1) 400 °C >(1×3) 480°с) (4×3) 530 °C > (4×2)/с (8×2).

• ва8Ь (001) -(1×1) 400 °C >(1хЗ)/(ЗхЗ) 450 °C > (2×3).

• Са1Ч (0001) — (1×1).

Установлено, что методика приготовления поверхности в безводном растворе хлороводорода в изопропиловом спирте является универсальной для полупроводников А3В5 и позволяет получать поверхности, не уступающие по качеству поверхностям, выращиваемым методом МЛЭ.

2. Экспериментально открыты и изучены новые Оа-стабилизированные сверхструктуры (4×4) и (2×4)/с (2×8) на поверхности ОаАз (001), приготовленные обработкой в атомарном водороде. Получен весь ряд реконструкций, характерных для поверхности ОаАз (001), в диапазоне температур 280−420°С. Низкотемпературное структурное упорядочение поверхности СаАз (001) связано с сурфактантными свойствами атомарного водорода на поверхности полупроводника. Экспозиция поверхности СаАз (001) р-типа в атомарном водороде приводит к пассивации поверхностных состояний и откреплению уровня Ферми на поверхности.

3. Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности ОаАз (001), проявляющееся в разупорядочении Дестабилизированной поверхности и в снижении на ~100°С температуры перехода к Са-стабилизированной поверхности СаАз (001)-(4×2)/с (8×2) под влиянием адсорбированного цезия. Расчетами из первых принципов доказано, что эффект обусловлен уменьшением энергии связи атомов мышьяка вследствие перераспределения электронной плотности между поверхностными атомами Лэ и нижележащими ва атомами из-за передачи заряда от Се в полупроводник. Сэ-индуцированное уменьшение энергии связи поверхностных атомов мышьяка приводит к следующим практическим результатам:

• обнаружен эффект Сэ-индуцированной десорбции элементного мышьяка с поверхности СаАз (001), что может быть использовано для низкотемпературной очистки поверхности полупроводника и приготовления низкотемпературной ва-стабилизированной поверхности ОаАэ с улучшенными электронными свойствами (низкая плотность поверхностных состояний, малое значение изгиба зон, отсутствие закрепления уровня Ферми);

• установлено, что Се может использоваться в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия.

4. Установлено, что адсорбция щелочных металлов на поверхность СаАз (001) при температуре ниже 200 К приводит к фазовому переходу диэлектрик-металл первого рода при ва1к~0.5 МС, при этом металлическая фаза является неупорядоченной и метастабильной. Прогрев поверхности приводит к разрушению металлической фазы и переходу металл-диэлектрик при температуре, когда становится возможным поверхностная диффузия адатомов и возникает переход беспорядок-порядок. Таким образом, наличие металлической фазы на поверхности СаАз (001) напрямую связано с разупорядочением в слое адсорбата. Спектры потерь энергии электронов в системе Сз/ваАз соответствуют возбуждению плазмонов, локализованных в двумерных островках цезия, и не зависят от ориентации и структуры поверхности. Появление интенсивных пиков потерь при покрытии поверхности цезием свыше 0.5 МС связано с динамическим фазовым переходом от двумерного газа атомов цезия к плотноупакованным двумерным островкам с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Обоснован и реализован эффект селективного воздействия электроотрицательных (йод) и электроположительных (цезий) адсорбатов на поверхность СаАз (001), который приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов III и V групп и, тем самым, позволяет реализовать обратимые низкотемпературные сверхструктурные переходы между катиони анион-стабилизированными поверхностями. Эффект селективного уменьшения энергий связи объяснён адсорбат-индуцированным перераспределением электронной плотности в приповерхностной области. Обнаруженный эффект открывает возможность реализации низкотемпературного (Т<450°С) атомно-слоевого («цифрового») травления полярных граней соединений А3В5. 6. Предложен и реализован метод измерения спина электронов по регистрации интенсивности катодолюминесценции от поглощенных спин-поляризованных электронов в структуре Pd/Fe/GaAs (001) с квантовыми ямами InGaAs вблизи гетерограницы. С использованием технологии приготовления структурно.

Л С упорядоченных поверхностей, А В, изготовлены и изучены магнитные барьеры Шоттки на основе границы раздела Pd/Fe/GaAs (001) для детектирования среднего спина в пучке свободных электронов с эффективностью, сравнимой с детекторами Мотта.

Совокупность полученных результатов и разработанных положений можно характеризовать как новое существенное достижение в развитии важного направления физики и технологии поверхности полупроводников — формировании границ раздела на атомном уровне и изучении связей атомной структуры и.

•> е электронных свойств поверхностей полупроводников, А В для создания приборов полупроводниковой оптоэлектроники и спинтроники.

Личный вклад автора в выполненную работу.

Результаты, представленные в диссертации, были получены примерно за 15 лет, с 1994 г. по 2009 г. в лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках и в лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 Института физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН. Личный вклад автора заключается в выборе направления исследований, постановке задач и проведении экспериментов, анализе и интерпретации полученных данных, построении физической картины исследуемых явлений, а также в подготовке публикаций и докладов на конференциях. Автор принимал непосредственное участие в создании экспериментального оборудования. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения и выводы. Исследования реконструированных поверхностей А3В5 были начаты с нуля, поскольку до моего прихода в лабораторию неравновесных процессов в полупроводниках студентом данные исследования не проводились. Автор впервые получил реконструированные поверхности GaAs после химической обработки в растворе НС1-ИПС и последующего прогрева в вакууме, а также показал универсальность данной методики применительно к другим полупроводниковым.

5 С соединениям, А В — обнаружил и изучил новые Ga-стабилизированные сверхструктуры (4×4) и (2×4)/с (2×8) на поверхности GaAs (OOl), приготовленные обработкой в атомарном водородепредложил и реализовал метод слоевого (цифрового) травления поверхности GaAs (OOl) — использовал цезий в качестве сурфактанта для никотемпературного роста арсенида галлияпредложил и реализовал метод измерения спина электронов по регистрации интенсивности катодолюминесценции от поглощенных спин-поляризованных электронов в структуре Pd/Fe/GaAs (001) с квантовыми ямами InGaAs вблизи гетерограницы.

Большая часть результатов, изложенных в диссертации, получена совместно с авторами опубликованных работ, в том числе с д.ф.-м.н. A.C. Тереховым, д.ф.-м.н. B.JI. Альперовичем, д.ф.-м.н. С. Е. Кульковой, д.ф.-м.н. C.B. Еремеевым, к.ф.-м.н. A.C. Ярошевичем, к.ф.-м.н. Г. Э. Шайблером, к.ф.-м.н. А. Г. Паулишем. Эпитаксиальные структуры, исследованные в данной работе, выращивались в Институте физики полупроводников д.ф.-м.н. Ю. Б. Болховитяновым и Н. С. Рудой (методом жидкофазной эпитаксии), Д. В. Дмитриевым, к.ф.-м.н. А. И. Тороповым, к.ф.-м.н. В. В. Преображенским, к.ф.-м.н. Б. Р. Семягиным, к.ф.-м.н. М. А. Путято (методом молекулярно-лучевой эпитаксии). Работа по созданию сверхвысоковакуумной камеры, в которой проводилась экспозиция поверхности GaAs в атомарном водороде, выполнена совместно с А. П. Кравченко. Источник атомарного водорода был разработан д.ф.-м.н. A.C. Тереховым. Источник молекулярного йода был разработан и изготовлен автором. Часть работы по автоматизации эксперимента выполнена Д. А. Петуховым и К. В. Торопецким. Измерения спектров электролюминесценции и фотолюминесценции GaAs/InGaAs структур (п. 5.3.2) была выполнена совместно с к.ф.-м.н. Т. С. Шамирзаевым и к.ф.-м.н. A.C. Ярошевичем.

Благодарности.

Я благодарен заведующему лабораторией неравновесных явлений в полупроводниках ИФП СО РАН, профессору, д.ф.-м.н. Александру Сергеевичу Терехову, под руководством которого я поставил первые эксперименты по физике поверхности полупроводников, а также сотрудникам лаборатории за повседневную поддержку и помощь в работе. Хочется особо поблагодарить за интересное и плодотворное сотрудничество Виталия Львовича Альперовича, Александра Сергеевича Ярошевича, Андрея Георгиевича Паулиша, Генриха Эрнстовича Шайблера, Наталью Аркадиевну Якушеву, Сергея Владленовича Шевелева, Татьяну Петровну Кириенко, Нину Сергеевну Рудую, Николая Васильевича Кислых, совместно с которыми были получены основные результаты. Я благодарен сотрудникам Института, предоставившим для исследований выращенные ими эпитаксиальные структуры.

Я благодарен ¡-Сергею Ильичу Чикичеву|, блестящему педагогу и учителю.

Благодарю Александра Ивановича Торопова, под началом которого я работаю с 2007 г. в лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5, за помощь как в организационных делах, так и по вопросам роста МЛЭ структур, а также сотрудников лаборатории за повседневную поддержку и помощь в работе.

Отдельное спасибо Александру Сергеевичу Ярошевичу, взявшему на себя труд прочтения всей диссертации и сделавшему много ценных замечаний.

