Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фото-и электровозбуждение центров свечения в дисперсных системах на основе соединений ZnS: Cu (Cl, Al) и SrTiO3: Pr3+, Al

Диссертация: Фото-и электровозбуждение центров свечения в дисперсных системах на основе соединений ZnS: Cu (Cl, Al) и SrTiO3: Pr3+, Al
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С другой стороны, введение меди и соактиваторов в основу кристаллофосфора в силу особенностей его строения и технологии получения сопровождается формированием большого числа примесных и собственных дефектов, которые сами могут быть центрами свечения, фоточувствительности, а также входить в состав более сложных образований, принимающих участие в люминесценции. Определение роли тех или иных… Читать ещё >

Фото-и электровозбуждение центров свечения в дисперсных системах на основе соединений ZnS: Cu (Cl, Al) и SrTiO3: Pr3+, Al (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Люминесценция соединений AnBVI
      • 1. 1. 1. Механизмы возбуждения фотолюминесценции широкозонных соединений АПВ VI
      • 1. 1. 2. Механизм возбуждения электролюминесценции люминофоров на основе соединений AnBVI
      • 1. 1. 3. Основные спектральные характеристики люминофоров на основе соединений AnBVI
    • 1. 2. Происхождение фото-ЭДС в порошковых структурах
    • 1. 3. Влияние адсорбции на фото- и электролюминесценцию структур на основе широкозонных соединений типа AnBVI
    • 1. 4. Методы нанесения тонких прозрачных пленок на поверхность твердых тел
    • 1. 5. Люминесценция SrTi03 активированного ионами РЗЭ
      • 1. 5. 1. Люминесценция широкозонных материалов, активированных ионами РЗЭ
      • 1. 5. 2. Особенности люминесценции редкоземельных ионов
      • 1. 5. 3. Кристаллическая структура SrT
      • 1. 5. 4. Низковольтная католюминесценция широкозонных материалов
      • 1. 5. 5. Фотолюминесцентные свойства SrTi03: Pr3+, А
      • 1. 5. 6. Электролюминесценция структур на основе кислородсодержащих перовскитоподобных материалов
  • Глава 2. Автоматизированный измерительный комплекс для исследования свойств широкозонных материалов
    • 2. 1. Система фотовозбуждения комплекса
    • 2. 2. Разработка системы прерывания потока излучения и синхронизации
      • 2. 2. 1. Разработка блока управления частотой вращения обтюратора
    • 2. 3. Система электровозбуждения спектрального комплекса
      • 2. 3. 1. Разработка блока возбуждения электролюминесцентных структур переменным напряжением
    • 2. 4. Система регистрации комплекса
      • 2. 4. 1. Разработка усилителей для системы регистрации
    • 2. 5. Система поддержания температуры
  • Глава 3. Методики измерения спектральных распределений люминесцентных и фотоэлектрических свойств широкозонных материалов
    • 3. 1. Методика измерения спектров диффузного отражения
    • 3. 2. Методика измерения спектров люминесценции при фото — и электровозбуждении
    • 3. 3. Методика калибровки спектральной чувствительности вакуумных элементов и ФЭУ с помощью люмогенов
    • 3. 4. Методика измерения спектров фотовозбуждения люминесцентных структур
    • 3. 5. Методика измерения спектра фотопроводимости
    • 3. 6. Методика измерения спектров фото -ЭДС
  • Глава 4. Исследование свойств ZnS: Cu, CI и ZnS: Cu, A электролюминофоров
    • 4. 1. Спектральные характеристики электролюминофоров ZnS: Cu, CI, ZnS: Cu, А1 и комплексный подход к их исследованию
      • 4. 1. 1. Исследование спектров люминесценции при фото — и электро возбуждении
      • 4. 1. 2. Исследование спектров возбуждения и фотопроводимости кристаллофосфоров ZnS: Cu, С1 и ZnS: Cu, А
      • 4. 1. 3. Фото-ЭДС в системе Sn02 — порошковый образец — Sn02 при анализе свойств кристаллофосфоров
    • 4. 2. Исследование влияния обработки поверхности на яркость электролюминесценции ZnS: Cu, С1 и ZnS: Cu, А1 электролюминофоров
      • 4. 2. 1. Выбор типа поверхностной обработки зерен электролюминофоров и механизмы получения слоев из низкомолекулярных силанов
      • 4. 2. 2. Анализ влияния поверхностной модификации (силилирования) зерен электролюминофоров на их люминесцентные свойства
  • Глава 5. Исследование люминесцентных свойств SrTiCbiPr3*, А
    • 5. 1. Исследование люминесцентных свойств SrTi03: Pr3+, А1 при фотовозбуждении
      • 5. 1. 1. Исследование характеристик фотовозбуждения SrTi03: Pr3+, А1 и влияние на них А
      • 5. 1. 2. Исследование спектров фотолюминесценции SrTi03: Pr3+, А
      • 5. 1. 3. Процессы передачи энергии центрам люминесценции при фотовозбуждении SrTi03: Pr, А
      • 5. 1. 4. Исследование фотолюминесцентных свойств ВаТЮ3: Рг3+, А
    • 5. 2. Исследование люминесцентных свойств SrTi03: Pr3+, А1 при электровозбуждении
      • 5. 2. 1. Исследование спектральных характеристик люминесценции SrTi03: Pr3+, Al при электровозбуждении переменным полем
      • 5. 2. 2. Исследование приконтатного барьерного слоя в системе Sn02 — SrTi03: Pr3+, A1 — Sn
      • 5. 2. 3. Влияние A1 на волны яркости электролюминесценции SrTi03: Pr3+, А1 при возбуждении синусоидальным напряжением
      • 5. 2. 4. Исследование волн яркости электролюминесценции SrTiC^Pr3*, А1 при импульсном электровозбуждении
      • 5. 2. 5. Электролюминесценция SrTiC>3:Pr3+, А1 в постоянном поле
      • 5. 2. 6. Характеристики временной стабильности электролюминесценции SrTi03: Pr3+, А

Актуальность проблемы. В настоящее время активированные соединения AnBVI, стали базой многих приборов отображения информации [1], а также преобразователей, чувствительных к внешним физическим воздействиям, таким как тепло [2], давление [3], радиация [4].

Широкозонные электролюминесцирующие материалы в настоящее время занимают видное место в современной физике и технике полупроводников. Уникальные физические свойства этих соединений позволяют использовать их в качестве основы для полупроводниковых источников и приёмников видимого и ультрафиолетового света. В кристаллофосфорах, приготовленных из этих соединений, велика вероятность излучательных переходовблагодаря этому они широко используются как эффективные преобразователи различных видов энергии в видимое люминесцентное свечение, например как фото-, катодои электролюминофоры.

Одним из первых и вместе с тем наиболее эффективным классом преобразователей электрического поля в люминесцентное излучение стали твердые растворы на основе соединений AnBVI, в частности порошковые ZnS: Cu электролюминофоры. Уникальность этих электролюминофоров обусловлена тем, что каждое зерно кристаллофосфора (благодаря введению повышенной концентрации меди) образует сложную систему гетеропереходов типа n (ZnS:Cu)-p (Cu2S:Zn)-n (ZnS:Cu), в которой происходит эффективное возбуждение люминесценции. Огромный вклад в изучение физических и физико-химических процессов образования гетеропереходов при синтезе электролюминофоров и процессов протекающих при возбуждении предпробойной электролюминесценции внесен российскими учеными А. Н. Георгобиани, И. К. Верещагиным, Б. М. Синельниковым.

С другой стороны, введение меди и соактиваторов в основу кристаллофосфора в силу особенностей его строения и технологии получения сопровождается формированием большого числа примесных и собственных дефектов, которые сами могут быть центрами свечения, фоточувствительности, а также входить в состав более сложных образований, принимающих участие в люминесценции. Определение роли тех или иных дефектов в процессах люминесценции и фотопроводимости невозможно без комплексного экспериментального исследования люминесцентных и фотоэлектрических свойств кристаллофосфора. Такие исследования помогают раскрыть сущность явлений, лежащих в основе преобразования электрического поля в люминесцентное излучение, пролить свет на механизмы возбуждения центров свечения и перераспределение между ними возбуждающей энергии.

В тоже время известно что, зерна порошковых ZnS: Cu электролюминофоров обладают малыми (порядка нескольких микрометров) размерами, по этой причине их люминесцентные свойства подвержены сильному влиянию электронных и молекулярных процессов, происходящих на поверхности. С раскрытием механизмов этих процессов связано решение целого ряда проблем физики и технологии люминесцентных материалов. В частности до настоящего времени, нерешённой является проблема деградации ZnS: Cu кристаллофосфоров, которая в сильной степени зависит от воздействия атмосферной влаги на поверхность зёрен кристаллофосфоров и приводит к низкой временной стабильности электролюминесцентных приборов, созданных на их основе. Здесь появляется возможность методом поверхностной обработки управлять параметрами электролюминесценции. В этом плане весьма актуальной задачей является модификация поверхности цинксульфидных кристаллофосфоров путём создания на ней прозрачных мономолекулярных покрытий, которые способны не только изменять состояние поверхности, но и одновременно защищать её от пагубного воздействия внешней среды.

Другой возможностью улучшения временной стабильности электролюминесцентных излучателей является применение в качестве материала для активного слоя широкозонных полупроводниковых соединений, обладающих большей стойкостью к воздействию влаги. В качестве перспективных здесь, по-видимому, можно рассматривать активированные соединения типа АВ03, такие как SrTi03, ВаТЮ3 и их твердые растворы [5]. В пользу этого свидетельствует обнаруженная нами электролюминесценция порошкового SrTi03: Pr3+, А1 [6]. Особую роль при образовании эффекта свечения здесь играет введение коактиватора (алюминия), что говорит об актуальности задачи по выяснению роли вводимых примесей при возникновении люминесценции.

Тематика данной диссертации соответствует перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований утвержденных президиумом РАН (раздел 1.2 — «Физика конденсированных сред», подраздел 1.2.8. -" Полупроводники и полупроводниковые структуры").

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре ЭМН СевКавГТУ по госбюджетным НИР — Технология получения и исследование электрофизических свойств SrTi03: Pr3+, Al, код по ГРНТИ 53.41.00.

Цель работы. Целью диссертационного исследования является установление фундаментальных закономерностей электрои фотолюминесценции кристаллофосфоров типа ZnS: Cu (Cl, Al), SrTi03: Pr3+, Al. А также экспериментальное исследование влияния модификации поверхности электролюминофоров ZnS: Cu, (С1,А1) кремнийорганическими соединениями на яркость и временную стабильность их электролюминесценции.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— разрабатывался единый автоматизированный измерительный комплекс, позволяющий проводить запись спектральных и кинетических характеристик люминесценции, фотопроводимости и фото-ЭДС структур на основе широкозонных материалов;

— исследовались характеристики центров свечения и фотопроводимости цинксульфидных структур активированных медью, изучался вклад этих центров в общую картину электро-, фотолюминесцентных и сопутствующих им фотоэлектрических свойств;

— исследовалось влияние поверхностной обработки кремнийорганическими соединениями на электролюминесценцию кристаллофосфоров ZnS: Cu, С1 и ZnS: Cu, А1;

— исследовались спектральные характеристики центров свечения и процессы, приводящие к возбуждению люминесценции (фотои электровозбуждение) и фотопроводимости у кристаллофосфора SrTi03: Pr3+, А1;

— изучалось влияние концентрации А1 на люминесцентные свойства SrTi03: Pr3+, А1 при фотои электровозбуждении;

— исследовались кинетические характеристики люминесценции SrTi03: Pr3+, А1 при импульсном и синусоидальном электровозбуждении.

Научная новизна:

— впервые обнаружена барьерная фото-ЭДС в ячейке типа SnCbэлектролюминофор — Sn02, измерены ее спектральные характеристики. Показано, что эффект фото-ЭДС имеет нестационарную форму отклика на прямоугольную ступеньку возбуждающего импульса, и в основном связан с ионизацией решетки основания кристаллофосфоров с последующим пространственным разделением образующихся носителей заряда в поле поверхностного барьера;

— впервые исследовано влияние обработки поверхности порошковых люминофоров ZnS: Cu, CI, ZnS: Cu, А1 в парах гексаметилдисилазана {[(CH3)3Si]2NH} и диметилдихлорсилана {(CH^SiC^} на яркость и стабильность их электролюминесценции;

— впервые установлено, что участие в люминесценции SrTi03: Pr3+, А1 принимают два типа центров свечения, один из которых возбуждается при фундаментальном поглощении излучения, другой в результате непосредственного поглощения излучения ионами Рг3+ (реализуются переходы.

3+ 3.

4^электронов иона Рг из основного Н4 в возбужденные состояния.

3Р0, ЗР, и 3Р2);

— показано, что введение А1 в SrTi03: Pr приводит к смещению максимума в спектре фотопроводимости в длинноволновую область, что обусловлено образованием локализованных состояний у дна зоны проводимости;

— впервые обнаружена электролюминесценция у кристаллофосфора SrTi03: Pr, А1 при возбуждении переменным и постоянным полем.

Практическая значимость:

— предложен метод модификации поверхности порошковых цинксульфидных электролюминофоров, путём нанесения мономолекулярных триметили диметилсилоксановых покрытий. Это позволяет повысить стабильность работы электролюминесцентных конденсаторов и приводит к увеличению яркости электролюминесценции;

— электролюминесценция материала SrTi03: Pr3+, А1 имеет координаты цветности близкие к рекомендуемым для красной компоненты полноцветных экранов. Активный слой кристаллофосфора SrTi03: Pr, А1 практически не подвержен деградационным процессам, что указывает на перспективность использования его в электролюминесцентных структурах не требующих тщательной герметизации;

— эффект барьерной фото-ЭДС в ячейке типа SnC>2 — порошковый электролюминофор — Sn02 может быть положен в основу экспрессной оценки ширины запрещенной зоны кристаллофосфоров, так как практически не зависит от концентрации активирующих примесей.