Особое спасибо я должен сказать моей семье, которая дружно поддерживала меня на протяжении всего времени написания диссертации.

Работа была выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты 01−02−17 694, 03−02−6 094-мас, 05−02−17 265, 06−02−16 093, 09−201 045, 10−02−91 067-НЦНИ, 12−02−226), Государственной программы «Поверхностные атомные структуры», Российской Академии наук (программа «Спиновые явления в твердотельных наноструктурах и спинтроника») и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. Эксперименты, результаты которых изложены в п. 1.3, 1.4, 3.4.4 и 5.3, выполнялись при поддержке Министерства науки и образования Францииавтор выражает благодарность Даниэлю Паже и Жаку Перетти (Политехническая школа, Палезо) за предоставленные возможности проведения этих экспериментов и плодотворное сотрудничество.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.Г. Сверхструктурные перестройки на гранях (111)А и (001) 1. As/
  2. Ю.Г. Галицын, В. Г. Мансуров, В. И. Пошевнев // Поверхность 1992. — № 7. — С. 59−67.
  3. Tereshchenko О.Е. Atomic structure and electronic properties of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs (lOO) surface / O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. 1999. — Vol. 142. — P. 75−80.
  4. Nannarone S. Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces / S. Nannarone,
  5. M. Pedio // Surface Science Reports 2003. — Vol. 51. P. 1−149.
  6. Ohtake A. Surface reconstructions on GaAs (OOl) / A. Ohtake // Surface Science Reports- 2008. Vol. 63. — P. 295−327.
  7. Wang W.K. Passivation versus etching: Adsorption of I2 on InAs (OOl) / W.K. Wang,
  8. W.C. Simpson, J.A. Yarmoff// Phys. Rev. Lett. 1998. — Vol. 81. — P. 1465−1468.
  9. А.А. Атомная структура поверхности GaAs(001)-c (8×2) и местаадсорбции атомов йода при малой степени покрытия / А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов // Письма в ЖЭТФ 2005. — том 82. — С. 46−51.
  10. Arthur J. R. Molecular beam epitaxy / J. R. Arthur // Surface Science 2002. — Vol. 500.-P. 189−217.
  11. Bakin V.V. Semiconductor surfaces with negative electron affinity / V.V. Bakin, A.A.
  12. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov.//. e-J. Surf. Sci. Nanotech. -2007.-Vol. 5.-P. 80−88.
  13. Omori T. Large enhancement of polarization observed by extracted electrons from the
  14. AlGaAs-GaAs superlattice / T. Omori, Y. Kurihara, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, T. Furuya, K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, and M. Yoshioka // Phys. Rev. Lett. 1991. — Vol. 67. — P.3294−3297.
  15. Filipe A. Spin-Dependent Transmission of Electrons through the Ferromagnetic Metal
  16. Base of a Hot-Electron Transistorlike System / A. Filipe, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Nagle, J. Peretti, V. I. Safarov, and A. Schuhl // Phys. Rev. Lett. 1998. -Vol. 80. — P.2425−2428.
  17. Massies J. Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (OOl) surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H20 solution / J. Massies, J.P. Contour // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 58. — P. 806−810.
  18. MendezM.A. Characterisation of GaAs (lOO) surfaces by AES and LEED / M.A. Mendez, F.J. Palomares, M.T. Cuberes, M.L. Gonzalez, F Soria. // Surf. Sei. 1991. -Vol. 251/252.-P. 145−149.
  19. ReschU. Thermal desorption of amorphous caps from GaAs (100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch, S.M. Scholz, U. Rossow, A.B. Muller, W. Richter, A. Forster // Appl. Surf. Sei. 1993. — Vol. 63. — P. 106−110.
  20. Chen W. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs (100) surfaces / W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Kahn // J. Vac. Sei. Technol. B 1992. -Vol. 10.-P. 1886−1890.
  21. Chang C.C. Chemical preparation of GaAs surfaces and their characterization by Auger electron and x-ray photoemissiion spectroscopies / C.C. Chang, P.H. Citrin, B. Schwartz // J. Vac. Sei. Technol. 1977. — Vol. 14. -P.943−952.
  22. Vasquez R.P. Cleaning chemistry of GaAs (lOO) and InSb (lOO) substrates for molecular beam epitaxy / R.P. Vasquez, B.F. Lewis, F.J. Grunthaner // J. Vac. Sei. Technol. В -1983.-Vol. 1.-P.791−794.
  23. Matsushita K. Hydrofluoric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement and Auger electron Spectroscopy / K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama, Y. Kumagai // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 35. — P.5293−5296.
  24. Ю.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах HCl / Ю. Г. Галицын, В. И. Пошевнев, В. Г. Мансуров, A.C. Терехов, Л. Г. Окорокова // Поверхность 1989. — № 4. — С.147−150.
  25. Ю.Г. Пассивация поверхности GaAs в спиртовых растворах HCl / Ю. Г. Галицин, В. Г. Мансуров, В. И. Пошевнев, A.C. Терехов // Поверхность -1989. -№ 10. С.140−142.
  26. Matsumoto S. New surface passivation method for GaAs and its effect on the initial growth stage of a heteroepitaxial ZnSe layer / S. Matsumoto, S. Yamaga, A. Yoshikawa // Appl. Surf. Sei. 1992. — Vol. 60/61. — P.274−280.
  27. Saletes A. Residual carbon and oxygen surface contamination of chemically etched GaAs (100) substrates / A. Saletes, J. Massies, J.P. Contour // Jap. J. Appl. Phys. 1986. -Vol. 25. -P.L48-L51.
  28. Lu Z.H. A surface analitical study of GaAs (100) cleaning procedures / Z.H. Lu, C. Lagarde, E. Sacher, J.F. Currie, A. Yelon // J. Vac. Sei. Technol. A 1989. — Vol. 7. -P.646−650.
  29. Ritchie S. Semiconductor substrate cleaning and surface morphology on molecular beam epitaxy / S. Ritchie, S.R. Johnson, C. Lavoie, J.A. Mackenzie, T. Tiedje, R. Streater // Surf. Sei. 1997. — Vol. 374. — P.418−426.
  30. Bertrand P.A. XPS study of chemically etched GaAs and InP / P.A. Bertrand // J. Vac. Sei. Technol. 1989. — Vol. 18. — P.28−33.
  31. Matsushita K. Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement / K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama, K. Okuyama // J.Electrochem. Soc. 1988. — Vol. 145. — P.1381−1385.
  32. Frese K.W. Passivation and interface state studies on n-GaAs / K.W. Frese, S.R. Morrison // Surf. Sei. 1981. — Vol. 8. — P.266−277.
  33. Song Z. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs (100) cleaning procedures / Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki, I. Suemune // J. Vac. Sei. Technol. В 1995. — Vol. 13. — P.77−82.
  34. Song Z. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs etching with a HC1 solution / Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki, I. Suemune // Appl. Surf. Sci. 1994. — Vol. 82/83. — P.250−256.
  35. Koinuma M. In situ observations of atomic resolution image and anodic dissulution process of p-GaAs in HC1 solution by electrocemical atomic force microscope / Koinuma M., Uosaki K. // Surf. Sci. 1994. — Vol. 311.- P. L737-L742.
  36. Yao H. In situ scanning tunneling microscopy of GaAs (lOO), (111)A, (111)B surfaces in sulfuric acid solution / H. Yao, S.L. Yau // J. Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68. -P.1473−1475.
  37. Osakabe S. Study of GaAs (OOl) surfaces treated in aqueous HC1 solutions / S Osakabe., S. Adachi // Jpn. Appl. Phys. 1997. — Vol. 36. — P.7119−7125.
  38. Kang M.G. The characterization of etched GaAs surface with HC1 or H3PO4 solutions / M.G. Kang, S.H. Sa, H.H. Park, K.S. Suh, K.H. Oh // Thin Solid Films 1997. — Vol. 308−309.-P.634−642.
  39. Koinuma M. Atomic structure of bare p-GaAs (OOl) and electrodeposited Cu on p-GaAs (lOO) surfaces in H2S04 solutions: an AFM study / M. Koinuma, K. Uosaki // J. Electroanalitical Chemistry 1996. — Vol. 409. — P.45−50.
  40. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М. П. М.: Мир. — 1987. — С.600.
  41. Stocker H.J. Surface chemical reactions on In0.53Ga0.47As / H.J. Stacker, D.E. Aspnes //Appl. Phys. Lett. 1983. — Vol. 42. -P.85−87.
  42. Yablonovich E. Band-bending, Fermi-level pinning, and surface fixed charge on chemically prepared GaAs surfaces / E. Yablonovich, B.J.S. Skromme, R. Bhat, J.P. Harbison, T.J. Gmitter // Appl. Surf. Sci. 1989. — Vol. 54. — P.555−557.
  43. Berkovitz V.L. Optical spectroscopy of ordered GaAs (OOl) surfaces obtained by sulfide passivation / V.L. Berkovitz, D. Paget // Appl. Surf. Sci. 1993. — Vol. — 65/66. -P.607−611.
  44. Ke Y. Structural studies of sulfur-passivated GaAs (100) surfaces with LEED and AFM / Y. Ke, S. Milano, X.W. Wang, N. Tao, Y. Darici // Surf. Sci. 1998. — Vol. 415. -P.29−36.
  45. Chao Y. Photoemission spectroscopy of the evolution of In-terminated Surface- and InP (100)-(2×4) as a function of temperature: cluster-related In 4d lines / Y. Chao, K.
  46. Svenson, D. Radosavkic, V.R. Dhanak, M.R.C. Hunt, L. Siller // Phys. Rev. B 2002. -Vol. 66. -P.75 323−6.
  47. Vogt P. Surface structure of ordered InGaP (OOl): The (2×4) reconstruction / P. Vogt, K. Ludge, M. Zorn, M. Prisotvsek, W. Braun, W. Richter, N. Esser // Phys. Rev. B 2000. -Vol. 62.-P. 12 601−12 604.
  48. Hafez M.A. Atomic hydrogen cleaning of InP (100): Electron yield and surface morphology of negative electron affinity activated surfaces / M.A. Hafez M.A. Hafez, H.E. Elsayed-Ali // J. Appl. Phys. 2002. — Vol. 91. — P.1256−1265.
  49. Li C.H. Arsenic adsorption and exchange with phosphorus on indium phosphide (001) / C.H. Li L. Li, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks // Phys. Rev. B 2002. — Vol. 65. -P.205 322−7.
  50. Visbeck S. Temperature dependence and origin of InP (100) reflectance anisotropy down to 20 K / S. Visbeck T. Hannappel, M. Zorn, J.-T. Zettler, F. Willig // Phys. Rev. B -2001.-Vol. 63. -P.245 303−6.
  51. Sun Y. Preparation of clean InP (100) surfaces studied by synchrotron radiation photoemission / Y. Sun Z. Lu, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer // J. Vac. Sci. Technol. A 2003. — Vol. 21. — P.219−7.
  52. Adamiec M. Investigation of surface cleaning procedure of InP: S (100) substrates by high resolution XPS / M. Adamiec E. Talik, A. Gladki // Appl. Surf. Sci. 2006. — Vol. 252. -P.3481−3487.
  53. Kolodziej J.J. Atomic Structure of InSb (OOl) and GaAs (OOl) Surfaces Imaged with Noncontact Atomic Force Microscopy / J.J. Kolodziej B. Such, M. Szymonski // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 90. — P.226 101−4.
  54. Jones N. An X-ray diffraction study of oxide removal from InSb (OOl) substrates / N. Jones, C. Norris, C.L. Nicklin, P. Steadman, J.S.G. Taylor, C.F.McConville, A.D. Johnson //Appl. Surf. Sci. 1998. — Vol. — 123/124. — P.141−145.
  55. Clark S.A. Antimony capping and decapping of InAlSb (lOO) / S.A. Clark, J.W. Cairns, S.P. Wilks, R.H. Williams, A.D. Johnson, C.R. Whitehouse, Surf. Sci. 1995. — Vol. 336. -P.193−198.
  56. McConville C.F. Surface reconstructions of InSb (100) observed by scanning tunneling microscopy / C.F. McConville, T.S. Jones, F.M. Leibsle, S.M. Driver, T.C.Q. Noakes, M.O. Schweitzer, N.V. Richardson // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. — P. 14 965−14 976.
  57. Ma J. Photoemission spectroscopy studies of the surface of GaN films grown by vapor phase epitaxy / J. Ma, B. Garni, N. Perkins, W.L. O’Brien, T.F. Kuech, and M.G. Lagally // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — P.3351−3354.
  58. Khan M.A. Deposition and surface characterization of high quality single crystal GaN layers / M.A. Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, and R. Kaplan // Appl. Phys. 1993. — Vol. 73. -P.3108−3111.
  59. Bermudes V.M. Growth of thin Ni films on GaN (0001)-(lxl) / V.M. Bermudes, M.A. Khan, R. Kaplan, and J.N. Kuznia // Phys. Rev. B 1993. — Vol. 48. — P.2436−2444.
  60. Bermudes V.M. The growth and properties of A1 and A1N films on GaN (0001)-(lxl) / V.M. Bermudes, T.M. Jung, K. Doverspike, and A.E. Wickenden // J. Appl. Phys. -1996.-Vol. 79.-P.l 10−120.
  61. Nakamura S. Characteristics of InGaN multiDquantum? well? structure laser diodes / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68. — P.3269−3272.
  62. Machuca F. Prospect for high brightness Ill-nitride electron emitter / F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, and R.F.W. Pease // J. Vac. Sci. Technol. B -2000. Vol. 18. — P.3042−3047.
  63. Machuca F. Simple method for cleaning gallium nitride (0001) / F. Machuca, Z. Liu, Y. Sun, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease // J.Vac.Sci.Technol. A 2002. — Vol. 20. -P.1784−1787.
  64. S. 'Stable to unstable' transition in the (Cs, O) activation layer on GaAs (100) surfaces with negative electron affinity in extremely high vacuum / S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf// Appl. Surf. Sci. 1996. Vol. 99. p.361−365.
  65. Holton R. The adsorption of Cs on the Si (100)2×1 surface / R. Holton, and P.M. Gundry // Surf. Sci. 1997. — Vol. 63. — P.263−273.
  66. Weishart H. Monomolecular steps of ultra-low density on (100) growth faces of liquid phase epitaxial GaAs / H. Weishart, E. Bauser, M. Konuma, H.-J. Queisser // J. Cryst. Growth 1994. — Vol. 137. — P.335−346.
  67. WangZ. Real-time, noninvasive temperature control of wafer processing based on diffusive reflectance spectroscopy / Z. Wang, S.L. Kwan, T.P. Pearsall, J.L. Booth, B.T. Beard, S.R. Johnson //J. Vac. Sci. Technol. B 1997. — Vol. 15. — P. l 16−121.
  68. Nooney M. Reaction of HC1 with the GaAs (100) surface / M. Nooney, V. Liberman, M. Xu, A. Ludviksson, and R. M. Martin // Surf. Sci. 1994. — Vol. 302. — P. 192−204.
  69. Senga T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, and M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. B 1996. — Vol. 14. — P.3230−3242.
  70. Woodall J.M. Photoelectrochemical passivation of GaAs surfaces / J.M. Woodall, P. Oelhafen, T.N. Jackson, J.L. Freeouf, G.D. Pettit // J. Vac. Sci. Technol. B 1989 — Vol. 1. -P.795−799.
  71. Pluchery O. Wet chemical cleaning of InP surfaces investigated by in situ and ex situ infrared spectroscopy / O. Pluchery, Y.J. Chabal, R.L. OpilaJI J. Appl. Phys. 2003. -Vol. 94. -P.2707−2716.
  72. Monch W. Semiconductor Surfaces and Interfaces / W. Monch // Springer-Verlag, Berlin-1993.-P. 1−366.
  73. Wang W.K. Reactions of I2 and Cl2 with In- and As-terminated InAs (OOl) / W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff// Phys. Rev. В 2000. — Vol. 61. — P.2164−2172.
  74. King S.W. Cleaning of A1N and GaN surfaces / S.W. King, J.P. Barnak, M.D. Bremser, K.M. Tracy, C. Ronning, R.F. Davis, and R.J. Nemanich // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 84. — P.5248−5261.
  75. Waki I. The Effect of Surface Cleaning by Wet Treatments and Ultra High Vacuum Annealing for Ohmic Contact Formation of P-Type GaN / I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizava // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 39. — p.4451−4455.
  76. Tripathy S. Electronic and vibronic properties of n-type GaN: the influence of etching and annealing / S. Tripathy, S.J. Chua, and A. Ramam // J. Phys.:Condens. Matter2002.-Vol. 14.-P.4461−4466.
  77. Г. В. Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Г. В. Бенеманская, А. И. Бесюлькин, М. С. Дунаевский, А. К. Крыжановский, Н. М, Шмидт // ФТТ2003. Vol. 45. — Р.980−983.
  78. Zhao Z.M. Effects of contact barriers on Si-substrated GaN photodetectors / Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P Chen, D.J. Xi, B. Shen, R. Zhang, and Y.D. Zheng // J.Vac.Sci.Technol. В -2001.-Vol. 19. -P.286−290.
  79. Lee J-L. Ohmic contact formation mechanism of nonalloyed Pd contacts to p-type GaN observed by positron annihilation spectroscopy / J-L. Lee, M. Weber, J.K. Kim, J.W.Lee, Y.J.Park, T. Kim, and K. Lynn // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 74. -P.2289−2292.
  80. Belitto V.J. HREELS of H/GaN (0001): evidence for Ga termination / V.J. Belitto, B.D. Thorns, D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, Surf. Sei. 1999. — Vol. 430. -P.80−88.