Основные положения, выносимые на защиту:

— комплекс методик исследования люминесцентных, фотоэлектрических и оптических свойств широкозонных материалов;

— экспериментальные результаты исследования характеристик люминесцентных материалов ZnS: Cu (Cl, Al);

— энергетические модели электронных переходов реализующихся в ZnS: Cu (Cl, Al) кристаллофосфорах;

— механизм возникновения барьерной фото-ЭДС в ячейке Sn02 -кристаллофосфор — Sn02;

— метод модификации поверхности зерен порошковых цинксульфидных электролюминофоров в парах кремний органических соединений гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС) за счет удаления адсорбированной влаги и образования на поверхности зерен мономолекулярных триметили диметилсилоксановых слоев (биндеров), защищающих поверхность от агрессивного влияния окружающей среды;

— модели образования гидрофобных мономолекулярных силоксановых покрытий на поверхности зерен цинксульфидных кристаллофосфоров;

— комплекс исследований фотолюминесцентных и фотоэлектрических свойств SrTi03: Pr3+, А1;

— наличие двух центров люминесценции SrTi03: Pr3+, А1, один из которых связан с дефектом PrSr*, другой с ассоциированным центром свечения (Рг8г'А1Т/)Х;

— модель люминесцентных переходов 4-Р-электронов в ионе Рг3+ реализующихся при электровозбуждении;

— инжекционный механизм возникновения электронов возбуждающих предпробойную электролюминесценцию.

SrTi03:Pr, А1 в системе.

Sn02 — SrTi03: Pr3+, A1 — Sn02.

Апробация работы. Результаты работы были представлены: на IV, V и VI региональной научно-технической конференции «Вузовская наука — СевероКавказскому региону» (Ставрополь, 2000, 2001 и 2002 г.) — на второй межрегиональной конференции «Студенческая наука — экономике России» (Ставрополь, 2001) — на всероссийской научно — практической конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2001) — на международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2002, 2003., 2004г).

Публикации. Результаты исследований опубликованы в 49-и работах, в том числе в 24-х статьях и 25-и тезисах докладов.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, методической и экспериментальной частей, обсуждения полученных результатов, заключения и списка использованных литературных источников. Работа изложена на 302 страницах, содержит 118 рисунков и И таблиц. Библиографический список состоит из 202-х наименований.

278 Заключение:

— разработан многофункциональный автоматизированный измерительный спектральный комплекс. Системы фотовозбужения, электровозбуждения, поддержания температуры, регистрации и обработки экспериментальных данных, в совокупности позволяют проводить комплексное исследование оптических, люминесцентных и фотоэлектрических свойств широкозонных материалов и структур на их основе;

— разработано методическое обеспечение для комплекса. Методики позволяют проводить измерения спектральных характеристик широкозонных электролюминесцентных материалов, а также исследовать свойства структур, полученных на их основе, при стационарном и динамическом режимах возбуждения;

— проведено комплексное исследование люминесцентных и фотоэлектрических свойств ряда цинксульфидных люминофоров. Показано, что у порошковых люминофоров ряда ZnS: Cu (С1,А1) в спектральной области 400-г550 нм локализуются семь основных полос люминесценции с А, тах «434, 448, 458, 472, 479, 495 и 507 нм. Построена модель оптических переходов, ответственных за люминесценцию изучаемых структур. Показано, что эти полосы определяют спектр люминесценции как при фото-, так и при электролюминесценции;

— при совместном анализе спектров люминесценции, фотовозбуждения для отдельных полос люминесценции и фотопроводимости кристаллофосфоров типа ZnS: Cu (Cl, Al) обнаружены два вида центров, связанных с присутствием кислорода в основе. Эти центры ответственны за эффективное возбуждение фотопроводимости в спектральных областях с максимумами при 395 и 470 нм Показано, что кислородные центры играют роль центров очувствления фотопроводимости. В случае ZnS: Cu, Al кристаллофосфора они сенсибилизируют люминесценцию меди, находящейся в кислородном окружении;

— впервые обнаружена барьерная фото-ЭДС в ячейке Sn02 — кристаллофосфор — SnCV Измерены ее спектральные характеристики. Показано, что фото-ЭДС имеет нестационарную кинетику, в основном связана с ионизацией решетки основания кристаллофосфоров и разделением образующихся носителей заряда в поле поверхностного барьера. Установлено, что этот эффект может быть положен в основу оценки ширины запрещенной зоны основания порошковых электролюминофоров, так как практически не зависит от концентрации активирующей примеси;

— для связывания воды, которая имеется на поверхности зёрен ZnS: Cu (Cl, Al) электролюминофоров, и для гидрофобизации их поверхности предложен метод модификации люминофоров в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС);

— показано, что обработка порошковых электролюминофоров ZnS: Cu, CI, ZnS: Cu, Al в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС) приводит к увеличению яркости и временной стабильности их электролюминесценции, за счет удаления адсорбированной влаги и образования на поверхности зерен мономолекулярных триметили диметилсилоксановых слоёв (биндеров), защищающих поверхность от агрессивного влияния окружающей среды;

— образование диметилсилоксановых слоёв приводит к двукратному увеличению остаточной яркости электролюминесценции кристаллофосфоров по сравнению триметилсилоксановымивпервые обнаружена электролюминесценция у поликристаллического SrTi03: Pr3+, Al при возбуждении переменным и постоянным полем. Проведены комплексные исследования свойств кристаллофосфора SrTiCbiPr, Al с различным содержанием А1;

— показано, что фотовозбуждение люминесценции SrTi03: Pr3+, Al осуществляется в двух неперекрывающихся областях. В области 440 — 500 нм наблюдаются три полосы активаторного поглощения с максимумами на длинах волн 450, 475 и 490 нм,. Соответствующие им переходы в ионе Рг3+ - 3Н4 -> 3? i+ 3Н4 -> 3Р0 и 3Н4 -> 3Р2. В области до 400 нм фотовозбуждение осуществляется в результате фундаментального поглощения основой SrTi03: Pr3+, Al;

— спектры фотолюминесценции активатора при возбуждении в область фундаментального и активаторного поглощения неодинаковы. В первом случае за них ответственны переходы 3Р0 —> ЗНб, 3P|+'l6 —> 3F2 (или !D2 -н. 3Н4), 3Р0 — 3Н6, 3Р,+, 1б3F4 (или 'D2 -н. 3Н5), 3Р0 -> 3F3, 3Р0 — 3F4. Л.

Во втором две полосы связаны с переходами Р0—> Нб, и ещё две с переходами 3Р0—> 3F2;

— показано, что люминесценция, SrTi03: Pr3+, Al при возбуждении в фундаментальную область, связана с примесным дефектом (Рг8г*А1т/)х, а характеристическое свечениес дефектом Prs/- I.

— предложен механизм передачи энергии возбуждения иону Рг при фотовозбуждении основы кристаллофосфора, который сводится к схеме Pr3+ + h +е = Pr4+ + е = (Pr3+)* = Pr3+ + hvI.

— спектр электролюминесценции SrTi03: Pr, Al как переменного так и постоянного поля совершенно одинаков со спектром при фотовозбуждении в основу кристаллофосфора, это свидетельствует в пользу того, что в электролюминесценции участвует только центр (Рг8/А1Т/)Х;

— из спектральных и кинетических исследований фото-ЭДС нестационарного типа установлено, что на границе раздела кристаллофосфор — Sn02 существуют запирающие барьерные области, которые могут участвовать в процессе электролюминесценции. О существовании барьеров свидетельствует наличие волн яркости люминесценции;

— динамика волн яркости при возбуждении электролюминесценции синусоидальным напряжением в значительной степени зависит от концентрации алюминия и от частоты приложенного к электролюминесцентной ячейке напряжения;

— при синусоидальном возбуждении за период напряжения наблюдаются три волны яркости. Два пика яркости соответствуют максимумам возбуждающего напряжения и обязаны развитию процессов предпробойной электролюминесценции в запирающих барьерных областях, включённых навстречу друг другу. Третий пик приходится на смену полярности возбуждающего напряжения, что в принципе можно связать с поляризационными процессами в слое кристаллофосфора;

— исследования волн яркости при возбуждении прямоугольными импульсами напряжения положительной и отрицательной полярности показало, что носители зарядов необходимые для возбуждения центров свечения, появляются за счёт инжекции из контактов электролюминесцентной ячейки, а сама электролюминесценция связана преимущественно с ударным механизмом возбуждения ионов.