  81. Ishikawa H. Effects of surface treatments and metal work functions on electrical properties at p-GaN/metal interfaces / H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide,
  82. S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami // J. Appl. Phys. -1997.-Vol. 81. P.1315−1323.
  83. Tsuruoka T. Combined HREELS/LEED study on the oxidation of GaN surfaces / T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, Y. Shintani, Surf. Sci. 1998. — Vol. 427−428. — P.257−261.
  84. Degiovanni A. High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy / A. Degiovanni, J.L. Guyaux, P.A. Thiry, R. Caudano // Surf. Sci. 1991. — Vol. 251/252. — P.238−242.
  85. Snyder C.W. Surface transitions on annealed GaAs (lOO) / C.W. Snyder, J. Sudijono,
  86. C.H. Lam, M.D. Johnson, B.G. Orr // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. — P. 18 194−18 199.
  87. Kamiya I. Reflectance-difference spectroscopy of (001) GaAs surfaces in ultrahigh vacuum /1. Kamiya, D.E. Aspnes, H. Tanaka, L.T. Florez, J.P.Harbison // Phys. Rev. B 1992. — Vol. 46. — P. 15 894−15 904.
  88. Kamiya I. Surface science at atmospheric pressure: Reconstructions on (001) GaAs in organometallic chemical vapor deposition / I. Kamiya, D.E. Aspnes, H. Tanaka, L.T. Florez, J.P. Harbison, R. Bhat // Phys. Rev. Lett. 1992. — Vol. 68. — P.627−630.
  89. Berkovits V.L. Origin of the optical anisotropy of GaAs (001) / V.L. Berkovits, P. Chiaradia, D. Paget, A.B. Gordeeva, C. Goletti // Surf. Sci. 1999. — Vol. 441. — P.26−32.
  90. Feldwinn D.L. Anomalous hybridization in the In-rich InAs (0 0 1) reconstruction / D.L. Feldwinn, J.B. Clemens, J. Shen, S.R. Bishop, T.J. Grassman, A.C. Kummel, R. Droopad, M. Passlack // Surf. Sci. 2009. — Vol. 603. — P.3321−3328.
  91. John P. InSb (100) reconstructions probed with core-level photoemission / P. John, T. Miller, T.-C. Chiang // Phys. Rev. B 1989. — Vol. 39. — P. 1730−1737.
  92. McConville C.F. / C.F. McConville, T.S. Jones, F.M. Leibsle, S.M. Driver, T.C.Q. Noakes, M.O. Schweitzer, N.V. Richardson // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. -P.14 965−14 971.
  93. Kumpf C. Subsurface Dimerization in III-V Semiconductor (001) Surfaces / C. Kumpf,
  94. D. Smilgies, E. Landemark, M. Nielsen, and R. Feidenhans’l, O. Bunk, J. H. Zeysing, Y. Su, and R. L. Johnson, L. Cao and J. Zegenhagen, B. O. Fimland, L. D. Marks, D. Ellis //Phys. Rev. Lett. -2001. Vol. 86. -P.3586−3589.
  95. J J. Kolodziej Atomic Structure of InSb (OOl) and GaAs (OOl) Surfaces Imaged with Noncontact Atomic Force Microscopy / J.J. Kolodziej, B. Such, M. Szymonski // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 90. — P.226 101−226 105.
  96. Chiu T.H. Reflection high-energy electron diffraction studies on the molecular-beam-epitaxial growth of AlSb- GaSb, InAs, InAsSb, and GalnAsSb on GaSb / T.H. Chiu, W.T. Tsang // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 57. — P.4572−4578.
  97. Sieger M.T. Reflection high-energy electron diffraction and photoemission study of GaSb (100) reconstructions / M.T. Sieger, T. Miller, T.-C. Chiang // Phys. Rev. B 1995. -Vol. 52. — P.8256−8265.
  98. Maeda F. Photoelectron spectroscopy on reconstructed GaSb (OOl) / F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima // J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 1996. — Vol. 80. -P.225−228.
  99. Bell G.R. Atomic hydrogen cleaning of GaSb (OOl) surfaces / G.R. Bell, C.F. McConville // Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — P.2695−2698.
  100. Veal T.D. HREELS and photoemission study of GaSb (100)-(lx3) surfaces prepared by optimal atomic hydrogen cleaning / T.D. Veal, M.J. Lowe, C.F. McConville // Surface Science 2002. — Vol. 499. — P.251−260.
  101. Lin C.L. Variety transformation of compound at GaSb surface under sulfur passivation / C.L. Lin, Y.K. Su, T.S. Se, W.L. Li // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 37. — LI 543-L1545.
  102. S. 'Stable to unstable' transition in the (Cs, O) activation layer on GaAs (100) surfaces with negative electron affinity in extremely high vacuum / S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf. // Appl. Surf. Sei. 1996. — Vol. 99. — P.361−365.
  103. Wu C.I. Negative electron affinity and electron emission at cesiated GaN and A1N surfaces / C.I. Wu, A. Kahn // Appl. Surf. Sei. 2000. — Vol. 162/163. — P.250−255.
  104. Kampen T.U. Electronic properties of cesium-covered GaN (0001) surfaces / T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Monch. Appl. Surf. Sei. 1998. — Vol. 123/124. — P.28−32.
  105. Schmidt W.G. Surface phase diagram of (2×4) and (4×2) reconstructions of GaAs (OOl) / W.G. Schmidt, S. Mirbt, F. Bechstedt // Phys. Rev. B 2000. — Vol. 62. — P.8087−8091.
  106. Petit E.J. Optimal surface cleaning of GaAs (001) with atomic hydrogen / E.J. Petit, F. Houzay. // J. Vac. Sei. Technol. B 1994. — Vol. 12. — P.547−551.
  107. Yamada M. Direct Observation of Species Liberated from GaAs Native Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada, Y. Ide // Jap. J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 33. -P.L671-L674.
  108. Tomkiewicz P. Comparative study of the GaAs (lOO) surface cleaned by atomic hydrogen / P. Tomkiewicz, A. Winkler, J. Szuber // Appl. Surf. Sci. 2006. — Vol. 252. -P.7647−7658.
  109. Petravic M. High-resolution photoemission study of hydrogen interaction with polar and nonpolar GaAs surfaces / M. Petravic, P. N. K. Deenapanray, B. F. Usher, K.-J. Kim, and B. Kim // Phys. Rev. В 2003. — Vol. 67. — P. 195 325−195 333.
  110. Khatiri A. Atomic hydrogen cleaning of low-index GaAs surfaces / A. Khatiri, T.J. Krzyzewski, C.F. McConville, T.S. Jones // Journal of Crystal Growth 2005. — Vol. 282.-P.1−6.
  111. Ide Y. Role of Ga20 in the removal of GaAs surface oxides induced by atomic hydrogen/Y. Ide, M. Yamada//J. Vac. Sci. Technol. A 1994. Vol. 12. p.1858−1864.
  112. S. / S. Nannarone, M. Pedio // Surface Science Reports 2003. — Vol. 51. -P.l-149.
  113. Eibl C. Quantitative characterization of a highly effective atomic hydrogen doser / C. Eibl, G. Lackner, A. Winkler // J. Vac. Sci. Technol. A 1998. — Vol. 16. — P.2979−2990.
  114. Bischler U. Simple source of atomic hydrogen for ultrahigh vacuum applications / U. Bischler E. Bertel // J. Vac. Sci. Technol. 1993. — Vol. 11.- P.458−465.
  115. Drathen P. Composition and structure of different prepared GaAs (100) surfaces studed by LEED and AES / P. Drathen, W. Ranke, K. Jacobi // Surf. Sci. 1978. — Vol. 77. -P.L162-L166.
  116. А.И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм // М.: Наука. -1978.-С.616.
  117. Pollak F.H. Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation / F.H. Pollak and H. Shen // Phys. Rev. 1990. — Vol. 42. — P.7097−7002.
  118. Kanata T. Photoreflectance characterization of surface Fermi level in as-grown GaAs (100) / T. Kanata M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa // J. Appl. Phys. -1998. Vol. 68. — P.5309−5313.
  119. E.O. Kane Theory of photoelectric emission from semiconductors / E.O. Kane // Phys. Rev.-1962.-Vol. 127. -P.131−141.
  120. OM’Hamedi Effects of atomic hydrogen on the surface properties of cleaved GaAs (llO) / OM’Hamedi, F. Proix, C. Sebenne // Semicond. Sci. Technol. 1987. -Vol. 2. -P.418−427.
  121. Graf D. Reaction of hydrofluoric acid and water with the GaAs (100) surface / D. Graf, M. Grunder, D. Ludecke, R. Schulz // J. Vac. Sci. Technol. A 1990. — Vol. 8. -P.l 955−1961.
  122. Chen Y. Weak adsorption of ethylene on GaAs (100) / Y. Chen, J. Schmidt, L. Siller, J.C. Barnard, R.E. Palmer, Phys. Rev. В 1998. — Vol. 58. — P. l 177−1180.
  123. Briggs D. Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy / D. Briggs and M.P. Seah, Eds. // Wiley, New York, 1983.
  124. Yamaguchi H. Surface structure transitions on InAs and GaAs (001) surfaces / H. Yamaguchi, Y. Horikoshi // Phys. Rev. B 1995. — Vol. 51.- P.9836−9854.
  125. Yamada M. GaOH: Unstable Species Liberated from GaAs Surface Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 35. -P.L651-L653.
  126. Yamada M. Direct Observation of Species Liberated from GaAs Native Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada, Y. Ide. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 33. — P. L671-L674.
  127. Allwood D.A. Monitoring Epiready Semiconductor Wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker // Thin Solid Films 2003. — Vol. 412. -P.76−81.
  128. Chiu T. H. Step-Promoted Surface Reconstruction on Ga-Deposited (100) GaAs During Molecular Beam Epitaxy with Alternating Supply of Ga and As / T. H. Chiu // Jap. J. of Appl. Phys. 1991. — Vol. 30. — P.3491−3495.
  129. Xue Q. Structures of the Ga-Rich 4×2 and 4×6 Reconstructions of the GaAs (OOl) Surface / Q. Xue, T. Hashizume, J.M. Zhou, T. Sakata, T. Ohno, T. Sakurai // Phys. Rev. Lett. 1995. — Vol. 74. -P.3177−3180.
  130. Wallart X. A combined RHEED and photoemission comparison of the GaP and InP (0 0 1) (2×4) surface reconstructions /X. Wallart I I Surf. Sci. 2002. — Vol. 506. -P.203−212.
  131. Sanada N.N. The (2×4) and (2×1) structures of the clean GaP (OOl) surface / N.N. Sanada, S. Mochizuki, S. Ichikawa, N. Utsumi, M. Shimomura, G. Kaneda, A. Takeuchi, Y. Suzuki, Y. Fukuda, S. Tanaka, M. Kamata // Surf. Sci. 1999. — Vol. 419. -P.120−127.
  132. Schmidt W. G. Atomic structure of InP (001)-(2×4): A dimer reconstruction / W. G. Schmidt, F. Bechstedt, N. Esser, M. Pristovsek, Ch. Schultz, and W. Richter // Phys. Rev. B 1998. — Vol. 57. — P. 14 596−14 599.
  133. Schmidt W.G. III-V compound semiconductor (001) surfaces / W.G. Schmidt // Appl. Phys. A 2002. — Vol. 75. — P.89−99.
  134. Kuball M. Hydrogen adsorption on the GaAs (001)-(2×4) surface: A scanning-tunneling-microscopy study / M. Kuball, D.T.Wang, N. Esser, M. Cardona, J. Zegenhagen, B.O. Fimland // Phys. Rev. B 1995. — Vol. 52. — P.16 337−16 340.
  135. Pahlke D. Hydrogen induced structure changes of GaAs (100) c (4×4), (2×4) and (4×2) surfaces / D. Pahlke, M. Arens, N. Esser, D.T.Wang, W. Richter // Surf. Sci. -1996. Vol. 352−354. — P.66−70.
  136. Schailey R. A cluster approach to hydrogen chemisorption on the GaAs (l 0 0) surface / R. Schailey, A.K. Ray // Comput. Mater. Sci. 2001. — Vol. 22. — P. 169−179.
  137. Bringans R.D. Hydrogen chemisorption on the polar surfaces of GaAs / R.D. Bringans, R.Z. Bachrach // J. Vac. Sci. Technol. A 1983. — Vol. 1. — P.676−679.
  138. Petravic M. High-resolution photoemission study of hydrogen interaction with polar and nonpolar GaAs surfaces / M. Petravic, P.N.K. Deenapanray, B.F. Usher, K.-J. Kim, B. Kim // Phys. Rev. В 2003. — Vol. 67. — P. 195 325−195 333.
  139. S. / S. Nannarone, M. Pedioc // Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces Surface Science Reports 2003. — Vol. 51. — P. 1−149.
  140. Kane E.O. Theory of photoelectric emission from semiconductors / E.O. Kane // Phys. Rev.-1962.-Vol. 127.-P.131−141.
  141. Kampen T.U. Hydrogen-induced variations of the ionization energy on GaAs (llO) surfaces / T.U. Kampen, W. Monch // Phys.Rev. В 1992. — Vol. 46. — P. 13 309−7.
  142. Alperovich V.L. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance / V.L. Alperovich, A.S.Jaroshevich, H.E.Scheibler, A.S.Terekhov // Solid-State Electron. 1994. — Vol. 37. — P.657−660.
  143. Scheibler H.E. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures / H.E. Scheibler, V.L.Alperovich, A.S.Jaroshevich, A.S.Terekhov //Physica Status Solidi (a) 1995. — Vol. 152. -P.113−122.
  144. А.Г. Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода / А. Г. Паулиш // Диссертация на соискание к.ф.-м.н., Новосибирск 1994.
  145. BechstedtF. Alkali adsorption on GaAs (llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles / F. Bechstedt, M. Scheffler // Surf. Sci. Rep. 1993. — Vol. 18. -P.145−198.
  146. First P. N Structure of Cs on GaAs (llO) as determined by scanning tunneling microscopy / P.N. First, R.A. Dragoset, J.A. Stroscio, R. J Celotta., R.M. Feenstra // J. Vac. Sci. Technol. A 1989. — Vol. 7. — P.2868−2872.
  147. Whitman L.J. Geometric and electronic properties of Cs structures on III-V (110) surfaces: from ID and 2D insulators to 3D metal / L.J. Whitman, J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, R.J. Celotta//Phys. Rev. Lett. 1991. — Vol. 66. — P. l338−1341.
  148. GodsteinB. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and О / B. Godstein // Surf. Sci. 1975. -Vol. 47. — P.143−161.
  149. Ф.Ю. Исследование чистой и покрытой цезием (100) поверхности GaAs методом дифракции медленных электронов / Ф. Ю. Митягин, В. П. Орлов // ЖТФ 1973. — Том 18. — С.876−878.
  150. KimJ. Cs adsorption on n- and p-type GaAs (001)(2×4) surfaces / J. Kim, M.C. Gallagher, R.F. Willis // Appl. Surf. Sci. 1993. — Vol. 67. — P.286−291.
  151. Benemanskaya G.V. Changes in electronic and adsorption properties under Cs adsorption on GaAs (lOO) in the transition from As-rich to Ga-rich surface / G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya // Surf. Sci. 2003. -Vol. 523.-P.211−217.
  152. Smith D.L. Adsorption Kinetics of Cs on GaAs / D.L. Smith and D.A. Huchital / J. Appl. Phys. 1972. — Vol. 43. — P.2624−2629.
  153. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111)B GaAs epitaxial layers / D. Rodway // Surf. Sci. 1984. — Vol. 147. -P.103−114.
  154. Vergara G. Adsorption kinetics of cesium and oxygen on GaAs (100): A model for the activation layer of GaAs photocathodes / G. Vergara, L.J. Gomes, J. Capmany, M.T. Montojio // Surf. Sci. 1992. — Vol. 278. — P.131−145.
  155. Kamaratos M. Interaction of Cs with the GaAs (100) surface / M. Kamaratos, E. Bauer //J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 70. -P.7564−7573.
  156. Jacobi K. Structure and Surface Core-Level Shifts of GaAs Surfaces Prepared by Molecular-Beam Epitaxy / K. Jacobi, J. Platen, and C. Setzer / Phys. Status Solidi В -2000. Vol. 218. — P.329−364.
  157. Paget D. Sulfide-passivated GaAs (OOl). I. Chemistry analysis by photoemission and reflectance anisotropy spectroscopies / D. Paget, J. E. Bonnet, V. L. Berkovits, P. Chiaradia, and J. Avila // Phys. Rev. В 1996. — Vol. 53. — P.4604−4614.
  158. Kulkova S.E. Cesium Adsorption on the P2-GaAs (001) Surface / S. E. Kulkova, S. V. Eremeev, A. V. Postnikov, and I. R. Shein // J. Exp. Theor. Phys. 2007. — Vol. 104. -P.590−596.
  159. Kierren B. Formation of the Cs/GaAs (001) interface: Work function, cesium sticking coefficient, and surface optical anisotropy / B. Kierren and D. Paget // J. Vac. Sci. Technol. A 1997. — Vol. 15. — P.2074−2081.
  160. Kandel D. The Surfactant Effect in Semiconductor Thin-Film Growth / D. Kandel and E. Kaxiras, Solid State Physics 2000. — Vol. 54. — P.219−262.
  161. Arthur J.R. Molecular beam epitaxy / J.R. Arthur // Surf. Sci. 2002. — Vol. 500. -P. 189−217.
  162. Fong C.Y. Surfactant-mediated growth of semiconductor materials / C.Y. Fong, M.D. Watson, L.H. Yang and S. Ciraci, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 2002. — Vol. 10. -P.R61-R77.
  163. Bauer E. Phaenomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflaechen.I. / E. Bauer // Z.Kristallogr. 1958. — Vol. 110. — P.372−394.
  164. JI. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Л. Ченг, К. Плог // М.: Мир 1989. — С.65−92.
  165. Copel М. Surfactants in epitaxial growth / M. Copel, M.C. Reuter, E. Kaxiras and R.M. Tromp // Phys.Rev.Lett. 1989. — Vol. 63. — P.632−635.
  166. Massies J. Surfactant effect on the surface diffusion length in epitaxial growth / J. Massies and N. Grandjean // Phys.Rev. В 1993. — Vol. 48. — P.8502−8505.