— эффект объёмной электролюминесценции в постоянном поле для.

•з I образцов SrTi03: Pr, Al реализуется при наложении на ячейку положительного потенциала, он имеет временную зависимость и развивается со стороны электрода к которому приложен положительный потенциал.

— кристаллофосфор SrTiCV. Pr3*, Al обладает лучшей временной стабильностью яркости электролюминесценции на переменном поле, по сравнению цинксульфидными электролюминофорами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В.П. Электролюминесцентные устройства / В. П. Деркач, В. М. Корсунский. — Киев: Наукова думка, 1968. — 301с.
  2. , К.В. Механолюминесцентные (светогенерационные) сенсорные элементы для современных информационно измерительных технологий./ К. В. Татмышевский // Микросистемная техника. -2004.-№ 12.-С.4−10.
  3. , B.C. Действие излучений на полупроводники / B.C. Вавилов, -М.: Физматгиз, 1963.-264 с.
  4. , Б.М. Электролюминесценция порошков титанатов бария, стронция, кальция /Синельников Б.М., Гуреев А. Т., Снытко С. В., Лапин А. П. // сб.науч. тр./Всесоюз.науч.-иссл. ин-т Люминофоров. 1974. -Вып. 10. — С. 125−127.11
  5. , О.Н. Прикладная электролюминесценция/О.Н. Казанкин, И. Я. Лямичев, Ю. Н. Николаев и др.- под общ. ред. М. В. Фок. М.: Сов. Радио, 1974.-416 с.
  6. , А.Н. Электролюминесценция кристаллов / А. Н. Георгобиани //сб. научн. тр. /Физ. ин-т. им. П. Н. Лебедева. 1963. -Т.23. — С. 3−63.
  7. , Р. Полупроводники/ под ред. Н.П. Ленина- пер. с англ. М.: Мир, 1982- 560с.
  8. , A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров /
  9. A.M. Гурвич М.: Высшая школа, 1982. — 376 с.
  10. , Б.М. Физика и технология люминофоров. Часть 1. Физика процессов люминесценции / Б. М. Синельников. Ставрополь: Изд. СевКавГТУ, 2004. -103 с.
  11. , Б.М. Электролюминофоры постоянного тока / Б. М. Синельников.- Ставрополь: Изд. АО «Пресса», 1996. 224 с.
  12. , А.Н. Туннельные явления в люминесценции полупроводников / А. Н. Георгобиани, П. А. Пипинис. М.: Мир, 1994, — 224 с.
  13. , И.К. Электролюминесцентные источники света / И. К. Верещагин, А. Б. Ковалев, JI.A. Косяченко, С.В. Кокин- под общ. ред. И.К. Верещагина- -М.: Энергоиздат. 1990, 168 с
  14. , О.Н. Неорганические люминофоры / О. Н Казанкин, Л. Я. Марковский, И. А. Миронов и др. JL: Химия, 1975. — 192 с.
  15. , Р. Фотопроводимость твердых тел / Р. Бьюб- пер. Т. М. Лифшиц. -М.: И.Л., 1962.-559 с.
  16. , В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела /
  17. B.Ф. Киселев, С. Н. Козлов, А. Е. Зотеев. М.: изд-во Моск. ун-та. Физический факультет МГУ, 1999. -284 с.
  18. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич,
  19. C.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. — 672 с.
  20. , Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников и их роль в люминесценции / Ф. Ф Волькенштейн, Г. ППека. // Электролюминесцирующие пленки. Конспект лекций по электролюминесценции. Тарту: изд. Тарт. гос. ун-та, 1972. -С. 88−125.
  21. , В.А. Люминесценция и адсорбция / В. А. Соколов, А. Н. Горбань. М.: Наука, 1969. — 188 с.
  22. , И.К. Старение влажных электролюминофоров/ И. К. Верещагин, С. М. Кокин // ЖПС. -1984. -T.XL. Вып. 2. -С. 338−340.
  23. Н.П. Электролюминесценция твердых тел / Н. П. Сощин, И. Н. Орлов. // Труды 3 совещания по электролюминесценции. Киев: Наукова думка, 1971. — С.279−283.
  24. , И.К. Старение электролюминофоров с синим свечением / И. К. Верещагин, Б. А. Ковалёв, В. А. Селезнёв // ЖПС. 1980. — Т. XXXII. -Вып.5.-С. 913−916.
  25. , Б. М. Механизм «быстрого» старения электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем / Б. М. Синельников // М.: Электронная техника. Серия «Материалы». 1985. — Вып. 3(202). — С. 22−25.
  26. , Б. М. Деградационные процессы в электролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем. I Поверхностные явления / Б. М. Синельников // М.: Электронная техника. Серия «Материалы». 1985. Вып. 7. -С. 50−53.
  27. , Б.А. Деградационные явления в электролюминофорах переменного тока / Б. А. Ковалев. // Ученые записки Тартуского государственного университета. Тарту: изд. Тарт. гос. ун-та, 1982. — № 632.-С. 21−47.
  28. , В.А. Курс физической химии / В. А. Киреев. М.: Госхимиздат. 1951.-688с.
  29. , А.Д. Физическая химия / А. Д. Зимон М.: Химия. 2000. — 320с.
  30. А.Н. Широкозонные полупроводники AnBVI и перспективы их применения / А. Н. Георгобиани // УФН. 1974, Т. 113. -Вып.1.-С. 129−154.
  31. , Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н. В. Суйковская. JL: Химия. 1972. — 200 с.
  32. У. Микролитография В 2 ч. Ч.1./ У. Моро- пер. Р. Х. Тимерова. -М.: Мир, 1990. Т.1−2.
  33. , А.И. Защита и герметизация полупроводниковых приборов и интегральных схем / А. И. Курносов. М.: Высшая школа, 1978. — 80с.
  34. . Стекло в электронике / Б. Роуз- Пер. с чешек. М.: Советское радио. 1969. — 261с.
  35. , Б.М. Изучение особенностей синтеза и механизма электролюминесценции люминофора ВаТЮз:Рг/ Б.М., Синельников, Власьянц Г. Р. // сб.науч. тр./Всесоюзн. науч.-иссл. ин-т Люминофоров. -1976. Вып. 14. — С. 120−123.
  36. Ronda, C.R. Phosphors for lamps and displays: an applicational view / C.R. Ronda//J. Alloys and Compounds. 1995. — V.225. -P.534−538.
  37. Kale, A. Infrared emission from zinc sulfide: Rare-earth doped thin films / A. Kale, N. Shepherd, W. Glass, D. DeVito, M. Davidson, P.H. Holloway // J. Appl. Phys. 2003. — V.94. — № 5. — P.3147−3152.
  38. Macfarlane R.M. High-resolution laser spectroscopy of rare-earth doped insulators: a personal perspective / R.M. Macfarlane // J. Lum. 2003. — V.100. -P. 1−20.
  39. Hong, Z.R. Efficient red electroluminescence from organic devices using dye-doped rare earth complexes/ Z.R. Hong, C.S. Lee, S.T. Lee, W.L. Li, S.Y. Liu //J. Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82. — № 14. — P.2218−2220.
  40. Yamamoto, H. Luminescence of rare-earth-activated Ga-containing oxides by low-energy electron exitation / H. Yamamoto, Y. Suda // J. Soc. Inf. Disp. -1998. V.6. -№ 3. -P.2783−2785.
  41. Schawlow A.L. Infrared and optical masers / A.L.Schawlow, C.H. Townes // Phys. Rev. 1958. — V. l 12. — P. 1940−1949.
  42. , П.П. Поглощение и люминесценция двухвалентных ионов редких земель в кристаллах природного и искусственного флюорита / П. П. Феофилов // Оптика и спектроскопия. 1956. — вып.1. — С.992−999.
  43. Sorokin, P.P. Solid-state optical maser using divalent samarium in calcium fluoride / P.P. Sorokin, M.I. Stevenson /ЯВМ J. Res. Developm. 1961. — V.5. -P.56−58.
  44. , П. Спектроскопические свойства активированных лазерных кристаллов / П. Герлих, X. Каррас, Г. Кетитц, Р. Лемман. М.: Наука, 1966. -356 с.
  45. , А.А. Исследование спектроскопических характеристик в экспериментах по стимулированному излучению / А. А. Каминский // Сб. Спектроскопия кристаллов. Л. — 1973 — С.70−93.
  46. , А.А. Лазерные кристаллы / А. А. Каминский М.: Наука, 1975.-266 с.
  47. Dieke, G.H. The spectra of the doubly and triply ionized rare earth / G.H. Dieke, H.M. Grosswhite // J. Apll. Optics. 1963. — V.2. — P.675−686.
  48. Okumura, M. Luminescence properties of rare earth ion-doped monoclinic yttrium sesquioxide / M. Okumura, M. Tamatani, A. K Albessard., N. Matosuda // Jpn. J. Appl. Phys. 1977. — V.36. — P.6411−6415.
  49. Yamada, H. A scintillator Gd202S: Pr, Ce, F for X-ray computed tomography / H. Yamada, A. Suzuki, Y. Uchida, M. Yoshida, H. Yamamoto, Y. Tsucuda // J. Electrochem. Soc. 1989. — V.136.-№ 9.-P.2713−2716.
  50. Blasse, G. Characteristic Luminescence / G. Blasse, A. Bril //Philips Tech. Rev. 1970. — V.31. — P.304−334.
  51. , A.M. Проблемы редкоземельных люминофоров / A.M. Гурвич // Сб. Спектроскопия кристаллов. JI. — 1985. — С.59−70.
  52. , А.Б. Люминесценция примесных 3d- и 4f-HOHOB в различных кристаллических формах А1203/ А. Б. Кулинкин, С. П. Феофилов, Р. И. Захарченя // ФТТ. 2000. — Т.45. — Вып. 5. — С.835−838.
  53. , А.А. Собственная и активированная примесями Zn, Се, ТЬ, Ег, Sm и Ей фотолюминесценция псевдоаморфных тонких пленок GaN и InGaN / А. А. Андреев // ФТТ. 2003. — Т.45. — В.З. — С.39502.
  54. , М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайонс, А. Гласс. М.: Мир, 1981.-736 с.
  55. Kunimoto, Т. Optimization of PLD parameters for growth of ZnO: Zn phosphors thin films / T. Kunimoto, K. Kakehi, A. Daud, K. Ohmi, S. Tanaka //Proc.7th Int. Display Workshops, Nov.29 Dec. l, 2000. — Kobe, 2000. -P.921−924.
  56. Kang, S.W. Optical characteristics of the phosphor screen in field-emission environments / S.W. Kang, B.S. Jeon, J.S. Yoo // J. Vac. Sci. Technol. 1997. -V.15. -№.2. -P.520−523.
  57. Holloway, P.H. Degradation of field emission display phosphors / P.H. Holloway, T.A. Trottier, J. Sebastian, S. Jones, X.-M. Zhang, J.-S. Bang, B. Abrams, W.J. Thorns, T.-J. Kim //J. Appl. Phys. 2000. — V.88. — № 1. — P.483 -488.
  58. Itoh, S. A New Red-Emitting Phosphor SrTi03: Pr3+, for Low -Voltage Electron Excitation / S. Itoh, H. Toki, K. Tamura, F. Kataoka // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. — V.38. -№.11.- P.6387−6391.
  59. Yokoyama, M. Red SrTi03: Pr, Al phosphors as potential field emission display material / M. Yokoyama, S.-H. Yang // J. Vacc. S. & Tech. 2000. -V.15. — №.5. — P.2472−2476.
  60. Shin, S.H. Role of Ga in SrTi03: Pr, Ga phosphor studied through its aging behavior under low-dose electron irradiation / S.H. Shin, D. Y Jeon, K.S. Suh // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. — V.40. — №.12. — P.6876−6877.
  61. , Б.И. Введение в теорию люминесценции / Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Минск: Изд-во Академии наук БССР, 1963.-443 с.
  62. , В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых тел / В. Л. Левшин. М.: Гостехтеоретиздат, 1951. — 456 с.
  63. Yamamoto, Н. Enhancement of characteristic red emissionfrom SrTi03: Pr3+by Al addition / H. Yamamoto, S. Okamoto, H Kobayashi. // J. Appl. Phys. -1999. V.86. — №.10. — P.5594−5597.
  64. Byun, J. Photoluminescence characteristics of SrTi03: Pr, Ga single crystal / J. Byun, Y. Lee, B. Jang, Y. Yu, S. Ryou, K. Suh // Mat. Res. Soc. 2000. -V.621. — P. Q461-Q466.
  65. Mita, Y. Energy transfer processed in rare-earth-ion-doped material / Y. Mita, M. Togashi, H. Yamamoto // J. Lum. 2000. — V.87. — P. 1026−1028.
  66. Yamamoto, H. Efficiency enhancement by Al addition to some oxide phosphors for field emission display / H. Yamamoto, S. Okamoto // Displays -2000. V.21. № 2 — P.93−98.
  67. Park, J.K. Synthesis of SrTi03: Pr, Al phosphor from a complex precursor polymer and their luminescent properties / J.K. Park, H. Ryu, H. D. Park, S-Y. Choi // J E. Cer. Soc. 2001. — V.21. — P. 535−543.
  68. Okamoto S., Kobayashi H., Yamamoto H. Effects of Al addition on photoluminescence properties in rare-earth ion-doped SrTi03 / S. Okamoto, H. Kobayashi, H. Yamamoto // J. Electrochem. Soc. 2000. — V.147. № 6 -P.2389−2393.
  69. Yamamoto H., Okamoto S., Kobayashi H. Luminescence of rare-earth ions in perovskite-type oxides: from basic research to applications / H. Yamamoto, S. Okamoto, H. Kobayashi // J. Lum. 2002. — V.100. — P.325−332.
  70. Kim, K.H. Synthesis of SrTi03: Pr, Al by ultrasonic spray pyrolisis / K.H. Kim, J.K. Park, C.H. Kim, H. D. Park, H. Chang, S.-Y. Choi // Cer. Inter. -2002.-V.28.-P. 29−36.
  71. Okamoto, S., Tanaka S., Yamamoto H. Energy transfer process in rare-earth ion doped SrTi03 / S. Okamoto, S. Tanaka, H. Yamamoto // Inter. J. Modern Phys. В 2001. — V. 15. — P. 3924−3927.