  167. Okada Y. Basic analysis of atomic-scale growth mechanisms for molecular beam epitaxy of GaAs using atomic hydrogen as a surfactant / Y. Okada and J. S. Harris // J. Vac. Sci. Technol. В 1996. — Vol. 14. -P.l725−7.
  168. Blochl P.E. Projector augmented-wave method / P.E. Blochl // Phys. Rev. В 1994. Vol. 50. p. 17 953−17 979.
  169. Kresse G. Ab initio molecular dynamics for liquid metals / G. Kresse and J. Hafner // Phys. Rev. В 1993. Vol. 47. p.558−561.
  170. Perdew J.P. Generalized Gradient Approximation Made Simple / J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. 1996. — Vol. 77. — P.3865−3868.
  171. С.Е. Атомная и электронная структура поверхности GaAs(OOl) / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев, А. В. Постников, А.В., Бажанов Д. И., Потапкин Б. В. // ФТП 2007. — Vol. 41. — Р.832−841.
  172. Pillai M.R. Growth of InxGaixAs/GaAs heterostructures using Bi as a surfactant / M.R. Pillai, S.-S. Kim, S.T. Ho, S.A. Barnett // J. Vac. Sci. Technol. В 2000. — Vol. 18. -P.1232−1237.
  173. Tournie E. Surfactant-mediated molecular beam epitaxy of strained layer semiconductor heterostructures / E. Tournie and K.H. Ploog // Thin Solid Films -1993. -Vol.231. -P.43−60.
  174. Neugebauer J. Adatom Kinetics On and Below the Surface: The Existence of a New Diffusion Channel / J. Neugebauer, Т.К. Zywietz, M. Scheffler, J.E. Northrup, H. Chen and R.M. Feenstra // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 90. — P.56 101−56 105.
  175. Ю.Г. Критические явления в реконструкционном переходе Ь(2×4) в а (2×4) на поверхности (001) GaAs / Ю. Г. Галицин, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, Письма ЖЭТФ 2005. — Том. 81. -С.766−770.
  176. Aruga T. Alkali-metal adsorption on metals / T. Aruga, Y. Murata // Prog. Surf. Sci. -1989.- Vol. 31.-P.61−130.
  177. Watson G.M. Observation of a discontinous nonmetal-to-metal disorder-to-order transition in an alkali overlayer / G.M. Watson, P.A. Bruhwiler, H.J. Sagner, K.H. Frank, and E.W. Plummer // Phys. Rev. В 1994. Vol. 50. P. 17 678−17 681.
  178. DiNardo N.J. Semiconductor-to-metal transition in an ultrathin interface: Cs/GaAs (l 10) / N.J. DiNardo, T.M. Wong, E.W. Plummer // Phys. Rev. Lett. 1990. -Vol. 65. -P.2177−2180.
  179. Ventrice C.A. K/GaAs (l 10) interface: Initial stages of growth and the semiconductor-to-metal transition / C.A. Ventrice, N.J. Di Nardo // Phys. Rev. В 1993. — Vol. 47. -P.6470−6479.
  180. Ventrice C. A. Potassium induced unrelaxation of the GaAs (llO) surface / C. A. Ventrice Jr, andN. J. DiNardo //Phys. Rev. В 1991. — Vol. 43. — P. 14 313−14 316.
  181. Ventrice C. A. K-GaAs (l 10) interface: Initial stages of growth and the semiconductor-to-metal transition / C. A. Ventrice Jr, and N. J. DiNardo // Phys. Rev. В 1993. -Vol. 47.-P.6470−6479.
  182. Hebenstreit J. Atomic and electronic structures of GaAs (llO) and their alkali-adsorption-induced changes / J. Hebenstreit, M. Heinemann, M. Scheffler // Phys. Rev. Lett. 1991. — Vol. 67. — P. 1031−1034.
  183. Hebenstreit J. Self-consistent pseudopotential calculations for sodium adsorption on GaAs (l 10) / J. Hebenstreit, M. Scheffler // Phys. Rev. B 1992. — Vol. 46. — P. 1 013 410 145.
  184. Gedik Z. Absence of metallicity in Cs-GaAs (l 10): A Hubbard-model study / Z. Gedik, S. Ciraci, I.P. Batra // Phys. Rev. B 1993. — Vol. 47. -P.16 391−16 394.
  185. Pankratov O. Hubbard correlations and charge transfer at the GaAs (l 10) surface with alkali adsorbates / O. Pankratov, M. ScheDer // Phys. Rev. Lett. 1993. — Vol. 70. -P.351−354.
  186. Pankratov O. Bound bipolaron at the surface: The negative-i7 behavior of GaAs (l 10) with adsorbed alkali metals / O. Pankratov, M. Scheffer // Phys. Rev. Lett. 1993. -Vol. 71. — P.2797−2800.
  187. Allan G. Negative-?7 character of the adsorption on semiconductor surfaces: Application to metals on GaAs (l 10) / G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. 1991. -Vol. 66. -P.1209−1211.
  188. Pennino U. Alkali metal/GaAs (l 10) interfaces: correlation effects and sub-gap electron energy loss spectra / U. del Pennino, R. Compano, B. Salvarini, C. Mariani // Surface Science 1998. — Vol. 409. — P.258−264.
  189. Muller K. Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption / K. Muller, G. Besold, and K. Heinz // edited by H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, and G. Ertl. Elsevier, New York-1989.-P.65−90.
  190. Structure and stability of metastable transition metal clusters on W (011) / A. Fedorus and E. Bauer // Surf. Sci. 1998. — Vol. 418. — P.420−431.
  191. Hashizume T. FI-STM study of alkali metal adsorption on Si surfaces / T. Hashizume, Y. Hasegawa, I. Sumita, and T. Sakurai // Surf. Sci. 1991. — Vol. 246. — P. 189−194.
  192. Soukiassian P. Atomic structure, adsorbate ordering, and mode of growth of the K/Si (100)2×1 surface / P. Soukiassian, J.A. Kubby, P. Mangat, Z. Hurych, and K.M. Schirm // Phys. Rev. B 1992. — Vol. 46. — P.13 471−13 479.
  193. Chao Y.-C. Adsorption of K on Si (100)2xl at room temperature studied with photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johansson, C.J. Karlsson, E. Landemark, and R.I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B 1995. — Vol. 52. — P.2579−2586.
  194. Lee K.-D. Electrical phase transitions on the alkali-metal-adsorbed Si (001) surfaces / K.-D. Lee and J. Chung // Phys. Rev. B 1997. — Vol. 55. — P.12 906−12 909.
  195. Meyerheim H.L. Surface x-ray diffraction on K/Si (001)(2xl) and Cs/Si (001)(2xl) / H.L. Meyerheim, N. Jedrecy, M. Sauvage-Simkin, and R. Pinchaux // Phys. Rev. B -1998. Vol. 58. — P.2118−2125.
  196. Prietsch M. Spectroscopic studies of metal/semiconductor interfaces / M. Prietsch // Advances in Solid State Physics 1991. — Vol. 31. — P. 153−164.
  197. Hamawi A. Metallization, surface photovoltage, and quantum-well-type resonance for K-covered Si (100) observed via valence-band photoemission / A. Hamawi // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. -P.10 910−10 914.
  198. Alperovich V.L. Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs (OOl) studied by reflectance anisotropy spectroscopy / V.L. Alperovich and D. Paget, Phys. Rev. B -1997. Vol. 56. — P. R15565-R15568.
  199. Milne R.H. Surface diffusion of Cs on Si (100)-2×1 / R.H. Milne, M. Azim, R. Persaud, and J.A. Venables // Surf. Sci. 1995. — Vol. 336. — P.63−75.
  200. Paget D. Photoreflectance spectroscopy investigation of two-dimensional cesium metallic clusters on GaAs (lOO) / D. Paget, B. Kierren, and R. Houdre // J. Vac. Sci. Technol. A 1998. — Vol. 16. — P.2350−2360.
  201. Hecht M.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission studies of Schottky-barrier formation / M.H. Hecht // Phys. Rev. B 1990. — Vol. 41. — P.7918−7921.
  202. Domke M. Layer resolved photoemission study of the Cs/Si (l 11)2×1 interface / M. Domke, T. Mandel, C. Laubschat, M. Prietsch, G. Kaindl // Surf.Sci. 1987. — Vol. 189/190. -P.268−275.
  203. Lin D.-S. Bonding of Cs on Si and Ge surfaces studied by core-level spectroscopy / D.S. Lin, T. Miller, T.-C. Chiang //Phys. Rev. B 1991. — Vol. 44. — P. 10 719−10 723.
  204. Qiu S.L. Photoemission studies of the metal-nonmetal transition of sodium on solid ammonia / S.L. Qiu, C.L. Lin, L.Q. Jiang, M. Strongin // Phys. Rev. B 1989. — Vol. 39. -P.1958−1961.
  205. Citrin P.H. High-Resolution X-Ray Photoemission from Sodium Metal and Its Hydroxide / P.H. Citrin // Phys. Rev. B 1973. — Vol. 8. — P.5545−5556.
  206. Citrin P.H. Observation of new surface states on Cu (110) with the use of angle-resolved photoelectron spectroscopy / P.H. Citrin // Phys. Rev. Lett. 1973. — Vol. 31. -P.l 164−1167.
  207. Ertl G. Low Energy Electrons and Surface Chemistry / G. Ertl, J. Ku // VCH Publishers, Weinheim- 1985. P. 72.
  208. Kammerer R. Surface-binding-energy shifts for sodium, magnesium, and aluminum metals / R. Kammerer, J. Barth, F. Gerken, and C. Kunz, S. A. Flodstrom and L. I. Johansson // Phys. Rev. B 1982. — Vol. 26. — P.3491−3494.