  72. , A.C. Теория молекулярных экситонов / A.C. Давыдов M.: Наука, 1968.-295 с.
  73. Maarten L.H. ter Heerdt. Vacuum ultraviolet spectroscopy of Pr3+ in CaAl407, LaMgAlnOi9 and SrLaA104 / Maarten L.H. ter Heerdt, E. van der Kolk, William M. Yen, Alok M. Srivastava // J. Lum. 2002. -V.100. -P.107- 113.
  74. , Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. М.: Мир, 1965.-556 с.
  75. , С.В. Значение открытия сегнетоэлектрика титаната бария для науки и техники / С. В. Богданов // Титанат бария: Сб. ст.- М.: Наука, 1973. -С.7−10.
  76. , Г. М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г. М. Гуро, И. И. Иванчик, Н. Ф. Ковтонюк // Титанат бария: Сб. ст.- М.: Наука, 1973. -С.71−77.
  77. , Б.М. Люминофоры для электровакуумной промышленности / Б. М. Гугель М.: Энергия, 1967. — 344с.
  78. , Б.М. Поглощение возбуждающей энергии при фотовозбуждении и ее передача центрам свечения в цинксульфидных люминофорах с различными активаторами / Б. М. Синельников,
  79. Н.И. Каргин, JI.B. Михнев, Е. А. Бондаренко, А. С. Гусев // Тез. докл. III Международн.науч.конф. «Химия твёрдого тела и современные микро- и нанотехнологии» Кисловодск, 14 19 сент. 2003 г.- Ставрополь: Изд. СевКавГТУ, 2003. -С.122−124.
  80. , М. Модуляционная спектроскопия / М. Кардона. -М.: Мир, 1972.-416 с.
  81. Справочная книга по светотехнике / под ред. Айзенберга. М.: Энергоиздат, 1983.-472 с.
  82. А.С. Влияние состояния поверхности на электро- и фотолюминесцентные свойства порошковых цинксульфидных структур: дис.. канд. физ.-мат. наук: защищена 18.04.2003: утв. 11.07 2003 / А. С. Гусев. Ставрополь: изд. СевКавГТУ, 2003. — 135 с.
  83. , М.И. Спектральные измерения в электровакуумной технике / М. И. Эпштейн. М.: Энергия, 1970. -144 с.
  84. , С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М Рыбкин. -М.: Физматгиз, 1963. 496 с.
  85. О.В. Физико-химические и электрофизические процессы в электролюминесцентных излучателях : дис.. к. т. наук: защищена 12. 12 1998.: утв. 26.03.1999 / О. В. Качалов. Ставрополь: изд. Ст. гос. тех. ун-т., 1998.- 132 с.
  86. , В.Н. Аппаратура для флуоресцентного анализа / В. Н. Каралис, Э. А. Корнеева. М.: Изд. станд, 1970. — 208 с.
  87. , В.И. Схемотехника мощных полевых транзисторов / В .И. Ильин. -М.: Радио и связь, 1998.-238 с.
  88. , M.JI. Паразитные связи и наводки / M.JI. Волин. М.: Советское радио, 1965.-231 с.
  89. Яркометр-люксометр ЯМР 3. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. 2.850.202 ТО.
  90. , О.Б. Интегральные микросхемы в усилительных устройствах. Анализ и расчет / О. Б. Лурье. М.: Радио и связь, 1988. — 176 с.
  91. , О.В. Усилительные устройства / О. В. Головин М.: Радио и связь, 1993.-365 с.
  92. , Б.Н. Приборы и методы температурных измерений / Б. Н. Олейник, С. И. Лаздина, В. П. Лаздин, О. М. Жагулло. М.: Изд. станд, 1987.-296 с.
  93. Жердев Ю. В, Ормонт Б. Ф. О зависимости ширины запрещённой зоны фаз в системе ZnSe CdSe от структуры и состава / Ю. В. Жердев, Б. Ф. Ормонт. //Физика твёрдого тела. — 1960. — Т. 11. — № 1. — С. 171.
  94. Н.А. Фотоэлектронные приборы / Н. А. Соболева, А. Е. Меламид. М.: Высшая школа, 1974. — 375с.
  95. В.К. Установка для автоматической записи спектров излучения / В. К. Ишунин, В. Б. Кузнецов // сб.науч. тр. / Всесоюз. науч.-иссл. ин-т Люминофоров. 1973. — Вып.8. — С. 128−130.
  96. , А.А. Квантовая механика / А. А. Соколов, Ю. М. Лоскутов, И. М. Тернов. М.: Государственное издательство министерства просвещения РСФСР, 1962. — 591 с.
  97. , Г. Статистическая физика в примерах / Г. Шиллинг. М.: Мир, 1976.-432с.
  98. , Я. Экспериментальные явления в фотохимии и фотофизике / Я Рабек. М.: Мир, 1985. — 608 с.
  99. Фок, М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров / М. В Фок М.: Наука, 1964. — 283с.
  100. , А.П. Метод разложения сложного контура на элементарные составляющие с использованием предварительного анализа его структуры / А. П. Кучеров, С. М. Кочубей // ЖПС. 1983. — Т.38. — Вып. 1. -С. 145−150.
  101. Фок М.В. //Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева: сб. ст. М.: Наука, 1985. Тр. ФИАН- Т.59 — С.3−24.
  102. Busse, W.Gumlich. Time resolve spectroscopy of ZnS: Mn by Dye Laser Technique / Busse W. Gumlich, B. Meissner, D. Theis // J. Lum. 1976. -V. 12/13. -P.693−700.
  103. , А. Основы теории фотопроводимости / А. Роуз- пер. А. А. Рогачёва и Р. Ю. Хансеворова. М.: Мир, 1966. — 192 с.
  104. Као, К. Перенос электронов в твердых телах. В 2 ч. 42 / К. Као, В. Хуанг- пер. 3.3. Высоцкого. М: Мир, 1984. — 368 с.
  105. , А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / А. Амброзяк. М.: Сов. радио, 1970, -389с.
  106. Taagepera, R. Fhotoelektroluminescence of Single Crystals of Manganese -Activated Zinc Sulfide/ R. Taagepera, F. Williams // J. of Appl. Phys. 1966. -V.37. ~№ 8. -P.3085−3091.
  107. Гугель Б. М, Крупенина, А .Я. О взаимодействии центров синей и оранжевой полос свечения в люминофоре ZnS: Mn, Cl / Б. М. Гугель, А. Я. Крупенина // сб.науч. тр. / Всесоюз. науч.-иссл. ин-т Люминофоров. -1970.-Вып.З.-С. 19−35.
  108. Акт о внедрении технологии производства электролюминофора марки Э-455−115, разработанной предприятием ВНИИ Люминофоров. Ставрополь. 1982.
  109. Акт о внедрении технологии производства электролюминофора марки Э-515−115, разработанной предприятием ВНИИ Люминофоров. Ставрополь. 1982.
  110. Отчет по теме Б4 808 500 045: Разработка электролюминофоров различных цветов свечения для ЭЛИ на 115 В, 400Гц. Ставрополь. ВНИИ Люминофоров. 1981.
  111. , Ю.В. Природа тонкой структуры в спектрах электролюминесценции / Ю. В. Ушаков, М. В. Фок // ЖПС. 1978. -Т. XXVIII. -Вып. 6. -С. 1018−1023.
  112. , A.G. «Electroluminescent Lines in ZnS Powder Particles» / A.G. Fischer//. J. Electrochem. Soc. 1963, 110. — P. 733−748.
  113. Scheps, R. Trasient excitation and emission in Hexagonal ZnS: Mn / R. Scheps //J. Lum. 1988. — V.42. — № 5. — P. 295−304.
  114. , Б.Н. Фотонное умножение в кристаллофосфорах ZnS-Mn / Б. Н. Горбачёв, Э. Р. Ильмас, Ч. Б. Лущик, Т. И Савихина // сб.науч. тр. / ин-т Физики и Астрономии Академии наук ЭССР. 1966. — № 34. — С. 30−47
  115. Bube R. Mechanism of Photoconductivity in microcristalline powders / R. Bube // J.Appl. Phys. 1960. V. 1.31. — № 12. P. 2239−2245.
  116. , J.S. «Activator sistems in zinc sulphide phosphors»/ J.S. Prener, E.E. Williams // J.Electrochem. Soc. 1956. — V. 103. — P. 342−346.
  117. , Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел / Ю. Н. Веревкин. Л.: Наука, 1983, — 122с.
  118. Физика Соединений AnBVI / Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. М.: Наука, 1986. — 320с.
  119. , Ф.Ф. Физика и химия соединений А2В6 / Ф. Ф. Морхед. М.: Мир, 1970.-465 с.
  120. , Д.Е. Исследование центров люминесценции и энергий ионизации донорных уровней в соединениях А2В6 / дис.. канд. техн. наук: защищена 20. 10.2002: утв. 15.04.2003 / Д. Е. Дюдюн. Ставрополь: изд. СевКавГТУ, 2002. -139 с. л /
  121. , С.А. Физика и химия соединений, А В / С. А. Медведев. -М.: Мир, 1970. -525 с.
  122. , Н.П. Кислород в активаторных центрах сульфида цинка / Н. П. Голубева, М. В. Фок // ЖПС. 1985. — Т. XL1II. — Вып. 5. — С. 793−798.
  123. , Н.П. Связанная с кислородом люминесценция сульфида цинка, активированного медью и серебром / Н. П. Голубева, М. В. Фок // ЖПС. -1987. Т. 47. -№ 1. — С. 35−40.
  124. , Н.И. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник / Н. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. Киев: Наукова думка, 1975. — 704с.
  125. , Н. Участие кислорода в образовании цинксульфидных люминофоров / Н. Риль, Г. Ортман. // Журнал общей химии. 1955. -Т. XXV.-Вып. 6.-С. 1057−1065.
  126. , Н. Химизм образования центров свечения в цинксульфидных люминофорах / Н. Риль, Г. Ортман. // Журнал общей химии. 1955. -Т. XXV. -Вып. 7. — С. 1289−1303.
  127. , А.А. О влиянии кислорода на спектр электронных ловушек в люминесцирующем сульфиде цинка / А. А. Бундель, Г. В. Жуков // Оптика и спектроскопия. 1965. — Т. XIX. — Вып.2. — С. — 247−251.
  128. , А.И. Фотопроводимость керамики ZnS/ А. И. Проскура, Г. А. Пащенко, A.M. Павелец, Л. Н. Динисенко. // ЖПС. 1981. — Т. XXXL. -Вып.З.-С. 559−561.
  129. , А.Н. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью / А. Н. Георгобиани, М. Б. Котляревский, В. Н. Михаленко, Ю. В. Швецов // ЖПС. 1981. — Т. 35. — Вып. 4. — С.632−635.
  130. Антонов-Романовский, В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров/В.В. Антонов-Романовский. -М.: Наука, 1966. -324с.
  131. , Н.П. О природе центров зеленой люминесценции ZnS-0:Cu / Н. П. Голубева, М. В. Фок // ЖПС. 1981. — Т. 35. — № 3. — С. 551−553.
  132. , Л.М. Пироэлектрический эффект в одном и нескольких мономолекулярных слоях / Л. М. Блинов, Л. В. Михнев, Э. Б. Соколова, С. Г. Юдин // Письма в ЖТФ. 1983. — Т.9. — В.2. -С. 1494−1497.
  133. , Л.М. Исследование молекулярной ориентации в последовательности ленгмюровских монослоев / Л. М. Блинов,
  134. JI.B. Михнев, С. Г. Юдин // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. — 10. — С.45−48.
  135. , JI.M. Прямое наблюдение внутримолекулярного переноса заряда при фотовозбуждении / JI.M. Блинов, В. Т. Лазарева, Л. В. Михнев, С. Г. Юдин // ДАН СССР. 1986. -Т.287. -№ 2. — С. 367−370.
  136. , Э. Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер. М: Техносфера, 2004. — 592с.
  137. , Н.В. Фотоэлектрические свойства диодов Au ZnS в УФ области спектра / Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман //ЖПС. — 1989. -Т. 51. -№ 2. -С. 335−337.
  138. , В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселёв. -М: Наука, 1970. -399с.
  139. , Т.В. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. — 37. — Вып.9. — С.1025−1034.
  140. , Н.А. Фото и электролюминесценция пленок / Н. А. Власенко // Уч. зап. Тартуский гос. ун-та: — Тарту: Изд-во Тартуск. гос. ун-та, 1973, -Вып. 325, -С. 3−68.
  141. , Е.А. Исследование люминесцентных свойств SrTi03:Pr3+, Al при фото и электровозбуждении: дис.. канд. физ.-мат. наук: защищена 29.10.2004: утв. 21.01.2005 / Е. А. Бондаренко, -Ставрополь: изд. СевКавГТУ, 2004. — 134 с.
  142. , Ю.Н. Исследование электрической прочности электролюминесцентных конденсаторов (ЭЛК) и её изменений в процессе длительной работы / Ю. Н. Веревкин, Э. Д. Головкина, Б. П. Журавлев,
  143. В.Д.Орлов, А. Х. Стеклов // Электролюминесценция твердых тел: сб. ст: -Киев: Наукова Думка, 1971,-0.274−278.
  144. , В.М. Влияние влаги на яркость свечения и старение цинксульфидных электролюминофоров / В. М. Пилипенко, Э. В. Стауэр // Электролюминесценция твердых тел: сб. ст: Киев: Наукова Думка, 1971, -С.290−293.
  145. , К. Капиллярная химия / К. Иноуе, и др.- пер. А. В. Хачояна. -М.: Мир, 1983.-272 с.
  146. , К.В. Влияние обработки поверхности на электролюминесценцию порошковых ZnS -электролюминофоров / К. В. Реало, Э. К. Тальвисте, М. В. Фок // Электролюминесценция твердых тел: сб. ст: Киев: Наукова Думка, 1971, — С. 284−286.
  147. , М. Химия поверхностей раздела фаз / М. Джейкок, Дж. Парфит- пер. В. Ю. Гаврилова и В. Б. Фенелонова. М.: Мир, 1984. -269 с.
  148. , И.К. Старение электролюминофоров в присутствии влаги / И. К. Верещагин, С. М. Кокин // Журн. прикл. спектроскопии. 1983. — Т.38. -Вып.З.-С. 475−479.
  149. , В.Е. Электростарение сверхярких электролюминесцентных конденсаторов / В. Е. Солодкин // Электролюминесценция твердых тел: сб. ст: Киев: Наукова Думка, 1971, -С. 287−289.