  209. Friedman R.M. Chemical Effects on Line widths Observed in Photoelectron Spectroscopy / R.M. Friedman, J. Hudis, M.L. Perlman // Phys. Rev. Lett. 1972. -Vol. 29. -P.692−695.
  210. Valeri S. AES and EELS study of alkali-metal adsorption kinetics on either cleaved or sputtered GaAs and InP (110) surfaces / S. Valeri, M. Loli, and P. Sbervegleri // Surf. Sci. 1986. — Vol. 238. — P.63−74.
  211. Evans D.A. The interaction of platinum with GaP (llO): band bending and surface photovoltage effects / D.A. Evans, T.P. Chen, Th. Chasse, and K. Horn // Appl. Surf. Sci. 1992. — Vol. 56−58. — P.233−241.
  212. Fouquet P. Observation of Metallization Transition of 2D Alkali Metal Films / P. Fouquet and G. Witte // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 83. — P.360−363.
  213. Alperovich V.L. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs (Cs, 0) at room temperature / V.L. Alperovich, A.G. Paulish, and A.S. Terekhov // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. — P.5480−5483.
  214. Westre E.D. Surface diffusion of potassium on Ru (001) / E.D. Westre, D.E. Brown, J. Kutzner, and S.M. George // Surf. Sci. 1993. — Vol. 294. — P.185−196.
  215. Stauffer D. Introduction to Percolation Theory / D. Stauffer and A. Aharony // Taylor & Francis, London 1992.
  216. Pashley M.D. Different Fermi-level pinning behavior on n- and p-type GaAs (OOl) / M.D. Pashley, K.W. Haberern, R.M. Feenstra, and P.D. Kirchner // Phys. Rev. B -1993. Vol. 48. — P.4612−4615.
  217. Derrien J. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) / J. Derrien and A. D’Avitaya // Surf. Sci. 1977. — Vol. 65. — P.668−686.
  218. Jacobi K. Iodine etching of the GaAs (III)As surface studied by LEED, AES, and Moss Spectroscopy / K. Jacobi, G. Steinert, W. Ranke // Surface Science 1976. — Vol. 57. -P. 571−579
  219. Jones R.G. The c (4×4) clean surface reconstruction of InSb (OOl) formed by UHV chemical etching using iodine and chlorine / R.G. Jones, N.K. Singh, C.F. McConville // Surf. Sci. 1989. — Vol. 208. — P. L34-L41.
  220. Varekamp P. R. Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. I. Chemical interaction with the substrate / P. R. Varekamp, M. C. Hakansson, J. Kanski, D. K. Shuh // Phys. Rev. B 1996. — Vol. 54. — P.2101 -2111.
  221. Varekamp P. R. Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. II. Ordering of the iodine overlayer / P. R. Varekamp, M. C. Hakansson, J. Kanski, D. K. Shuh // Phys. Rev. B 1996. — Vol. 54. — P.2114−2121.
  222. Wang W.K. Chemisorption of iodine on In- and Sb-terminated InSb (OOl) / W.K. Wang, S.R. Qiu, B. Corbitt, S.T. Riggs, J.A. Yarmoff// Surface Science 2000. — Vol. 462.-P.211−221.
  223. Mowbray A.P. Iodine adsorption on InSb (OOl) at room temperature and low temperature: surface reaction / A.P. Mowbray, R.G. Jones, C.F. McConville // J.Chem.Soc.Faraday Trans. 1991. — Vol. 87. — P.3259−3265.
  224. Troost D. Halogen-induced surface states acceptors on GaAs (l 10) surfaces / D. Troost, L. Koenders, W. Monch // Appl. Surf. Sci. 1993. — Vol. 66. — P.619−624.
  225. Freedman A. Halogenation of CaAs (100) and (111) Surfaces Using Atomic Beams / A. Freedman, C.D. Stinespring // J. Phys. Chem. 1992. — Vol. 96. — P.2253−2258.
  226. McLeen A.B. Core-level photoemission investigation of atomic-fluorine adsorption on GaAs (llO) / A.B. McLeen, L. J. Teminello, F.R. Mcfeely / Phys. Rev. В 1989. -Vol. 40. -P.l 1778−11 785.
  227. Liu Y. Site-Selective Reaction of Br2 with Second Layer Ga Atoms on the As-rich GaAs (001)-2×4 Surface / Y. Liu, A.J. Komrowski, A.C. Kummel / Phys. Rev. Lett. -1998.-Vol. 81. — P.413−416.
  228. Liu Y. Reaction dynamics of the As-rich GaAs (001)-2><4 surface with monoenergetic Br2 molecules: A scanning tunneling microscopy study / Y. Liu, A.J. Komrowski, and A.C. Kummel // J. Chem. Phys. 1999. — Vol. 110. — P.4608−4616.
  229. Partin J.C. Br2 and Cl2 adsorption and etching of GaAs (l 10) studied by use of scanning tunneling microscopy / J.C. Partin, J.H. Weaver // Phys. Rev. В 1993. — Vol. 48. -P.l 7913−17 921.
  230. Gu C. Br2 adsorption on GaAs (l 10) and surface etching at low temperature / C. Gu, Y. Chen, T.R. Ohno, J.H. Weaver // Phys. Rev. В 1992. — Vol. 46. — P. l0197−10 200.
  231. Cha C.J. Surface morphologies associated with thermal desorption: Scanning tunneling microscopy studies of Br-GaAs (llO) / C.J. Cha, Brake J., Hau B.Y., Owens D.W., Weaver J.N. // J. Vac. Sci. Technol. В 1997. — Vol. 15. — P.605−610.
  232. Wang W. K. Reactions of 12 and C12 whith In- and As- terminated InAs (OOl) / W. K. Wang, W. C. Simpson, J. A. Yarmoff// Phys. Rev. В 2001. — Vol. 61. — P.2164−2171.
  233. Scott A. Solid-state ambient-temperature ultrahigh vacuum iodine source / A. Scott, Furman, David A. Harrington // J. Vac. Sci. Technol. A 1996. — Vol. 14. — P.256−259.
  234. A. JI. Атомная структура поверхности GaAs(001)-(4×2) при малой степени покрытия йодом. Диссертация канд. физ.-мат. наук, ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва — 2007 г.
  235. К.Н. Поверхность твердого тела при воздействии молекулярных галогенов / Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук // Москва 2008.
  236. K.N. / K.N. Eltsov, V.M. Shevlyuga, and A.A. Vedeneev // in Proceedings of SPM 2002 (Nizhny Novgorod, 2002) — P.99.
  237. Ю. Г. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-(3(2×4) / Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов // Письма в ЖЭТФ 2005. — том. 86. — С.553−557.
  238. Davisson C.J. A Test for Polarization of Electron Waves by Reflection / C.J. Davisson and L.H. Germer // Phys. Rev. 1929. — Vol. 33. — P.760−772.
  239. Mott N. F. The Scattering of Fast Electrons by Atomic Nuclei / N. F. Mott // Proc. R. Soc. Lond. A. 1929. — Vol. 124. — P.425−442.
  240. Kessler J. Polarized Electrons / J. Kessler // New York: Springer 1985. Кесслер И. Поляризованные электроны: Пер. с англ. — М.: Мир — 1988.
  241. Г. К. Эмиссия поляризованных электронов / Г. К. Зырянов // Д.: Изд-во ЛГУ-1991.
  242. С.Л. Спиновая поляризация низкоэнергетических электронов при их взаимодействии с поверхностью твердых тел / С. Л. Князев, Т. К. Зырянов, И. А. Пчелкин // Успехи физических наук 1985. — т. 146. — Р.73−104.
  243. Rougemaille N. New standard for spin detection / N. Rougemaille // Proc. SPIE -2003.-Vol. 499. P.38.A.
  244. Oberli D. Total Scattering Cross Section and Spin Motion of Low Energy Electrons Passing through a Ferromagnet / D. Oberli, R. Burgermeister, S. Riesen, W. Weber, and H.C. Siegmann // Phys. Rev. Lett 1998. — Vol. 81. — P.4228−4231.
  245. Siegmann H.C. Spin-Dependent Absorption of Electrons in a Ferromagnetic Metal / H.C. Siegmann, D.T. Pierce, and R.J. Celotta // Phys. Rev. Lett. 1981. — Vol. 46. -P.452−455.
  246. Pierce D.T. Spin-dependent elastic scattering of electrons from a ferromagnetic glass, Ni4oFe4oB2o. / D.T. Pierce, R.J. Celotta, and J. Unguris // Phys. Rev. В 1982. — Vol. 26. -P.2566−2574.
  247. Lassailly Y. Spin-dependent transmission of low-energy electrons through ultrathin magnetic layers / Y. Lassailly, H.-J. Drouhin, A. van der Sluijs, G. Lampel, and C. Marliere // Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. — P. 13 054−13 057.
  248. Kisker E. Electron spectrometer for spin-polarized angle- and energy-resolved photoemission from ferromagnets / E. Kisker, Clauberg R and Gudat W. // Rev. Sei. Instrum. 1982.-Vol. 53.-P.l 137−1145.
  249. Qiao S. A new compact electron spin Polarimeter with a high efficiency. / S. Qiao, Kimura A, Harasawa A, Sawada M, Chung J-G and Kakizaki A. // Rev. Sei. Instrum. -1997. Vol. 68. — P.4390 -4396.
  250. Petrov V.N. New compact classical 40 kV Mott Polarimeter / V.N. Petrov, V.V. Grebenshikov, B.D. Grachev and A.S. Kamochkin // Rev. Sei. Instrum. 2003. — Vol. 74. -P.1278−1282.