  150. , И.К. Явления, происходящие при старении цинксульфидных электролюминофоров / И. К. Верещагин, Б. А. Ковалев, В. А. Селезнев // Журн. прикл. спектроскопии. 1977. — Т.27. — Вып.4. -С. 739−740.
  151. , Ф.Ф. Физико химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн. -М.: Наука, 1973. — 400 с.
  152. , Ф. Органические полупроводники / Ф. Гутман, Л. Лайонс- пер. Г. А. Юрловой и Т. К. Соболевой. М.: Мир, 1970. — 696 с.
  153. , И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции ZnS:Cu / И. К. Верещагин // Известия вузов. Физика, 1998. -№ 2. С. 89−91.
  154. Davies, J.T. Interfasial Phenomena / J.T. Davies, E.K.Rideal.-New York and London: Academic Press, 1961. 474 c.
  155. , И.К. Влияние напряжения на скорость старения электролюминофоров / И. К. Верещагин, Б. А. Ковалев, В. А. Селезнев //Журн. прикл. спектроскопии. 1978. — Т28. — Вып.6. — С. 1024−1027.
  156. , И.В. Основные параметры электролюминесцентного конденсатора и связь их с технологическими факторами / И. В. Довженко, В. А. Кыласов, ИЛ. Лямичев // Электролюминесценция твердых тел: сб. ст: — Киев: Наукова Думка, 1971, -С. 259−265.
  157. Van Benthem, К. Bulk electronic structure of SrTi03.- Experiment and theory / K. van Benthem, C. Elsasser //J. Appl. phys. 2001. — V.90. — № 12. -P.6156−6164.
  158. Bowlby, B.E. Application of Judd Ofelt theory to the praseodymium ion in laser solids / B.E. Bowlby, B. Di Bartolo //J. Lum. — 2002. — № 100.1. P. 131−139.
  159. Yang, K.W. Mechanism of the negative resistance characteristics in, А С thin — films electroluminescent devices / K.W. Yang, S.J. Owen // IEEE Trans. Electr. Devices. -1983. — V. 30. — No 5, — P. 452−468.
  160. A.B. Оценка нестехиометрии кристаллов титаната стронция / A.B. Константинова, JI.A. Коростель, Н. А. Кулагин // Кристаллография. 1995. — т.40. — № 4. — С.692−697.
  161. , А.А. Оптические спектры трехзарядных редкоземельных ионов в поликристаллическом корунде / А. А. Каплянский, А. Б. Кулинкин, А. Б. Куценко и др. // ФТТ. 1998. — Т.40. -№ 8. -С.1442−1449.
  162. , Ф.Ш. Центры люминесценции Рг3+ в монокристаллах сульфида галлия / Ф. Ш. Айдаев //ЖПС. 2002. — Т.69. — № 3. — С. 415−416.
  163. , П.В. Физическая химия твёрдого тела. Кристаллы с дефектами / П. В. Ковтуненко М.: Высш. шк, 1993. — 352 с.
  164. , Б.М. Физическая химия кристаллов с дефектами / Б. М. Синельников. Ставрополь: Изд. СевКавГТУ, 2003. — 176с.
  165. , Н.И. Фотопроводимость в системе Sn02 -поликристаллический люминофор Sn02 / Н. И. Каргин, Л. В. Михнев, А. С. Гусев, А. Ю. Немешаев, Е. А. Бондаренко, В. И. Воробьев // Изв. в. уч. зав. «Материалы электронной техники». — 2002. — № 3. — С. 38−41.
  166. , П.А. Температурное изменение интенсивностей полос излучения SrAli20i9:Pr / Родный П. А., Мишин А. Н., Михрин С. Б. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т.28. — Вып.23. — С.39−43.
  167. С.М. Примесные центры в керамике титаната бария, легированной редкоземельными элементами / С. М. Корниенко, И. П. Быков, М. Д. Глинчук, В. В. Лагута, А. Г. Белоус, Л. Ястрабик //ФТТ. 1999. — Т.41. -№ 10. — С.1838−1842.
  168. , Л.Н. Синтез и исследование электролюминофоров системы Zn(S, Те):Мп / Л. Н. Кривошеева, Д. А. Каширина // Сб.науч.тр. Серия «Физико-химическая»: сб. ст. Ставрополь: Изд. СевКавГТУ, 2001. -Вып. 5-С. 45−51.
  169. , Ф. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах / Ф. Бассани, Дж. Пастори Парравичини- пер. В.Л. Бонч-Бруевича. -М.: Наука, 1982. 391 с.
  170. Piper, W.W. Electroluminescence of single crystal of ZnS: Cu / W.W. Piper, F.E. Williams // Phys. Rev. 1952. — V.87. — № 1. — P. 151−152.
  171. , Ю.В. Рекомбинационное излучение сульфида цинка / Ю. В. Бочков, А. Н. Георгобиани, А. С. Гершун и др. // Оптика и спектроскопия, 1967. — Т.22. — № 4. — С.656−657.
  172. , И.К. Электролюминесценция монокристаллов окиси цинка (явление Лосева) / Верещагин И. К. Драпак И.Т. Оптика и спектроскопия: сб. ст. 1. М.-Л.: Изд.-во АН СССР, -1963, — С.327−335.
  173. , А.И. Перераспределение избыточного объемного заряда в структурах на основе монокристаллического титаната стронция /
  174. А.И. Дедык, JI.T. Тер-Мартиросян // ФТТ. 1997. — Т. 39. — № 4. -С.349−353.
  175. А.И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция / А. И. Дедык, JI.T. Тер-Мартиросян // ФТТ. 1998. — Т. 40. — № 2. -С.245−248.
  176. , И.К. Электролюминесценция и поверхностные свойства кристаллофосфоров /И.К. Верещагин //-Изв. АН СССР. Сер. физич, 1961, Т. 25,-4, -С.518−520.
  177. , И.К. Электролюминесценция кристаллов /И.К. Верещагин. -М.: Наука, 1974.-280 с.
  178. , В.П. Волны яркости пленочных электролюминесцентных конденсаторов / В. П. Васильченко, К. Ю. Пийр, К.-С.К. Ребане // Ученые записки Тартуского государственного университета. Тарту: изд. Тарт. гос. ун^га, 1973. — Вып. 3. — С. 69−79.
  179. , Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках / Я. И. Френкель // ЖЭТФ. 1938. — Т.8 -Вып. 12.- С. 1292−1301.
  180. , И.К. Старение электролюминофоров в присутствии влаги / И. К. Верещагин, С. М. Кокин // Журн. прикл. спектроскопии. 1983. — Т.38. -Вып.З.-С. 47579.
  181. , А.Н. Зависимость электролюминесценции от температуры / А. Н. Георгобиани, Е. Ю. Львова, М. В. Фок // Оптика и спектроскопия. 1963. — Т. 15. — № 1. — С.95−99.
  182. , И.К. Температурная зависимость средней яркости электролюминесценции / И. К. Верещагин // Оптика и спектроскопия. -1964. Т. 16. — № 4. — С.651−658.
  183. , Ф.И. К теории деградации гетеропереходов CuxS ZnS:Mn / Ф. И. Вергунас, М. Н. Гущин, В. И. Лурье // Микроэлектроника. — 1981, -Т. 10.- Вып.З.-С. 235−239.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!