  251. Petrov V.N. Ultrafast compact classical Mott Polarimeter / V.N. Petrov, V.V. Grebenshikov, A.N. Andronov, P.G. Gabdullin and A.V. Maslevtcov // Rev. Sei. Instrum. 2007. — Vol. — P.78 25 102 — 4.
  252. Dil H. Spin and angle resolved photoemission on non-magnetic low-dimensional systems / H. Dil // J. Phys. Condens. Matter 2009. — Vol. 21. — P.403 001−12.
  253. Wang G.C. Polarized low-energy-electron diffraction from W (100) / G.C.Wang, R.J. Celotta, and D.T. Pierce // Phys. Rev. B 1981. — Vol. 23. — P. 1761−1770.
  254. Unguris J. Low-energy diffuse scattering electron-spin polarization analyzer / J. Unguris, D.T. Pierce and R.J. Celotta // Rev. Sei. Instrum. 1986. — Vol. 57. — P. 13 146.
  255. Jungblut R. Spin-polarized electron spectroscopy as a combined chemical and magnetic probe / R. Jungblut, Ch. Roth, F.U. Hillebrecht and E. Kisker // Surf. Sci. -1992. Vol. 269/270 — P.615−621.
  256. Filipe A. Magnetism of Fe thin layers on GaAs (001) / A. Filipe and A. Schuhl // J. Appl. Phys.- 1997.-Vol. 81. P.4359−4364.
  257. Tsuruoka T. Combined HREELS/LEED study on the oxidation of GaN surfaces / T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, and Y. Shintani // Surf. Sci. 1998. — Vol. 427−428. — P.257 261.
  258. Waldrop J.R. Interface chemistry of metal-GaAs Schottky-barrier contacts / J.R. Waldrop and R.W. Grant // Appl. Phys. Lett. 1979. — Vol. 34. — P.630−633.
  259. Brun M. XPS, AES and Auger parameter of Pd and PdO / M. Brun, A. Berthet, J.C. Bertolini // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1999. — Vol. 104. -P.55−62.
  260. J.F. / J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben // in: Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy Edited by J. Chastain, Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division 1992.
  261. Felicissimo M.P. Characterization of a Pd-Fe bimetallic model catalyst / M.P. Felicissimo, O.N. Martyanov, T. Risse, H.-J. Freund // Surface Science 2007. — Vol. 601. -P.2105−2111.
  262. Rhoderick E. H / E. H Rhoderick, Williams R.H. // Metal-semiconductor contacts, Oxford: Clarendon Press Oxford (1978).
  263. Claydon J. S. Direct Observation of a Bulklike Spin Moment at the Fe/GaAs (100)-4×6 Interface / J. S. Claydon, Y. B. Xu, M. Tselepi, J. A. C. Bland, and G. van der Laan // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 93. — P.37 206−3.
  264. P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством / Р. Л. Белл // М.: «Энергия», 1978. — С. 192.
  265. Motsnyi V.F. Optical investigation of electrical spin injection into semiconductors / V.F. Motsnyi, P. Van Dorpe, W. Van Roy, E. Goovaerts, V. I. Safarov, G. Borghs and J. De Boeck // Phys. Rev. В 2003. — Vol. 68. — P.245 319−7.
  266. Li C.H. Electrical spin injection into the InAs/GaAs wetting layer / С. H. Li, G. Kioseoglou, A. T. Hanbicki, R. Goswami, C. S. Hellberg, and В. T. Jonker, M. Yasar and A. Petrou // Appl. Phys. Lett. 2007. — Vol. 91. — P.262 504−3.
  267. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:
  268. Al. Tereshchenko O.E. Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs (100) surface / O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. // J. Vac. Sci. Technol. A 1999. — Vol. 17. — p. 2655−2662.
  269. A2. Tereshchenko O.E. Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs (lOO) surface/ O.E. Tereshchenko A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi // Surf. Sei. 2002. — Vol. 507−510. — p. 411−416.
  270. A3. Paget D. Origin of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs (OOl) / D. Paget, O.E. Tereshchenko, A.B. Gordeeva, V.L. Berkovits, G. Onida. // Surf. Sei. 2003. — Vol. 529. — p. 204−214.
  271. A5. Paget D. Surface versus bulk origin of the optical anisotropy of As-rich (001)GaAs and (001)Gai.xInxAs / D. Paget, C. Hogan, V.L. Berkovits, and O.E. Tereshchenko // Phys. Rev. B 2003. — Vol. 67. — p. 245 313−245 317.
  272. A6. Tereshchenko O.E. Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments / O.E. Tereshchenko, E. Placidi, D. Paget, P. Chiaradia, and A. Balzarotti // Surf. Sei. -2004. Vol. 570. — p. 237−244.
  273. A7. Hogan C. Optical anisotropy induced by cesium adsorption on the As-rich c (2><8) reconstruction of GaAs (OOl) / C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida // Phys. Rev. B 2004. — Vol. 69. — p. 125 332−125 339.
  274. A8. Tereshchenko O.E. Composition and structure of chemically prepared GaAs (lll)A and (lll)B surfaces / O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov Tereshchenko O.E. // Surf. Sei. 2006. — Vol. 600. — p. 577−582.
  275. A9. Berkovits V.L. Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga! xInxAs alloys / V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko // Phys. Rev. B 2004. — Vol. 69. — p. 33 305 — 33 305−4.
  276. A 12. Tereshchenko O.E. Preparation of As-rich (2×4) III-As (001) surfaces by wet chemical treatment and vacuum annealing / O.E. Tereshchenko // Phys. Stat. Sol. C -2010.-Vol. 1−4.-p. 264−267.
  277. A13. Tereshchenko O.E. Preparation of clean reconstructed InP (OOl) using HCl/isopropanol wet treatments / O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, 279
  278. J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi // Surf. Sci. 2006. — Vol. 600. — p. 31 603 166.
  279. A 14. Tereshchenko O.E. Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb (OOl) surfaces / O.E. Tereshchenko // Appl. Surf. Sci. 2006. — Vol. 252. -p. 7684−7690.
  280. A21. Tereshchenko O.E. Metallicity and disorder at the alkali-metaI/GaAs (001) interface / O.E. Tereshchenko, D.V. Daineka, D.Paget. // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 64. — p. 85 310- 85 310−11.
  281. А24. Hogan С. A RAS study of the adsorption of electronegative and electropositive elements on GaAs (OOl) / C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, and R. Del Sole // Phys. Stat. Sol. C. -2003. p. 1−6.
  282. A25. Chiaradia P. Insulator metal phase transitions of alkali atoms on GaAs (001) / P. Chiaradia, D. Paget, O.E. Tereshchenko, J.E. Bonnet, A. Taleb-Ibrahimi, R. Belkhou, F. Wiame // Surf. Sci. — 2006. — Vol. 600. — p. 287−297.
  283. A26. Tereshchenko O.E. Cs-induced charge transfer on (2×4)-GaAs (001) studied by photoemission / О. E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, F. Wiame, R. Belkhou, and A. Taleb-Ibrahimi // Phys. Rev. B. 2010. — Vol. 81. — p. 35 304−35 304−5.
  284. A27. Tereshchenko O.E. Снижение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs (100)-(2×4)/c (2×8) под влиянием адсорбированного цезия / О. Е. Терещенко, B. JL Альперович, А. С. Терехов // Письма в ЖЭТФ 2004. — т.79. — с. 163−167.
  285. А28. Tereshchenko O.E. Cesium-induced surface conversion: from As-rich to Ga-rich GaAs (OOl) at reduced temperatures / O.E. Tereshchenko, D. Paget, V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A.S. Terekhov // Phys. Rev. B. 2005. — Vol. 71. — p. 155 315 155 315−7.
  286. A29. Терещенко O.E. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs (OOl) / О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова // Письма в ЖЭТФ 2011. — т. 93. — р. 647−652.
  287. А30. Терещенко О. Е. Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs (OOl) при селективном воздействии йода и цезия / О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович // Письма в ЖЭТФ 2008. — т.87. — р. 41−44.
  288. А31. Терещенко О. Е. Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs (OOl) / О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова // Письма в ЖЭТФ 2010. — т.91. — с. 383−388.
  289. А32. Бакулин А. В. Адсорбция хлора на поверхности С, — InAs (001)-(4><2) / А. В. Бакулин, О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова // ФТП 2011. — т. 45. — с. 23−31.
  290. A35. Berkovits V.L. GaAs (lll)A and В in hydrazine sulfide solutions: extreme polarity dependence of surface adsorption processes / V.L. Berkovits, V.P. Ulin, O.E.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!